DE19705574C2 - Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen Laseroptik - Google Patents
Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen LaseroptikInfo
- Publication number
- DE19705574C2 DE19705574C2 DE19705574A DE19705574A DE19705574C2 DE 19705574 C2 DE19705574 C2 DE 19705574C2 DE 19705574 A DE19705574 A DE 19705574A DE 19705574 A DE19705574 A DE 19705574A DE 19705574 C2 DE19705574 C2 DE 19705574C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- axis
- laser
- plate
- plane
- fan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Laseroptik gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1
sowie auf einen Diodenlaser entsprechend Oberbegriff Patentanspruch 26.
Im Gegensatz zu konventionellen Laserstrahlquellen, die einen Strahldurchmesser von
einigen mm bei einer geringen Strahldivergenz im Bereich von wenigen mrad
aufweisen, zeichnet sich die Strahlung eines Halbleiter-Diodenlaser (nachstehend auch
"Diodenlaser") durch einen stark divergenten Strahl mit einer Divergenz < 1000 mrad
aus. Hervorgerufen wird dies von der auf < 1 µm Höhe begrenzten Austrittsschicht, an
der ähnlich der Beugung an einer spaltförmigen Öffnung, ein großer Divergenzwinkel
erzeugt wird. Da die Ausdehnung der Austrittsöffnung in der Ebene senkrecht und
parallel zur aktiven Halbleiterschicht unterschiedlich ist, kommen verschiedene
Strahldivergenzen in der Ebene senkrecht und parallel zur aktiven Schicht zustande.
Um eine Leistung von 20-40 W für einen Diodenlaser zu erreichen, werden zahlreiche
Laser-Chips auf einem sog. Barren zu einem Laserbauelement zusammengefaßt.
Üblicherweise werden hierbei 10-50 einzelne Emittergruppen in einer Reihe in der
Ebene parallel zur aktiven Schicht angeordnet. Der resultierende Strahl eines solchen
Barrens hat in der Ebene parallel zur aktiven Schicht einen Öffnungswinkel von ca. 10°
und einen Strahldurchmesser von ca. 10 mm. Die resultierende Strahlqualität in dieser
Ebene ist um ein Vielfaches geringer als die sich ergebende Strahlqualität in der zuvor
beschriebenen Ebene senkrecht zur aktiven Schicht. Auch bei einer möglichen
zukünftigen Verringerung der Divergenzwinkel von Laser-Cips bleibt das stark
unterschiedliche Verhältnis der Strahlqualität senkrecht und parallel zur aktiven Schicht
bestehen.
Der Strahl verfügt aufgrund der zuvor beschriebenen Strahlcharakteristik über einen
großen Unterschied der Strahlqualität in beiden Richtungen senkrecht und parallel zur
aktiven Schicht. Der Begriff der Strahlqualität wird dabei beschrieben durch den M2
Parameter. M2 ist definiert durch den Faktor, mit dem die Strahldivergenz des
Diodenlaserstrahles über der Strahldivergenz eines beugungsbegrenzten Strahles
gleichen Durchmessers liegt. In dem oben gezeigten Fall verfügt man in der Ebene
parallel zur aktiven Schicht über einen Strahldurchmesser, der um den Faktor 10.000
über dem Strahldurchmesser in der senkrechten Ebene liegt. Bei der Strahldivergenz
verhält es sich anders, d. h. in der Ebene parallel zur aktiven Schicht wird eine fast 10-
fach kleinere Strahldivergenz erreicht. Der M2 Parameter in der Ebene parallel zur
aktiven Schicht liegt also um mehrere Größenordnungen über dem M2 Wert in der
Ebene senkrecht zur aktiven Schicht.
Ein mögliches Ziel einer Strahlformung ist es, einen Strahl mit nahezu gleichen M2
Werten in beiden Ebenen, d. h. senkrecht und parallel zur aktiven Schicht zu erreichen.
Bekannt sind derzeit folgende Verfahren zur Umformung der Strahlgeometrie durch die
eine Annäherung der Strahlqualitäten in den beiden Hauptebenen des Strahles erreicht
wird.
Mittels eines Faserbündels lassen sich linienförmige Strahlquerschnitte durch Umordnen
der Fasern zu einem kreisrunden Bündel zusammenfassen. Solche Verfahren sind z. B. in
den US-Patentschriften 5 127 068, 4 763 975, 4 818 062, 5 268 978 sowie 5 258 989
beschrieben.
Daneben besteht die Technik des Strahldrehens, bei dem die Strahlung einzelner
Emitter um 90° gedreht wird, um so eine Umordnung vorzunehmen bei der eine
Anordnung der Strahlen in Richtung der Achse der besseren Strahlqualität erfolgt. Zu
diesem Verfahren sind folgende Anordnungen bekannt: US 5 168 401, EP 0 484 276,
DE 44 38 368. Allen Verfahren ist gemein, daß die Strahlung eines Diodenlasers nach
dessen Kollimation in der Fast-Axis-Richtung, um 90° gedreht wird um eine Slow-Axis-
Kollimation mit einer gemeinsamen Zylinderoptik vorzunehmen. In Abwandlung der
genannten Verfahren ist auch eine durchgehende Linienquelle denkbar (z. B. die eines in
Fast-Axis-Richtung kollimierten Diodenlasers hoher Belegungsdichte), deren Strahlprofil
(Linie) aufgeteilt wird und in umgeordneter Form hinter dem optischen Element vorliegt.
Daneben besteht die Möglichkeit, ohne eine Drehung des Strahles eine Umordnung der
Strahlung einzelner Emitter vorzunehmen, wobei z. B. durch den parallelen
Versatz (Verschieben) mittels paralleler Spiegel eine Umordnung der Strahlung erreicht
wird (WO 95/15510). Eine Anordnung, die sich ebenfalls der Technik des Umordnens
bedient, ist in DE 19 50 053 und DE 195 44 488 beschrieben. Hierbei wird die
Strahlung eines Diodenlaserbarrens in verschiedene Ebenen abgelenkt und dort einzeln
kollimiert.
