DE19752889C1 - Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen - Google Patents
Verfahren zur Beschichtung von OberflächenInfo
- Publication number
- DE19752889C1 DE19752889C1 DE19752889A DE19752889A DE19752889C1 DE 19752889 C1 DE19752889 C1 DE 19752889C1 DE 19752889 A DE19752889 A DE 19752889A DE 19752889 A DE19752889 A DE 19752889A DE 19752889 C1 DE19752889 C1 DE 19752889C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- tin oxide
- coating
- indium tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
- G02B1/116—Multilayers including electrically conducting layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/16—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements having an anti-static effect, e.g. electrically conducting coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/867—Means associated with the outside of the vessel for shielding, e.g. magnetic shields
- H01J29/868—Screens covering the input or output face of the vessel, e.g. transparent anti-static coatings, X-ray absorbing layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Ver
fahren zur Beschichtung von Oberflächen, wie sie bei
spielsweise für Monitore, Sichtfenster, Flat Panel
Displays und insbesondere bei Kathodenstrahlröhren
zur Breitbandentspiegelung, Antistatikbeschichtung
und/oder elektromagnetischen Abschirmung eingesetzt
werden.
Aus dem Stand der Technik, beispielsweise aus der
US 5 223 765 A, ist es bekannt, transparente Elemen
te, wie sie beispielsweise als Frontscheiben für
Bildschirme verwendet werden, mit transparenten
Schichten mit Antistatikwirkung und/oder mit Strah
lungsabschirmwirkung im Hochfrequenz- und Mikrowel
lenbereich zu versehen. Als ein besonders geeignetes
Material ist hierfür eine Schicht aus Indium-Zinn-
Oxid(ITO) bekannt, das transparent und elektrisch
leitfähig ist. Die optische Transmission dieser
Beläge kann durch Breitband-Antireflexionsschichten
(Breitband-AR) erhöht werden, bei denen das ITO, das
einen großen Brechungsindex aufweist, mit Schichten
kombiniert wird, die einen kleineren Brechungsindex
besitzen als das Substrat, auf das das gesamte
Schichtsystem aufgebracht wird.
Werden diese Schichten bei niedrigen Substrattempera
turen deponiert, so sind diese Schichtsysteme nur
unzureichend abriebfest und besitzen eine nur mangel
hafte Klimastabilität. Weiterhin sind ITO-Schichten,
die bei niedrigen Temperaturen aufgebracht werden,
nur gering elektrisch leitfähig, so daß sich keine
hohe Strahlungsabschirmungswirkung erzielen läßt.
Daher erfolgt die Schichtabscheidung nach dem Stand
der Technik bei höheren Temperaturen oder diese
Schichten werden nachträglich erhitzt. Ein derartiges
Verfahren ist beispielsweise in der Druckschrift
US 4 798 994 beschrieben.
Die zur Erzeugung ausreichend leitfähiger, abriebfe
ster und klimastabiler ITO-Schichten nötige Tempera
tur während der Abscheidung oder bei einem nachträg
lichen Erhitzen schränkt die in Frage kommenden Sub
stratmaterialien weiterhin ein, da bei vielen organi
schen Substanzen eine Temperaturerhöhung weit über
Raumtemperatur nicht möglich ist.
Die US 4,828,870 offenbart ein Verfahren zum Auftrag
von dünnen Aluminiumfilmen auf die Oberfläche von
Halbleitermaterialien, bei dem während der Beschich
tung das Substrat mit Ionen einer Energie zwischen
100 eV und 1000 eV beschossen wird.
Die DE 41 28 547 offenbart eine Beschichtung von op
tischen Materialien mit SiO-bzw. SiO2-Schichten unter
Beschuß mit Argonionen.
Die JP 03-10 066 A offenbart die Beschichtung von
Substraten mit durchsichtigen leitenden Schichten aus
Sn-dotiertem In2O3 unter gleichzeitigem Beschuß mit
einer Mischung aus O2- und Inertgasionen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein
Verfahren zur Beschichtung von Substraten weiter
zuentwickeln, so daß sich auch bei niedrigerer Be
schichtungstemperatur abriebfeste klimastabile
Schichten erzeugen lassen, die sich als breitbandige
Antireflexionsschichten, Antistatikbeschichtungen
und/oder Strahlungsabschirmungen eignen.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach dem Ober
begriff des Anspruchs 1 in Verbindung mit seinen
kennzeichnenden Merkmalen gelöst.
