DE19648080A1 - Verfahren zur Herstellung von 3D-MID-Prototypenteilen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von 3D-MID-PrototypenteilenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen
enthaltenden 3D-MID-Prototypenteilen nach dem
Rapid-Prototyping-Verfahren.
Nach dem Stand der Technik werden elektrische und elektronische
Schaltungen hergestellt, indem man auf ebenen Platinen gedruckte
Schaltungen aufbringt. Hierbei wird z. B. eine Kupferkaschierung maskiert
und anschließend so geätzt, daß die notwendigen Leiterbahnen zur
Verbindung der elektronischen oder elektrischen Bauelemente entstehen.
Eine Weiterentwicklung dieser Technik beinhaltet die dreidimensionale
Ausführung der Leiterbahnen auf den Funktionsobjekten selber. Auf diese
Art und Weise wird eine separate Leiterplatte eingespart und damit
insgesamt eine Platzersparnis erreicht.
Hierbei werden die vorgesehenen Leiterbahnen im Computer
gestützten Design (CAD) dreidimensional konstruiert. Ebenso wird das
eigentliche Objekt, z. B. eine Kennzeichenbeleuchtung, dreidimensional
konstruiert. Dabei bedeutet 3D-MID: 3-dimensional molded interconnect
devices.
In der Serienfertigung wird die Leiterbahngeometrie aus Material A
und die Objektgeometrie aus Material B im Zwei-Komponenten
Spritzverfahren hergestellt. Dabei liegen die Leiterbahnen an der Oberfläche
des Objekts. Das Leiterbahnenmaterial A wird nach bekanntem Verfahren,
wie z. B. mit Metall-Vakuumbedampfung oder elektrochemischer
Beschichtung mit einer Metallschicht versehen, während das Material B
aufgrund anderen chemischen Verhaltens bei diesem Prozeß kein Metall
annimmt und daher unbeschichtet bleibt. Diese in der Praxis verfügbaren
Verfahren haben einen für die industrielle Anwendung ausreichenden Stand
erreicht.
Zur Herstellung von Prototypen während der Entwicklungsphase
solcher Objekte hat sich in den letzten Jahren das Rapid-Prototyping-Verfahren
fest auf dem Markt etabliert. Dabei wird das Urmodell nach
einem Schicht-Bauprozeß aus Polyurethan oder Epoxidharz hergestellt. Mit
diesem Urmodell wird eine Silkonkautschukform hergestellt, mit der im
Kunststoffvakuumgießverfahren die Prototypen-Kleinserie gefertigt wird.
Auch diese Technik ist in der industriellen Praxis gut eingeführt.
Jedoch lassen sich nach diesem letztgenannten Verfahren keine
3D-MID-Prototypenteile zufriedenstellend herstellen. Anders als im
Serienverfahren, bei dem Thermoplasten eingesetzt werden, werden bei der
Herstellung von Prototypen im Vakuumgießverfahren hauptsächlich
Polyurethanmaterialien eingesetzt. Diese lassen sich jedoch im Gegensatz
zu Thermoplasten nur unzureichend oder gar nicht zur Herstellung der
elektrischen/elektronischen Schaltungen im Tauchbad selektiv metallisieren.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, bei einem Verfahren
der eingangs genannten Gattung unter Verwendung von Objekten aus
Polyurethanmaterialien Leiterbahnen enthaltende 3D-MID-Prototypenteile
herzustellen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man ein
Urmodell der Leiterbahngeometrie zusammen mit einer Stützgeometrie
erzeugt, dieses in einer ersten Silikonkautschukform im
Vakuumgießverfahren aus Polyurethan-Kunststoff vervielfältigt und nach
üblichen Verfahren metallisch beschichtet und die Leiterbahngeometrie
nach Entfernen der Stützgeometrie in eine zweite Silikonkautschukform für
das Objekt einbringt und darin das Prototypenteil aus
Polyurethan-Kunststoff im Vakuumgießverfahren fertigstellt.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können erstmals Leiterbahnen
enthaltende 3D-MID-Prototypenteile nach dem Rapid-Prototyping-Verfahren
aus Polyurethan hergestellt werden. Da die Leiterbahngeometrie und das
Objekt in zwei verschiedenen Schritten erzeugt werden, ist es
erfindungsgemäß möglich, beide aus dem gleichen Polyurethan
herzustellen. Andererseits können Leiterbahnen und Objekt auch aus
verschiedenen Polyurethanen erzeugt werden.
