DE19718737C1

DE19718737C1 - Diamond deposition by low temperature plasma arc CVD

Info

Publication number: DE19718737C1
Application number: DE1997118737
Authority: DE
Inventors: Brigitte Dipl Ing Konrad; Herbert Dr Guettler
Original assignee: Daimler Benz AG
Current assignee: Mercedes Benz Group AG
Priority date: 1997-05-02
Filing date: 1997-05-02
Publication date: 1998-07-23
Anticipated expiration: 2017-05-03

Abstract

In a process for diamond deposition on a diamond-seeded substrate by a plasma arc CVD (especially arc-jet) process employing an inert gas, preferably a noble gas, especially argon, and/or hydrogen plasma, the seeded substrate (2) surface is shielded by a cover (7) against the plasma and/or a precursor gas stream prior to striking the plasma and the covered (7) is removed after stabilisation of the plasma and/or the precursor gas stream. Preferably, the substrate (2) is a composite structure of a microelectronic component, especially a component with metallic (especially aluminium) conductor lines.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Dia mant auf einem Substrat bei tiefen Temperaturen, wie es bspw. aus der gattungsbildend zugrundegelegten US 5,314,540 A als be kannt hervorgeht.The invention relates to a method for separating slides mant on a substrate at low temperatures, such as. from the generic US 5,314,540 A as be knows emerges.

Die gattungsbildend zugrundegelegte US 5,314,540 A zeigt eine Plasmabogen-CVD-Vorrichtung zur Abscheidung von Diamant aus ei ner Gasmischung von Ar, H₂ und CH₄ mittels Lichtbogen- Plasmabogen-CVD. Hierbei erfolgt die Zündung des Plasmas mit Argon, wobei nach der Stabilisierung des Plasmas eine Mischung von Ar und H₂ und dann von CH₄ und H₂ zugeführt wird. Abge schieden wird auf Substraten, die auf einem mit Wasser gekühlten Substrathalter angeordnet sind. Beim Abscheiden weisen die Substrate eine Temperatur zwischen 600 und 1100°C auf.The generic US 5,314,540 A shows a plasma arc CVD device for the deposition of diamond from a gas mixture of Ar, H ₂ and CH ₄ by means of arc plasma arc CVD. In this case, the plasma is ignited with argon, a mixture of Ar and H ₂ and then of CH ₄ and H _{2 being} fed in after the plasma has stabilized. Abge is separated on substrates that are arranged on a water-cooled substrate holder. During the deposition, the substrates have a temperature between 600 and 1100 ° C.

Desweiteren ist aus der EP 286 306 B1 ein Verfahren bekannt, mit dem unter Zuhilfenahme eines Düsenstrahl-Plasma-Verfahrens (Arc- bzw. Plasma-jet-Verfahren) Diamant auf einem Substrat ab geschieden wird. Vor der Abscheidung des Diamanten wird das Substrat in üblicher Weise reinigend vorbehandelt und bekeimt. Desweiteren wird das ggf. schon bekeimte Substrat auf einem flüssigkeits-, insbesondere wassergekühlten Substrathalter fi xiert und in einem evakuierbaren Reaktor angeordnet. Der Reak tor wird evakuiert und der Diamant auf dem Substrat abgeschie den. Bei dem für die Diamantabscheidung verwendeten Düsen strahl-Plasma-Verfahren wird zur Bildung eines Plasmas zwischen eine Anode und eine Kathode, die innerhalb des Reaktors ange ordnet sind, ein Inert-Gas, vorzugsweise ein Edelgas, besonders bevorzugt Argon und/oder Wasserstoff eingeströmt und das Plasma gezündet. In das Plasma wird anschließend ein für die Diaman tabscheidung geeignetes Gas eines Vormaterials eingeströmt, das Vormaterial im Plasma entsprechend aufbereitet und auf die zu beschichtende Oberfläche des Substrat geleitet, wo es sich als Diamant abscheidet.Furthermore, a method is known from EP 286 306 B1, with the help of a jet plasma process (Arc or plasma jet process) diamond on a substrate is divorced. Before the diamond is deposited, it will Substrate pretreated and germinated in the usual way. Furthermore, the possibly already germinated substrate is on one liquid, especially water-cooled substrate holder fi xiert and arranged in an evacuable reactor. The reak The gate is evacuated and the diamond is fired onto the substrate the. With the nozzle used for diamond deposition beam plasma process is used to form a plasma between an anode and a cathode placed inside the reactor are classified, an inert gas, preferably an inert gas, particularly preferably argon and / or hydrogen and the plasma ignited. A diamond is then added to the plasma suitable gas of a primary material, which Primary material prepared accordingly in the plasma and towards coating surface of the substrate passed where it turns out to be Diamond deposits.

