DE1928526B2

DE1928526B2 - GAS DISCHARGE DEVICE FOR IMAGE DISPLAY

Info

Publication number: DE1928526B2
Application number: DE19691928526
Authority: DE
Inventors: Kemchi Dr Ing Akashi Kiyozumi Kentaro Dr Ing Nakayama Nonhiko Dipl Ing Kobe Owaki, (Japan)
Original assignee: Fujitsu Ltd, Kawasaki, Kanagawa (Japan)
Priority date: 1968-06-12
Filing date: 1969-06-04
Publication date: 1972-06-22
Also published as: DE1928526A1; JPS4813986B1; FR2010772A1; US3789470A; GB1232722A

Description

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ist die Spannung auf Grund der Wandladung, die eingangs erwähnten Art zu schallen, die mit geringer durch eine vorangehende Entladung erzeugt worden Spannung betrieben werden kann. Gelöst wird diese ist, nachfolgend als Wandspannung bezeichnet, in Aufgabe dadurch, daß die über den leitlahigen der Zelle vorhanden. Wenn deshalb die Summe der Streifen liegenden isolierenden Schichten aus einer Wandspannung und einer verteilten Spannung auf 5 metallischen Verbindung bestehen. Hierdurch wird Grund der angelegten Spannung eine Entladungs- erreicht, daß die Spannung zur Aulrechterhaluing spannung erreicht, führt die Zelle die Entladung der Entladung verringert werden kann, weshalb auch wieder aus. Auf Gruna dieser Entladung wird eine die die Räume umgebenden Wände aus einem Mate-Wandspaniiüng, die in der Polarisierung der voran- rial mit einer geringeren Dicke oder einer größeren gehenden entgegengesetzt ist, zwischen den beiden io Dielektrizitätskonstante im Vergleich zu Glas ge-Wandflächen erzeugt und bewirkt, daß die Entladung bildet werden können.the voltage due to the wall charge is the type mentioned at the beginning of the sound, the one with less voltage generated by a previous discharge can be operated. This is resolved is, hereinafter referred to as wall tension, in task in that the over the conductive of the cell. Therefore, if the sum of the strips lying insulating layers from one Wall tension and a distributed tension on 5 metallic connections. This will Due to the applied voltage, a discharge is achieved, so that the voltage is maintained voltage reaches, the cell leads the discharge of the discharge can be reduced, which is why also out again. On the basis of this discharge, the walls surrounding the rooms are made of a mate wall chip, those in the polarization of the primarily with a smaller thickness or a larger one going opposite, between the two io dielectric constants compared to glass ge wall surfaces generated and causes the discharge to be formed.

verschwindet. Der Vorgang der Entladung, die Er- Beispielhafte Ausführungsformen der Erfindungdisappears. The process of discharge, the exemplary embodiments of the invention

zeugung der Wandladung und der Wandspannung sind in der Zeichnung dargestellt, und zwar ist und das Verschwinden der Entladung wird für jede Fig. J eine auseinandergezogene perspektivischeGeneration of the wall charge and the wall tension are shown in the drawing, namely is and the disappearance of the discharge becomes an exploded perspective for each FIG

Halbperiode der angelegten Spannung wiederholt. 15 Anordnung des Grundaufbaus der Bilddarstellungs-Im einzelnen enthält die Zelle, wenn eine Span- vorrichtung unter Verwendung von Gasentladung, ruing, die eine Entladungsstartspannung erreicht, Fig. 2(a) eine zusammengefügte Anordnung imHalf cycle of the applied voltage repeated. 15 Arrangement of the basic structure of the image display im individual contains the cell, if a chuck using gas discharge, ruing which reaches a discharge start voltage, Fig. 2 (a) shows an assembled arrangement in

einmal daran von der Außenseite angelegt ist, hält Schnitt,once it is applied from the outside, the cut holds,

jedoch danach auf Grund des Vorhandenseins der Fig. 2(b) ein elektrisch·.». Ersatzschaltbild einerhowever, thereafter, due to the presence of Fig. 2 (b), an electrical ·. ». Equivalent circuit diagram of a

Wandspannung eine intermittieiende Entladung beim 20 einzelnen in Fig. 2(a) daigestellten Zelle, Anlegen einer Spannung, die geringe als die Ent- Fig. 3 ein ausschnittweiser Querschnitt, der denWall tension an intermittent discharge in the individual cell shown in Fig. 2 (a), Applying a voltage that is less than the Ent- Fig. 3 is a partial cross-section showing the

lailungsstartspannung ist. Diese geringere Spannung Aufbau einer Ausführungsform der Bilddarstellungskann als Aufrechterhaltungsspannung bezeichnet vorrichtung unter Verwendung von Gasentladung werden. Unter der Voraussetzung, daß der kontinu- entsprechend der Erfindung zeigt, und ierüehe Zustand der intermittierenden Entladung 25 F i g. 4 und 5 eine perspektivische Darstellung mn »ein« bezeichnet wird und der Ruhezustand eines Hauptteiles und ein ausschnittweiser Schnitt mil aus« bezeichnet wird, kann die Bilddarstellüngs- des Aufbaus einer anderen Ausführungsform der vorrichtung mit einer Mehrzahl von Zellen durch Erfindung.Lailungsstartvoltage is. This lower voltage can build an embodiment of the image display referred to as a sustaining voltage device using gas discharge will. Provided that the continuous shows according to the invention, and See the state of intermittent discharge 25 FIG. 4 and 5 a perspective illustration mn denotes "a" and the rest state of a main part and a partial section mil from «, the image representation of the structure of another embodiment of the A device having a plurality of cells by the invention.

dL· Aufrechterhaltungsspannung dazu gebracht wer- Eine Ausführungsform der Erfindung wird unterdL · sustaining voltage can be brought about. An embodiment of the invention is shown below

de;), den »ein«-Zustand zu speichern, der durch 30 Bezugnahme auf Fig. 3 beschrieben, die einen Anlegen der Entladungsstartspi-nnung von der Querschnitt der Bilddarsteilungsvorrichtung nach Außenseite eingeschrieben worden ist. Um anderer- der Erfindung in einer der Fig. 2(a) entsprechenden sciis die Entladung zu stoppen und zu dem »aus«- Art zeigt. Mit 4 isi eine transparente Glasplatte mit Zustand zu wechseln, ist es notwendig, eine Span- einer ausreichenden Dicke zum Aushalten einer nung anzulegen, die eine ausreichend hohe Frequenz 35 normalen Behandlung beim Herstellungsverfahren im Vergleich zu der Bewegungsgeschwindigkeit der und der Differenz der Drücke auf der Innenseite LadungspHrtikel innerhalb der Zelle ist, so daß die und der Außenseite der Zelle bezeichnet. A'-Elek-Ei/aigüiig der Wandspannung durch die Entladung troden 5 aus dünnen Goldfilmen oder Nesa-Filmen gestoppt werden kann. Mit einer solchen Eigenschaft, sind auf der Fläche der Platte 4 gebildet. Mit 6 ist wie oben bemerkt, kann die Vorrichtung der Panee¹.- 40 eine Schicht aus Siliziumnitrid (SijNv) bezeichnet, anordnung, die in Fig. 1 gezeigt ist, zufriedenstellend die gebildet ist, um die A'-Elektrode zu bedecken, als Bilddarstellungsvorrichtung mit Speicherfunktion Diese Schicht wird mit einer Dicke von etwa 1Ou verwendet werden. mittels Zerstäubung gebildet. Die Schicht kann auchde;) to store the "on" state described by referring to FIG. 3, which is an application of the discharge start voltage from the cross section of the image display device to the outside. In order to stop the discharge according to the invention in a sciis corresponding to FIG. 2 (a) and point to the "off" type. With 4 isi to change a transparent glass plate with condition, it is necessary to lay out a chip of sufficient thickness to withstand a stress that has a sufficiently high frequency of normal treatment in the manufacturing process compared to the speed of movement of the and the difference in pressures on the Inside charge particle is inside the cell, so called the and the outside of the cell. A'-elec- With such a property, 4 are formed on the face of the plate. 6 is, as noted above, the apparatus of the Panee ¹ .- 40 may denotes a layer of silicon nitride (SijNv), arrangement shown in Fig. 1, satisfactorily formed to cover the A'-electrode, as Image display device with memory function This layer will be used with a thickness of about 10 µ. formed by means of atomization. The layer can too