Durch den Beschuß mit Argonionen mit einer Energie
zwischen 60 und 90 eV während des Abscheidens der
ITO-Schichten wird die elektrische Leitfähigkeit der
ITO-Schicht erheblich erhöht, so daß diese ITO-
Schichten eine hervorragende Strahlungsabschirmung
ermöglichen. Insbesondere kann dieses erfin
dungsgemäße Verfahren auch bei Raumtemperatur
durchgeführt werden, so daß Substrate jeglicher Art,
Gläser oder auch beliebige Kunststoffe sowie Be
schichtungen beliebiger weiterer Materialien ermög
licht werden. Insgesamt ergeben sich eine verbesserte
Stabilität (Abriebfestigkeit und Klimastabilität
etc.) sowie verbesserte elektrische Eigenschaften der
ITO-Schichten.
Die durch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugten
Beschichtungen eignen sich zur Breitbandentspiege
lung, zur Antistatikbeschichtung und/oder zur Ab
schirmung elektromagnetischer Strahlung im Hochfre
quenz- und Mikrowellenbereich.
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen
Verfahrens werden in den abhängigen Ansprüchen gege
ben.
Besonders vorteilhaft weisen die Argonionen, mit de
nen das Substrat während des Schichtauftrags beschos
sen wird, eine Energie von 65 Elektronenvolt, auf,
und die Stromdichte des Argonionenbeschusses beträgt
vorteilhafterweise ca. 0,05 bis ca. 0,15 mA/cm2, vor
teilhafterweise 0,1 mA/cm2.
Eine weitere Verbesserung der Haftfähigkeit und Sta
bilität von Beschichtungen auf einem anorganischen
Substrat kann erzielt werden, indem das Substrat vor
der Beschichtung mit Argonionen beschossen wird, de
ren Energie vorteilhafterweise ca. 150 Elektronenvolt
beträgt und mit einer Stromdichte, die vorteilhafter
weise ca. 0,1 mA/cm2 beträgt. Eine besonders wirksame
Vorbehandlung ergibt sich, wenn der Argonionenbeschuß
des Substrates ca. 30 s dauert.
Auf organischen Substraten wie beispielsweise Polyme
thylmethacrylat kann die Haftfähigkeit und damit auch
die Stabilität der Beschichtungen verbessert werden,
indem das Substrat vor der Beschichtung mit einer
Plasmabehandlung im Vakuum unter Zufuhr von reaktivem
Sauerstoff und wasserenthaltendem Gas vorbehandelt
wird. Dabei sollte vorzugsweise ein äquivalenter An
teil von Wasser entsprechend einer relativen Luft
feuchtigkeit von mindestens 40% eingehalten werden.
Hierdurch wird das Substratmaterial an der Oberfläche
abgetragen und parallel dazu eine chemische Reaktion
eingeleitet, bei der die Oberfläche des Substrates
unter Ausbildung einer Polymerschicht verändert wird.
Die an der Oberfläche des Substrates ausgebildete
Polymerschicht unterscheidet sich in ihrer chemischen
Zusammensetzung und demzufolge auch mit ihren Eigen
schaften deutlich vom unbehandelten Substratmaterial.
Dieses oberflächliche Polymermaterial weist einen be
sonders hohen Anteil von Methylen- und Hydroxylgrup
pen auf.
Im Falle von Polymethylmethacrylat als Substrat sind
bei der Modifizierung die charakteristischen C-O und
C=O-Gruppierungen abgebaut worden.
Besonders geeignete Indium-Zinn-Oxidschichten beste
hen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren aus 90 AT %
In2O3 und 10 AT % SnO2. Durch das abwechselnde Ab
scheiden von Indium-Zinn-Oxidschichten und Schichten
aus Siliziumdioxid kann eine sehr gute Breitbandent
spiegelung und zusätzlich eine Antistatikwirkung
und/oder Hochfrequenz-Abschirmwirkung für elektroma
gnetische Strahlen erzielt werden. Dabei bestimmt die
Dicke weiterer ITO-Schichten, ob bei dünnerer
Schichtdicke nur eine Antistatikwirkung oder bei
stärkerer Schichtdicke auch eine Hochfrequenzab
schirmwirkung der Gesamtbeschichtung erzielt wird.
Auch während der Abscheidung von Siliziumdioxid
schichten kann das Substrat weiterhin mit Argonionen,
vorzugsweise mit einer Energie von 150 Elektronen
volt, beschossen werden, was zu einer Stabilisierung
auch der SiO2-Schicht führt.
Im folgenden soll das erfindungsgemäße Verfahren an
hand eines Beispieles beschrieben werden.
Fig. 1 zeigt eine Monitorscheibe einer Kathoden
strahlröhre.