Aus der EP 394 735 A2 ist ein Düsenstrahl-Plasma-Verfahren be kannt, bei dem in ein aus Wasserstoff (H₂) und/oder einem Inertgas, insbesondere Helium gebildeten Plasma oder das adia batisch entspannte Plasma ein kohlenstoffhaltiges Gas eingelei tet, hochionisiert und entsprechend aufbereitet wird. Als Bei spiele für das kohlenstoffhaltige Gas werden hierbei explizit ein bis 4 Kohlenstoffatome aufweisende Kohlenwasserstoffe wie bspw. das bevorzugte Methan, Alkohole mit ein bis vier Kohlen stoffe wie Äthanol, und andere Sauerstoff aufweisende Kohlen wasserstoffe mit ein bis vier Kohlenstoffatomen wie Aceton oder Kohlenmonoxid erwähnt. Der aus dem hochionisierten kohlenstoff haltigen Gas gebildete Gasstrom wird auf ein Substrat geleitet, das in einem Gebiet geringeren Druckes angeordnet ist. Der hochionisierte Gasstrom scheidet sich dann in der Form von Dia mant und/oder diamantähnlichem Kohlenstoff auf dem Substrat ab. Als repräsentative Materialien für das Substrat sind Silizium, Nickel, Galliumarsenid, Titan, Kupfer, Kupfer-Kohlenstoff- Komposite, Aluminiumnitrid, Siliziumcarbid, Aluminium-Silizium- Kohlenstoff Komposite, Aluminium, Molybdän, Gold, Spinell, Si licate, Wolfram, Graphit, Kupfer-Wolfram-Legierungen und Sili zium-Eisen genannt.EP 394 735 A2 discloses a jet-jet plasma process in which a carbon-containing gas is introduced into a plasma formed from hydrogen (H ₂ ) and / or an inert gas, in particular helium, or the adia batically relaxed plasma, highly ionized and is prepared accordingly. As examples of the carbon-containing gas, hydrocarbons having one to four carbon atoms, such as, for example, the preferred methane, alcohols containing one to four carbons such as ethanol, and other oxygen-containing hydrocarbons having one to four carbon atoms, such as acetone or carbon monoxide, are mentioned explicitly. The gas stream formed from the highly ionized carbon-containing gas is directed onto a substrate which is arranged in an area of lower pressure. The highly ionized gas stream then deposits on the substrate in the form of diamond and / or diamond-like carbon. Representative materials for the substrate are silicon, nickel, gallium arsenide, titanium, copper, copper-carbon composites, aluminum nitride, silicon carbide, aluminum-silicon-carbon composites, aluminum, molybdenum, gold, spinel, silicon, tungsten, graphite, copper - Tungsten alloys and silicon iron called.

Trotz der Vorzüge dieser Verfahren und Vorrichtungen ist die mit hiermit erreichbare Wachstumsgeschwindigkeit insbesondere bei Temperaturen unterhalb 450°C allenfalls relativ gering. Diese Wachstumsrate bei geringen Temperaturen ist aber insbe sondere bei der Beschichtung von bereits prozessierten mikro elektronischen Bauelementen mit gut wärmeleitendem und gleich zeitig elektrisch isolierendem Diamant wichtig, da ansonst die thermische Belastung der Bauelemente bei der Diamantabscheidung zur Zerstörung dieser Bauelemente führen kann.Despite the advantages of these methods and devices, the with hereby achievable growth rate in particular at temperatures below 450 ° C at best relatively low. This growth rate at low temperatures is particularly bad especially when coating already processed micro electronic components with good thermal conductivity and the same Electrically insulating diamond is important as otherwise the thermal stress on the components during diamond deposition can lead to the destruction of these components.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem eine qualitativ vertretbare Diamantabscheidung guter Quali tät von zumindest polykristallinem Diamant bei Temperaturen kleiner 450°C mit möglichst hoher Wachstumsgeschwindigkeit er möglicht ist.The object of the invention is to provide a method with a qualitatively justifiable diamond deposition of good quality at least polycrystalline diamond at temperatures less than 450 ° C with the highest possible growth rate is possible.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß mit den Verfahrens schritten des Anspruchs 1 gelöst. Durch das Abdecken des Substrats vor dem Zünden des Plasmas und/oder vor dem das Substrat mit Diamant beschichtend wirkenden Gasstrom aus einem Vormaterial (Precursor) und die Freigabe des Substrats erst nach der Stabilisierung des Plasmas und/oder des beschichtend wirkenden Gasstroms aus dem Vormaterial wird bei Temperaturen unterhalb 450°C eine erhöhte Wachstumsgeschwindigkeit er reicht.The task is accomplished by a procedure in accordance with the procedure resolved steps of claim 1. By covering the Substrate before igniting the plasma and / or before that Gas coating from a substrate with diamond coating First material (precursor) and the release of the substrate first after stabilizing the plasma and / or coating acting gas flow from the primary material is at temperatures below 450 ° C an increased growth rate enough.

Sinnvolle Ausgestaltungen der Erfindung sind den jeweiligen weiteren Ansprüchen entnehmbar. Im übrigen wird die Erfindung anhand von in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen genauer erläutert. Dabei zeigtUseful embodiments of the invention are the respective further claims removable. Otherwise, the invention using the exemplary embodiments shown in the figures explained in more detail. It shows

Fig. 1 eine Prinzipskizze einer CVD-Anlage zur Abscheidung von Diamant auf Substraten, Fig. 1 is a schematic diagram of a CVD apparatus for deposition of diamond on substrates,

Fig. 2 eine Detailzeichnung eines Substrathalters, Fig. 2 is a detail drawing of a substrate holder,

Fig. 3 eine Detailzeichnung einer Düse für das CVD-Verfahren mittels einem Düsenstrahl und Fig. 3 is a detailed drawing of a nozzle for the CVD method by means of a nozzle jet and

Fig. 4 eine Detailzeichnung einer Abdeckung. Fig. 4 is a detailed drawing of a cover.

In Fig. 1 ist eine Prinzipskizze einer Vorrichtung zur Be schichtung eines Substrats mit einer Diamantschicht und zwar in der Art einer Düsenstrahl-Plasma-Anlage dargestellt, bei der der Strahl des Vormaterials mit Überschall aus der Düse aus- und ins Plasma eintritt. Mit etwa dieser Geschwindigkeit trifft der durch das Plasma entsprechend aufbereitete Strahl des Vor materials auch auf dem Substrat auf. Die Geschwindigkeit des Strahls des Vormaterials vor und nach dem Plasma liegt typi scherweise im Bereich von km/s. Es handelt sich um eine CVD-Anlage mit einem Leistungsbereich zwischen 1 und 5 kW.In Fig. 1 is a schematic diagram of a device for loading coating a substrate with a diamond layer and that is shown in the manner of a jet plasma system, in which the jet of primary material exits from the nozzle with supersonic and enters the plasma. At approximately this speed, the beam of the pre-material, which has been appropriately prepared by the plasma, also hits the substrate. The speed of the beam of the primary material before and after the plasma is typically in the range of km / s. It is a CVD system with a power range between 1 and 5 kW.

