DE19649650A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement - Google Patents

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspru­ ches 1. Sie bezieht sich insbesondere auf ein strahlungsemit­ tierendes Halbleiterbauelement mit mindestens einem eine Strahlung aussendenden Halbleiterkörper, einem einen ersten Kopfteil und ein erstes Anschlußbeinchen aufweisenden ersten elektrischen Anschlußteil, einem einen zweiten Kopfteil und ein zweites Anschlußbeinchen aufweisenden zweiten elektri­ schen Anschlußteil und mit einer Umhüllung, die, insbesonde­ re mittels einer Vergußtechnik, einstückig aus einem für die Strahlung zumindest teilweise durchlässigen Material, insbe­ sondere aus Kunststoff, hergestellt ist,
bei dem ein erster elektrischer Kontakt des Halbleiterkörpers mit dem ersten Kopfteil und ein zweiter elektrischer Kontakt des Halbleiterkörpers mit dem zweiten Kopfteil elektrisch leitend verbunden ist,
bei dem der Halbleiterkörper und das erste und das zweite Kopfteil von der Umhüllung umschlossen sind,
bei dem die Umhüllung eine Strahlungsaustrittsfläche und eine Grundfläche aufweist, die auf gegenüberliegenden Seiten der Umhüllung angeordnet sind, und
bei dem das erste und das zweite Anschlußbeinchen durch die Grundfläche hindurch aus der Umhüllung herausragen. Die Er­ findung bezieht sich insbesondere auf Infrarot-Strahlung aus­ sendende Halbleiterbauelemente (z. B. IR-Lumineszenzdioden) beispielsweise zur Verwendung in Infrarot-Fernsteuerungen von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern usw., für Gerätefernsteuerungen und für Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetieb und auf sichtbares Licht emit­ tierende Leuchtdioden.
Derartige Halbleiterbauelemente sind auf dem Markt verfügbar und beispielsweise in der Siemens-Broschüre "Lumineszenzdioden", Qualität und Zuverlässigkeit, Themen­ schrift 09.90, Herausgeber Siemens AG, Bereich Halbleiter, Marketing-Kommunikation, München, Januar 1991, und im Sie­ mens-Lieferprogramm 07.94 "Optohalbleiter und Sensoren", Her­ ausgeber Siemens AG, Bereich Halbleiter, Marketing-Kommunikation, München, Seiten 18-33 beschrieben. Die Mon­ tage derartiger Halbleiterbauelemente auf einer Leiterplatte einer Schaltungsanordnung erfolgt mittels Durchstecken der als Lötspieße ausgebildeten Anschlußteile durch Bohrungen in der Leiterplatte und anschließendem Löten. Aufgrund der Tat­ sache, daß heutzutage nahezu alle anderen elektronischen Bauteile oberflächenmontierbar ausgebildet sind, erfordert dies jedoch einen besonders hohen zusätzlichen Montageauf­ wand.
Die Oberflächenmontage, die auch unter der Bezeichnung SMT(Surface Mounted Technology)-Montage bekannt ist, ist eine in der Halbleitertechnik geläufige Befestigungsmethode für Halbleiterbauelemente und wird von daher an dieser Stelle nicht mehr näher erläutert.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement der eingangs ge­ nannten Art zu entwickeln, das oberflächenmontierbar ausge­ bildet ist. Ziel ist insbesondere, ein kostengünstiges ober­ flächenmontierbares Halbleiterbauelement der eingangs genann­ ten Art zur Verfügung zu stellen, das mit einer zusätzlichen Optik für die ausgesandte Strahlung ausgestattet ist und eine hohe Strahlstärke bei minimalem akzeptablen Halbwinkel von 15 bis 20° aufweist.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 oder des Patentanspruches 8 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Halbleiterbauelemente sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 7 bzw. 9 bis 11.