Die Nachteile des Standes der Technik lassen sich u. a. dahingehend zusammenfassen,
daß bei fasergekoppelten Diodenlasern meist ein Strahl mit sehr unterschiedlichen
Strahlqualitäten in beiden Achsrichtungen in die Faser eingekoppelt wird. Bei einer
kreisrunden Faser bedeutet dies, daß in einer Achsrichtung die mögliche numerische
Apertur oder der Faserdurchmesser nicht genutzt wird. Dies führt zu erheblichen
Verlusten bei der Leistungsdichte, so daß in der Praxis eine Beschränkung auf ca. 104
W/cm2 erfolgt.
Bei den genannten bekannten Verfahren müssen weiterhin teilweise erhebliche
Weglängenunterschiede kompensiert werden. Dies geschieht meist durch
Korrekturprismen, die Fehler nur begrenzt ausgleichen können. Vielfachreflexionen
stellen weiterhin erhöhte Anforderungen an Justagegenauigkeit, Fertigungstoleranzen
sowie Bauteilstabilität (WO 95/15510). Reflektierende Optiken (z. B. aus Kupfer)
verfügen über hohe Absorptionswerte.
Bekannt ist eine Laseroptik zum Umformen eines Laserstrahls, der einen linien- oder
bandförmigen Querschnitt aufweist, welcher sich in einer ersten Achsrichtung senkrecht
zur Strahlachse erstreckt (DE 195 14 625). Zum Umformen des Laserstrahls mit dem
linien- oder bandförmigen Querschnitt in einen Laserstrahl mit einem Querschnitt, der
in zwei senkrecht zueinander verlaufenden Querschnittsachsen möglichst gleiche
Abmessungen aufweist, sind im Strahlengang aufeinander folgend zwei optische
Umformelemente angeordnet, von denen ein erstes ein Auffächern des Laserstrahls in
mehrere Teilstrahlen bewirkt, die sowohl in der ersten Achsrichtung als auch in einer
zweiten Achsrichtung, die senkrecht zur Strahlachse sowie senkrecht zur ersten Achse
liegt, gegeneinander versetzt sind. In dem anschließenden zweiten Umformelement
erfolgt dann ein Übereinanderschieben der einzelnen Teilstrahlen in der Weise, daß
diese parallel zueinander nur noch in der zweiten Achse gegeneinander versetzt sind.
Als Umformelemente sind im bekannten Fall beispielsweise von mehreren
plattenförmigen Elementen gebildete Treppenstufenspiegel verwendet, die an den
Stufen unterschiedlich geneigte Reflektionsflächen bilden, oder aber es werden von
dem jeweiligen Laserstrahl durchstrahlte Elemente verwendet, deren Strahleintritts-
und/oder Austrittsflächen so ausgeführt sind, daß durch entsprechende Licht-Brechung
an diesen Flächen die Auffächerung des Laserstrahls in die parallelen Teilstrahlen bzw.
das Übereinanderschieben dieser Teilstrahlen erfolgt. Durch die Verwendung von
zumindest an der Strahlaustrittsfläche jeweils unterschiedlich ausgebildeter Platten ist
die bekannte Laseroptik sehr aufwendig.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Laseroptik aufzuzeigen, die die vorgenannten
Nachteile vermeidet und bei der Möglichkeit einer einfachen und preiswerten Fertigung
eine Umformung eines Laserstrahls in der jeweils gewünschten Weise ermöglicht. Zur
Lösung dieser Aufgabe ist eine Laseroptik entsprechend dem Patentanspruch 1
ausgebildet. Ein Diodenlaser ist entsprechend dem Patentanspruch 26 ausgebildet.
Unter "Plattenfächer" ist im Sinne der Erfindung ein vom Laserlicht durchstrahltes
optisches Element zu verstehen, welches sich aus mehreren Platten oder
plattenförmigen Elementen aus einem lichtleitenden Material, vorzugsweise Glas,
zusammensetzt, die stapelartig aneinander anschließen und fächerartig gegen einander
verdreht sind. Jede Platte oder jedes plattenförmige Element bildet an einander
gegenüberliegenden Seiten eine Plattenschmalseite für den Lichteintritt oder -austritt
und ist so ausgebildet, daß im Platten-Inneren im Bereich der Oberflächenseiten eine
Totalreflexion erfolgt.
Unter "Oberflächenseiten" sind im Sinne der Erfindung jeweils die großen Plattenseiten
zu verstehen.
Der Plattenfächer kann durch Zusammensetzen aus einzelnen Platten oder
plattenförmigen Elementen oder aber auch einstückig, beispielsweise als Formteil mit
entsprechenden Zwischenschichten für die Totalreflexion, hergestellt sein.
Mit den im Lichtweg hintereinander angeordneten Umformelementen erfolgt bei der
Laseroptik eine Auffächerung des Laserstrahles in in unterschiedlichen Ebenen
angeordnete Teilstrahlen und ein anschließendes Übereinanderschieben dieser
Teilstrahlen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in vereinfachter Darstellung einen Diodenlaser, bestehend aus einer eine
Vielzahl von Laserelementen oder Laserchips aufweisenden
Laserdiodenanordnung und einer im Strahlengang dieser Laserdiodenanordnung
angeordneten von zwei Plattenfächern gebildeten optischen Anordnung zur
Formung des Laserstrahls, wobei die Zeichenebene dieser Figur senkrecht zur
aktiven Schicht der Diodenelemente liegt;
Fig. 2 den Diodenlaser der Fig. 1, wobei die Zeichenebene dieser Figur parallel zu der
aktiven Schicht der Diodenelement liegt;
Fig. 3 und 4 in vereinfachter Darstellung die Ausbildung des Laserstrahls vor dem
Umformen, beim Umformen und nach dem Umformen;
Fig. 5 und 6 einen der optischen Plattenfächer in Seitenansicht sowie in Draufsicht;
Fig. 7 und 8 einen Diodenlaser ähnlich dem Diodenlaser der Fig. 1 und 2, jedoch mit
einer im Strahlengang nach den beiden Plattenfächern angeordneten
Fokussieroptik bestehend aus einer Zylinderlinse und einer sphärischen
Sammellinse, wobei die Zeichenebene der Fig. 7 senkrecht zur aktiven Schicht
und die Zeichenebene der Fig. 8 parallel zur aktiven Schicht der Diodenelemente
liegt;
Fig. 9 und 10 einen Diodenlaser, bei dem die Laserdiodenanordnung von einer Vielzahl
von Diodenelementen gebildet ist, die in mehreren Reihen senkrecht zur aktiven
Schicht stapelartig übereinander vorgesehen sind, sowie mit einer Fokussieroptik
im Strahlengang vor der von den beiden Plattenfächern gebildeten optischen
Anordnung, wobei die Zeichenebene der Fig. 9 senkrecht zur aktiven Schicht der
Diodenelemente und die Zeichenebene der Fig. 10 parallel zur aktiven Schicht der
Diodenelemente liegt;
Fig. 11 und 12 in ähnlicher Darstellung wie Fig. 1 und 2 eine weitere mögliche
Ausführungsform, bei der im Strahlengang lediglich ein Plattenfächer und daran
anschließend ein gestufter Spiegel (Treppenspiegel) vorgesehen ist.