Der zylindrische Reaktor 10 (Rezipient) besteht aus nichtro stendem Stahl in doppelwandiger Ausführung, wodurch eine Küh lung mittels Wasser ermöglicht ist, die über einen Wasseran schluß 13 mit dem Reaktor verbunden ist.The cylindrical reactor 10 (recipient) consists of non-stainless steel in a double-walled design, whereby a cooling treatment by means of water is possible, which is connected via a water connection 13 to the reactor.

Zur Evakuierung des Reaktorinnerns 14 weist die Vorrichtung ein mit einer Druckregelung 31 versehenes Pumpensystem 15 mit drei Einzelpumpen auf. Der erreichbare Druck liegt bei ca. 10⁻³ mbar. Als Pumpen sind eine Drehschieberpumpe und zwei Wälzkol benpumpen vorgesehen.In order to evacuate the interior of the reactor 14 , the device has a pump system 15 with three individual pumps, which is provided with a pressure control 31 . The achievable pressure is approx. 10 ^-3 mbar. A rotary vane pump and two Wälzkol benpumpen are provided as pumps.

Desweiteren weist die Vorrichtung ein Gasversorgungssystem 16 auf, mit dem die für ein Plasma benötigten Gase (Argon und Was serstoff) sowie die für das Diamantwachstum benötigten Prozeß gase, insbesondere Sauerstoff und Methan in das Reaktorinnere 14 gezielt eingeleitet werden können.Furthermore, the device has a gas supply system 16 with which the gases required for a plasma (argon and water) and the process gases required for diamond growth, in particular oxygen and methane, can be introduced into the reactor interior 14 in a targeted manner.

Zur Temperaturbestimmung des Substrats kann es sinnvoll sein, wenn die Vorrichtung ein Pyrometer aufweist.To determine the temperature of the substrate, it can be useful if the device has a pyrometer.

Innerhalb des vorzugsweise evakuierbaren Reaktors 10 ist ein Substrathalter 1 angeordnet, der zur flächigen und gut wärme leitenden Aufnahme eines vorbehandelten und bereits bekeimten Substrats 2 vorgesehen ist. Die gegenständliche Ausbildung des Substrathalters 1 ist in Fig. 2 dargestellt.A substrate holder 1 is arranged within the preferably evacuable reactor 10 and is provided for receiving a pretreated and already germinated substrate 2 in a planar and heat-conductive manner. The physical design of the substrate holder 1 is shown in Fig. 2.

Der Substrathalter 1 weist u. a. einen massiven, rotationssymme trischen und im Querschnitt T-förmig ausgebildeten Block 17 aus Cu auf. In der Mitte des Blocks ist ein Thermoelement 12, das vorzugsweise aus Chromel/Alumel (10 Cr + 90 Ni und 2 Al + 94 Ni) gefertigt ist, zur Temperaturmessung des Substrats 2 hin durchgeführt. Die freie Fläche des größeren Querschnitts des Blocks 17 - im folgenden Substratseite 3 genannt - ist dem Substrat 2 zugewandt. Um seinen dünneren Querschnitt ist in en gem und gut wärmeleitenden Kontakt ein Kühlkörper 18 aus Cu an geordnet. Der Kühlkörper 18 weist in seinem Inneren fluidisch durchströmbare Kanäle 19 für eine Kühlflüssigkeit, insbesondere Wasser auf, die mit einem Kühlsystem 32 verbunden sind. Durch die fluidisch durchströmbaren Kanäle 19 kann die Kühlflüssig keit durch den Kühlkörper 18 hindurchströmen, wodurch der Kühl körper 18 direkt und das Substrat 2 indirekt durch die Kühl flüssigkeit temperiert wird.The substrate holder 1 has, inter alia, a solid, rotationally symmetrical and cross-sectionally T-shaped block 17 made of Cu. In the middle of the block, a thermocouple 12 , which is preferably made of Chromel / Alumel (10 Cr + 90 Ni and 2 Al + 94 Ni), is used to measure the temperature of the substrate 2 . The free area of the larger cross section of the block 17 - hereinafter referred to as substrate side 3 - faces the substrate 2 . Around its thinner cross-section, a heat sink 18 made of Cu is arranged in close and heat-conducting contact. The cooling body 18 has channels 19 for a cooling liquid, in particular water, through which fluid can flow, which are connected to a cooling system 32 . By fluidly flow-through channels 19, the cooling liquid can ness through the heat sink 18 to flow therethrough, whereby the cooling body 18 directly and the substrate 2 is indirectly heated by the cooling liquid.

Aufgrund des gut wärmeleitenden Kupfers und des innenseitigen Kühlmittelflusses kann mit einem derartigen Substrathalter 1 ein darauf angeordnetes und insbesondere mit einer gut wärme leitenden Schicht, bspw. aus Leitsilber, versehenes Substrat 2 während einer Beschichtung mit Diamant auf Temperaturen gerin ger 450°C temperiert werden. Allerdings kann mit einer derar tigen Kühlung das Substrat 2, bei einer maximalen Temperatur des Wassers von ca. 100°C, nur etwa zwischen 400°C und 500°C temperiert werden. Des weiteren ist die mögliche Temperaturre gelung auch auf einen Bereich von ca. 85°K begrenzt.Due to the good thermal conductivity copper and inside the coolant flow can with such a substrate holder 1 a disposed thereon and conductive in particular with a good heat-layer, for example. Of conductive silver, provided substrate 2 during a coating with diamond to temperatures clotting ger 450 ° C to be tempered. However, with such cooling, the substrate 2 , at a maximum water temperature of approx. 100 ° C, can only be tempered between 400 ° C and 500 ° C. Furthermore, the possible temperature control is also limited to a range of approx. 85 ° K.

