DE19704031A1 - Aromatic tertiary amine compounds with high glass transition temperature and efficient hole injection from indium-tin oxide - Google Patents
Aromatic tertiary amine compounds with high glass transition temperature and efficient hole injection from indium-tin oxideInfo
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft neue Aminoverbindungen sowie eine organische elektrolumineszierende Anordnung, wel che die neuen Aminoverbindungen als lochleitende Materialien verwendet.The present invention relates to novel amino compounds and an organic electroluminescent device, wel the new amino compounds as hole-conducting materials used.
Eine elektrolumineszierende (EL) Anordnung ist dadurch cha rakterisiert, daß sie unter Anlegung einer elektrischer Spannung unter Stromfluß Licht aussendet. Derartige Anord nungen sind unter der Bezeichnung "Leuchtdioden" (LED = light emitting diodes) seit langem bekannt. Als Elektrolumi neszenz bezeichnet man die direkte Umwandlung elektrischer Energie in Licht. Dieses Phänomen kommt je nach verwendetem Material durch unterschiedliche Mechanismen zustande. Bis lang wurden im allgemeinen anorganische Halbleiter, bei spielsweise mit Fremdatomen dotierte ZnS- oder Gas-Verbindungen eingesetzt. Der Ursprung der Elektrolumi neszenz in anorganischen Halbleitermaterialien liegt in der durch Elektroneninjektion verursachten Anregung von lumines zierenden Zentren (beispielsweise der Dotiermaterialien wie Mn oder Tb) in den anorganischen Gastgittern. Dazu ist Wech selstrom und eine hohe Stromstärke von über 100 Volt erfor derlich. An electroluminescent (EL) device is thereby cha Characterized that they under application of an electrical Voltage under current flow emits light. Such anord tions are labeled "light emitting diodes" (LED = light emitting diodes) has long been known. As Elektrolumi Nescience is the direct conversion of electrical energy Energy in light. This phenomenon happens depending on what you use Material through different mechanisms. to In general, inorganic semiconductors have been included For example, doped with impurities ZnS or Gas connections used. The origin of the electrolumi The presence of inorganic semiconducting materials lies in the induced by electron injection excitation of lumines centers (for example, the doping materials such as Mn or Tb) in the inorganic host lattices. This is Wech selstrom and a high current of over 100 volts neces sary sary.
Seit mehreren Jahren finden verstärkt organische Materialien wie beispielsweise Poly-(p-phenylen-vinylen) (PPV) oder 2- (Biphenyl-4-yl)-5-(tert.-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (PBD) und deren Derivate Verwendung als elektrolumineszierende Ma terialien (J. Salbeck, Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 1996, 100, 1667-1677). Elektrolumineszenz in organischen Verbin dungen erfolgt durch Rekombination von sogenannten Löchern, d. h. positiven Ladungen, und Elektronen, d. h. negativen La dungen, über sogenannte Exzitonzustände. Man benötigt Gleichstrom und niedrige Spannungen von 2 bis 20 Volt (US-P 4 539 507). Es ist möglich, mit organischen Verbindun gen auch großflächige LED Anordnungen herzustellen.For several years increasingly find organic materials such as poly (p-phenylene-vinylene) (PPV) or 2- (Biphenyl-4-yl) -5- (tert -butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) and their derivatives use as electroluminescent Ma Materials (J.Salbeck, Ber. Bunsenges Phys. Chem. 100, 1667-1677). Electroluminescence in organic compound made by recombination of so-called holes, d. H. positive charges, and electrons, d. H. negative La tions, via so-called excitement states. You need DC and low voltages from 2 to 20 volts (U.S.P. 4,539,507). It is possible with organic compounds conditions also large-scale LED arrangements.