Der in den Fig. 1 und 2 dargestellte Diodenlaser 1 besteht im wesentlichen aus einer
Laserdiodenanordnung 2, die an einem u. a. auch als Wärmesenke ausgebildeten Substrat
3 ein Laserbauelement 4 mit einer Vielzahl von Laserlicht aussendenden Emittern
aufweist, die gleichsinnig orientiert sind und insbesondere auch mit ihren aktiven
Schichten in einer gemeinsamen Ebene senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 1 bzw.
parallel zur Zeichenebene der Fig. 2 liegen, d. h. in einer X-Z-Ebene, die durch die in den
Figuren angegebene X-Achse und Z-Achse definiert ist.
Im Strahlengang der von dem Laserbauelement 4 ausgehenden Laserstrahlung befindet
sich ein Fast-Axis-Kollimator 6, der beispielsweise von einer mit ihrer Achse in der X-
Achse liegenden Zylinderlinse gebildet ist und eine Kollimation der Laserstrahlung in der
sog. Fast-Axis, d. h. in der Y-Achse und damit in der Y-Z-Ebene senkrecht zur aktiven
Schicht wirkt, in der die Strahlung der Emitter des Laserbauelementes 4 die größere
Divergenz aufweist. Nach dem Fast-Axis-Kollimator 6 steht die Laserstrahlung im
wesentlichen als schmalbandige Strahlung zur Verfügung, wie dies in der Fig. 3 mit 5
angedeutet ist.
Auf den Fast-Axis-Kollimator 6 folgend ist im Strahlengang der Laserstrahlung eine
optische Einrichtung 7 zur weiteren Formung des Laserstrahls vorgesehen, und zwar
beispielsweise in der Weise, daß das Strahlung 5 (Fig. 3 - Position a) zunächst in
Teilstrahlungen 5' in verschiedenen Ebenen parallel zur X-Z-Ebene zertrennt bzw.
aufgefächert wird, die von Ebene zu Ebene auch in der X-Achse gegen einander versetzt
sind (Fig. 3 - Position b), und diese Teilstrahlungen 5' dann diagonal übereinander
geschoben werden, wie dies in der Fig. 4 mit 5" schematisch gezeigt ist.
Die optische Einrichtung 7 besteht hierfür aus zwei Plattenfächern 8 und 9, die bei der
dargestellten Ausführungsform identisch ausgebildet sind, allerdings um 90° um die Z-
Achse gedreht beidseitig von einer die Z-Achse senkrecht schneidenden gedachten
Mittelebene so angeordnet sind, daß beide Plattenfächer jeweils mit einer gleichartig
ausgebildeten Fächerseite 10 von dieser Mittelebene wegweisen und mit einer gleichartig
ausgebildeten Fächerseite 11 dieser Mittelebene zugewandt sind. Der Aufbau
beispielsweise des Plattenfächers 8 ist in den Fig. 5 und 6 im Detail dargestellt. Der
Plattenfächer 9 ist in der gleichen Weise ausgebildet, so daß die nachfolgende
Beschreibung auch für diesen Plattenfächer gilt.
Der Plattenfächer 8 besteht aus mehreren dünnen Platten 12, die aus einem Licht
leitenden Material, beispielsweise Glas hergestellt sind und bei der dargestellten
Ausführugnsform jeweils einen quadratischen Zuschnitt aufweisen. Jede Platte 12 besitzt
zwei plane Plattenschmalseiten 13 und 14, die die Seiten für den Eintritt und den Austritt
der Laserstrahlen bilden und hierfür optisch hochwertig ausgebildet, d. h. poliert und mit
einer Anti-Reflexionsschicht versehen sind. Die beiden Seiten 13 und 14 liegen sich an
jeder Platte 12 gegenüber und sind bei der dargestellten Ausführungsform parallel
zueinander angeordnet. Bei der Darstellung der Fig. 5 und 6 ist davon ausgegangen, daß
der Plattenfächer 8 von insgesamt fünf Platten 12 gebildet ist. Theoretisch sind auch
weniger oder mehr als fünf Platten 12 möglich.
Die Platten 12 schließen mit ihren Oberflächenseiten 12', an denen sie ebenfalls poliert
sind, stapelartig aneinander an, wobei zwischen jeweils zwei benachbarten Platten 12 ein
Spalt 15 vorgesehen ist, der von einem Medium, welches einen im Vergleich zum
Material der Platten 12 kleineren optischen Brechungsindex aufweist, ausgefüllt ist. Der
Spalt 15 ist beispielsweise ein Luftspalt, bevorzugt ist der jeweilige Spalt 15 aber mit
einem die Platten 12 verbindenden Material, beispielsweise mit einem optischen Kitt
ausgefüllt, wobei dieses Verbindungsmaterial wiederum einen im Vergleich zum Material
der Platten 12 geringeren Brechungsindex aufweist, so daß eine Totalreflexion innerhalb
der Platten 12 sichergestellt ist.
