DE19609167A1 - Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation - Google Patents

Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation

Info

Publication number
DE19609167A1
DE19609167A1 DE1996109167 DE19609167A DE19609167A1 DE 19609167 A1 DE19609167 A1 DE 19609167A1 DE 1996109167 DE1996109167 DE 1996109167 DE 19609167 A DE19609167 A DE 19609167A DE 19609167 A1 DE19609167 A1 DE 19609167A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thin
film multilayer
sensor according
multilayer sensor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1996109167
Other languages
German (de)
Inventor
Dieter Dr Ing Huhnke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE1996109167 priority Critical patent/DE19609167A1/en
Publication of DE19609167A1 publication Critical patent/DE19609167A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • G01F1/692—Thin-film arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
    • G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
    • G01P5/12—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables using variation of resistance of a heated conductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

The sensor consists of a protection layer (1), a top metal layer (2), an insulation intermediate layer (3), between the top and the bottom metal layer (4). Also a lower insulation layer (5) and a carrier (6) or substrate. Electrical connections (7) are provided at the two metal layers (2, 4). The carrier material is electrically insulating and has a poor heat conductivity. The carrier material can be made of good heat conducting material. With electrically conducting carrier material, the lower metal layer (4) is insulated from the carrier using an additional insulating layer.

Description

Es ist bekannt, daß man die Temperatur strömender Gase mit Dünnfilmmeßwider­ ständen messen kann. Da die Wärme aus dem Gas nicht nur die Widerstands­ schicht, sondern auch den Träger mit seiner vergleichsweise großen Masse mit erwärmen muß, sind diese Thermometer sehr träge. Man erreicht nur Grenzfre­ quenzen im Bereich von einigen zehntel Hertz. Durch die im Patentanspruch 1 angegebene Erfindung in Form einer zusätzlichen metallischen Zwischenschicht 4 (Bild 1) wird eine thermische Entkopplung der eigentlichen Temperaturmeßschicht 2 von der Substratunterlage 6 (Träger) erzielt. - Da die Metallschichten aus reinen Metallen bestehen, dienen sie sowohl zum Messen der Temperatur als auch zum Zuführen elektrischer Energie. - Die Entkopplung von der Unterlage ergibt sich dadurch, daß ein Regler die Temperatur der unteren Widerstandsschicht 4 durch elektrisches Heizen auf die gleiche Temperatur wie die der Meßschicht 2 nachregelt, die Temperatur der Schicht 2 ist die Führungsgröße für diesen Regler. Dadurch wird das Zeitverhalten entscheidend verbessert, weil die Wärme aus dem Meßmedium über den Wärmeübergangswiderstand an der Oberfläche nur die oberste Schicht, die als Widerstandsthermometer benutzte Metallschicht, erwärmen muß.It is known that one can measure the temperature of flowing gases with thin film measuring resistors. Since the heat from the gas not only has the resistance layer, but also has to heat the carrier with its comparatively large mass, these thermometers are very slow. One only reaches limit frequencies in the range of a few tenths of a Hertz. The invention specified in claim 1 in the form of an additional metallic intermediate layer 4 ( Figure 1) achieves thermal decoupling of the actual temperature measurement layer 2 from the substrate base 6 (carrier). - Since the metal layers consist of pure metals, they serve both to measure the temperature and to supply electrical energy. - The decoupling from the support results from the fact that a controller readjusts the temperature of the lower resistive layer 4 by electrical heating to the same temperature as that of the measuring layer 2, the temperature of the layer 2 is the reference value for this controller. This significantly improves the time behavior, because the heat from the measuring medium only has to heat the top layer, the metal layer used as the resistance thermometer, via the heat transfer resistance on the surface.

