DE1850094U - DEVICE FOR MELTING ARRANGEMENTS IN THE HOUSING. - Google Patents

DEVICE FOR MELTING ARRANGEMENTS IN THE HOUSING.

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DE1850094U
DE1850094U DET13641U DET0013641U DE1850094U DE 1850094 U DE1850094 U DE 1850094U DE T13641 U DET13641 U DE T13641U DE T0013641 U DET0013641 U DE T0013641U DE 1850094 U DE1850094 U DE 1850094U
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Description

"Vorrichtung zum Einschmelzen von Anordnungen, in Gehäuse-t' Die Neuerung betrifft eine Vorrichtung zum Einschmelzen von Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen, in Gehäuse., die vorzugsweise aus Glas bestehen. "Device for melting down arrangements, in housing-t ' The innovation relates to a device for melting assemblies, in particular semiconductor assemblies, in housings. Which are preferably made of glass.

Das Einschmelzen von Halbleiteranordnungen in Glasgehäuse erfolgt nach einem bekannten Verfahren mit Hilfe von Wasserstoff-Sauerstoffflammen. Bei diesem bekannten Verfahren besteht jedoch die Gefahr, daß sich Wasserdampf und somit Feuchtigkeit bilden, die die Stabilität der eingescDmolzenen HalbleitLranordnung in Frage stellen.The melting of semiconductor arrangements in glass housings takes place according to a known method with the aid of hydrogen-oxygen flames. at However, this known method there is the risk that water vapor and thus Form moisture, which the stability of the melted semiconductor arrangement to question.

Nach einem anderen Verfahren erfolgt die Einschmelzung durch ringförmig ausgebildete Heizdrahtwicklungen. Dieses Einschmelzverfahren erfordert einen geringen Abstand zwischen Heizspule und Glasgehäuse und bedingt dadurch Abschirmmaßnahmen zur Verhinderung einer auf das Halbleiterelement einwirkenden Wärmestrahlung. Außerdem ist es schwierig, eine genaue Bündelung und Konzentration der Wäremstrahlung auf die Einschmelzstelle zu erzielen. Dieselben Nachteile treten bei einem ähnlichen Verfahren auf, bei dem anstelle einer Heizspule ein induktiv erhitzter Graphitring verwendet wird. . According to another method, the melting takes place by means of ring-shaped heating wire windings. This melting process requires a small distance between the heating coil and the glass housing and, as a result, requires shielding measures to prevent thermal radiation acting on the semiconductor element. In addition, it is difficult to achieve an exact bundling and concentration of the heat radiation on the melting point. The same disadvantages occur with a similar method in which an inductively heated graphite ring is used instead of a heating coil. .

Zur Vermeidung dieser Nachteile wird deshalb eine Vorrichtung zum Einschmelzen von Halbleiteranordnungen in Gehäuse', vorgeschlagen, bei der gemäß der Neuerung mindestens ein Ultrrotstrah- ler vorgesehen ist, der so ausgebildet ist, daß der Brennpunkt seines Strahlenbündels an der Einschmelzstelle liegt. Als Ultrarotstrahler eignet sich beispielsweise eine Projektions- lampe, die mit einer solchen Spannung betrieben wird, daß ein optimaler Ultrarotanteil in der Strahlung entsteht. Die vorgeschlagen Einschmelzvorrichtung eignet sich vorzugsweise zur Glaseinschmelzung.In order to avoid these disadvantages, a device for melting semiconductor arrangements in housings is proposed, in which, according to the innovation, at least one ultra-red beam ler is provided, which is formed so that the focal point its beam lies at the melting point. For example, a projection lamp operated at such a voltage that a optimal ultrared component in the radiation is created. The proposed melting device is preferably suitable for melting down glass.

Gemäß einer Weiterbildung der Neuerung sind Mittel vorgesehen, durch die das Gehäuse beim Einschmelzen in Rotation versetzt wird. -.- Die Neuerung. soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Die Einschmelzvorrichtung besteht, nach. der Figur aus zwei Projektionslampen 1 und 2, die einander diametral gegenüberliegen. Die Projektionslampen besitzen ein Glasgehäuse, dessen Außenwand mit Ausnahme der Austrittsöffnung 3 mit einer reflektierenden Schicht versehen ist. Das Lampengehäuse ist so ausgebildet, daß die von der Heizwendel kugelsymmetrisch ausgehende Strahlung von der verspiegelten Wand so reflektiert und gesammelt wird, daß die Strahlung aus der Austrittsöffnung austritt und in einem Brennpunkt vereinigt wird. Die Projektionslampe wird mit einer solchen Spannung betrieben, daß der Ultrarotanteil in der Strahlung ein Optimum annimmt. der Die Brennpunkte/voñ den Projektionslampen ausgehenden Strahlenbündel liegen an der Einschmelzstelle, d-. h. an der Verbindungsstelle zwischen Gehäusefuß 4 und Gehäusekappe 5. Im Halbleitergehäuse befindet sich der einzuschmelzende Transistor, welcher aus dem Halbleiterkörper 6 und den auflegierten Pillen 7 und 8 besteht. Der Halbleiterkörper 6 ist auf eine Grundplatte 9 aufgelötet, die wie die Elektrodenzuleitungen 10 und 11 mit den Zuführungsdrähten 12 verbunden ist.According to a further development of the innovation, means are provided by which the housing is set in rotation when it is melted down will. -.- The innovation. is to be explained in more detail using an exemplary embodiment. The melting device consists, according to. the figure of two projection lamps 1 and 2, which are diametrically opposed to each other. The projection lamps have a glass housing, the outer wall of which, with the exception of the outlet opening 3, is provided with a reflective layer. The lamp housing is designed so that the spherically symmetrical radiation emanating from the heating coil is reflected and collected by the mirrored wall in such a way that the radiation emerges from the outlet opening and is combined in a focal point. The projection lamp is operated with such a voltage that the ultrared component in the radiation assumes an optimum. The bundles of rays emanating from the projection lamps lie at the melting point, d-. H. at the junction between the housing base 4 and the housing cap 5. The transistor to be melted down is located in the semiconductor housing, which consists of the semiconductor body 6 and the alloyed pills 7 and 8. The semiconductor body 6 is soldered onto a base plate 9 which, like the electrode leads 10 and 11, is connected to the lead wires 12.

Das Einschmelzen erfolgt in einer Einschmelzkammer 13, in der eine Schutzgasatmosphäre aufrechterhalten wird. Das Halbleitergehäuse ist auf eine drehbare Halterung 14 aufgesetzt, die infolge ihrer Rotation bewirkt, daß die zur Einschmelzung erforderliche Erwärmung praktisch gleichzeitig die gesamte Verbindungfläche auf ihrem ganzen Umfang erfaßt.The melting takes place in a melting chamber 13, in which a Protective gas atmosphere is maintained. The semiconductor housing is on a rotatable Mount 14 placed, which, due to its rotation, causes the meltdown required heating practically at the same time on the entire connection surface grasped their full extent.

Es können natürlich gleichzeitig auch mehrere drehbare Halterungen auf einer karusselartigen Vorrichtung angeordnet sein, die in laufender Folge die Halterungen an die Einschmelzstelle gelangen läßt. Das Einschmelzen wird erleichtert, wenn das Halbleitergehäuse aus dunkel gefärbtem Glas besteht, da dieses Schwarzglas die Ultrarot-Strahlung stärker absorbiert.Of course, several rotatable brackets can be used at the same time be arranged on a carousel-like device, the consecutive order Can get brackets to the melting point. Melting down is made easier, if the semiconductor housing is made of dark colored glass, since this is black glass absorbs more infrared radiation.

Claims (3)

Schutz anspräche 1) Vorrichtung zum Einschmelzen von Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen, in Gehäuse@, die vorzugsweise aus Glas bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Ultrarotstrahler vorgesehen ist, der so ausgebildet ist, daß der Brennpunkt seines Strahlenbündels an der Einschmelzstelle liegt.Protection claims 1) Device for melting down arrangements, in particular semiconductor arrangements in housings @, which are preferably made of glass, characterized in that at least one ultrared radiator is provided which is designed so that the focal point of its beam is at the melting point lies. 2) Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ultrarot-Strahler eine Projektionslampe vorgesehen ist, die mit einer solchen Spannung betrieben wird, daß in der von der Projektionslampe ausgehenden Strahlung ein optimaler Ultrarotanteil vorhanden ist.2) Device according to claim 1, characterized in that as an ultrared radiator a projection lamp is provided which is operated with such a voltage, that in the radiation emanating from the projection lamp an optimal ultrared component is available. 3) Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, durch die das Gehäuse beim Einschmelzen in Rotation versetzt wird.3) Device according to claim 1 or 2, characterized in that Means are provided by which the housing is set in rotation when it is melted down will.
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