DE1944448B2 - METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED SEMI-CIRCUIT CIRCUITS IN A MONOLITHIC DESIGN - Google Patents
METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED SEMI-CIRCUIT CIRCUITS IN A MONOLITHIC DESIGNInfo
- Publication number
- DE1944448B2 DE1944448B2 DE19691944448 DE1944448A DE1944448B2 DE 1944448 B2 DE1944448 B2 DE 1944448B2 DE 19691944448 DE19691944448 DE 19691944448 DE 1944448 A DE1944448 A DE 1944448A DE 1944448 B2 DE1944448 B2 DE 1944448B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mirror
- lens
- mask
- pattern
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0856—Catadioptric systems comprising a refractive element with a reflective surface, the reflection taking place inside the element, e.g. Mangin mirrors
- G02B17/086—Catadioptric systems comprising a refractive element with a reflective surface, the reflection taking place inside the element, e.g. Mangin mirrors wherein the system is made of a single block of optical material, e.g. solid catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/002—Arrays of reflective systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0804—Catadioptric systems using two curved mirrors
- G02B17/0808—Catadioptric systems using two curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einem bekannten Her* stellunesverfahren. bei dem in mehreren aufeinander* folgenden Schritten jeweils auf die fotoakiivierte Oberfläche einer Halbleiterscheibe ein Maskierungsmuster gleichmäßig über diese Fläche verteilt vielfach abgebildet wird und danach ein Atz- und Dili'usions- :5 Vorgang eingeleitet wird. Dies liekaiwte Verfahren besteht darin, daß eine das Maskierungsmuster nur einmal enthaltende Maske mittels eines aus identisch gleichen Linsensystemen bestehendes Vielfachlhsensystem in der gewünschten Größe vielfach auf die The invention is based on a known manufacturing process. in which, in several successive steps, a masking pattern is repeatedly imaged on the photo-activated surface of a semiconductor wafer, evenly distributed over this area, and then an etching and dilution process is initiated. This preferred method is that a mask containing the masking pattern only once is applied in the desired size multiple times by means of a multiple lens system consisting of identical lens systems
ία fotoaktivierte Oberfläche abgebildet wird. Bei diesem bekannten Verfahren entfällt also die Herstellung einer Vielfachmaske und die darauffolgende Herstellung einer Kontaktkopie. Ein Kontakt zwischen Maske und Siliziumscheibe entfällt, so daß die Lebensdauer der Fotomaske an sich unbegrenzt ist. Versuche haben ergeben, daß ein aus vielen kleinen Objektivlinsen zusammengesetztes Vielfach'.insensystem zur Lösung der gestellten Aufgabe nicht ausreicht. Die Abbildungsfehler solcher Linsensystemeία photo-activated surface is mapped. With this one In the known method, the production of a multiple mask and the subsequent production are thus dispensed with a contact copy. There is no contact between the mask and the silicon wafer, so that the Life of the photomask itself is unlimited. Tests have shown that one out of many small Objective lens compound multiple lens system is not sufficient to solve the task at hand. The aberrations of such lens systems
an sind für da» vorliegende äußerst genau arbeitende Herstellungsverfahren zu groß, wie eingehende Versuche ergeben haben. Der Trend zu ständig weitergehender Miniaturisierung hat dazu geführt, daß an die zur Abbildung der Maskenstruktur auf eineran are extremely precisely working for the present Manufacturing process too big, as detailed tests have shown. The trend towards ever more extensive Miniaturization has led to the need to image the mask structure on a