EL-Anordnungen auf der Grundlage von organischen Verbindun
gen enthalten in der Regel eine oder mehrere dünne Schichten
aus organischen oder organometallischen Ladungstransportver
bindungen. Der prinzipielle Aufbau in der Reihenfolge der
Schichten ist wie folgt:
EL devices based on organic compounds generally contain one or more thin layers of organic or organometallic charge transport compounds. The basic structure in the order of layers is as follows:
Träger, Substrat
Basiselektrode (Anode)
Löcherinjizierende Schicht
Löchertransportierende Schicht
Lichtemittierende Schicht
Elektronentransportierende Schicht
Elektroneninjizierende Schicht
Topelektrode (Kathode)
Kontakte
Umhüllung, Verkapselung.Carrier, substrate
Base electrode (anode)
Hole injecting layer
Hole transporting layer
Light-emitting layer
Electron-transporting layer
Electronically injecting layer
Top electrode (cathode)
contacts
Serving, encapsulation.
Dieser Aufbau stellt den allgemeinsten Fall dar und kann vereinfacht werden, indem einzelne Schichten weggelassen werden, so daß eine Schicht mehrere Aufgaben übernehmen kann. Im einfachsten Fall besteht eine EL-Anordnung aus zwei Elektroden, der Anode und der Kathode, zwischen denen sich eine einzige organische Schicht befindet, die alle Funktio nen, inklusive der Emission von Licht, erfüllt (WO 90-13148). Als vorteilhaft haben sich Zweischichtsysteme erwiesen, bei denen eine Emitterschicht, bestehend aus pho tolumineszierenden Materialien, auf die organische Schicht aufgedampft werden.This structure represents the most general case and can simplified by omitting individual layers so that a shift can take on multiple tasks can. In the simplest case, an EL arrangement consists of two Electrodes, the anode and the cathode, between which a single organic layer that has all the functio including the emission of light (WO 90-13148). Two-layer systems are advantageous in which an emitter layer consisting of pho Toluminescent materials, on the organic layer be evaporated.
Bei allen bekannten Systemen waren die derartigen Verbindun gen inhärenten Probleme nur unbefriedigend gelöst:In all known systems, such Verbindun were inherent problems solved unsatisfactorily:
Die niedrige Glasübergangstemperatur Tg der organischen Dünnfilmschichten führt zu Problemen bezüglich der thermi schen und morphologischen Stabilität der daraus hergestell ten EL-Anordnungen. Darüberhinaus wiesen die bekannten Sy steme einen relativ schnellen Abfall der Lumineszenz und mangelnde Lagerstabilität auf.The low glass transition temperature T g of the organic thin-film layers leads to problems with respect to the thermal and morphological stability of the EL devices produced therefrom. Moreover, the known systems have exhibited a relatively rapid decrease in luminescence and lack of storage stability.
Weiterhin haben fast alle der bekannten Systeme relativ hohe HOMO-Niveauxs, die nicht im unmittelbaren Bereich des Ionisa tionspotentials von Indium-Zinn-Oxid (ITO), dem am häufig sten verwendeten Material für die transparente Anode, lie gen.Furthermore, almost all of the known systems have relatively high levels HOMO-Niveauxs not in the immediate area of the Ionisa tion potential of indium tin oxide (ITO), the most common most used material for the transparent anode, lie gene.