In Fig. 1 ist der Aufbau einer mit dem erfindungsge
mäßen Verfahren hergestellten Monitorscheibe einer
Kathodenstrahlröhre dargestellt. Die Monitorscheibe
besteht aus einem Substrat 1, auf das beidseitig je
eine Antireflexschicht 2 bzw. 3 aufgetragen sind. Die
Antireflexschicht 2 ist dabei auf ihre Abschirmwir
kung für hochfrequente elektromagnetische Strahlung
hin optimiert, während die Antireflexschicht 3 zu
sätzlich als Antistatikbelag fungiert. Der Aufbau der
Antireflexschicht 2 besteht aus einer zum Substrat 1
hin orientierten ITO-Schicht 2d mit einer Dicke von
18 nm, auf die eine SiO2-Schicht von 26 nm Dicke (2c)
aufgebracht ist. An diese Siliziumdioxidschicht 2c
schließt sich wiederum eine ITO-Schicht 2b mit einer
Dicke von 250 nm an. Abschließend ist auf die gesamte
Beschichtung eine 85 nm dicke SiO2-Schicht 2a aufge
bracht.
Der Aufbau der Antireflexschicht 3 besteht von dem
Substrat 1 her nach außen aus einer 15 nm dicken ITO-
Schicht 3d, einer 33 nm dicken SiO2-Schicht 3c, einer
130 nm dicken ITO-Schicht 3b sowie abschließend einer
85 nm dicken SiO2-Schicht 3a.
Die Antireflexschicht 2 wirkt aufgrund der großen
Dicke der zweiten ITO-Schicht 2b von 250 nm stark ab
schirmend auf elektromagnetische Hochfrequenzstrah
lung, während bei der Antireflexschicht 3 die zweite
ITO-Schicht 3b mit einer Dicke von 130 nm zu einer
hohen Antistatikwirkung der Beschichtung 3 führt.
Die in Fig. 1 dargestellte Monitorscheibe wurde wie
im folgenden dargestellt erzeugt.
Die als Substrat 1 zu betrachtende noch unbeschich
tete Monitorscheibe wurde in einer Beschichtungsanla
ge mit einer Plasmaionenquelle vor der eigentlichen
Schichtabscheidung 30 s lang mit Argonionen einer
Energie von ca. 150 Elektronenvolt und einer Strom
dichte von ca. 0,1 mA/cm2 beschossen.
Für die Herstellung der Schichtsysteme zur Breitband
entspiegelung mit zusätzlicher Antistatikwirkung (An
tireflexionsschicht 3) oder HF-Abschirmungswirkung
(Antireflexionsschicht 2) wird jeweils eine Schicht
aus ITO mit der Zusammensetzung 90 AT % In2O3 und
10 AT % SnO2 auf dem Substrat abgeschieden, wobei
während der Abscheidung die wachsende Schicht mit
Argonionen einer Energie von 65 Elektronenvolt und
einer Stromdichte von ca. 0,1 mA/cm2 beschossen wur
de. Jede dieser ITO-Schichten (2d, 3d) wird danach
mit SiO2 beschichtet (2c, 3c), wobei hierbei die
Energie der Argonionen auf 150 Elektronenvolt erhöht
wurde. Auf diese SiO2-Schichten 2c, 3c wurde eine
zweite dickere ITO-Schicht aufgetragen. Die Abschei
dungsbedingungen entsprachen dabei denjenigen der
ersten ITO-Schicht. Auf diese ITO-Schichten (2b, 3b)
wurde jeweils eine zweite SiO2-Schicht (2a, 3a) mit
einer Dicke von 85 nm abgeschieden, wobei die Her
stellungsbedingungen denen der Erzeugung der ersten
SiO2-Schicht 2c, 3c gleich waren.
In einem weiteren Beispiel wird als Substrat Polyme
thylmethacrylat in derselben Weise und mit derselben
Schichtabfolge wie im vorigen Beispiel beschichtet.
Vor der Beschichtung mit den ITO-Schichten und SiO2-
Schichten wird jedoch das Polymethylmethacrylat ab
weichend vom vorigen Beispiel dadurch vorbehandelt,
indem das Polymethylmethacrylat vor der Beschichtung
mit einer Plasmabehandlung im Vakuum unter Zufuhr von
reaktivem Sauerstoff und wasserenthaltendem Gas vor
behandelt wird, wobei als Gas Luft mit einer relati
ven Feuchtigkeit von 40% verwendet wird. Hierdurch
ergibt sich eine Modifikation der Oberfläche des Po
lymethylmethacrylats, die zu einer verbesserten Haf
tung und Stabilität der auf diesem anschließend abge
schiedenen Schichten führt.