Bei der Vorrichtung, wie diese vorstehend erwähnt durch die Verwendung solcher bekannter Mittel, worden ist. ist es in der Praxis erwünscht, daß die 45 wie Aufdampfverfahren oder Siebdruckverfahren. Entladungsspannung der Zelle so klein wie möglich wie sie auf dem Gebiet der Dünnfilm- und Dickfilmist. Wenn jedoch Glas für die dünnen Isolierplatten Technik bekannt sind, gebildet werden, wo dies der 1. 7 und 3 verwendet wird, ist es schwierig, deren Fall außer dem Zerstäubungsverfahren erfordert. Dicke etwa 0.15 mm oder kleiner wegen der Grenze Dann werden Siliziumoxydschichten (SiO₂) 7 auf der der Herstellungstechnik zu machen, und aus diesem 50 Siliziumnitridscliicht 6 gebildet, wobei Räume für Grunde ist es unmöglich, die für den Betrieb not- die Zellenteile 8 gelassen werden. Die Dicke der wendige angelegte Spannung kleiner als 200 bis Schicht 7 beträgt etwa einige zehn Mikron. Wenn es 500 V zu machen. Die Entladungsspannung steht in der Praxis schwierig ist. die Siliziumoxydschicht tatsächlich nicht nur zu der Dicke der dünnen Glas- zu bilden, indem die Zellenteile 8 von Anfang an platten in Beziehung, sondern auch zu der Art des 55 ausgeschlossen werden, werden die Schichten unter eingefüllten Gases und des Druckes des eingefüllten Verwendung des Fotoätzverfahrens gebildet, dasIn the apparatus as mentioned above through the use of such known means. In practice, it is desirable that the 45 such as vapor deposition or screen printing. Discharge voltage of the cell as small as possible as it is in the field of thin film and thick film. However, when glass is known for the thin insulating plate technique, where it is used in 1. 7 and 3, it is difficult, the case of which requires other than the sputtering process. Thickness about 0.15 mm or smaller because of the limit Then silicon oxide layers (SiO ₂ ) 7 are made on the production technique, and from this 50 silicon nitride layer 6 is formed, with spaces basically it is impossible to leave the cell parts 8 necessary for operation will. The thickness of the agile applied voltage less than 200 to layer 7 is about a few tens of microns. If it make 500V. The discharge voltage is difficult in practice. To actually form the silicon oxide layer not only to the thickness of the thin glass by plate cell parts 8 from the start, but also to the type of 55 excluded, the layers are filled under the gas and pressure of the filled using the photo-etching process formed that

Gases. Wenn diese Faktoren auch alle berücksichtigt auf dem Gebiet der Halbleitertechnik bekannt ist.Gas. When these factors are all taken into account in the field of semiconductor technology is well known.

werden, ist es schwierig, einen Wert niedriger als Zuerst wird ein Siliziumoxyd über die gesamte den obenerwähnten Wert zu erhalten. Wenn ein Fläche der Schicht 6 zerstaubt, um eine Schicht 7 zu Material mit einer großen Dielektrizitätskonstante 60 bilden. Dann wird darauf ein Fotowiderstands-(Ur die dünnen Platten 2 und 3 ausgewählt wird, material ausgebracht, dann wird der überzug vornIt is difficult to get a value lower than First a silica over the whole to obtain the above mentioned value. When a surface of the layer 6 is sputtered to form a layer 7 Form material with a large dielectric constant 60. Then a photoresist material is applied to it (where the thin plates 2 and 3 are selected), then the front coating is applied

ji kann die die Zelle belastende Spannung größer Licht belichtet, wobei eine Maske verwendet wird,ji the voltage stressing the cell can be exposed to greater light using a mask,

gemacht werden, nuch wenn die angelegte Spannung die entsprechend dem Umriß und der Anordnungcan be made even if the applied voltage is appropriate to the shape and arrangement

dieselbe ist, jedoch kann solange, wie Glasplatten der Zellen gebildet ist, und der Foiowiderstands-is the same, but as long as the glass plates of the cells are formed and the foiowiderstand-

verwendet werden, eine große Verbesserung nicht β$ überzug auf dem vom Licht nicht belichteten Teil,be used, a great improvement not β $ coating on the part not exposed to light,

erwartet werden. d. h. dem Teil entsprechend den Zellen, wird weg-to be expected. d. H. the part corresponding to the cells, is removed

