DE19629094C2 - Device and method for wire contacting using the surface treatment device - Google Patents

Device and method for wire contacting using the surface treatment device

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Description

Die Erfindung betrifft ein Oberflächenbehandlungsgerät zum Ausführen einer Oberflächenbehandlung von Elektroden eines Gegenstandes, wie etwa einer Platte oder eines elektronischen Bauteils, und sie bezieht sich ferner auf ein Drahtkontaktie­ rungsgerät zum Kontaktieren eines elektrisch leitfähigen Drahtes mit Elektroden auf mit diesem Oberflächenbehand­ lungsgerät behandelten Plattenoberflächen.The invention relates to a surface treatment device for performing surface treatment of electrodes Item, such as a disk or electronic Component, and it also relates to a wire contact Rungsgerät for contacting an electrically conductive Wire with electrodes on with this surface treatment device treated plate surfaces.

Im Hinblick auf Konstruktionen von elektronischen Ausrü­ stungsteilen mit geringer Größe wurde Techniken zum Anbringen elektronischer Teile auf einer mit einem eine hohe Dichte auf­ weisenden Schaltungsmuster versehenen Leiterbahnplatte Auf­ merksamkeit geschenkt. Bei einer dieser Techniken wird ein freiliegender Halbleiterchip direkt auf der Platte angebracht oder angeordnet und dann wird dieser Halbleiterchip mit dün­ nen, elektrisch leitfähigen Drähten (mit einem Durchmesser von etwa 25 µm) elektrisch mit den Elektroden der Platte verbunden und dann werden der Halbleiterchip und die Drähte zum Ab­ dichten mit einem Kunststoff beschichtet.Regarding constructions of electronic equipment Small-sized parts became attachment techniques electronic parts on a with a high density  pointing circuit pattern provided circuit board attention given. One of these techniques uses a exposed semiconductor chip attached directly to the board or arranged and then this semiconductor chip with thin NEN, electrically conductive wires (with a diameter of about 25 µm) electrically connected to the electrodes of the plate and then the semiconductor chip and the wires become Ab sealed with a plastic coating.

In vielen Fällen ist der zu diesem Zweck verwendete Draht aus Gold hergestellt und im Hinblick auf die Herstellung einer Verbindung mit dem Golddraht sind die Elektroden der Platte ebenfalls mit Gold beschichtet. Das Schaltungmuster ist über­ licherweise aus Kupfer hergestellt und weil keine direkte Ver­ bindung zwischen dem Gold und dem Kupfer hergestellt werden kann, sind eine oder mehrere (Grenzmetallschichten genannte) Metallschichten auf den Kupferelektroden gebildet und dann wird die Oberfläche dieser Schicht mit Gold beschichtet oder galvanisiert. Als Grenzschichtmetall wird häufig Nickel ver­ wendet.In many cases, the wire used for this purpose is made of gold and with a view to making a The electrodes of the plate are connected to the gold wire also coated with gold. The circuit pattern is over Liche made of copper and because no direct Ver bond between the gold and the copper may be one or more (called boundary metal layers) Metal layers formed on the copper electrodes and then the surface of this layer is coated with gold or galvanized. Nickel is often used as the boundary layer metal turns.

Bislang wurde angenommen, daß die Dicke des Goldbeschich­ tungsfilms einen großen Einfluß auf die Festigkeit der Verbin­ dung des Drahtes ausübt und es wurde davon ausgegangen, daß keine zufriedenstellende Verbindung des Drahtes hergestellt werden kann, wenn der Goldbeschichtungsfilm nicht mindestens eine Dicke von etwa 0,3 µm aufweist.So far it has been assumed that the thickness of the gold coating film has a great influence on the strength of the connection exercise of the wire and it was assumed that the wire is not connected satisfactorily if the gold plating film does not at least has a thickness of about 0.3 microns.

Es ist ein Galvanisierungsverfahren und ein stromloses Reduktionsgalvanisierungsverfahren bekannt, mit denen dicke Goldbeschichtungsfilme gebildet werden können. Beide Verfahren sind jedoch dahingehend mit einem Problem behaftet, daß die Kosten damit hoch sind, weil zur Ausführung des Beschich­ tungsverfahrens viel Zeit benötigt wird. It is a galvanizing process and an electroless one Reduction electroplating processes are known with which thick Gold coating films can be formed. Both procedures However, there is a problem in that the Costs are high because of the execution of the coating a lot of time is required.  

Angesichts dieses Problems hat der Erfinder dieser Erfin­ dung zuvor eine Anmeldung eingereicht, die ein Verfahren be­ trifft, mit dem eine hinreichend feste Kontaktierung eines Drahtes hergestellt werden kann, selbst wenn die Dicke eines Beschichtungsfilms gering ist (ungeprüfte japanische Patent­ veröffentlichung Nr. 7-106363). Mit dieser Technik kann der Draht mit einem eine Dicke von 0.05 µm aufweisenden Beschich­ tungsfilm kontaktiert werden und daher wird ein herausragender Vorteil dahingehend erhalten, daß die Kosten für die Goldbe­ schichtung in hohem Maße verringert werden können.In view of this problem, the inventor of this invention previously filed an application that be a procedure with whom a sufficiently firm contact with a Wire can be made even if the thickness is one Coating film is low (unexamined Japanese patent Publication No. 7-106363). With this technique the Wire with a coating having a thickness of 0.05 µm film can be contacted and therefore will be an outstanding one Get advantage in that the cost of the goldbe stratification can be greatly reduced.

Bei dieser Technik wird (1) mit einem Oberflächenbehand­ lungsgerät eine Nickelverbindung von den Oberflächen der Elek­ troden einer Platte entfernt und dann (2) mit einem Drahtkon­ taktierungsgerät eine Drahtkontaktierung der einzelnen Drähte mit den Elektroden hergestellt.This technique uses (1) a surface treatment a nickel compound from the surfaces of the elec removed a plate and then (2) with a wire con clocking device a wire contact of the individual wires made with the electrodes.

Diese beiden Schritte müssen mit einer hohen Produktivi­ tät ausgeführt werden, damit der oben erläuterte Kostenverrin­ gerungseffekt erzielt wird. Zur Zeit gibt es jedoch keine Mög­ lichkeit, dieser Anforderung zu genügen. Es gibt insbesondere kein Oberflächenbehandlungsgerät mit kompakten Abmessungen, das in eine Produktionslinie eingebaut werden kann und das verhindert einen verbreiteten Einsatz des neuen Verfahrens. Daher richtet sich diese Erfindung auf die Bereitstellung ei­ nes optimalen Systems für dieses neue Verfahren.These two steps must be highly productive be carried out so that the cost reduction explained above effect is achieved. At the moment there is no possibility ability to meet this requirement. There are in particular no surface treatment device with compact dimensions, that can be built into a production line and that prevents widespread use of the new process. Therefore, this invention aims to provide optimal system for this new process.

Aus der US 4,278,528 ist ein Plasma-Beschichtungsgerät in kofferförmiger Bauart bekannt, das mit einem Transportmecha­ nismus zum kontinuierlichen Zu- und Abführen der zu beschich­ tenden Gegenstände, mit Elektroden sowie Gaszuführungseinrich­ tungen ausgestattet ist und durch Schließen eines Deckels einen Behandlungsraum bildet. Ein ähnliches Gerät ist auch in "Vacuum", Vol. 27, Nr. 3 (1977), S. 151-153 angegeben.A plasma coating device is known from US Pat. No. 4,278,528 known box-shaped design that with a transport mecha to continuously supply and discharge the tendency objects, with electrodes as well as gas supply device is equipped and by closing a lid forms a treatment room. A similar device is also in "Vacuum", Vol. 27, No. 3 (1977), pp. 151-153.

Aus der US 4,341,582 ist ferner eine Plasmaätzvorrichtung mit einem beweglichen Deckel bekannt, bei der der bewegliche Deckel im geschlossenen Zustand mit einer Basis eine Vakuum­ kammer bildet. Darüber hinaus verfügt die aus der genannten Schrift bekannte Vorrichtung auch noch über einen Transportme­ chanismus für das Behandlungsgut. Im übrigen ist aus Galvano­ technik 4/1995, S. 1254-1259 grundsätzlich bekannt, bei der Leiterplattenfertigung eine Plasmareinigung vor den Bonden in einer baulich integrierten Vorrichtung durchzuführen.From US 4,341,582 is also a plasma etching device known with a movable lid, in which the movable Cover when closed with a vacuum base chamber forms. In addition, the from the above Font known device also on a Transportme mechanism for the material to be treated. The rest is made of galvano technik 4/1995, S. 1254-1259 known in principle at the PCB manufacturing a plasma cleaning before the bonding in perform a structurally integrated device.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereit­ stellung eines mit einem Oberflächenbehandlungsgerät inte­ grierten Drahtkontaktierungsgerätes, das kompakte Abmessungen aufweist, eine hohe Leistungsfähigkeit bei der Bearbeitung be­ sitzt, einen einfachen Aufbau hat und eine Verringerung der Kosten ermöglicht.The object of the invention is the ready position one with a surface treatment device inte  Free wire contact device, the compact dimensions has a high performance in processing sits, has a simple structure and a reduction in Enables costs.

Erfindungsgemäß wird bereitgestellt ein Drahtkontaktierungsgerät mit:
einer einen Transportweg zum Transportieren eines Ge­ genstandes aufweisenden Basis,
einem längs des Transportweges vorgesehenen Oberflä­ chenbehandlungsgerät,
einem längs des Transportweges neben dem Oberflächen­ behandlungsgerät angeordneten Drahtkontaktierungsmechanismus, wobei der Drahtkontaktierungsmechanismus zur Herstellung eines Kontaktes zwischen Drähten und Elektroden des oberflächenbe­ handelten Gegenstandes betreibbar ist,
wobei das Oberflächenbehandlungsgerät einen zur Her­ stellung eines Kontaktes mit einer Oberseite der Basis und zum Lösen davon bewegbaren Deckel aufweist, der Deckel die Basis zur Bildung eines abgeschlossenen Raums zum Aufnehmen des auf dem Transportweg auf der Oberseite der Basis angeordneten Ge­ genstandes berührt, das Oberflächenbehandlungsgerät ferner einen Ein- und Ausrückmechanismus zum Bewegen des Deckels zur Herstellung eines Kontaktes mit der Basis bzw. zum Lösen von der Basis und eine Behandlungseinrichtung zur Ausführung einer Oberflächenbehandlung der Elektroden des in dem abgeschlosse­ nen Raum angeordneten Gegenstandes aufweist, und
einem Transportmechanismus zum Transportieren des Oberflächen behandelten Gegenstandes von dem Oberflächenbe­ handlungsgerät zu einer Position vor dem Drahtkontaktierungs­ mechanismus.According to the invention, a wire contacting device is provided with:
a base having a transport path for transporting an object,
a surface treatment device provided along the transport route,
a wire contacting mechanism arranged along the transport path next to the surface treatment device, the wire contacting mechanism being operable to produce contact between the wires and electrodes of the surface-treated object,
wherein the surface treatment device has a movable cover for producing a contact with an upper side of the base and for releasing it, the cover contacts the base to form a closed space for accommodating the object arranged on the transport path on the upper side of the base, the surface treatment device further an engaging and disengaging mechanism for moving the lid to make contact with or detach from the base and a treatment device for performing a surface treatment of the electrodes of the object arranged in the enclosed space, and
a transport mechanism for transporting the surface-treated object from the surface treatment device to a position in front of the wire contact mechanism.

