DE19710829A1 - Temperature measuring method using bipolar transistor sensor - Google Patents

Temperature measuring method using bipolar transistor sensor

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Abstract

The method involves periodically controlling the collector of a bipolar transistor (2) using at least two different collector currents under control of an interval clock source (12). A difference of the base-emitter voltage (the difference voltage) of the transistor during a selection period, or a signal of an output device corresponding to this voltage, is supplied. The temperature corresponding to the voltage is identified in the output device. The average voltage value of the base-emitter voltage occuring during a selection period or a signal of the output device corresponding to the average voltage is supplied. The output device identifies the temperature from the linear or non-linear combination of the difference voltage and the average voltage, or of the signals corresponding to these values.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Temperaturmessung. The invention relates to a method and a device for temperature measurement.

Ein Verfahren der betreffenden Art ist aus der US 3 812 717 bekannt. A method of the type in question is known from US 3,812,717. Bei diesem bekannten Verfahren wird ein bipolarer Transistor mit geradeverschobenem Emitterübergang als Temperatursensor verwendet, wobei der Kollektor des Transistors periodisch mit zwei unterschiedlichen Kollektorströmen angesteuert wird. In this known method, a bipolar transistor with geradeverschobenem emitter junction is used as a temperature sensor, wherein the collector of the transistor is periodically driven with two different collector currents. Die während einer Ansteuerperiode auftretende Diffe renz der Basis-Emitter-Spannung (Spannungsdifferenz wert) des Transistors wird einer Auswerteeinrichtung zugeführt, die den zu dem zugeführten Spannungsdiffe renzwert gehörigen Temperaturwert ermittelt. Occurring during an actuation Diffe Conference (voltage difference) of the transistor the base-emitter voltage is fed to an evaluation device, which determines the voltage difference to the supplied value corresponding temperature value.

Ein Nachteil dieses bekannten Verfahrens besteht darin, daß seine Genauigkeit aufgrund der Exemplar streuung der elektrischen Parameter des als Tempera tursensors verwendeten Bipolartransistors gering ist. A disadvantage of this known method is that its accuracy scattering due to the copy of the electrical parameters of the bipolar transistor used as tursensors temperature is low.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung der be treffenden Art anzugeben, dessen bzw. deren Genau igkeit verbessert ist. The object of the present invention is to provide a method and a device of the kind be taken, its or their accuracy is exactly improved.

Hinsichtlich des Verfahrens wird diese Aufgabe durch die im Anspruch 1 angegebene Lehre gelöst. As regards the method this object is solved by the teaching given in claim 1.

Hinsichtlich der Vorrichtung wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen 2 und 4 angegebene Lehre gelöst. As regards the apparatus the object is achieved by the specified in claims 2 and 4 teaching.

Der Grundgedanke der erfindungsgemäßen Lehre be steht darin, zur Ermittlung des Temperaturwertes ne ben dem Differenzspannungswert zusätzlich noch den während einer Ansteuerperiode auftretenden Spannungs mittelwert der Basis-Emitter-Spannung des Transistors heranzuziehen, und zwar derart, daß das in der Aus werteeinrichtung auszuwertende Signal aus einer li nearen oder nichtlinearen Kombination des Differenz spannungswertes und des Spannungsmittelwertes gebil det ist. The basic idea of ​​the teaching according to the invention be available therein, ne for the determination of the temperature value ben the differential voltage value additionally the voltage occurring during a drive average value of the base-emitter voltage of the transistor zoom pull in such a manner that in the off values ​​means signal to be evaluated from a li-linear or non-linear combination of the differential voltage value and the voltage mean value is gebil det.

Es hat sich überraschend gezeigt, daß auf diese Weise die Unabhängigkeit des ermittelten Temperatur wertes von der Exemplarstreuung der elektrischen Pa rameter des Bipolartransistors verbessert und somit die Genauigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens er höht ist. It has surprisingly been found that in this way the independence of the detected temperature value enhanced by the manufacturing tolerances of the electrical parameters of the bipolar transistor Pa and thus it is the accuracy of the method according to the invention increased.