Dies ist für eine Beschichtung bei tieferen Temperaturen, wie sie insbesondere bei der Diamantbeschichtung von bereits ferti gen mikroelektronischen Bauteilen und hierbei insbesondere von mit Leiterbahnen aus Aluminium versehenen mikroelektronischen Bauteilen notwendig sind, zumindest zum Teil unbefriedigend.This is for a coating at lower temperatures, such as especially when it comes to diamond coating from ferti against microelectronic components and in particular from microelectronic with aluminum conductor tracks Components are necessary, at least partially unsatisfactory.

Um diesen Umstand zu verbessern, weist der erfindungsgemäße Substrathalter 1 auf seiner Substratseite 3 eine innenseitig (Strömungskanäle 11) mit einem Temperier-Gasstrom durchflossene Klimascheibe 4 auf, auf der das Substrat 2 angeordnet ist. Zwi schen der Klimascheibe 4 und der Substratseite 3 kann ggf. eine Wärmeisolierschicht 20 angeordnet sein. In order to improve this circumstance, the substrate holder 1 according to the invention has on its substrate side 3 an air-conditioning disc 4 through which a tempering gas flow flows, on the inside (flow channels 11 ), on which the substrate 2 is arranged. Between the climate disc 4 and the substrate side 3 , a heat insulating layer 20 may be arranged.

Anstelle der Wärmeisolierschicht 20 kann - je nach Notwendig keit - auch Leitsilbers für einen besseren Wärmeübergang ange ordnet sein. Desweiteren ist es auch möglich, daß zwischen dem Substrat 2 und der Substratseite ein schmaler Spalt angeordnet ist, durch den ein Gas hindurchgeströmt wird, wobei die Tempe rierung dann durch Konvektion erfolgt. Da dieser Spalt zumeist unterhalb 1 mm beträgt, ist dieser Fall im Sinne dieser Anmel dung ebenfalls als direkte Wärmeleitung zu verstehen.Instead of the heat insulating layer 20 - depending on the necessity speed - also conductive silver can be arranged for better heat transfer. Furthermore, it is also possible for a narrow gap to be arranged between the substrate 2 and the substrate side, through which a gas is passed, the tempering then taking place by convection. Since this gap is usually below 1 mm, this case is also to be understood as direct heat conduction in the sense of this application.

Da die Klimascheibe 4 nur mit Stegen 21 zumindest mittelbar an der Substratseite 3 anliegt, wird die Wärme zwischen der Klima scheibe 4 und der Substratseite 3 des Blocks 17 nur bereichs weise direkt kontaktgeleitet. Zwischen dem Block 17 und dem Kühlkörper 18 erfolgt der Wärmeübertrag vollflächig.Since the air plate 4 at least indirectly abutting with webs 21 on the substrate side 3, the heat between the air is disc 4 and the substrate side 3 of the block 17 only contact area directed, directly. The heat transfer takes place over the entire area between the block 17 and the heat sink 18 .

Ferner ist auch eine stegförmige Ausbildung der Klimascheibe 4 möglich, wobei durch die sich zwischen der Substratseite 3 und der Klimascheibe 4 bildenden Kanäle 22 das Temperier-Gas, ins besondere Luft hindurchgeleitet wird.Further, a ridge-shaped design of the air washer 4 wherein the tempering gas, is passed in particular through the air forming between the substrate side 3 and the air disc 4 channels 22 is possible.

Allen Möglichkeiten und auch deren Kombinationen ist gemeinsam, daß die gesamte Ableitung von Wärme in den Substrathalter 1, gegenüber einem direkten und/oder vollflächigen Wärmeabfluß ge ringer ist. Dies ist daher von Vorteil, da in ungünstigen Fäl len die Kühlwirkung zu groß werden kann, wodurch die Substrat temperatur dann zu gering wird.All options and their combinations have in common that the total dissipation of heat in the substrate holder 1 , compared to a direct and / or full-surface heat drain ge is less. This is therefore advantageous, since in unfavorable cases the cooling effect can become too great, as a result of which the substrate temperature then becomes too low.

Obwohl die spez. Wärmekapazität des Temperier-Gases in etwa nur 25% von der spez. Wärmekapazität von Wasser beträgt, kann ein auf der Klimascheibe 4 und damit auf der Halteroberfläche 5 des Substrathalters 1 zumindest mittelbar angeordnetes Substrat 2 überraschender Weise auf Temperaturen unterhalb von 400°C, be vorzugt geringer 350°C und besonders bevorzugt geringer 300°C temperiert werden. Although the spec. Heat capacity of the tempering gas in about only 25% of the spec. Heat capacity of water, a substrate 2 at least indirectly arranged on the climate disk 4 and thus on the holder surface 5 of the substrate holder 1 can surprisingly be tempered to temperatures below 400 ° C., preferably less than 350 ° C. and particularly preferably less than 300 ° C. .

Hierdurch werden dann mikroelektronische Bauteile bei einer Diamantbeschichtung allenfalls geringfügig, insbesondere ver nachlässigbar belastet. Durch die geringere Temperatur bei der Beschichtung von mikroelektronischen Bauteilen mit Diamant ist die Ausschußrate nennenswert gesenkt. Des weiteren ist auch das Temperaturintervall, innerhalb dem das Substrat 2 temperiert werden kann, vergrößert.As a result, microelectronic components in a diamond coating are at most slightly, in particular negligibly, loaded. Due to the lower temperature when coating microelectronic components with diamond, the reject rate is significantly reduced. Furthermore, the temperature interval within which the substrate 2 can be tempered is also increased.