Claims (10)
1. Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen zur
Breitbandentspiegelung, Antistatikbeschichtung
und/oder elektromagnetischen Abschirmung mit
mindestens einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht auf
einem Substrat, wobei während der Beschichtung
mit mindestens einer der Indium-Zinn-Oxid-
Schichten das Substrat mit Edelgasionen beschos
sen wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat mit Argonionen als Edelgasionen
mit einer Energie von 60 bis 90 eV beschossen
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stromdichte der
Argonionen 0,05 bis 0,15 mA/cm2 beträgt.
3. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehen
den Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Argonionen eine
Energie von ca. 65 eV aufweisen und die Strom
dichte ca. 0,1 mA/cm2 beträgt.
4. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehen
den Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß ein anorganisches
Substrat verwendet wird und das Substrat vor der
Beschichtung mit Argonionen, vorzugsweise mit
ca. 30 Sekunden Dauer, einer Energie der Argo
nionen von ca. 150 eV und einer Stromdichte von
ca. 0,1 mA/cm2, beschossen wird.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1
bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat ein
organisches Substrat, vorzugsweise Polymethyl
metacrylat, verwendet wird und das Substrat vor
der Beschichtung mit einer Plasmabehandlung im
Vakuum unter Zufuhr von reaktivem Sauerstoff und
Wasser enthaltendem Gas, vorzugsweise mit einem
äquivalenten Anteil Wasser einer relativen
Feuchtigkeit von mindestens 40% in Luft, vor
behandelt wird.
6. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehen
den Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Indium-Zinn-
Oxid-Schicht eine Schicht aus 90 at% In22O3 und
10 at% SnO2 abgeschieden wird.
7. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehen
den Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß abwechselnd Schich
ten aus Indium-Zinn-Oxid und SiO2 abgeschieden
werden.
8. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehen
den Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß während der Abschei
dung der SiO2-Schicht das Substrat mit Argonio
nen, vorzugsweise mit einer Energie von 150 eV
beschossen wird.
9. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehen
den Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat mit
einer ersten Indium-Zinnoxid-Schicht, einer
SiO2-Schicht und einer zweiten Indium-Zinnoxid-
Schicht abgeschieden wird, wobei eine dünnere
oder dickere zweite Indium-Zinnoxid-Schicht ab
geschieden wird, je nachdem, ob eine Antistatik
wirkung oder zusätzlich eine Hochfrequenz-Ab
schirmung erzielt werden soll.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß auf die zweite Indi
um-Zinnoxid-Schicht eine zweite SiO2-Schicht,
vorzugsweise mit einer Schichtdicke von ca.
85 nm, abgeschieden wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752889A DE19752889C1 (de) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752889A DE19752889C1 (de) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19752889C1 true DE19752889C1 (de) | 1999-06-24 |
Family
ID=7850161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752889A Expired - Fee Related DE19752889C1 (de) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19752889C1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002004374A2 (de) | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Reflexionsmindernde beschichtung |
EP1184481A2 (de) * | 2000-08-28 | 2002-03-06 | Centro De Investigaciones Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Sputter-Verfahren zur Herstellung durchsichtiger, elektrisch leitender Oxyden |
WO2005108642A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates |
EP2103978A1 (de) | 2008-03-19 | 2009-09-23 | Rodenstock GmbH | Schichtsystem zur Beheizung optischer Oberflächen und gleichzeitiger Reflexminderung |
DE102009005297A1 (de) | 2009-01-16 | 2010-07-22 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung |
DE102005015631B4 (de) * | 2005-04-05 | 2010-12-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines reflexionsvermindernden Kratzschutzschichtsystems für Kunststoffe |
CN104244547A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-24 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种低轨道航天器高压太阳电池阵二次放电防护方法 |
DE102022120892B3 (de) | 2022-08-18 | 2023-10-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Reflexionsminderndes Schichtsystem mit einer elektrisch leitfähigen Oberfläche und Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4798994A (en) * | 1986-09-05 | 1989-01-17 | U.S. Philips Corporation | Low reflectance display device |
US4828870A (en) * | 1986-11-27 | 1989-05-09 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of forming a thin aluminum film |
DE4128547A1 (de) * | 1991-08-28 | 1993-03-04 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung fuer die herstellung einer entspiegelungsschicht auf linsen |
US5223765A (en) * | 1990-06-15 | 1993-06-29 | Thomson Consumer Electronics | Device for the display or projection of images or similar information with coating of adamantane carbon |