Nachstehend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung, auf die hinsichtlich aller erfindungswesentlichen und in der Beschreibung nicht weiter herausgestellten Einzel­ heiten verwiesen wird, erläutert. In die Zeichnung zeigt: The invention will now be described with reference to FIG Drawing on the all essential to the invention and individual not further emphasized in the description is referred to. In the drawing:  

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, in der eine Gesamtanordnung einer Ausführungsform ei­ nes erfindungsgemäßen Drahtkontaktie­ rungsgerätes dargestellt ist, Fig. 1 is a perspective view, egg nes invention Drahtkontaktie approximately device in which an overall arrangement of an embodiment is shown,

Fig. 2 u. 3 perspektivische Ansichten einer Ein- und Ausrückeinrichtung der Ausführungsform nach Fig. 1, Fig. 2 u. 3 perspective views of an engagement and disengagement device of the embodiment according to FIG. 1,

Fig. 4 u. 5 perspektivische Ansichten, in denen eine Stütze in der Ausführungsform gemäß Fig. 1 dargestellt ist, Fig. 4 u. 5 perspective views showing a support in the embodiment according to FIG. 1,

Fig. 6 eine explosionsartige, perspektivische Ansicht eines von seiner Unterseite be­ trachteten Deckels der Ausführungsform nach Fig. 1, Fig. 6 is an exploded perspective view of a BE from its underside sought lid of the embodiment of FIG. 1,

Fig. 7 eine von seiner Unterseite betrachtete perspektivische Ansicht des Deckels, Fig. 7 is a perspective view viewed from its underside of the lid,

Fig. 8 eine explosionsartige, perspektivische Ansicht einer Basis der Ausführungsform nach Fig. 1, Fig. 8 is an exploded perspective view of a base of the embodiment of Fig. 1,

Fig. 9 eine Draufsicht der Basis der Ausfüh­ rungsform nach Fig. 1, Fig. 9 is a plan view of the base of the Implementing approximate shape shown in FIG. 1,

Fig. 10 u. 11 Schnittansichten einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Oberflächenbe­ handlungsgerätes, Fig. 10 u. 11 sectional views of an embodiment of a surface treatment device according to the invention,

Fig. 12 eine Elektroden und dazugehörige Teile der Ausführungsform nach Fig. 1 darstel­ lende perspektivische Ansicht, Figure 12 is an electrode and associated parts of the embodiment of Fig. 1 depicting loin perspective view.,

Fig. 13 eine längs der Linie XIII-XIII in Fig. 2 genommene Schnittansicht, Fig. 13 is a view taken along line XIII-XIII in Fig. 2 sectional view taken,

Fig. 14 eine einen Transportweg der Ausführungs­ form nach Fig. 1 darstellende, schemati­ sche Draufsicht und Fig. 14 is a transport route of the embodiment according to Fig. 1, schemati cal plan view and

Fig. 15A-15C Transportfunktionen der Ausführungsform nach Fig. 1 darstellende, schematische Draufsichten. FIG. 15A-15C transport functions of the embodiment of Fig. 1 performing, schematic plan views.

Nachstehend wird eine bevorzugte Ausführungsform der Er­ findung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.A preferred embodiment of the Er invention explained with reference to the drawing.

Fig. 1 ist eine eine Gesamtanordnung einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Drahtkontaktierungsge­ rätes, darstellende perspektivische Ansicht. Fig. 1 is an overall arrangement of a preferred embodiment of a wire contacting device according to the invention, illustrative perspective view.

Gemäß Fig. 1 weist ein Grundgehäuse 8 eine im wesentli­ chen horizontale Oberseite auf, und ein aufrecht stehender Be­ reich 8a erstreckt sich von einem rückwärtigen Bereich des Grundgehäuses 8 nach oben. Auf einer Vorderseite des aufrecht stehenden Bereichs 8a ist ein Monitor 8b angebracht und mit Hilfe dieses Monitors 8b kann ein Benutzer einen Betriebszu­ stand des Oberflächenbehandlungsgerätes erfassen.According to Fig. 1 comprises a base housing 8 in a chen wesentli horizontal top surface, and an upstanding Be rich 8a extending from a rear portion of the base housing 8 to the top. On a front of the upright area 8 a, a monitor 8 b is attached and with the help of this monitor 8 b, a user can record an operating state of the surface treatment device.

Auf der Oberseite des Grundgehäuses 8 ist eine Basis 12 angebracht und ein Transportweg L erstreckt sich geradlinig und in Fig. 1 diagonal von links nach rechts über eine Ober­ seite der Basis 12. An der in Transportrichtung vorderen Seite des Transportweges L ist ein Zuführmagazin 9 vorgesehen, in dem ein Stapel Platten 6, die einer Oberflächenbehandlung un­ terzogen werden sollen, gehalten und gelagert werden. An der in Transportrichtung hinteren Abtransportseite des Transport­ weges L ist ein Lagermagazin 10 vorgesehen, in dem die ober­ flächenbehandelten Platten 6 aufgenommen werden. Bei dieser Ausführungsform sind auf der Oberseite der Platten 6 Elektro­ den gebildet, die mit einem stromlosen Substitutionsgalvani­ sierungsverfahren mit Gold beschichtet worden sind.On the top of the base housing 8 , a base 12 is attached and a transport path L extends in a straight line and in FIG. 1 diagonally from left to right over an upper side of the base 12 . On the front side of the transport path L in the transport direction, a feed magazine 9 is provided, in which a stack of plates 6 , which are to be subjected to a surface treatment, are held and stored. On the rear transport side of the transport path L in the transport direction, a storage magazine 10 is provided, in which the surface-treated plates 6 are received. In this embodiment, 6 electrodes are formed on the top of the plates, which have been coated with an electroless substitution plating process with gold.

Die einer Oberflächenbehandlung zu unterziehenden Platten 6 werden mit einem Vorschubzylinder 11 vom Zuführmagazin 9 in den Transportweg L gedrückt oder dem Transportweg L zugeführt.The plates 6 to be subjected to a surface treatment are pressed by a feed cylinder 11 from the feed magazine 9 into the transport path L or fed to the transport path L.

Ein an seiner Unterseite mit einer Ausnehmung versehener Deckel 13 ist oberhalb der Basis 12 abgestützt und so beweg­ bar, daß er in Kontakt mit der Basis 12 gelangen kann bzw. von der Basis 12 gelöst bzw. abgehoben werden kann.A provided on its underside with a recess 13 is supported above the base 12 and so movable bar that it can come into contact with the base 12 or can be detached or lifted from the base 12 .

Die Basis 12 und der Deckel sind so aufgebaut, daß die Ausnehmung im Deckel 13 einen abgeschlossenen Raum auf dem Transportweg L bestimmt, wenn der Deckel 13 die den Transport­ weg L aufweisende Basis 12 berührt, wie nachstehend im einzel­ nen erläutert wird. Genauer gesagt, wirken die Basis 12 und der Deckel 13 zur Ausbildung dieses abgeschlossenen Raumes zu­ sammen.The base 12 and the lid are constructed such that the recess in the lid 13 defines a closed space on the transport path L when the cover 13 touches the base 12 having the transport path L, as will be explained in detail below. More specifically, the base 12 and the lid 13 act together to form this closed space.

Zwischen der Basis 12 und dem Lagermagazin 10 und bezüg­ lich des Transportweges L in Richtung auf die Rückseite des Gerätes versetzt angeordnet ist ein Drahtkontaktierungsmecha­ nismus 14 vorgesehen. Mit dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 wird die oberflächenbehandelte und diesem Mechanismus längs des Transportweges L von dessen Vorderseite zugeführte Platte 6 eingespannt und eine elektrische Verbindung der Elektroden dieser Platte 6 mit einem Halbleiterchip (nicht dargestellt) unter Verwendung von Drähten herbeigeführt.A wire contact mechanism 14 is provided between the base 12 and the storage magazine 10 and in relation to the transport path L in the direction of the rear of the device. With the wire contacting mechanism 14 , the surface-treated plate 6, which is fed to this mechanism along the transport path L from the front side thereof, is clamped and an electrical connection of the electrodes of this plate 6 to a semiconductor chip (not shown) is brought about using wires.

Bei dieser Ausführungsform wird innerhalb des vom Deckel 13 und der Basis 12 bestimmten abgeschlossenen Raums eine Plasmareinigung (welche ein Beispiel einer Oberflächenbehand­ lung darstellt) der Platte 6 ausgeführt, um auf der Platte abgeschiedene Materie oder eine Nickelverbindung von den mit Gold beschichteten Elektroden und andere Teile von der Platte 6 zu entfernen, so daß die Drähte einfach mit diesen Elektro­ den verbunden werden können. Dann werden die Drähte mit dem benachbarten Drahtkontaktierungsmechanismus 14 mit der der Plasmareinigung unterzogenen Platte verbunden und anschließend wird die Platte 6 im Lagermagazin 10 abgelegt.In this embodiment, within the confined space defined by the lid 13 and the base 12 , plasma cleaning (which is an example of a surface treatment) of the plate 6 is carried out to remove material deposited on the plate or a nickel compound from the gold-coated electrodes and other parts to remove from the plate 6 , so that the wires can be easily connected to this electrical. Then the wires are connected to the adjacent wire contact mechanism 14 with the plate subjected to the plasma cleaning and then the plate 6 is deposited in the storage magazine 10 .

Ein erster Arm 15 weist einen sich zum Transportweg L er­ streckenden hinteren Endbereich auf und ein zweiter Arm 16 ist in einem vorgegebenen Abstand vom ersten Arm 15 längs des Transportweges L in Transportrichtung hinter dem ersten Arm 15 angeordnet, wobei der zweite Arm 16 sich parallel zum ersten Arm 15 erstreckt.A first arm 15 has a rear end region which extends to the transport path L and a second arm 16 is arranged at a predetermined distance from the first arm 15 along the transport path L in the transport direction behind the first arm 15 , the second arm 16 being parallel to first arm 15 extends.

Auf dem vorderen Randbereich der Oberseite des Grundge­ häuses 8 ist eine längliche Abdeckung 17 vorgesehen, die sich parallel zum Tranportweges L erstreckt. Innerhalb der Ab­ deckung 17 ist ein (nachstehend im einzelnen erläuterter) Armbewegungsmechanismus angebracht, mit dem der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 parallel zum Transportweg L bewegbar sind, während der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 in einem Zustand gehalten werden, in dem die Arme 15 und 16 sich paral­ lel zueinander und in dem vorgegebenen Abstand voneinander er­ strecken. Auf dem Transportweg L wird die Platte mit dem er­ sten Arm 15 und dem zweiten Arm 16 transportiert.On the front edge region of the top of the Grundge housing 8 , an elongated cover 17 is provided which extends parallel to the transport path L. Within the cover 17 , an arm movement mechanism (hereinafter explained in detail) is attached, by means of which the first arm 15 and the second arm 16 can be moved parallel to the transport path L, while the first arm 15 and the second arm 16 are held in a state, in which the arms 15 and 16 parallel to each other and at the predetermined distance from each other he stretch. On the transport path L, the plate with the most arm 15 and the second arm 16 is transported.

Auf der Basis 12 sind zur Bildung des Transportweges L zwei Führungen 18 angebracht, mit deren Hilfe die Platte 6 von einer vor dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 angeordneten Position zum Lagermagazin 10 transportiert werden können. To form the transport path L, two guides 18 are attached on the base 12 , with the aid of which the plate 6 can be transported to the storage magazine 10 from a position arranged in front of the wire contacting mechanism 14 .

Unter Bezugnahme auf die Fig. 2-5 wird ein Ein- und Ausrückmechanismus zum Bewegen des Deckels 13 nach oben und nach unten und zum Bewegen des Deckels 13 zwischen einem hori­ zontalen Zustand und einem vertikalen Zustand erläutert.Referring to FIGS . 2-5, an engagement and disengagement mechanism for moving the lid 13 up and down and for moving the lid 13 between a horizontal state and a vertical state will be explained.

Im folgenden werden die Stellungen des Deckels 13 defi­ niert. Wenn die Unterseite des Deckels 13 sich wie in den Fig. 2 und 3 dargestellt in einer Horizontalebene erstreckt, ist der Deckel 13 in einem horizontalen Zustand angeordnet. Wenn die Unterseite des Deckels 13 sich in einer Vertikalebene er­ streckt, wie in Fig. 5 dargestellt, ist der Deckel 13 in einem vertikalen Zustand angeordnet.In the following, the positions of the lid 13 are defined. If the underside of the cover 13 extends in a horizontal plane as shown in FIGS. 2 and 3, the cover 13 is arranged in a horizontal state. If the underside of the lid 13 extends in a vertical plane, as shown in Fig. 5, the lid 13 is arranged in a vertical state.

Wenn die Unterseite des Deckels 13 in einem engen Kontakt mit der Basis 12 gehalten wird, ist der Deckel 13 in einer ab­ gesenkten Stellung bzw. in einem abgesenkten Zustand angeord­ net. Wenn die Unterseite des Deckels 13 sich in einem Abstand von der Basis 12 befindet, so daß zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 ein Freiraum gebildet ist, ist der Deckel 13 in einer abgehobenen Position bzw. in einem abgehobenen Zustand angeordnet.If the underside of the lid 13 is held in close contact with the base 12 , the lid 13 is net in a lowered position or in a lowered state. If the underside of the cover 13 is at a distance from the base 12 , so that a space is formed between the cover 13 and the base 12 , the cover 13 is arranged in a raised position or in a raised state.

Wenn der Deckel 13 im horizontalen Zustand und auch im abgesenkten Zustand angeordnet ist, wird dieser Zustand bei­ spielsweise als "horizontaler, abgesenkter Zustand" bezeich­ net.If the cover 13 is arranged in the horizontal state and also in the lowered state, this state is referred to as "horizontal, lowered state" for example.