Anstelle des analogen Differenzspannungswertes und des analogen Spannungsmittelwertes können für die Bildung der linearen oder nichtlinearen Kombination auch diesen Werten entsprechende, beispielsweise di gitale, Werte herangezogen werden. can also use this values ​​corresponding, for example, di gitale, values ​​are used for the formation of linear or non-linear combination instead of the analog differential voltage value, and the analog voltage mean value.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung arbeitet mit hoher Genauigkeit. The device of the invention operates with high accuracy. Sie ist einfach und kostengünstig herstellbar. It is simple and inexpensive to produce.

Zweckmäßige und vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Lehre sind in den Unteransprüchen angegeben. Appropriate and advantageous developments of the inventive teaching are given in the dependent claims.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand der bei gefügten Zeichnung näher erläutert werden. The invention will be explained in more detail with reference to the drawing in clips. Es zeigt It shows

Fig. 1 ein schematisches Blockschaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung und Fig. 1 is a schematic block diagram of a first embodiment of the device according to the invention and

Fig. 2 ein schematisches Blockschaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemä ßen Vorrichtung. Fig. 2 is a schematic block diagram of a second embodiment of the inventive device SEN.

In den Figuren der Zeichnung sind gleiche Bautei le mit den gleichen Bezugszeichen versehen. In the figures of the drawing, like Bautei le are provided with the same reference numerals.

In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel ei ner erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt, die einen als Thermosensor wirkenden npn-Bipolartransi stor 2 mit geradeverschobenem Emitterübergang auf weist. In Fig. 1 a first embodiment of egg ner inventive device for carrying out the method according to the invention is shown, which has with geradeverschobenem emitter junction to a thermal sensor acting as npn Bipolartransi stor. 2

Der Kollektor des Transistors 2 ist mit Mitteln 4 zum Ansteuern des Transistors 2 verbunden, die bei diesem Ausführungsbeispiel drei Stromquellen 6 , 8 , 10 aufweisen, die unterschiedliche Quellenströme erzeu gen. Eine Steuereinrichtung, die bei diesem Ausfüh rungsbeispiel durch einen Intervallzeitgeber 12 ge bildet ist, schaltet periodisch wechselnd die Strom quellen 6 , 8 , 10 an den Kollektor des Transistors 2 an, so daß während einer Ansteuerperiode oder Kollek tor des Transistors 2 mit drei unterschiedlichen Kol lektorströmen angesteuert wird. The collector of transistor 2 is connected to means 4 for driving the transistor 2 which in this embodiment, three current sources 6, 8, 10, gen different source currents erzeu. A controller which approximately, for example in this exporting ge by an interval timer 12 forms is switches periodically changing the current sources 6, 8, 10 to the collector of the transistor 2, so that lecturer flow during an actuation or collector-gate of the transistor 2 with three different Kol is driven.

Der Kollektor des Transistors 2 ist ferner mit dem Eingang eines Operationsverstärkers 14 verbunden, dessen Ausgang mit dem Emitter des Transistors 2 ver bunden ist. The collector of transistor 2 is also connected to the input of an operational amplifier 14 whose output is ver to the emitter of transistor 2 connected. Der Emitter des Transistors 2 ist über ein erstes Tiefpaßfilter 16 , das bei diesem Ausfüh rungsbeispiel als RCR-Filter ausgebildet ist, mit einem Anschluß einer Spannungsquelle 18 verbunden, deren anderer Anschluß mit dem Kollektor des Transi stors 2 verbunden ist. The emitter of transistor 2 is formed as RCR filter via a first low-pass filter 16, for example approximately in this exporting, connected to a terminal of a voltage source 18 whose other terminal is connected to the collector of transi stors is connected. 2 Die Spannungsquelle 18 erzeugt eine Quellenspannung E. The voltage source 18 generates a source voltage E.

Der Emitter des Transistors 2 ist ferner über einen durch den Intervallzeitgeber 12 angesteuerten Synchrondetektor 20 mit einem zweiten Tiefpaßfilter 22 verbunden, dessen Ausgangssignal der Temperatur direkt proportional ist. The emitter of transistor 2 is also connected via a driven by the interval timer 12 synchronous detector 20 with a second low-pass filter 22, the output signal of the temperature is directly proportional.

