DE19741143C1

DE19741143C1 - Ceramic PTC-thermistor as cold conductor with migration-free electrode

Info

Publication number: DE19741143C1
Application number: DE1997141143
Authority: DE
Inventors: Werner Kahr
Original assignee: Siemens Matsushita Components GmbH and Co KG
Current assignee: TDK Electronics AG
Priority date: 1997-09-18
Filing date: 1997-09-18
Publication date: 1999-06-02
Anticipated expiration: 2017-09-19

Abstract

A PC-thermistor comprises of a silver-free basic layer (2) arranged on the thermistor body (1) and a silver covering layer (3) arranged on the basic layer (2). The dimensions of the silver covering layer (3) are geometrically smaller than those of the basic layer (2). A chamfer or bevel (4) is arranged in the thermistor body (1) in the edge zone of the silver covering layer (3).

Description

Die Erfindung betrifft einen Kaltleiter (PTC) gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a PTC thermistor according to the Preamble of claim 1.

Derartige Kaltleiter sind aus der DE 34 33 196 C2 bekannt.Such PTC thermistors are known from DE 34 33 196 C2.

Kaltleiter mit migrationsfreier Metallisierung bestehen aus zumindest zwei Elektrodenschichten, wobei die Grundschicht aus silberfreien Werkstoffen (z. B. Al, Ni) besteht, auf der eine hauptsächlich aus Silber bestehende Deckbeschichtung an geordnet wird, die geometrisch kleiner als die Grundschicht ausgeführt ist.PTC thermistors with migration-free metallization consist of at least two electrode layers, the base layer consists of silver-free materials (e.g. Al, Ni) on which a top coating consisting mainly of silver is ordered, the geometrically smaller than the base layer is executed.

Der aus dieser Anordnung resultierende silberfreie Rand be wirkt zum einen die Unterbindung der unerwünschten Silbermi gration, hat aber erhebliche Schwierigkeiten in Anwendungen zur Folge, wo die gesamte verfügbare Elektrodenfläche zur Stromeinleitung benötigt wird.The silver-free edge resulting from this arrangement be on the one hand, the suppression of the unwanted silver mi gration, but has significant application difficulties where the total available electrode area for Current introduction is needed.

In der Regel befindet sich die Elektrodenbeschichtung auf den ebenen, geraden Flächen scheiben- oder rechteckförmiger kera mischer Kaltleiter. Werden diese in Heizapplikationen verwen det, wird aus konstruktiven Gründen ein Klemmaufbau gewählt, wobei der Kaltleiter mit seiner gesamten verfügbaren Elektro denfläche mit einem Stromeinleitungselement flächig zur elek trischen, thermischen und mechanischen Kontaktgabe verbunden wird.Usually the electrode coating is on the flat, straight surfaces of disc-shaped or rectangular kera mixer PTC thermistor. Are these used in heating applications? det, a clamp structure is chosen for design reasons, the PTC with all of its available electrical surface with a current introduction element to the elec trical, thermal and mechanical contact becomes.

Bedingt durch die herabgesetzte elektrische Eigenleitfähig keit der silberfreien Randzonenbeschichtung, die in der Regel in dünnen Schicktdicken vorliegt, sind in diesen Bereichen Stromeinleitungsprobleme gegeben. Zur Vermeidung von Kontakt bränden ist deshalb eine elektrische Kontaktierung in diesen Zonen nicht erwünscht, wobei aber aus konstruktiven Gründen der Heizsysteme dieser Zustand nicht vollständig ausschließ bar ist.Due to the reduced electrical intrinsic conductivity silver-free edge zone coating, which is usually is available in these areas Current introduction problems existed. To avoid contact fire is therefore an electrical contact in these Zones not desired, but for constructive reasons heating systems do not completely exclude this condition is cash.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, den eingangs ge nannten Kaltleiter derart weiterzubilden, daß im kritischen Randzonenbereich keine unerwünschte Kontaktierung bzw. Stromeinleitung eintritt.The object of the present invention is to begin with called PTC thermistor in such a way that in critical Edge zone no undesired contacting or Current introduction occurs.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Kaltleiter gelöst, der die im Patentanspruch angeführten Merkmale aufweist.This object is achieved by a PTC thermistor solved, the features stated in the claim having.

Die Vorteile des Gegenstandes der Erfindung werden im folgen den anhand eines Ausführungsbeispieles erläutert.The advantages of the subject of the invention will follow that explained using an exemplary embodiment.

In der dazugehörenden Zeichnung mit einer einzigen Figur ist ein Keramikkörper 1 mit einer migrationsfreien Kontaktierung dargestellt. Die migrationsfreie Kontaktierung besteht aus einer silberfreien Grundschicht 2 und einer darauf angeordne ten Silberdeckschicht 3, die geometrisch kleiner als die Grundschicht 2 ist. Im Randbereich der Silberdeckschicht 3 ist im Keramikkörper 1 eine Fase 4 angeordnet. Diese Fase 4 bewirkt, daß bei Kontaktierung des Kaltleiters mit einem Stromeinleitungselement 5, das mit einer Klemmkraft in Richtung des Pfeiles 6 gegen den Keramikkörper 1 gedrückt wird, eine Kontaktierung der Randbereiche der Silberdeckschicht 3 unterbleibt.In the accompanying drawing with a single figure, a ceramic body 1 is shown with a migration-free contact. The migration-free contacting consists of a silver-free base layer 2 and a silver cover layer 3 arranged thereon, which is geometrically smaller than the base layer 2 . A chamfer 4 is arranged in the ceramic body 1 in the edge region of the silver cover layer 3 . This chamfer 4 has the effect that when the PTC thermistor is contacted with a current introduction element 5 , which is pressed with a clamping force in the direction of arrow 6 against the ceramic body 1 , the edge regions of the silver cover layer 3 are not contacted.

Die Fase 4 bewirkt somit eine Abstandsvergrößerung zwischen Stromeinleitungselement 5 und Grundschicht 2 der Metallisie rung. Damit wird sichergestellt, daß die elektrische Kontak tierung nur im Bereich der Silberdeckschicht 3 erfolgt.The chamfer 4 thus causes an increase in the distance between the current introduction element 5 and the base layer 2 of the metallization. This ensures that the electrical contacting takes place only in the area of the silver cover layer 3 .

Die erwünschte migrationsfreie Ausführung bleibt somit erhal ten, ohne daß die Gefahr einer unerwünschten Kontaktierung bzw. Stromeinleitung im kritischen Randzonenbereich eintritt.The desired migration-free execution remains ten without the risk of undesired contacting or current introduction occurs in the critical peripheral zone area.

Claims

PTC thermistor (PTC) with migration-free electrode, which consists of a silver-free base layer ( 2 ) arranged on the PTC body ( 1 ) and a silver cover layer ( 3 ) arranged on the base layer ( 2 ), in which the dimensions of the silver cover layer ( 3 ) are geometrically smaller than that of the base layer ( 2 ), and which is contacted by a current introduction element ( 5 ), characterized in that the PTC thermistor body ( 1 ) in the edge region of the silver deck layer ( 3 ) has a chamfer ( 4 ) which increases the distance of a flat current introduction element ( 5 ) to both the silver cover layer ( 3 ) and the silver-free base layer ( 2 ).