Der Deckel 13 wird von einem (nachstehend erläuterten) Abstützmechanismus derart abgestützt, daß der Deckel 13 in drei Zuständen angeordnet werden kann, das heißt dem horizon­ talen, abgesenkten Zustand, dem horizontalen, abgehobenen Zu­ stand und dem vertikalen, abgehobenen Zustand. In Fig. 2 ist der Deckel 13 in seinem horizontalen, abgesenkten Zustand dar­ gestellt und Fig. 3 zeigt den Deckel 13 in seinem horizonta­ len, abgehobenen Zustand. The lid 13 is supported by a support mechanism (explained below) such that the lid 13 can be arranged in three states, that is, the horizontal lowered state, the horizontal lifted state, and the vertical lifted state. In Fig. 2 the lid 13 is in its horizontal, lowered state is shown and Fig. 3 shows the lid 13 in its horizontal len, lifted state.

Gemäß Fig. 2 weist ein Rahmen 20 einen feststehend an dem Grundgehäuse 8 angebrachten horizontalen Bereich 20a sowie ein Paar aufrecht stehender Bereiche 20b und 20c, die sich jeweils von einander entgegengesetzten Enden des horizontalen Bereichs 20a in vertikaler Richtung nach oben erstrecken, auf.Referring to FIG. 2, a frame 20 a fixedly mounted on the base housing 8 horizontal portion 20 a and a pair of upstanding portions 20 b and 20 c, respectively 20 a in the vertical direction extending from opposite ends of the horizontal portion upward, on.

Zwei Führungen 21 und 22, von denen jede einen L-förmigen Querschnitt aufweist, sind auf einem oberen Endbereich des aufrecht stehenden Bereichs 20b bzw. des aufrecht stehenden Bereichs 20c angeordnet, wobei die hinteren Enden der Führun­ gen 21 und 22 nach außen gerichtet sind, d. h. voneinander weg weisen.Two guides 21 and 22, each of which has an L-shaped cross section are disposed on an upper end portion of the upstanding portion 20 b and the upright portion 20 c, wherein the rear ends of the Guide e gen outwardly 21 and 22 are, ie point away from each other.

Ein den Ein- und Ausrückmechanismus bildender Zylinder 23 ist derart feststehend auf einem zentralen Bereich des hori­ zontalen Bereichs 20a angebracht, daß eine Stange 23a des Zy­ linders 23 nach oben gerichtet ist. Ein oberes Ende der Stange 23a ist mit einem zentralen Bereich eines horizontalen Be­ reichs 24a eines U-förmigen Querträgers 24 verbunden.A engaging and disengaging mechanism forming cylinder 23 is so fixed on a central area of the horizontal area 20 a that a rod 23 a of the cylinder 23 is directed upwards. An upper end of the rod 23 a is connected to a central region of a horizontal loading region 24 a of a U-shaped cross member 24 .

Aufrecht stehende Bereiche 24b und 24c, die sich von ein­ ander entgegengesetzten Enden des horizontalen Bereichs 24a des U-förmigen Querträgers 24 nach oben erstrecken, stehen in einem Gleiteingriff mit der Führung 21 bzw. der Führung 22, um eine Gleitbewegung nach oben und unten zu ermöglichen. An obe­ ren Endbereichen der aufrecht stehenden Bereiche 24b und 24c sind jeweils Zapfen 26 angebracht und von jedem dieser Zapfen 26 wird je eine Stütze 25 derart abgestützt, daß sie durch eine Schwenkbewegung in einen vertikalen Zustand überführt werden kann.Upright areas 24 b and 24 c, which extend from another opposite end of the horizontal area 24 a of the U-shaped cross member 24 upward, are in sliding engagement with the guide 21 and the guide 22 , respectively, for a sliding movement upwards and allow below. At obe ren end portions of the upstanding portions 24 b and 24 c, pins 26 are attached and each of these pins 26 is supported in each case such a support 25 that it can be converted into a vertical state by a pivoting movement.

Wie der vergrößerten Darstellung gemäß Fig. 4 zu entneh­ men ist, ist die Stütze 25 an zwei Stellen um jeweils 90° ab­ gewinkelt, so daß sie eine allgemeine Z-Form annimmt. Die Stütze 25 weist einen ersten Abschnitt 25a und einen sich un­ ter einem rechten Winkel bezüglich des ersten Abschnitts 25a erstreckenden zweiten Abschnitt 25b auf, wobei der erste Ab­ schnitt 25a und der zweite Abschnitt 25b dieselbe Länge auf­ weisen. Der Bereich der Stütze 25, an dem sich die Mittelli­ nien des ersten Abschnitts 25a und des zweiten Abschnitts 25b schneiden ist an dem U-förmigen Querträger 24 schwenkbar abge­ stützt.As men to the enlarged representation of FIG. 4 is to be taken, the support 25 is angled in two places by 90 °, so that it assumes a general Z-shape. The support 25 has a first section 25 a and a second section 25 b extending at a right angle with respect to the first section 25 a, the first section 25 a and the second section 25 b having the same length. The area of the support 25 on which the middle lines of the first section 25 a and the second section 25 b intersect is pivotally supported on the U-shaped cross member 24 .

Die Stütze 25 weist ferner einen dritten Abschnitt 25c, der länger ist als der zweite Abschnitt 25b und sich unter ei­ nem rechten Winkel von der dem ersten Abschnitt 25a abgewand­ ten Seite des zweiten Abschnitts 25b erstreckt, auf.The support 25 also has a third section 25 c, which is longer than the second section 25 b and extends at a right angle from the side of the second section 25 b facing away from the first section 25 a.

Der erste Abschnitt 25a wird in Dickenrichtung von einem ersten Sicherungsloch 27 durchsetzt und der zweite Abschnitt 25b wird in Dickenrichtung von einem zweiten Sicherungsloch 28 durchsetzt, wobei beide Sicherungslöcher den gleichen Abstand von der Achse des Zapfens 26 aufweisen.The first section 25 a is penetrated in the thickness direction by a first securing hole 27 and the second section 25 b is penetrated in the thickness direction by a second securing hole 28 , both securing holes being at the same distance from the axis of the pin 26 .

An einem hinteren Endbereich des dritten Abschnitts 25c jeder Stütze 25 ist ein Zapfen 29 angebracht, mit dem eine Seitenfläche 13a des Deckels 13 abgestützt wird, so daß der Deckel 13 eine Schwenkbewegung um die Zapfen 29 in mit einem Doppelpfeil N2 bezeichneten Richtungen ausführen kann.At a rear end portion of the third section 25 c of each support 25 , a pin 29 is attached, with which a side surface 13 a of the cover 13 is supported so that the cover 13 can perform a pivoting movement about the pin 29 in directions indicated by a double arrow N2 .

Wie in Fig. 4 dargestellt, werden die aufrechtstehenden Bereiche 24b und 24c des U-förmigen Querträgers 24 jeweils von einem Einführungsloch 24d durchsetzt. Wenn der dritte Ab­ schnitt 25c horizontal ausgerichtet ist, fluchtet das Einfüh­ rungsloch 24d mit dem zweiten Sicherungloch 28 und wenn der dritte Abschnitt 25c vertikal ausgerichtet ist, fluchtet das Einführungsloch 24d mit dem ersten Sicherungsloch 27.As shown in Fig. 4, the upstanding areas 24 b and 24 c of the U-shaped cross member 24 are penetrated by an insertion hole 24 d. If the third From section 25 c aligned horizontally, flush the troduction approximately hole 24 d with the second lock hole 28, and if the third portion 25 c aligned vertically aligned the insertion hole 24 d with the first fuse hole 27th

Wenn die beiden zweiten Sicherungslöcher 28 mit dem je­ weils zugehörigen Einführungsloch 24d fluchten, wie in Fig. 4 dargestellt, und ein Stift 30 durch diese miteinander fluchtenden Löcher 28 und 24d geführt wird, kann daher der dritte Abschnitt 25c im horizontalen Zustand gehalten werden, um dadurch die Stütze 25 an einer Drehung zu hindern, so daß der an den Stützen 25 angebrachte Deckel ebenfalls im horizontalen Zustand gehalten wird.When the two second securing holes 28 are aligned d with each weils associated insertion hole 24 as shown in Fig. 4, and a pin is guided d through these aligned holes 28 and 24 30, therefore, the third portion 25 can c in the horizontal state maintained to thereby prevent the bracket 25 from rotating so that the lid attached to the bracket 25 is also kept in the horizontal state.

Wenn die beiden dritten Abschnitte 25c jeweils im verti­ kalen Zustand ausgerichtet sind, fluchten andererseits die beiden ersten den jeweiligen ersten Abschnitt 25a durchsetzend ausgebildeten Sicherungslöcher 27 mit dem zugehörigen Einfüh­ rungslöchern 24d, wie in Fig. 5 dargestellt.If the two third sections 25 c are each aligned in the vertical state, on the other hand, the two first, the respective first section 25 a are designed to penetrate through securing holes 27 with the associated insertion holes 24 d, as shown in FIG. 5.

In diesem Zustand wird der Stift 30 durch die miteinander ausgerichteten ersten Sicherungslöcher 27 und Einführungslö­ cher 24d geführt, so daß die beiden dritten Abschnitte 25c so­ wie der Deckel 13 im vertikalen, aufrecht stehenden Zustand gehalten werden können.In this state, the pin 30 is guided through the aligned first securing holes 27 and insertion holes 24 d so that the two third sections 25 c and the cover 13 can be held in the vertical, upright state.

Wenn der Deckel 13 in den vertikalen Zustand überführt worden ist, ist die in der Unterseite des Deckels 13 gebilde­ ten Ausnehmung 16 in horizontaler Richtung offen bzw. zugäng­ lich. Daher können innerhalb des Deckels 13 angebrachte Teile einfach ausgetauscht oder gereinigt werden. Wenn der Deckel 13 im aufrechtstehenden Zustand angeordnet ist, ist oberhalb der Basis 12 viel Platz vorhanden und daher können ähnliche Wartungsarbeiten auch für die Basis 12 und die auf der Basis 12 angebrachten Teile ausgeführt werden.When the cover 13 has been transferred to the vertical state, the recess 16 formed in the underside of the cover 13 is open or accessible in the horizontal direction. Therefore, parts attached inside the cover 13 can be easily exchanged or cleaned. When the lid 13 is placed in an upright state, there is a lot of space above the base 12 and therefore similar maintenance work can also be carried out for the base 12 and the parts attached to the base 12 .

Demgemäß kann der Deckel 13 in dem Oberflächenbehand­ lungsgerät gemäß dieser Ausführungsform in den vertikalen Zustand überführt werden, so daß zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 viel Platz zur Verfügung steht und daher kann die Wartung recht einfach ausgeführt werden. Accordingly, the lid 13 in the surface treatment apparatus according to this embodiment can be transferred to the vertical state so that there is a lot of space between the lid 13 and the base 12 , and therefore the maintenance can be carried out quite easily.

Als nächstes wird die Bewegung des Deckels 13 von seinem horizontalen abgesenkten Zustand zu seinem horizontalen abge­ hobenen Zustand unter Bezugnahme auf die Fig. 2 und 3 erläu­ tert.Next, the movement of the lid 13 from its horizontal lowered state to its horizontal raised state will be explained with reference to FIGS . 2 and 3.

Wenn der Deckel 13 sich in seinem in Fig. 2 dargestell­ ten, horizontalen abgesenkten Zustand befindet, befindet sich die Stange 23a in einem eingefahrenen Zustand und durch die zweiten Sicherungslöcher 28 und die Einführungslöcher 24d ist jeweils ein Stift 30 geführt und der Deckel 13 wird in seinem horizontalen Zustand gehalten und die Unterseite des Deckels 13 wird in engem Kontakt mit der Basis 12 gehalten.When the lid 13 is in its horizontal lowered state shown in FIG. 2, the rod 23 a is in a retracted state and through the second securing holes 28 and the insertion holes 24 d, a pin 30 is guided and the lid 13 is kept in its horizontal state and the bottom of the lid 13 is kept in close contact with the base 12 .

In dem horizontalen abgesenkten Zustand des Deckels 13 wird vom Deckel 13 und der Basis 12 der abgeschlossene Raum gebildet und wenn die Oberflächenbehandlung in diesem abge­ schlossenen Raum bewirkt werden soll, wird dieser abgeschlos­ sene Raum bei einem unterhalb des Atmosphärendruckes liegenden Druck gehalten. Daher kann der Deckel 13 in zufriedenstellen­ der Weise in engem Kontakt mit der Basis 12 gehalten werden, selbst wenn der Deckel 13 nicht mit einer vom Zylinder 23 zu erzeugenden extrem hohen Kraft gegen die Basis 12 gedrückt wird.In the horizontal lowered state of the cover 13 , the closed space is formed by the cover 13 and the base 12 and if the surface treatment is to be effected in this closed space, this closed space is kept at a pressure below atmospheric pressure. Therefore, the lid 13 can satisfactorily be kept in close contact with the base 12 even if the lid 13 is not pressed against the base 12 with an extremely high force to be generated by the cylinder 23 .