»5 Halhleiterfläche verwendeten optischen Systeme extreme Forderungen gestellt werden müssen, um auf der gesamten Halbleiterfläche scharf begrenzte Strukturen mit einer Linienbreite von nur 2 bis 10 Mik m. in manchen Fällen sogar auch von 1 Mikron erzeugen zu können. Das bedingt eine so gute Korrektion und Ausführung optischer Linsensystemc, daß die Abbildungsleistung über die gesamte ausgenutzte Halbleiterfläche praktisch beugungsbegrenzt is! Dazu sind aber bei Verwendung brechender Linsen für die Vielfachsysteme langbauende Objektive mit relativ großen Linsendurchmessern erforderlich, un; die Abbildungsfehler des schiefen Strahlendurchtritts ourch derartige Linsensysteme herabzusetzen»5 Halhleiterfläche used optical systems extreme demands have to be made in order m over the entire semiconductor surface sharply defined patterns with a line width of only 2 to 10 Mik. In some cases even be able to produce even of 1 micron. This requires such a good correction and execution of optical lens systems that the imaging performance is practically diffraction-limited over the entire semiconductor area used! For this purpose, long lenses with relatively large lens diameters are required when using refractive lenses for the multiple systems, un; to reduce the imaging errors of the oblique beam passage through such lens systems
Der Erfindung liegt die \ufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren der Mehrfachabbildung mit einem Vielfachlinscnsystem auch für die Abbildung von Strukturen mit einer Linienbrdte bis zu I Mikron anwendbar zu machen.The invention is based on the problem of the known Method of multiple imaging with a multiple lens system also for the imaging of To make structures with a line breadth down to 1 micron applicable.
Die Losung dieser Aufgabe besteht erfindungsgemäß darin, daß das Vielfachlinscnsvsicm aus Spiegellinscn mit hohem Auflösungsvermögen besteht. Solche Spiegclsystemc sind für die durch das Herstellungsverfahren 'cstellten Anforderungen mit kurzer Raulänge hc^tellbar und auch auskorrigierbar Sie müssen allerdings ein gewi->ses MindcMöffnungs-Ncrhältnis von etwa 1 : ?..5 aufweisen, damit die geforderte Auflosung erreicht wird. Dadurch bedingt haben die optischen I lementc einen Durchmesser, welcher <lio I rzeuuung von unmittelbar aneinandcrgrenzenden Bildern des Maskicrungsmusterv nicht erlaubtThis object is achieved according to the invention in the fact that the multiple lens is made of There is a mirror lens with a high resolution. Such mirror systems are for the manufacturing process Requirements with a short rough length can be set and corrected You must, however, have a certain minimum opening ratio of about 1:? .. 5, so that the required resolution is achieved. Due to this the optical elements have a diameter which <lio I creation of immediately adjacent Images of the masking pattern are not allowed
Aus diesen Gründen bildet man zweckmal das Verfahren folgendermaßen aus: Die Abbildung der Maske erfolgt derart, daß zwischen jedem Bild des For these reasons, the method is expediently designed as follows: The mask is imaged in such a way that between each image of the
Maskicrungsmusters ein Abstand von mindestens der Breite bzw, Höhe des Musters verbleibt und daß die Vielfachlinse und die Halbleiterscheibe nach dem ersten Belichtungsvorgang relativ zueinander jeweils um den Betrag einer Musterbreite bzw. -höhe zu-Maskicrungsmusters a distance of at least the width or height of the pattern remains and that the Multiple lens and the semiconductor wafer after the first exposure process relative to one another, respectively by the amount of a pattern width or height
nächst seitlich, dann in der Höhe und schließlich wieder seitlich verschoben werden, wobei in jeder Lage ein Belichtungsvorgang erfolgt, Die Rslativverschiebung zwischen Halbleiterscheibe und der Viel-next laterally, then vertically and finally laterally again, with each Location an exposure process takes place, the relative shift between the semiconductor wafer and the
I 944 448I 944 448
fttchünse ist mit einfachen mechanischen Mitteln sehr Kollimatorobjektivs 4 ungeordnet. Im Punillelsiruhgeiuiu durchzuführen. Damit wird es auf einfache lengang des aus dem Objektiv 4 austretenden Lichtes fyeise möglich, mit dem Verfahren nach der vorlie- ist eine Vielfachlinse 5 angeordnet, welche aus einer genden Hrlindung auf der Halbleiterscheibe eine Viel- Vielzahl von identisch gleichen Spiegelsystemen befahl von identischen Maskierungsmustern zu erzen- 5 steht. In der Bildebene der Vielfachlinse 5 ist eine gen, welche nur durch die zum Ritzen der Scheibe Halbleiterscheibe 6 angeordnet. Die Vielfachlinse 5 notwendige Distanz voneinander getrennt sind. erzeugt auf der Halbleiterscheibe 6 eine Vielzahl vonWith simple mechanical means, the collimator lens 4 is very disordered. In the Punillelsiruhgeiuiu perform. This makes it easy for the light emerging from the lens 4 to be guided fyeise possible, with the method according to the present a multiple lens 5 is arranged, which consists of a A multitude of identical mirror systems were commanded by the direction on the semiconductor wafer of identical masking patterns. In the image plane of the multiple lens 5 is a gen, which are arranged only by the semiconductor wafer 6 for scribing the wafer. The multiple lens 5 necessary distance are separated from each other. generated on the semiconductor wafer 6 a plurality of
Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens Bildern der Fotomaske 3, wobei zwischen jedem Bi idThe device for performing the method images of the photomask 3, wherein between each image
ist so ausgebildet, daß jedes Spiegelsystem der Viel- des Maskierungsmusters 7 ein Abstand von min-is designed so that each mirror system of the multiple of the masking pattern 7 a distance of min-
fachlinse aus einem ringförmigen, sphärischen Hohl- io deslens der Breite bzw. der Höhe des Musters ver-specialist lens made of a ring-shaped, spherical cavity deslens the width or the height of the pattern
spiegel, einem ebenen Umlenkspiegel und in der Nähe bleibt.mirror, a flat deflector mirror and remains nearby.
der Bildebene angeordneten, dioptrischen Korrek- Es wird zunächst ein Belichtungsvorgang vorge-The dioptric correction is arranged on the image plane. First an exposure process is performed.
tionsmitteln besteht. nommen, wobei die in F i g. 3 mit ausgezogener,tion means exists. taken, with the in F i g. 3 with extended,
Um die Herstellung und Justierung der Vielfach- Linien dargestellten Bilder auf der Halbleiterscheibe (, linse zu erleichtern, isl es zweckmäßig, diese Linse so 15 entstehen. Danach wird die Halbleiterscheibe 6 z.uauszubilden, daß sie aus einer ersten durchsichtigen nächst um den Beira» einer Musterbreite seitlich ver-Planparallclplatte besteht, deren der Maske züge- schoben und wieder ein Belichtungsvorgang durchwandte Oberfläche eine Vielzahl ebener Umlenk- geführt. Dabei entstehen die in Fig. 3 mit gesirichel- «piegel und deren andere Oberfläche eine Vielzahl ten Linien eingezeichneten Bilder. Danach wird die ringförmiger, sphärischer Hohlspiegel trägt, und daß 20 Scheibe 6 in der Höhe um '.ine Musterhöhe versehe· dieser ersten eine zweite durchsichti6e Planparallel- ben und wieder ein Belichtungworgang durchgeführt platte in geringem Abstand gegenübersteht, die auf bei welchem die mit punktierten Linien eingezeich ihrer der ersten Platte zugewandten Oberfläche eine neten Bilder entstehen. Schließlich wiH die Scheibe <■ Vielzahl von gesammelten linsen trägt. -.eitlich wieder um eine Musterbreite verschoben, wu-In order to facilitate the production and adjustment of the multiple lines displayed images on the semiconductor wafer (, lens, it is advisable to create this lens in such a way. Then the semiconductor wafer 6 is designed so that it is next around the surface from a first transparent one. a pattern width laterally trans-planar parallel plate, the surface of which is slid towards the mask and a multitude of flat deflections guided through again an exposure process. Then the ring-shaped, spherical concave mirror is carried, and that 20 disk 6 in height by a pattern height provides this first a second transparent 6 e plane-parallel and again an exposure process is carried out opposite the plate at a small distance, on which the with dotted lines drawn their surface facing the first plate a new image e arise. Finally, the disc carries a multitude of collected lenses. -. laterally shifted again by a pattern width, w-
Die ringförmigen, sphärischen Hohlspiegel sind vor- 25 bei die mit strichpunktierten Linien dargestelltemThe ring-shaped, spherical concave mirrors are preceded by those shown with dash-dotted lines
teilhaft durch rückflächenverspiegelte Plankon- Bilder entstellen.partially disfigured by mirrored Plankon pictures on the back.
vcxlinsen gebildet, die mit ihren planen Vorderfiächen Wie F i g. 3 zeigt, sind die einzelnen Bilder des Masvcxlinsen formed, which with their flat front surfaces as F i g. 3 shows are the individual images of the Mas
mil der ersten Planparallelplatte verbunden sind. kierungsmusters 7 so weit voneinander getrennt, da!;are connected to the first plane-parallel plate. kierungsmusters 7 so far apart that !;
Diese Plankonvcxlinsen sind so verspiegelt, daß ein die Platte 6 durch eingeritzte Linien 8 und 9 geteilt
ringförmiger Hohlspiegel entsteht, während de," zen- 30 werden kann. Die Platte wird nach beendeter Beartralc
Linsenbereich durchlässig bleibt. Die ebenen beitung durch Brechen in Einzelchips aufgeteilt, wc
Umlenkspiegel sind zweckmäßig durch Bedampfen bei jeder Chip durch Linien 8 und 9 begrenzt ist.
der vorderen Oberfläche der ersten Planparallelplatte Wie die Fig. 4 und 5 zeigen, besteht die Vielfachhergestellt.
Jinse 5 aus einer ersten Glasplatte 10, deren derThese plano-convcx lenses are mirrored in such a way that a ring-shaped concave mirror is created, divided by incised lines 8 and 9, while the plate 6 can become. The plate remains transparent after the lens area is finished. The plane processing is divided into individual chips by breaking , wc deflecting mirrors are expediently limited by vapor deposition when each chip is delimited by lines 8 and 9.
of the front surface of the first parallel plate, as shown in Figs. 4 and 5, is made multiple. Jinse 5 from a first glass plate 10, the
Zur Verbesserung der Abbildungsgütc der einzel- 35 Maske zugewandte Oberfläche 11 eine Vielzahl ebcneiIn order to improve the imaging quality of the individual surface 11 facing the mask, a large number of surfaces are provided
nen Spiegelsysteme ist es zweckmäßig, die erste Plan- Umlenkspiegel 12 trägt. Diese Umlenkspiegel sindNEN mirror systems, it is expedient to carry the first plane deflecting mirror 12. These deflection mirrors are
parallHplattc aus miteinander verkitteten kleinen vorteilhaft durch Aufdampfen erzcugi.parallHplattc from small cemented together advantageously erzcugi by vapor deposition.
Glasquadern herzustellen, deren aneinandergrenzende Die Oberfläche 13 der Grundplatte 10 trägt eineTo produce glass cuboids, the adjacent surface 13 of the base plate 10 carries a
Flächen geschwärzt sind und jeweils ein Spiegel- Vielzahl ringförmiger, sphärischer Hohlspiegel 14.Surfaces are blackened and each has a multitude of annular, spherical concave mirrors 14.
system umschließen. Durch diese Maßnahme wird 40 Diese sind aus rückflächcnverspiegelten Plankonvex-enclose system. This measure is 40 These are made of planoconvex mirrored back
crrcicht daß Strahlen, welche die Abbildung vcr- linsen 15 gebildet, die mit ihren planen VorderflächenThe rays, which form the image lens 15, are directed with their flat front surfaces
sch'xhtern wurden, in den Grenzflächen absorbiert mit der Oberfläche 13 verbunden sind. Die Rück-Sch'xhtern were absorbed in the interfaces are connected to the surface 13. The return
und flamit unschädlich gemgcht werden. flächen der Linsen IS sind teilweise vcrspiegc't, wieand flamit be made harmless. surfaces of the lenses IS are partially mirrored, such as
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der dies F ig. 2 zeigt. In geringem Abstand von der erstenThe invention is illustrated below with reference to this FIG. 2 shows. At a short distance from the first
Fig. 1 bis (1 der Zeichnungen näher erläutert. Im ein- 45 Glasplatte 10 ist eine zweite Glasplatte 16 angeordnet,Fig. 1 to (1 of the drawings explained in more detail. In the one 45 glass plate 10, a second glass plate 16 is arranged,
zelnen zeigt die auf ihrer der Platte 10 zugewandten Oberflache 17shows the surface 17 facing the plate 10
F i g. 1 eine unter Verwendung der Vorrichtung eine Vielzahl von sammelnden Linsen 18 trägt. DieF i g. 1 carrying a plurality of positive lenses 18 using the apparatus. the
nach der Erfindung aufgebaute Einrichtung zur Her- Bildebene 19 der Vielfachlinse 5 liegt in einem kleinenaccording to the invention constructed device for producing image plane 19 of the multiple lens 5 is located in a small one
Stellung integrierter Halblciterschaltkreise in monoli- Abstand hinter der Oberfläche 20 der Glasplatte 16.Position of integrated half-liter circuits at a monolithic distance behind the surface 20 of the glass plate 16.
thisthcr Bauweise. 50 Die Linsen 15 und 18 sind /weckmäßig in Kunst-thisthcr construction. 50 Lenses 15 and 18 are / wake-up in artificial
f i g. 2 eine Ansicht der hei der Vorrichtung eier stoff-Ahformtechnik hergestellt.f i g. FIG. 2 shows a view of the hot forming technique of the device.
Fig. 1 verwendeten Fotomaske. Fig. <> zeigt ein aus den Elementen 12. 14 und 18Fig. 1 used photomask. Fig. <> shows one of the elements 12, 14 and 18
F i g. y eine Ansicht der in F i g. 1 gezeigten Halb- sowie den Platten 10 und 17 '«stehendes Spicgcl-F i g. y is a view of the FIG. 1 shown half as well as the plates 10 and 17 '"standing Spicgcl-
leitersehcibe nach abgeschlossenem Belichtungsvor- system der Vielfachlinse 5 in vergrößerter Darstel-conductor window after the pre-exposure system of the multiple lens 5 has been completed in an enlarged representation
gang, 55 lung. Aus dieser Darstellung ist auch der Strahlen-gang, 55 lung. From this representation, the radiation
F ig. 4 emcn IcilschniU durch die Vielfachlinse gang in uiesem Spiegelsystem ersichtlich,Fig. 4 Emcn IcilschniU can be seen through the multiple lens passage in our mirror system,
nach der vorliegenden Erfindung, Wie die F ig. 4 und 5 /eigen, ist die Glasplatte 10according to the present invention, as shown in FIG. 4 and 5 / own, the glass plate is 10
F i g. 5 eine Teilansicht der Vielfachlinse von vorn, aus einer Vielzahl von kleinen Glasquadern 21 auf-F i g. 5 shows a partial view of the multiple lens from the front, made up of a large number of small glass cuboids 21.
F i g. 6 ein einzelnes Spiegelsystem der Vielfach' gebaut, deren aneinandergrenzende Flächen ge-F i g. 6 built a single mirror system of multiples, the adjoining surfaces of which
linsc in vergrößerter Darstellung. 60 schwärzt sind und die jeweils ein Spiegelsystem um·linsc in an enlarged view. 60 are blackened and each has a mirror system around
In Fig. I ist mit 1 und 2 ein System zur Beleuch- schließen. Die Glasquader sind miteinander ver-In Fig. I with 1 and 2 is a system for lighting close. The glass cuboids are interconnected
tung einer Fotomaske 3 bezeichnet. Diese Fotomaske kittet. Durch diesen Aufbau der Glasplatte 10 wirddevice of a photomask 3 designated. This photo mask putties. This structure of the glass plate 10 is
enthält, wie F1 y 2 zeigt, das Maskierungsmuster nur erreicht, daß die Abbildungsgüte der Spiegelsystemecontains, as F1 y 2 shows, the masking pattern only achieves the imaging quality of the mirror systems
einmal. Die Fotomaske 3 ist in der Brennebene eines verbessert wird.once. The photomask 3 is improved in the focal plane.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691944448 DE1944448B2 (en) | 1969-09-02 | 1969-09-02 | METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED SEMI-CIRCUIT CIRCUITS IN A MONOLITHIC DESIGN |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691944448 DE1944448B2 (en) | 1969-09-02 | 1969-09-02 | METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED SEMI-CIRCUIT CIRCUITS IN A MONOLITHIC DESIGN |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1944448A1 DE1944448A1 (en) | 1971-08-19 |
| DE1944448B2 true DE1944448B2 (en) | 1972-03-30 |
Family
ID=5744373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691944448 Pending DE1944448B2 (en) | 1969-09-02 | 1969-09-02 | METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED SEMI-CIRCUIT CIRCUITS IN A MONOLITHIC DESIGN |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1944448B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0023231A1 (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-04 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
-
1969
- 1969-09-02 DE DE19691944448 patent/DE1944448B2/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0023231A1 (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-04 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1944448A1 (en) | 1971-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3114682C2 (en) | ||
| DE2246152C2 (en) | Method and apparatus for the mutual alignment of semiconductor wafers and masks | |
| DE3888395T2 (en) | Test system for a microcircuit arrangement with redundancy circuit systems. | |
| DE2828530C2 (en) | Mirror lens lens | |
| DE3686328T2 (en) | TRANSPARENT PROJECTION SCREEN. | |
| DE2431960C3 (en) | Method for producing a structured layer on a substrate with the aid of photo-etching processes and device for carrying out this method | |
| DE69922132T2 (en) | MIRROR PROJECTION SYSTEM FOR A LITHOGRAPHIC SCRAP PROJECTION APPARATUS AND LITHOGRAPHIC APPARATUS WITH SUCH A SYSTEM | |
| DE2905636C2 (en) | Method for copying masks onto a workpiece | |
| DE2439987A1 (en) | METHOD OF ALIGNING OBJECTS BY ELECTRO-OPTICAL DEVICES | |
| DE2615084A1 (en) | DEVICE FOR OBSERVING AN OBJECT | |
| DE2900921C2 (en) | Process for projection copying of masks onto a workpiece | |
| DE2256736B2 (en) | Measuring arrangement for the automatic testing of the surface quality and evenness of a workpiece surface | |
| DE2260229C3 (en) | ||
| DE2047316A1 (en) | A method and device for generating an array of discrete areas with a photoresist layer | |
| DE2723902C2 (en) | Method for parallel alignment and adjustment of the position of a semiconductor wafer relative to an irradiation mask in X-ray photolithography | |
| CH643941A5 (en) | Method and device for producing optical scales, and scale produced according to the method | |
| DE69216872T2 (en) | Arrangement for the production of micro-optical elements | |
| EP0135673B1 (en) | Process and device to determine a coordinate on the surface of a solid object | |
| DE2942041A1 (en) | LIGHT BEAM SENSING SYSTEM | |
| DE69020704T2 (en) | Method for producing an arrangement and mask group therefor. | |
| DE3248382A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR ALIGNING | |
| DE1944448B2 (en) | METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED SEMI-CIRCUIT CIRCUITS IN A MONOLITHIC DESIGN | |
| DE1944448C (en) | Method and device for the production of integrated semiconductor circuits in monolithic construction | |
| DE1942256A1 (en) | Method and apparatus for printing a large number of reduced images at the same time | |
| DE69332773T2 (en) | Mask with partial patterns and exposure methods using the same |