Die Steuerung der Temperatur erfolgt über das strömende Luftvo lumen, wobei mit dem Kühlwasser die Grundeinstellung vorgenom men wird.The temperature is controlled via the flowing air flow lumen, the basic setting being made with the cooling water men will.

Obwohl der Vorteil des erfindungsgemäßen Substrathalters 1 an hand eines Düsenstrahl-Plasma-Verfahrens beschrieben wird, ist er auch für alle anderen CVD-Verfahren in gleicher Weise ver wendbar.Although the advantage of the substrate holder 1 according to the invention of a hand jet plasma process is described, it is ver reversible for all other CVD method in the same manner.

Dem Substrat 2 gegenüberliegend ist eine Düse 23 angeordnet, die zur Erzeugung eines das Substrat 2 mit Diamant beschichten den Gasstrahles geeignet ist. Derartige Düsen 23 wurden ur sprünglich für die Raumfahrt entwickelt, wobei bei diesem Ver wendungsfall die Dissoziation des Trägergases aus Wasserstoff einen hohen Verlust darstellt. Demgegenüber ist der Dissoziati onsgrad des Trägergases, das bei bspw. der Epitaxie von Diamant aus der Gasphase als Prozess- oder Gasstrahl aus Vormaterial bezeichnet wird, von Bedeutung.The substrate 2 opposite to a nozzle 23 is disposed, the coating for producing a diamond substrate 2 with the gas jet is suitable. Such nozzles 23 were originally developed for space travel, the dissociation of the carrier gas from hydrogen representing a high loss in this use case. In contrast, the degree of dissociation of the carrier gas, which is referred to in the epitaxy of diamond from the gas phase as a process or gas jet from primary material, is important.

Der Aufbau der Düse 23 ist in Fig. 3 dargestellt. Die Düse 23 weist eine axial und zentrisch innenliegende sowie axial beweg liche Kathode 9 auf, die einen Schmelzpunkt von 3410°C auf weist und aus einer Wolframlegierung mit 2% Thorium besteht. Die Kathode 9 ist in der Form einer Düsennadel ausgebildet und fungiert gleichzeitig als strömungsbestimmendes Element der Dü senöffnung 24.The structure of the nozzle 23 is shown in Fig. 3. The nozzle 23 has an axially and centrally inner and axially movable union cathode 9 , which has a melting point of 3410 ° C. and consists of a tungsten alloy with 2% thorium. The cathode 9 is designed in the form of a nozzle needle and simultaneously functions as a flow-determining element of the nozzle opening 24 .

Im Bereich etwa der Mitte der Kathode 9 ist eine Gaseinlaßöff nung 25 für ein oder ggf. mehrere später ein Plasma bildendes Gas, insbesondere H₂ angeordnet. Am auslaßseitigen Bereich der Düse 23 ist eine Anode 8 angeordnet. Die eigentliche Düsenöff nung 24 wird durch einen Einsatz, das sogenannten verjüngende Teil (Konstriktor) 26 gebildet, der zur Anode 8 gehört. Im Be reich des verjüngenden Teils 26 wird der für die Plasmabildung benötigte elektrische Entladungsbogen stabilisiert.In the area approximately the center of the cathode 9 , a gas inlet opening 25 is arranged for one or possibly several later forming a plasma gas, in particular H ₂ . An anode 8 is arranged on the outlet-side region of the nozzle 23 . The actual nozzle opening 24 is formed by an insert, the so-called tapering part (constrictor) 26 , which belongs to the anode 8 . In the area of the tapering part 26 , the electrical discharge arc required for the plasma formation is stabilized.

Im Bereich der Nadelspitze der Kathode 9, also am Verschluß der Düsenöffnung 24, ist eine konzentrisch zur Kathode 9 angeordne te Injektorscheibe 27 als Gaseinlaß für ein oder mehrere Gase des Plasmas angeordnet, während außerhalb der Düsenöffnung 24 eine Injektorscheibe 28 für die Prozeßgase (CH₄ und O₂) angeord net ist.In the region of the needle tip of the cathode 9, ie the closure of the nozzle orifice 24, a concentrically arrange the cathode 9 th Injektorscheibe 27 is arranged as a gas inlet for one or more gases of the plasma, while outside of the nozzle opening 24 is a Injektorscheibe 28 for the process gases (CH ₄ and O ₂ ) is net.

Die Anode 8 der Düse ist domartig ausgebildet und im Bereich der Düsenöffnung 24 konzentrisch um die Kathode 9 herum ange ordnet. Die Anode 8 absorbiert den Elektronenstrom und ist starken thermischen Belastungen ausgesetzt. Um die Belastungen zu reduzieren ist die Kontaktfläche der Anode 8 stark vergrö ßert, wodurch sich der Druckgradient im Expansionsbereich er höht. Durch den hohen Druckgradienten vergrößert sich die freie Weglänge und der Kontaktbereich der Anode 8 verschmiert.The anode 8 of the nozzle is dome-shaped and concentrically arranged around the cathode 9 in the region of the nozzle opening 24 . The anode 8 absorbs the electron current and is exposed to strong thermal loads. In order to reduce the loads, the contact area of the anode 8 is greatly increased, as a result of which the pressure gradient in the expansion area increases. The high pressure gradient increases the free path length and the contact area of the anode 8 is smeared.

Zwischen dem Eintritt und dem Austritt der Düse 24 fällt der Druck von ca. 1 bar auf ca. 0.3 mbar, also zwischen 3 und 4 De kaden ab. Das gebildete Plasmagas wird stark entspannt, wodurch das ursprünglich ca. 20 000 bis 30 000°K heiße Plasma auf ca. 5000°K abgekühlt wird. Der statische Druck am Düsenaustritt ist größer als der Druck im Reaktor. Die Strahlgeschwindigkeit erreicht infolge der starken Expansion des Plasmas etwa ein- bis dreifache Schallgeschwindigkeit.Between the inlet and outlet of the nozzle 24 , the pressure drops from approximately 1 bar to approximately 0.3 mbar, that is, between 3 and 4 decades. The plasma gas formed is greatly expanded, whereby the plasma, which was originally approx. 20,000 to 30,000 ° K hot, is cooled to approx. 5,000 ° K. The static pressure at the nozzle outlet is greater than the pressure in the reactor. The jet speed reaches about one to three times the speed of sound due to the strong expansion of the plasma.