Das Urmodell kann nach einem bevorzugten Verfahren schichtweise mittels
Stereolithographie hergestellt werden. Dies ist ein Verfahren, nach dem
computergestütztes Design schnell und mit hoher Präzision zu einem
Urmodell führt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird die vervielfältigte
Leiterbahngeometrie mittels Vakuumbedampfung metallisch beschichtet.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird die metallisch
beschichtete Leiterbahngeometrie anschließend galvanisch verstärkt.
Hierdurch wird ihre Zuverlässigkeit und ihr Gebrauchswert erhöht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die Leiterbahngeometrie
anschließend verzinnt. Dies dient zur Verbesserung der Lötbarkeit.
Insgesamt wird nach dem erfindungsgemäßen Verfahren die
Herstellung von Prototypen unter Anwendung an sich bekannter
Verfahrensschritte beschleunigt und verbilligt. Erstmals wird die
Verwendung von Polyurethan damit bei der Herstellung von
3D-MID-Prototypenteilen technisch realisierbar.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen enthaltenden
3D-MID-Prototypenteilen nach dem Rapid-Prototyping Verfahren dadurch
gekennzeichnet, daß man
- 1. ein Urmodell der Leiterbahnengeometrie zusammen mit eine Stützgeometrie erzeugt, dieses in einer ersten Silikonkautschukform im Vakuumgießverfahren aus Polyurethan-Kunststoff vervielfältigt und nach üblichen Verfahren metallisch beschichtet und
- 2. die Leiterbahngeometrie, gegebenenfalls nach Entfernen der Stützgeometrie, in eine zweite Silikonkautschukform für das Objekt einbringt und darin das Prototypenteil aus Polyurethan-Kunststoff im Vakuumgießverfahren fertigstellt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß nach
Fertigstellung des Prototypenteils die Stützgeometrie entfernt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man für die Leiterbahn und das Objekt das gleiche Polyurethan verwendet.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man für die Leiterbahn und das Objekt verschiedene Polyurethane
verwendet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß man das Urmodell mittels Stereolithographie erzeugt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß man die vervielfältigte Leiterbahngeometrie mittels
Vakuumbedampfung metallisch beschichtet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet daß man die vervielfältigte Leiterbahngeometrie
elektrochemisch mit Metall beschichtet.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet daß
man die mit Metall beschichtete Leiterbahngeometrie durch galvanischen
Überzug verstärkt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß man die Leiterbahngeometrie anschließend verzinnt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19648080A DE19648080A1 (de) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Verfahren zur Herstellung von 3D-MID-Prototypenteilen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19648080A DE19648080A1 (de) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Verfahren zur Herstellung von 3D-MID-Prototypenteilen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19648080A1 true DE19648080A1 (de) | 1998-05-28 |
Family
ID=7812272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19648080A Withdrawn DE19648080A1 (de) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Verfahren zur Herstellung von 3D-MID-Prototypenteilen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19648080A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7260233B2 (en) | 2002-07-10 | 2007-08-21 | Oticon A/S | Hearing aid or similar audio device and method for producing a hearing aid |
DE102008024885A1 (de) | 2008-05-23 | 2009-12-17 | Rohde & Schwarz Messgerätebau GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Leiterplatten |
EP2457719A1 (de) | 2010-11-24 | 2012-05-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Verbindungsstruktur und Herstellungsverfahren dafür |
-
1996
- 1996-11-20 DE DE19648080A patent/DE19648080A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
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WO2012070938A2 (en) | 2010-11-24 | 2012-05-31 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Interconnect structure and method for producing same |
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