In vorteilhafter Ausführung für eine elektrolumineszierende
Anordnung, werden für das elektrolumineszierende Element
dieser Anordnung für die aromatischen tertiären Aminoverbin
dungen A, gekennzeichnet durch eine der Strukturformeln I
bis IV, verwendet:
In an advantageous embodiment for an electroluminescent arrangement, the electroluminescent element of this arrangement is used for the aromatic tertiary amino compounds A, characterized by one of the structural formulas I to IV:
wobei Ar11 und Ar12 gleich oder verschieden sein können und
für die nachfolgende Gruppe von Arylverbindungen stehen:
wherein Ar 11 and Ar 12 may be the same or different and represent the following group of aryl compounds:
in welchen R11 und R12 gleich oder verschieden sein können
und für
Wasserstoff, gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10 Alkyl, Al
koxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy
substituiertes Phenyl, Aryl, Halogen oder Dialkylamino stehen,
und wobei R13 für gegebenenfalls substituiertes C2 bis C8 Alkyl,
Alkoxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy
substituiertes Phenyl, Aryl, Dialkylthiolat, Diarylthiolat oder
Dialkylamino steht,
in which R 11 and R 12 may be the same or different and for
Hydrogen, optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aryl, halogen or dialkylamino,
and wherein R 13 is optionally substituted C 2 to C 8 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aryl, dialkylthiolate, diarylthiolate or dialkylamino,
wobei Ar21 und Ar22 für
where Ar 21 and Ar 22 are for
steht
und in welcher R21 für
gegebenenfalls substituiertes C2 bis C10-Alkyl, Alkoxy,
Phenoxy, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy-substituiertes
Phenyl, Aryl, Aralkyl oder Dialkylamino steht,
stands
and in which R 21 for
optionally substituted C 2 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aryl, aralkyl or dialkylamino,
wobei Ar31 für die nachfolgende Gruppe von Arylverbindungen
steht:
wherein Ar 31 is the following group of aryl compounds:
wobei R31 und R32 gleich oder verschieden sein können und
für
Wasserstoff, gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10
Alkyl, Alkoxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes
Phenyl, Alkoxy-substituiertes Phenyl, Aralkyl, Aryl, Ha
logen oder Dialkylamino stehen,
wherein R 31 and R 32 may be the same or different and for
Hydrogen, optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aralkyl, aryl, halogen or dialkylamino,
wobei Ar41 für
where Ar 41 is for
steht,
und worin R41 für
gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10 Alkyl, Alkoxy,
Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy
substituiertes Phenyl, Aralkyl, Aryl, Halogen oder Dial
kylamino steht.stands,
and wherein R 41 is for
optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aralkyl, aryl, halogen or Dial kylamino.
Die erfindungsgemäße Aminoverbindung besitzt vorteilhafter weise eine sehr hohe Glasübergangstemperatur und ein niedri ges HOMO-Niveau, das im Bereich des Ionisationspotentials von ITC liegt. ITO wird in der Regel als optisch transparen te Elektrode (Anode) eingesetzt. Von der Anode aus werden Löcher bzw. Defektelektronen in das organische Schichtsystem injiziert. Die Injektion von Löchern ist dann besonders ef fizient, wenn die Potentialbarriere zwischen ITO und lochleitendem Material klein ist, wie es vorteilhafterweise die erfindungsgemäße Aminoverbindung aufweist.The amino compound according to the invention has more advantageous Example, a very high glass transition temperature and a niedri HOMO level, which is in the range of the ionization potential from ITC. ITO is usually considered optically transparent te electrode (anode) used. Become from the anode Holes or holes in the organic layer system injected. The injection of holes is then particularly ef efficient when the potential barrier between ITO and hole-conducting material is small, as it is advantageous having the amino compound of the invention.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.Further advantageous embodiments and further developments of Invention are described in the subclaims.
In vorteilhafter Ausgestaltung wird ein Zweischichtsystem zwischen den Elektroden der EL-Anordnung eingesetzt, beste hend aus einer Schicht, die eine erfindungsgemäße Aminover bindung enthält und einer elektronenleitenden Emitterschicht aus Aluminium-tris-(8-hydroxychinolat) (Alq3), so daß die Leuchtkraft der EL-Anordnung verstärkt wird.In an advantageous embodiment, a two-layer system between the electrodes of the EL device is used, best starting from a layer containing a Aminover inventive compound and an electron-conducting emitter layer of aluminum tris (8-hydroxyquinolate) (Alq 3 ), so that the luminosity the EL device is amplified.
Die Aminoverbindung der Formeln I bis IV ist eine neue Ver
bindung. Die Synthese der Aminoverbindung erfolgt entweder
durch eine Kondensationsreaktion der gegebenenfalls entspre
chend substituierten Tris-(diarylamino)-benzol-Verbindung
der Formel V
The amino compound of the formulas I to IV is a new compound. The synthesis of the amino compound is carried out either by a condensation reaction of optionally substituted accordingly tris (diarylamino) benzene compound of the formula V.
wobei Ar51 für die nachfolgende Gruppe von Arylverbindun
gen steht:
where Ar 51 is the following group of aryl compounds:
und worin R51 und R52 gleich oder verschieden sein können
und für
Wasserstoff, gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10
Alkyl, Alkoxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes
Phenyl, Alkoxy-substituiertes Phenyl, Aralkyl, Aryl, Ha
logen oder Dialkylamino stehen,
mit einem entsprechend substituierten Cyclohexanon in Gegen
wart eines Wasserstofftransferkatalysators, beispielsweise
Pd/C.and wherein R 51 and R 52 may be the same or different and for
Hydrogen, optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aralkyl, aryl, halogen or dialkylamino,
with an appropriately substituted cyclohexanone in the presence of a hydrogen transfer catalyst, for example Pd / C.