Bei einem Kollektorstrom I K und einer absoluten Temperatur T gilt für die Basis-Emitterspannung U BE des Bipolartransistors 2 : At a collector current I C and an absolute temperature T U is valid for the base-emitter voltage BE of the bipolar transistor 2:

mit With
K - Boltzmann-Konstante K - Boltzmann constant
q - Elementarladung q - elementary charge
I S - Sättigungsstrom I S - Saturation Current

r E , r B - ohmsche Widerstände von Emitter und Basis r e, r B - ohmic resistances of the emitter and base
h 21E - Stromverstärkung des Transistors bei Emitterschaltung. h 21E - current gain of the transistor in the emitter circuit.

Die vorstehende Gleichung für die Basis-Emitter- Spannung läßt sich annähern durch The above equation for the base-emitter voltage can be approximated by

Bei einer aufeinanderfolgenden Ansteue rung des Transistors 2 mit Kollektorströmen I 1 , I 2 und I 3 tritt folgender Differenzspan nungswert der Basis-Emitterspannung auf: In a successive dently tion of the transistor 2 having collector currents I 1, I 2 and I 3, the following difference occurs clamping voltage value of the base-emitter voltage of:

Die Kollektorströme I 1 , I 2 und I 3 genügen der Be dingung The collector currents I 1, I 2 and I 3 satisfy the Be dingung

so daß der Spannungsdifferenzwert von dem aufgrund von Exemplarstreuungen von Transistor zu Transistor variierenden Widerstand R unabhängig ist. so that the voltage difference value from the result of manufacturing tolerances of varying transistor to transistor resistance R is independent.

Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß zwischen dem Koeffizienten m und dem Spannungsmittel wert der Basis-Emitter-Spannung des Transistors 2 während einer Ansteuerperiode eine Abhängigkeit be steht, die sich mit The invention is based on the recognition that between the coefficient m and the average voltage of the base-emitter voltage of transistor 2 during an actuation be a dependency is worth concerned with

beschreiben läßt. can be described.

Es hat sich experimentell herausgestellt, daß die Größe It has been found experimentally that the size

von der Temperatur unabhängig ist. is independent of the temperature. Sie läßt sich mit hoher Genauigkeit durch folgende Exponentialfunktion annähern: You can be approximated by the following exponential function with high accuracy:

wobei in which

ist. is.

Die Exponentialfunktion läßt sich näherungsweise als lineare Funktion darstellen The exponential function can be represented approximately as a linear function

wobei in which

Daraus ergibt sich für den Spannungsdifferenz wert: The result is worth it for the voltage difference:

Bildet man die lineare Kombination aus dem Span nungsdifferenzwert und dem Spannungsmittelwert, so ergibt sich: By forming the linear combination of voltage difference value from the clamping means and the voltage value, it follows:

Geht man zur Bestimmung des Koeffizienten a von der Bedingung Assuming for the determination of the coefficient a from the condition

aus, so ergibt sich: , so we have:

Somit ist der aus der linearen Kombination des Spannungsdifferenzwertes und des Spannungsmittelwer tes gebildete Spannungswert U in erster Näherung zu der zu messenden Temperatur proportional. Thus, the TES from the linear combination of the voltage difference value and the voltage value U Spannungsmittelwer formed is proportional to a first approximation to the measured temperature.

Die Funktionsweise der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung ist wie folgt: . The operation of the apparatus illustrated in Figure 1 is as follows:
Für den Spannungsdifferenzwert gilt: For the voltage difference value applies:

Bei Betrieb schaltet der Intervallzeitgeber 12 periodisch wechselnd die Stromquellen 6 , 8 , 10 an den Kollektor des Transistors 2 an, so daß der Kollektor strom des Transistors 2 während einer Ansteuerperiode die Werte In operation of the interval timer 12 switches periodically changing the current sources 6, 8, 10 to the collector of the transistor 2, so that the collector current of transistor 2 during a drive, the values

annimmt, wobei R der Widerstand des RCR-Filters 16 ist. assumes, where R is the resistance of the RCR filter sixteenth Während der Zeitintervalle, während denen der Quellenstrom den Wert I 1 bzw. den Wert I 3 hat, beträgt der Übertragungskoeffizient des Synchrondetektors +A, wohingegen er während der Zeitintervalle, während denen der Quellenstrom den Wert I 2 hat, -A beträgt. During the time intervals during which the source current is equal to I 1 and the value I 3 is the transmission coefficient of the synchronous detector + A, whereas it, -A is during the time intervals during which the source current is equal to I second Am Ausgang des zweiten Tiefpaßfilters 22 tritt somit die folgende Spannung auf: At the output of the second low pass filter 22 thus, the voltage following occurs:

mit With

folgt daraus: it follows:

Die Bedingung für die Minimierung des Einflusses der Exemplarstreuung des Koeffizienten m auf das thermometri sche Verhalten der Vorrichtung lautet: The condition for minimizing the influence of the manufacturing tolerance of the coefficient m to the thermometri specific behavior of the device is:

Mit With

ergibt sich insgesamt results overall

Aus der vorstehenden Gleichung ist ersichtlich, daß der Einfluß der Exemplarstreuung des Koeffizienten m ver ringert ist, so daß die Genauigkeit der Vorrichtung und ihr thermometrisches Verhalten verbessert ist. From the above equation it can be seen that the influence of manufacturing tolerances of the coefficient m ver Ringert, so that the accuracy of the device and its thermometric behavior is improved.

In Fig. 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der er findungsgemäßen Vorrichtung dargestellt. In FIG. 2, a second embodiment of he inventive device shown. Bei diesem Aus führungsbeispiel ist der Emitter des Transistors 2 mit dem Eingang des ersten Tiefpaßfilters 16 verbunden, dessen Aus gang über die Spannungsquelle 18 mit der Auswerteeinrich tung 24 verbunden ist. In this operation example from the emitter of transistor 2 is connected to the input of the first low-pass filter 16 whose from tung gear via the voltage source 18 with the Auswerteeinrich is connected 24th Die Auswerteeinrichtung 24 weist bei diesem Ausführungsbeispiel einen Summierer auf, der die Signale, die der Auswerteeinrichtung 24 zugeführt werden, summiert. The evaluation device 24 has in this embodiment to a summer which sums the signals, which are supplied to the evaluation device 24.

Bei Betrieb der Vorrichtung wird der Transistor 2 pe riodisch wechslend mit Kollektorströmen I 1 , I 2 und I 3 , die bei diesem Ausführungsbeispiel den Quellenströmen der Stromquellen 6 , 8 , 10 entsprechen, angesteuert. In operation of the apparatus of the transistor 2 is pe riodisch be varying with collector currents I 1, I 2 and I 3, corresponding to the source currents of the current sources 6, 8, 10, in this embodiment, driven. Der Mittel wert des Signals am Ausgang des Synchrondetektors wird dann durch folgenden Ausdruck beschrieben: The mean value of the signal at the output of the synchronous detector is then described by the following expression:

Dieses Signal wird über das zweite Tiefpaßfilter der Auswerteeinrichtung 24 zugeführt. This signal is supplied via the second low-pass filter of the evaluation 24th Ferner wird der Auswerte einrichtung über das erste Tiefpaßfilter 16 und die Span nungsquelle 18 ein Signal zugeführt, das der Differenz aus der Quellenspannung E der Spannungsquelle 18 und dem Span nungsmittelwert der Basis-Emitterspannung des Transistors 2 entspricht. Further, the evaluation device is via the first low-pass filter 16 and the clamping voltage source 18, a signal supplied to the voltage averaging the difference between the source voltage E of the voltage source 18 and the tension corresponding to the base-emitter voltage of the transistor. 2 Wenn der Summierer der Auswerteeinrichtung 24 ein Analogsummierer ist, so wird das Summensignal nä herungsweise durch den folgenden Ausdruck beschrieben: When the summer of the evaluation device 24 is an analog summer, so the sum signal nä herungsweise is described by the following expression:

Wird der Faktor A wie folgt gewählt If the factor A selected as follows

so hängt das Ausgangssignal der Vorrichtung gemäß Fig. 2 in erster Näherung nicht von der Streuung des Koeffizienten m ab, und es ergibt sich: the output signal of the apparatus 2 does not depend of FIG first approximation by the scattering of the coefficient m from, and there is.:

Somit ist die Unabhängigkeit von durch Exemplarstreuungen verursachten Abweichungen der elektrischen Parameter des Transistors 2 und damit die Genauigkeit der Vorrichtung weiter verbessert. Thus, the independence of deviations caused by manufacturing variations of the electrical parameters of the transistor 2 and thus the accuracy of the device is further improved.

Die Genauigkeit der Vorrichtung läßt sich dadurch noch weiter verbessern, daß die Auswerteeinrichtung 24 mit einem Zweikanal-A/D-Wandler zur A/D-Wandlung der zugeführten Spannungssignale versehenen Mikrocomputer versehen, der Zähläquivalente dieser Signale nach der folgenden Formel verarbeitet: The accuracy of the device can thereby be further improved in that the evaluation provided 24 microcomputer provided with a two-channel A / D converter for A / D conversion of the applied voltage signals, processes the Zähläquivalente these signals according to the following formula:

Bei einer derartigen Verarbeitung läßt sich der Fehler des thermometrischen Verhaltens der Vorrichtung, der von der Streuung des Koeffizienten m abhängt, vollständig eli minieren. With such processing, the error of the thermometric behavior of the device, which depends on the scatter of the coefficient m may be completely eli minieren.

Es ist möglich, anstelle der drei Stromquellen 6 , 8 , 10 zwei Stromquellen zu verwenden. It is possible to use two power supplies instead of the three current sources 6, 8, 10 degrees.

Es ist auch möglich, mehr als drei Stromquellen zu verwenden. It is also possible to use more than three power sources. In diesem Fall läßt sich die Genauigkeit der Vorrichtung weiter verbessern, weil zusätzlich zum Einfluß des stromunabhängigen Teils des Widerstandes noch der Ein fluß des stromabhängigen Teils des Widerstandes unterdrückt wird. In this case, the accuracy of the device can be further improved, because in addition to the influence of the current-independent part of the resistance nor the A is suppressed flow of current-dependent part of the resistance.

Es ist auch möglich, zur Erzeugung der während einer Ansteuerperiode erforderlichen unterschiedlichen Kollektor ströme eine einzige Stromquelle zu verwenden, deren Quel lenstrom dann während einer Ansteuerperiode entsprechend variiert wird. It is also possible to generate the required currents during an actuation different collector to use a single power source whose Quel then lenstrom during an actuation period is varied accordingly.

Claims (12)

