DE19825050C2 - Method for arranging and orienting single crystals for cutting off wafers on a wire saw having a wire frame - Google Patents
Method for arranging and orienting single crystals for cutting off wafers on a wire saw having a wire frameInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anordnen und Orientieren von Einkristallen zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden Drahtsäge.The invention relates to a method for arranging and orienting single crystals Cutting slices on a wire saw with a wire frame.
Das Kristallgitter von zylinderförmigen Einkristallen aus Halbleitermaterial weist häufig eine bestimmte Fehlorientierung auf. Eine Fehlorientierung liegt vor, wenn die Kristall achse und die geometrische Achse des Einkristalls einen bestimmten Winkel einschlie ßen. Die Kristallachse ist eine die kristallographische Orientierung des Kristallgitters be zeichnende Achse. Für die Herstellung von elektronischen Bauelementen werden ins besondere Kristalle aus Silicium benötigt, die beispielsweise eine <100<, <511<, <110< oder <111< Kristallorientierung aufweisen. Die Bestimmung der räumlichen Lage der Kristallachse erfolgt nach einer röntgenoptischen Methode, beispielsweise gemäß dem in der deutschen Normvorschrift DIN 50433 (Teil 1) beschriebenen Verfahren. Die geo metrische Achse eines zylinderförmigen Einkristalls entspricht der durch die Mitte des Einkristalls führenden Längsachse des Einkristalls.The crystal lattice of cylindrical single crystals made of semiconductor material often has a certain misorientation. A misorientation exists if the crystal axis and the geometric axis of the single crystal enclose a certain angle. The crystal axis is an axis characterizing the crystallographic orientation of the crystal lattice. For the production of electronic components, in particular, crystals made of silicon are required which, for example, have a <100 <, <511 <, <110 <or <111 <crystal orientation. The spatial position of the crystal axis is determined using an X-ray optical method, for example in accordance with the method described in the German standard DIN 50433 (part 1 ). The geometric axis of a cylindrical single crystal corresponds to the longitudinal axis of the single crystal leading through the center of the single crystal.
Üblicherweise muß jeder Einkristall auf die Fehlorientierung des Kristallgitters hin unter sucht und die Schneidebenen beim Abtrennen von Halbleiterscheiben so gelegt werden, daß die entstehenden Halbleiterscheiben eine gewünschte Kristallorientierung aufwei sen.Usually, each single crystal has to be misaligned due to the crystal lattice and the cutting planes when cutting off semiconductor wafers are placed that the resulting semiconductor wafers have a desired crystal orientation sen.
Aus der Druckschrift US 5,720,271 ist ein Verfahren zum Orientieren eines Einkristalls zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden Drahtsäge be kannt. Die DE 195 17 107 A1 beschreibt ein Verfahren, das dem selben Zweck dient.No. 5,720,271 describes a method for orienting a single crystal for cutting off slices on a wire saw having a wire frame known. DE 195 17 107 A1 describes a method which serves the same purpose.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Anordnen und Orientieren von Einkristallen zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden Drahtsäge anzugeben, das auf besonders wirtschaftliche Weise das Schneiden von Scheiben aus kürzeren Einkristallen ermöglicht.The invention is based on the object of a method for arranging and orienting of single crystals for cutting off wafers on a wire gate Specify wire saw that cuts in a particularly economical manner Disks made of shorter single crystals.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Anordnen und Orientieren von Ein
kristallen zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden Draht
säge, wobei Scheiben von zumindest zwei zylinderförmigen, kürzeren Einkristallen
gleichzeitig abgetrennt werden, umfassend die Schritte:
The invention relates to a method for arranging and orienting single crystals for cutting off wafers on a wire having a wire frame, wafers being separated from at least two cylindrical, shorter single crystals simultaneously, comprising the steps:
- a) Anordnen der Einkristalle auf je einem ebenen Stabhalter, dessen Länge kürzer ist als die Breite des Drahtgatters, wobei die Stabhalter-Ebene in einer x,y-Ebene eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z liegt;a) Arranging the single crystals on a flat rod holder, the length of which is shorter than the width of the wire frame, the rod holder plane being in an x, y plane rectangular coordinate system with the axes x, y and z;
- b) Drehen des Einkristalls um eine geometrische Achse bis eine Kristallachse parallel zur x,y-Ebene liegt;b) Rotating the single crystal around a geometric axis to a crystal axis parallel to the x, y plane;
- c) Herbeiführen einer vorgesehenen Anordnung der Kristallachse relativ zur x,z-Ebene;c) bringing about an intended arrangement of the crystal axis relative to the x, z plane;
- d) Fixieren des Einkristalls und des Stabhalters, bis eine feste Verbindung zwischen dem Einkristall, einer Sägeleiste und dem Stabhalter hergestellt ist, sowie den Schrittd) fixing the single crystal and the rod holder until a firm connection between the single crystal, a saw bar and the rod holder, and the step
- e) Anordnen von mindestens zwei kürzeren Stabhaltern in einer Werkstückaufnahme der Drahtsäge, wobei die Stabhalter nebeneinander in Richtung der Breite des Draht gatters bei Ausnutzung dessen Breite angeordnet werden.e) arranging at least two shorter rod holders in a workpiece holder the wire saw, the rod holder side by side in the direction of the width of the wire gatters can be arranged using its width.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zum Anordnen und Orientieren von
Einkristallen zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden
Drahtsäge, wobei Scheiben von zumindest zwei zylinderförmigen, kürzeren Einkristallen
gleichzeitig abgetrennt werden, umfassend die Schritte:
The invention further relates to a method for arranging and orienting single crystals for cutting off wafers on a wire saw having a wire frame, wafers being separated from at least two cylindrical, shorter single crystals simultaneously, comprising the steps:
- a) Anordnen der Einkristalle auf je einer ebenen Basisplatte, deren Länge kürzer ist als die Breite des Drahtgatters, wobei die Basisplatten-Ebene in einer x,y-Ebene eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z liegt;a) Arranging the single crystals on a flat base plate, the length of which is shorter than the width of the wire frame, the base plate plane being in an x, y plane rectangular coordinate system with the axes x, y and z;
- b) Drehen des Einkristalls um eine geometrische Achse bis eine Kristallachse parallel zur x,y-Ebene liegt;b) Rotating the single crystal around a geometric axis to a crystal axis parallel to the x, y plane;
- c) Herbeiführen einer vorgesehenen Anordnung der Kristallachse relativ zur x,z-Ebene;c) bringing about an intended arrangement of the crystal axis relative to the x, z plane;
- d) Fixieren des Einkristalls und der Basisplatte, bis eine feste Verbindung zwischen dem Einkristall, einer Sägeleiste und der Basisplatte hergestellt ist;d) fixing the single crystal and the base plate until a firm connection between the Single crystal, a saw bar and the base plate is made;
- e) Nebeneinander Anordnen von mindestens zwei kürzeren Basisplatten auf einem Stabhalter, dessen Länge möglichst der Breite des Drahtgatters der Drahtsäge ent spricht, sowie den Schritte) Side by side arrangement of at least two shorter base plates on one Rod holder, the length of which corresponds to the width of the wire saw of the wire saw speaks, as well as the step
- f) Anordnen des Stabhalters in einer Werkstückaufnahme der Drahtsäge, wobei die Ba sisplatten nebeneinander in Richtung der Breite des Drahtgatters bei Ausnutzung des sen Breite angeordnet werden.f) arranging the rod holder in a workpiece holder of the wire saw, the Ba sis plates side by side in the direction of the width of the wire frame when using the width must be arranged.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Figuren näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to figures.
Fig. 1 und Fig. 2 zeigen schematisch, wie ein kürzerer Einkristall zu orientieren ist; . Fig. 1 and Fig 2 show schematically how a shorter single crystal is to be oriented;
in Fig. 3 ist eine Vorrichtung dargestellt, die dafür besonders geeignet ist. in Fig. 3, an apparatus is shown which is particularly suitable for this.