Im nachfolgenden wird kurz auf die Funktionsweise der Düse 23 - also des Arcjets - eingegangen. In der Düse 23 wird zwischen der Kathode 9 und der Anode 8 ein elektrisches Feld aufgebaut. Die aus der Kathode 9 kommenden Elektronen werden stark be schleunigt. Ein Teil der kinetischen Energie der Elektronen wird über Stoßprozesse an das später das Plasma bildende Gas - im folgenden nur noch Wasserstoff genannt - abgegeben, wodurch es zur Ionisation und zur Dissoziation des Wasserstoffs kommt.The mode of operation of the nozzle 23 - that is to say the arcjet - is briefly discussed below. An electric field is established in the nozzle 23 between the cathode 9 and the anode 8 . The electrons coming from the cathode 9 are strongly accelerated. Part of the kinetic energy of the electrons is released via collision processes to the gas that later forms the plasma - hereinafter referred to as hydrogen - which causes the hydrogen to ionize and dissociate.

In der Mitte der nadelförmigen Kathode 9 wird der Wasserstoff tangential zur Kathode 9 eingeleitet, wodurch der Wasserstoff mit einem Drall versehen wird. Aufgrund der konvergierenden Geometrie des Gasraumes zwischen der Anode 8 und dem sie umge benden Gehäuse wird der Wasserstoff beschleunigt und kommt kurz vor dem verjüngenden Teil 26 in Kontakt mit dem von der Katho denspitze ausgehenden Entladungsbogen. Der relativ hohe Druck im Bereich des verjüngenden Teils 26 führt zu einer hohen Stoß rate und damit zu einem guten thermischen Kontakt zwischen den Elektronen des Entladungsbogen und des Wasserstoffs und zur Bildung des Plasmas. Nach der Düse 23 weitet sich der Plas mastrahl auf, so daß seine Energiedichte abnimmt.In the middle of the needle-shaped cathode 9 , the hydrogen is introduced tangentially to the cathode 9 , whereby the hydrogen is swirled. Because of the converging geometry of the gas space between the anode 8 and the housing surrounding it, the hydrogen is accelerated and comes shortly before the tapering part 26 into contact with the discharge arc emanating from the cathode tip. The relatively high pressure in the region of the tapering part 26 leads to a high impact rate and thus to a good thermal contact between the electrons of the discharge arc and the hydrogen and to the formation of the plasma. After the nozzle 23 , the plasma beam expands so that its energy density decreases.

In das schnell strömende Plasma wird von der vorderen, also ausströmseitigen Injektorscheibe 28 der Gasstrahl aus dem Vor material eingeleitet, dessen Energie im Plasma erhöht und von dem Gasstrom in Richtung des Substrats 2 geleitet, wo es sich als Diamant abscheidet.In the rapidly flowing plasma, the gas jet is introduced from the front material, the energy of which increases in the plasma and is directed from the gas stream in the direction of the substrate 2 , where it deposits as a diamond, from the front, that is to say the outflow-side, injector disk 28 .

Zwischen der Düse 23 und der zu beschichtenden Substratoberflä che 6 ist eine Abdeckung 7 angeordnet, die in Fig. 4 genauer dargestellt ist. Die plattenartige Abdeckung 7 weist in etwa eine Dreiecksform auf. Die Abdeckung 7 ist um einen parallel zur Flächennormalen des Substrats 2 ausgerichtete Schwenkachse 29 schwenkbar gehaltert. An einem Randbereich weist die Abdeckung 7 eine vorzugsweise kreisförmigen Beschichtungsöffnung 30 auf, welche an die Form des Substrats angepaßt ist. Am anderen Bereich, der den gleichen Abstand von der Schwenkachse wie die Beschichtungsöffnung 30 auf. Bis auf die Beschichtungsöffnung 30 ist die Abdeckung geschlossen ausgebildet, wobei der Durch messer der Beschichtungsöffnung 30 vorzugsweise ungefähr dem Durchmesser des Substrats 2 entspricht, insbesondere etwa grö ßer ist. Between the nozzle 23 and the substrate surface 6 to be coated, a cover 7 is arranged, which is shown in more detail in FIG. 4. The plate-like cover 7 has approximately a triangular shape. The cover 7 is held pivotably about a pivot axis 29 aligned parallel to the surface normal of the substrate 2 . At an edge region, the cover 7 has a preferably circular coating opening 30 which is adapted to the shape of the substrate. At the other area, the same distance from the pivot axis as the coating opening 30 . Except for the coating opening 30 , the cover is designed to be closed, the diameter of the coating opening 30 preferably corresponding approximately to the diameter of the substrate 2 , in particular being approximately larger.

Mit der Abdeckung 7 wird die bekeimte Substratoberfläche 6 des Substrats 2 vor dem Zünden des Plasmas abgedeckt und erst nach Stabilisierung des Plasmas und/oder des beschichtend wirkenden Gasstroms aus Vormaterial wieder entfernt. Die Zeit des Abdeckens beträgt nach der Zündung des Plasmas zwischen 5 und 30 Min., bevorzugt zwischen 10 und 20 Min., besonders bevorzugt etwa 15 Min.The germinated substrate surface 6 of the substrate 2 is covered with the cover 7 before the plasma is ignited and is only removed from the starting material again after the plasma and / or the coating gas flow has stabilized. The time of covering after the plasma has ignited is between 5 and 30 minutes, preferably between 10 and 20 minutes, particularly preferably about 15 minutes.