Mit der Wahl der Wärmekopplung der unteren Schicht 4 an den Träger 7, d. h. mit der Schichtdicke der Isolationsschicht 6, oder bei isolierendem Träger der Wärmeleit­ fähigkeit des Trägermaterials läßt sich die Wärmeableitung der unteren Metallschicht dem Wärmeübergangswiderstand an der Oberfläche anpassen, so daß bei Tempera­ turänderungen mit negativem Vorzeichen die Wärme aus der unteren Metallschicht 4 nicht über die obere Schicht 2 abfließen muß und der Sensor bei diesen Temperaturänderungen nicht langsamer als bei positiven Temperaturänderungen ist. Der Wärmewiderstand zum Träger kann auch wesentlich kleiner gewählt werden, denn aufgrund der Heizmöglichkeit der Schicht 4 wird der Energieverlust dieser Schicht zum Träger hin ausgeglichen. Daher kann auch bei hohen Gasgeschwindig­ keiten und daher kleinem Wärmeübergangswiderstand an der Oberfläche eine hohe Dynamik erreicht werden. Dies gilt insbesondere dann, wenn die Rückseite aktiv, z. B. mit einem Peltierkühlelement, auf eine konstante Temperatur unterhalb der in dem Anwendungsfall zu erwartenden niedrigsten Gastemperatur gekühlt wird.With the choice of the heat coupling of the lower layer 4 to the support 7 , ie with the layer thickness of the insulation layer 6 , or with insulating support of the thermal conductivity of the support material, the heat dissipation of the lower metal layer can be adapted to the heat transfer resistance on the surface, so that changes in temperature occur at temperature with a negative sign, the heat does not have to flow out of the lower metal layer 4 via the upper layer 2 and the sensor is not slower with these temperature changes than with positive temperature changes. The thermal resistance to the carrier can also be chosen to be significantly smaller, because the layer 4 can be heated to compensate for the energy loss of this layer towards the carrier. Therefore, high dynamics can be achieved even at high gas velocities and therefore low heat transfer resistance on the surface. This is especially true when the back is active, e.g. B. with a Peltier cooling element, is cooled to a constant temperature below the lowest gas temperature to be expected in the application.

Es ist bekannt, daß schnelle Messungen von Gastemperaturen auch mit soge­ nannten "kalten Hitzdrahtanamometern" möglich sind. Diese sind aber mechanisch außerordentlich empfindlich und können bei hohen Gasgeschwindigkeiten im Bereich oberhalb von ca. 20 m/s schon von kleinen Staubpartikeln zerstört werden. Daher ist die Verwendung des beschriebenen Mehrschichtsensors nach Patent­ anspruch 1 für die Verbesserung der Betriebssicherheit bei solchen Messungen ein entscheidender Vorteil.It is known that rapid measurements of gas temperatures with so-called called "cold hot wire anamometers" are possible. But these are mechanical extremely sensitive and can at high gas speeds in Small dust particles can destroy areas above approx. 20 m / s. Therefore, the use of the multilayer sensor described is patented Claim 1 for improving operational safety in such measurements decisive advantage.

Der Einsatz von Hitzdrahtanamometern zur schnellen Messung der Strömungsge­ schwindigkeit ist seit langem üblich. Auch hier besteht das Problem der mecha­ nischen Empfindlichkeit der im µ-Meter-Bereich liegenden dünnen Anemometer­ drähte. Durch Verwendung des Mehrschichtsensors nach Patentanspruch 1 als Anemometer lassen sich Gasgeschwindigkeiten mit einer Dynamik von einigen hundert Hertz messen, dabei aber mit der hohen Betriebssicherheit dieses Sensors. Dafür werden die beiden Metallschichten 2 und 4 wie bei einem Hitzdrahtane­ mometer in sogenannter CT-Methode (Constant Temperature) bei ca. 150 bis 200°C betrieben, wobei die Temperatur der oberen Schicht 2 als Sollwert (Führungsgröße) für die untere dient. Die Heizung der oberen Schicht hat nur den Energieverlust hin zur Gasströmung auszugleichen, der zugehörige Heizstrom ist ein Maß für die Strö­ mungsgeschwindigkeit. - Durch Wahl von Wechselstrom (Tonfrequenzbereich) für die Widerstandsmessung und Gleichstrom für die Heizung lassen sich die beiden Regler entkoppeln.The use of hot wire anamometers for fast measurement of the flow rate has been common for a long time. Here too there is the problem of the mechanical sensitivity of the thin anemometer wires in the µ-meter range. By using the multi-layer sensor according to claim 1 as an anemometer, gas velocities can be measured with a dynamic range of a few hundred Hertz, but with the high operational reliability of this sensor. For this purpose, the two metal layers 2 and 4 are operated like a hot wire anometer in the so-called CT method (constant temperature) at approx. 150 to 200 ° C, the temperature of the upper layer 2 serving as a setpoint (reference variable) for the lower one. The heating of the upper layer only has to compensate for the energy loss towards the gas flow, the associated heating current is a measure of the flow rate. - The two controllers can be decoupled by selecting alternating current (audio frequency range) for resistance measurement and direct current for heating.

Legt man die Schicht 4 als temperaturunabhängige Widerstandsschicht aus, so läßt sich mit einem konstanten Heizstrom sehr einfach eine konstante Heizenergie zu­ führen. Durch Änderung der Strömungsgeschwindigkeit ändert sich der Wärmeüber­ gangswiderstand und dadurch die an das Gas abgegebene Wärme. Die Wärme kommt aus der Schicht 4 und es entsteht ein Temperaturgradient. Durch Messen der Temperatur der Schicht 2 läßt sich die Strömungsgeschwindigkeit messen.If layer 4 is designed as a temperature-independent resistance layer, constant heating energy can be conducted very easily with a constant heating current. By changing the flow rate, the heat transfer resistance changes and thereby the heat given off to the gas. The heat comes from layer 4 and there is a temperature gradient. The flow rate can be measured by measuring the temperature of layer 2 .

Die Form des Sensors läßt sich den verschiedenen Anforderungen anpassen. Entweder man verwendet die robuste ebene Bauform, oder eine zylindrische bei hohen Anforderungen an die Dynamik. Träger können isolierte Drähte, Keramik-, Glas- oder Quarzfäden sein mit Durchmessern im Bereich von 50 bis einigen hundert µ-Metern. Auch auf eine Schneide lassen sich die Schichten aufbringen. Die Schichten werden durch Sputtertechnik mit Schichtdicken im Bereich von ca. 0,5 bis 2 µm hergestellt und mit den bekannten Verfahren der Photolithographie und den üblichen Ätzmethoden strukturiert. Als Thermometerschichten eignen sich wegen des hohen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes reine Metalle, vornehmlich Platin, aber auch Nickel und Kupfer (Aluminium) sind geeignet. Als Material für die temperaturunabhängige Schicht sind bekannte Widerstandslegierungen verwendbar, z. B. eine Nickel-Chromlegierung. Die Isolations- und Schutzschichten sind z. B. aus Quarz (SiO₂), MgO oder Si₃N₄.The shape of the sensor can be adapted to the different requirements. Either you use the robust flat design, or a cylindrical one high dynamic requirements. Carriers can insulated wires, ceramic, Glass or quartz threads with diameters in the range of 50 to a few hundred µ meters. The layers can also be applied to a cutting edge. The Layers are sputtered with layers in the range of approx. 0.5 to 2 µm manufactured and with the known methods of photolithography and structured conventional etching methods. Are suitable as thermometer layers because the high temperature coefficient of electrical resistance of pure metals, primarily platinum, but also nickel and copper (aluminum) are suitable. As Material for the temperature-independent layer are known Resistance alloys can be used, e.g. B. a nickel-chromium alloy. The Isolation and protective layers are e.g. B. of quartz (SiO₂), MgO or Si₃N₄.

Bei Bolometern ist bekannt, daß infolge der langsamen Erwärmung der Widerstandsschicht und ihres Trägers eine erhebliche Zeitverzögerung entsteht. Durch extrem dünne Trägerfolien (Membranen) begegnet man diesem Nachteil. Dieses Problem hat der Mehrschichtsensor nach Patentanspruch 1 nicht. Durch Schwärzen der oberen Schicht entsteht ein Infrarotempfänger. Mit dem Nachführen der Temperatur der unteren Schicht 4 mit einem Regler auf die Temperatur von Schicht 2 wird die Entkopplung von der Unterlage erreicht. Die Dynamik des Bolometers wird jetzt nur durch die Masse der oberen Widerstandsschicht 2 beeinflußt. Eine aktive Kühlung durch z. B. ein Peltierkühlelement verbessert die Dynamik des Sensors zusätzlich, ohne die Empfindlichkeit zu verschlechtern, da die notwendige Energie zum Aufrechterhalten der Temperatur der oberen Meßschicht 2 von der Schicht 4 nachgeliefert wird. Bei negativen Strahlungsänderungen kann die überschüssige Energie ohne große Verzögerung über den gekühlten Träger 6 abgeführt werden.With bolometers it is known that due to the slow heating of the resistance layer and its carrier there is a considerable time delay. This disadvantage is countered by extremely thin carrier foils (membranes). The multilayer sensor according to claim 1 does not have this problem. Blackening the top layer creates an infrared receiver. Decoupling from the base is achieved by tracking the temperature of the lower layer 4 with a controller to the temperature of layer 2 . The dynamics of the bolometer is now only influenced by the mass of the upper resistance layer 2 . Active cooling by e.g. B. a Peltier cooling element additionally improves the dynamics of the sensor without deteriorating the sensitivity, since the necessary energy for maintaining the temperature of the upper measuring layer 2 is supplied by the layer 4 . In the event of negative changes in radiation, the excess energy can be dissipated via the cooled carrier 6 without great delay.

Claims (20)

1. Dünnfilm-Mehrschichtsensor aus zwei kongruent übereinanderliegenden und mit einer nichtleitenden Zwischenschicht elektrisch isoliert auf einen Träger aufgebrachten Metallschichten zur schnellen Messung von Gastemperaturen, Gasgeschwindigkeiten und Infrarotstrahlung.1. Thin-film multilayer sensor consisting of two congruently one above the other and with a non-conductive intermediate layer electrically insulated on a carrier applied metal layers for quick measurement of gas temperatures, Gas velocities and infrared radiation. 2. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial elektrisch isolierend und schlecht wärmeleitend ist.2. Thin-film multilayer sensor according to claim 1, characterized in that the carrier material is electrically insulating and poor is thermally conductive. 3. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial aus gut wärmeleitenden Material besteht.3. Thin-film multilayer sensor according to claim 1, characterized in that the carrier material made of good heat-conducting material consists. 4. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei elektrisch leitenden Trägermaterial die untere Metallschicht mit einer zusätzlichen Isolationsschicht elektrisch vom Träger isoliert ist.4. Thin-film multilayer sensor according to claim 1, characterized in that in the case of electrically conductive carrier material, the lower one Metal layer with an additional insulation layer electrically isolated from the carrier is. 5. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf der oberen Metallschicht eine Schutzschicht aufgebracht wird.5. Thin film multilayer sensor according to claim 1 to 4, characterized in that a protective layer on the upper metal layer is applied. 6. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Metallschichten aus einem reinen Metall mit entsprechend hohem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes bestehen. 6. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 5, characterized in that the two metal layers are made of a pure metal with a correspondingly high temperature coefficient of electrical resistance consist.   7. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Metallschicht aus einem reinen Metall, die untere Metallschicht aus einer Legierung mit sehr kleinem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes bestehen.7. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 5, characterized in that the upper metal layer made of a pure metal, the lower metal layer made of an alloy with a very low temperature coefficient of electrical resistance. 8. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschichten als einfache Streifenleiter ausgebildet sind.8. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 7, characterized in that the metal layers as simple strip conductors are trained. 9. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschichten als Mäander strukturiert sind.9. thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 7, characterized in that the metal layers are structured as meanders. 10. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten auf einem ebenen Träger aufgebracht sind.10. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 9, characterized in that the layers are applied to a flat support are. 11. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten auf einem dünnen zylindrischen Träger aufgebracht sind.11. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 9, characterized in that the layers on a thin cylindrical support are upset. 12. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten auf der Schneide eines prismatisch ausgebildeten Trägers aufgebracht sind.12. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 9, characterized in that the layers on the cutting edge of a prismatic trained carrier are applied. 13. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 6 und 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturen der beiden Metallschichten gemessen und ein elektronischer Regler die Temperatur der unteren Metallschicht durch zusätzlichen Heizstrom auf die Temperatur der oberen Metallschicht nachführt. 13. Thin film multilayer sensor according to claim 1 to 6 and 8 to 12, characterized in that the temperatures of the two metal layers measured and an electronic controller the temperature of the lower metal layer by means of additional heating current to the temperature of the upper metal layer.   14. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 6 und 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß beide Metallschichten mit Hilfe elektronischer Regler auf die gleiche hohe konstante Temperatur gegenüber der Umgebung aufgeheizt werden.14. Thin film multilayer sensor according to claim 1 to 6 and 8 to 12, characterized in that both metal layers with the help of electronic regulators heated to the same high constant temperature from the environment will. 15. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 5 und 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der unteren Metallschicht konstante Heizenergie zugeführt wird und die Temperatur der oberen Metallschicht gemessen wird.15. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 5 and 7 to 12, characterized in that the lower metal layer constant heating energy is supplied and the temperature of the upper metal layer is measured. 16. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückseite des Sensors mit einem Kühler auf eine niedrigere Temperatur als die Umgebungstemperatur gebracht wird.16. Thin film multilayer sensor according to claim 1 to 15, characterized in that the back of the sensor with a cooler on a temperature lower than the ambient temperature. 17. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmewiderstand der Isolationsschicht kleiner oder mindestens gleich dem Wärmeübergangswiderstand an der Oberfläche her­ gestellt wird.17. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 16, characterized in that the thermal resistance of the insulation layer is smaller or at least equal to the heat transfer resistance on the surface is provided. 18. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Metallschicht mit einer Infrarot-absor­ bierenden Schicht geschwärzt wird.18. Thin-film multilayer sensor according to claim 1 to 10, characterized in that the upper metal layer with an infrared absorber layer is blackened. 19. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensor in ein evakuiertes Gehäuse mit einem Infrarot-durchlässigem Fenster eingebaut wird.19. Thin-film multilayer sensor according to claim 18, characterized in that the sensor in an evacuated housing with a Infrared-transparent window is installed. 20. Dünnfilm-Mehrschichtsensor nach Anspruch 18 und 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten als bifilare Spirale ausgebildet sind.20. Thin-film multilayer sensor according to claim 18 and 19, characterized in that the layers are designed as a bifilar spiral.
DE1996109167 1996-03-09 1996-03-09 Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation Withdrawn DE19609167A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1996109167 DE19609167A1 (en) 1996-03-09 1996-03-09 Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1996109167 DE19609167A1 (en) 1996-03-09 1996-03-09 Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19609167A1 true DE19609167A1 (en) 1997-09-18

Family

ID=7787721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1996109167 Withdrawn DE19609167A1 (en) 1996-03-09 1996-03-09 Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19609167A1 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005061703A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Innovative Sensor Technology Ist Ag Device for determining and / or monitoring a process variable and method for producing a corresponding sensor unit
DE102006005393A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Innovative Sensor Technology Ist Ag Process parameter e.g. humidity, measuring device for use in process- and automation technology, has sensor units that are arranged on top of each other, and are manufactured by planar technology such as thin and/or thick film technologies
WO2009095058A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 E+E Elektronik Ges.M.B.H. Sensor element
US20130125644A1 (en) * 2010-04-12 2013-05-23 Ecole Centrale De Lille Hot-Wire Sensor of Submillimeter Size and Associated Method of Production
FR3024500A1 (en) * 2014-07-29 2016-02-05 Valeo Systemes Thermiques HEATING DEVICE WITH INFRARED MICROSYSTEM TEMPERATURE SENSOR AND MOTORIZATION DEVICE EQUIPPED WITH SUCH A HEATING DEVICE
WO2018046441A1 (en) * 2016-09-08 2018-03-15 Robert Bosch Gmbh Bolometer fluid flow and temperature sensor
US10578504B1 (en) * 2019-09-04 2020-03-03 Custom Control Sensors, LLC. Systems and methods for high voltage rating thin film sensors

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2029065A1 (en) * 1969-07-08 1971-01-14 Mettler Instrumente AG Greifen see (Schweiz) Electric resistance thermometer
DE2403908A1 (en) * 1973-02-07 1974-08-22 Environmental Instruments FLOW METER
DE2531177A1 (en) * 1975-07-11 1977-02-03 Otto Dipl Ing Hoffer Flow velocity measuring probe - is used for air flows and uses hot foil technique and combines accuracy with robustness
US4166390A (en) * 1977-10-03 1979-09-04 Benzinger Theodor H Scanning radiometer apparatus
DE2904154A1 (en) * 1979-02-03 1980-08-14 Bosch Gmbh Robert DEVICE FOR MEASURING THE MASS OF A FLOWING MEDIUM
DE3419504A1 (en) * 1984-05-25 1986-01-23 Günther Dipl.-Ing. 2201 Kollmar Weber FLOW GUARD
DE3603757A1 (en) * 1985-02-16 1986-08-21 Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi LAYER RESISTANCE FOR A FLOW MEASURING DEVICE
DD250576A1 (en) * 1983-11-03 1987-10-14 Hermsdorf Keramik Veb TEMPERATURE-SENSITIVE ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
DE3806308A1 (en) * 1988-02-27 1989-09-07 Bosch Gmbh Robert Temperature sensor
GB2251946A (en) * 1990-11-29 1992-07-22 Rolls Royce Plc A fluid temperature measuring device
DE4324040A1 (en) * 1992-07-21 1994-01-27 Bosch Gmbh Robert Mass flow meter, e.g. for air flow - has sensor element carrying heater and thermal sensors, and heater temp. controller.
US5423212A (en) * 1993-06-18 1995-06-13 Ricoh Seiki Company, Ltd. Flow sensor

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2029065A1 (en) * 1969-07-08 1971-01-14 Mettler Instrumente AG Greifen see (Schweiz) Electric resistance thermometer
DE2403908A1 (en) * 1973-02-07 1974-08-22 Environmental Instruments FLOW METER
DE2531177A1 (en) * 1975-07-11 1977-02-03 Otto Dipl Ing Hoffer Flow velocity measuring probe - is used for air flows and uses hot foil technique and combines accuracy with robustness
US4166390A (en) * 1977-10-03 1979-09-04 Benzinger Theodor H Scanning radiometer apparatus
DE2904154A1 (en) * 1979-02-03 1980-08-14 Bosch Gmbh Robert DEVICE FOR MEASURING THE MASS OF A FLOWING MEDIUM
DD250576A1 (en) * 1983-11-03 1987-10-14 Hermsdorf Keramik Veb TEMPERATURE-SENSITIVE ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
DE3419504A1 (en) * 1984-05-25 1986-01-23 Günther Dipl.-Ing. 2201 Kollmar Weber FLOW GUARD
DE3603757A1 (en) * 1985-02-16 1986-08-21 Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi LAYER RESISTANCE FOR A FLOW MEASURING DEVICE
DE3806308A1 (en) * 1988-02-27 1989-09-07 Bosch Gmbh Robert Temperature sensor
GB2251946A (en) * 1990-11-29 1992-07-22 Rolls Royce Plc A fluid temperature measuring device
DE4324040A1 (en) * 1992-07-21 1994-01-27 Bosch Gmbh Robert Mass flow meter, e.g. for air flow - has sensor element carrying heater and thermal sensors, and heater temp. controller.
US5423212A (en) * 1993-06-18 1995-06-13 Ricoh Seiki Company, Ltd. Flow sensor

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005061703A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Innovative Sensor Technology Ist Ag Device for determining and / or monitoring a process variable and method for producing a corresponding sensor unit
DE102006005393B4 (en) 2006-02-03 2023-05-17 Innovative Sensor Technology Ist Ag Device for determining and/or monitoring at least one process variable of a medium
DE102006005393A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Innovative Sensor Technology Ist Ag Process parameter e.g. humidity, measuring device for use in process- and automation technology, has sensor units that are arranged on top of each other, and are manufactured by planar technology such as thin and/or thick film technologies
WO2009095058A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 E+E Elektronik Ges.M.B.H. Sensor element
US20130125644A1 (en) * 2010-04-12 2013-05-23 Ecole Centrale De Lille Hot-Wire Sensor of Submillimeter Size and Associated Method of Production
US8978462B2 (en) * 2010-04-12 2015-03-17 Centre National De La Recherche Scientifique Hot-wire sensor of submillimeter size and associated method of production
FR3024500A1 (en) * 2014-07-29 2016-02-05 Valeo Systemes Thermiques HEATING DEVICE WITH INFRARED MICROSYSTEM TEMPERATURE SENSOR AND MOTORIZATION DEVICE EQUIPPED WITH SUCH A HEATING DEVICE
WO2018046441A1 (en) * 2016-09-08 2018-03-15 Robert Bosch Gmbh Bolometer fluid flow and temperature sensor
CN109891249B (en) * 2016-09-08 2022-02-01 罗伯特·博世有限公司 Bolometer fluid flow and temperature sensor
CN109891249A (en) * 2016-09-08 2019-06-14 罗伯特·博世有限公司 The flowing of bolometer fluid and temperature sensor
US10578504B1 (en) * 2019-09-04 2020-03-03 Custom Control Sensors, LLC. Systems and methods for high voltage rating thin film sensors
US10876915B1 (en) 2019-09-04 2020-12-29 Custom Control Sensors, LLC. Systems and methods for high voltage rating thin film sensors
US11579032B2 (en) 2019-09-04 2023-02-14 Custom Control Sensors, LLC Systems and methods for high voltage rating thin film sensors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6072165A (en) Thin film metal/metal oxide thermocouple
EP0159438A2 (en) Multi-layered thin film heat transfer gauge
CN104807554B (en) A kind of copper thermistor film temperature sensor chip and preparation method thereof
DE2139828C3 (en) Temperature measuring resistor with high thermal shock resistance made of glass ceramic
CN111579126B (en) High-temperature heat flow sensor
Mirmira et al. Review of the thermal conductivity of thin films
US4118112A (en) Method for reducing power dissipation in tapered resistor devices
Lee et al. Detectivity of thin-film NTC thermal sensors
KR100677742B1 (en) Digital temperature sensor, System and Method to measure temperature
DE19609167A1 (en) Thin-film multilayer sensor for quick measuring of gas temperatures and gas speeds also IR radiation
US5990412A (en) Differential thermopile heat flux transducer formed by depositing metals and non-metals from liquids onto a substrate
US3720900A (en) Thin-film resistance thermometer having low ohmic contact strips
Sundeen et al. Thermal sensor properties of cermet resistor films on silicon substrates
DE102016116101A1 (en) Sensor element and thermal flow sensor for measuring a physical size of a measuring medium
US4480372A (en) Process of fabricating target for calibrating and testing infrared detection devices
US10393598B1 (en) Heat flux gage
US5010315A (en) Thermal radiation sensor
DE3235062C2 (en)
EP3963300B1 (en) Differential calorimeter with high sensitivity
DE3806308A1 (en) Temperature sensor
US5311772A (en) Active thermal isolation for temperature responsive sensors
US2470051A (en) Electrical impedance filament and the method of making same
USRE23615E (en) Compensated thermopile
Kwikkers Two thick film thermal sensors
Bretschi A single crystal semiconductor vacuum gauge with extended range

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8122 Nonbinding interest in granting licenses declared
8141 Disposal/no request for examination