Die Platten 12 sind fächerartig gegeneinander versetzt. Bei der dargestellten
Ausführungsform sind die Platten 12 hierfür um eine gemeinsame Fächerachse A gegen
einander gedreht, wobei außerdem jeweils ein vorgegebener Bereich 16 der
Plattenschmalseite 13, nämlich bei der dargestellten Ausführungsform die Mitte jeder
Plattenschmalseite 13 jeder Platte 12 zusammen mit dem entsprechenden Bereichen 16
der übrigen Platten auf der gemeinsamen Achse A liegt, die senkrecht zu den Ebenen der
Oberflächenseiten 12' der Platten 12 liegt und damit auch senkrecht zu einer parallel zu
diesen Oberflächenseiten angeordneten, gedachten Mittelebene M des Plattenfächers 8.
Um die Achse A bzw. um ihre Bereiche 16 sind die einzelnen Platten 12 derart
fächerartig gegeneinander verdreht oder aufgefächert, daß die Ebenen E der
Plattenschmalseiten 13 zweier benachbarter Platten sich in der Achse A schneiden und
einen Winkel α miteinander einschließen, der in der Fig. 5 übertrieben groß dargestellt ist
und beispielsweise in der Größenordnung von 1-5° liegt. Die mittlere Platte 12 liegt mit
der Ebene E ihrer Plattenschmalseite 13 senkrecht zu einer Längserstreckung L oder
optischen Achse des Plattenfächers 8. Die Gesamtheit der Plattenschmalseiten 13 aller
Platten 12 bildet die Plattenfächerseite 10. Entsprechend der Anordnung der
Plattenschmalseiten 13 sind auch die Plattenschmalseiten 14, die in ihrer Gesamtheit die
Plattenfächerseite 11 bilden, so relativ zueinander angeordnet, daß die Ebenen E' zweier
benachbarter Plattenseiten 14 wiederum den Winkel α miteinander einschließen. Die
Ebenen E und E' der Plattenschmalseiten 13 und 14 liegen senkrecht zu den Ebenen der
Oberflächenseiten 12'.
Der Plattenfächer 8 ist weiterhin so ausgebildet, daß die an die mittlere Platte 12
anschließenden Platten jeweils symmetrisch gedreht bzw. aufgefächert sind, d. h. für die
für die Fig. 5 gewählte Darstellung die auf der einen Plattenschmalseite der mittleren
Platte 12 vorgesehenen Platten 12 mit ihren Plattenschmalseiten 13 im
Gegenuhrzeigersinn und die auf der anderen Plattenschmalseite der mittleren Platte 12
anschließenden Platten mit ihren Plattenschmalseiten 13 gegenüber der mittleren Platte
im Uhrzeigersinn gedreht sind. Durch die dünne Ausbildung der Platten 12 und durch die
Totalreflexion, die das Laserlicht innerhalb der Platten 12 an den Oberflächenseiten
dieser Platten erfährt, bilden die Platten Licht- bzw. Wellen-Leiter für das Laserlicht.
Die Breite des jeweiligen Spaltes 15 ist möglichst gering, aber ausreichend groß gewählt
(z. B. einige 1/100 mm), um sicherzustellen, daß auch bei einer leichten Verwölbung
einer oder mehrerer Platten 12 ein direkter Berührungskontakt zwischen zwei
benachbarten Platten 12 nicht entsteht und somit Strahlungsverluste vermieden werden,
die an derartigen Berührungsstellen auftreten und zur Reduzierung der Effizienz des
Systems führen könnten.
Der Plattenfächer 8 ist bei dem Diodenlaser 1 derart angeordnet, daß er mit seiner
Längsachse L in der Z-Achse liegt und die Mittelachse M in der Y-Z-Ebene, wobei die
Plattenfächerseite 10 der Laserdiodenanordnung 2 zugewandt ist, der Laserstrahl 5 also an
der Plattenfächerseite 10 in diesen Plattenfächer eintritt. Der Plattenfächer 9 ist mit seiner
Längsachse L, die senkrecht zur Plattenschmalseite 13 der mittleren Platte 12 liegt und die
Achse A senkrecht schneidet ebenfalls in der Z-Achse angeordnet, und zwar achsgleich
mit der Achse L des Plattenfächers 8, wobei die Plattenfächerseite 11 des Plattenfächers 9
der Plattenfächerseite 11 des Plattenfächers 8 zugewandt ist. Die Mittelebene M des
Plattenfächers 9 liegt in der X-Z-Ebene, so daß der Plattenfächer 9 gegenüber dem
Plattenfächer 8 um 90° um die Z-Achse gedreht wird.
Der durch den Fast-Axis-Kollimator 6 kollimierte Laserstrahl 5 trifft auf die
Plattenfächerseite 13 auf, und zwar im Bereich der Achse A bzw. der Längsachse L.
Durch die unterschiedliche Neigung der Plattenschmalseiten 13 und der Plattenseiten 14
wird der eintretende Laserstrahl 5 in die verschiedenen Teilstrahlen 5' aufgeteilt, die
parallel oder im wesentlichen parallel zur Z-Achse an den Plattenseiten 14 aus dem
Plattenfächer 8 austreten, wobei die Teilstrahlen 5' bedingt durch die Brechung an den
Plattenschmalseiten 13 und 14 in unterschiedlichen Ebenen parallel zur X-Z-Ebene
angeordnet sind. Es versteht sich, daß die Breite des Plattenfächers 8 in Richtung der
Achse A und damit in Richtung der X-Achse gleich der Breite gewählt ist, die die
auftreffende Strahlung 5 aufweist. Durch die Totalreflexion in den Platten 12 des
Plattenfächers 8 erfährt die Strahlung in Richtung der Slow-Axis (X-Achse) keine
Aufweitung, sondern jeder Teilstrahl 5' tritt mit einem Strahldurchmesser aus, der in
dieser Achse gleich der Dicke einer Platte 12 ist.
Die einzelnen Teilstrahlen 5' treten dann jeweils an einer Plattenseite 14 in den
Plattenfächer 9 ein. Durch die Brechung an den Plattenschmalseiten 13 und 14 treten
sämtliche Teilstrahlen 5' an den Plattenschmalseiten 13 der Platten 12 des Plattenfächers
9 aus, und zwar im Bereich der dort parallel zur Y-Achse liegenden Achse A, so daß die
Teilstrahlen 5' diagonal verschoben übereinander angeordnet sind, wie dies in der Fig. 4
dargestellt ist.