Sinnvollerweise wird die Abdeckung 7 zumindest während des Ab deckens des Substrats 2 gekühlt. Die Kühlung erfolgt zweckmäßi gerweise mittels eines flüssigen Kühlmittels, vorzugsweise Was ser, daß durch Kanäle, die in der Abdeckung angeordnet sind, hindurchströmt.It makes sense to cool the cover 7 at least while covering the substrate 2 . The cooling takes place expediently by means of a liquid coolant, preferably what water that flows through channels which are arranged in the cover.

Bei großtechnischen Anlagen, bei denen die Substrate schnell gewechselt werden müssen, wird die Abdeckung zweckmäßigerweise während des Wechsels zwischen den Substrathalter und das bren nende Plasma eingeschoben.In large-scale plants where the substrates are quick the cover must be replaced while switching between the substrate holder and the burn inserted plasma.

Desweiteren ist es von Vorteil, vor dem Zünden des Plasmas zu erst ein Inert-Gas, vorzugsweise ein Edelgas, besonders bevor zugt Argon (Ar) gasförmig zwischen eine Anode und eine Kathode gasförmig einzuströmen, das Argon zu zünden und daraus ein Ar- Plasma zu erzeugen. In das Ar-Plasma wird während einer Über leitphase Wasserstoff eingeleitet, gezündet und als Plasma- Material verwendet, wobei nach der Überleitphase das Argon ab gestellt wird.Furthermore, it is advantageous to switch on before igniting the plasma only an inert gas, preferably an inert gas, especially before draws argon (Ar) in gaseous form between an anode and a cathode inflow in gaseous form, ignite the argon and create an ar- To generate plasma. In the Ar plasma is during an over lead phase hydrogen initiated, ignited and as plasma Material used, whereby after the transfer phase, the argon is provided.

Bei dieser Vorgehensweise wird das als Vormaterial verwendete Prozeßgas frühestens mit dem H₂, insbesondere frühestens nach der Überleitphase in das Plasma eingeströmt, wobei es insbeson dere bei tieferen Temperaturen sinnvoll ist, zusammen mit dem als Vormaterial verwendeten Prozeßgas Sauerstoff (O₂) einzu strömen. In this procedure, the process gas used as the raw material is at the earliest with the H ₂ , in particular at the earliest after the transition phase, into the plasma, it being particularly sensible at lower temperatures to flow in together with the process gas used as the raw material oxygen (O ₂ ).

In der nachfolgenden Tabelle werden die Versuchsparameter bei verschiedenen Substratmaterialien und deren Ergebnisse darge stellt. Alle Substrate wurde vergleichbar vorbehandelt, insbe sondere gereinigt und vorbekeimt; die Keimdichte und die Größe der Wachstumskeime war vergleichbar.
The table below shows the test parameters for various substrate materials and their results. All substrates were pretreated in a comparable manner, in particular cleaned and pregerminated; the germ density and the size of the growth nuclei were comparable.

Für die Tabelle wurden folgende Bezeichnungen verwendet:
Nr.: Nummer der Probe,
Sub.: Material des Substrats, wobei das mikroelektronische Bauteil ein MOSFET in SI/SiO₂-Technik war, der vor und nach der Beschichtung noch vollkommen funktions tüchtig war,
CH₄/H₂: Verhältnis von Methan zu Wasserstoff in Prozent [%],
O₂/CH₄: Verhältnis von Sauerstoff zu Methan in Prozent [%],,
H₂-Fluß: Gasfluß von Wasserstoff in [slm],
I_D: Stromfluß in der Düse zwischen der Anode und der Kathode in Ampere [A],
T_s: Substrattemperatur bei der Diamantabscheidung in [°C],
P_D: mittlere Leistung am Arcjet in [kW],
t_w: Prozeßdauer in [Min.],
d_s: mittlere Schichtdicke der Diamantschicht in [µm]
v_s: Wachstumsgeschwindigkeit bzw. -rate in [µm/h] und
Haftung: Haftung der Diamantschicht auf dem jeweiligen Substrat.The following designations were used for the table:
No .: number of the sample,
Sub .: material of the substrate, the microelectronic component being a MOSFET in SI / SiO ₂ technology, which was still fully functional before and after the coating,
CH ₄ / H ₂ : ratio of methane to hydrogen in percent [%],
O ₂ / CH ₄ : ratio of oxygen to methane in percent [%] ,,
H ₂ flow: gas flow of hydrogen in [slm],
I _D : current flow in the nozzle between the anode and the cathode in amperes [A],
T _s : substrate temperature during diamond deposition in [° C],
P _D : average power on the Arcjet in [kW],
t _w : process duration in [min.],
d _s : average layer thickness of the diamond layer in [µm]
v _s : growth rate or rate in [µm / h] and
Adhesion: Adhesion of the diamond layer on the respective substrate.

Wie aus der Tabelle ersichtlich ist, konnten auf allen Substra ten hohe Wachstumsgeschwindigkeiten bzw. -raten erzielt werden, die gegenüber den bei diesen Temperaturen bekannten Wachstums geschwindigkeiten bzw. -raten um etwa eine Größenordnung höher sind.As can be seen from the table, all substra high growth speeds or rates are achieved, compared to the growth known at these temperatures speeds or rates about an order of magnitude higher are.

Alle aufgeführten Proben wiesen eine gute Haftung der Diamant schicht mit dem Substrat auf. Dabei wurde die Haftung mit dem sogenannten Scotch-Tape-Test (ST-Test) ermittelt. Bei diesem Test wir die Diamantschicht mit einem Klebestreifen (Markenname Tesa-Film) überklebt. Löst sich beim Abziehen des Klebestrei fens die Diamantschicht nicht vom Substrat, so wird die Haftung als ausreichend betrachtet.All of the samples listed showed good diamond adhesion layer with the substrate. The liability with the So-called scotch tape test (ST test) determined. With this Let's test the diamond layer with an adhesive strip (brand name Tape covered). Disengages when the adhesive strip is peeled off If the diamond layer does not detach from the substrate, the adhesion considered sufficient.