Für das Verfahren werden mindestens zwei kürzere, zylinderförmige Einkristalle benö tigt. Die weitere Behandlung der Einkristalle wird nachfolgend am Beispiel eines Ein kristalls 1 erläutert. Fig. 1 zeigt den Einkristall 1, der auf einen einheitlichen Durchmesser geschliffen wurde. Der Einkristall wird über einem ebenen Stabhalter 3 angeordnet, wo bei die Oberfläche des Stabhalters in einer x,y-Ebene, und die geometrische Achse 6 des Einkristalls parallel zur x,y-Ebene und parallel zu einer x,z-Ebene liegt. Die Ebenen werden von den Achsen x, y und z eines rechtwinkeligen Koordinatensystems aufge spannt.At least two shorter, cylindrical single crystals are required for the process. The further treatment of the single crystals is explained below using the example of a single crystal 1 . Fig. 1 shows the single crystal 1 , which was ground to a uniform diameter. The single crystal is arranged above a flat rod holder 3 , where the surface of the rod holder lies in an x, y plane, and the geometric axis 6 of the single crystal lies parallel to the x, y plane and parallel to an x, z plane. The planes are spanned by the axes x, y and z of a right-angled coordinate system.
Der Einkristall 1 wird zunächst um die geometrische Achse 6 gedreht, bis die Kristall achse 5 parallel zur x,y-Ebene liegt. Gemäß der Darstellung in Fig. 1 muß der Einkristall um einen Winkel α gedreht werden. Anschließend muß erreicht werden, daß die Kris tallachse entweder parallel zur x,z-Ebene ausgerichtet ist oder diese in einem vorgese henen Winkel schneidet, je nachdem, welche Kristallorientierung gewünscht ist. Dazu muß entweder der Einkristall 1 oder der Stabhalter 3 um eine Drehachse gedreht wer den, die senkrecht zur x,y-Ebene liegt. In Fig. 2 ist beispielsweise gezeigt, daß die Kris tallachse 4 dann parallel zur x,z-Ebene zu liegen kommt, wenn der Einkristall um den Betrag eines Winkels β um die Drehachse 7 gedreht wird. Die Drehachse 7 liegt senk recht zur geometrischen Achse 6 des Einkristalls 1. Falls vorgesehen ist, daß die Kris tallachse die x,z-Ebene in einem vorgesehenen Winkel schneiden soll, so wird dies beim Drehen des Einkristalls oder des Stabhalters berücksichtigt, beispielsweise indem der Stabhalter zunächst um den Betrag dieses Winkels in der x,y-Ebene gedreht wird, und anschließend der Einkristall gemäß Schritt c) des Verfahrens gedreht wird, bis die Kristallachse parallel zur x,z-Ebene liegt.The single crystal 1 is first rotated about the geometric axis 6 until the crystal axis 5 is parallel to the x, y plane. As shown in Fig. 1, the single crystal must be rotated through an angle α. It must then be achieved that the crystal axis is either aligned parallel to the x, z plane or intersects it at an angle provided, depending on which crystal orientation is desired. For this purpose, either the single crystal 1 or the rod holder 3 must be rotated about an axis of rotation which is perpendicular to the x, y plane. In FIG. 2 is for example shown that the Kris tallachse 4 comes to lie then parallel to the x, z plane, when the single crystal by the amount of an angle β is rotated about the axis of rotation 7. The axis of rotation 7 is perpendicular to the geometric axis 6 of the single crystal 1 . If it is provided that the crystal axis should intersect the x, z plane at a designated angle, this is taken into account when rotating the single crystal or the rod holder, for example by first moving the rod holder by the amount of this angle in the x, y plane is rotated, and then the single crystal is rotated according to step c) of the method until the crystal axis is parallel to the x, z plane.