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gelöst, wobei ein organisches Lösungsmittel verThe invention is based on the object of a achieved, wherein an organic solvent ver

Gasentladungsvorrichtung zur Bilddarstellung der wendet wird, das den Teil übrigläßt, der durch dieGas discharge device for imaging which is turned, which leaves the part that passes through the

Belichtung gehaftet ist, d. h, den Teil, um die Schicht der Pyrolyse von Verbindungen einschließHcrExposure is stuck, d. h, the part to include the layer of pyrolysis of compounds

ten 7 zurückzulassen. Dann wird die Schicht in ein Metallen, wie dies oben beschrieben worden ist, tineten to leave 7 behind. Then the layer is tine in a metal as described above

Ätzmittel eingetaucht, das aus Hydrofluorsäufe und das Siebdruckverfahren können auch angewendetDipped etchant, made from hydrofluoric acid and the screen printing process can also be applied

Ammoniüniflitufid besteht, so daß die Teile ent- werden.Ammoniüniflitufid exists, so that the parts are lost.

sprechend den Zellen geätzt werden. Wenn der 5 Insbesondere das Siebdruekverfahren kann leich Atzvorgang die Schichte erreicht, wird die Schicht Schichten mit größerer Dicke im Vergleich Zi aus dem Ätzmittel gezogen und mit Wasser abge- anderen Verfahren bilden, und deshalb kann es waschen. Wenn die Ätzgesehwindigkeit des Ätz- vorteilhaft bei der Bildung Von Zellen mit relativ mittels in bezug auf das Siliziumoxyd viel schneller großen Räumen zwischen den Wänden in bezug aul als die für das Siliziumnitrid ist, wird die Dicke der io den Druck des eingeschlossenen Gases verwendei vollständigen Zellen im allgemeinen gleichförmig. werden. Es ist bekannt, daß diese Beziehung zwiauch wenn eine gewisse Differenz der Atzgeschwin- sehen dem Druck des eingeschlossenen Oases und digkeit in den Teilen entsprechend den jeweiligen dem Entladungsspalt ausgedrückt werden kann al? Zellen vorhanden sein sollte. Die Schicht wird dann y _ ., λ
in eine heiße Schwefelsäure (180 C) eingetaucht. 15 ' ^Iyy' ''
um den belichteten Fotowiderstandsfilm zu ent- und zwar als das Paschensche Gesetz, wenn V₁ dis fernen, der auf den Siliziumoxydschichten 7 ver- Entladungsspannung, ρ der Druck des eingefüllter bleibt. Dann wird die Schicht mit Wasser gewaschen Gases und d der Entladungsspalt sind. Die geforder- und getrocknet, um die Bildung des Zellenteiles 711 ten isolierenden Schichten können durch das Siebvervollständigen, »ο druckverfahren gebildet werden, indem zuerst Elek speaking the cells are etched. When the etching process in particular, the screen printing process can easily reach the layer, the layer layers of greater thickness compared to Zi are pulled from the etchant and form other processes with water, and therefore it can wash. If the etching rate of the etching is advantageous in the formation of cells with spaces between the walls which are relatively large with respect to the silicon oxide, much faster than that for the silicon nitride, the thickness of the pressure of the enclosed gas will be used in complete cells generally uniform. will. It is known that this relationship can be expressed as a certain difference in the etching rate, the pressure of the enclosed oasis and the speed in the parts corresponding to the respective discharge gap. Cells should be present. The layer then becomes y _., Λ
immersed in hot sulfuric acid (180 C). 15 ' ^Iyy '''
in order to discharge the exposed photoresist film, namely as Paschen's law, if V ₁ dis, the discharge voltage on the silicon oxide layers 7, ρ remains the pressure of the filled. Then the layer is washed with water gas and d are the discharge gap. The required and dried in order to form the cell part 711 th insulating layers can be completed by the screen, »ο printing process, by first elec

Andererseits werden die y-Elektroden 10 aus troden aus transparenten leitfähigen Filmen aul transparenten leitfähigen Filmen auf einer Glas- einer Glasunterlage gebildet werden, darauf eir platte 9 gebildet, die der Platte 4 gleichartig ist, und Seidensieb oder ein Sieb aus rostfreiem Stahl mit darauf wird eine Siliziumoxydschicht 11 gebildet. einem Muster aufgebracht wird, das im voraus ent um ein anderes Element zu bilden. Dieses Element 45 sprecheΛΑ der Abmessung, dem Umfang und dei und der zuerst erwähnte Zellenteil sind so ange- Anordnung der Zellen gebildet wird, darauf eine ordnet, daß die Schichten 7 und 11 sich gegenseitig Rolle gedreht wird, die mit einer Isolierpaste begegenüberliegen, wie dies in der Zeichnung gezeigt strichen ist. um dadurch die Paste in der Form ist. und nachdem die Zellen 8 evakuiert sind und des Musters zu drucken. ur*d dann dieses erhitzt ein vorbestimmtes ionisierbares Gas darin eingefüllt 30 und gehärtet wird. Die Isolierpaste kann erhalten ist. werden diese beiden Teile dicht zusammengefügt werden, indem ein organisches Bindemittel und eir und dann werden sie luftdicht in einer Einheit Lösungsmittel den isolierenden metallischen Verbinzusammengefügt, wobei ein Glas mit niedrigem düngen, wie oben beschrieben, zugefügt werden, und Schmelzpunkt oder ein anderes Bindemittel an deren und diese befindet sich in einem schlammigen Zu (nicht dargestelltem) Umfang angebracht wird. Die 35 stand. Des weiteren sind die Chemikalien, wie die Vorrichtung ist damit vervollständigt. Ätzmittel und die Fotowiderstandsmaterialien, nichtOn the other hand, the y-electrodes 10 are formed from electrodes made of transparent conductive films aul transparent conductive films on a glass or glass base, on which a plate 9 is formed which is similar to the plate 4, and a silk screen or a stainless steel screen is placed thereon a silicon oxide layer 11 is formed. a pattern is applied which is ent in advance to form another element. This element 45 speaks ΛΑ of the dimension, the circumference and the and the first-mentioned cell part are arranged in such a way that the cells are arranged and arranged so that the layers 7 and 11 are mutually rotated, which are opposed with an insulating paste, such as this is shown in the drawing deleted. around thereby the paste is in the form. and after the cells 8 are evacuated and print the pattern. Only then this is heated a predetermined ionizable gas is filled in 30 and hardened. The insulating paste can be preserved. these two parts are tightly joined by adding an organic binder and eir and then they are airtightly joined together in a unit solvent of the insulating metallic joints, adding a low-fertilizer glass as described above, and melting point or other binding agent to them and this is in a muddy to (not shown) extent is attached. The 35 stood. Furthermore, the chemicals and the device are complete. Etchants and the photoresist materials, no

Die Bilddarstellungsvorrichtung nach der Erfin- auf die Ausführungsform beschränkt, sondern kön-The image display device according to the invention is limited to the embodiment, but can

dung, die, so wie vorstehend beschrieben, aufgebaut nen beliebig ausgewählt und verwendet werden,which, as described above, can be freely selected and used,

ist. ist einmal dadurch gekennzeichnet, daß die Eine andere Ausführungsform der Erfindung, dieis. is once characterized in that another embodiment of the invention, the

mechanische Btanspruchung der Vorrichtung erhöht 40 in den Fig. 4 und 5 dargestellt ist. wird nachfolgendMechanical stress on the device increased 40 is shown in FIGS. 4 and 5. is below

werden kann, ohne die Entladungscharakteristik zu beschrieben. Bei dieser Vorrichtung stehen allewithout describing the discharge characteristic. Everyone is standing by this device

beeinflussen, und zwar auf Grund der Verwendung Zellen miteinander in Verbindung, und deshalb kannaffect, due to the use of cells in connection with each other, and therefore can

der relativ dicken Glasplatten 4 und 9. und zum die Vorrichtung leichter hergestellt werden als diethe relatively thick glass plates 4 and 9 and for the device to be made easier than that

zweiten dadurch, daß auf Grund der Verwendung Vorrichtung mit dem in Fig. 3 gezeigten Aufbausecond in that due to the use device with the structure shown in FIG

von isolierenden Siliziumverbindungen sehr dünne 45 Ein transparenter leitfähiger Film 5 und dann ein«of insulating silicon compounds very thin 45 a transparent conductive film 5 and then a «

isolierende Schichten und Zellen mit sehr engen Siliziumnitridschicht 6 werden auf einer Glasplatte 4 insulating layers and cells with a very narrow silicon nitride layer 6 are placed on a glass plate 4

Wandabständen gebildet weiden, die nicht durch gebildet, dann werden Siliziumoxydschichten 12 mitWall clearances are formed that are not formed by silicon oxide layers 12 with

die Verwendung von Glas verwirklicht werden Streifeiuimriß auf der Nitridschicht 6 gebildet undrealized the use of glass, stripes are formed on the nitride layer 6 and

können, und als Ergebnis kann die Entladungs- dadurch werden Spaltteile 13, welche die Zellercan, and as a result the discharge can thereby become fissure parts 13, which the Zeller

spannung im großen Umfange verringert werden. 50 werden, zwischen den Streifen gebildet. Zwei deivoltage can be reduced to a large extent. 50 are formed between the strips. Two dei

Obwohl nur Siliziumverbindungen als isolierende wie oben beschrieben gebildeten Elemente werden Materialien bei der oben beschriebenen Ausfüh- dicht zusammengebracht und verbunden, so daß rungsform der Erfindung verwendet werden, können die Streifen 12 der beiden Elemente gegenseitig auch im weiten Umfange Verbindungen wie Alumi- orthogonal sind, wie dies F i g. 5 zeigt. Es ist zu niumoxyd (AI₂O₃) und insbesondere Titanoxyd (TiO₂), 55 beachten, daß die mit Apostrophen versehenen Tantaloxyd (Ta₂Oj) und Bariumtitanat (BaTiO₃) mit Bezugszahlen an den Elementen an einer gegenübergroßer Dielektrizitätskonstante, d. h. im allgemeinen liegenden Seite angeordnet sind. Obwohl die Zeller isolierende metallische Verbindungen, verwendet gegenseitig in Verbindung stehen, arbeiten bei diesem werden. Wenn insbesondere Verbindungen von Titan Aufbau nur die Teile mit einer jeweils großen Breite, und Tantal mit hoher Dielektrizitätskonstante ver- 60 über der sich die X- und Y-Elektroden gegenüberwendet werden, besteht der Vorteil darin, daß die liegen, als Zellen, und der Teil mit eeringer Breite Spannung, die auf die Zellen verteilt wird und an ist nur ein Spaltteil, der nicht mehr als zur Verdiese angelegt wird, außer der angelegten Spannung gleichmäßigung des Druckes des eingeschlossenen verringert werden kann. Gases in den Zellen beiträgtAlthough only silicon compounds formed as insulating elements as described above, materials are closely brought together and connected in the embodiment described above, so that the invention can be used, the strips 12 of the two elements can also be mutually to a large extent connections such as aluminum orthogonal, like this F i g. 5 shows. Regarding nium oxide (Al ₂ O ₃ ) and in particular titanium oxide (TiO ₂ ), 55 note that the tantalum oxide (Ta ₂ Oj) and barium titanate (BaTiO ₃ ) marked with apostrophes have reference numbers on the elements at a higher dielectric constant, ie im general lying side are arranged. Although the Zeller are used to interconnect insulating metallic compounds, work at this. If, in particular, connections of titanium structure only the parts with a large width in each case, and tantalum with a high dielectric constant above which the X and Y electrodes are facing each other, the advantage is that they lie, as cells, and the Part with a small width voltage, which is distributed to the cells and at is only a gap part, which is applied no more than for digestion, besides the applied voltage can be reduced evenly of the pressure of the enclosed. Gas in the cells

Das Verfahren zum Bilden der isolierenden 65 In einigen Fällen ist es vorteilhafter, eine dünneThe method of forming the insulating 65 In some cases it is more advantageous to use a thin

Schichten ist nicht auf das Zerstäubungsverfahren Glasplatte mit Öffnungen zu versehen, wie sie inLayers is not to be provided with openings on the sputtering glass plate, as in

beschränkt, sondern das Aufdampfungsverfahren F i g. 1 dargestellt ist, und zwar an Stelle der isolie-limited, but the vapor deposition process F i g. 1 is shown, in place of the isolating

und nötigenfalls das Verfahren unter Verwendung renden metallischen Verbindungsschichten als isolie-and, if necessary, the process using generating metallic connecting layers as insulating

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fefide Schichten zum Bestimmen der Mähe der ^Elektroden und die Unterlagen zum Tragen dieser Zellen in den Vorrichtungen der in den Pig. 3 und 5 Elektroden transparent sind, kann nur eine Seite gezeigten Ausbildungen. Dies ist darauf zuHtekzu* aus transparentem Material gebildet werden, wenn führen, daß das Zerstäubungsverfahren, das Ver- es nicht notwendig ist, das fintladungslieht der Zellen damp'uflgsvertahren und das Verfahren unter Ve^ i von beiden Seiten der Vorrichtung zu beobachten. Wendung der Pyrolyse von Verbindungen zu viel In diesem Falle können eine keramische Platte Zeit für das Bilden der isolierenden Schichten bis und eine Metallfolie jeweils als Unterlage und Elekzu einer Dicke oberhalb eines bestimmten Dicke* trode an der Rückseite verwendet werden. Des wertes verbrauchen. Das Siebdruekverfahren ver- weiteren müssen die X- und !^Elektroden nicht braucht, wie oben beschrieben, weniger Zeit als die ie notwendigerweise orthogonal gerade sein, sondern genannten drei Verfahren, verbraucht dennoch offen- irgendeine Elektrode kann so gewählt werden, wie sichtlieh mehr Zeit als das Verfahren unter Verwen- dies in Abhängigkeit von dem Zweck der Bilddung von dünnen Glasplatten. darsteltungsvorrichtung gefordert wird, z. B. al« Obwohl bei jedem der vorstehend erwähnten Kombination von konzentrischen Kreisen, radialer Beispiele der Ausführung der Erfindung die X- und t$ Linien od. dgl.fefide layers for determining the mowing of the ^ electrodes and the supports for supporting these cells in the devices of the pig. 3 and 5 electrodes are transparent, only one side can be shown in the configurations. This is it zuHtekzu * are formed of transparent material, when result that the sputtering method, the encryption it is not necessary that the cells fintladungslieht damp'uflgsvertahren and to observe the procedure under Ve ^ i from both sides of the device. Turning the pyrolysis of compounds too much In this case, a ceramic plate can be used to form the insulating layers up to and a metal foil each as a base and electrode to a thickness above a certain thickness * trode on the back. Consume the value. The screen printing process further the X and! Electrodes does not need, as described above, less time than the necessarily orthogonally straight, but the three processes mentioned, nevertheless consumes openly - any electrode can be chosen so as visually more time as the method using this depending on the purpose of forming thin glass plates. display device is required, e.g. B. al «Although in each of the above-mentioned combinations of concentric circles, radial examples of carrying out the invention, the X and t lines or the like.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

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Claims

1 2 In Fig. 1, 1 is a thin glass plate in which one of the claims: a plurality of small holes 1OJ, 102, 103, 104, ... in an arrangement in the manner of a test

1. A gas discharge device is provided for the display panel and each of these holes is provided with an insulating pair of plates, of which 5 becomes a larger part of a cell. With 2 at least one of the plates is transparent and denotes a thin glass plate, on which a plurality of each plate has several mutually insulated conductive of parallel electrodes 201, 202, 203, 204, ..., strips that serve as electrodes, in the following Designated as A'-electrodes, which consist of the facing inner surface of the thin insulating strips, on the outer surface of which tarpaulins are applied and each other is formed so that they can cross the lateral lines of the electrodes with these electrodes of the supported insulating layers provided in the thin plate 1, with a small hole. With 3 is a thin insulating middle layer, through which a or glass plate denotes, on the outer surface of which several spaces are formed, which are determined by the plurality of parallel electrodes 301, 302, 303, outlines of the middle layer, with 15 304, ... , hereinafter referred to as Y-electrodes, an ionizable gas which is formed in the small, which consist of thin strips, so that spaces are filled, and with devices for this the longitudinal lines of the arrangement of the dividing or small spaces Small holes provided in airtight manner opposite the thin plate 1 ent of the surrounding air, marked thereby. These X- and Y-electrodes can indicate that the insulating layers lying over the conductive strip, preferably consisting of such transparent conductive fencing, consist of a metallic compound, such as thin gold films or Nesa films. are formed. The imaging device is

2. Gas discharge device according to claim 1, constructed so that the three thin glass plates 1, 2 characterized in that the insulating and 3 in the series layers shown in the drawing consist of metal oxides. 25 so that each of the

3. Gas discharge device according to claim 1, small holes in the thin plate 1 evacuated characterized in that the insulating is that then io.iisbaren gas, z. B. helium. Layers consist of ceramics. Neon or a mixture of one of the gases and one

4. A gas discharge device according to claim 1, a small amount of nitrogen sealed therein marked, dJ3 the small spaces 30 is closed and that ultimately the three thin ones are mutually related. Plates are hermetically sealed together.

Fig. 2 (a) is a cross-sectional view of the small holes 101, 102, ... taken along line 2-2 of the assembly

tion of the device, which is mentioned in the

35 th way is constructed. Each small hole becomes a cell surrounded by glass walls 1 1 and 3.

The invention relates to a gas discharge device and a voltage can be applied to each of the cells for image display with an insulating each of the / ^ - electrodes 201, 202, 203 and 204 and plate pair, of which at least one of the plates of the Y-electrode 301 be created. The cell part is transparent and each plate can have a plurality of mutually 40 between the X and Y electrodes, electrically isolated conductive strips, which serve as electrodes as a circuit shown in FIG. 2 (b), on which the mutually facing interior tet are, in the three capacitors in series surface of the insulating plates are applied and are connected. The capacitances C 1 are each which can cross each other, with values of the capacities of the thin glass plate 2 and 3, applied to these electrodes, insulating layers, with a 45 and the capacitance Γ 2 is the value of the capacitance of the insulating middle layer through which one or multiple cell.

Spaces are formed by the outline of the following is the principle of operation

Middle layer are intended to be explained with an ionizable image display device. Under

Gas that is filled into the small spaces, and the assumption that a certain alternating voltage

with means for separating the small spaces 50 voltage, in accordance with the capacitive

airtight to the surrounding air. Impedance values of Fig. 2 (b) is divided. to the

A known device for image display cell 101 is applied, and when this voltage (USA.-Patent 3 334 2f> 9) works after a certain voltage value is reached, the principle of a luminescent lamp, in which the insulation of the filled gas is broken, what Image representation due to the emission of a 55 leads to a discharge and to light emissions. Electrode attached fluorescent substance conservation If the dimension of this cell is th is relatively small, wherein the fabric by ultraviolet, through, and the frequency of the applied voltage is relatively generated an oil continuous calibration current discharge low, moving the charged particles, the beam is excited, In the known device or and the discharge are generated, in each case an excessive current is to be prevented, θο the cell walls on the side of each electrode with either the opposite polarity due to the negative resistance characteristic and hit the wall surfaces during the initial period of the discharge low. The charges that are subsequently caused. For this purpose, the known arrangement is referred to as wall charges, adheres to the wall with a layer of resistance material on the surfaces and generates one of the electrodes between the walls, 65 voltage with a polarity that corresponds to the polarity of the

In another known device, applied voltage is opposite and opposite Wall discharge used. This device through this discharge disappears. The next will be described with reference to Figs. half the period of the applied alternating voltage