Das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung können insbesondere zur Diamantbeschichtung von tribologisch beanspruchten Bauteilen und Werkzeugen eingesetzt werden. Ferner ist auch die Verwendung zur Diamantbeschichtung von zerspanenden bzw. spanabhebenden Werkzeugen, insbesondere von Schneidwerkzeugen wie Wendeschneideplatte, Bohrer usw. mög lich. Besonders ist es für Bauteile und Werkzeuge geeignet, die aus Wolframcarbid mit Co (WC-Co) gefertigt sind. In besonderer Weise können auch mikroelektronischen Bauteil, die eine Kompo sit-Struktur aufweisen, in einer akzeptablen Zeit mit Diamant beschichtet werden, ohne das deren Funktion gefährdet wäre. Da die Beschichtung bereits bei Temperaturen unterhalb von 450°C stattfinden kann gilt dies günstigerweise auch für mikroelek tronische Bauteile, die mit metallischen, insbesondere aus Alu minium gefertigten, Leiterbahnen versehen sind. The method according to the invention or the one according to the invention Device can be used in particular for diamond coating tribologically stressed components and tools are used will. It is also used for diamond coating of cutting or cutting tools, in particular of cutting tools such as indexable insert, drill, etc. possible Lich. It is particularly suitable for components and tools that are made of tungsten carbide with Co (WC-Co). In particular Ways can also be microelectronic devices that have a compo Have a sit structure in an acceptable time with diamond be coated without their function being endangered. There the coating already at temperatures below 450 ° C this can take place conveniently also for microelek tronic components with metallic, especially aluminum minium manufactured, conductor tracks are provided.

Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vor richtung sind auch zur Diamantbeschichtung von Bauteilen und Werkzeugen günstig, die von aus Leichtmetallen und/oder deren Legierungen, insbesondere Aluminium und/oder Magnesium, und/oder von Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium, und/oder aus Metallegierungen, insbesondere WC-Co, gefertigt sind.The method according to the invention and the front according to the invention are also used for diamond coating of components and Tools that are made of light metals and / or their Alloys, especially aluminum and / or magnesium, and / or of semiconductor materials, in particular silicon, and / or made of metal alloys, in particular WC-Co are.

Claims

1. A process for the deposition of diamond on a substrate, in which a substrate is pretreated, germinated with diamond, fixed on a substrate holder and arranged in an evacuable reactor, and in which the substrate in the reactor on the germinated surface with the aid of a plasma arc. CVD, in particular a jet-jet plasma process (arcjet process) is provided with diamond, in the case of the plasma arc CVD process an inert gas, preferably an inert gas, particularly preferably argon and / or hydrogen, ignited and ignited a plasma is generated therefrom, and a preliminary material is prepared by means of the plasma in such a way that it deposits as a diamond on the surface of the substrate, characterized in that, before the plasma is ignited, the germinated substrate surface ( 6 ) in front of the plasma and / or before at least indirectly covering the substrate ( 2 ) with a gas coating acting from diamond material and according to S tabilization of the plasma and / or the coating gas flow from primary material, the cover ( 7 ) is removed.

2. The method according to claim 1, characterized, that after the ignition of the plasma, the cover between 5 and 30 minutes, preferably between 10 and 20 minutes, particularly preferred about 15 minutes.

3. The method according to claim 1, characterized in that the cover ( 7 ) cooled at least during the covering of the substrate ( 2 ), in particular through which a liquid cooling medium flows.

4. The method according to claim 1, characterized in that before the ignition of the plasma, the inert gas is first flowed in, ignited and the plasma is generated therefrom that a hydrogen stream (H ₂ ) into the inert gas plasma during a transfer phase initiated, ignited and used as plasma material, and that after the transition phase, the inert gas is turned off.

5. The method according to claim 4, characterized in that the gas used as the raw material is at the earliest with the H ₂ , in particular at the earliest after the transfer phase in the plasma.

6. The method according to claim 1, characterized in that in the reactor ( 10 ) at least together with the material used as a raw material rial oxygen (O ₂ ) flows.

7. The method according to claim 1, characterized in that a composite structure of a microelectronic component is selected as the substrate ( 2 ).

8. The method according to claim 1, characterized in that a composite structure of a microelectronic component provided with metallic, in particular made of aluminum, conductor tracks is selected as the substrate ( 2 ).

9. The method according to claim 1, characterized in that through the substrate holder ( 1 ) a temperature control liquid which is regulated in particular is passed through it and that the substrate holder ( 1 ) on its substrate ( 2 ) facing surface ( 3 ) (substrate side) is acted upon at least indirectly by a tempering gas stream.

10. The method according to claim 1, characterized in that the substrate ( 2 ) is tempered to a temperature of less than 450 ° C, preferably less than 350 ° C and particularly preferably less than 300 ° C during the deposition of the diamond layer.

11. The method according to claim 9, characterized in that a climate disc ( 4 ) is tempered with the tempering gas stream.

12. The method according to claim 11, characterized in that the heat between the climate disc ( 4 ) and the substrate side ( 3 ), is only conducted directly in some areas.

13. The method according to claim 11, characterized in that the tempering gas stream is passed through the climate disc ( 4 ).

14. The method according to claim 1, characterized in that the temperature of the holder surface ( 5 ) on which the substrate ( 2 ) is arranged is measured.

15. The method according to claim 9, characterized, that air, in particular compressed air, is selected as the temperature gas becomes.

16. The method according to claim 9, characterized, that water is chosen as the tempering liquid.