Erfindungsgemäß ist bei dem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art insbesondere vorgesehen, daß an der Umhüllung eine zur Grundfläche geneigte, insbesondere senkrecht stehen­ de, im Wesentlichen ebene Leiterplattenauflagefläche ausge­ bildet ist, daß das erste Anschlußbeinchen eine erste Löt­ fläche und das zweite Anschlußbeinchen eine zweite Lötfläche aufweist, die im Wesentlichen mit der Leiterplattenauflage­ fläche in einer gemeinsamen Ebene liegen, und daß die ge­ meinsame Ebene und eine optische Achse des Halbleiterkörpers einen spitzen Winkel einschließen oder parallel verlaufen. Das von der Umhüllung und den elektrischen Anschlußteilen ausgebildete Gehäuse ist somit auf einer Leiterplatte auf einfache Weise oberflächenmontierbar. Die Lötflächen und die Leiterplattenauflagefläche gewährleisten eine stabile Auflage des Bauelements auf der Leiterplatte.
Mit "im Wesentlichen mit der Leiterplattenauflagefläche in einer gemeinsamen Ebene liegen" ist zum Ausdruck gebracht, daß die Lötflächen auch geringfügig versetzt zur Leiterplat­ tenauflagefläche angeordnet sein können. Es muß trotz Versatz eine sichere Kontaktierung der Anschlußbeinchen auf zugehöri­ gen Leiterbahnen der Leiterplatte gewährleistet sein. Zur Montage des Halbleiterbauelements auf eine Leiterplatte wer­ den an sich bekannte SMT-Verfahren eingesetzt. Beispielsweise werden zunächst die Umhüllung mit der Leiterplattenauflage­ fläche auf die Leiterplatte geklebt und anschließend die An­ schlußbeinchen auf die zugehörigen Leiterbahnen gelötet.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements liegen vorteilhafterweise das erste und das zweite Kopfteil auf einer Ebene, die ver­ setzt, insbesondere parallelverschoben zur Leiterplattenauf­ lagefläche angeordnet ist und weist das erste und das zweite Anschlußbeinchen je eine S-förmige Biegung auf. Diese Bie­ gung ist derart ausgebildet, daß die erste und die zweite Lötfläche und die Leiterplattenauflagefläche im Wesentlichen in der gemeinsamen Ebene liegen. Die Leiterplattenauflageflä­ che ist hierbei insbesondere durch eine seitliche Abflachung der Umhüllung hergestellt. Ein derartiges erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement läßt sich auf einfache Weise auf der Oberseite einer Leiterplatte stabil aufsetzen und befestigen.
Bei einer anderen besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist vorgesehen, daß die Leiterplattenauflagefläche durch eine oder zwei seitliche Einbuchtung/en in der Umhüllung ausgebildet ist, daß die An­ schlußbeinchen gerade ausgebildet sind und daß je eine die jeweilige Lötfläche aufweisende Seitenfläche des ersten und des zweiten Anschlußbeinchens und die Leiterplattenauflage­ fläche im Wesentlichen in der gemeinsamen Ebene liegen. Bei zwei seitlichen Einbuchtungen sind diese insbesondere auf einander gegenüberliegenden Seiten der Umhüllung angeordnet.
Eine entsprechende Leiterplatte, auf die ein derartiges er­ findungsgemäßes Halbleiterbauelement montiert werden kann, weist eine Ausnehmung auf, in der die Umhüllung teilweise versenkt wird. Diese Bauweise erlaubt vorteilhafterweise den Aufbau einer Leiterplatte mit besonders geringer Bauhöhe.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements sowie der bevorzugten Ausführungsformen weist die Umhüllung zusätzlich eine der Leiterplattenauflage­ fläche gegenüberliegende ebene Ansaugfläche auf. Dies hat insbesondere den Vorteil, daß das erfindungsgemäße Halblei­ terbauelement mittels herkömmlicher Bestückautomaten mit Saug-Pipette auf die Leiterplatte aufgesetzt werden kann.
Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes und der bevorzugten Ausführungsformen weist vorteilhafterweise eine Umhüllung auf, bei der die Strahlungsaustrittsfläche derart gekrümmt ist, daß sie für die vom Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung als Linse wirkt. Insbesondere ist vorgesehen, daß die Umhüllung auf der der Grundfläche gegenüberliegenden Seite mit einer Lin­ senkappe versehen ist, die eine gekrümmte Strahlungsaus­ trittsfläche aufweist und deren optische Achse mit der opti­ schen Achse des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers zu­ sammenfällt. Durch eine derartige Ausgestaltung kann vorteil­ hafterweise eine sehr hohe Strahlstärke des Halbleiterbauele­ ments erreicht werden.
Die Umhüllung einer weiterhin bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements weist vorteilhafter­ weise gleichzeitig zwei eine erste Leiterplattenauflagefläche ausbildende seitliche Einbuchtungen und eine eine zweite Lei­ terplattenauflagefläche ausbildende seitliche Abflachung auf, wobei die erste oder die zweite Leiterplattenauflagefläche und die erste und die zweite Lötfläche des ersten bzw. des zweiten Anschlußbeinchens im Wesentlichen in einer gemeinsa­ men Ebene liegen. Dies hat den Vorteil, daß Halbleiterbau­ elemente mit ein und derselben Umhüllung optional auf eine Leiterplatte mit Ausnehmung für die Umhüllung oder auf eine ebene Leiterplatte montiert werden können.
Eine weitere Lösung der Aufgabe besteht darin, daß das erste und das zweite Anschlußbeinchen außerhalb der Umhüllung eine U-förmige Biegung aufweisen, derart, daß Teillängen der Anschlußbeinchen entlang der Umhüllung in Richtung Strahlungs­ austrittsfläche verlaufen und daß im Bereich der Teillängen jeweils eine Seitenfläche des ersten Anschlußbeinchens und des zweiten Anschlußbeinchens in einer gemeinsamen Ebene liegen.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung dieses erfindungsgemä­ ßen Halbleiterbauelements weist die Umhüllung vorteilhafter­ weise auf ihrer der gemeinsamen Ebene gegenüberliegenden Sei­ te eine Ansaugfläche auf.
Des weiteren kann die Umhüllung auch auf der Seite, auf der die Anschlußbeinchen verlaufen, eine Abflachung aufweisen, um vorteilhafterweise die Bauhöhe des Halbleiterbauelements zu verringern.
Die erfindungsgemäßen Halbleiterbauelemente werden im folgen­ den anhand von vier Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 11 näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Seitenansicht ei­ nes ersten Ausführungsbeispieles eines erfindungsge­ mäßen Halbleiterbauelements,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer weiteren Seiten­ ansicht des ersten Ausführungsbeispieles von der in Fig. 1 durch den Pfeil A angegebenen Seite,
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf die Grundfläche des ersten Ausführungsbeispieles,
Fig. 4 eine schematische Schnittdarstellung des ersten Aus­ führungsbeispieles entlang der in Fig. 1 eingezeich­ neten Linie B-B,
Fig. 5 eine schematische Darstellung einer Seitenansicht ei­ nes zweiten Ausführungsbeispieles eines erfindungsge­ mäßen Halbleiterbauelements,
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer weiteren Seiten­ ansicht des zweiten Ausführungsbeispieles von der in Fig. 5 durch den Pfeil C angegebenen Seite,
Fig. 7 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf die Grundfläche des zweiten Ausführungsbeispieles,
Fig. 8 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf die Grundfläche eines dritten Ausführungsbeispieles,
Fig. 9 eine schematische Seitenansicht eines auf eine Lei­ terplatte montierten erfindungsgemäßen Halbleiterbau­ elements gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel und
Fig. 10 eine schematische Ansicht eines auf eine Leiterplat­ te montierten erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel,
Fig. 11 eine schematische Darstellung einer Seitenansicht eines vierten Ausführungsbeispieles.