Ebenso ist es möglich, die erfindungsgemäße Aminoverbindung über die Ullmann-Reaktion zwischen halogenierten, gegebenen falls substituierten, Aryl und der entsprechenden mit Iod substituierten aromatischen Verbindung der gegebenenfalls sub stituierten Aminoverbindung zu erhalten.It is likewise possible to use the amino compound according to the invention via the Ullmann reaction between halogenated, given if substituted, aryl and the corresponding with iodine substituted aromatic compound of optionally sub To obtain substituted amino compound.
Nach dieser Methode wurde die Aminoverbindung gemäß den For
meln I bis IV synthetisiert. Als Beispiel seien die Verbin
dungen I-1 und I-2 mit ihrer Strukturformel angegeben:
According to this method, the amino compound was synthesized according to formulas I to IV. By way of example, the compounds I-1 and I-2 are indicated by their structural formula:
Nachfolgend sind weitere Beispiele für die Synthese einer erfindungsgemäßen Aminoverbindung gemäß Formel III aufge führt.The following are further examples of the synthesis of a inventive amino compound according to formula III leads.
5 g (40 mmol) Phloroglucinol, 36.5 g (198 mmol) N-phenyl-1,4- phenylendiamin und 150 mg Iod wurden in 10 ml Tetralin und 15 ml p-Xylol während 6 Stunden am Wasserabscheider erhitzt. Die heiße Reaktionsmischung wurde unter Rühren mit 200 ml Methanol versetzt. Beim Abkühlen fiel ein grauer Feststoff aus, der abgefiltert, mit Methanol gewaschen und getrocknet wurde. Es wurden 18.2 g (Ausbeute: 75.6%) 1,3,5-Tris-[(4'- phenylaminophenyl)-amino]-benzol mit einem Schmelzpunkt von 210°C erhalten.5 g (40 mmol) phloroglucinol, 36.5 g (198 mmol) N-phenyl-1,4- phenylenediamine and 150 mg iodine were dissolved in 10 ml tetralin and Heat 15 ml of p-xylene for 6 hours on a water separator. The hot reaction mixture was stirred with 200 ml Methanol added. Upon cooling, a gray solid precipitated from which filtered off, washed with methanol and dried has been. There were 18.2 g (yield: 75.6%) of 1,3,5-tris - [(4'- phenylaminophenyl) amino] benzene having a melting point of 210 ° C received.
1 g (1.6 mmol) 1,3,5-Tris-[(4'-phenylaminophenyl)-amino]- benzol, 4 g Kaliumcarbonat, 1.8 g Kupferpulver und 200 mg 18- Kronenether wurden in 20 ml o-Dichlorbenzol unter Argonatmo sphäre auf 170°C erhitzt. 7.8 g (38 mmol) Iodbenzol wurden während einer Stunde zugetropft und die Reaktionsmischung während 48 Stunden auf 200°C erhitzt. Die Reaktionsmischung wurde heiß filtriert und das Reaktionsprodukt aus Methanol umkristallisiert und mit Ethylacetat/Hexan (1 : 4) als Eluent chromatographisch gereinigt. Die Ausbeute an 1,3,5-Tris- [(4'-diphenylaminophenyl)-amino]-benzol (III-1) betrug 1.25 g (35%) mit einem Schmelzpunkt von 235°C. 1 g (1.6 mmol) of 1,3,5-tris - [(4'-phenylaminophenyl) -amino] - benzene, 4 g potassium carbonate, 1.8 g copper powder and 200 mg 18- Crown ethers were dissolved in 20 ml of o-dichlorobenzene under argon heated to 170 ° C. 7.8 g (38 mmol) of iodobenzene added dropwise over 1 hour and the reaction mixture heated to 200 ° C for 48 hours. The reaction mixture was filtered hot and the reaction product of methanol recrystallized and with ethyl acetate / hexane (1: 4) as eluent purified by chromatography. The yield of 1,3,5-tris [(4'-diphenylaminophenyl) amino] benzene (III-1) was 1.25 g (35%) with a melting point of 235 ° C.