-
1997
- 1997-11-28 DE DE19752889A patent/DE19752889C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4798994A (en) * | 1986-09-05 | 1989-01-17 | U.S. Philips Corporation | Low reflectance display device |
US4828870A (en) * | 1986-11-27 | 1989-05-09 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of forming a thin aluminum film |
US5223765A (en) * | 1990-06-15 | 1993-06-29 | Thomson Consumer Electronics | Device for the display or projection of images or similar information with coating of adamantane carbon |
DE4128547A1 (de) * | 1991-08-28 | 1993-03-04 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung fuer die herstellung einer entspiegelungsschicht auf linsen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 03-10066 A (in Pat. Abstr. of JP, C-817) * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002004374A2 (de) | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Reflexionsmindernde beschichtung |
EP1184481A2 (de) * | 2000-08-28 | 2002-03-06 | Centro De Investigaciones Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Sputter-Verfahren zur Herstellung durchsichtiger, elektrisch leitender Oxyden |
EP1184481A3 (de) * | 2000-08-28 | 2003-12-03 | Centro De Investigaciones Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Sputter-Verfahren zur Herstellung durchsichtiger, elektrisch leitender Oxyden |
WO2005108642A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates |
DE102005015631B4 (de) * | 2005-04-05 | 2010-12-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines reflexionsvermindernden Kratzschutzschichtsystems für Kunststoffe |
EP2103978A1 (de) | 2008-03-19 | 2009-09-23 | Rodenstock GmbH | Schichtsystem zur Beheizung optischer Oberflächen und gleichzeitiger Reflexminderung |
DE102008014900A1 (de) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | Rodenstock Gmbh | Schichtsystem zur Beheizung optischer Oberflächen und gleichzeitiger Reflexminderung |
DE102009005297A1 (de) | 2009-01-16 | 2010-07-22 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung |
CN104244547A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-24 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种低轨道航天器高压太阳电池阵二次放电防护方法 |
DE102022120892B3 (de) | 2022-08-18 | 2023-10-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Reflexionsminderndes Schichtsystem mit einer elektrisch leitfähigen Oberfläche und Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2083991B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer nanostruktur an einer kunststoffoberfläche | |
DE69202997T2 (de) | Mit einer Kohlenstoffschicht überzogenes Glas. | |
DE3329504A1 (de) | Waermewellen-abschirmlamellierung | |
DE60038136T2 (de) | Anzeigevorrichtung mit Antireflektionsfilm | |
DE2824818A1 (de) | Ionenstrahl-sputter-implantierverfahren | |
EP0640474A1 (de) | Verbundfolien | |
DE10150738C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glasrohres mit strahlungsabsorbierender alterungsbeständiger Beschichtung sowie desssen Verwendung | |
DE19948839A1 (de) | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE19752889C1 (de) | Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen | |
EP0599071A1 (de) | Transparentes Substrat mit einem transparenten Schichtsystem und Verfahren zur Herstellung eines solchen Schichtsystems | |
DE2750500A1 (de) | Verfahren zur herstellung von infrarotreflektierenden, fuer sichtbares licht weitgehend transparenten scheiben und durch die verfahren hergestellte scheibe | |
EP1786945B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines strahlungsabsorbierenden optischen elements | |
WO2009118034A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mehrkomponentigen, polymer- und metallhaltigen schichtsystems, vorrichtung und beschichteter gegenstand | |
EP1307767A2 (de) | Reflexionsmindernde beschichtung | |
EP1294959B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer multifunktionalen mehrlagen schicht auf einem transparenten kunststoffsubstrat und eine danach hergestellte multifunktionale mehrlagenschicht | |
DE69206843T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters und farbelektrooptische Vorrichtung | |
DE102005015631B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines reflexionsvermindernden Kratzschutzschichtsystems für Kunststoffe | |
DE10201492B4 (de) | Optisches Schichtsystem | |
DE102012100288B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kunststoffsubstrats mit einer porösen Schicht | |
EP3133184B1 (de) | Verfahren zum ausbilden einer schicht mit hoher lichttransmission und/oder niedriger lichtreflexion | |
DE3941796A1 (de) | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags | |
DE4126811A1 (de) | Verfahren zur optischen verguetung transparenter, elektrisch leitfaehiger metalloxidschichten | |
EP2686371A1 (de) | Verfahren zur modifizierung einer oberfläche eines substrats durch ionenbeschuss | |
DE10046810C5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines wärmereflektierenden Schichtsystems für transparente Substrate und danach hergestelltes Schichtsystem | |
DE69213782T2 (de) | Verfahren zur Herstellung transparenter Zinkoxidfilme |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |