DE19616969A1 - Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same - Google Patents

Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same

Info

Publication number
DE19616969A1
DE19616969A1 DE19616969A DE19616969A DE19616969A1 DE 19616969 A1 DE19616969 A1 DE 19616969A1 DE 19616969 A DE19616969 A DE 19616969A DE 19616969 A DE19616969 A DE 19616969A DE 19616969 A1 DE19616969 A1 DE 19616969A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
optical assembly
layer
assembly according
receiving element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19616969A
Other languages
German (de)
Inventor
Klaus-Michael Dr Mayer
Wolf-Henning Dr Rech
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19616969A priority Critical patent/DE19616969A1/en
Priority to DE29624438U priority patent/DE29624438U1/en
Priority to GB9708025A priority patent/GB2312551B/en
Priority to FR9705142A priority patent/FR2748123A1/en
Publication of DE19616969A1 publication Critical patent/DE19616969A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
    • G02B6/4221—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera
    • G02B6/4224—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera using visual alignment markings, e.g. index methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Abstract

A semi conductor laser diode 13 and a photodiode 21 are mounted on one side of a transparent substrate 3. An optically transparent layer 31 encapsulates the diodes and a further layer 33 serves as a moisture barrier. A prism formed in the substrate directs a beam from the laser via a wall 43 and a lens 37 to an optical fibre. A wall 23 directs a beam from the laser to the photodiode for monitoring the operation of the laser diode.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung betrifft eine optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters mit einem lichtdurchlässigen Träger, und einem Sende- oder Empfangselement, das auf einer ersten Seite des Trägers aufgebracht ist. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer solchen optischen Baugruppe.The invention relates to an optical assembly for Coupling an optical fiber with a translucent carrier, and a transmission or Receiving element, which is on a first page of the Carrier is applied. Beyond concerns the invention a method for producing a such an optical assembly.

Eine derartige Baugruppe ist beispielsweise aus der Druckschrift DE 43 01 456 C1 bekannt. Der darin an­ gegebene plattenförmige Träger aus Silizium ist mittels mikromechanischer Fertigungsmethoden prä­ zise strukturiert, so daß ein als Sendeelement die­ nender Laserchip, ein Lichtwellenleiter und eine Abbildungslinse mit engen Toleranzen positioniert werden können. Die abschließende Justierung des Lichtwellenleiters des Laserchips ist aufgrund der präzisen Strukturierung deutlich vereinfacht. Um den sehr empfindlichen Laserchip von äußeren Ein­ flüssen zu schützen, ist er durch eine gehäusear­ tige hermetisch dichte Anordnung umgeben, wobei der Träger ein Teil der Einhäusung ist.Such an assembly is for example from the Document DE 43 01 456 C1 known. The one in it given plate-shaped carrier made of silicon using micromechanical manufacturing methods pre zise structured, so that a as a transmission element laser chip, an optical fiber and one Imaging lens positioned with tight tolerances can be. The final adjustment of the Optical fiber of the laser chip is due to the precise structuring significantly simplified. Around the very sensitive laser chip from outside  To protect rivers, it is through a housing hermetically sealed arrangement, the Carrier is part of the enclosure.

Allgemein ist es auf jeden Fall erforderlich, der­ artige Halbleiterbauteile für ihren Einsatz in ein geeignetes Gehäuse zu montieren, an die der Licht­ wellenleiter optisch anzukoppeln ist. Dabei spielt insbesondere der Schutz der Bauteile vor Umgebungs­ einflüssen und eine gute optische Kopplung eine entscheidende Rolle bei der Auslegung der Gehäuse. Die Kopplung geschied dabei im allgemeinen durch eine Anordnung von ein bis zwei Linsen, wobei die Position der Lichtwellenleiter relativ zu den Lin­ sen und dem Laserchip in einem Justiervorgang opti­ miert wird. Der Laserchip ist in einem gegen die Umwelt hermetisch abgeschlossenen Gehäuse unterge­ bracht, wobei die Linsen und der Lichtwellenleiter entweder außerhalb angeordnet oder ebenfalls im Ge­ häuse angebracht sind. Im letzteren Fall wird der Lichtwellenleiter dann durch eine hermetische Durchführung aus dem Gehäuse ausgeleitet.In general, it is definitely necessary that like semiconductor devices for their use in a suitable housing to which the light optically couple the waveguide. It plays especially the protection of the components from the environment influence and a good optical coupling a decisive role in the design of the housing. The coupling generally passed through an arrangement of one or two lenses, the Position of the optical fibers relative to the Lin sen and the laser chip in one adjustment process is lubricated. The laser chip is in one against the Enclosed hermetically sealed housing brings, the lenses and the optical fiber either located outside or also in Ge housing are attached. In the latter case, the Optical fiber then through a hermetic Execution led out of the housing.

Aus dem Bereich der CD-Geräte sind Abtasteinheiten bekannt, bei denen lediglich der Laserchip zusammen mit einer Fotodiode zur Leistungsüberwachung in ein herinetisch dichtes Rundgehäuse montiert sind. Mitt­ lerweile wird diese Baugruppe auch für die Informa­ tionsübertragung genutzt. Das verwendete sogenannte Koaxialgehäuse ist ein feinmechanisches Produkt aus Metall und Glas und weist - gemessen an den Tole­ ranzforderungen für die optische Kopplung zwischen Laser und Lichtwellenleiter im Bereich von kleiner 1 µm - sehr erhebliche Fertigungstoleranzen auf, wes­ halb ein aufwendiger dreidimensionaler Justiervor­ gang zur Optimierung der Lichtwellenleiter-Ankopp­ lung notwendig ist.Scanning units are from the field of CD devices known in which only the laser chip together with a photodiode for performance monitoring in one herinetically sealed round housing are mounted. Mitt meanwhile this assembly is also used for the Informa tion transfer used. The so-called used Coaxial housing is a fine mechanical product Metal and glass and points - measured by the tole sancel requirements for the optical coupling between  Lasers and optical fibers in the range of smaller 1 µm - very considerable manufacturing tolerances on what half an elaborate three-dimensional adjustment gear to optimize the fiber optic coupling is necessary.