1. Verfahren zur Temperaturmessung, 1. A method for temperature measurement,
bei dem der Kollektor eines bipolaren Transistors mit geradeverschobenem Emitterübergang periodisch mit wenigstens zwei unterschiedlichen Kollektorströmen angesteuert wird, in which the collector of a bipolar transistor with geradeverschobenem emitter junction is periodically driven with at least two different collector currents,
bei dem die während einer Ansteuerperiode auftretende Differenz der Basis-Emitter-Spannung (Differenzspan nungswert) des Transistors oder ein dieser Spannung entsprechendes Signal einer Auswerteeinrichtung zu geführt wird und wherein the difference in base-emitter voltage occurring during an actuation period (difference clamping voltage value) of the transistor or the voltage signal corresponding to an evaluation device is to be performed, and
bei dem in der Auswerteeinrichtung der zu dem zu geführten Spannungswert gehörige Temperaturwert er mittelt wird, wherein in the evaluation of to which to run voltage value corresponding temperature value being averages,
dadurch gekennzeichnet , characterized in
daß der während einer Ansteuerperiode auftretende Spannungsmittelwert der Basis-Emitter-Spannung oder ein dem Spannungsmittelwert entsprechendes Signal der Auswerteeinrichtung zugeführt wird und that occurring during an actuation voltage average value of the base-emitter voltage or a corresponding voltage of the average signal of the evaluation device is fed and
daß die Auswerteeinrichtung aus der linearen oder nichtlinearen Kombination des Spannungsdifferenzwer tes und des Spannungsmittelwertes bzw. aus der linea ren oder nichtlinearen Kombination der diesen Werten entsprechenden Signale den zugehörigen Temperaturwert ermittelt. that the evaluation of the linear or non-linear combination of the Spannungsdifferenzwer tes and the voltage mean value and from the linea ren or non-linear combination of the corresponding values ​​of these signals determines the associated temperature value.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, 2. Apparatus for carrying out the method according to claim 1,
mit einem bipolaren Transistor mit geradeverschobenen Emitterübergang, with a bipolar transistor having just-moved-emitter junction,
mit Mitteln zum Ansteuern des Transistors mit einem Kollektorstrom, der periodisch wechselnd wenigstens zwei unterschiedliche Stromstärken annimmt und with means for driving the transistor with a collector current, which assumes periodically alternating at least two different current intensities and
mit einer Auswerteeinrichtung, die aus den Spannungs werten den zugehörigen Temperaturwert ermittelt, determines the associated temperature value with an evaluation device which evaluate the voltage,
dadurch gekennzeichnet, characterized,
daß der Kollektor des Transistors ( 2 ) mit dem Eingang eines Operationsverstärkers ( 14 ) und sein Emitter mit dem Ausgang des Operationsverstärkers ( 14 ) verbunden ist, that the collector of the transistor (2) to the input of an operational amplifier (14) and its emitter connected to the output of the operational amplifier (14) is connected,
daß der Kollektor des Transistors ( 2 ) mit einem An schluß einer Spannungsquelle ( 18 ) verbunden ist, de ren anderer Anschluß über ein erstes Tiefpaßfilter ( 16 ) mit dem Emitter des Transistors ( 2 ) verbunden ist und is that the collector of the transistor (2) having a circuit to a voltage source (18), de ren other terminal via a first low-pass filter (16) to the emitter of the transistor (2) is connected and
daß der Emitter des Transistors ( 2 ) über einen Syn chrondetektor ( 20 ) mit einem zweiten Tiefpaßfilter ( 22 ) verbunden ist, dessen Ausgangssignal der zu er mittelnden Temperatur direkt proportional ist. that the emitter of the transistor (2) via a Syn chrondetektor (20) having a second low pass filter (22) is connected, the output signal of the to it is directly proportional averaging temperature.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, daß das erste Tiefpaßfilter ( 16 ) ein RCR-Filter ist. 3. A device according to claim 2, characterized in that the first low pass filter (16) is a RCR filter.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 4. An apparatus for performing the method according to claim 1
mit einem bipolaren Transistor mit geradeverschobenen Emitterübergang, with a bipolar transistor having just-moved-emitter junction,
mit Mitteln zum Ansteuern des Transistors mit einem Kollektorstrom, der periodisch wechselnd wenigstens zwei unterschiedliche Stromstärken annimmt und with means for driving the transistor with a collector current, which assumes periodically alternating at least two different current intensities and
mit einer Auswerteeinrichtung, die aus den Spannungs werten den zugehörigen Temperaturwert ermittelt, determines the associated temperature value with an evaluation device which evaluate the voltage,
dadurch gekennzeichnet, characterized,