Die Lage der Kristallachse 4 im Koordinatensystem wird röntgenoptisch festgestellt. Zu diesem Zweck trifft der Strahl eines Röntgengoniometers an einer Stirnseite 5 des Ein kristalls auf. Das Drehen des Einkristalls kann automatisch geregelt erfolgen oder durch einen Operator vorgenommen werden. Als Regelgröße dient die Intensität der am Kris tallgitter gestreuten Röntgenstrahlung. Das Röntgengoniometer wird vorzugsweise so justiert, daß die Intensität der registrierten Röntgenstrahlung beim Drehen des Einkris talls jeweils ein Maximum erreicht, wenn die Kristallachse parallel zur x,z-Ebene, bezie hungsweise parallel zur x,y-Ebene ausgerichtet ist. Der Operator hat dann keine Mühe, den Einkristall in die gewünschte Position zu drehen. The position of the crystal axis 4 in the coordinate system is determined by X-ray optics. For this purpose, the beam of an X-ray goniometer hits an end face 5 of the crystal. The turning of the single crystal can take place automatically or by an operator. The intensity of the X-rays scattered on the crystal lattice serves as the controlled variable. The X-ray goniometer is preferably adjusted so that the intensity of the registered X-rays when rotating the single crystal each reaches a maximum if the crystal axis is aligned parallel to the x, z plane, or parallel to the x, y plane. The operator then has no trouble turning the single crystal into the desired position.
Die mit Beendigung von Schritt c) des Verfahrens geschaffene relative Anordnung von Einkristall und Stabhalter wird dadurch konserviert, daß zwischen dem Stabhalter, einer Sägeleiste und dem Einkristall eine feste Verbindung, vorzugsweise eine Klebeverbin dung hergestellt wird.The relative arrangement of. Created at the end of step c) of the method Single crystal and rod holder is preserved in that between the rod holder, one Saw bar and the single crystal a firm connection, preferably an adhesive bond is manufactured.
Eine Vorrichtung zur Durchführung der Orientierung des Einkristalls ist in Fig. 3 darge stellt. Der Einkristall 1 liegt zwischen parallel angeordneten Walzen 8 einer Drehein richtung 9. Die Walzen ermöglichen ein Drehen des Einkristalls gemäß Schritt b) des Verfahrens. Die Dreheinrichtung ist über eine Basisplatte 11 auf dem Tisch 18 eines Röntgengoniometers 19 montiert. Auf dem Tisch ist auch ein Hubtisch 12 mit einer Auf nahme 13 für den Stabhalter 3 angeordnet. Der Stabhalter kann in die Aufnahme ge schoben und mit Klemmen 14 festgeklemmt werden. Die Dreheinrichtung umfaßt auch einen Linearschlitten 10. Beim Verschieben des Linearschlittens wird der Einkristall ent sprechend Schritt c) des Verfahrens um die Drehachse 7 gedreht. Während dieser Be wegung bleiben der Hubtisch 12 und der Stabhalter 3 in Ruhe. Wenn der Einkristall ge mäß Schritt c) des Verfahrens in der vorgesehenen Weise orientiert ist, wird eine Säge leiste 15 zwischen Stabhalter und Einkristall geschoben. Die Sägeleiste ist mit Klebstoff, beispielsweise Kitt bestrichen, der nach dem Anheben des Hubtisches die Sägeleiste mit dem Einkristall und dem Stabhalter verbindet. Der Einkristall wird anschließend mit Hilfe eines Spannbügels 16, der als Einrichtung zum Fixieren des Einkristalls wirkt ge gen unbeabsichtigtes Verändern der vorgenommenen Orientierung gesichert. Der Hub tisch, der Stabhalter, die Dreheinrichtung, der Spannbügel und der fixierte Einkristall bilden eine Einheit, die als solche vom Tisch des Röntgengoniometers gehoben werden kann. Zum Anheben der Einheit mit einer Hebehilfe sind Adapter 17 vorgesehen, an de nen die Hebehilfe eingreifen kann. Der Spannbügel bleibt um den Einkristall gezogen, bis der Klebstoff ausgehärtet und eine feste Verbindung zwischen dem Einkristall, der Sägeleiste und dem Stabhalter hergestellt ist. Zur Beschleunigung des Härtens des Klebstoffes kann die Einheit in einen Ofen transportiert, und der Klebstoff dort gehärtet werden.A device for performing the orientation of the single crystal is shown in Fig. 3 Darge. The single crystal 1 lies between rollers 8 arranged in parallel in a rotating direction 9 . The rollers enable the single crystal to be rotated in accordance with step b) of the method. The rotary device is mounted on a base plate 11 on the table 18 of a Röntgengoniometers 19th On the table there is also a lifting table 12 with an acceptance 13 for the rod holder 3 . The rod holder can be pushed into the receptacle and clamped with clamps 14 . The rotating device also includes a linear slide 10 . When moving the linear slide, the single crystal is rotated according to step c) of the method about the axis of rotation 7 . During this movement Be the lifting table 12 and the rod holder 3 remain