1 g (1.6 mmol) 1,3,5-Tris-[(4'-phenylaminophenyl)-amino]-
benzol, 4 g Kaliumcarbonat, 1.8 g Kupferpulver und 200 mg 18-
Kronenether wurden in 20 ml o-Dichlorbenzol unter Argonatmo
sphäre auf 170°C erhitzt. 8.9 g (38 mmol) p-Iodanisol wurden
während einer Stunde zugetropft und die Reaktionsmischung
während 48 Stunden auf 200°C erhitzt. Die Reaktionsmischung
wurde heiß filtriert und das Lösungsmittel abgezogen. Das
Reaktionsprodukt wurde in 10 ml THF gelöst, mit Methanol ge
fällt und mit Ethylacetat/Hexan (1 : 4) als Eluent chromato
graphisch gereinigt. Die Ausbeute an 1,3,5-Tris-[(4'-phenyl-
4''-methoxyphenyl-aminophenyl)-amino]-benzol (III-2) betrug
1.1 g (46%).
1 g (1.6 mmol) of 1,3,5-tris - [(4'-phenylaminophenyl) amino] benzene, 4 g of potassium carbonate, 1.8 g of copper powder and 200 mg of 18-crown ether were in 20 ml of o-dichlorobenzene under argon atmosphere heated to 170 ° C. 8.9 g (38 mmol) of p-iodoanisole were added dropwise over one hour and the reaction mixture was heated to 200 ° C. for 48 hours. The reaction mixture was filtered hot and the solvent removed. The reaction product was dissolved in 10 ml of THF, precipitated with methanol and purified by chromatography with ethyl acetate / hexane (1: 4) as the eluent. The yield of 1,3,5-tris - [(4'-phenyl-4 '' - methoxyphenylaminophenyl) amino] benzene (III-2) was 1.1 g (46%).
1 g (1.6 mmol) 1,3,5-Tris-[(4'-phenylaminophenyl)-amino]- benzol, 4 g Kaliumcarbonat, 1.8 g Kupferpulver und 200 mg 18- Kronenether wurden in 50 ml o-Dichlorbenzol unter Argonatmo sphäre auf 170°C erhitzt. 7.8 g (38 mmol) 1-Iodnaphthalin wurden während einer Stunde zugetropft und die Reaktionsmi schung während 48 Stunden auf 200°C erhitzt. Die Reaktions mischung wurde heiß filtriert und das Lösungsmittel abgezo gen. Das Reaktionsprodukt wurde in 10 ml THF gelöst, mit Methanol gefällt und mit Ethylacetat/Hexan (1 : 4) als Eluent chromatographisch gereinigt. Die Ausbeute an 1,3,5-Tris- [(4-phenyl-naphthyl-aminophenyl)-amino]-benzol (III-3) be trug 1.9 g (42%). 1 g (1.6 mmol) of 1,3,5-tris - [(4'-phenylaminophenyl) -amino] - benzene, 4 g potassium carbonate, 1.8 g copper powder and 200 mg 18- Crown ethers were dissolved in 50 ml of o-dichlorobenzene under argonatmo heated to 170 ° C. 7.8 g (38 mmol) of 1-iodonaphthalene were added dropwise during one hour and the reaction mixture heated to 200 ° C during 48 hours. The reaction The mixture was filtered hot and the solvent was removed The reaction product was dissolved in 10 ml of THF, with Methanol and ethyl acetate / hexane (1: 4) as eluent purified by chromatography. The yield of 1,3,5-tris [(4-phenyl-naphthyl-aminophenyl) -amino] -benzene (III-3) be contributed 1.9 g (42%).
Die erfindungsgemäße Aminoverbindung der Formeln I bis IV besitzt eine hohe Glasübergangstemperatur und ein niedriges HOMO-Niveau im Bereich des Ionisationspotentials von Indi um-Zinn-Oxid. Der Glaszustand ist thermisch und chemisch- morphologisch äußerst stabil. Die erfindungsgemäße Aminover bindung der Formeln I bis III läßt sich daher sehr vorteil haft als lochleitendes Material in elektrolumineszierenden Anordnungen einsetzen.The amino compound according to the invention of the formulas I to IV has a high glass transition temperature and a low one HOMO level in the region of the ionization potential of Indi to tin oxide. The glass state is thermal and chemical morphologically extremely stable. The aminover Bonding of the formulas I to III can therefore be very advantageous as a hole-conducting material in electroluminescent Use arrangements.
Die Glasübergangstemperatur und die Energie des HOMO-Niveaus der erfindungsgemäßen Aminoverbindung ist an einigen ausge wählten Beispielen in Tabelle 1 dargestellt: The glass transition temperature and the energy of the HOMO level the amino compound of the invention is on some out selected examples shown in Table 1:
Tabelle 1Table 1
Die Bestimmung der Energie der HOMO-Niveauxs erfolgte mittels Cyclovoltammetrie. Die erfindungsgemäße Aminoverbindung läßt sich auch in einem Einschichtsystem als Emittersubstanz ein setzen. Dies ist von den jeweiligen Substituenten an den Phenylringen abhängig.The energy of the HOMO-Niveauxs was determined by means of Cyclic voltammetry. The amino compound of the invention leaves also in a single-layer system as an emitter substance put. This is from the respective substituents on the Dependent on phenyl rings.
Im nachfolgenden sind einige Beispiele für die Herstellung von elektrolumineszierenden Anordnungen mittels der erfin dungsgemäßen Aminoverbindung der Formeln I bis IV beschrie ben:In the following are some examples of the production of electroluminescent devices by means of the inventions To the invention amino compound of formulas I to IV beschrie ben:
Auf einem gereinigten, mit ITO beschichteten Substrat wurde eine 70 nm dicke Schicht aus einer 1%igen Lösung, bestehend aus der Aminoverbindung mit der Strukturformel I-1 und dem Binder PVK im Verhältnis 1 : 1 aufgeschleudert (100 U/min). Als Lösungsmittel wurde Dichlorethan verwendet. Darauf wurde eine 60 nm dicke Schicht, bestehend aus Aluminium-tris-(8- hydroxy-chinolat) mittels Vakuumverdampfung abgeschieden. Das Schichtsystem wurde zum Abschluß mit einer Magnesi um-Silber (10 : 1)-Kathode im Vakuum bedampft. Magnesium und Silber wurden aus thermisch geheizten Quellen ko-verdampft.On a cleaned, coated with ITO substrate was a 70 nm thick layer of a 1% solution consisting from the amino compound having the structural formula I-1 and the Binder PVC in a ratio of 1: 1 spin-coated (100 rpm). As the solvent, dichloroethane was used. On it was a 60 nm thick layer consisting of aluminum tris (8- hydroxy-quinolate) by means of vacuum evaporation. The layer system was completed with a Magnesi um-silver (10: 1) cathode vapor-deposited in vacuo. Magnesium and Silver was co-evaporated from thermally heated sources.
Auf einem gereinigten, mit ITO beschichteten Substrat wurde eine etwa 100 nm dicke Schicht aus der Aminoverbindung mit der Strukturformel I-1 im Vakuum aufgedampft. Darauf wurde eine etwa 60 nm dicke Schicht bestehend aus Aluminium-tris- (8-hydroxychinolat) ebenfalls mittels Vakuumverdampfung ab geschieden. Das Schichtsystem wurde zum Abschluß mit einer Aluminium-Kathode im Vakuum bedampft. Die Einsatzspannung für die Lichtemission lag bei 3,5 Volt.On a cleaned, coated with ITO substrate was an approximately 100 nm thick layer of the amino compound with of the structural formula I-1 evaporated in vacuo. On it was an approximately 60 nm thick layer consisting of aluminum tris (8-hydroxyquinolate) also by means of vacuum evaporation divorced. The layer system was completed with a Aluminum cathode vapor-deposited in vacuum. The threshold voltage for the light emission was 3.5 volts.