Zum Überführen des Deckels 13 in den horizontalen abgeho­ benen Zustand wird der Zylinder 23 zum Ausfahren der Stange 23a betätigt. Als Ergebnis davon bewegt sich der U-förmige Querträger 24 nach oben, während er von den Führungen 21 und 22 geführt wird und entsprechend dieser Aufwärtsbewegung bewe­ gen sich auch die Stützen 25 nach oben, wobei ihre dritten Ab­ schnitte 25c im horizontalen Zustand gehalten werden. Als Er­ gebnis davon wird der Deckel 13 von der Basis 12 weg nach oben bewegt, während er im horizontalen Zustand gehalten wird. Da­ her wird zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 ein Freiraum gebildet, wie in Fig. 3 dargestellt, so daß der erste Arm 15 und der zweite Arm 16, mit denen die Platte 6 zugeführt wird, diesen Freiraum durchlaufen können, wie mit einem Pfeil N1 angedeutet.To transfer the cover 13 in the horizontal abgeho benen state, the cylinder 23 is actuated to extend the rod 23 a. As a result of this, the U-shaped cross member 24 moves upwards while being guided by the guides 21 and 22 and, in accordance with this upward movement, the supports 25 also move upwards, their third sections 25 c being kept in the horizontal state . As a result, the lid 13 is moved upward away from the base 12 while being held in the horizontal state. Since a free space is formed between the cover 13 and the base 12 , as shown in FIG. 3, so that the first arm 15 and the second arm 16 , with which the plate 6 is fed, can pass through this free space, as with a Arrow N1 indicated.

Nachstehend wird der Aufbau des Deckels 13 unter Bezug­ nahme auf die Fig. 6 und 7 im einzelnen erläutert. Fig. 6 ist eine von unten betrachtete perspektivische Ansicht des Deckels des erfindungsgemäßen Gerätes.The structure of the cover 13 will be explained in detail with reference to FIGS . 6 and 7. Fig. 6 is a bottom perspective view of the lid of the device of the invention.

Der Deckel 13 weist einen im wesentlichen rechteckigen Deckelkörper 13b auf, in dessen Innerem eine Ausnehmung 60 ge­ bildet ist. Der Deckelkörper 13b weist eine erste Ausnehmung 13c und eine zweite Ausnehmung 13d, welche kleiner ist als die erste Ausnehmung 13c und sich ausgehend von einer Seite der ersten Ausnehmung 13c erstreckt, auf. In der ersten Ausnehmung 13c kann die Platte 6 vollständig aufgenommen werden und in dieser ersten Ausnehmung 13c wird die Plasmareinigung (Oberflächenbehandlung) der Platte 6 ausgeführt. Die erste Ausnehmung 13c wird nachstehend als "Behandlungskammer" be­ zeichnet und die zweite Ausnehmung 13d wird nachstehend als "Absaugkammer" bezeichnet.The lid 13 has a substantially rectangular lid body 13 b, in the interior of which a recess 60 is formed ge. The lid body 13 b has a first recess 13 c and a second recess 13 d, which is smaller than the first recess 13 c and extends from one side of the first recess 13 c. Can be completely received in the first recess 13 c, the plate 6 and the plasma cleaning (surface treatment) is c in this first recess 13 of the plate run. 6 The first recess 13 c is hereinafter referred to as "treatment chamber" and the second recess 13 d is referred to below as "suction chamber".

Zur Beobachtung des Innenraums der Behandlungskammer 13c von außen ist ein Fenster 13e vorgesehen und eine obere Wand der Behandlungskammer 13c wird von vier Gewindelöchern 13f durchsetzt.To observe the interior of the treatment chamber 13 c from the outside, a window 13 e is provided and an upper wall of the treatment chamber 13 c is penetrated by four threaded holes 13 f.

An einer Innenfläche einer Begrenzungswand des die Behandlungskammer 13c und die Absaugkammer 13d bestimmenden Deckelkörpers 13b ist eine Mehrzahl von Innenabdeckungen 31 festgelegt. Die der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d zugewandten Innenseiten S der Innenabdeckungen 31 sind aufgerauht, d. h. sie weisen eine Anzahl feiner Grübchen und Vorsprünge auf und daher ist das Oberflächengebiet der einzel­ nen Innenabdeckungen 31 erhöht. B on an inner surface of a boundary wall of the treatment chamber 13 c and the suction chamber 13 d defining the lid body 13, a plurality set of inner covers 31st The treatment chamber 13 c and the suction chamber 13 d facing inner sides S of the inner covers 31 are roughened, ie they have a number of fine dimples and projections and therefore the surface area of the individual inner covers 31 is increased.

Während die Platte 6 einer Plasmareinigung in der Behand­ lungskammer 13c unterzogen wird, wird die von der Platte 6 ab­ getrennte teilchenförmige Materie gestreut. Diese teilchenför­ mige Materie kann auf den aufgerauhten Oberflächen S abge­ schieden werden, um dadurch zu verhindern, daß die von der Platte 6 abgetrennte teilchenförmige Materie erneut auf der Platte 6 abgeschieden wird. Die Innenabdeckungen 31 sind mit Schrauben od. dgl. (nicht dargestellt) lösbar an den inneren Begrenzungsflächen der Ausnehmung 60 festgelegt.While the plate 6 is subjected to a plasma cleaning in the treatment chamber 13 c, the particulate matter separated from the plate 6 is scattered. This particulate matter can be separated on the roughened surfaces S to thereby prevent the particulate matter separated from the plate 6 from being deposited again on the plate 6 . The inner covers 31 are detachably fixed to the inner boundary surfaces of the recess 60 with screws or the like (not shown).

Eine zum Erzeugen des Plasmas dienende obere Elektrode 32 ist mit durch einzelne Schraubenlöcher 32a der Elektrode 32 in die einzelnen Gewindelöcher 13f eingeschraubten Schrauben 33 feststehend an der oberen Wand der Behandlungskammer 13c fest­ gelegt. Die obere Elektrode 32 ist elektrisch geerdet.An upper electrode 32 used to generate the plasma is fixed by individual screw holes 32 a of the electrode 32 into the individual threaded holes 13 f screws 33 fixed on the upper wall of the treatment chamber 13 c. The upper electrode 32 is electrically grounded.

Als nächstes werden die Basis 12 und die dazugehörigen Teile unter Bezugnahme auf die Fig. 8 und 9 erläutert. Fig. 8 ist eine explosionsartige, perspektivische Ansicht der erfin­ dungsgemäßen Basis.Next, the base 12 and associated parts will be explained with reference to Figs. 8 and 9. Fig. 8 is an exploded perspective view of the base OF INVENTION to the invention.

Wie in Fig. 8 dargestellt, weist die Basis 12 eine dicke Platte auf, welche etwas größere Abmessungen besitzt als der in Fig. 7 dargestellte Deckel 13. In einem zentralen Bereich der Basis 12 ist eine rechteckige Öffnung 12a gebildet und in diese Öffnung 12a ist eine untere Elektrode 34 eingepaßt, an die eine Hochfrequenzspannung angelegt wird. Mit einem Kabel 35 wird eine Hochfrequenz-Leistungsquelle elektrisch mit der unteren Elektrode 34 verbunden.As shown in FIG. 8, the base 12 has a thick plate which has slightly larger dimensions than the cover 13 shown in FIG. 7. In a central region of the base 12 , a rectangular opening 12 a is formed and a lower electrode 34 is fitted into this opening 12 a, to which a high-frequency voltage is applied. A radio frequency power source is electrically connected to the lower electrode 34 with a cable 35 .

Der der Behandlungskammer 13c des Deckels 13 zugewandte Bereich der Basis 12 bildet ein Behandlungsgebiet A, in dem die Plasmareinigung der Platte 6 ausgeführt wird. Der dem Be­ handlungsgebiet A benachbarte und der Absaugkammer 13D zuge­ wandte Bereich der Basis 12 bildet ein Absauggebiet B. The area of the base 12 facing the treatment chamber 13 c of the cover 13 forms a treatment area A in which the plasma cleaning of the plate 6 is carried out. The area of the base 12 adjacent to the treatment area A and facing the suction chamber 13 D forms a suction area B.

In einem Randbereich der Basis 12 ist eine Nut 12e gebil­ det, mit der der untere Rand des Deckels 13 in Kontakt gelan­ gen kann. In die Nut 12e ist ein als Dichtelement dienender O- Ring 39 eingepaßt, der in Breitenrichtung der Nut 12e in einem zentralen Bereich der Nut 12e angeordnet ist. Wenn der Deckel 13 sich in engem Kontakt mit dem O-Ring 39 befindet, wird mit der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d ein abge­ schlossener Raum K (vgl. Fig. 11) auf der Basis 12 gebildet.In an edge region of the base 12 , a groove 12 e is formed, with which the lower edge of the cover 13 can be brought into contact. In the groove 12 e serving as a sealing element O-ring is fitted 39, 12 e 12 e is arranged in the width direction of the groove in a central region of the groove. If the cover 13 is in close contact with the O-ring 39 , a closed space K (see FIG. 11) is formed on the base 12 with the treatment chamber 13 c and the suction chamber 13 d.

Wie in Fig. 11 dargestellt, ist die Oberseite des O-Rings 39 in einer etwas geringerem Höhe angeordnet als die Ober­ seite der Basis 12.As shown in Fig. 11, the top of the O-ring 39 is arranged at a slightly lower height than the top of the base 12th

Mit dieser Anordnung können sich der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 ohne Kontakt mit dem O-Ring 39 ungestört bewe­ gen, wenn die Platte 6 in den durch die Doppelpfeile N2 be­ zeichneten Richtungen über die Basis 12 bewegt wird. Daher können sich die Platte 6 und der erste Arm 15 sowie der zweite Arm 16 ohne Kontakt mit dem O-Ring 39 bewegen und daher wird eine Beschädigung des O-Rings 39 verhindert und die Dichtig­ keit des abgeschlossenen Raums K kann bei einem hohen Wert ge­ halten werden, wodurch eine Verschlechterung der Qualität des Vakuums verhindert wird.With this arrangement, the first arm 15 and the second arm 16 can move freely without contact with the O-ring 39 when the plate 6 is moved in the directions indicated by the double arrows N2 be over the base 12 . Therefore, the plate 6 and the first arm 15 and the second arm 16 can move without contact with the O-ring 39 and therefore damage to the O-ring 39 is prevented and the tightness of the closed space K can ge at a high value are maintained, thereby preventing deterioration in the quality of the vacuum.

Gemäß Fig. 8 ist in einem Eckbereich des Behandlungsge­ bietes A ein Gaszufuhranschluß 12b zum Zuführen von Argongas (Betriebsgas) von einer Gasbombe (s. unten) in das Behand­ lungsgebiet A (d. h. die Behandlungskammer 13c) gebildet.According to Fig. 8 bietes A is in a corner region of Behandlungsge a gas supply port 12b for supplying argon gas (operating gas) from a gas bomb (s. Below) lung area in the treatmen A (ie the treatment chamber 13 c) is formed.

An den beiden Enden des Behandlungsgebietes A der Basis 12 ist jeweils eine Folge von Gewindelöchern 12c gebildet, die in einer sich senkrecht zum Transportweg L erstreckenden Rich­ tung angeordnet sind. Unter diesen Gewindelöchern werden die­ jenigen ausgewählt, welche der Breite der Platte 6 entsprechen und zum Führen der Platte 6 dienende Führungen 40 und 41 wer­ den mit jeweils in die ausgewählten Gewindelöcher 12c einge­ schraubten Schrauben 42 feststehend an der Basis 12 festge­ legt. Die Führungen 40 und 41 wirken mit dem vor dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 angeordenten Führungen 18 zur Bildung eines einzigen Transportweg L zusammen. Wenn Plat­ ten 6 mit einer sich davon unterscheidenden Breite verwendet werden, werden die dieser Breite entsprechenden Gewindelöcher 12c ausgewählt. Jede der Führungen 40 und 41 ist aus einem elektrisch isolierenden Material, wie etwa aus einer Keramik hergestellt.At the two ends of the treatment area A of the base 12 , a series of threaded holes 12 c is formed, which are arranged in a direction extending perpendicular to the transport path L Rich. Among these threaded holes, those are selected which correspond to the width of the plate 6 and for guiding the plate 6 serving guides 40 and 41 who with the screw holes 42 c screwed into the selected threaded holes 12 are fixed to the base 12 . The guides 40 and 41 cooperate with the guides 18 arranged in front of the wire contact mechanism 14 to form a single transport path L. If plates 6 with a different width are used, the threaded holes 12 c corresponding to this width are selected. Each of the guides 40 and 41 is made of an electrically insulating material, such as a ceramic.

In einem zentralen Bereich des Absauggebietes B der Basis 12 ist ein Absauganschluß 12d gebildet und durch den Absaugan­ schluß 12d wird die Luft innerhalb der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d abgegeben, um den Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K zu verringern und durch den Absaugan­ schluß 12d wird ferner Luft in die Behandlungskammer 13c und die Absaugkammer 13d eingeführt, um den abgeschlossenen Raum K auf Atmosphärendruck zu bringen. Der Absauganschluß 12d ist mit einem elektrisch geerdeten Metallnetz 38 abgedeckt. Wenn während einer Plasmaerzeugung elektrisch geladene Teilchen den Absauganschluß 12d durchlaufen, wird die elektrische Ladung mit dem Metallnetzt 38 von diesen Teilchen entfernt. Die Un­ terseite der unteren Elektrode 34 ist thermisch mit Kühlrippen 36 verbunden und die während des Ätzens erzeugte Wärme wird nach außen abgestrahlt.In a central region of Absauggebietes B of the base 12, a suction port 12 is formed d and through the Absaugan circuit 12 d, the air is inside the treatment chamber 13 c and the suction chamber 13 given d, the pressure within the closed space to reduce K and the Absaugan circuit 12 d air is also introduced into the treatment chamber 13 c and the suction chamber 13 d to bring the closed space K to atmospheric pressure. The suction port 12 d is covered with an electrically grounded metal network 38 . If the suction port 12 d through during a plasma generating electrically charged particles, the electric charge with the Metallnetzt 38 of these particles is removed. The underside of the lower electrode 34 is thermally connected to cooling fins 36 and the heat generated during the etching is radiated to the outside.

Bei herkömmlichen Oberflächenbehandlungsgeräten ist ein der unteren Elektrode 34 entsprechendes Bauteil innerhalb ei­ nes Raumes mit verringertem Druck angebracht und es war schwierig, die Wärme dieses Bauteils nach außen abzustrahlen und daher wurde dieses Bauteil mit einem Wasserkühlverfahren gekühlt. In conventional surface treatment apparatus, a component corresponding to the lower electrode 34 is installed within a space under reduced pressure and it has been difficult to radiate the heat of this component to the outside, and therefore this component has been cooled by a water cooling method.

Bei einer derartigen herkömmlichen Anordnung wurden Rohre zum Zirkulieren des Betriebswassers, eine Pumpe zum Zuführen des Wassers, ein Wärmetauscher usw. benötigt und daher wurde die Gesamtgröße des Gerätes erhöht. Bei dieser Ausführungsform liegt der untere Bereich der unteren Elektrode 34 jedoch nach außen frei und die Kühlung kann unter Verwendung der Kühlrip­ pen 36 mit dem Luftkühlungsverfahren bewirkt werden und daher kann die Kühlung mit einer kompakten Bauweise wirksam ausge­ führt werden.With such a conventional arrangement, pipes for circulating the process water, a pump for supplying the water, a heat exchanger, etc. were needed, and therefore the overall size of the device was increased. In this embodiment, however, the lower portion of the lower electrode 34 is exposed to the outside and the cooling can be effected using the cooling fins 36 with the air cooling method, and therefore the cooling can be carried out effectively with a compact structure.

Gemäß Fig. 8 weist die untere Elektrode 34 einen an ihrem unteren Bereich gebildeten äußeren Flansch 34a auf. Zwischen der Unterseite der Basis 12 und dem Flansch 34a ist eine die­ selbe Form wie der Flansch 34a aufweisende, isolierende Platte 37 angeordnet und die Basis 12 und der Flansch 34a werden mit Hilfe von Schraubbolzen 34 aneinander befestigt. Mit der iso­ lierenden Platte 37 werden die Basis 12 und die untere Elek­ trode 34 elektrisch voneinander isoliert.According to Fig. 8, the lower electrode 34 has an outer flange formed at its lower portion 34 a on. Between the underside of the base 12 and the flange 34 a, an insulating plate 37 having the same shape as the flange 34 a is arranged and the base 12 and the flange 34 a are fastened to one another with the aid of screw bolts 34 . With the insulating plate 37 , the base 12 and the lower electrode 34 are electrically insulated from one another.

Fig. 10 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Oberflächenbehandlungsgerätes. In Fig. 10 ist der Deckel 13 in seinem horizontalen, abgehobenen Zustand gehalten, wobei zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 ein Freiraum gebildet ist, und die Platte 6 wird mit dem ersten Arm 15 zugeführt. Fig. 10 is a sectional view of an embodiment of the surface treatment apparatus of the invention. In Fig. 10, the lid 13 is held in its horizontal, lifted-off state, with a space being formed between the lid 13 and the base 12 , and the plate 6 is fed with the first arm 15 .

Nachstehend wird der Bewegungsmechanismus zum Bewegung des ersten Arms 15 und des zweiten Arms 16 unter Bezugnahme auf Fig. 10 erläutert.The moving mechanism for moving the first arm 15 and the second arm 16 will be explained with reference to FIG. 10.

Innerhalb der in Fig. 1 dargestellten Abdeckung 17 ist eine sich parallel zum Transportweg L erstreckende, längliche, lineare Führung 44 vorgesehen. Ein feststehend an einem be­ wegbaren Rahmen 46 angeordnetes Gleitelement 45 befindet sich in einem Gleiteingriff mit der linearen Führung 44 und der be­ wegbare Rahmen 46 ist parallel zum Transportweg L bewegbar (d. h.: in einer sich senkrecht zur Papierebene der Fig. 10 er­ streckenden Richtung).An elongated, linear guide 44 extending parallel to the transport path L is provided within the cover 17 shown in FIG. 1. A fixedly arranged on a movable frame 46 sliding element 45 is in sliding engagement with the linear guide 44 and the movable frame 46 can be moved parallel to the transport path L (ie: in a direction extending perpendicular to the paper plane of FIG. 10 he direction) .

Ein unteres Ende des bewegbaren Rahmens 46 ist festste­ hend an einem sich parallel zum Transportweg L erstreckenden Synchronriemen 49 festgelegt und über eine Riemenscheibe 48 wird eine Antriebskraft eines Motors 47 auf den Synchronriemen 49 übertragen.A lower end of the movable frame 46 is festste starting fixed to a located to the transport path L extending parallel timing belt 49 and a pulley 48, a driving force of a motor is transmitted to the timing belt 49 47th

An einem oberen Endbereich des bewegbaren Rahmens 46 ist ein Zapfen 50 angebracht und der erste Arm 15 wird an seinem proximalen Ende schwenkbar von diesem Zapfen 50 abgestützt, wobei der erste Arm 15 einen nach unten gerichteten, haken­ förmigen, hinteren (distalen) Endbereich aufweist. Auf dem be­ wegbaren Rahmen 46 ist ein Zylinder 51 feststehend angebracht und eine Stange 52 dieses Zylinders 51 ist an den proximalen Endbereich des ersten Arms 15 gekoppelt.A pin 50 is attached to an upper end portion of the movable frame 46 and the first arm 15 is pivotally supported at its proximal end by this pin 50 , the first arm 15 having a downward hook-shaped rear (distal) end portion. On the movable frame 46 , a cylinder 51 is fixedly attached and a rod 52 of this cylinder 51 is coupled to the proximal end portion of the first arm 15 .

Daher kann der erste Arm 15 durch einen Antrieb mit dem Motor 57 hin und hergehend parallel zum Transportweg L bewegt werden und wenn der Zylinder 51 zum Ausfahren und Einfahren der Stange 52 angesteuert wird, wird der erste Arm 15 zwischen einer (in Fig. 10 mit der strichpunktierten Linie angedeute­ ten) nicht betriebsbereiten Position, in der der erste Arm 15 sich nicht in Eingriff mit der Platte 6 befindet, und einer (durch eine durchgezogene Linie) angedeutete betriebsbereiten Position, in der sich der erste Arm 15 in Eingriff mit dem Ende der Platte 6 befindet, bewegt.Therefore, the first arm 15 can be reciprocated parallel to the transport path L by driving with the motor 57 , and when the cylinder 51 is driven to extend and retract the rod 52 , the first arm 15 becomes between one (in Fig. 10 with the dash-dotted line indicated) non-operative position in which the first arm 15 is not in engagement with the plate 6 , and an operational position (indicated by a solid line) in which the first arm 15 is in engagement with the end the plate 6 is moved.

Wenn der Motor 47 in einem Zustand, in dem sich der erste Arm 15 in Eingriff mit der Platte 6 befindet, betrieben wird, wird die Platte 6 zugeführt oder längs des Transportweges L bewegt. Der zweite Arm 16 ist ebenfalls in der vorstehend für den ersten Arm 15 erläuterten Weise feststehend am Synchron­ riemen 49 festgelegt. Daher werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 gleichzeitig in horizontaler Richtung bewegt, wenn der Motor 17 betätigt wird. Wenngleich der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 bei dieser Ausführungsform mit einem beiden Armen gemeinsamen Synchronriemen 49 derart verbunden sind, daß die beiden Arme 15 und 16 einen vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen, können der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 auch unabhängig voneinander mit jeweils getrennt von­ einander angeordneten Bewegungsmechanismen parallel zum Tran­ portweg L bewegt werden.When the motor 47 is operated in a state in which the first arm 15 is engaged with the plate 6 , the plate 6 is fed or moved along the transport path L. The second arm 16 is also fixed in the manner explained above for the first arm 15 manner on the synchronous belt 49 . Therefore, the first arm 15 and the second arm 16 are simultaneously moved in the horizontal direction when the motor 17 is operated. Although in this embodiment the first arm 15 and the second arm 16 are connected to a synchronous belt 49 common to both arms in such a way that the two arms 15 and 16 are at a predetermined distance from one another, the first arm 15 and the second arm 16 can also be independent of one another can be moved parallel to the transport path L with movement mechanisms arranged separately from each other.

Gemäß Fig. 10 wird ein Gebläse 53 zur Zuführung von Luft oder zur Belüftung der Kühlrippen 36 verwendet. Bei dieser Ausführungsform wird der Luftstrom mit dem Gebläse 53 von dem Drahtkontaktierungsmechanismus 6 in Richtung auf das Zuführma­ gazin 9 gerichtet und mit dieser Anordnung wird der Drahtkontaktierungsmechanismus 14 nicht von der vom Gebläse 53 abgeblasenen Luft beeinflußt.Referring to FIG. 10, a fan 53 is used for supplying air or for ventilation of the cooling ribs 36. In this embodiment, the air flow with the blower 53 is directed from the wire contact mechanism 6 toward the feed magazine 9 , and with this arrangement, the wire contact mechanism 14 is not affected by the air blown off by the blower 53 .

Wenn der Deckel 13 in den horizontalen, abgesenkten Zu­ stand überführt wird, gelangt der untere Rand des Deckels 13 in engen Kontakt mit dem O-Ring 39 in der Nut 12e, so daß mit der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d der abge­ schlossene Raum K gebildet wird, wie in Fig. 11 dargestellt. In der Behandlungskammer 13c ist die elektrisch geerdete obere Elektrode 32 der zur Beaufschlagung mit einer Hochfre­ quenzspannung vorgesehenen unteren Elektrode 34 zugewandt und die von den Führungen 40 und 41 abgestützte Platte 6 ist zwi­ schen den beiden Elektroden 32 und 34 angeordnet. Die Absaug­ kammer 13d steht über das Metallnetz 38 mit dem Absauganschluß 12d in Verbindung.If the lid 13 is transferred to the horizontal, lowered state, the lower edge of the lid 13 comes into close contact with the O-ring 39 in the groove 12 e, so that with the treatment chamber 13 c and the suction chamber 13 d the abge closed space K is formed, as shown in Fig. 11. In the treatment chamber 13 c, the electrically grounded upper electrode 32 faces the lower electrode 34 provided for the application of a high frequency voltage and the plate 6 supported by the guides 40 and 41 is arranged between the two electrodes 32 and 34 . The suction chamber 13 d is connected to the suction port 12 d via the metal network 38 .

Die Elektroden des Oberflächenbehandlungsgerätes gemäß dieser Ausführungsform sowie der zugehörige Aufbau werden nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 12 erläutert. The electrodes of the surface treatment apparatus according to this embodiment and the associated structure are explained below with reference to FIG. 12.

Wie vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 6 bis 9 erläutert, ist die elektrisch geerdete, obere Elektrode 32 bei dem Oberflächenbehandlungsgerät gemäß dieser Ausführungsform an dem Deckel 13 angebracht und die zur Beaufschlagung mit ei­ ner Hochfrequenzspannung vorgesehene, untere Elektrode 34 ist an der dem Deckel 13 zugewandten Basis 12 angebracht.As explained above with reference to FIGS. 6 to 9, the electrically grounded upper electrode 32 is attached to the lid 13 in the surface treatment apparatus according to this embodiment, and the lower electrode 34 provided for applying a high-frequency voltage is on the lid 13 facing base 12 attached.

Wie in Fig. 12 dargestellt, ist ein Bereich 61 zur Be­ reitstellung einer hochfrequenten Spannung über das Kabel 35 mit der unteren Elektrode 34 verbunden. Der Bereich 61 zur Be­ reitstellung einer hochfrequenten Spannung weist eine Hochfre­ quenz-Leistungsquelle 62 zum Erzeugen einer Hochfrequenzspan­ nung sowie eine Abstimmeinrichtung 63 zum Abstimmen der mit der Hochfrequenz-Leistungsquelle 62 erzeugten hochfrequenten Spannung und zum Abgeben dieser Spannung an die untere Elek­ trode 34 über das Kabel 35 auf.As shown in FIG. 12, an area 61 for providing a high-frequency voltage is connected to the lower electrode 34 via the cable 35 . The area 61 for providing a high-frequency voltage has a high-frequency power source 62 for generating a high-frequency voltage and a tuning device 63 for tuning the high-frequency voltage generated with the high-frequency power source 62 and for supplying this voltage to the lower electrode 34 via the Cable 35 on.

Wenn die Platte 6 zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 angeordnet ist und der Deckel 13 in der horizontalen abgesenk­ ten Position gehalten wird, so daß die obere Elektrode 32 sich in einem vorgegebenen Abstand von der unteren Elektrode 34 be­ findet, kann daher in diesem Zustand innerhalb des abge­ schlossenen Raums K ein Plasma erzeugt werden, wenn der Be­ reich 61 zur Bereitstellung einer hochfrequenten Spannung be­ trieben wird.If the plate 6 is arranged between the lid 13 and the base 12 and the lid 13 is held in the horizontal lowered position so that the upper electrode 32 is at a predetermined distance from the lower electrode 34 , can therefore be in this State within the closed space K, a plasma can be generated when the region 61 is operated to provide a high-frequency voltage.

Wenn der Bereich 61 zur Bereitstellung einer hochfrequen­ ten Spannung betrieben wird, wird die untere Elektrode 34 er­ wärmt und daher wird zu dieser Zeit das Gebläse 63 zum Kühlen der thermisch mit der unteren Elektrode verbundenen Kühlrippen 36 betätigt, um dadurch zu verhindern, daß die Temperatur der unteren Elektrode 34 auf einen zu hohen Wert ansteigt.When the region 61 is operated to provide a high frequency voltage, the lower electrode 34 is heated, and therefore, at this time, the blower 63 is operated to cool the cooling fins 36 thermally connected to the lower electrode, thereby preventing the temperature of the lower electrode 34 rises too high.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 12 und 13 wird ein Gaszu­ führbereich 64 zum Zuführen von Argongas in den abgeschlosse­ nen Raum K über den in der Basis 12 gebildeten Gaszuführan­ schluß 12b sowie ein Drucksteuerbereich 68 zum Messen und Steuern des Drucks innerhalb des abgeschlossenen Raums K über den im Absauggebiet B gebildeten Absauganschluß 12d erläutert.Referring to FIGS. 12 and 13, a Gaszu is lead-in area 64 for supplying argon gas in the abgeschlosse NEN space K circuit 12 b over the formed in the base 12 Gaszuführan and a pressure control section 68 for measuring and controlling the pressure within the closed space K Explained about the suction port 12 d formed in the suction area B.

Der Gaszuführbereich 64 weist eine Gasbombe (Druckflasche) 65 zum Speichern von als Betriebsgas dienenden Argongas, einen Gas-Steuerbereich 66 zum Steuern der Flußrate, des Drucks und dgl. des von der Gasbombe 65 abgegebenen Argon­ gases und eine zum Verbinden des Gassteuerbereichs 66 mit dem Gaszuführanschluß 12b dienende Abgabeleitung 67 auf.The gas supply section 64 has a gas bomb (pressure bottle) 65 for storing argon gas serving as the operating gas, a gas control section 66 for controlling the flow rate, the pressure and the like. The argon gas discharged from the gas bomb 65 , and one for connecting the gas control section 66 to the Gas supply connection 12 b serving discharge line 67 .

Wenn der Gaszuführbereich 64 betätigt wird, wird das Ar­ gongas mit einer gesteuerten Flußrate usw. über den Gaszuführ­ anschluß 12b in den abgeschlossenen Raum K eingeleitet. Der Gaszuführanschluß 12b ist in einem vom Gasabsauganschluß 12d entfernten Bereich des Behandlungsgebietes A vorgesehen und der Gasabsauganschluß 12d ist in dem dem Behandlungsgebiet A benachbarten Absauggebiet B vorgesehen. Daher wird sicherge­ stellt, daß das Argongas das Behandlungsgebiet A durchläuft, bevor es den Absauganschluß 12d erreicht und auf diese Weise wird das Argongas in hinreichender Weise über das Behandlungs­ gebiet A verteilt, so daß Konzentrationsschwankungen des Ar­ gongases bei einem geringen Wert gehalten werden können.When the Gaszuführbereich 64 is operated, the Ar flow rate is controlled with a Gongas etc. connected via the gas supply 12 b in the enclosed space K initiated. The gas supply connection 12 b is provided in a region of the treatment area A remote from the gas suction connection 12 d, and the gas suction connection 12 d is provided in the suction area B adjacent to the treatment area A. Therefore, it is ensured that the argon gas passes through the treatment area A before it reaches the suction port 12 d and in this way the argon gas is sufficiently distributed over the treatment area A so that concentration fluctuations of the argon gas can be kept at a low value .

Wie nachstehend im einzelnen erläutert wird, liegt das an dem Absauganschluß 12d abgegebene Argon nicht nur in Form von Gas vor. Wenn das Argongas dem Behandlungsgebiet A zugeführt wird, befindet sich der abgeschlossene Raum K in einem Zustand mit verringertem Druck in der Nähe eines Vakuums und an die untere Elektrode 34 wird eine Hochfrequenzspannung angelegt. Daher wird aus dem Argongas ein Plasma gebildet, welches be­ züglich der Platte 6 eine Ätzwirkung (Plasmareinigung) ausübt. Wenngleich bei dieser Ausführungsform das Argongas zum Her­ stellen des Plasmas verwendet wird, kann auch irgendein an­ deres dafür geeignetes Gas eingesetzt werden.As will be explained in detail, the d delivered to the suction connection 12 of argon is present not only in the form of gas. When the argon gas is supplied to the treatment area A, the confined space K is in a reduced pressure state near a vacuum, and a high frequency voltage is applied to the lower electrode 34 . Therefore, a plasma is formed from the argon gas, which exerts an etching action (plasma cleaning) with respect to the plate 6 . Although in this embodiment the argon gas is used to manufacture the plasma, any other suitable gas can be used.

Der Drucksteuerbereich 68 weist die folgenden vier Lei­ tungen oder Systeme auf.The pressure control section 68 has the following four lines or systems.

Das erste System ist ein Vakuumsystem. Genauer gesagt, ist ein Ansauganschluß einer Vakuumpumpe 19 über eine Vakuum­ leitung 69 bzw. ein Vakuumrohr 69 mit dem Absauganschluß 12d verbunden. Zwischen den einander entgegengesetzten Enden des Vakuumrohres 69 ist ein Vakuumventil 70 vorgesehen. Daher wird der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K zum Erhalt ei­ nes Vakuums deutlich verringert, wenn die Vakuumpumpe 19 be­ trieben wird und das Vakuumventil 70 geöffnet ist.The first system is a vacuum system. More specifically, a suction port of a vacuum pump 19 is connected via a vacuum line 69 or a vacuum tube 69 to the suction port 12 d. A vacuum valve 70 is provided between the opposite ends of the vacuum tube 69 . Therefore, the pressure within the closed space K to obtain a vacuum is significantly reduced when the vacuum pump 19 is operated and the vacuum valve 70 is opened.

Das zweite System ist ein Atmosphäreneinleitungssystem. Genauer gesagt ist ein Atmosphäreneinlaßrohr 71 mit dem Ab­ sauganschluß 12d verbunden und das Atmosphäreneinlaßrohr 71 führt über ein Atmosphäreneinlaßventil 72 zu einem Atmosphä­ reneinlaßanschluß 73. Daher wird in dem abgeschlossenen Raum K der Atmosphärendruck wiederhergestellt, wenn das Atmosphären­ einlaßventil 72 zum Einleiten der Atmosphäre oder Umgebungs­ luft über den Atmosphäreneinlaßanschluß 73 und das Atmosphä­ reneinlaßrohr 71 zum Einleiten der umgebenden Atmosphäre oder Umgebungsluft in den bei dem von dem oben erläuterten Vakuum­ system erzeugten Vakuum gehaltenen abgeschlossenen Raum K ge­ öffnet wird.The second system is an atmosphere induction system. More specifically, an atmosphere inlet pipe 71 is connected to the suction port 12 d and the atmosphere inlet pipe 71 leads via an atmosphere inlet valve 72 to an atmosphere inlet port 73 . Therefore, in the closed space K, the atmospheric pressure is restored when the atmosphere inlet valve 72 for introducing the atmosphere or ambient air via the atmosphere inlet port 73 and the atmosphere inlet pipe 71 for introducing the surrounding atmosphere or ambient air into the system generated by the above-explained vacuum Vacuum kept closed space K ge is opened.

Das dritte System ist ein System für einen Druckschalter 74. Wenn in dem abgeschlossenen Raum K der Atmosphärendruck mit dem Atmosphäreneinlaßsystem wiederhergestellt worden ist, wird mit dem Druckschalter 74 bestimmt, ob der Atmosphären­ druck im abgeschlossenen Raum K tatsächlich wieder hergestellt ist oder nicht. Das vierte System ist ein System für ein Vaku­ ummeßgerät 75. Mit dem Vakuummeßgerät 75 wird der Vakuumdruck innerhalb des abgeschlossenen Raums K gemessen, wenn der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K mit dem Vakuumsystem verringert wird. Die Bereitstellung des Vakkuumschalters 74 kann unterbleiben.The third system is a system for a pressure switch 74 . When the atmospheric pressure in the closed space K has been restored with the atmosphere inlet system, the pressure switch 74 determines whether the atmospheric pressure in the closed space K is actually restored or not. The fourth system is a system for a vacuum meter 75 . With the vacuum measuring device 75 , the vacuum pressure inside the closed space K is measured when the pressure inside the closed space K is reduced with the vacuum system. The provision of the vacuum switch 74 can be omitted.

Wie in der eine längs der Linie XIII-XIII in Fig. 2 ge­ nommene Schnittansicht darstellenden Fig. 13 gezeigt, sind die oben angegebenen vier Systeme jeweils mit einem ersten 76a, einem zweiten 76b, einem dritten 76c bzw. einem vierten An­ schluß 76d verbunden, welche in einer Verbindungseinheit 76 gebildet sind, wobei die vier Anschlüsse 76a bis 76d nach un­ ten offen sind. In der Verbindungseinheit 76 sind die vier An­ schlüsse 76a bis 76d mit einem gemeinsamen Anschluß 76e ver­ bunden, der nach oben offen ist, und der gemeinsame Anschluß 76e ist direkt mit dem Absauganschluß 12d in der Basis 12 ver­ bunden.As shown in FIG. 13 showing a sectional view taken along the line XIII-XIII in FIG. 2, the above-mentioned four systems are each with a first 76 a, a second 76 b, a third 76 c and a fourth type circuit 76 d connected, which are formed in a connecting unit 76 , the four connections 76 a to 76 d are open to the bottom. In the connection unit 76, the four-An are circuits 76 a to 76 d connected to a common terminal 76 e ver connected which is open at the top, and the common terminal 76 e is directly d 12 ver connected with the suction connection 12 in the base.

Als nächstes wird die Funktion erläutert, bei der sich der Deckel 13 im horizontalen, abgehobenen Zustand befindet, die Platte 14 in dem Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 eingeführt wird und dann die Plasmareinigung für diese Platte 6 ausgeführt wird.Next, the function will be explained in which the lid 13 is in the horizontal, lifted-off state, the plate 14 is inserted into the space between the lid 13 and the base 12 , and then the plasma cleaning for this plate 6 is carried out.

Wenn die Platte in den zwischen dem Deckel 13 der Basis 12 gebildeten Freiraum eingeführt wird, wird die Platte 6 zunächst im Verlauf des Transportweges L von den Führungen 40 und 41, welche einen Teil des Transportweges L bilden, abge­ stützt. Weil der Deckel 13 sich noch im abgehobenen Zustand befindet, befindet sich die Umgebung der Platte 6 noch bei At­ mosphärendruck.If the plate is inserted into the free space formed between the cover 13 of the base 12 , the plate 6 is initially supported in the course of the transport path L by the guides 40 and 41 , which form part of the transport path L. Because the lid 13 is still in the raised state, the area around the plate 6 is still at atmospheric pressure.

Dann wird der Zylinder 23 betätigt, um den unteren Rand des Deckels 13 in Kontakt mit dem O-Ring 39 zu bringen, wie in Fig. 11 dargestellt, wodurch mit dem Deckel 13 und der Basis 12 der abgeschlossene Raum K gebildet wird. Dann wird zum Ver­ ringern des Drucks innerhalb des abgeschlossenen Raums K die Vakuumpumpe 19 betrieben und das Vakuumventil 70 geöffnet. Zu dieser Zeit wird der Vakuumdruck innerhalb des abgeschlossenen Raums K mit dem Vakuummeßgerät 75 überwacht.Then, the cylinder 23 is operated to bring the lower edge of the lid 13 into contact with the O-ring 39 as shown in Fig. 11, whereby the closed space K is formed with the lid 13 and the base 12 . Then, the vacuum pump 19 is operated to reduce the pressure within the closed space K and the vacuum valve 70 is opened. At this time, the vacuum pressure within the closed space K is monitored with the vacuum gauge 75 .

Wenn der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K hin­ reichend verringert worden ist, wird der Gaszuführbereich 64 zum Einleiten von Argongas in die Behandlungskammer 13c des abgeschlossenen Raums K über den Gaszuführanschluß 12b betä­ tigt. Dann wird der Bereich 61 zum Anlegen einer hochfrequen­ ten Spannung betätigt, um eine hochfrequente Spannung an die untere Elektrode 34 anzulegen, wodurch in der Behandlungskammer 13c ein Plasma erzeugt wird. Die Reinigung wird mit geladenen Teilchen in diesem Plasma bewirkt.If the pressure within the closed space K has been sufficiently reduced, the gas supply area 64 for introducing argon gas into the treatment chamber 13 c of the closed space K is actuated via the gas supply connection 12 b. Then, the area 61 for applying a high frequency voltage is operated to apply a high frequency voltage to the lower electrode 34 , whereby a plasma is generated in the treatment chamber 13 c. The cleaning is accomplished with charged particles in this plasma.

Zu dieser Zeit können die geladenen Teilchen in Richtung auf den Absauganschluß 12d gestreut werden. Die elektrische Ladung der geladenen Teilchen wird jedoch beseitigt, weil am Absauganschluß 12d das geerdete Metallnetz 38 vorgesehen ist, wenn diese geladenen Teilchen auf dem Metallnetz 38 abgeschie­ den werden und daher erreichen die geladenen Teilchen nicht das Vakuumsystem und die daran anschließenden Teile. Dieser Zustand wird für eine bestimmte Zeitdauer aufrecht erhalten. Diese Zeitdauer ist zum Erhalt einer hinreichenden Reinigung notwendig und vorgegeben.At this time, the charged particles can be scattered toward the suction port 12 d. However, the electrical charge of the charged particles is eliminated because the grounded metal network 38 is provided at the suction port 12 d when these charged particles are deposited on the metal network 38 and therefore the charged particles do not reach the vacuum system and the parts connected to it. This state is maintained for a certain period of time. This period of time is necessary and predetermined to obtain adequate cleaning.

Nach Ablauf dieser Zeitdauer wird das Anlegen der hochfrequenten Spannung unterbrochen und auch die Zufuhr von Argongas vom Gaszuführbereich 64 wird unterbrochen. Das Vaku­ umventil 70 wird geschlossen. Dann wird das Atmosphärenein­ leitventil 72 geöffnet, um die umgebende Atmosphäre (Umgebungsluft) durch den Atmosphäreneinleitanschluß 73 in den abgeschlossenen Raum K einzuleiten. Als Ergebnis davon steigt der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K an und zu die­ ser Zeit wird mit dem Druckschalter 74 beurteilt, ob der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K den Atmosphärendruck wieder erreicht hat oder nicht.After this time has elapsed, the application of the high-frequency voltage is interrupted and the supply of argon gas from the gas supply region 64 is also interrupted. The vacuum valve 70 is closed. Then, the atmosphere inlet valve 72 is opened to introduce the surrounding atmosphere (ambient air) through the atmosphere introduction port 73 into the closed space K. As a result, the pressure inside the closed space K rises, and at this time, it is judged by the pressure switch 74 whether the pressure inside the closed space K has returned to the atmospheric pressure or not.

Dann wird das Atmosphäreneinleitventil 72 geschlossen und der Zylinder 23 zur Bewegung des Deckels 13 in den horizonta­ len, abgehobenen Zustand betätigt, wenn innerhalb des abge­ schlossenen Raums K der Atmosphärendruck wiederhergestellt ist. Dann wird die oberflächenbehandelte Platte 6 aus dem Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 herausbewegt und die nächste der Oberflächenbehandlung zu unterziehende Platte 6 in den Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 transportiert.Then the atmosphere inlet valve 72 is closed and the cylinder 23 is actuated to move the cover 13 into the horizontal, lifted-off state when the atmospheric pressure is restored within the closed space K. Then, the surface-treated plate 6 is moved out of the space between the lid 13 and the base 12 , and the next plate 6 to be subjected to the surface treatment is transported into the space between the lid 13 and the base 12 .

Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die Fig. 14 und 15 der Transport der Platte 6 in dem Oberflächenbehandlungsgerät gemäß dieser Ausführungsform erläutert. Fig. 14 ist eine den Transportweg in dieser Ausführungsform der Erfindung darstel­ lende Draufsicht.Next, the transportation of the plate 6 in the surface treatment apparatus according to this embodiment will be explained with reference to FIGS. 14 and 15. Fig. 14 is a the transport path in this embodiment of the invention depicting loin plan view.

Wie vorstehend erläutert, werden die Platten 6 hauptsäch­ lich mit dem ersten Arm 15 und dem zweiten Arm 16, welche die Transporteinrichtung bilden, transportiert. Der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 sind an einem einzigen Synchronriemen 49 festgelegt und in einem vorgegebenen Abstand t voneinander an­ geordnet, sowie zusammen in der sich parallel zum Tranportwe­ ges L erstreckenden Richtung bewegbar.As explained above, the plates 6 are mainly transported with the first arm 15 and the second arm 16 , which form the transport device. The first arm 15 and the second arm 16 are fixed to a single synchronous belt 49 and are arranged at a predetermined distance t from one another, and can be moved together in the direction extending parallel to the transport path LES.

Ferner sind Zylinder 51 (vgl. Fig. 10) zum Bewegen des ersten Arms 15 bzw. des zweiten Arms 16 nach oben und nach un­ ten vorgesehen und daher können der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 unabhängig voneinander nach oben und nach unten bewegt werden.Furthermore, cylinders 51 (see FIG. 10) are provided for moving the first arm 15 and the second arm 16 up and down, respectively, and therefore the first arm 15 and the second arm 16 can be moved up and down independently of each other become.

In der folgenden Erläuterung ist in der von der Abtrans­ portseite ausgehenden Reihenfolge die erste Platte 6X einer Oberflächenbehandlung unterzogen worden und wird mit dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 einer Drahtkontaktierung un­ terzogen und die zweite Platte 6Y wird in dem abgeschlossenen Raum K einer Oberflächenbehandlung unterzogen, während die dritte Platte 6Z noch keiner Oberflächenbehandlung unterzogen worden ist und noch im Zuführmagazin 9 aufgenommen ist.In the following explanation, in the order starting from the discharge side, the first plate 6 X has been subjected to a surface treatment and is subjected to a wire contact with the wire contacting mechanism 14, and the second plate 6 Y is subjected to a surface treatment in the closed space K while the third plate 6 Z has not yet been subjected to any surface treatment and is still accommodated in the feed magazine 9 .

Bei der in Fig. 14 dargestellten Positionsbeziehung wird der Deckel in den horizontalen abgehobenen Zustand überführt, wenn die Drahtkontaktierung der ersten Platte 6X und die Ober­ flächenbehandlung der zweiten Platte 6Y abgeschlossen sind.In the positional relationship shown in Fig. 14, the lid is transferred to the horizontal lifted state when the wire contact of the first plate 6 X and the surface treatment of the second plate 6 Y are completed.

Dann wird der zweite Arm 16 an die erste Platte 6X ange­ legt und der erste Arm 5 wird an die zweite Platte 6Y ange­ legt, wie in Fig. 15A dargestellt, und der Motor 47 wird zum Zuführen der ersten Platte 6X in das Lagermagazin 10 (in Rich­ tung des Pfeils M1) und auch zum Bewegen der zweiten Platte 6Y in die Position vor dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 (in Richtung des Pfeils M1) betätigt. Gleichzeitig wird der Vor­ schubzylinder 11 zum Zuführen der dritten Platte 6Z vom Zu­ führmagazin 9 in Richtung auf den Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 betätigt.Then, the second arm 16 applies to the first plate 6 X is and the first arm 5 is 6 Y to the second plate inserted, as shown in Fig. 15A, and the motor 47 is for feeding the first plate 6 X in which Bearing magazine 10 (in the direction of arrow M1) and also to move the second plate 6 Y into position in front of the wire contact mechanism 14 (in the direction of arrow M1) actuated. At the same time, the feed cylinder 11 is actuated to feed the third plate 6 Z from the feed magazine 9 in the direction of the free space between the cover 13 and the base 12 .

Dann werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 ange­ hoben und der erste Arm 15 wird zu einer hinter dem hinteren Ende der dritten Platte 6Z liegenden Position (in Richtung des Pfeils M2) bewegt, während der zweite Arm 16 (in Richtung des Pfeils M2) zu einer hinter dem hinteren Ende der zweiten Platte 6Y liegenden Position bewegt wird, wie in Fig. 15B dar­ gestellt. Dann werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 abgesenkt und an die dritte Platte 6Z bzw. die zweite Platte 6Y angelegt und die dritte Platte 6Z wird mit dem ersten Arm 15 (in der durch den Pfeil M3 bezeichneten Richtung) in die der Position der zweiten Platte 6Y in Fig. 14 entsprechende Position bewegt, während die zweite Platte 6Y mit dem zweiten Arm 16 (in der durch den Pfeil M3 bezeichneten Richtung) zu der der Position der ersten Platte 6X in Fig. 14 ent­ sprechenden Position bewegt wird.Then, the first arm 15 and second arm 16 is lifted and the first arm 15 is moved to a rearward of the rear end of the third plate 6 Z lying position (in the direction of arrow M2), while the second arm 16 (in the direction of Arrow M2) is moved to a position behind the rear end of the second plate 6 Y, as shown in FIG. 15B. Then, the first arm 15 and the second arm 16 are lowered and applied to the third plate 6 Z and the second plate 6 Y, respectively, and the third plate 6 Z is in with the first arm 15 (in the direction indicated by the arrow M3) 14 moves the position corresponding to the position of the second plate 6 Y in FIG. 14, while the second plate 6 Y with the second arm 16 (in the direction indicated by the arrow M3) moves to that of the position of the first plate 6 X in FIG. 14 corresponding position is moved.

Dann werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 je­ weils in die in Fig. 14 dargestellten Positionen zurückgeführt und der Deckel 13 wird in den horizontalen, abgesenkten Zu­ stand überführt. Dann werden die Oberflächenbehandlung der dritten Platte 6Z und die Drahtkontaktierung der zweiten Platte 6Y parallel zueinander ausgeführt. Durch Wiederholen des oben erläuterten Betriebs werden die Platten nacheinander unmittelbar nach einer Oberflächenbehandlung dieser Platten der Drahtkontaktierung unterzogen.Then, the first arm 15 and the second arm 16 are each returned to the positions shown in FIG. 14 and the lid 13 is transferred to the horizontal, lowered state. Then the surface treatment of the third plate 6 Z and the wire contacting of the second plate 6 Y are carried out parallel to one another. By repeating the above-mentioned operation, the plates are subjected to the wire contacting in succession immediately after surface treatment of these plates.