Die Fig. 7 und 8 zeigen einen Diodenlaser 1a, der sich von dem Diodenlaser 1 lediglich
dadurch unterscheidet, daß im Strahlengang nach der optischen Anordnung 7 ein Slow-
Axis-Kollimator 17 in Form einer Zylinderlinse vorgesehen ist, die mit ihrer Achse parallel
zur Y-Achse angeordnet ist. Durch diesen Kollimator 17 wird die Divergenz, die die
Teilstrahlen 5' in der Slow-Axis, d. h. in der X-Achse aufweisen, korrigiert, so daß
anschließend mehrere, in Richtung der Y-Achse übereinander angeordnete kollimierte
Teilstrahlen 5" vorliegen, die mittels einer Fokussieroptik, d. h. mittels der sphärischen
Sammellinse 18 fokussiert werden.
Die Fig. 9 und 10 zeigen einen Diodenlaser 1b, der sich vom Diodenlaser 1 dadurch
unterscheidet, daß anstelle der Laserdiodenanordnung 2, die lediglich in einer X-Z-Ebene
mehrere Emitter nebeneinander aufweist, einen Diodenlaser 2a verwendet, der in
mehreren X-Z-Ebenen übereinander eine Vielzahl von Laserbauelementen 4 mit jeweils
einer Vielzahl von Emittern besitzt, die mit ihrer aktiven Schicht in dieser gemeinsamen
Ebene angeordnet sind. Jeder X-Z-Ebene ist ein eigener Fast-Axis-Kollimator 6 zugeordnet.
Im Strahlengang befindet sich nach diesen Fast-Axis-Kollimatoren 6 eine optische
Anordnung 19, mit der die Laserstrahlung 5 auf den ersten Plattenfächer 8 fokussiert wird.
Diese optische Anordnung 19 besteht aus einer Zylinderlinse 20, die mit ihrer Achse
parallel zur Y-Achse angeordnet ist sowie aus einer weiteren Zylinderlinse 21, die mit
ihrer Achse parallel zur X-Achse angeordnet ist. Durch die optische Anordnung 19 ist
auch eine Stapelung von Laserbauteilen 4 möglich, obwohl dadurch der Laserstrahl 5
nach den Fast-Axis-Kollimatoren 6 in Richtung der Y-Achse eine relativ große Höhe
besitzt. Eine derart große Strahlenhöhe würde insbesondere bei dem zweiten
Plattenfächer 9 eine große Bauhöhe, d. h. eine Vielzahl von Platten 12 bedeuten, aber
auch bedeuten, daß die aus dem zweiten Plattenfächer 9 austretende, von den
Teilstrahlen 5' gebildete Laserstrahlung in Richtung Y-Achse ebenfalls eine große Höhe
aufweist, die für die Weiterverarbeitung des Strahles eine aufwendige Optik erfordert.
Durch die Fokussierung des Strahles 5 mit Hilfe der optischen Einrichtung 19 auf den
ersten Plattenfächer 8 wird dies vermieden.
Weiterhin ist es auch möglich, an den Oberflächenseiten der Platten 12 metallische
Spiegelschichten aufzubringen, um so die Totalreflexion innerhalb der Platten 12 zu
gewährleisten.
Bei dem Diodenlaser 1b der Fig. 9 und 10 ist es von Vorteil, wenn die Teilstrahlen 5'
beim Eintritt in den Plattenfächer 9 möglichst klein gehalten sind. Ideal wäre eine
Anordnung, bei der der von der optischen Anordnung 19 erzeugte Fokus der
Laserdiodenanordnung 2a nicht in einem gemeinsamen Punkt liegt, sondern in der Fast-
und Slow-Axis-Richtung verschiedene Fokuspunkte aufweist. Der Strahl der stapelartigen
Laserdiodenanordnung 2a weist in diesem Fall dann einen Astigmatismus auf. Die
einzelnen Foki sollen dabei folgendermaßen angeordnet sein:
- - Fokus in Slow-Axis-Richtung (in Richtung der X-Achse) auf der Eintrittsseite des Plattenfächers 8;
- - Fokus in der Fast-Axis-Richtung (Richtung der Y-Achse) auf der Eintrittsseite des Plattenfächers 9.
Bei dieser Fokusanordnung wird eine Minimierung der Dicken der Platten 12 in den
beiden Plattenfächern 8 und 9 erreicht. Bevorzugt ist die Ausbildung so getroffen, daß die
Divergenz vor dem jeweiligen Plattenfächer in Richtung der Fast-Axis (Y-Achse) im
fokussierten Bereich kleiner ist (etwa um die Faktor der Plattenzahl) als in der Richtung
der Slow-Axis (X-Achse), um so auf eine annähernd gleiche Strahlenqualität in beiden
Achsrichtungen zu kommen.
Die Fig. 11 und 12 zeigen als weitere Ausführungsform einen Diodenlaser 1c, der sich
von dem Diodenlaser 1 der Fig. 1 und 2 nur dadurch unterscheidet, daß anstelle des im
Strahlengang zweiten Plattenfächers 9 zum diagonalen Zusammenschieben des
Strahlenbündels der Teilstrahlen 5' (Position b der Fig. 3) in das Strahlenbündel der
Teilstrahlen 5" (Fig. 4) ein sog. Treppenspiegel 22 vorgesehen ist. Dieser besitzt eine
Vielzahl von Spiegelflächen 23, die derart treppenartig gegeneinander versetzt
sind, daß durch Reflexion an den Spiegelflächen das Umformen des Strahlenbündels der
Teilstrahlen 5' in das Strahlenbündel der Teilstrahlen 5" erfolgt.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht
sich, daß zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne daß dadurch
der der Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird. So ist es
beispielsweise auch möglich, die Platten 12 zusätzlich an ihren Oberflächenseiten mit
einem Material zu beschichten, welches den im Vergleich zum Material der Platten 12
geringeren optischen Brechungsindex aufweist, um so den Wellenleitereffekt bzw. die
Totalreflexion innerhalb der Platten zu verbessern. Weiterhin besteht selbstverständlich
die Möglichkeit, auch bei den Diodenlasern 1a und 1b anstelle des Plattenfächers 9 den
Treppenspiegel 22 zu verwenden.