Auf einem gereinigten mit ITO beschichteten Substrat wurde eine etwa 100 nm dicke Schicht aus der Aminoverbindung mit der Strukturformel 1-2 im Vakuum aufgedampft. Darauf wurde eine etwa 60 nm dicke Schicht bestehend aus Aluminium-tris- (8-hydroxychinolat) ebenfalls mittels Vakuumverdampfung ab geschieden. Das Schichtsystem wurde zum Abschluß mit einer Aluminium-Kathode im Vakuum bedampft. Die Einsatzspannung für die Lichtemission lag bei 5 Volt.Was on a cleaned with ITO coated substrate an approximately 100 nm thick layer of the amino compound with the structural formula 1-2 evaporated in vacuo. On it was an approximately 60 nm thick layer consisting of aluminum tris (8-hydroxyquinolate) also by means of vacuum evaporation divorced. The layer system was completed with a Aluminum cathode vapor-deposited in vacuum. The threshold voltage for the light emission was 5 volts.
Auf einem gereinigten mit ITO beschichteten Substrat wurde eine etwa 150 nm dicke Schicht aus der Aminoverbindung mit der Strukturformel I-1 im Vakuum aufgedampft. Das Schichtsy stem wurde zum Abschluß mit einer Aluminium-Kathode im Vaku um bedampft. Die Einsatzspannung für die Lichtemission lag bei 3 Volt.Was on a cleaned with ITO coated substrate an approximately 150 nm thick layer of the amino compound with of the structural formula I-1 evaporated in vacuo. The Schichtsy stem was completed with an aluminum cathode in vacuum steamed. The threshold voltage for the light emission was at 3 volts.
Auf einem gereinigten mit ITO beschichteten Substrat wurde eine etwa 150 nm dicke Schicht aus der Aminoverbindung mit der Strukturformel I-2 im Vakuum aufgedampft. Das Schichtsystem wurde zum Abschluß mit einer Aluminium-Kathode im Vaku um bedampft. Die Einsatzspannung für die Lichtemission lag bei 3 Volt.Was on a cleaned with ITO coated substrate an approximately 150 nm thick layer of the amino compound with of the structural formula I-2 evaporated in vacuo. The shift system was completed with an aluminum cathode in vacuum steamed. The threshold voltage for the light emission was at 3 volts.
Auf einem gereinigten mit ITO beschichtetem Substrat wurde eine ca. 60 nm dicke Schicht aus einer 1%igen Lösung, be stehend aus der Aminoverbindung mit der Strukturformel III-3 und PVK im Verhältnis 1 : 1 aufgeschleudert (1000 U/min). Als Lösungsmittel wurde Dichlorethan eingesetzt. Darauf wurde eine etwa 60 nm dicke Schicht bestehend aus Aluminium-tris- (8-hydroxychinolat) mittels Vakuumverdampfung abgeschieden. Das Schichtsystem wurde zum Abschluß mit einer Magnesi um-Silber (10 : 1)-Kathode im Vakuum bedampft. Magnesium und Silber wurden aus thermisch geheizten Quellen ko-verdampft.On a cleaned ITO coated substrate was an approximately 60 nm thick layer of a 1% solution, be standing from the amino compound having the structural formula III-3 and PVK in the ratio 1: 1 spin-coated (1000 U / min). When Solvent was used dichloroethane. On it was an approximately 60 nm thick layer consisting of aluminum tris (8-hydroxyquinolate) deposited by vacuum evaporation. The layer system was completed with a Magnesi um-silver (10: 1) cathode vapor-deposited in vacuo. Magnesium and Silver was co-evaporated from thermally heated sources.