at rest. If the single crystal is oriented according to step c) of the method in the intended manner, a saw bar 15 is pushed between the rod holder and the single crystal. The saw bar is coated with adhesive, for example putty, which connects the saw bar with the single crystal and the rod holder after lifting the lifting table. The single crystal is then secured with the aid of a clamping bracket 16 , which acts as a device for fixing the single crystal against accidental change of the orientation made. The lifting table, the rod holder, the rotating device, the clamping bracket and the fixed single crystal form a unit that can be lifted as such from the table of the X-ray goniometer. To lift the unit with a lifting aid, adapters 17 are provided, on which the lifting aid can intervene. The clamping bracket remains drawn around the single crystal until the adhesive has hardened and a firm connection between the single crystal, the saw bar and the rod holder is established. To accelerate the curing of the adhesive, the unit can be transported to an oven and the adhesive cured there.
Nach dem Abnehmen des Spannbügels wird der Hubtisch weiter angehoben, die Klemmung des Stabhalters gelöst und der mit der Sägeleiste und dem Stabhalter fest verbundene Einkristall vom Hubtisch gehoben.After removing the clamping bracket, the lifting table is raised further Clamping of the rod holder released and the one with the saw bar and the rod holder firmly connected single crystal lifted from the lifting table.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß zwei oder mehrere kür zere Stabhalter mit jeweils einem darauf fixierten Einkristall entsprechender Länge nebeneinander in der Werkstückaufnahme der Drahtsäge angeordnet werden. Auf diese Weise können Halbleiterscheiben mit gleicher Kristallorientierung von Einkristallen mit unterschiedlicher Fehlorientierung des Kristallgitters gleichzeitig hergestellt werden. Je der Einkristall ist in der gewünschten Weise orientiert und dadurch, daß die Stabhalter nebeneinander angeordnet sind, kann auch die Breite des als Sägewerkzeug wirkenden Drahtgatters der Drahtsäge zum Abtrennen der Halbleiterscheiben vollständig ausge nutzt werden.According to one embodiment of the invention it is provided that two or more kür zere rod holders, each with a single crystal of the appropriate length fixed on it, next to each other be arranged in the workpiece holder of the wire saw. To this Semiconductor wafers with the same crystal orientation can be used with single crystals different misorientation of the crystal lattice can be produced simultaneously. ever the single crystal is oriented in the desired manner and in that the rod holder are arranged side by side, can also be the width of the acting as a sawing tool Wire saws of the wire saw for separating the semiconductor wafers completely out be used.
Alternativ zu dieser Ausgestaltung der Erfindung kann der Stabhalter aus einem oberen und einem unteren Segment bestehen, wobei das obere Segment als Basisplatte 20 ausgebildet ist und vom unteren Segement lösbar ist. Zum Abtrennen von Halbleiter scheiben mittels Drahtsäge können mehrere Einheiten bestehend aus einer Basisplatte, einer Sägeleiste und einem Einkristallstück nebeneinander auf dem unteren Segment eines Stabhalters angeordnet werden, wobei dessen Länge möglichst der Breite des Drahtgatters der Drahtsäge entspricht. Diese Variante hat die besonderen Vorteile, daß einteilige Stabhalter mit Längen, die sich zur Breite eines Drahtgatters ergänzen, nicht bereitgestellt werden müssen, und daß der Verschleiß des Stabhalters beim Ablösen der Reste der Sägeleiste nach dem Abtrennen der Halbleiterscheiben auf den Ver schleiß von Basisplatten beschränkt ist. Dadurch werden geringere Kosten verursacht als bei Verwendung einteiliger Stabhalter.As an alternative to this embodiment of the invention, the rod holder can consist of an upper and a lower segment, the upper segment being designed as a base plate 20 and being detachable from the lower segment. To separate semiconductor wafers using a wire saw, several units consisting of a base plate, a saw bar and a single crystal piece can be arranged side by side on the lower segment of a rod holder, the length of which corresponds to the width of the wire frame of the wire saw. This variant has the particular advantages that one-piece rod holders with lengths that add up to the width of a wire frame do not have to be provided, and that the wear of the rod holder when detaching the remainder of the saw bar after separating the semiconductor wafers is limited to the wear of base plates is. This results in lower costs than when using one-piece rod holders.
Claims (4)
- a) Anordnen der Einkristalle auf je einem ebenen Stabhalter, dessen Länge kürzer ist als die Breite des Drahtgatters, wobei die Stabhalter-Ebene in einer x,y-Ebene eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z liegt;
- b) Drehen des Einkristalls um eine geometrische Achse bis eine Kristallachse parallel zur x,y-Ebene liegt;
- c) Herbeiführen einer vorgesehenen Anordnung der Kristallachse relativ zur x,z-Ebene;
- d) Fixieren des Einkristalls und des Stabhalters, bis eine feste Verbindung zwischen dem Einkristall, einer Sägeleiste und dem Stabhalter hergestellt ist, sowie den Schritt
- e) Anordnen von mindestens zwei kürzeren Stabhaltern in einer Werkstückaufnahme der Drahtsäge, wobei die Stabhalter nebeneinander in Richtung der Breite des Draht gatters bei Ausnutzung dessen Breite angeordnet werden.
- a) arranging the single crystals on a flat rod holder, the length of which is shorter than the width of the wire frame, the rod holder plane being in an x, y plane of a right-angled coordinate system with the axes x, y and z;
- b) rotating the single crystal around a geometric axis until a crystal axis lies parallel to the x, y plane;
- c) bringing about an intended arrangement of the crystal axis relative to the x, z plane;
- d) fixing the single crystal and the rod holder until a firm connection between the single crystal, a saw bar and the rod holder is established, and the step
- e) arranging at least two shorter rod holders in a workpiece holder of the wire saw, the rod holders being arranged side by side in the direction of the width of the wire gate when the width thereof is used.
- a) Anordnen der Einkristalle auf je einer ebenen Basisplatte, deren Länge kürzer ist als die Breite des Drahtgatters, wobei die Basisplatten-Ebene in einer x,y-Ebene eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z liegt;
- b) Drehen des Einkristalls um eine geometrische Achse bis eine Kristallachse parallel zur x,y-Ebene liegt;
- c) Herbeiführen einer vorgesehenen Anordnung der Kristallachse relativ zur x,z-Ebene;
- d) Fixieren des Einkristalls und der Basisplatte, bis eine feste Verbindung zwischen dem Einkristall, einer Sägeleiste und der Basisplatte hergestellt ist;
- e) Nebeneinander Anordnen von mindestens zwei kürzeren Basisplatten auf einem Stabhalter, dessen Länge möglichst der Breite des Drahtgatters der Drahtsäge ent spricht, sowie den Schritt
- f) Anordnen des Stabhalters in einer Werkstückaufnahme der Drahtsäge, wobei die Ba sisplatten nebeneinander in Richtung der Breite des Drahtgatters bei Ausnutzung des sen Breite angeordnet werden.
- a) arranging the single crystals on a flat base plate, the length of which is shorter than the width of the wire frame, the base plate plane being in an x, y plane of a right-angled coordinate system with the axes x, y and z;
- b) rotating the single crystal around a geometric axis until a crystal axis lies parallel to the x, y plane;
- c) bringing about an intended arrangement of the crystal axis relative to the x, z plane;
- d) fixing the single crystal and the base plate until a firm connection between the single crystal, a saw bar and the base plate is established;
- e) Arranging at least two shorter base plates side by side on a rod holder, the length of which corresponds to the width of the wire frame of the wire saw, as well as the step
- f) arranging the rod holder in a workpiece holder of the wire saw, wherein the base plates are arranged side by side in the direction of the width of the wire frame when the width is used.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE |
|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE |
|
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20150101 |