Bei dem Halbleiterbauelement der Fig. 1 bis 4 sind ein er­ stes Kopfteil 5 eines ersten Anschlußteiles 3 und ein zwei­ tes Kopfteil 6 eines zweiten Anschlußteiles 4 von einer ein­ stückig ausgebildeten, einen Grundkörper 9 und eine Linsen­ kappe 23 aufweisenden Kunststoffumhüllung 1 umschlossen. Die Anschlußteile 3, 4 bestehen aus einem elektrisch leitenden Material, zum Beispiel aus einem herkömmlich für Leadframes verwendeten Metall. Ein erstes Anschlußbeinchen 7 des ersten Anschlußteiles 3 und ein zweites Anschlußbeinchen 8 des zweiten Anschlußteiles 4 ragen ausgehend von dem jeweils zu­ gehörigen Kopfteil 5, 6 durch eine ebene Grundfläche 13 des Grundkörpers 9 hindurch aus der Kunststoffumhüllung 1 heraus. Am ersten Kopfteil 5 ist eine Reflektorwanne 22 mit einer Chipträgerfläche 19 ausgebildet, auf der ein eine Strahlung aussendender Halbleiterkörper 2, z. B. ein IR-Lumineszenzdiodenchip oder ein sichtbares Licht abstrahlender Leuchtdiodenchip, angeordnet ist. Die Kunststoffumhüllung 1 ist aus einem für die Strahlung zumindest teilweise durchläs­ sigen Kunststoff, z. B. Epoxidharz, beispielsweise mittels einer Vergußtechnik gefertigt. Dem Kunststoff können Diffu­ sorteilchen oder Lumineszenzkonversionsstoffe zugesetzt sein, die die Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauelements bzw. die Farbe des abgestrahlten Lichtes beeinflussen.
Der Halbleiterkörper 2 weist an seiner Chiprückseite eine Rückseitenkontaktmetallisierung 10 und an seiner Chipvorder­ seite eine Vorderseitenkontaktmetallisierung 11 auf, die in üblicher Weise mittels eines metallischen Lotes bzw. mittels eines Bonddrahtes 20 mit der Chipmontagefläche 19 bzw. mit dem zweiten Kopfteil 6 elektrisch leitend verbunden sind.
Die Linsenkappe 23 ist auf einer der Grundfläche 13 gegen­ überliegenden Seite des Grundkörpers 9 angeordnet und liegt in der Strahlungsrichtung des strahlungsemittierenden Halb­ leiterkörpers 2. Die Linsenkappe 23 kann eine sphärische oder asphärische oder auch eine mit verschiedenartig gekrümmten Bereichen versehene Strahlungsaustrittsfläche 12 aufweisen. Der parallel zur Grundfläche 13 liegende Querschnitt des Grundkörpers 9 ist im Wesentlichen kreisförmig ausgebildet, kann aber prinzipiell auch jede beliebige andere Form aufwei­ sen. Die optischen Achsen des strahlungsemittierenen Halblei­ terkörpers 2 und der Linsenkappe 23 liegen aufeinander. Die Position des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers 2 in der Kunststoffumhüllung 1 ist derart gewählt, daß im Wesent­ lichen die gesamte vom Halbleiterkörper 2 ausgesandte Strah­ lung durch die Strahlungsaustrittsfläche 12 der Linsenkappe 23 hindurch aus der Kunststoffumhüllung 1 ausgekoppelt wird.