Ein Nachteil der angesprochenen Verwendung von her­ metisch abdichtenden Gehäuse ist insbesondere darin zu sehen, daß Kosten verursacht werden, die bei sinkenden Halbleiterpreisen immer stärker ins Ge­ wicht fallen.A disadvantage of the use mentioned here Metically sealing housing is especially in it to see that costs are incurred at falling semiconductor prices increasingly into ge important fall.

Aus dem Aufsatz "Pig-tail Type Laser Modules Enti­ rely Molded in Plastic" Electronics Letters, 28. September 1995, Vol. 31, No. 20, Seiten 1745 bis 1747, ist eine Anordnung bekannt, bei der eine Laserdiode durch eine Kunststoffvergußmasse gegen Umgebungseinflüsse geschützt ist. Nachteilig ist dabei, daß die Laserdiode ohne Abbildungsoptik durch Stoßkupplung an die Glasfaser angekoppelt wird.From the article "Pig-tail Type Laser Modules Enti rely Molded in Plastic "Electronics Letters, September 28, 1995, Vol. 31, No. 20, pages 1745 to 1747, an arrangement is known in which one Laser diode against a plastic potting compound Environmental influences is protected. The disadvantage is doing that the laser diode without imaging optics coupled to the glass fiber by means of a coupling becomes.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 hat den Vorteil, daß auf ein teures das Sende- oder Empfangselement hermetisch ab­ dichtendes Gehäuse verzichtet werden kann, ohne den Schutz vor Umgebungseinflüssen, beispielsweise Feuchtigkeit, zu verlieren. Dadurch, daß eine lichtdurchlässige Schicht, beispielsweise eine op­ tisch transparente Vergußmasse auf den Träger und das Sende- oder Empfangselement aufgebracht wird, ergibt sich eine Abdichtung des Sende- oder Emp­ fangselements nach außen, einerseits durch den Trä­ ger selbst und andererseits durch die aufgebrachte Schicht.The inventive method with the features of claim 1 has the advantage that an expensive the transmitting or receiving element hermetically sealing housing can be dispensed with without the Protection against environmental influences, for example Losing moisture. The fact that a translucent layer, for example an op transparent potting compound on the carrier and the transmitting or receiving element is applied,  there is a sealing of the transmission or emp catch elements to the outside, on the one hand through the door ger himself and on the other hand by the angry Layer.

Vorzugsweise wird eine wannenförmige Vertiefung auf einer Seite des Trägers ausgebildet, in die das Sende- oder Empfangselement vorzugsweise mittels einer Lotverbindung aufgebracht wird, wodurch ein zusätzlicher Schutz erreicht wird.A trough-shaped depression is preferably applied one side of the carrier into which the Transmitting or receiving element, preferably by means of a solder connection is applied, whereby a additional protection is achieved.

Vorzugsweise wird auf die erste Schicht eine wei­ tere Schicht aufgebracht, die als Feuchtigkeits­ sperre dient. Mit Hilfe dieses zweischichtigen Auf­ baus läßt sich eine Optimierung der ersten Schicht hinsichtlich der optischen und der zweiten Schicht hinsichtlich der abschirmender Wirkung besser be­ werkstelligen.A white layer is preferably applied to the first layer tere layer applied as a moisture lock serves. With the help of this two-layer opening The first layer can be optimized with regard to the optical and the second layer be better with regard to the shielding effect factory.

Vorzugsweise wird auf der anderen Seite des Trägers eine Linse ausgebildet, die einen besseren Koppel­ wirkungsgrad beim Ankoppeln eines Lichtwellenlei­ ters im Gegensatz zu einer Stoßkopplung erzielt.Preferably on the other side of the carrier formed a lens that has a better coupling efficiency when coupling an optical fiber ters achieved in contrast to a butt coupling.

Auch die erfindungsgemäße optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters mit den Merkma­ len des Anspruchs 7 hat den Vorteil, daß ein das Sende- oder Empfangselement hermetisch abdichtendes Gehäuse nicht notwendig ist. Den Schutz des emp­ findlichen Sende- oder Empfangselements, vorzugs­ weise eine Laserdiode, vor äußeren Umgebungsein­ flüssen leistet nämlich eine optisch transparente Schicht, die das Sende- oder Empfangselement im we­ sentlichen umgibt und so nach außen hin abschirmt.The optical assembly according to the invention for Coupling an optical fiber with the feature len of claim 7 has the advantage that a Sending or receiving element hermetically sealing Housing is not necessary. The protection of the emp sensitive sending or receiving elements, preferred assign a laser diode, in front of external environment rivers provides an optically transparent  Layer that the sending or receiving element in the we surrounds substantial and so shields from the outside.

Vorzugsweise ist das Sende- oder Empfangselement in einer wannenförmigen Vertiefung angeordnet, wobei dessen Strahlengang zu einer schrägen Wand der Ver­ tiefung gerichtet ist und über eine im Träger aus­ gebildete Reflexionsfläche zur unteren Seite des Trägers geleitet ist.The transmitting or receiving element is preferably in arranged a trough-shaped recess, wherein whose beam path to a sloping wall of ver deepening is directed and over one in the carrier formed reflection surface to the lower side of the Carrier is headed.

Vorzugsweise ist zur Erhöhung des Koppelwirkungs­ grades an dieser unteren Seite im Strahlengang eine Linse vorgesehen.It is preferable to increase the coupling effect degrees on this lower side in the beam path Lens provided.

In einer Weiterbildung der Erfindung ist dem Sende- oder Empfangselement, vorzugsweise einer Laserdi­ ode/eine Monitor-Fotodiode zugeordnet, die eben­ falls von der ersten Schicht umgeben ist und mit deren Hilfe eine Überwachung der Laserdiode möglich ist.In a further development of the invention, the transmitter or receiving element, preferably a laser di ode / assigned a monitor photodiode, which just if surrounded by the first layer and with whose help a monitoring of the laser diode is possible is.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen.Further advantageous embodiments of the invention result from the remaining subclaims.

Zeichnungendrawings

Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbei­ spiels mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt die einzige Figur eine schematische Schnittdarstellung einer optischen Baugruppe. The invention will now be described with reference to an embodiment game explained with reference to the drawing. The only figure shows a schematic Sectional view of an optical assembly.  

Beschreibung eines AusführungsbeispielsDescription of an embodiment

In der Figur ist eine optische Baugruppe 1 darge­ stellt, die eine vorzugsweise aus Silizium beste­ hende Trägerplatte 3 umfaßt.In the figure, an optical assembly 1 is Darge, which comprises a preferably best existing carrier plate 3 .

Auf einer oberen Seite 5 der Trägerplatte 3 ist eine wannenförmige Vertiefung 7 und eine dazu be­ nachbarte V-förmige Nut 9 mittels naßchemischer Ätzverfahren eingebracht.On a top side 5 of the carrier plate 3 , a trough-shaped recess 7 and a neighboring V-shaped groove 9 be introduced by means of wet chemical etching processes.

Auf einer Grundfläche 11 der Vertiefung 7 ist eine Halbleiter-Laserdiode 13 aufgesetzt, wobei zur Ver­ bindung eine Lotschicht 15 Verwendung findet. Die Laserdiode 13 selbst wird über eine elektrische Leitung 17 aktiviert, die an einem Kontaktpunkt 19 angebracht ist.On a base 11 of the recess 7 , a semiconductor laser diode 13 is placed, wherein a solder layer 15 is used for the connection. The laser diode 13 itself is activated via an electrical line 17 which is attached to a contact point 19 .

Benachbart zu der Laserdiode 13 ist eine Monitor- Fotodiode 21 auf der Oberseite 5 des Trägers 3 an­ geordnet. Die Monitor-Fotodiode 21 ist dabei zu ei­ ner schrägen Seitenfläche 23 der Vertiefung 7 ge­ richtet, um auf diese Weise von dort reflektiertes Licht aufnehmen zu können. Die Befestigung der Mo­ nitor-Fotodiode 21 erfolgt jedoch an der planen Oberseite 5 des Trägers 3, wobei wiederum eine Lot­ schicht 25 Verwendung findet. Selbstverständlich ist statt dem Lot auch ein Leitkleber einsetzbar. Die von der Fotodiode 21 abgegebenen Signale werden über eine elektrische Leitung 27, die an einem Kon­ taktpunkt 29 mit der Fotodiode verbunden ist, zu einer nicht dargestellten nachgeordneten Steuer- und Auswerteeinheit übertragen. Adjacent to the laser diode 13 , a monitor photodiode 21 is arranged on the top 5 of the carrier 3 . The monitor photodiode 21 is directed towards egg ner inclined side surface 23 of the recess 7 in order to be able to record light reflected from there. The attachment of the Mo nitor photodiode 21 , however, takes place on the flat upper side 5 of the carrier 3 , again using a solder layer 25 . Of course, a conductive adhesive can also be used instead of the solder. The signals emitted by the photodiode 21 are transmitted via an electrical line 27 , which is connected to the photodiode at a contact point 29 , to a downstream control and evaluation unit, not shown.

Die Figur läßt darüber hinaus eine Schicht 31 er­ kennen, die sowohl die Fotodiode 21 als auch die Laserdiode 13 vollständig umgibt. Lediglich die Verbindungsflächen mit der Oberseite 5 der Träger­ platte 3 kommen nicht in Kontakt mit dieser Schicht 31. Auch die Nut 9 ist von der Schicht 31 ausge­ füllt.The figure also shows a layer 31 , which completely surrounds both the photodiode 21 and the laser diode 13 . Only the connecting surfaces with the top 5 of the carrier plate 3 do not come into contact with this layer 31 . The groove 9 is filled out of the layer 31 .

Die Schicht 31 besteht aus einem optisch transpa­ renten Material, das eine definierte optische Brechzahl aufweist, die für die Berechnung des spä­ ter beschriebenen Strahlengangs wichtig ist.The layer 31 consists of an optically transparent material which has a defined optical refractive index, which is important for the calculation of the beam path described later.

Auf der kuppelförmigen Oberfläche der Schicht 31 ist eine weitere als Feuchtigkeitssperre dienende Schicht 33 aufgebracht. Dieser zweischichtige Auf­ bau wird immer dann benutzt, wenn die optisch transparente Schicht nicht ausreichende feuchtig­ keitssperrende Eigenschaften aufweist.A further layer 33 serving as a moisture barrier is applied to the dome-shaped surface of the layer 31 . This two-layer construction is used whenever the optically transparent layer does not have sufficient moisture-blocking properties.

Mit Hilfe der beiden Schichten 31 und 33 läßt sich die gegen äußere Einflüsse sehr empfindliche Laser­ diode 13 auf einfache Weise schützen.With the help of the two layers 31 and 33 , the laser diode 13 , which is very sensitive to external influences, can be protected in a simple manner.

Des weiteren ist der Figur zu entnehmen, daß auf einer unteren Seite 35 der Trägerplatte 3 eine op­ tische Linse 37 ausgebildet ist, die die Einkopp­ lung des Laserlichts in einen angeschlossenen Lichtwellenleiter verbessert.Furthermore, the figure shows that on a lower side 35 of the carrier plate 3, an optical lens 37 is formed, which improves the coupling of the laser light into a connected optical waveguide.

Die Herstellung einer optischen Baugruppe 1 erfolgt in mehreren Schritten, wobei als Grundmaterial ein Silizium-Wafer dient. In der Oberfläche der aus Si­ lizium bestehenden Trägerplatte 3 werden zunächst durch naßchemisches Ätzen Vertiefungen 7 und 9 aus­ gebildet, wobei die schrägen Wände 23 durch die Kristallrichtung definiert sind und deren Lage und Abmessung daher eine Präzision der Größenordnung 1 µm aufweisen.An optical assembly 1 is produced in several steps, a silicon wafer serving as the base material. In the surface of the carrier plate 3 made of silicon, depressions 7 and 9 are first formed by wet-chemical etching, the inclined walls 23 being defined by the crystal direction and their position and dimension therefore having a precision of the order of 1 μm.

Anschließend wird in die Vertiefung 7 die Laserdi­ ode 13 eingebracht, wozu das Lot 15 beispielsweise mit einem NdYAG-Laser punktuell erhitzt wird.The laser diode 13 is then introduced into the recess 7 , for which purpose the solder 15 is selectively heated, for example with an NdYAG laser.

Die Ausrichtung der Laserdiode innerhalb der Ver­ tiefung 7 erfolgt vorzugsweise in Längsrichtung an der Kante des Übergangs einer schrägen Wand 41 in die Grundfläche 11 der Vertiefung 7. Zusätzlich können an der Oberseite 5 der Trägerplatte 3 Mar­ kierungen zur Justierung vorgesehen sein.The alignment of the laser diode within the recess 7 is preferably carried out in the longitudinal direction at the edge of the transition of an inclined wall 41 into the base 11 of the recess 7 . In addition, 3 Mar markings can be provided for adjustment on the top 5 of the carrier plate.

Vor dem Aufbringen der Laserdiode kann zur Verbes­ serung der elektrischen Kontaktierung mit der Trä­ gerplatte 3 zusätzlich eine Goldschicht auf Teilen der Oberseite 5 aufgebracht werden. Neben der Ver­ besserung der elektrischen Leitfähigkeit dient diese - in der Figur nicht dargestellte - Goldschicht beispielsweise an der schrägen Wand 23 als Spiegel.Before the laser diode is applied, a gold layer can also be applied to parts of the top side 5 to improve the electrical contact with the carrier plate 3 . In addition to the improvement of the electrical conductivity, this gold layer - not shown in the figure - serves, for example, on the sloping wall 23 as a mirror.

Darüber hinaus werden die Grenzflächen der Träger­ platte 3, an denen Licht ein- oder austritt, mit einer Entspiegelungsschicht versehen, wofür eine Viertelwellenlängenschicht geeigneter Brechzahl, die ganz flächig auf beiden Seiten 5 und 35 abge­ schieden wird, ausreicht. In addition, the interfaces of the carrier plate 3 , where light enters or exits, is provided with an anti-reflective coating, for which a quarter-wavelength layer of suitable refractive index, which is completely separated on both sides 5 and 35 , is sufficient.

Wenn sowohl Fotodiode 21 als auch auch Laserdiode 13 aufgebracht sind, wird zunächst die Schicht 31 aufgebracht und anschließend die außenliegende Feuchtigkeits-Sperrschicht 33.If both the photodiode 21 and the laser diode 13 are applied, the layer 31 is applied first and then the external moisture barrier layer 33 .

Zur Ausbildung der Linse 37 wird eine Lacklinse, die durch Fotolithographie und Aufschmelzen des Lacks erzeugt wurde, ins Silizium übertragen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, durch Ätzen einer wannenförmigen Vertiefung und selbstjustiertes Ein­ bringen einer Glaskugel eine Linse auszubilden. In beiden Fällen ist keine individuelle Justage not­ wendig, so daß der Justiervorgang nur einmal wäh­ rend der Herstellung der Trägerplatte erfolgt.To form the lens 37 , a lacquer lens, which was produced by photolithography and melting of the lacquer, is transferred into the silicon. Another possibility is to form a lens by etching a trough-shaped depression and self-adjusting a glass ball. In both cases, no individual adjustment is necessary, so that the adjustment process takes place only once during the manufacture of the carrier plate.

Letztendlich werden die einzelnen optischen Bau­ gruppen 1, die auf einem Wafer ausgebildet wurden, durch Sägen oder Brechen vereinzelt. Aufgrund der Schichten 31 und 33 und der versenkten Anordnung der Laserdiode 13 bleibt diese dabei unbeschädigt. Zum Schutz vor Verunreinigungen läßt sich vor dem Vereinzeln die Unterseite 35 mittels einer Lack­ schicht schützen.Ultimately, the individual optical construction groups 1 , which were formed on a wafer, are separated by sawing or breaking. Due to the layers 31 and 33 and the recessed arrangement of the laser diode 13 , this remains undamaged. To protect against contamination, the underside 35 can be protected by means of a lacquer layer before separation.