daß der Kollektor des Transistors ( 2 ) mit dem Eingang eines Operationsverstärkers ( 14 ) und sein Emitter mit dem Ausgang des Operationsverstärkers ( 14 ) verbunden ist, that the collector of the transistor (2) to the input of an operational amplifier (14) and its emitter connected to the output of the operational amplifier (14) is connected,
daß der Emitter des Transistors ( 2 ) mit dem Eingang eines ersten Tiefpaßfilters ( 16 ) verbunden ist, des sen Ausgang über eine Spannungsquelle ( 18 ) mit einem ersten Eingang der Auswerteeinrichtung ( 24 ) verbunden ist, that the emitter of the transistor (2) to the input of a first low-pass filter (16) is connected to the SEN output via a voltage source (18) to a first input of the evaluation device (24) is connected,
daß der Emitter des Transistors über einen Synchron detektor ( 20 ) mit dem Eingang eines zweiten Tiefpaß filters ( 22 ) verbunden ist, dessen Ausgang mit einem zweiten Eingang der Auswerteeinrichtung ( 24 ) verbun den ist. that the emitter of the transistor via a synchronous detector (20) is connected to the input of a second low pass filter (22) whose output is connected to a second input of the evaluation device (24) is-jointed.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, da durch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Ansteuern des Transistors ( 2 ) wenigstens eine mit dem Kollektor des Transistors ( 2 ) verbundene Stromquelle ( 4 ) auf weisen, deren Quellenstrom durch eine Steuereinrich tung ( 12 ) periodisch wechselnd umsteuerbar ist. 5. Device according to one of claims 2 to 4, since by in that connected to the means for driving the transistor (2) at least one to the collector of the transistor (2) a current source (4) comprise, the source of current processing by a Steuereinrich ( 12) is periodically alternately reversible.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, da durch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Ansteuern des Transistors ( 2 ) wenigstens zwei Stromquellen ( 6 , 8 , 10 ) mit unterschiedlichen Quellenströmen aufweisen und daß die Steuereinrichtung ( 12 ) die Stromquellen ( 6 , 8 , 10 ) periodisch wechselnd an den Kollektor des Transistors ( 2 ) anschaltet. 6. Device according to one of claims 2 to 4, since by in that the means for driving the transistor (2) at least two current sources (6, 8, 10) with different source streams, and that the control device (12), the current sources (6 , 8, 10) periodically changing (at the collector of transistor 2) turns on.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch ge kennzeichnet, daß die Steuereinrichtung ( 12 ) einen Intervallzeitgeber aufweist, der zur periodischen Ansteuerung des Transistors ( 2 ) die Stromquelle bzw. die Stromquellen ( 6 , 8 , 10 ) ansteuert und der ferner einen Synchrondetektor ( 20 ) ansteuert, über den der Emitter des Transistors ( 2 ) mit dem zweiten Tiefpaß filter ( 22 ) verbunden ist. 7. Apparatus according to claim 5 or 6, characterized in that the control device (12) comprises an interval timer for the periodic driving of the transistor (2) the current source or current sources (6, 8, 10) actuates and further comprising a synchronous detector (20) drives, via which the emitter of the transistor (2) to the second low pass filter (22) is connected.
8. Vorrichtung nach Anspruch einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorstrom während einer Ansteuerperiode drei unterschiedliche Werte annimmt. 8. Apparatus according to claim any one of claims 2 to 7, characterized in that the collector current takes three different values ​​during a driving period.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, da durch gekennzeichnet, daß die Auswerteeinrichtung ( 24 ) einen Summierer aufweist, der die über das erste Tiefpaßfilter ( 16 ) und das zweite Tiefpaßfilter ( 22 ) zugeführten Signale summiert. 9. Device according to one of claims 5 to 8, since by in that the evaluation device (24) comprises a summer that sums the supplied via the first low pass filter (16) and the second low-pass filter (22) signals.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich net, daß der Summierer ein Analogsummierer ist. 10. The device according to claim 9, characterized in that the summator is an analog summer.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteeinrichtung wenigstens einen A/D-Wandler zur A/D-Wandlung der über das erste Tiefpaßfilter ( 16 ) und das zweite Tiefpaßfilter ( 22 ) zugeführten Signale aufweist. 11. The device according to one of claims 5 to 9, characterized in that the evaluation device has at least one A / D converter for A / D conversion of the first through the low-pass filter (16) and the second low-pass filter (22) supplied signals.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekenn zeichnet, daß die Auswerteeinrichtung zur Auswertung der A/D-gewandelten Signale einen Mikrocomputer auf weist, durch den eine genauere Auswertung als mit der linearen Kombination erzielbar ist. 12. The device according to claim 11, characterized in that the evaluation device for evaluating the A / D-converted signals comprises a microcomputer, by which a more accurate evaluation as to the linear combination can be achieved.
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