Des weiteren besitzt die Kunststoffumhüllung 1 zwei einander gegenüberliegende, parallel zur optischen Achse des Halblei­ terkörpers 2 liegende Gehäuseabflachungen, von denen die eine eine Ansaugfläche 18 und die andere eine Leiterplattenaufla­ gefläche 14 darstellt. Etwa in der Mitte zwischen diesen bei­ den Gehäuseabflachungen ragen die Anschlußbeinchen 7, 8 durch die Grundfläche 13 hindurch aus der Kunststoffumhüllung 1 heraus. Außerhalb der Kunststoffumhüllung 1 sind die An­ schlußbeinchen 7, 8 zunächst um 90° in Richtung Leiterplat­ tenauflagefläche 14 und im weiteren Verlauf um 90° in ihre ursprüngliche Erstreckungsrichtung zurückgebogen, weisen also eine S-förmige Biegung 28 auf, so daß von jedem Anschlußbeinchen 7, 8 ein Teilbereich einer Seitenfläche, die im weiteren mit erster und zweiter Lötfläche 15, 16 bezeichnet sind, annähernd in derselben Ebene 17 liegen, wie die Leiter­ plattenauflagefläche 14 der Kunststoffumhüllung 1. Die opti­ sche Achse 24 des Halbleiterbauelements verläuft demzufolge im Wesentlichen parallel zu dessen durch die Leiterplatten­ auflagefläche 14 und die Lötflächen 15, 16 definierten Monta­ geebene.
Das in den Fig. 5 bis 7 schematisch dargestellte Ausfüh­ rungsbeispiel des erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements unterscheidet sich von dem oben be­ schriebenen insbesondere dadurch, daß die Anschlußbeinchen 7, 8 außerhalb der Kunststoffumhüllung 9 geradlinig verlau­ fen, also keine Biegung aufweisen und im Wesentlichen auf ein und derselben Ebene liegen und daß am Grundkörper 9 der Kunststoffumhüllung 9 als Leiterplattenauflagefläche, anstel­ le einer Abflachung, auf einander gegenüberliegenden Seiten zwei senkrecht zur Grundfläche 13 stehende Einbuchtungen 25 vorgesehen sind. Durch diese Einbuchtungen 25 sind senkrecht zur Grundfläche 13 stehende und im Wesentlichen mit den An­ schlußbeinchen 7, 8 in einer gemeinsamen Ebene 17 liegende, sich über die gesamte Länge des Grundkörpers 9 erstreckende, ebene Flächen 26 ausgebildet sind.
Ein derart ausgestaltetes Halbleiterbauelement ist, wie in Fig. 10 gezeigt, für die Montage auf eine Leiterplatte 21 mit einer Ausnehmung 27 zur Versenkung der Kunststoffumhül­ lung 1 vorgesehen. Die ebenen Flächen 26 bilden die Leiter­ plattenauflagefläche und liegen am Rand der Ausnehmung 27 auf der Leiterplatte 21 auf. Die Anschlußbeinchen 7, 8 liegen ebenfalls auf der Leiterplatte 21 auf und sind z. B. mittels eines metallischen Lotes mit Leiterbahnen 29 verbunden. Diese Montageart gewährleistet vorteilhafterweise eine sehr geringe Aufbauhöhe der entsprechenden Schaltungsanordnung bei gleich­ zeitig einfacher Geometrie der Leiterplatte 21.
Das in Verbindung mit den Fig. 1 bis 4 beschriebene Aus­ führungsbeispiel eignet sich demgegenüber, wie in Fig. 9 ge­ zeigt, für die Montage auf einer ebenen Leiterplatte 21, wo­ bei die Strahlrichtung SR des Halbleiterbauelementes parallel zur Leiterplattenoberseite 30 verläuft.
Der Grundkörper 9 der Kunststoffumhüllung 1 kann, wie in Fig. 8 gezeigt, gleichzeitig sowohl eine Leiterplattenauflage­ fläche 14 gemäß dem zuerst in Verbindung mit den Fig. 1 bis 4 beschriebenen Ausführungsbeispiel als auch zwei mittels seitlichen Einbuchtungen 25 ausgebildete ebene Flächen 26 ge­ mäß dem anschließend in Verbindung mit den Fig. 5 bis 7 beschriebenen Ausführungsbeispiel aufweisen. Dies bringt den Vorteil mit sich, daß das entsprechende erfindungsgemäße Halbleiterbauelement, ohne die Kunststoffumhüllung 1 verän­ dern zu müssen, wahlweise auf die in Fig. 9 gezeigte oder auf die in Fig. 10 gezeigte Art und Weise auf einer entspre­ chenden Leiterplatte 21 montiert werden kann. Je nach vorge­ sehener Montageart sind die Anschlußbeinchen 7, 8 entweder gerade zu belassen oder mit entsprechenden Biegungen 28 gemäß dem zuerst beschriebenen Ausführungsbeispiel zu versehen.
Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement nach Fig. 11 sind die Anschlußbeinchen 7, 8 außerhalb der Kunststoffum­ hüllung 1 zweimal um 90° in dieselbe Richtung gebogen, so daß jeweils ein Teilstück beider Anschlußbeinchen 7, 8 ent­ lang des Grundkörpers 9 in Richtung Linsenkappe 23 verläuft und die von der Kunststoffumhüllung 1 abgewandten Seitenflä­ chen dieser Teilstücke im Wesentlichen in einer gemeinsamen Ebene liegen. Zur Montage dieses Halbleiterbauelements auf eine Leiterplatte 21 wird es mit diesen Seitenflächen auf die Leiterplatte 21 gestellt und nachfolgend mittels eines elek­ trisch leitenden Verbindungsmittels 31, beispielsweise ein metallisches Lot, auf dieser befestigt.
Auch bei diesem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement weist die Kunststoffumhüllung 1 auf ihrer der Leiterplatte 21 abge­ wandten Seite eine Ansaugfläche 18 auf. Des weiteren kann die Kunststoffumhüllung 1 auch auf der der Leiterplatte 21 zuge­ ordneten Seite eine Abflachung aufweisen, um die Bauhöhe des Halbleiterbauelements zu verringern.
Die oben beschriebenen erfindungsgemäßen Gehäusebauformen lassen sich, versehen mit einem geeigneten IR-lumineszierenden Halbleiterkörper in besonders vorteilhafter Weise in IR-Fernsteuerungen und in Lichtschranken einsetzen. Ebenso ist sie vorteilhafterweise für sichtbares Licht ab­ strahlende oder UV-Strahlung aussendende Halbleiterbauelemen­ te geeignet. Der Montageaufwand für die erfindungsgemäßen Halbleiterbauelemente ist gegenüber herkömmlichen strahlungs­ emittierenden Halbleiterbauelementen mit sogenannter Ra­ dialbauform deutlich reduziert.
Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die oben be­ schriebenen Ausführungsbeispiele eingeschränkt, sondern um­ faßt alle möglichen sich für den Fachmann aus obiger Be­ schreibung ergebenden Gehäusebauformen mit den in den Ansprü­ chen angegebenen oder hierzu gleichwirkenden Merkmalen. Bei­ spielsweise können die Anschlußbeinchen 7, 8 auch derart aus­ gebildet sein, daß sie nicht parallel sondern senkrecht zur optischen Achse 24 des Halbleiterbauelements verlaufend aus der Umhüllung 9 herausragen. Die Anschlußbeinchen 7, 8 ragen dann seitlich aus dem Grundkörper 9 heraus.