Vorstehend wurde davon ausgegangen, daß die Platten 12 der Plattenfächer 8 und 9
jeweils um eine gemeinsame Fächerachse A gegeneinander verdreht sind, die in der
Ebene der Plattenschmalseite 13 liegt. Auch hier sind andere Ausführungen denkbar,
beispielsweise können die Platten der Plattenfächer auch um mehrere Achsen
gegeneinander fächerartig verdreht sein, und zwar jeweils zwei Platten um eine Achse.
Weiterhin kann die Lage der Achse bzw. Achsen auch anders gewählt sein als vorstehend
beschrieben.
1
,
1
a,
1
b,
1
c Diodenlaser
2
,
2
a Laserdiodenanordnung
3
Substrat
4
Laserbauelement
5
bandförmiger Laserstrahl
5
' Teilstrahl
6
Fast-Axis-Kollimator
7
optische Anordnung
8
,
9
Plattenfächer
10
,
11
Plattenfächerseite
12
Platte
13
,
14
Plattenseite
15
Spalt
16
Punkt
17
Slow-Axis-Kollimator
18
Sammellinse
19
Fokussieroptik
20
,
21
Zylinderlinse
22
Treppenspiegel
23
Spiegelfläche
Claims (26)
1. Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls, der einen sich in einer
ersten Achsrichtung (X-Achse) senkrecht zur Strahlachse (Z-Achse) erstreckenden
linien- oder bandförmigen Querschnitt aufweist, mit wenigstens zwei im
Strahlengang aufeinander folgend angeordneten optischen Umformelementen (8, 9,
22), von denen wenigstens eines ein vom Laserstrahl durchstrahltes Element ist und
die eine optischen Anordnung (7) bilden,
- - in der ein Auffächern des wenigstens einen Laserstrahls (5) in einer Ebene (Y-Z- Ebene) senkrecht zur ersten Achse (X-Achse) in mehrere parallele Teilstrahlen (5'), die sowohl in der ersten Achsrichtung (X-Achse) als auch in einer zweiten Achsrichtung (Y-Achse), die senkrecht zur Strahlachse (Z-Achse) sowie senkrecht zur ersten Achse (X-Achse) liegt, gegeneinander versetzt sind, und
- - in der anschließend ein Zusammenführen der aufgefächerten Teilstrahlen (5')
erfolgt,wobei das zweite optische Umformelement ein Verschieben der im ersten optischen
Umformelement gebildeten Teilstrahlen (5') jeweils in einer Ebene (X-Z-Ebene)
parallel zu der ersten Achse (X-Achse) derart bewirkt, daß bei dem aus dem zweiten
optischen Element (9, 22) austretenden Laserstrahl die parallelen Teilstrahlen (5")
übereinandergeschoben und nur oder im wesentlichen nur noch in der zweiten
Achse (Y-Achse) gegeneinander versetzt sind, und
wobei wenigstens eines der beiden optischen Umformelemente aus mehreren Platten (12) aus einem lichtleitenden Material besteht, die in Richtung senkrecht zu ihren Oberflächenseiten versetzt sind und in denen eine Führung des Strahls durch Totalreflexion erfolgt, und bei dem - - die Platten (12) jeweils eine erste plane Plattenschmalseite (13) und dieser gegenüberliegend eine zweite plane Plattenschmalseite (14) bilden,
- - die erste Plattenschmalseite (13) und die zweite Plattenschmalseite (14) jeder Platte
parallel zueinander liegen,
dadurch gekennzeichnet,daß die Plattenschmalseiten (13, 14) zur Bildung eines Plattenfächers (8, 9) fächerartig derart gegeneinander verdreht sind, daß die erste Plattenschmalseite (13) jeder Platte (12) in einer Ebene (E) liegt, die mit der Ebene der ersten Plattenschmalseite (13) jeder benachbarten Platte (12) einen Winkel (α) einschließt,
daß die ersten Plattenschmalseiten (13) in ihrer Gesamtheit eine erste Plattenfächerseite (10) und die zweiten Plattenschmalseiten (14) in ihrer Gesamtheit eine zweite Plattenfächerseite (11) jeweils für den Eintritt oder Austritt des den Plattenfächer durchstrahlenden, wenigstens einen Laserstrahls bilden,
und daß die Ebenen (E) der Plattenschmalseiten (13, 14) sowie die Fächerachse (A) senkrecht zu den Oberflächenseiten (12') der Platten (12) liegen.
2. Laseroptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12) senkrecht
zu ihren Oberflächenseiten stapelartig aufeinanderfolgend vorgesehen sind.
3. Laseroptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ebenen (E) der
ersten Plattenschmalseiten (13) um wenigstens eine Fächerachse (A) gegeneinander
verdreht sind.
4. Laseroptik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ebenen der ersten
Plattenschmalseiten um eine gemeinsame Fächerachse (A) gegeneinander verdreht
sind.
5. Laseroptik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ebenen (E) der ersten
Plattenschmalseiten (13) um wenigstens zwei Fächerachsen (A) gegeneinander
versetzt sind.
6. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
das erste Umformelement ein Plattenfächer (8) ist, der mit den Ebenen der
Oberflächenseiten (12') seiner Platten (12) parallel zu einer von der Strahlachse (Z-
Achse) und der zweien Achse (Y-Achse) definierten Ebene (Y-Z-Ebene) angeordnet ist
und mit seiner Fächerachse (A) parallel zur ersten Achse (X-Achse) liegt.
7. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
das zweite Umformelement ein Plattenfächer (9) ist, der mit den Ebenen der
Oberflächenseiten (12') seiner Platten (12) parallel zu einer von der Strahlachse (Z-
Achse) und der ersten Achse (X-Achse) definierten Ebene (X-Z-Ebene) angeordnet ist
und mit seiner Fächerachse (A) parallel zur zweiten Achse (Y-Achse) liegt.
8. Laseroptik nach Anspruch 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und
zweite optische Umformelement Plattenfächer (8, 9) sind, und daß die beiden
Plattenfächer (8, 9) um die Strahlachse (Z-Achse) um 90° gegeneinander gedreht
angeordnet sind, so daß der das erste optische Umformelement bildende
Plattenfächer (8) mit den Ebenen der Oberflächenseiten (12') seiner Platten senkrecht
zu den Ebenen der Oberflächenseiten der Platten des zweiten Plattenfächers (9) liegt.
