DE1959819A1 - Four-stroke generator - Google Patents

Four-stroke generator

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DE1959819A1
DE1959819A1 DE19691959819 DE1959819A DE1959819A1 DE 1959819 A1 DE1959819 A1 DE 1959819A1 DE 19691959819 DE19691959819 DE 19691959819 DE 1959819 A DE1959819 A DE 1959819A DE 1959819 A1 DE1959819 A1 DE 1959819A1
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Tegze Dipl-Ing Haraszti
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    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
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    • H03K5/15013Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with more than two outputs
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/04Shaping pulses by increasing duration; by decreasing duration
    • H03K5/05Shaping pulses by increasing duration; by decreasing duration by the use of clock signals or other time reference signals

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Viertaktgenerator i'iir den Betrieb, dynamischer, mit sich wiederholenden Taktimpulsen betriebener logischer Schaltungen.The present invention relates to a four-cycle generator i'iir operation, more dynamic, with repetitive clock pulses operated logic circuits.

Es sind bereits logische Schaltungen und Speicherelemente bekannt geworden, die mit Taktimpulsen betrieben werden.' So ist beispielsweise eine bistabiele Kippstufe vorgeschla- ä gen worden, deren einmal eingeschriebene Information durch den Taktbetrieb mit 4 zeitlich gegeneinander versetzten Impulsen ständig erneuert wird. Kippstufen und logische Verknüpfungen, die mit Taktimpulsen betrieben werden, sind meist mit MOS-Feldeffekttransistoren aufgebaut.Logical circuits and memory elements which are operated with clock pulses are already known. So a bistabiele flip-flop, for example, been proposed gen ä, which once written information is constantly renewed by the clock operation with four staggered in time pulses. Flip-flops and logic links that are operated with clock pulses are usually built with MOS field effect transistors.

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MOS-Feldeffekttransistoren bestehen im allgemeinen aus einem Halbleiterkörper vom 1«, Leitungstyp, in den von einer Oberflächenseite aus in bestimmtem Abstand voneinander Zonen vom 2. Leitungstyp eingelassen sind. Der Oberflächenbereich vom 1. Leitungstyp zwischen den zwei genannten Zonen ist mit einer Isolierschicht bedeckt, auf der die Steuerelektrode angeordnet ist. An jeder dear beiden Zonen vom 2. Leitungstyp ist eine Hauptelektrode angeschlossen, die vielfach auch als "Drain"- bzw. "Sourceelektrode" bezeichnet werden. MOS-Transistoren bestehen meist aus einkristallinem Silizium während das zwischen der Steuerelektrode und der Halbleiteroberfläche befindliche Isoliermaterial meist aus Siliziumdioxyd besteht.MOS field effect transistors generally consist of one Semiconductor body from 1 ″, conduction type, in the one Surface side from at a certain distance from each other Zones of the 2nd line type are embedded. The surface area of the 1st conductivity type between the two named zones is covered with an insulating layer on which the control electrode is arranged. At each dear two zones of the 2nd type of conduction a main electrode is connected, which are often referred to as "drain" or "source electrode". MOS transistors mostly consist of single crystal Silicon while the insulating material located between the control electrode and the semiconductor surface mostly made of silicon dioxide.

Für den Betrieb einer Kippstufe oder anderer logischer Verknüpfungen wird vielfach die in der Figur 1 dargestellte Impulsfolge der Impulse„0 bis 0, benötigt. Die Phasentaktimpulse 0Λ und 0O bzw. 0 und 0,t, die im allgemeinen zum Laden und Entladen kapazitiver Bauelemente dienen, beginnen jeweils zu gleichen Zeitpunkten, wobei die Impulsdauer von 0 und 0. jedoch größer ist als die der Impulse 0 und 0 . The pulse sequence of pulses “0 to 0 ” shown in FIG. 1 is often required for the operation of a multivibrator or other logical links. The phase clock pulses 0 Λ and 0 O or 0 and 0, t , which are generally used to charge and discharge capacitive components, each start at the same time, the pulse duration of 0 and 0 being greater than that of pulses 0 and 0, however .

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Die erforderlichen Taktimpulse werden bisher außerhalb der mit den Impulsen zu betreibenden Schaltung erzeugt und extern an die Schaltung herangeführt. Bei integrierten Festkörperschaltungen bedeutet dies, daß jedes mit einer anzusteuernden Schaltung versehene Halbleiterplättchen zusätzliche Leitungen für den Anschluß der Taktimpulse aufweisen muß. Entsprechend führen ir. das Gehäuse, das die integrierte Festkörperschaltung. enthält, allein für den Taktbetrieb k Zuleitungen.The required clock pulses have so far been generated outside of the circuit to be operated with the pulses and fed externally to the circuit. In the case of integrated solid-state circuits, this means that each semiconductor chip provided with a circuit to be controlled must have additional lines for connecting the clock pulses. Correspondingly, ir. The housing, which has the integrated solid-state circuit. contains k supply lines for cyclic operation alone.

Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die Zahl der Taktleitungen zu reduzieren und die Möglichkeit zu schaffen, einen Teil der erforderlichen Taktimpulse in einem mit der zu betreibenden Schaltung integrierten Generatorteil zu erzeugen.The present invention is based on the task of reducing the number of clock lines and the possibility to create a portion of the required clock pulses in one integrated with the circuit to be operated Generating part of the generator.

Diese. Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der gesteuerte Strompfad eines Feldeffekttransistors (Q ) mit einem weiteren nichtlinearen Schaltelement (Q0, bzw. D) derart in Reihe geschaltet und betrieben ist, daß beim Anlegen eines ersten Eingangsimpulses an eine freie Elektrode (l, 2 bzw» 3) des nichtlinearen Schaltelementes (Q_These. The object is achieved in that the controlled current path of a field effect transistor (Q) is connected and operated in series with another non-linear switching element (Q 0 or D) in such a way that when a first input pulse is applied to a free electrode (1, 2 or »3) of the non-linear switching element (Q_

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bzwo D) die dem Feldeffekttransistor zugeordnete Aus-or D) the output assigned to the field effect transistor

> gangskapazität (C) über das nichtlineare Schaltelement aufgeladen wird, während diese Kapazität beim Auftreten eines zweiten, zeitlich gegen den ersten Impuls verschobenen Eingangsimpulses an der Steuerelektrode (k) des Feldeffekttransistors entladen wird, so daß an der Verbindung zwi- > output capacitance (C) is charged via the non-linear switching element, while this capacitance is discharged at the control electrode (k) of the field effect transistor when a second input pulse occurs at the control electrode (k), so that the connection between

• sehen den beiden Bauelementen ein dritter Impuls auftritt, ■• see the two components a third impulse occurs, ■

der mit einem der Eingangsimpulse (0 bzw, 0O) einsetzt und mit Beginn des anderen nachfolgenden Eingangsimpulses (0 bzw» 0 ·) endet, während ein vierter, gegen den dritten Impuls zeitlich verschobener Taktimpuls durch Vertauschen der beiden Eingangsimpulse (0 und 0 ) gegenüber der bei der Erzeugung des dritten Impulsen gewühlten Betriebsweise an den jeweiligen Eingangselektroden einer zweiten gleichartigen, aus einem weiteren Feldeffekttransistor (Q.,) und einem nichtlinearen Schaltelement (Q, , bzw» D0) bestehenden Schaltung erzeugt wird«which begins with one of the input pulses (0 or, 0 O ) and ends with the beginning of the other subsequent input pulse (0 or »0 ·), while a fourth clock pulse, which is shifted in time to the third pulse, by swapping the two input pulses (0 and 0) compared to the mode of operation selected when generating the third pulse, a second similar circuit consisting of a further field effect transistor (Q.,) and a non-linear switching element (Q, or »D 0 ) is generated at the respective input electrodes«

Die erfindungsgemäße Schaltung benötigt zwei Eingangsleitungen für zwei zeitlich gegeneinander versetzte Taktimpulse, während der Ausgang der Schaltung aus k Leitungen besteht, über die die in der Figur 1 dargestellte Impuls-The circuit according to the invention requires two input lines for two clock pulses offset in time, while the output of the circuit consists of k lines via which the pulse shown in FIG.

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folge abgegeben -wird«, Da der erfindungsgemäße Viertaktgenerator aus leicht in einen Festkörper integrierbaren Bauelementen beisteht, kann der Taktgenerator ohne technologische Schwierigkeiten mit in die zu betreibende Schaltung einbezogen werden, so daß die Zahl der Zuleitungen reduziert und der Aufbau der Gesamtschaltung vereinfacht und verbilligt werden kann. flfollow -will «, Since the four-stroke generator according to the invention consists of components that can be easily integrated into a solid body, the clock generator can operate without technological Difficulties with being involved in the circuit to be operated, so that the number of leads reduced and the structure of the overall circuit can be simplified and cheaper. fl

Der Feldeffekttransistor der Taktschaltung ist vorzugsweise ein MOS-Feldeffekttransistor mit vom Halbleiterkörper isolierter Steuerelektrode. Auch, das nichtlineare Schaltelement wird, um einen einfachen Aufbau der Schaltung zu gewährleisten, in einer vorteilhaften Ausführung aus einem MOS-Feldeffekttransistor bestehen- Die Steuerelektrode dieses zweiten Feldeffekttransistors ist dann, vorzugsweise mit der freien Hauptelektrode des gleichen ^The field effect transistor of the clock circuit is preferably a MOS field effect transistor with the semiconductor body isolated control electrode. Also, the non-linear switching element is used to make the circuit simple to ensure, consist in an advantageous embodiment of a MOS field effect transistor- The control electrode this second field effect transistor is then preferably with the free main electrode of the same ^

Feldeffekttransistors kurzgeschlossen»Field effect transistor short-circuited »

Das nichtlineare Schaltelement kann jedoch auch in einer besonders vorteilhaften und 'infachen Ausführungsform von einer Diode gebildet werden, die so mit dem gesteuerten Strompfad des Feldeffekttransistors in Reihe geschaltHowever, the non-linear switching element can also be in a particularly advantageous and 'simple embodiment are formed by a diode, which is connected in series with the controlled current path of the field effect transistor

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tet vrird, daß die Diode beim Auftreten eines Impulsesan der freien Elektrode der Diode leitend ist« Eine derartige Anordnung hat den Vorteil, daß die dem Feldeffekttransistor zugehörige Kapazität rasch über die Diode aufgeladen wirdoThis means that the diode turns on when a pulse occurs the free electrode of the diode is conductive. Such an arrangement has the advantage that the field effect transistor The associated capacitance is quickly charged via the diode willo

Der Viertaktgenerator wird im weiteren anhand der Figuren 2 bis 5 noch näher erläutert.The four-stroke generator is explained in more detail below with reference to FIGS.

In der Figur 2 ist schematisch ein Halbleiterplättchen 7 dargestellt, das aus zwei Teilen 8 und 11 besteht„ Der Teil 8 enthält die zu betreibende logische Schaltung, beispielsweise eine Kippstufe, wobei die Bauelemente und die Zuleitungen zu dieser Kippstufe nicht dargestellt sind. Diese logische Schaltung wird mit den aus den Generatorteil 11 herausführenden Impulsen 0 bis 0. betrieben» Zur Erzeugung der Impulse 0p und 0, dient der Generatorteil Ho In diesen Generatprteil führen zwei Zuleitungen für die erforderlichen Eingangsimpulse 0 und 0_. Mit Hilfe einer ersten Schaltung 10 wird der Impuls 0O gewonnen, während eine zweite Schaltung 9 zur Erzeugung des Impulses 0. herangezogen wird,,In FIG. 2, a semiconductor wafer 7 is shown schematically, which consists of two parts 8 and 11. Part 8 contains the logic circuit to be operated, for example a flip-flop, the components and the leads to this flip-flop not being shown. This logic circuit is operated with the pulses 0 to 0 coming out of the generator part 11. The generator part Ho is used to generate the pulses 0 p and 0. With the help of a first circuit 10, the pulse 0 O is obtained, while a second circuit 9 is used to generate the pulse 0,

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In den Figuren 3 und k ist dargestellt, wie die Schaltungsteile 10 und 9 realisiert werden können. Die Schaltung der Figuren 3a besteht aus zv. ·■ I MOS-Transistoren Q und Qj deren gesteuerte Strompfade in Reihe geschaltet sind« Der MOS-Feldeffekttransistor Q besitzt eine Kapazität C, die sich aus der Ausgangskapazität der in der Figur 3a dargestellten Schaltungsstufe, aus der Verbindungskapazität und aus Λ der Eingangskapazität der nachfolgenden Stufen zusammensetzt. Die Steuerelektrode Γ des MOS-Feldeffekttransistors Qp ist mit der noch freien Hauptelektrode 2 dieses.Feldeffekttransistors kurzgegeschlossen. Die freien Hauptelektroden 2 und 6 der beiden in Reihe geschalteten MOS-Transistoren Q und Q sind im allgemeinen miteinander verbunden» Die Schaltung 10, mit der der Impuls 0 erzeugt wird, funktioniert wie folgt?In Figures 3 and k it is shown how the circuit parts 10 and 9 can be implemented. The circuit of Figures 3a consists of zv. · ■ I MOS transistors Q and Qj whose controlled current paths are connected in series "The MOS field-effect transistor Q has a capacitance C, resulting from the output capacitance of the in the figure 3a illustrated circuit stage, from the link capacity and of Λ of the input capacitance of the following Composed of stages. The control electrode Γ of the MOS field effect transistor Q p is short-circuited with the main electrode 2 that is still free from this field effect transistor. The free main electrodes 2 and 6 of the two series-connected MOS transistors Q and Q are generally connected to one another. The circuit 10, with which the pulse 0 is generated, works as follows?

Beim Anlegen des Impulses 0 an die Hauptelektrode des Transistors Q und damit zugleich an dessen Steuerelektrode 1 wird der Transistor Q leitend und die Kapazität C somit über diesen Transistor nahezu auf die Spannung des Tnktimpulses 0 aufgeladen» Nachdem der Impuls 0 zu Ende ist, bleibt das Potential an der Kapazität C erhalten, daWhen applying the pulse 0 to the main electrode of the Transistor Q, and thus at the same time at its control electrode 1, transistor Q becomes conductive and capacitance C becomes conductive thus almost charged to the voltage of the impulse 0 via this transistor »After the impulse 0 ends is, the potential at the capacitance C is retained, there

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beide MCKj-Transist or en Q und Q gesperrt sind« An beiden Steuerelektroden 1 und k der beiden MOS-Transistoren liegt das Potential 0 an. Beim Auftreten des Impulses 0„ an der Steuerelektrode k des Transistors Q wird dieser leitend, so daß sich die Kapazität C mit einer bestimmten Zeitkonstanten über den Transistor Q entlädt. Somit tritt an der Kapazität C und damit an der Verbindungselektrode 5 zwischen den beiden Bauelementen ein Impuls auf, der mit dem Impuls 0 beginnt und mit dem Anfang des Impulses 0 endet. Dieser Ausgangsimpuls entspricht dem in den Figuren 1 und 3b dargestellten und für den Betrieb einer logischen Schaltung erforderlichen Impuls 0 , Both MCKj transistors Q and Q are blocked. The potential 0 is applied to both control electrodes 1 and k of the two MOS transistors. When the pulse 0 "occurs at the control electrode k of the transistor Q, the latter becomes conductive, so that the capacitance C is discharged via the transistor Q with a certain time constant. Thus, a pulse occurs at the capacitance C and thus at the connecting electrode 5 between the two components, which begins with the pulse 0 and ends with the beginning of the pulse 0. This output pulse corresponds to the pulse 0 shown in Figures 1 and 3b and required for the operation of a logic circuit ,

Der Impuls 0. wird g-emäß Figur ka mit einer Schaltung 9 gewonnen, die mit der in der Figur 3a dargestellten Schaltung identisch ist= Auch diese Schaltung besteht wieder aus zwei in Reihe geschalteten MOS-Feldeffekttransistoren Q„ und Q., wobei dem Feldeffekttransistor Q die Kapazität C zugeordnet ist. Ein Unterschied besteht zu der Schaltung nach Figur "}a nur in der. Betriebsweise, wobei nunmehr die beiden Eingangsimpulse gegenüber der bei der Erzeugung des Impulses 0 erforderlichen Betriebsweise an den jeweiligen Eingangselektroden vertauscht werden. Der Impuls 0 wird daher an die Hauptelektrode 2. des Transistors Q1 The pulse 0 is obtained, as shown in FIG. Ka, with a circuit 9 which is identical to the circuit shown in FIG Q is assigned the capacity C. There is only one difference from the circuit according to FIG. "} A in the mode of operation, the two input pulses now being interchanged with respect to the mode of operation required for generating the pulse 0 at the respective input electrodes. The pulse 0 is therefore sent to the main electrode 2 of the Transistor Q 1

und somit auch an dessen Steuerelektrode 1 angelegt. Dieand thus also applied to its control electrode 1. the

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Kapazität C kann somit erst mit dem Beginn des Impuls.es 0_ über den Transistor Q, aufgeladen werden und entlädtCapacitance C can therefore only be charged and discharged with the beginning of Impuls.es 0_ via transistor Q1

sich dann wieder, wenn an der Steuerelektrode 4 des Transistors der Eingangsimpuls Q auftritt, durch den der Transistor Q leitend wird, und somit einen Entladestrom-then again when the control electrode 4 of the Transistor the input pulse Q occurs, through which the Transistor Q becomes conductive, and thus a discharge current

pfad für die Kapazität C bildet.path for the capacity C forms.

Auf diese Weise entsteht der in der Figur 4b dargestellte ^In this way, the ^ shown in FIG. 4b arises

ImPi1Ls 0t an der Verbindungselektrode 5 zwischen den beiden Bauelementen Q„ und Q^ , der mit dem Irnpul.-· 0 einsetzt und mit dem Beginn des Impulses 0 endet.ImPi 1 Ls 0 t at the connection electrode 5 between the two components Q 1 and Q 1, which begins with the pulse 0 and ends with the beginning of the 0 pulse.

In den Figuren 5& und 5b sind Schaltungen dargestellt, die den in der Figur 3a und 4a dargestellten Schaltungen in ihrer Wirkungsweise äquivalent sind. Bei den Schaltungen nach der Figur 5 wurden die Transistoren Q undIn FIGS. 5 and 5b, circuits are shown which are equivalent in their mode of operation to the circuits shown in FIGS. 3a and 4a. In the circuits according to FIG. 5, the transistors Q and

Q. aus den Schaltungen der Figuren 3a und 4a durch Dioden A Q. from the circuits of FIGS. 3a and 4a by means of diodes A.

I) bzw. Dn ersetzt. Die Diode ist so in Reihe zu dem gesteuerten Strompfad des Feldeffekttransistors Q bzw. Q geschciltet, daß beim Auftreten nines Impulses an der freien Elektrode der Diode 3 bzw. 3 diese Diode leitend wird. Tritt daher an der Elektrode 3 ein durch ein negatives Potential U/ gekennzeichneter Impuls 0 auf, so I) or D n replaced. The diode is connected in series to the controlled current path of the field effect transistor Q or Q that when a pulse occurs at the free electrode of the diode 3 or 3, this diode becomes conductive. If, therefore, a pulse 0 characterized by a negative potential U / occurs at electrode 3, then so

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lädt sich die Kapazität C über die Diode D auf das um die Durchlaßspannung der Diode reduzierte Impulspotential auf. Mit dem Ende des Impulses 0 geht die .Diode wieder in den sperrenden Zustand über. Da auch der Transistor Q. gesperrt bleibt, kann sich der Kondensator C nicht mehr entladen. Eine Entlademöglichkeit ist erst dann wieder gegeben, wenn an der Eingangselektrode 4 des MOS-Transistors Q ein Eingangsimpuls 0 auftritt, durch den dieser Transistor Q leitend wird. In diesem Fall entlädt sich die Kapazität C über den MOS-Feldeffekttransistor Q . An der Verbindungselektrode 5 zwischen der Diode und dem MOS-Feldef f ekttransistor kann somit ein Impuls 0 der in der Figur 3t> dargestellten Form entnommen werden. Entsprechendes gilt für die Erzeugung des Impulses 0. mit einer identisch aus der Diode D und dem MOS-Feldeffekttransistor Q bestehenden Schaltung. Auch hier erfolgt eine Vertauschung der Impulse 0 und 0 , so daß die Kapazitätthe capacitance C charges through the diode D to the Forward voltage of the diode reduced pulse potential on. At the end of the pulse 0, the diode goes back into the locking state. Since the transistor Q. remains blocked, the capacitor C can no longer discharge. An unloading possibility is only given again, when an input pulse 0 occurs at the input electrode 4 of the MOS transistor Q, through which this transistor Q becomes conductive. In this case, the capacitance C discharges through the MOS field effect transistor Q. At the Connection electrode 5 between the diode and the MOS field effect transistor can thus be a pulse 0 of the in the figure 3t> shown form can be removed. Corresponding applies to the generation of the pulse 0. with an identical one from the diode D and the MOS field effect transistor Q existing circuit. Here, too, the pulses 0 and 0 are interchanged, so that the capacitance

C mit Beginn des Impulses 0 aufgeladen und mit dem Be-C charged with the beginning of the pulse 0 and with the loading

ginn des Impulses 0 an der Steuerelektrode 1I des Transistors Q„ wieder entladen wird. Bei einer solchen Betriebsweise der in der Figur 5 rechts dargestellten Schaltung erhält man den Impuls 0t gemäß Figur ^b. Die Diodestart of the pulse 0 at the control electrode 1 I of the transistor Q "is discharged again. In such an operating mode of the circuit shown on the right in FIG. 5, the pulse 0 t according to FIG. ^ B is obtained. The diode

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D bzw. D kann auch durch ein anderes nichtlineares 1 £ D or D can also be replaced by another non-linear 1 £

Schaltelement, beispielsweise durch einen bipolarenSwitching element, for example by a bipolar

Transistor, ersetzt werden.Transistor, to be replaced.

Bei dem erfindungssemäßen Viertaktgenerator ist wesentlich, daß der Generator nunmehr mit integi .rten logischen Verknüpfungen, die mit Taktimpulsen betrieben werden sollen, Λ in einem gemeinsamen Halbleiterkörper integriert werden kann. Dieser Generator weist dann zwei Eingangsleitungen für die Eingangsimpulse 0 und 0„ .und k Ausgangsleitungen für die Eingangs- und die Ausgangsimpulse 0 , 0 , 0 undIn the erfindungssemäßen four clock generator is essential that the generator now, Λ can be integrated in a common semiconductor body with INTEGI .rten logic operations that are to be operated with clock pulses. This generator then has two input lines for the input pulses 0 and 0. and k output lines for the input and output pulses 0, 0, 0 and

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0. auf. Die integrierten logischen Verknüpfungen bestehen dann vorzugsweise gleichfalls aus MOS-Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode, die im Bedarfsfall selbstverständlich mit anderen herkömmlichen Bauelementen kommbiniert werden können.0. on. The integrated logic links then preferably also consist of MOS field effect transistors with an insulated control electrode, which of course can be combined with other conventional components if necessary can be combined.

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Claims (7)

Pa ten t an s ρ r ü c h βPa ten t an s ρ r ü c h β /Viert ale t gen ei~a tor ..ür den Betrieb dynamischer, mit sich ^P wiederholenden Taktimpulsen betriebener logischer Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß der gesteuerte Strompfad eines Feldeffektransistors (Q ) mit einem weiteren nichtlinearen Schaltelement (Q 'bzw. D) derart in Reihe geschaltet und betrieben ist, daß beim Anlegen eines ersten Eingangsimpulses an eine freie Elektrode (l, 2 bzw. 3) des nichtlinearen Schaltelements (Q bzw. D) die dem Feldeffekttransistor zugeordnete Ausgangskapazität (C) über das nichtlineare Schaltelement aufgeladen Ä wird, während diese Kapazität beim Auftreten eines zweiten, zeitlich gegen den ersten Impuls verschobenen Eingangsimpulses an der Steuerelektrode (k) des Feldeffekttransistors entladen wird, so daß an der Verbindung zwischen den beiden Bauelementen ein dritter Impuls auftritt, der mit einem der Eingangsimpulse (0 , 0 ) einsetzt und mit Beginn des anderen nachfolgenden Eingangs-/ Fourth ale t gen ei ~ a tor ..for the operation of dynamic logic circuits operated with ^ P repeating clock pulses, characterized in that the controlled current path of a field effect transistor (Q) with a further non-linear switching element (Q 'or D) is connected in series in such and operated such that upon application of a first input pulse to a free electrode of the non-linear switching element (Q or D) which is Ä charged the field effect transistor associated with output capacitance (C) via the non-linear switching element (l, 2 3 respectively) , while this capacitance is discharged when a second input pulse occurs at the control electrode (k) of the field effect transistor, which is shifted in time from the first pulse, so that a third pulse occurs at the connection between the two components, which with one of the input pulses (0, 0 ) begins and with the beginning of the other subsequent input 109823/1 597109823/1 597 impulses (0„, 0. ) endet, während ein vierter, gegen den dritten Impuls zeitlich verschobener Taktimpuls durch Vertauschen der beiden Eingangsimpulse (0 , 0 ) gegenüber der bei der Erzeugung des dritten Impulses gewählten Betriebsweise an den jeweiligen Eingangselektroden einer ' zweiten gleichartigen, aus einem weiteren Feldeffekttransistor (Q ) und einem nichtlinearen Schaltelement ™ (Q,, bzw. Dn) bestehenden Schaltung erzeugt wird.pulse (0 ", 0) ends, while a fourth clock pulse, which is shifted in time to the third pulse, by interchanging the two input pulses (0, 0) with respect to the mode of operation selected for the generation of the third pulse at the respective input electrodes of a second similar, is generated from a further field effect transistor (Q) and a non-linear switching element ™ (Q ,, or D n ) existing circuit. 2) Viertaktgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich-. net, daß der Feldeffekttransistor (Q , Q.) ein MOS-FeIdeffekttransistor mit vom Halbleiterkörper Isolierter Steuerelektrode (k) ist.2) four-stroke generator according to claim 1, characterized marked. net that the field effect transistor (Q, Q.) is a MOS field effect transistor with a control electrode (k) isolated from the semiconductor body. 3) Viertaktgenerator ntich Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das nichtlineare" Schaltelement (Qp, Q^) ein MOS- Λ Feldeffekttransistor mit vom Halbleiterkörper isolierter Steuerelektrode (l) ist, und daß die Steuerelektrode (l) mit der freien Hauptelektrode (2) des Feldeffekttransistors (Q9I Q/') kurzgeschlossen ist«3) four-cycle generator ntich claim 1, characterized in that the non-linear "switching element (Q p , Q ^) is a MOS Λ field effect transistor with a control electrode (l) isolated from the semiconductor body, and that the control electrode (l) with the free main electrode (2 ) of the field effect transistor (Q 9 IQ / ') is short-circuited « 109823/1597109823/1597 4) Viertaktgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das nichtlineare Schaltelement (D , D) eine Diode ist, die so mit dem gesteuerten Strompfad des Feldeffekttransistors (Q,,., Q„) in Reihe geschaltet ist, daß die Diode beim Auftreten eines Impulses an der freien Elektrode (3) der Diode leitend ist.4) Four-stroke generator according to claim 1, characterized in that the non-linear switching element (D, D) is a diode is that so with the controlled current path of the field effect transistor (Q ,,., Q “) is connected in series that the diode when a pulse occurs on the free one Electrode (3) of the diode is conductive. 5) Viertaktgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Feldeffekttransistor zugeordnete Aus-.· gangskapazität (C) aus der Ausgangskapazität des Transistors, der Verbindungskapazität und der Eingangskapazität der nächstfolgenden Stufe besteht.5) Four-cycle generator according to claim 1, characterized in that the output associated with the field effect transistor. output capacitance (C) from the output capacitance of the transistor, the connection capacitance and the input capacitance the next level. 6) Viertaktgenerator nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Generator mit integrierten logischen Verknüpfungen, die mit Taktimpulsen betrieben werden, in einem gemeinsamen HalbleitervLcörper untergebracht ist, und daß dieser Generator zwei Eingangsleitungen für die Eingangsimpulse (0 , 0 ) und vier Ausgangsleitungen für diu Ausgangsimpulse (0., 02, 0 , 0ijt) aufweist.6) Four-cycle generator according to one of the preceding claims, characterized in that the generator with integrated logic operations, which are operated with clock pulses, is accommodated in a common semiconductor body, and that this generator has two input lines for the input pulses (0, 0 ) and four output lines for diu output pulses (0., 0 2 , 0 , 0 ijt ). 7) Viertaktgeneraotr nach Anspruch 6S dadurch gekennzeichnet, daß die logischen Verknüpfungen gleichfalls mit MOS-PeId-7) Viertaktgeneraotr according to claim 6 S, characterized in that the logical links also with MOS-PeId- 109823/1597109823/1597 effekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode aufgebaut sind.Effect transistors built with an isolated control electrode are. 109823/1597109823/1597 Le e rs ei teBlank page
DE19691959819 1969-11-28 1969-11-28 Four-stroke generator Pending DE1959819A1 (en)

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