Bezugszeichenliste
1
Umhüllung
2
Strahlung aussendender Halbleiterchip
3
erstes elektrisches Anschlußteil
4
zweites elektrisches Anschlußteil
5
erstes Kopfteil
6
zweites Kopfteil
7
erstes Anschlußbeinchen
8
zweites Anschlußbeinchen
9
Grundkörper
10
erster elektrischer Kontakt
11
zweiter elektrischer Kontakt
12
Strahlungsaustrittsfläche
13
Grundfläche
14
Leiterplattenauflagefläche
15
erste Lötfläche
16
zweite Lötfläche
17
gemeinsame Ebene
18
Ansaugfläche
19
Chipmontagefläche
20
Bonddraht
21
Leiterplatte
22
Reflektorwanne
23
Linsenkappe
24
Optische Achse
25
Einbuchtung
26
ebene Fläche
27
Ausnehmung
28
S-förmige Biegung
29
Leiterbahn
30
Leiterplattenoberseite
31
Verbindungsmittel

Claims (11)

1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit minde­ stens einem eine Strahlung aussendenden Halbleiterkörper (2), einem ein erstes Kopfteil (5) und ein erstes Anschlußbeinchen (7) aufweisenden ersten elektrischen Anschlußteil (3), einem ein zweites Kopfteil (6) und ein zweites Anschlußbeinchen (8) aufweisenden zweiten elektrischen Anschlußteil (4) und mit einer Umhüllung (1), die aus einem für die Strahlung zumindest teilweise durchlässigen Material hergestellt ist, bei dem elektrische Kontakte (10, 11) des Halbleiterkörpers (2) mit dem ersten Kopfteil (5) bzw. mit dem zweiten Kopfteil (6) elektrisch leitend verbunden sind,
bei dem der Halbleiterkörper (2) und das erste (5) und das zweite Kopfteil (6) von der Umhüllung (1) umschlossen sind, bei dem die Umhüllung (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (12) und eine Grundfläche (13) aufweist, und
bei dem das erste und das zweite Anschlußbeinchen (7, 8) durch die Grundfläche (13) hindurch aus der Kunststoffumhül­ lung (1) herausragen, dadurch gekennzeichnet,
daß an der Umhüllung (1) mindestens eine zur Grundfläche (13) geneigte, im Wesentlichen ebene Leiterplattenauflageflä­ che (14, 26) vorgesehen ist,
daß das erste Anschlußbeinchen (7) eine erste Lötfläche (15) und das zweite Anschlußbeinchen (8) eine zweite Lötflä­ che (16) aufweist, die im Wesentlichen mit der Leiterplatten­ auflagefläche (14, 26) in einer gemeinsamen Ebene (17) lie­ gen, und
daß die gemeinsame Ebene (17) und eine optische Achse (24) des Halbleiterbauelements einen spitzen Winkel einschließen oder parallel verlaufen.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und das zweite Kopfteil (5, 6) auf einer Ebene liegen, die versetzt, insbesondere parallelverschoben zur Leiterplattenauflagefläche (14) angeordnet ist und daß das erste und das zweite Anschlußbeinchen (7, 8) je eine S-förmige Biegung (28) aufweisen.
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplattenauflagefläche (26) durch eine oder zwei seitliche Einbuchtung/en (25) in der Umhüllung ausgebildet ist, daß die Anschlußbeinchen (7, 8) gerade ausgebildet sind und daß je eine die jeweilige Lötfläche (15, 16) aufweisende Seitenfläche des ersten und des zweiten Anschlußbeinchens (7, 8) und die Leiterplattenauflagefläche (26) im Wesentlichen in der gemeinsamen Ebene (17) liegen.
4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (1) zusätzlich eine der Leiterplattenauf­ lagefläche (14, 26) gegenüberliegende ebene Ansaugfläche (18) aufweist.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (1) auf der der Grundfläche (13) gegen­ überliegenden Seite mit einer Linsenkappe (23) versehen ist, die eine gekrümmte Strahlungsaustrittsfläche (12) aufweist und deren optische Achse mit der optischen Achse (24) des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (2) zusammenfällt.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit minde­ stens einem eine Strahlung aussendenden Halbleiterkörper (2), einem einen ersten Kopfteil (5) und ein erstes Anschlußbeinchen (7) aufweisenden ersten elektrischen Anschlußteil (3), einem einen zweiten Kopfteil (6) und ein zweites Anschluß­ beinchen (8) aufweisenden zweiten elektrischen Anschlußteil (4) und mit einer Umhüllung (1), die einstückig aus einem für die Strahlung zumindest teilweise durchlässigen Material her­ gestellt ist,