9. Laseroptik nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Plattenfächer
(8, 9) mit ihrer zweiten Plattenfächerseite (11) einander zugewandt sind.
10. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die wenigstens eine Fächerachse (A) die erste Plattenschmalseite (13) wenigstens
einer Platte (12) berührt.
11. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei dem Plattenfächer (8, 9) die Ebenen (E) der ersten Plattenschmalseite jeweils
den gleichen oder in etwa den gleichen Winkel miteinander einschließen.
12. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei dem Plattenfächer (8, 9) ausgehend von einer außen liegenden Platte (12) die
ersten Plattenschmalseiten (13) oder deren Projektionen auf eine parallel zu den
Oberflächenseiten (12') liegenden Ebene jeweils gleichsinnig gegeneinander verdreht
sind.
13. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Erzielung einer Totalreflexion innerhalb jeder Platte (12) an den
Oberflächenseiten dieser Platte an jeder Oberflächenseite anschließend ein Medium
vorgesehen ist, welches einen im Vergleich zum Material der Platte kleineren
Brechungsindex aufweist.
14. Laseroptik nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen zwei
benachbarten Platten (12) ein Kleber oder Kitt mit einem im Vergleich zum Material
der Platten kleineren optischen Brechungsindex vorgesehen ist.
15. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen zwei benachbarten Platten ein Luftspalt vorgesehen ist.
16. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Platten (12) an ihren Oberflächenseiten (12') verspiegelt sind.
17. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei Verwendung wenigstens einer Laserdiodenanordnung (2, 2a) als
Strahlungsquelle, die wenigstens ein Laser-Bauelement (4) mit mehreren in einer
ersten Achsrichtung (X-Achse) gegeneinander versetzten, Laserlicht aussendenden
Emittern aufweist, die mit ihrer aktiven Schicht in einer gemeinsamen, die erste
Achsrichtung (X-Achse) einschließenden Ebene (X-Z-Ebene) angeordnet sind, der das
erste Umformelement bildende Plattenfächer (8, 9) mit den Ebenen der
Oberflächenseiten (12') seiner Platten (12) senkrecht zur Ebene der aktiven Schicht
liegt.
18. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei Verwendung wenigstens einer Laserdiodenanordnung (2, 2a) als
Strahlungsquelle, die wenigstens ein Laser-Bauelement (4) mit mehreren in einer
ersten Achsrichtung (X-Achse) gegeneinander versetzten, Laserlicht aussendenden
Emittern aufweist, die mit ihrer aktiven Schicht in einer gemeinsamen, die erste
Achsrichtung (X-Achse) einschließenden Ebene (X-Z-Ebene) angeordnet sind, der das
zweite Umformelement bildende Plattenfächer (8, 9) mit den Ebenen der
Oberflächenseiten (12') seiner Platten (12) parallel zur Ebene der aktiven Schicht
liegt.
19. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei wenigstens zwei im Strahlengang hintereinander angeordneten
Plattenfächern (8, 9) der im Strahlengang auf die Laserdiodenanordnung (2, 2a)
folgende erste Plattenfächer (8) mit den Ebenen der Oberflächenseiten (12') seiner
Platten (12) senkrecht zur Ebene der aktiven Schicht und der im Strahlengang auf die
Laserdiodenanordnung (2, 2a) folgende zweite Plattenfächer (9) mit den Ebenen der
Oberflächenseiten (12') seiner Platten (12) parallel zur Ebene der aktiven Schicht
angeordnet ist.
20. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß auf die von den Umformelementen (8, 9) gebildete optische Anordnung im
Strahlengang wenigstens eine weitere, den Strahl formende optische Anordnung,
beispielsweise eine Fokussieranordnung und/oder ein Kollimator (17) vorgesehen ist.
21. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß im Strahlengang vor der von den Umformelementen (8, 9) gebildeten optischen
Anordnung (7) eine weitere, den Strahl formende Anordnung, beispielsweise
wenigstens ein Kollimator (6) und/oder eine Fokussiereinrichtung (19) vorgesehen ist.
22. Laseroptik nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei Verwendung einer Laserdiodenanordnung (2a) mit in mehreren Ebenen in
einer Achsrichtung (Y-Achse) senkrecht zur aktiven Schicht übereinander
angeordneten Laser-Bauelementen (4) zwischen der Laserdiodenanordnung (2a) und
der von den Umformelementen (8, 9) gebildeten optische Anordnung (7) eine den
Laserstrahl fokussierende Fokussierungsoptik (19) vorgesehen ist.
23. Laseroptik nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß eine den Laserstrahl im
Bereich der Umformelemente (8, 9) bzw. im Bereich der von diesen Elementen
gebildeten optischen Anordnung (7) fokussierende Fokussieroptik (19) vorgesehen ist.
24. Laseroptik nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß eine einen
Astigmatismus aufweisende Fokussieroptik (19) vorgesehen ist, die den Laserstrahl in
eine erste Ebene, beispielsweise in der von der ersten Achse (X-Achse) und der
Strahlachse (Z-Achse) definierten Ebene (X-Z-Ebene) und an einem in Strahlrichtung
(Z-Achse) folgenden Bereich in einer senkrecht zu der ersten Ebene liegenden
zweiten Ebene, beispielsweise in der von der zweiten Achse (Y-Achse) und
Strahlachse (Z-Achse) definierten Ebene (Y-Z-Ebene) fokussiert.
25. Laseroptik nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Fokussieroptik den
Laserstrahl in der ersten Ebene (X-Z-Ebene) auf die Eintrittsfläche des ersten
Umformelementes (8) und in der zweiten Ebene (Y-Z-Ebene) auf die Eintrittsfläche
des zweiten Umformelementes (9) fokussieren.