Daher sind das Oberflächenbehandlungsgerät und der Draht­ kontaktierungsmechanismus in dem Drahtkontaktierungsgerät ge­ mäß dieser Ausführungsform hintereinander längs des Transport­ weges L angeordnet und die oberflächenbehandelte Platte 6 wird dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 an der Abtransportseite des Transportweges L zugeführt und im wesentlichen gleichzei­ tig damit wird dem Oberflächenbehandlungsgerät von der Zuführ­ seite des Transportweges L die nächste einer Oberflächenbe­ handlung zu unterziehende Platte 6 zugeführt. Daher können die Oberflächenbehandlung, der Transport und die Drahtkontaktie­ rung der Platten im wesentlichen ohne Zeitverlust nacheinander ausgeführt werden, so daß die Produktivität im hohen Maße er­ höht werden kann.Therefore, the surface treatment device and the wire contacting mechanism in the wire contacting device according to this embodiment are arranged one behind the other along the transport path L and the surface-treated plate 6 is supplied to the wire contacting mechanism 14 on the discharge side of the transport path L and essentially simultaneously the surface treatment device is removed from the supply side of the transport path L the next a surface treatment to be subjected to plate 6 supplied. Therefore, the surface treatment, the transport and the wire contacting of the plates can be carried out in succession substantially without loss of time, so that the productivity can be increased to a high degree.

Claims (13)

1. Drahtkontaktierungsgerät mit:
einer einen Transportweg (L) zum Transportieren eines Gegenstandes (6) aufweisenden Basis (12),
einem längs des Transportweges (L) vorgesehenen Ober­ flächenbehandlungsgerät,
einem längs des Transportweges neben dem Oberflächen­ behandlungsgerät angeordneten Drahtkontaktierungsmechanismus (14), wobei der Drahtkontaktierungsmechanismus (14) zur Her­ stellung eines Kontaktes zwischen Drähten und Elektroden des oberflächenbehandelten Gegenstandes (6) betreibbar ist,
wobei das Oberflächenbehandlungsgerät einen zur Her­ stellung eines Kontaktes mit einer Oberseite der Basis (12) und zum Lösen davon bewegbaren Deckel (13) aufweist, der Deckel (13) die Basis (12) zur Bildung eines abgeschlossenen Raums (K) zum Aufnehmen des auf dem Transportweg (L) auf der Oberseite der Basis (12) angeordneten Gegenstandes (6) be­ rührt, das Oberflächenbehandlungsgerät ferner einen Ein- und Ausrückmechanismus (23) zum Bewegen des Deckels (13) zur Her­ stellung eines Kontaktes mit der Basis (12) bzw. zum Lösen von der Basis (12) und eine Behandlungseinrichtung (32, 34) zur Ausführung einer Oberflächenbehandlung der Elektroden des in dem abgeschlossenen Raum angeordneten Gegenstandes (6) auf­ weist, und
einem Transportmechanismus (15, 16) zum Transportieren des oberflächenbehandelten Gegenstandes von dem Oberflächenbe­ handlungsgerät zu einer Position vor dem Drahtkontaktierungs­ mechanismus (14).1. Wire contacting device with:
a base ( 12 ) having a transport path (L) for transporting an object ( 6 ),
a surface treatment device provided along the transport path (L),
a along the transport path adjacent to the surface treatment apparatus arranged Drahtkontaktierungsmechanismus (14), wherein the Drahtkontaktierungsmechanismus (14) for Her position of contact between wires and electrodes of the surface-treated object (6) is operable,
wherein the surface treatment apparatus a for Her position of contact with a top of the base (12) and having for releasing thereof movable lid (13), the cover (13), the base (12) of the on the formation of a closed space (K) for receiving the transport path (L) on the top of the base ( 12 ) arranged object ( 6 ) be touched, the surface treatment device further an engagement and disengagement mechanism ( 23 ) for moving the cover ( 13 ) to make contact with the base ( 12 ) or for detaching from the base ( 12 ) and a treatment device ( 32 , 34 ) for carrying out a surface treatment of the electrodes of the object ( 6 ) arranged in the closed space, and
a transport mechanism ( 15 , 16 ) for transporting the surface-treated object from the surface treatment device to a position in front of the wire contact mechanism ( 14 ). 2. Drahtkontaktierungsgerät nach Anspruch 1, bei dem der Deckel (13) eine in seiner Unterseite gebildete Ausnehmung (60) zur Ausbildung des abgeschlossenen Raums aufweist.2. Wire contacting device according to claim 1, wherein the cover ( 13 ) has a recess ( 60 ) formed in its underside to form the closed space. 3. Drahtkontaktierungsgerät nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein Absaugmechanismus (12d, 19, 69, 70) zum Evakuieren des abgeschlossenen Raums zum Erhalt eines verringerten Drucks vorgesehen ist.3. Wire contacting device according to claim 1 or 2, wherein a suction mechanism ( 12 d, 19 , 69 , 70 ) is provided for evacuating the enclosed space to maintain a reduced pressure. 4. Drahtkontaktierungsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Transportweg (L) durch auf der Basis ange­ brachte Führungen (40, 41) zum Führen des Gegenstandes (6) ge­ bildet ist und ein Dichtbereich (39) auf der Oberseite der Ba­ sis (12) vorgesehen ist, wobei ein enger Kontakt zwischen der Unterseite des Deckels (13) und dem Dichtbereich (39) her­ stellbar ist.4. Wire contacting device according to one of claims 1 to 3, in which the transport path (L) through on the base brought guides ( 40 , 41 ) for guiding the object ( 6 ) is formed ge and a sealing area ( 39 ) on the top of the Base ( 12 ) is provided, a close contact between the underside of the cover ( 13 ) and the sealing area ( 39 ) being adjustable. 5. Drahtkontaktierungsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Behandlungseinrichtung eine Plasmaerzeu­ gungseinrichtung (32, 34) zum Erzeugen eines Plasmas in dem evakuierten, abgeschlossenen Raum (K) aufweist.5. Wire contacting device according to one of claims 1 to 4, wherein the treatment device comprises a plasma generation device ( 32 , 34 ) for generating a plasma in the evacuated, closed space (K). 6. Drahtkontaktierungsgerät nach Anspruch 5, bei dem die Plasmaerzeugungseinrichtung aufweist:
eine erste, unterhalb der den Transportweg (L) bilden­ den Führungen (40, 41) vorgesehene Elektrode (34),
eine oberhalb der Führungen gegenüber der ersten Elek­ trode (34) vorgesehene zweite Elektrode (32),
eine Hochfrequenzleistungsquelle (62) zum Erzeugen einer Hochfrequenzspannung zwischen der ersten Elektrode (34) und der zweiten Elektrode (32) und
einen Gaszuführbereich (64) zum Zuführen eines zur Er­ zeugung eines Plasmas geeigneten Gases in den evakuierten, ab­ geschlossenen Raum (K).6. Wire contacting device according to claim 5, wherein the plasma generating device comprises:
a first electrode ( 34 ) provided below the transport path (L) for the guides ( 40 , 41 ),
a second electrode ( 32 ) provided above the guides opposite the first electrode ( 34 ),
a high frequency power source ( 62 ) for generating a high frequency voltage between the first electrode ( 34 ) and the second electrode ( 32 ) and
a gas supply area ( 64 ) for supplying a gas suitable for generating a plasma into the evacuated, closed space (K). 7. Drahtkontaktierungsgerät nach Anspruch 6, bei dem die Führungen (40, 41) aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellt sind.7. Wire contacting device according to claim 6, wherein the guides ( 40 , 41 ) are made of an electrically insulating material. 8. Drahtkontaktierungsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Transportmechanismus einen Arm (15) auf­ weist, der in einem Raum zwischen dem Deckel (13) und der Ba­ sis (12) bewegbar ist, wenn der Deckel (13) sich in einem Ab­ stand von der Basis (12) befindet, und mit dem der Gegenstand (6) längs des Transportweges (L) bewegbar ist.8. Wire contacting device according to one of claims 1 to 7, wherein the transport mechanism has an arm ( 15 ) which is movable in a space between the cover ( 13 ) and the base ( 12 ) when the cover ( 13 ) From a stand from the base ( 12 ), and with which the object ( 6 ) along the transport path (L) is movable. 9. Drahtkontaktierungsgerät nach Anspruch 6, bei dem die zweite Elektrode (32) an der Unterseite des Deckels (13) ange­ bracht ist.9. wire contacting device according to claim 6, wherein the second electrode ( 32 ) on the underside of the lid ( 13 ) is introduced. 10. Drahtkontaktierungsverfahren mit den folgenden Schrit­ ten:
Anordnen eines Gegenstandes auf einem auf einer Basis vorgesehenen Transportweg und Herstellen eines Kontaktes zwi­ schen einem Deckel mit einer Oberseite der Basis zur Bildung eines zum Aufnehmen des Gegenstandes dienenden, abgeschlosse­ nen Raums,
Evakuieren des abgeschlossenen Raums zur Herstellung eines verringerten Drucks,
Zuführen eines, zur Erzeugung eines Plasmas geeigneten Gases in den evakuierten, abgeschlossenen Raum,
Erzeugen einer Hochfrequenzspannung zwischen einer un­ terhalb des Gegenstandes vorgesehenen, ersten Elektrode und einer oberhalb des Gegenstandes, gegenüber der ersten Elek­ trode vorgesehenen, zweiten Elektrode zur Erzeugung eines Plasmas, wodurch eine Oberflächenbehandlung der Elektroden des Gegenstandes mit dem Plasma ausgeführt wird,
Wiederherstellen eines Atmosphärendrucks in dem abge­ schlossenen Raum und Lösen des Deckels von der Basis,
Transportieren des oberflächenbehandelten Gegenstandes längs des Transportweges zu einer Position vor einem Drahtkon­ taktierungsmechanismus und
Kontaktieren der Drähte mit den Elektroden des ober­ flächenbehandelten Gegenstandes mit Hilfe des Drahtkontaktie­ rungsmechanismus.10. Wire contacting method with the following steps:
Arranging an object on a transport path provided on a base and establishing a contact between a lid and an upper side of the base to form a closed space serving to receive the object,
Evacuating the enclosed space to produce a reduced pressure,
Supplying a gas suitable for generating a plasma into the evacuated, closed space,
Generating a high-frequency voltage between a first electrode provided underneath the object and a second electrode provided above the object, opposite the first electrode, for generating a plasma, whereby a surface treatment of the electrodes of the object is carried out with the plasma,
Restoring an atmospheric pressure in the enclosed space and detaching the cover from the base,
Transporting the surface-treated article along the transport path to a position in front of a wire contacting mechanism and
Contacting the wires with the electrodes of the surface-treated object using the wire contacting mechanism. 11. Drahtkontaktierungsverfahren nach Anspruch 10, bei dem die Oberflächenbehandlung eine Behandlung ist, mit der Ober­ flächen der Elektroden des Gegenstandes geätzt werden.11. The wire bonding method according to claim 10, wherein the surface treatment is a treatment with the upper surfaces of the electrodes of the object are etched. 12. Drahtkontaktierungsverfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei dem die Elektrode des Gegenstandes eine auf einer Oberflä­ che eines Schaltungsmusters gebildete Grenzmetallschicht und eine auf einer Oberfläche der Grenzmetallschicht gebildete Goldschicht aufweist, wobei die Grenzmetallschicht Nickel ent­ hält.12. Wire contacting method according to claim 10 or 11, in which the electrode of the object is on a surface boundary metal layer and a circuit pattern one formed on a surface of the boundary metal layer Gold layer, the boundary metal layer ent ent nickel holds. 13. Drahtkontaktierungsverfahren nach Anspruch 12, bei dem die Goldschicht durch ein stromloses Substitutionsgalvanisie­ rungsverfahren gebildet ist.13. The wire bonding method according to claim 12, wherein the gold layer through electroless substitution electroplating is formed.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4278528A (en) * 1979-10-09 1981-07-14 Coulter Systems Corporation Rectilinear sputtering apparatus and method
US4341582A (en) * 1980-12-22 1982-07-27 The Perkin-Elmer Corporation Load-lock vacuum chamber
JPH07106363A (en) * 1993-09-29 1995-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wire bonding pretreatment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4278528A (en) * 1979-10-09 1981-07-14 Coulter Systems Corporation Rectilinear sputtering apparatus and method
US4341582A (en) * 1980-12-22 1982-07-27 The Perkin-Elmer Corporation Load-lock vacuum chamber
JPH07106363A (en) * 1993-09-29 1995-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wire bonding pretreatment

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: Galvanotechnik 4/1995, 1254-59 *
GB-Z.: Vacuum, Vol. 27, Nr. 3 (1977), 151-153 *

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