DE1927229B2 - Schutzschaltung fuer einen Video-Endtransistor in einem Fernsehempfaenger - Google Patents

Description

des Hauptchassis stellt für die Überschläge in der Bildröhre, die sehr kurzzeitig sind und deshalb hohe Frequenzanteile enthalten, eine Induktivität von etwa 10OnH dar. Aus diesem Grunde sind also Erdungspunkt der kleinen Leiterplatte und des Hauptchassis für die Überschlagsspannung nicht kurzgeschlossen, so daß der Erdungspunkt der kleinen Leiterplatte aufgrund der genannten Induktivität bei Spannungsüberschlägen

In einem Fernsehempfänger ist man bemüht, die
Verbindungsleitung zwischen der Ausgangselektrode
der Video-Endstufe und der Steuerelektrode der Bildröhre möglich* kurz zu machen, um Änderungen des
Frequenzganges und Störeinstrahlungen gering zu hai- 30 genannte Verbindungsleitung zwischen dem Erdungs len. Bei einer Transistor-\ ideot idstufe ist es bekannt. punkt der kleinen Leiterplatte und dem Erdungspunkt den Video-Endtransisior a.jf eine^r kleinen Leiterplatte
anzuordnen, die auf den Bildröhrenhals aufgesteckt ist.
Dann ist die Verbindung zwischen der Video-Endstufe
und der Bildröhre besonders kurz, indem beispielsweise 35
der Kollektor des Transistors direkt mit der Kathode
der Bildröhre verbunden ist. Ein solcher Transistor ist
besonders gefährdet durch Hochspannungsüberschläge

innerhalb der Bildröhre, die zwangsläufig auf die Elek- ^ . _ „_..

troden des Transistors gelangen und diesen zerstören 40 gegenüber dem Erdungspunkt des Hauptchassis eine können. beachtliche Spannung von bis zu 100 V annehmen kann

und der Emitter des Video-Endtransistors gegenüber dem Erdungspunkt des Hauptchassis ebenfalls diese Spannung erhält. Da die Basis des Video-Endtransistors

lioch zu hoch. Es ist auch bekannt, zwischen der Katho- 45 jedoch galvanisch praktisch mit dem Erdungspunkt des De der Bildröhre und einem Punkt fester positiver Hauptchassis verbunden ist, tritt an der Basis-Emitter-Strecke des Video-Endtransistors eine beachtliche Sperrspannung von bis zu 100 V auf. Da die maxima! zulässige Sperrspannung des Video-Endtransistors bei

Es hat sich gezeigt, daß gerade bei Schaltungen, bei 50 zur Zeit verwendeten Transistoren etwa 5 V beträgt, denen der Endtransistor auf der an der Bildröhre an- wird der Transistor zerstört. Durch die erfindungsgemäße Diode wird erreicht, daß an der Basis-Emitter-Strecke des Video-Endtransistors die genannte gefährliche Sperrspannung nicht auftreten kann, indem diese 55 Schutzdiode bei Überschlagen durchlässig gesteuert wird. Die Schutzdiode selber wird dabei nicht zerstört. Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeich· nung erläutert.

Die Figur zeigt eine Bildröhre 1, an die über eine

stors mit der Kathode der Bildröhre und die Basis des 60 Leitung 2 eine in einem Generator 20 erzeugte Hoch-Transistors über eine Leitung mit einem die Videospan- spannung angelegt ist. Auf den Bildröhrenhals, ζ. B. die nung liefernden, niederohmigen Punkt auf dem Haupt- Anschlußstifte, ist eine kleine Leiterplatte 3 aufge· chassis des Fernsehempfängers verbunden, wobei ein steckt, die u. a. einen Video-Endtransistor 4 mit Ar* Erdungspunkt der kleinen Leiterplatte mit feinem Er- beitswiderständert 5, 6 und einem ÄGGIied 7 enthält« dungspunkt des Hauptchassis ebenfalls über eine etwa 65 das mit einem Erduftgspüftkt 8 auf der Leiterplatte 3 30 cm lange Leitung verbunden ist. Auch bei dieser verbunden ist. Der Kollektor des Transistors ist Über Schaltung wurde der Video-Endtransistor durch Span- einen Widerstand 19 mit der Kathode der Bildröhre 1 nungsüberschläge in der Bildröhre oft zerstört. Die verbunden. Die Kathode der Bildröhre I ist über eine

Es ist bekannt, an der Bildröhre eine Funkenstrecke vorzusehen, die solche Überschläge etwa auf 2 kV begrenzt. Diese Spannung ist jedoch für einen Transistor h bekan
einem

Spannung eine Diode vorzusehen, die oberhalb dieser Spannung leitend wird und die maximal mögliche Spannung an der Kathode der Bildröhre begrenzt.

geordneten Leiterplatte befestigt ist, der Video-Endtransistor durch Spannungsüberschläge innerhalb der bildröhre zerstört wird, und zwar trotz der Anwendung lisher bekannter Schutzschaltungen.

Bei einer bekannten Schaltung ist der Emitter des Video-Endtransistors über ein niederohmiges RC-CWeU mit einem Erdungspunkt der an der Bildröhre angeordneten kleinen Leiterplatte, der Kollektor des Transi-

Funkenstrecke 21 geerdet. Eine Schutzdiode 9 sorgt dafür, daß bei Spannungsüberschlägen die Spannung am Kollektor des Transistors 1 nicht größer als + 140 V werden kann.

Das Hauptchassis 10 des Fernsehempfängers, das symbolisch dargestellt ist, enthält einen als Videovorverstärker dienenden Transistors 11 mit einem Arbeitswiderstand 12, der von dem Videosignal 13 gesteuert wird. Der Eidlingspunkt des Hauptchassis 10 ist n:it 14 bezeichnet. Das Videosignal wird vom Emitter des Transistors 11 über eine Leitung 15 der Basis des Transistors 4 zugeführt. Die Erdungspunkte 8 und 14 sind über eine Leitung 16 miteinander verbunden. Die Leitungen 15, 16 haben eine Länge von ungefähr 20 bis 30 cm. Bei der soweit beschriebenen Schaltung traten durch Spannungsüberschiäge innerhalb der Bildröhre I von der Hochspannung aus Zerstörungen des Transistors 4 auf. Die Erfindung beruht nun auf der Erkenntnis, daß die Leitung 16 für die Spannungsüberschläge eine Induktivität darstellt, die in der Figur symbolisch bei 17 dargestellt ist. An dieser induktivität 17 steht durch dse Spannungsüberschläge ein kurzer Spannungsabfall von bis zu 100 V. so daß der Erdungspunkt 8 spannungsmäßig um diesen Betrag höher liegt als der Erdungspunkt 14 und somit auch der Emitter des Transisiors 4 gegenüber dem Erdungspunkt 14 stark positiv wird. Da die Basis des Transistors 4 jedoch im wesentlichen wegen des niederohmigen Widerstandes 12 auf der Spannung des Erdungspunktes 14 bleibt, entsteht an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 4 eine für den Transistor 4 zu hohe Sperrspannung, die den Transistor zerstört.

Zur Vermeidung dieser Zerstörung ist gemäß der Erfindung zwischen Basis und Emitter des Transistors 4 eine Diode 18 eingeschaltet. Im Normalbetrieb ist die Basis des Transistors 4 gegen den Emitter positiv vorgespannt, so daß die Diode 18 gesperrt und praktisch wirkungslos ist. Bei einem Spannungsüberschlag innerhalb der Bildröhre 1 gelangt eine positive Spannung an den Kollektor und den Emitier des Transistors 4. Dadurch wird die Diode 18 leitend gesteuert und schließt die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 4 kurz, so daß an dieser keine unerwünscht hohe Sperrspannung auftreten kann. Der Transistor 4 wird dadurch gegen Zerstörung gesichert. Als Diode 18 kann eine Siliziumoder Germaniumdiode kurzer Schaltzeit, z. B. vom Typ BA 173, verwendet werden. Durch die Erfindung wird also ein spezielles Problem ge! .,t, das gerade bei Anordnung des Video-Endtransistor; auf der kleinen Leiterplatte 3 an der Bildröhre und bei Verv/endung der Leitung 16 zwischen dieser Leiterplatte und dem Hojptchassis des Fernsehempfängers auftritt. Erst auf Gri':id der Erkenntnis, daß die Induktivität 17 die Ursache für die Zerstörung des Transistors ist, war es möglich, eine Schaltungsmaßnahme zur Vermeidung der Zerstörung des Transistors zu schaffen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Schutzschaltung für den Video-Endtransistor in einem Fernsehempfänger, bei dem der Transistor •uf einer am Bildröhrenhals angeordneten Leiterplatte angeordnet, der Kollektor mit der Bildröhrenkathode, die Basis mit einer gegenüber Erde niederohmigen Videostgnalquelle des Hauptchassis und der Emitter über eine niederohmige Impedanz mit dem Erdungspunkt der Leiterplatte verbunden ist, der über eine Verbindungsleitung an den Erdungspunkt des Hauptchassis angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schutz gegen Spannungsüberschläge in der Bildröhre (1), die trotz der niederohmigen Impedanz (7) aufgrund der Induktivität (17) der Verbindungsleitung (16) am Emitter wirksam werden, in an sich bekannter Weise zwisch(.i. Basis und Emitter eine entgegengesetzt zur Basis-Emitter-Strecke gepolte Diode (18) geschaltet ist.

   Gründe hierfür waren zunächst nicht erkennbar, da die Kollektorspannung des Transistors durch eine Schutzdiode bereits auf die zulässige Kolleklor-Emitter-Spannung begrenzt und der Emitter über ein niederohmiges /?C-Clied geerdet war, so daß höhere Spannungen nicht hätten auf den Emitter gelangen können, um dort eventuell die Basis-Emitter-Strecke zu zerstören.

   Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsmaßnahme zu treffen, mit der die genannte

   ίο Gefährdung des Transistors vermieden wird.

   Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch gekennzeichnete Erfindung gelöst.

   Es ist zwar bekannt (DT-AS 1 221 291). zum Schutz eines Transistors parallel zur Basis-Emitter-Strecke

   t5 eine entgegengesetzt zu dieser Strecke gepolte Diode vorzusehen. Der Einsatz dieser Diode bei der der Erfindung zugrundeliegenden Schaltung mußt» jedoch als überflüssig und nutzlos angesehen werden, weil Basis und Emitter des Transistors je über niederohmige Impedanzen bereits geerdet waren und somit anzunehmen war, daß auf diese Elektroden gar keine gefährliche Spannungsspitzen gelangen konnten und somit die Basis-Emitter-Strecke gar nicht gefährdet war. Bei der Erfindung wird also eine an sich bekannte Schut/maßnähme an einer Stelle der Schaltung vorgesehen, die für den Fachmann durch andere Schaltungsmaßnahmen bereits als hinreichend geschützt angesehen werden mußte.

   Die Erfindung beruht auf folgender Erkenntnis. Die