26. Diodenlaser mit wenigstens einer Laserdiodenanordnung (2, 2a) als Strahlungsquelle,
die wenigstens ein Laser-Bauelement (4) mit mehreren in einer ersten Achsrichtung
(X-Achse) gegeneinander versetzten, Laserlicht aussendenden Emittern aufweist, die
mit ihrer aktiven Schicht in einer gemeinsamen, die erste Achsrichtung (X-Achse)
einschließenden Ebene (X-Z-Ebene) angeordnet sind, sowie mit einer Laseroptik mit
wenigstens einer im gemeinsamen Laserstrahl (5) der Emitter angeordneten optischen
Anordnung (7) zum Formen des Laserstrahls, dadurch gekennzeichnet, daß die
Laseroptik des Diodenlasers nach einem der Ansprüche 1-25 ausgebildet ist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19705574A DE19705574C2 (de) | 1997-02-01 | 1997-02-14 | Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen Laseroptik |
US09/016,342 US5986794A (en) | 1997-02-01 | 1998-01-30 | Laser optics and diode laser |
EP98101690A EP0863588B1 (de) | 1997-02-01 | 1998-02-02 | Laseroptik sowie Diodenlaser |
DE59810118T DE59810118D1 (de) | 1997-02-01 | 1998-02-02 | Laseroptik sowie Diodenlaser |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19703825 | 1997-02-01 | ||
DE19705574A DE19705574C2 (de) | 1997-02-01 | 1997-02-14 | Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen Laseroptik |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19705574A1 DE19705574A1 (de) | 1998-08-06 |
DE19705574C2 true DE19705574C2 (de) | 2000-09-07 |
Family
ID=7819052
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19705574A Expired - Lifetime DE19705574C2 (de) | 1997-02-01 | 1997-02-14 | Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen Laseroptik |
DE59810118T Expired - Lifetime DE59810118D1 (de) | 1997-02-01 | 1998-02-02 | Laseroptik sowie Diodenlaser |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59810118T Expired - Lifetime DE59810118D1 (de) | 1997-02-01 | 1998-02-02 | Laseroptik sowie Diodenlaser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE19705574C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10331442A1 (de) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Transformation eines optischen Strahlungsfelds |
DE10328083B4 (de) * | 2003-06-20 | 2010-12-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Angleichung der Strahlqualität beider Richtungen eines Diodenlaserarrays |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19839902C1 (de) | 1998-09-02 | 2000-05-25 | Laserline Ges Fuer Entwicklung | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser |
DE19841285C1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-06-08 | Laserline Ges Fuer Entwicklung | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser |
DE19846532C1 (de) * | 1998-10-09 | 2000-05-31 | Dilas Diodenlaser Gmbh | Einrichtung zur Strahlformung eines Laserstrahls und Hochleistungs-Diodenlaser mit einer solchen Einrichtung |
DE19918444C2 (de) * | 2000-03-15 | 2001-06-21 | Laserline Ges Fuer Entwicklung | Laseroptik sowie Diodenlaser |
DE19939750C2 (de) * | 1999-08-21 | 2001-08-23 | Laserline Ges Fuer Entwicklung | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung |
JP4794770B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2011-10-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザバー積層体用整形光学系及びレーザ光源 |
DE102009031046B4 (de) | 2009-06-30 | 2013-12-05 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Laseroptik sowie Diodenlaser |
EP2219064B1 (de) | 2009-02-13 | 2020-09-16 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Laseroptik sowie Diodenlaser |
DE102009008918A1 (de) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Laseroptik sowie Diodenlaser |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19514625A1 (de) * | 1995-04-26 | 1996-10-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung und Verfahren zur Formung und Führung eines Strahlungsfelds eines oder mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser(s) |
-
1997
- 1997-02-14 DE DE19705574A patent/DE19705574C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-02 DE DE59810118T patent/DE59810118D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19514625A1 (de) * | 1995-04-26 | 1996-10-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung und Verfahren zur Formung und Führung eines Strahlungsfelds eines oder mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser(s) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10328083B4 (de) * | 2003-06-20 | 2010-12-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Angleichung der Strahlqualität beider Richtungen eines Diodenlaserarrays |
DE10331442A1 (de) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Transformation eines optischen Strahlungsfelds |
DE10331442B4 (de) * | 2003-07-10 | 2008-03-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Transformation eines optischen Strahlungsfelds |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE59810118D1 (de) | 2003-12-18 |
DE19705574A1 (de) | 1998-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0863588B1 (de) | Laseroptik sowie Diodenlaser | |
EP2219064B1 (de) | Laseroptik sowie Diodenlaser | |
EP1081819B1 (de) | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung | |
DE4438368C2 (de) | Anordnung zur Führung und Formung von Strahlen eines geradlinigen Laserdiodenarrays | |
EP0803075B1 (de) | Optische anordnung zur verwendung bei einer laserdiodenanordnung | |
EP0984312B1 (de) | Laserdiodenanordnung | |
DE19537265C1 (de) | Anordnung zur Zusammenführung und Formung der Strahlung mehrerer Laserdiodenzeilen | |
DE19500513C1 (de) | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung | |
DE19645150A1 (de) | Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von Laserdioden | |
DE19751716C2 (de) | Anordnung zur Formung und Führung von Strahlung | |
DE19813127A1 (de) | Laservorrichtung | |
DE19705574C2 (de) | Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen Laseroptik | |
DE102007061358B4 (de) | Vorrichtung zur Formung von Laserstrahlung | |
EP1062540B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur optischen strahltransformation | |
DE102011016253B4 (de) | Diodenlaser | |
DE19918444C2 (de) | Laseroptik sowie Diodenlaser | |
DE10012480C2 (de) | Laseroptik sowie Diodenlaser | |
EP0903823B1 (de) | Laserbauelement mit einem Laserarray und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102009031046B4 (de) | Laseroptik sowie Diodenlaser | |
DE19841285C1 (de) | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser | |
DE10007123A1 (de) | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen Anordnung | |
DE19820154A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur optischen Strahltransformation | |
DE102009008918A1 (de) | Laseroptik sowie Diodenlaser | |
EP3111267B1 (de) | Lichtleitvorrichtung und vorrichtung umfassend eine lichtleitvorrichtung und mittel zur ausstrahlung linear angeordneter, paralleler lichtstrahlen | |
WO2023111137A1 (de) | Laservorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8365 | Fully valid after opposition proceedings | ||
R071 | Expiry of right |