DE1881201U - THERMOSTAT FOR TEMPERATURE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS. - Google Patents
THERMOSTAT FOR TEMPERATURE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS.Info
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Description
RA. 397202*20.6.65RA. 397202 * 6/20/65
Siemens & Halske München 2, den 2 0. JUN11963Siemens & Halske Munich 2, June 2, 1963
Aktiengesellschaft · Witteisbacherplatz 2Aktiengesellschaft Witteisbacherplatz 2
PAPA
63/243363/2433
Thermostat zur Temperaturstabilisierung von HalbleiterbauelementenThermostat for temperature stabilization of semiconductor components
Elektronische Schctltungsanardnungen, wie beispielsweise lletzi. gerate können heute grundsätzlich entweder mit Elektronenröhren oder Transistoren aufgebaut werden. Werden solche Netzgeräte mit Elektronenröhren realisiert, so hat man den Vor-Electronic circuitry such as Iletzi. Today, devices can basically be built with either electron tubes or transistors. Will such power supplies realized with electron tubes, one has the advantage
PA 9/493/578 ' 7 ο S= 1963 -2-PA 9/493/578 '7 ο S = 1963 -2-
Lz/AuLz / Au
PA 9/493/578 ~2-PA 9/493/578 ~ 2-
teil, daß solche öeräte gegen Schwankungen der Umgebungstemperatur wenig empfindlich sind; allerdings muß man großen Aufwand treiben, um gut stabilisierte Ausgangsgrößen zu erhaltene part that such devices against fluctuations in the ambient temperature are not very sensitive; however, great effort has to be made in order to obtain well-stabilized output values
Sine nachteilige Folge davon ist der große Platzbedarf, den solche Geräte benötigen»A disadvantageous consequence of this is the large amount of space required by such devices »
Werden dagegen derartige Schaltungsanordnungen mit Transistoren und Zenerdioden (als stabilisierende Slemente) aufgebaut, so können gut stabilisierte hohe Ausgangsströme und kleine Innenwiderstände leicht erzielt v/erden,= Allerdings sind die elektrischen Werte der Halbleiterbauelemente gegen Temperaturschv/ankungen viel empfindlichereIf, on the other hand, such circuit arrangements are built with transistors and Zener diodes (as stabilizing elements), in this way, well-stabilized high output currents and small internal resistances can easily be achieved, = However, they are electrical values of the semiconductor components against temperature fluctuations much more sensitive
Um hier gut stabilisierte Ausgangsgrößen au erzielen, wird man daher die temperaturempfindlichen Bauelemente in Thermostaten setzen«In order to achieve well-stabilized output values here, one will therefore place the temperature-sensitive components in thermostats «
Die !feuerung bezieht sich auf einen Thermostaten zur Temperaturstabilisierung von Halbleiterbauelementen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß an den Seitenflächen einer aus gut ¥/ärme-The fire refers to a thermostat for temperature stabilization of semiconductor components, which is characterized in that a good ¥ / poor-
Trägerplatte leitendem Material bestehenden/Halterungsschellen angebracht sind, in welchen die zu stabilisierenden Bauelemente befestigt sind, daß auf der Trägerplatte ein leistungstransistor befestigt ist und daß an einer der Seitenflächen ein Heißleiter ange-Carrier plate existing conductive material / mounting clamps attached are, in which the components to be stabilized are attached that a power transistor attached to the carrier plate and that a thermistor is attached to one of the side surfaces.
PA 9/495/578 ~3- ·PA 9/495/578 ~ 3- ·
bracht ist»is brought »
Die 'Trägerplatte besteht dabei vorzugsweise aus KupferoThe 'carrier plate is preferably made of copper
Der L-eistungstransiator dient zur Beheizung der Trägerplatte, und ist Teil einer elektrischen Regelschaltung ο Der an der Trägerplatte befestigte Heißleiter ist Teil der Regelschaltung und dient als 'Temperaturfühler o The L-eistungstransiator used to heat the support plate, and is part of an electrical control circuit mounted on the ο of the carrier plate thermistor is part of the control circuit and acts as a 'probe o
Gemäß einer Weiterbildung der Neuerung ist die gesamte Anordnung mit einem wärmeisolierenden Material, wie beispielsweise Watte, umgeben und in ein Gehäuse gebracht, welches aus Plexiglas besteht, wobei die'Anschlußdrähte der elektrischen Bauelemente durch eigens für vorgesehene Bohrungen geführt sind οAccording to a further development of the innovation, the entire arrangement is covered with a heat-insulating material, such as, for example Cotton wool, surrounded and placed in a housing made of plexiglass, with the connecting wires of the electrical components are guided through specially provided bores ο
Gemäß einem weiteren Merkmal der Neuerung wird die Temperatur im Thermostaten auf einem Wert, der oberhalb der höchst verkommenen Umgebungstemperatur liegt, gehalten„Another feature of the innovation is the temperature in the thermostat to a value above the most depraved Ambient temperature is kept "
Eine nähere Erläuterung wird an Hand der in den Figuren 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispiele, gegeben»A more detailed explanation is given on the basis of the embodiments shown in Figures 1 to 3 »
Figur 1 zeigt den Thermostaten im Aufriß0 An der Kupferplatte sind die Halterungsschellen 2 angelötet ,/v/eichen die auf konstanter Temperatur zu haltenden Halbleiterbauelemente- befestigt sind« Auf der Kupferplatte 1 ist der Heistransistor 3 durch Schrauben befestigt; der Heißleiter 4 dient als Temperaturfühler, Mit 51 shows the thermostat in elevation of 0 on the copper plate, the holder straps 2 are soldered / v / calibrate which are fixed at a constant temperature to be held Halbleiterbauelemente- "On the copper plate 1 of the Heistransistor is fixed by screws 3; the thermistor 4 serves as a temperature sensor, with 5
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sind die Anschiußdrähto der Bauelemente cenGiehneto are the connection wires of the components cenGiehnet o
Figur 2 zeigt den Thermostaten im Grundriß* 3s ist wieder mit 1 die Kupferplatte bezeichnet, an der die Halterungsschellen 2 angelötet sind ο Auf der Kupferplatte 1 befindet sich der Heiatransistor 3 und an einer Kante der Heißleiter 4ο Mit 5 sind wiederum die Anschlußdrähte bezeichnete2 shows the thermostat in plan * 3s is called again with 1, the copper plate to which the mounting straps 2 are soldered ο on the copper plate 1 is located on the Heiatransistor 3 and 4ο at an edge of thermistor with 5 are in turn the connecting wires designated
Die gesamte Anordnung gemäß der Figuren 1 und 2 wird mit einem wärmeisolierenden Material, wie beispielsweise Watte, umhüllt und in ein aus Plexiglas bestehendes Gehäuse gebrachte Die gesamte Anordnung ist steckbar mit weiteren Schaltungsteilen zu verbindenρ wobei nur noch die aus eigens dafür vorgesehenen Bohrungen hervortretenden Änschlußdrähte mit der übrigen Schaltung verlötet zu werden brauchen* Diese Art des Aufbaus ist besonders für die Verwendung des Thermostaten in gedruckten Schaltungen geeignet* Die Y/irkungsweise des Thermostaten wird an Hand der Figur 3 erklärt*The entire arrangement according to Figures 1 and 2 is with a heat-insulating material, such as cotton wool, wrapped and placed in a housing made of plexiglass die The entire arrangement can be plugged into other circuit parts, with only the ones specifically provided for this purpose Holes protruding connection wires need to be soldered to the rest of the circuit * This type of construction is particularly suitable for the use of the thermostat in printed circuits * The way in which the thermostat works is explained on the basis of figure 3 *
Der als Temperaturfühler wirkende Heißleiter S71 ist in eine Brücke geschaltet, welche außerdem aus den Widerständen H^9 R2 und E^ besteht* Am Sfullzweig der Brücke an den. Klemmen 10 und 11 liegt der Eingang (Emitterbasisstrecke) des Transistors T1 ρ an dessen Ausgang zwischen Sollektor und Emitter der Eingang des Leistungstransistors T9 mit dem Widerstand Sr in seiner Ifciitterzuleitung geschaltet ist; parallel dazu liegt die The thermistor S 71 , which acts as a temperature sensor, is connected to a bridge, which also consists of the resistors H ^ 9 R 2 and E ^ * On the Sfullzweig of the bridge to the. Terminals 10 and 11 are the input (emitter base path) of the transistor T 1 ρ at whose output the input of the power transistor T 9 is connected to the resistor Sr in its Ifciitter feed line between the collector and the emitter; parallel to this lies the
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Diode D und zwischen Kollektor und Basis des Transistors Tg der Widerstand R<- ■> An den Klemmen 6 und 7 wird der Brücke die Speisespannung zugeführt, welche beispielsweise vom Transformator eines Hetzgeräteα abgenommen werden kann; an den Punkten 8 und 9 liegt die hinsichtlich von Temperatureinflüssen gut stabilisierte Ausgangsspannung des Netzgerätes0 Beide Spannungen liegen in bezug auf ihre Popularität derart, daß die Klemme 6 bzv/„ 8 negativ der Klemme 7 bzw„ 9 ist»Diode D and between the collector and base of the transistor Tg the resistor R <- ■> At the terminals 6 and 7, the bridge is supplied with the supply voltage, which can be taken, for example, from the transformer of a Hetzgeräteα; at the points 8 and 9, with respect to temperature influences well stabilized output voltage of the power supply voltages are 0, both with respect to their popularity such that the terminal 6 / "8 negative terminal 7 or" is BZV 9 »
Die Schaltungsanordnung wirkt wie folgt:The circuit arrangement works as follows:
Wird eingeschaltet, so hat der Heißleiter R* einen hohen Widerstand ρ der Strom durch ihn ist kleine Bio Basis des Transistors T. ist positiv gegen den Emitter. Transistor T^ ist gesperrt0-In diesem Schaltzustand ist der Transistor Tp durchgeschaltet π denn seine Basis erhält über den Widerstand Hc negatives Potential» Zur BasLsstrombegrenzung des Transistors Tp dient die Diode^Do Durch den Widerstand Hg und die Diode D wird daher eine feste Basisemitterspannung am Transistor T^ erzielt, so daß ein definierter Strom über die Kollektoremitterstrecke dieses Transistors fließt ο Damit wird eine definierte "Verlustleistung im Transistor T^ erreicht? welche zur Beheizung der Kupferplatte dient, auf welcher der Transistor befestigt Ist»If switched on, the thermistor R * has a high resistance ρ the current through it is small bio base of the transistor T. is positive towards the emitter. Transistor T ^ is blocked 0 -In this switching state, the transistor Tp is switched through π because its base receives a negative potential via the resistor Hc achieved at the transistor T ^, so that a defined current flows through the collector-emitter path of this transistor ο This achieves a defined "power loss in the transistor T ^ ? which is used to heat the copper plate on which the transistor is attached»
Nun steigt die Temperatur im Thermostaten; der Heißleiter IL erwärmt sich und der Strom durch ihn nimmt zu„ Ist der Strom soNow the temperature in the thermostat rises; the thermistor IL heats up and the current through it increases "Is the current like that
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weit gestiegen, daß das Basispotential des transistors Tg negativ ist, so wird dieser durchgeschaltet und übernimmt einen Teil des Basiastromee des Transistors Tg. Der Kollektoremitterstrom durch T2 nimmt ab, das heißt, abgegebene Heizleistung nimmt ebenfalls ab0 increased far that the base potential of the transistor Tg is negative, then this is switched through and takes over part of the Basiastromee of the transistor Tg. The collector-emitter current through T 2 decreases, that is, heat output also decreases 0
Der Regler stellt sich auf ein Sndwert der Heizleistung ein, die zur Aufrechterhaltung der vorgeschriebenen Temperatur im Thermostaten benötigt wirdQ The controller adjusts itself to a target value for the heating output that is required to maintain the prescribed temperature in the thermostat Q
Der beschriebene Regler ist nicht beschränkt auf die Anwendung in Hetzgeräten, sondern kann in allen Schaltungen verwendet werden, -welche mit Bauelementen, deren elektrische Werte temperaturabhängig sind, aufgebaut sind»The described controller is not limited to the application in agitating devices, but can be used in all circuits, -which with components whose electrical values are temperature-dependent are, are built »
Ein besonders günstiger Anwendungsfall ist die Verwendung des Thermostaten in Temperaturreglern, wie beispielsweise mit Thermoelementen« Hier kann zusätzlich die Vergleichsstelle deö Thermoelementes mit in den Thermostaten aufgenommen werden„ Damit entfällt eine Kompensationsdoseo A particularly effective application is the use of the thermostat in temperature controllers, such as thermocouples, "Here, in addition, the cold junction thermocouple deö be included in the thermostat with" not applicable order for a compensation box o
8 Schutzansprüche
'■') ';>!:.'·; Liren8 claims for protection
'■') ';> ! :. '·; Liren
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES45281U DE1881201U (en) | 1963-06-20 | 1963-06-20 | THERMOSTAT FOR TEMPERATURE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES45281U DE1881201U (en) | 1963-06-20 | 1963-06-20 | THERMOSTAT FOR TEMPERATURE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1881201U true DE1881201U (en) | 1963-10-24 |
Family
ID=33182159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES45281U Expired DE1881201U (en) | 1963-06-20 | 1963-06-20 | THERMOSTAT FOR TEMPERATURE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1881201U (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1948852A1 (en) * | 1968-09-27 | 1970-11-05 | Rca Corp | Protection circuit for an amplifier |
| DE4330922A1 (en) * | 1993-09-13 | 1995-03-16 | Loh Kg Rittal Werk | Device for monitoring the air flow of a cooling device for a switchgear cabinet or an electronics housing |
| DE19549099A1 (en) * | 1995-12-29 | 1997-11-27 | Tele Quarz Gmbh | Temperature stabilising element e.g. for communications engineering |
-
1963
- 1963-06-20 DE DES45281U patent/DE1881201U/en not_active Expired
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| DE1948852A1 (en) * | 1968-09-27 | 1970-11-05 | Rca Corp | Protection circuit for an amplifier |
| DE4330922A1 (en) * | 1993-09-13 | 1995-03-16 | Loh Kg Rittal Werk | Device for monitoring the air flow of a cooling device for a switchgear cabinet or an electronics housing |
| DE19549099A1 (en) * | 1995-12-29 | 1997-11-27 | Tele Quarz Gmbh | Temperature stabilising element e.g. for communications engineering |
| DE19549099C2 (en) * | 1995-12-29 | 1999-05-20 | Tele Quarz Gmbh | Temperature stabilized quartz crystal of an Ostzillator circuit |
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