bei dem ein erster elektrischer Kontakt (10) des Halbleiter­ körpers (2) mit dem ersten Kopfteil (5) und ein zweiter elek­ trischer Kontakt (11) des Halbleiterkörpers (2) mit dem zwei­ ten Kopfteil (6) elektrisch leitend verbunden ist,
bei dem der Halbleiterkörper (2) und das erste (5) und das zweite Kopfteil (6) von der Umhüllung (1) umschlossen sind,
bei dem die Umhüllung (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (12) und eine Grundfläche (13) aufweist, die auf gegenüberliegenden Seiten der Umhüllung (1) angeordnet sind, und
bei dem das erste und das zweite Anschlußbeinchen (7, 8) durch die Grundfläche (13) hindurch aus der Kunststoffumhül­ lung (1) herausragen, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kunststoffumhüllung (1) gleichzeitig mit zwei eine erste Leiterplattenauflagefläche (26) ausbildenden seitlichen Einbuchtungen (25) und einer eine zweite Leiterplattenaufla­ gefläche (14) ausbildenden seitlichen Abflachung versehen ist und daß das erste Anschlußbeinchen (7) eine erste Lötfläche (15) und das zweite Anschlußbeinchen (8) eine zweite Lötflä­ che (16) aufweist, die im Wesentlichen mit der ersten (26) oder mit der zweiten Leiterplattenauflagefläche (14) in einer gemeinsamen Ebene (17) liegen, so daß das von der Umhüllung (1) und den elektrischen Anschlußteilen (3, 4) ausgebildete Gehäuse auf einer Leiterplatte (21) oberflächenmontierbar ist.
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundfläche (13) und die und die Strahlungsaustritts­ fläche (12) auf gegenüberliegenden Seiten der Umhüllung (1) angeordnet sind.
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit minde­ stens einem eine Strahlung aussendenden Halbleiterkörper (2), einem einen ersten Kopfteil (5) und ein erstes Anschlußbeinchen (7) aufweisenden ersten elektrischen Anschlußteil (3), einem einen zweiten Kopfteil (6) und ein zweites Anschlußbeinchen (8) aufweisenden zweiten elektrischen Anschlußteil (4) und mit einer Umhüllung (1), die einstückig aus einem für die Strahlung zumindest teilweise durchlässigen Material her­ gestellt ist,
bei dem ein erster elektrischer Kontakt (10) des Halbleiter­ körpers (2) mit dem ersten Kopfteil (5) und ein zweiter elek­ trischer Kontakt (11) des Halbleiterkörpers (2) mit dem zwei­ ten Kopfteil (6) elektrisch leitend verbunden ist,
bei dem der Halbleiterkörper (2) und das erste (5) und das zweite Kopfteil (6) von der Umhüllung (1) umschlossen sind,
bei dem die Umhüllung (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (12) und eine Grundfläche (13) aufweist, die auf einander gegen­ überliegenden Seiten der Umhüllung (1) angeordnet sind, und bei dem das erste und das zweite Anschlußbeinchen (7, 8) durch die Grundfläche (13) hindurch aus der Kunststoffumhül­ lung (1) herausragen, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und das zweite Anschlußbeinchen (7, 8) außerhalb der Umhüllung (1) eine U-förmige Biegung aufweisen, derart, daß Teillängen der Anschlußbeinchen (7, 8) entlang der Um­ hüllung (1) in Richtung Strahlungsaustrittsfläche (12) ver­ laufen und daß im Bereich der Teillängen jeweils eine Sei­ tenfläche des ersten Anschlußbeinchens (7) und des zweiten Anschlußbeinchens (8) in einer gemeinsamen Ebene (17) lie­ gen.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (1) auf ihrer der gemeinsamen Ebene (17) gegenüberliegenden Seite eine Ansaugfläche (18) aufweist.
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (1) auf ihrer der gemeinsamen Ebene (17) zugewand­ ten Seite eine Abflachung aufweist.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (1) auf der der Grundfläche (13) gegen­ überliegenden Seite mit einer Linsenkappe (23) versehen ist, die eine gekrümmte Strahlungsaustrittsfläche (12) aufweist und deren optische Achse mit der optischen Achse (24) des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (2) zusammenfällt.
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