Die erreichten Lumineszenzwerte der erfindungsgemäßen Anord
nung mit einer Emitterschicht aus Alq3 sind in Tabelle 2 an
2 Beispielen erläutert:
The achieved luminescence values of the arrangement according to the invention with an emitter layer of Alq 3 are explained in Table 2 in two examples:
Die erfindungsgemäßen Anordnungen sind zur Herstellung von Einheiten zur Beleuchtung und zur Informationsdarstellung geeignet.The arrangements according to the invention are for the production of Units for lighting and information presentation suitable.
Selbstverständlich umfaßt die Erfindung neben den spezifi schen Ausgestaltungen auch die jedem Fachmann geläufigen Mo difikationen und Abänderungen derselben.Of course, the invention includes besides the spezi rule configurations also familiar to any expert Mo modifications and modifications thereof.
Claims (11)
wobei Ar11 und Ar12 gleich oder verschieden sein können und für die nachfolgende Gruppe von Arylverbindungen stehen:
in welchen R11 und R12 gleich oder verschieden sein können und für
Wasserstoff, gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10 Alkyl, Al koxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy substituiertes Phenyl, Aryl, Halogen oder Dialkylamino stehen,
und wobei R13 für gegebenenfalls substituiertes C2 bis C8 Alkyl, Alkoxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy- substituiertes Phenyl, Aryl, Dialkylthiolat, Diarylthiolat oder Dialkylamino steht,
wobei Ar21 und Ar22 für
steht
und in welcher R21 für
gegebenenfalls substituiertes C2 bis C10-Alkyl, Alkoxy, Phenoxy, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy-substituiertes Phenyl, Aryl, Aralykyl oder Dialkylamino steht,
wobei Ar31 für die nachfolgende Gruppe von Arylverbindungen steht:
wobei R31 und R32 gleich oder verschieden sein können und für
Wasserstoff, gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10 Alkyl, Alkoxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy-substituiertes Phenyl, Aralkyl, Aryl, Ha logen oder Dialkylamino stehen,
wobei Ar41 für
steht,
und wobei R41 für
gegebenenfalls substituiertes C1 bis C10 Alkyl, Alkoxy, Phenoxy, Phenyl, Alkyl-substituiertes Phenyl, Alkoxy substituiertes Phenyl, Aralkyl, Aryl, Halogen oder Dial kylamino steht.1. Aromatic tertiary amino compound A, characterized by one of the structural formulas I to IV,
wherein Ar 11 and Ar 12 may be the same or different and represent the following group of aryl compounds:
in which R 11 and R 12 may be the same or different and for
Hydrogen, optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aryl, halogen or dialkylamino,
and wherein R 13 represents optionally substituted C 2 to C 8 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aryl, dialkylthiolate, diarylthiolate or dialkylamino,
where Ar 21 and Ar 22 are for
stands
and in which R 21 for
optionally substituted C 2 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aryl, aralkyl or dialkylamino,
wherein Ar 31 is the following group of aryl compounds:
wherein R 31 and R 32 may be the same or different and for
Hydrogen, optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aralkyl, aryl, halogen or dialkylamino,
where Ar 41 is for
stands,
and where R 41 is for
optionally substituted C 1 to C 10 alkyl, alkoxy, phenoxy, phenyl, alkyl-substituted phenyl, alkoxy-substituted phenyl, aralkyl, aryl, halogen or Dial kylamino.
4. Electroluminescent devices according to claim 3, characterized in that the electroluminescent element contains a luminescent material L consisting of a compound of the general formula (VI):
worin M für ein Metall steht, n eine Zahl zwischen 1 und 3 ist und z die Wertigkeit des Metalles angibt und wobei R für Wasserstoff, gegebenenfalls substituiertes C1 bis C6 Alkyl, gegebenenfalls substituiertes Phenyl oder Halogen steht.6. Electroluminescent devices according to claim 5, characterized in that the luminescent material L is a compound of general formula (VI)
wherein M is a metal, n is a number between 1 and 3 and z indicates the valence of the metal and wherein R is hydrogen, optionally substituted C 1 to C 6 alkyl, optionally substituted phenyl or halogen.
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DE19704031A DE19704031A1 (en) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | Aromatic tertiary amine compounds with high glass transition temperature and efficient hole injection from indium-tin oxide |
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