Darüber hinaus können bei der Herstellung auf der Unterseite 35 zusätzliche Justiermarken angebracht werden, die bei der abschließenden optischen Kopp­ lung der vereinzelten Baugruppen mit dem beispiels­ weise auf einer ähnlichen Trägerplatte angebrachten Lichtwellenleiter zur Vorausrichtung dienen, so daß der notwendige Justiervorgang vereinfacht und be­ schleunigt wird. In addition, 35 additional alignment marks can be attached to the manufacture on the underside, which serve for pre-alignment in the final optical coupling of the individual modules with the example, attached to a similar carrier plate, so that the necessary adjustment process is simplified and accelerated.

Im folgende soll nun kurz auf die Funktions der op­ tischen Baugruppe eingegangen werden.In the following we will briefly look at the function of the op table assembly.

Die Laserdiode 13 emittiert Laserlicht in einem Wellenlängenbereich oberhalb 1100 nm in Richtung der schrägen Wand 41 der Vertiefung 7. Aufgrund der optischen Transparenz für diesen Wellenlängenbe­ reich der Schicht 31 erreichen die Strahlen die Wand 41, wo sie zum Lot hin gebrochen werden. Vor­ aussetzung dafür ist jedoch, daß das Material der Schicht 31 eine entsprechende Brechzahl besitzt. Das Licht breitet sich dann innerhalb der ebenfalls für den angegebenen Wellenlängenbereich durchlässi­ gen Trägerplatte 3 weiter aus und trifft auf eine schräge Wand 43 der V-förmigen Nut 9. Dort wird dann das Licht nach unten zur Unterseite 35 reflek­ tiert. Nachdem es die Trägerplatte 3 durchquert hat, tritt es an der Unterseite 35 aus. Soll das Laserlicht anschließend in einen Lichtwellenleiter eingekoppelt oder als kollimierte Strahl verwendet werden, ist an der Austrittsstelle die Linse 37 an­ geordnet.The laser diode 13 emits laser light in a wavelength range above 1100 nm in the direction of the inclined wall 41 of the depression 7 . Because of the optical transparency for this wavelength range of the layer 31 , the rays reach the wall 41 , where they are refracted towards the solder. Before it is possible, however, that the material of the layer 31 has a corresponding refractive index. The light then spreads further within the carrier plate 3, which is also permeable for the specified wavelength range, and strikes an inclined wall 43 of the V-shaped groove 9 . There the light is then reflected down to the bottom 35 . After it has passed through the carrier plate 3 , it emerges from the underside 35 . If the laser light is then to be coupled into an optical waveguide or used as a collimated beam, the lens 37 is arranged at the exit point.

Zur Überwachung der Funktion der Laserdiode 13 und zur Regelung der Ausgangsleistung bei Temperaturän­ derungen und Alterung, strahlt die Laserdiode 13 Licht zu der schrägen Wand 23, an der es zu der Fo­ todiode 21 hin reflektiert wird.To monitor the function of the laser diode 13 and to regulate the output power in the event of changes in temperature and aging, the laser diode 13 emits light to the inclined wall 23 , on which it is reflected toward the photodiode 21 .

Besondere Bedeutung bei dieser optischen Baugruppe kommt dem Material der Schicht 31 zu. Diese muß - wie bereits erwähnt - eine definierte Brechzahl auf­ weisen, die darüber hinaus konstant und reprodu­ zierbar ist. Zusätzlich muß sie frei von beispiels­ weise durch Füllstoffe verursachte Streuzentren, sein und eine hohe Transparenz bei der Emissions­ wellenlänge der Laserdiode 13 aufweisen. Letztend­ lich ist es auch notwendig, daß das Material eine geringe Wärmeausdehnung besitzt.The material of the layer 31 is of particular importance in this optical assembly. As already mentioned, this must have a defined refractive index which is also constant and reproducible. In addition, it must be free of, for example, scattering centers caused by fillers, and have a high transparency in the emission wavelength of the laser diode 13 . Ultimately, it is also necessary that the material has a low thermal expansion.

In einer nicht dargestellten Ausführungsform der Er­ findung ist die Vertiefung 7 in zwei Stufen ausge­ führt. Dabei wird der Laserchip 13 so auf die Grundfläche 11 der höherliegenden Stufe montiert, daß der lichtemittierende Bereich direkt auf der Lotschicht aufliegt (Epi-down-Montage). Gleichzei­ tig liegt die Endfläche an der Kante des Übergangs von der höherliegenden zur niedriger liegenden Stufe, so daß das Licht zunächst ebenfalls in den mit der Schicht 31 gefüllten Raum emittiert wird, bevor es an der schrägen Seitenwand 41 in den Trä­ ger übergeht. In dieser Anordnung kann der Abstand zwischen der Laserdiode 13 und der Seitenwand 41 geringer eingestellt werden, was für Laserdioden mit großem Öffnungswinkel der Emission vorteilhaft sein kann.In an embodiment of the invention, which is not shown, the recess 7 is in two stages. The laser chip 13 is mounted on the base 11 of the higher level in such a way that the light-emitting area lies directly on the solder layer (epi-down mounting). At the same time, the end face lies on the edge of the transition from the higher to the lower step, so that the light is also first emitted into the space filled with the layer 31 before it passes on the inclined side wall 41 into the carrier. In this arrangement, the distance between the laser diode 13 and the side wall 41 can be set smaller, which can be advantageous for laser diodes with a large emission angle.

Claims (18)

1. Verfahren zur Herstellung einer optischen zur An­ kopplung eines Lichtwellenleiters geeigneten Bau­ gruppe mit zumindest einem Sende- oder Empfangsele­ ment, das auf einer ersten Seite eines lichtdurchläs­ sigen Trägers aufgesetzt wird, wobei ein Strahlengang von dem Sende- oder Empfangselement zur gegenüberlie­ genden Seite des Trägers verläuft, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine optisch transparente Schicht auf­ gebracht wird, die zumindest das Sende- oder Emp­ fangselement umschließt.1. A method for producing an optical for coupling an optical waveguide suitable construction group with at least one transmitting or receiving element, which is placed on a first side of a translucent carrier, with a beam path from the transmitting or receiving element to the opposite side of the Carrier runs, characterized in that an optically transparent layer is brought on, which at least encloses the transmitting or receiving element. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine vorzugsweise wannenförmige Vertiefung auf der ersten Seite des Trägers ausgebildet wird, in die das Sende- oder Empfangselement eingesetzt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that that a preferably trough-shaped depression the first side of the carrier is formed into the the transmitting or receiving element is used. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf die optisch transparente Schicht (31) eine weitere Schicht (33) aufgebracht wird, die als Feuchtigkeitssperre dient.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that a further layer ( 33 ) is applied to the optically transparent layer ( 31 ), which serves as a moisture barrier. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Sende- oder Empfangs­ element mittels einer Lotschicht mit dem Träger ver­ bunden wird. 4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the transmission or reception ver element by means of a solder layer with the carrier is bound.   5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß auf der zweiten Seite (35) des Trägers (3) eine Lacklinse in den Träger übertragen wird, wobei die Lacklinse mittels eines Fotolithographie-Verfahrens und anschließen­ dem Aufschmelzen des Lacks erzeugt wird.5. The method according to any one of the preceding Ansprü surface, characterized in that on the second side ( 35 ) of the carrier ( 3 ), a lacquer lens is transferred into the carrier, the lacquer lens being produced by means of a photolithography process and then melting the lacquer . 6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Vertiefung mittels eines naßchemischen Ätzverfahrens hergestellt wird.6. The method according to claim 2, characterized in net that the deepening by means of a wet chemical Etching process is made. 7. Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Licht­ wellenleiters, mit einem lichtdurchlässigen Träger (3) und einem Sende- oder Empfangselement (13), das auf einer ersten Seite (5) des Trägers (3) aufge­ bracht ist, gekennzeichnet durch eine optisch transparente Schicht (31), die zumindest das Sende- oder Empfangselement (13) umgibt.7. Optical assembly for coupling a light waveguide, with a translucent carrier ( 3 ) and a transmitting or receiving element ( 13 ), which is brought up on a first side ( 5 ) of the carrier ( 3 ), characterized by an optically transparent layer ( 31 ), which surrounds at least the transmitting or receiving element ( 13 ). 8. Optische Baugruppe nach Anspruch 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Träger (3) auf der ersten Seite (5) zumindest eine vorzugsweise wannenförmige Vertiefung (7) aufweist, in die das Sende- oder Empfangselement (13) eingebracht ist, wobei der Strahlengang des Sende- oder Empfangselements zu einer schrägen Seitenwand (41) der Vertiefung (7) gerichtet ist.8. Optical assembly according to claim 7, characterized in that the carrier ( 3 ) on the first side ( 5 ) has at least one preferably trough-shaped recess ( 7 ) into which the transmitting or receiving element ( 13 ) is introduced, the Beam path of the transmitting or receiving element is directed to an oblique side wall ( 41 ) of the recess ( 7 ). 9. Optische Baugruppe nach Anspruch 6 oder 7, da­ durch gekennzeichnet, daß benachbart zu der schrä­ gen Seitenwand (41) der Vertiefung (7) eine vor­ zugsweise V-förmige Nut (9) vorgesehen ist, deren eine Wandung (43) als Reflexionsfläche im Strah­ lengang liegt. 9. Optical assembly according to claim 6 or 7, characterized in that adjacent to the oblique side wall ( 41 ) of the recess ( 7 ) is provided before a preferably V-shaped groove ( 9 ), one wall ( 43 ) as a reflection surface lies in the beam path. 10. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer zwei­ ten der ersten Seite gegenüberliegenden Seite (35) des Trägers (3) eine Linse (37) vorgesehen ist.10. Optical assembly according to one of claims 6 to 9, characterized in that a lens ( 37 ) is provided on a two th opposite side ( 35 ) of the carrier ( 3 ). 11. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf der außen­ liegende Oberfläche der ersten Schicht (31) eine weitere Schicht (33) ausgebildet ist, die als Feuchtigkeitssperre dient.11. Optical assembly according to one of claims 7 to 10, characterized in that on the outer surface of the first layer ( 31 ) a further layer ( 33 ) is formed, which serves as a moisture barrier. 12. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Trägers (3) Silizium ist.12. Optical assembly according to one of claims 7 to 11, characterized in that the material of the carrier ( 3 ) is silicon. 13. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der ersten Schicht (31) organisch ist.13. Optical assembly according to one of claims 7 to 12, characterized in that the material of the first layer ( 31 ) is organic. 14. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Sende- oder Empfangselement eine Halbleiter-Laserdiode ist, die Licht im Wellenlängenbereich oberhalb 1100 nm aus­ sendet.14. Optical assembly according to one of claims 7 to 13, characterized in that the broadcast or Receiving element is a semiconductor laser diode that Light in the wavelength range above 1100 nm sends. 15. Optische Baugruppe nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserdiode (13) Licht in einem Öffnungswinkel von 10° bis 50° aussendet.15. Optical assembly according to claim 14, characterized in that the laser diode ( 13 ) emits light at an opening angle of 10 ° to 50 °. 16. Optische Baugruppe nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserdiode (13) zu deren Überwachung eine auf der ersten Seite (5) des Trägers (3) ausgebildete Monitor-Fotodiode (21) zu­ geordnet ist, die ebenfalls von der ersten Schicht (31) umgeben ist. 16. Optical assembly according to claim 14 or 15, characterized in that the laser diode ( 13 ) for monitoring it is arranged on the first side ( 5 ) of the carrier ( 3 ) trained monitor photodiode ( 21 ), which is also from the first layer ( 31 ) is surrounded. 17. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 7 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten und/oder der zweiten Seite Markierungen zum Justie­ ren ausgebildet sind.17. Optical assembly according to one of claims 7 to 16, characterized in that on the first and / or the second page markings for Justie ren are trained. 18. Optische Baugruppe nach einem der Ansprüche 7 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und/oder die zweite Seite des Trägers (3) mit einer Entspiegelungsschicht versehen ist.18. Optical assembly according to one of claims 7 to 17, characterized in that the first and / or the second side of the carrier ( 3 ) is provided with an anti-reflective layer.
DE19616969A 1996-04-27 1996-04-27 Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same Withdrawn DE19616969A1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19616969A DE19616969A1 (en) 1996-04-27 1996-04-27 Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same
DE29624438U DE29624438U1 (en) 1996-04-27 1996-04-27 Optical module for coupling optical fibres with transmitting or receiving elements - includes laser diode and photodiode mounted on one side of transparent substrate and encapsulated in optically transparent and moisture barrier layers
GB9708025A GB2312551B (en) 1996-04-27 1997-04-21 Optical module for coupling an optical fibre and method of producing it
FR9705142A FR2748123A1 (en) 1996-04-27 1997-04-25 OPTICAL ASSEMBLY FOR COUPLING A LIGHT GUIDE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19616969A DE19616969A1 (en) 1996-04-27 1996-04-27 Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19616969A1 true DE19616969A1 (en) 1997-10-30

Family

ID=7792687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19616969A Withdrawn DE19616969A1 (en) 1996-04-27 1996-04-27 Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE19616969A1 (en)
FR (1) FR2748123A1 (en)
GB (1) GB2312551B (en)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0942302A2 (en) * 1998-03-12 1999-09-15 Robert Bosch Gmbh Electrooptical module
WO2000002254A2 (en) * 1998-06-30 2000-01-13 Robert Bosch Gmbh Device for detecting electromagnetic radiation
EP0992824A2 (en) * 1998-10-02 2000-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Micro-optical component and method for its fabrication
EP1020747A1 (en) * 1998-08-05 2000-07-19 Seiko Epson Corporation Optical module
EP1133032A1 (en) * 2000-02-22 2001-09-12 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation Optical assembly
EP1146570A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-17 Infineon Technologies AG Semiconductor light emitting device and method for the manufacture of a carrier
EP1168022A2 (en) * 2000-06-28 2002-01-02 Infineon Technologies AG Opto-module with substrate having through-hole connections
US6488417B2 (en) 1999-12-07 2002-12-03 Infineon Technologies Ag Opto-electronic assembly having an integrated imaging system
WO2004049022A2 (en) * 2002-11-26 2004-06-10 Hymite A/S Opto-electronic micro-module with an integrated lens
FR2977715A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-11 St Microelectronics Grenoble 2 OPTICAL ELECTRONIC HOUSING
FR2977714A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-11 St Microelectronics Grenoble 2 OPTICAL ELECTRONIC HOUSING
US9105766B2 (en) 2012-03-22 2015-08-11 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Optical electronic package
US10684389B2 (en) 2015-08-21 2020-06-16 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Molded range and proximity sensor with optical resin lens
CN114270642A (en) * 2019-08-29 2022-04-01 京瓷株式会社 Package for mounting optical element, electronic device, and electronic module
DE102022106941A1 (en) 2022-03-24 2023-09-28 Ams-Osram International Gmbh OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
US6588949B1 (en) * 1998-12-30 2003-07-08 Honeywell Inc. Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices
US6792178B1 (en) 2000-01-12 2004-09-14 Finisar Corporation Fiber optic header with integrated power monitor
US7078671B1 (en) 2001-08-06 2006-07-18 Shipley Company, L.L.C. Silicon optical microbench devices and wafer-level testing thereof
EP1515364B1 (en) 2003-09-15 2016-04-13 Nuvotronics, LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
US20050063431A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Gallup Kendra J. Integrated optics and electronics
GB2419229B (en) * 2004-10-13 2009-08-19 Agilent Technologies Inc Laser arrangement and related manufacturing method
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES252713Y (en) * 1979-08-27 1981-11-16 AN IMPROVED BRIGHT BEAM OPTICAL SPLITTER
US4626878A (en) * 1981-12-11 1986-12-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor optical logical device
DE68911420T2 (en) * 1988-08-18 1994-05-11 Seiko Epson Corp Solid state imaging device.
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
ES2105050T3 (en) * 1992-11-25 1997-10-16 Bosch Gmbh Robert ARRANGEMENT FOR THE COUPLING OF END OF GUIDES OF WAVES OF LIGHT TO ELEMENTS OF EMISSION OR RECEPTION.
DE4323828C2 (en) * 1993-07-16 1995-12-14 Ant Nachrichtentech Arrangement for coupling at least one optical fiber end to an optoelectronic transmitter or receiver module
US5384873A (en) * 1993-10-04 1995-01-24 Motorola, Inc. Optical interface unit and method of making
EP0690515A1 (en) * 1994-06-30 1996-01-03 Eastman Kodak Company Optoelectronic assembly and methods for producing and using the same

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0942302A2 (en) * 1998-03-12 1999-09-15 Robert Bosch Gmbh Electrooptical module
EP0942302A3 (en) * 1998-03-12 2002-07-17 Robert Bosch Gmbh Electrooptical module
WO2000002254A2 (en) * 1998-06-30 2000-01-13 Robert Bosch Gmbh Device for detecting electromagnetic radiation
WO2000002254A3 (en) * 1998-06-30 2000-04-20 Bosch Gmbh Robert Device for detecting electromagnetic radiation
US6710348B1 (en) 1998-06-30 2004-03-23 Robert Bosch Gmbh Apparatus for sensing electromagnetic radiation
US6793405B1 (en) 1998-08-05 2004-09-21 Seiko Epson Corporation Optical module
EP1020747A1 (en) * 1998-08-05 2000-07-19 Seiko Epson Corporation Optical module
EP1020747A4 (en) * 1998-08-05 2003-01-02 Seiko Epson Corp Optical module
EP0992824A3 (en) * 1998-10-02 2001-12-05 Infineon Technologies AG Micro-optical component and method for its fabrication
DE19845484C2 (en) * 1998-10-02 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Micro-optical component and method for its production
DE19845484A1 (en) * 1998-10-02 2000-04-27 Siemens Ag Micro-optical component and method for its production
EP0992824A2 (en) * 1998-10-02 2000-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Micro-optical component and method for its fabrication
US6488417B2 (en) 1999-12-07 2002-12-03 Infineon Technologies Ag Opto-electronic assembly having an integrated imaging system
DE19959781C2 (en) * 1999-12-07 2003-02-20 Infineon Technologies Ag Opto-electronic assembly with integrated imaging system
EP1133032A1 (en) * 2000-02-22 2001-09-12 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation Optical assembly
US6920168B1 (en) 2000-02-22 2005-07-19 Triquint Technology Holding Co. Optical assembly
EP1146570A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-17 Infineon Technologies AG Semiconductor light emitting device and method for the manufacture of a carrier
EP1168022A2 (en) * 2000-06-28 2002-01-02 Infineon Technologies AG Opto-module with substrate having through-hole connections
EP1168022A3 (en) * 2000-06-28 2004-09-08 Infineon Technologies AG Opto-module with substrate having through-hole connections
WO2004049022A2 (en) * 2002-11-26 2004-06-10 Hymite A/S Opto-electronic micro-module with an integrated lens
WO2004049022A3 (en) * 2002-11-26 2004-08-12 Hymite As Opto-electronic micro-module with an integrated lens
US6969204B2 (en) 2002-11-26 2005-11-29 Hymite A/S Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package
FR2977715A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-11 St Microelectronics Grenoble 2 OPTICAL ELECTRONIC HOUSING
FR2977714A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-11 St Microelectronics Grenoble 2 OPTICAL ELECTRONIC HOUSING
US9136292B2 (en) 2011-07-08 2015-09-15 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Optical electronic package having a blind cavity for covering an optical sensor
US9134421B2 (en) 2011-07-08 2015-09-15 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Substrate wafer with optical electronic package
US9105766B2 (en) 2012-03-22 2015-08-11 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Optical electronic package
US10684389B2 (en) 2015-08-21 2020-06-16 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Molded range and proximity sensor with optical resin lens
US11137517B2 (en) 2015-08-21 2021-10-05 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Molded range and proximity sensor with optical resin lens
US11693149B2 (en) 2015-08-21 2023-07-04 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Molded range and proximity sensor with optical resin lens
CN114270642A (en) * 2019-08-29 2022-04-01 京瓷株式会社 Package for mounting optical element, electronic device, and electronic module
DE102022106941A1 (en) 2022-03-24 2023-09-28 Ams-Osram International Gmbh OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT

Also Published As

Publication number Publication date
GB2312551A (en) 1997-10-29
GB2312551B (en) 1998-09-23
FR2748123A1 (en) 1997-10-31
GB9708025D0 (en) 1997-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19616969A1 (en) Optical assembly for coupling an optical waveguide and method for producing the same
DE19640423C1 (en) Optoelectronic module for bidirectional optical data transmission
EP1419530B1 (en) Method for producing electronic components
DE102004025735B4 (en) Optical receiver housing and method of making the same
DE19947889C2 (en) Optoelectronic, bidirectional transmit and receive module in leadframe technology
DE102005034649B4 (en) Optical semiconductor device, optical connector and electronic device equipped therewith
DE69923894T2 (en) Optical assembly for fiber optic transmission and reception of data
DE19932430C2 (en) Opto-electronic assembly and component for this assembly
DE19935496C1 (en) Optoelectronic component with light emitter or -receiver in mounting system, includes thermally-conductive auxiliary support with thin window in same material
DE102012223460B4 (en) A modified transistor contour package assembly for use in optical communications
EP0664585A1 (en) Transmitter and receiver module for bi-directional optical communication
DE102007001706A1 (en) Housing for optoelectronic component and arrangement of an optoelectronic component in a housing
DE102004025661B4 (en) Optical device housing with rotating mirror and alignment post
DE69535016T2 (en) HERMETIC CAPSULATION OF OPTOELECTRONIC COMPONENTS
DE19640421A1 (en) Optoelectronic module for bidirectional optical data transmission
DE69727343T2 (en) Optoelectronic module
DE19607107A1 (en) Light conductor to opto-electronic component coupling apparatus for optical communications
EP0942302A2 (en) Electrooptical module
EP1623256B1 (en) Micro-optical module with injection-moulded housing and method for production therof
DE3939723C1 (en) Optical or opto-electronic coupling - uses spherical lens received in frusto-pyramidal recess of one part and groove of other part
DE19929878A1 (en) Support comprises a silicon body having a part with a reflecting surface and a part for receiving an optoelectronic component
DE102004059945B4 (en) Transmitter and receiver for high-tolerance optical fiber transmission
DE19718950A1 (en) Electro-optical module
DE102018214803B4 (en) Device for coupling electromagnetic waves into a chip
EP1568158B1 (en) Bidirectional emitting and receiving module

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination