DE1925820B2 - INTEGRATED SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT PROTECTED AGAINST CONNECTION WITH INCORRECT POLARITY - Google Patents

INTEGRATED SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT PROTECTED AGAINST CONNECTION WITH INCORRECT POLARITY

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DE1925820B2 DE19691925820 DE1925820A DE1925820B2 DE 1925820 B2 DE1925820 B2 DE 1925820B2 DE 19691925820 DE19691925820 DE 19691925820 DE 1925820 A DE1925820 A DE 1925820A DE 1925820 B2 DE1925820 B2 DE 1925820B2
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Description

925 820925 820

F i g. 6 den Aufbau einer SubstratUiode als Schutzdiode in der Minuszuleitung undF i g. 6 shows the structure of a substrate diode as a protective diode in the negative lead and

Fig. 7 die Kombination einer Diode mit einem Kondensator zu einem ÄC-Siebglied.7 shows the combination of a diode with a capacitor to form an AC filter element.

I'ig. 1 zeigt als Ausfülmingsbeispiel einen zur elektrischen Ausrüstung für Kraftfahrzeuge gehörenden Blinkgeber 10". Bestandteil des Blinkgebers 10" ist eine Halbleiterschaltung 10, deren Kern aus einer integrierten Schaltung besteht. Die Halbleiterschaltung 10 hat vier Anschlußklemmen 1, 2, 3, 4 und der Blinkgeber 10" Anschlußklemmen 1", 2" und 3". Von der Klemme 1" zur Klemme 1 führt eine Zuleitung Z1, von eier Klemme 2" zur Klemme 2 eine Zuleitung Z3 mit einer Schutzdiode D., und von der Klemme 3" zur Klemme 3 eine Zuleitung Z., mit einem Schutzwiderstand RS3. I'ig. 1 shows, as an exemplary embodiment, a flasher unit 10 "belonging to the electrical equipment for motor vehicles. A component of the flasher unit 10" is a semiconductor circuit 10, the core of which consists of an integrated circuit. The semiconductor circuit 10 has four connection terminals 1, 2, 3, 4 and the flasher unit 10 "connection terminals 1", 2 "and 3". From the terminal 1 'to the terminal 1, a feed line leads Z 1, of egg terminal 2' to the terminal 2 a supply line Z 3 with a protective diode D., and of the terminal 3 'to the terminal 3 a supply line Z., with a protective resistor RS 3 .

Die Klemme 3" ist außerdem mit der Klemme 4 durch eine Leitung 11 verbunden, in der ein Relaislontakt 12 angeordnet ist. Von der Klemme 1 zur Klemme 4 führt eine Leitung 13, i^ weiener ein Wi- «!erstand RK angeordnet ist. An die Klemme 1" ist tier Pluspol, an die Klemme 2" der Minuspol einer K ruf !fahrzeugbatterie 14 angeschlossen. Bestandteil der Blinkeinrichtung sind außer dem Blinkgeber 10" der an der Lenksäule des Kraftfahrzeugs angebrachte Bünkgeberschaller 15 und je zwei Signallampen 16 und 17, welche auf der linken bzw. rechten Seite des Kraftfahrzeuges angeordnet sind. Die beiden festziehenden Kontakte des Blinkgeberschalters 15 sind dabei an jeweils eine Klemme der Signallampen 16 und 17 angeschlossen, während die beiden anderen Anschlußklemmen der Signallampen 16.. 17 gemeinsam an den Minuspol einer Kraftfahrzeugbatteric 14 »!!geschlossen sind. Der bewegliche Kontaktarm des Blinkgcberschalters 15 ist mit der Anschlußklemme 3" des Blinkgebers 10" verbunden.The terminal 3 "is also connected to the terminal 4 by a line 11 in which a relay contact 12 is arranged. A line 13 leads from the terminal 1 to the terminal 4, in which a resistor RK is arranged Terminal 1 "is the positive pole, and terminal 2" is the negative pole of a call! vehicle battery 14. In addition to the flasher unit 10 ", the flasher device 15 attached to the steering column of the motor vehicle and two signal lamps 16 and 17 each are part of the flasher device are arranged on the left or right side of the motor vehicle. The two tightening contacts of the flasher switch 15 are each connected to a terminal of the signal lamps 16 and 17, while the other two terminals of the signal lamps 16 .. 17 are jointly connected to the negative pole of a motor vehicle battery 14 »!!. The movable contact arm of the flasher switch 15 is connected to the terminal 3 "of the flasher 10".

Du.> Wesentliche bei dem im vorangehenden beschriebenen Ausführungsbeispiel ist eine Begrenzung des Stroms in den Zuleitungen bei falschem Anschließen. Dadurch kann auch bei falschem Anschließen, bei dem parasitäre Elemente der integrierten Schaltung in Durchlaßrichtung gepolt sein können, eine unzulässige hohe Erwärmung, die zur Zerstörung der Baueinheit führen kann, vermieden werden.You.> The essentials of what has been described above The exemplary embodiment is a limitation of the current in the supply lines in the event of incorrect connection. This can cause parasitic elements of the integrated Circuit can be polarized in the forward direction, an impermissible high temperature rise leading to destruction the assembly can lead to be avoided.

Die SchutzcPndcn und Schutzwiderstände, deren Anwendung in dem beschriebenen Ausführungsbeispicl angedeutet Lt, lassen sich auch zweckmäßig als Teile der integrierten Schaltung ausführen. Die Dioden können dabei als sogenannte Emitter-Dioden, Koilcktordioden, Stopperdioden und/oder Substraldioclcn ausgebildet sein. Welche dieser Dioden vorteilhafter b/w. überhaupt cinsetzbar ist. hängt von den Forderungen an die Sperreigenschaften der Dioden im Zusammenhang mit den Parametern des Herslellungsprozcsscs der integrierten Schaltung ab. Substratdioden mit sehr guten elektrischen Eigenschaften lassen sich durch besonders starke p- bzw. n-Doticrung auf der Unterseite des Substrats herstellen.The SchutzcPndcn and protective resistors, their Application in the example described indicated Lt, can also be carried out expediently as parts of the integrated circuit. The diodes can be used as so-called emitter diodes, coil diodes, stopper diodes and / or substrate diodes be trained. Which of these diodes is more advantageous b / w. can be used at all. depends on the requirements for the blocking properties of the diodes in connection with the parameters of the manufacturing process the integrated circuit. Substrate diodes with very good electrical properties can be produced by particularly strong p or n doping on the underside of the substrate.

Ein Beispiel für die Anordnung eines Schutz-Widerstandes innerhalb der monolithisch integrierten Schaltung ist :n Fig. 2 dargestellt. Innerhalb einer Schicht 18 liegt eine Anschlußfläche 19, die der Anschlußklemme 3" in F i g. I entspricht. Von der Anschlußflüche 19 geht eine Verbindung zu einem Anschlußflcck 23 eines integrierten Widerstandes 20 innerhalb einer n-dotierten Wanne 21 für Widerstände. Der Anschlußkontakt für diese Wanne ist mit 22 bezeichnet. Dieser integrierte Widerstand entspricht dem Widerstand /«,,in Fig. 1. Bei falschem Anschluß, d. h. bei falscher Polling kann die p-Diffusionszone des Widerstandes 20 positiv gegen die η-Wanne werden, wodurch eine Polung in Durchlaßrichtung eintritt und Strom von dem Anschlußkontakt 19 nach dem Anschlußkontakt 22 fließen Uann. Damit dieser Strom begrenzt wird, ist der Abstand zwischen der Fläche 23 und der Fläche 22 so groß zu halten, daß sich ein genügend großer Widerstand zwischen den Flächen ausbilden kann. Strom und Verlustleistung können somit also hinreichend klein gehalten werden, wenn der Abstand« in Fig. 2 hinreichend groß ist. Wenn der Abstand α zu klein und auf direktem Wege nicht vergrößerbar ist, so kann, wie in Fig. 3 angedeutet ist, durch mit der Isolierungsdiffusion eindiffundierle Trennwände 24 ein Stromumweg erzwungen werden.N 2 is shown. An example of the arrangement of a protection resistor within the monolithic integrated circuit. Within a layer 18 there is a connection area 19 which corresponds to the connection terminal 3 ″ in FIG this trough is denoted by 22. This integrated resistance corresponds to the resistance / "" in FIG Passage direction enters and current flows from the connection contact 19 to the connection contact 22. In order for this current to be limited, the distance between the surface 23 and the surface 22 must be kept so large that a sufficiently large resistance can develop between the surfaces and power loss can thus be kept sufficiently small if the distance in Fig. 2 is sufficiently large. If the distance α is too small un d cannot be increased in a direct way, as is indicated in FIG. 3, a current detour can be forced through partition walls 24 which diffuse in with the insulation diffusion.

Es ist z. B. auch i.oglich, daß unterhalb der Wanne für Widerstände bereits eine vergrabene Schicht angeordnet ist. Durch diese gut leitfähige vergrabene Schicht würde der sich zwischen dem Anschlußfleck 22 der Wanne 21 und den Anschlußfleck 23 des Widerstandes 20 bei Falschpolung ausbildende Widerstand praktisch kurzgeschlossen und damit wirkungslos. Deshalb ist bei derartigen Anordnungen darauf zu achten, daß der Abstand zwischen dem Rand der vergrabenen Schicht unter der Widerstandswanne und dem Anschlußfleck 23 des Widerstandes 20 bzw. dem Rand einer unter dem Anschlußfleck 23 angeordneten vergrabenen Schicht ausreichend groß ist, so daß eine hinreichende Strombegrenzung durch den sich bildenden Widerstand gegeben ist.It is Z. B. also possible that below the Well for resistors a buried layer is already arranged. Because of this highly conductive buried layer would be between the pad 22 of the well 21 and the pad 23 of the resistor 20 practically short-circuited and the resistor forming the wrong polarity thus ineffective. Therefore, care must be taken with such arrangements that the distance between the edge of the buried layer under the resistor well and the connection pad 23 of the resistor 20 or the edge of a buried layer arranged under the connection pad 23 is sufficiently large so that there is sufficient current limitation due to the resistance that forms is.

Weiterhin ist es möglich, eine separate Wanne 25 für einen Begrcnzungswiderstand 2o vorzusehen, wobei die Wanne durch eine Trennwand 27 vom übrigen Teil der monolithisch integrierten Schaltung abgetrennt ist. Wesentlich ist dabei, daß, wie in Fi g. 4 dargestellt, die Wanne 25 nicht direkt mit dem die Wanne gegen das Substrat in Sperrichtung polendcn Potential verbunden ist, d. h. daß die Wanne 25 nicht direkt konlakliert ist, sondern das Sperrpotential zwischen Wanne 25 und (Substrat) Trennwand 27 über den zwischen dem Widerstand 26 und der Wanne 25 auftretenden pn-Übcrgang gebildet wird.It is also possible to provide a separate trough 25 for a limiting resistor 2o, with the tub separated by a partition 27 from the rest of the monolithic integrated circuit is. It is essential that, as in Fi g. 4 shown, the tub 25 is not directly connected to the Well is connected to the substrate in the reverse direction of the potential, d. H. that the tub 25 is not is directly concluded, but the blocking potential between the tub 25 and (substrate) partition wall 27 above the pn junction occurring between the resistor 26 and the well 25 is formed.

Es ist selbstverständlich, daß in dieser Wanne auch andere Widerstände der Schaltung untergebracht sein können.It goes without saying that other resistances of the circuit can also be accommodated in this tub can.

Um die Gefahr zu vermeiden, daß :;ich bei falschem Anschließen der monolithisch integrierten Schaltung ein in Durchlaßrichtung gepoltcr parasitärer onp-Substrattransistor ergibt, der, wie in Fi g. 5 dargestellt ist, durch eine p-Zone28 (Widerstand), die det.i Emitter einspricht, eine n-Wanne 29. die der Basis entspricht, und das p-Substrat30, das dem Kollektor entspricht, entsteht, ist eine sogenannte vergrabene Schicht 31, die sehr stark n-dol;iert ist, unter dem Widerstand 28 bzw. einem Teil des Widerstandes angeordnet. Diese vergrabene Schicht 31 vermindert FehLströmc zum Substrat.In order to avoid the risk that:; I if the monolithically integrated Circuit results in a forward-polarized parasitic onp substrate transistor which, as shown in FIG. 5 is represented by a p-zone 28 (resistance), which corresponds to the det.i emitter, an n-well 29. that of the Base corresponds to, and the p-substrate30, which is the collector corresponds, arises, is a so-called buried layer 31, which is very strongly n-dol; iert, under the resistor 28 or a part of the resistor arranged. This buried layer 31 is reduced Incorrect flow to the substrate.

In F i g. 6 ist dargestellt, wie unter einer Anschlußflächc 32 eine Schutzdiode vorgesehen sein kann, die als Stibstratdiode aufgebaut ist und durch die p-Schicht 33 und die n-Schicht 34 gebildet ist.In Fig. 6 is shown as under a pad c 32 a protective diode can be provided, which is constructed as a Stibstratdiode and through which p-layer 33 and the n-layer 34 is formed.

In Fig. 7 ist eine weitere Ausgestaltung der Erfindung dargestellt; eine in einer Zuleitung vorgesehene Schutzdiode 35 ist mit einem Kondensator 36 korn-In Fig. 7 is a further embodiment of the invention shown; a protective diode 35 provided in a supply line is grained with a capacitor 36

biniert und ergibt so ein Siebglied gegen kurzzeitige Spannungsüberhöhungen bzw. -Einbrüche im Bordnetz eines Kraftfahrzeuges. Die Anordnung in F i g. 7 ist deshalb besonders günstig, da einerseits bei kurzzeitigen Spannungsüberhöhungen der Strom durch die Diode 35 infolge deren Trägheit aufrechterhalten bleibt, andererseits aber bei Spannungscinbrüchen keine in dem Kondensator gespeicherte Ladung über die Diode 35 ins Bordnetz des Kraftfahrzeuges abfließen kann.and thus results in a filter element against brief voltage increases or dips in the on-board network of a motor vehicle. The arrangement in FIG. 7 is particularly favorable because on the one hand for short-term Voltage overshoots maintain the current through the diode 35 due to its inertia remains, but on the other hand no charge stored in the capacitor in the event of voltage drops can flow through the diode 35 into the electrical system of the motor vehicle.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (6)

I 925 820 (I ;,, ι 2 Iwi Überprüfungen zerstört werden. Sind dagegen Patentansprüche. integrierte Halbleitcrschaltungen Teil eines Erzeugnisses, dus — wie otwa die elektrische AusrüstungI 925 820 (I; ,, ι 2 Iwi checks are destroyed. On the other hand, patent claims. Integrated semiconductor circuits are part of a product, dus - like electrical equipment 1. Gegen Anschluß mit falscher Polung ge- eines Kraftfahrzeuges — nur als Zubehör dient, so schützte integrierte Halbleiter-Schaltung mil min- 5 kennen die integrierten Halbleiterschaltungen des bediatens einer Diode in mindestens einer Zulei- treffenden Erzeugnisses infolge Unachtsamkeit beim tung, dadu rch gekennzeichnet, daß zum Einbau in das Kraftfahrzeug oder bei einer ÜberSchutz gegen Beschädigung der Schaltung durch prüfung zerstört werden.1. Against connection with wrong polarity of a motor vehicle - only serves as an accessory, see above protected integrated semiconductor circuits mil min-5 know the integrated semiconductor circuits of operation a diode in at least one feeder product as a result of carelessness in the device, characterized by the fact that for installation in the motor vehicle or for an over-protection can be destroyed by testing against damage to the circuit. bei falscher Polung in parasitären Stromwegen Aus der Schaltungstechnik mit diskreten Bauflieliende Ströme in diesen Stromwegen hinrei- io elementen ist es bekannt, der Emilter-Kollektorchend groß bemessene Widerstände vorgesehen Stecke von Transistoren eine Diode parallel zu schalend, ten, die so angeschlossen ist, daß sie bei einer mitwith incorrect polarity in parasitic current paths From circuit technology with discrete construction ends It is known that the Emilter collectors are sufficient for currents in these current paths large resistors are provided. Plug transistors into a diode in parallel, that is connected in such a way that it is connected to a 2. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, da· richtiger Polarität an die Emitter-Kollekto»-Strecke durch gekennzeichnet, daß der Widerstand eine des Transistors angelegten Spannung sperrt und bei Diode ist. 15 Anschluß mit falscher Polung leitend wird, so daß2. Semiconductor circuit according to Claim 1, since the polarity is correct at the emitter-collector path characterized in that the resistor blocks a voltage applied to the transistor and at Diode is. 15 Connection with wrong polarity becomes conductive, so that 3. Halbleiterschaltung nach Ansprach 1, da- eine in die Zuleitung des Transistors und der Diode j durch gekennzeichnet, daß der Widerstand ein geschaltete Sicherung anspricht und den Stromfluß chmsche. Widerstand ist. unterbricht (deutsche Auslegeschrift 1 108 802).3. Semiconductor circuit according to spoke 1, one in the supply line of the transistor and the diode j characterized in that the resistor responds to a switched fuse and the current flow chmsche. Resistance is. interrupts (German Auslegeschrift 1 108 802). 4. Halbleiterschaltung nach Anspruch 2, da- Weiterhin sind integrierte Schaltungen mit einem4. Semiconductor circuit according to claim 2, there are also integrated circuits with a ί durch gekennzeichnet, daß der Diode ein Kon- 20 niedrigen Integrationsgrad bekanntgeworden, dieί characterized in that the diode has become known to have a low level of integration j densator zur Bildung eines ÄC-Siebgliedes hin- funktionell bedingt eine Diode in einer ihrer Zulei-j capacitor to form an ÄC filter element - functionally requires a diode in one of its supply lines ! Zugeschaltet ist. tung aufweisen, wobei die Kombination dieser Diode! Is connected. have device, the combination of this diode 5. Halbleiterschaltung nach Anspruch 3, da- mit einem ebenfalls funktionell bedingten diskreten5. Semiconductor circuit according to claim 3, therewith also functionally caused discrete j durch gekennzeichnet, chß die Anschlußfläche Widerstand einen Schutz für die Schaltungsanord-j characterized by, the connection surface resistor provides protection for the circuit arrangement ί (23) des ohmschen Widerstandes (20) hin- 25 nung bei AnU gen einer Spannung mit falscher Pola··ί (23) of the ohmic resistance (20), if a voltage with the wrong polarity is applied. reichend weit von der Anschlußfläche (22) einer rität ergibt (Siemens-Zeitschrift 1966, S. 324/325).reaching far from the connection surface (22) results in a rität (Siemens-Zeitschrift 1966, p. 324/325). j η-dotierten Wanne (21) entfernt ist bzw. bei Vor- Bei Schaltungen mit diskreten Bauelementen be-j η-doped tub (21) is removed or in the case of circuits with discrete components ϊ handensein einer vergrabenen Schicht unterhalb steht die Gefahr, daß bei Anlegen einer Spannungϊ if there is a buried layer underneath, there is a risk that when a voltage is applied der η-dotierten Wanne der Rand dieser vergra- mit falscher Polariiät parasitäre Elemente gebildetof the η-doped tub, the edge of these negatively polarized parasitic elements is formed bcnen Schicht hLireich» jd weit von der An- 30 werden, über die ein die Schaltanordnung beschädi-The layer should be very far from the connection, over which the circuit arrangement could be damaged. schlußfläche (23) des Widerstandes (20) entfernt gendei Strom fließt, nicht. Bei Schaltungsanordnun-Terminal surface (23) of the resistor (20) removed if current flows, not. In the case of circuit arrangements ist (F i g. 2). gen dagegen, deren Kern aus einer integrierten Schal-is (Fig. 2). on the other hand, whose core consists of an integrated '. '. 6. Halbleiterschaltung nach Anspruch 3, da- tung besteht, steigt in der Regel die Gefahr, daß bei6. Semiconductor circuit according to claim 3, since there is a risk that, as a rule, increases durch gekennzeichnet, daß zur Verlängerung des Anlegen einer Spannung mit falscher Polarität übercharacterized in that to extend the application of a voltage with wrong polarity over Leitungsweges zwischen der Anschlußflächc (23) 35 parasitäre Elemente der integrierten Schaltung dieseConduction path between the pads (23) 35 parasitic elements of the integrated circuit these des Widerslandes (20) und der auf einem anderen schädigenden hohe Ströme fließen, mit zunehmendemof the opposing land (20) and of the damaging high currents flowing on another, with increasing Potential liegenden Fläche der Schaltung Trenn- Integrationsgrad bzw. mit der Zahl der nach außenPotential lying area of the circuit separation degree of integration or with the number of to the outside wände (24) (Isolationsschichten) in das Halb- führenden Anschlüsse.walls (24) (insulation layers) into the semi- leading connections. leitermaterial cindiffundiert sind (F i g. 3). Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, daßconductor material are cindiffused (Fig. 3). The invention is based on the object that 7. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, da- 40 eine integrierte Halbleiterschaltung gegen gefährliche durch gekennzeichnet, daß der Widerstand durch Überströme in parasitären Stromwegen. die bei Ancinc von einer cindiffundicrten Isolierschicht um- schluß mit falscher Polung entstehen, geschützt wergebenen Wanne (25) für Elemente, die mit An- den soll.7. Semiconductor circuit according to claim 1, there being an integrated semiconductor circuit against dangerous characterized in that the resistance is caused by overcurrents in parasitic current paths. those at Ancinc Protected by a cindiffundicrten insulating layer with wrong polarity Tub (25) for elements that should be shared with others. schIufiflachen für Anschlußleitungen der Halb- Eine besonders zweckmäßige Lösung ist gegeben,Flat surfaces for connecting cables of the semi-A particularly useful solution is given, lcitcrschallung verbunden sind, gebildet ist 45 wenn gemäß der Erfindung zum Schutz gegen Be-lcitcrschallung are connected, is formed 45 if according to the invention for protection against (F i g. 4). Schädigung der Schaltung durch bei falscher Polung(Fig. 4). Damage to the circuit due to incorrect polarity 8. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, da- in parasitären Stiomwcgcn fließende Ströme in diediirch gekennzeichnet, daß unterhalb eines mit sen Stromwegen hinreichend groß bemessene V/iderciner Anschlußleitung versehenen Elementes der stände vorgesehen sind. Die zur Begrenzung des Halbleiterschaltung eine vergrabene Schicht (31) 50 Stroms auf ungefährliche Werte dienenden Widerangeordnet ist (F i g. 5). stände sind dabei als nichtlincare Widerstände, beispielsweise als Dioden, und/oder als ohmschc — also lineare — Widerstände ausgebildet.8. Semiconductor circuit according to claim 1, there being parasitic currents flowing into the diaphragm characterized that below one with sen current paths sufficiently large sized V / iderciner Connection line provided element of the stands are provided. The one to limit the Semiconductor circuit re-arranged a buried layer (31) 50 current to safe values serving is (Fig. 5). Resistances are called non-linear resistances, for example as diodes and / or as ohmic - i.e. linear - resistors. Weitere Einzelheiten und vorteilhafte Wcitcrbil-Further details and advantageous toilet pictures 55 düngen der Erfindung ergeben sich in Verbindung55 fertilize the invention result in connection mit den l'ntcransprüchen aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und den Zeichnungen. Es zeigt schematischwith the claims from the following description of exemplary embodiments and the drawings. It shows schematically Die Erfindung bezieht sich auf eine gegen An- Fig. 1 einen zum Einbau in ein Kraftfahrzeug be-The invention relates to a device for installation in a motor vehicle. jichluß mit falscher Polung geschützte integrierte 60 stimmten elektronischen Blinkgeber mit einer intc-jichluß with wrong polarity protected integrated 60 tuned electronic flasher with an intc- Halblcitcrschaltung mit mindestens einer Diode in griertcn Halbleiterschaltung, welche mit strom-Half-light circuit with at least one diode in a green semiconductor circuit, which with current- mindcstcns einer Zuleitung. begrenzenden Mitteln versehen ist,at least one supply line. limited resources are provided, Integrierte Hiilbleitcrschalttingcn, die in üblichen Fig. 2 bis 4 Ausschnitte aus dem layout vonIntegrated Hiilbleitcrschalttingcn, the usual Fig. 2 to 4 excerpts from the layout of Geräten der elektrischen Nachrichtentechnik oder monolithisch integrierten Schaltungen mit Schtitz-Electrical communications equipment or monolithic integrated circuits with Schtitz Datcnvcrarbcilungstcchnik verwendet werden, sind 65 widerständen,Data processing technology are used, are 65 resistors, dort nicht direkt zugänglich. Dadurch ist die Gefahr Fig. 5 den Querschnitt eines Chips einer mono-not directly accessible there. As a result, there is a risk of Fig. 5 shows the cross section of a chip of a mono- gcring, daß diese integrierten Halblciterschaltungen lilhisch integrierten Schaltung in der Umgebung dergcring that these half-liter integrated circuits lilhisch integrated circuit in the vicinity of the durch falschen Anschluß bei Service-Arbeiten oder Eintrittsstelle eines Anschlußpunktes,due to incorrect connection during service work or the entry point of a connection point,
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