DE1813164B2 - PROCEDURE FOR CONTACTING MICRO SWITCHING ELEMENTS AND CONTACT FRAME AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE PROCEDURE - Google Patents

PROCEDURE FOR CONTACTING MICRO SWITCHING ELEMENTS AND CONTACT FRAME AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE PROCEDURE

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DE1813164B2
DE1813164B2 DE19681813164 DE1813164A DE1813164B2 DE 1813164 B2 DE1813164 B2 DE 1813164B2 DE 19681813164 DE19681813164 DE 19681813164 DE 1813164 A DE1813164 A DE 1813164A DE 1813164 B2 DE1813164 B2 DE 1813164B2
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contacting
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontak- verbindungen herstellbar sind, so ist die Gefahr einesThe invention relates to a method for making contact connections, so there is a risk of a

tieren von Mikroschaltelementen, insbesondere inte- unbeabsichtigten Losreißens derartiger Leitungs-animals of micro-switching elements, in particular the unintentional tearing away of such line

grierten Halbleiterbauelementen, wobei als Gehäuse- verbindungen von dem Halbleiterbauelement beson-grated semiconductor components, with the housing connections of the semiconductor component

durchführung dienende äußere Anschlußkontakte in ders groß, wenn während der normalen HandhabungImplementation serving external connection contacts in the larger size if during normal handling

Form von Kontaktfingern an die Kontaktflächen des 5 oder durch unbeabsichtigte Biegebeanspruchung derForm of contact fingers on the contact surfaces of the 5 or due to unintentional bending stress of the

Mikroschaltelementes durch Leiterbahnen als Zwi- Anordnung später Spannungen auftreten,Micro-switching element through conductor tracks as an intermediate arrangement later voltages occur,

schenverbindung angeschlossen werden. Ferner be- Es ist auch bereits bekannt (USA.-Patentschriftinterconnection can be connected. It is also already known (USA.-Patent

trifft die Erfindung einen Kontaktrahmen mit von 3 390 450), die Aiischlußdrähte durch einzelne starrethe invention meets a contact frame with of 3,390,450), the connecting wires through individual rigid

einem Rahmenteil nach innen verlaufenden Kontakt- Metallbügel zu ersetzen, die die Kontaktierungsfläc^ea frame part to replace inwardly extending contact metal bracket, which the Kontaktierungsfläc ^ e

elementen sowie eine Einrichtung zum Kontaktieren io des Halbleiterbauelementes mit den Anschlußleitun-elements and a device for contacting the semiconductor component with the connecting lines

von Mikroschaltelementen, insbesondere integrierten gen der Fassung, d, h. den Gehäusedurchführungen,of micro-switching elements, in particular integrated gene of the socket, d, h. the housing bushings,

Halbleiterbauelementen, wobei mit der Kontaktfläche verbinden. Dieser Montageaufbau kann für einzelneSemiconductor components, connecting to the contact area. This mounting structure can be used for individual

die freien Enden der Kontaktzungen eines ersten Anwendungsfäile vorteilhaft sein, jedoch lassen sichthe free ends of the contact tongues of a first application may be advantageous, but can

Kontaktrahmens verbunden werden, mit einem Kon- die Montagekosten dadurch insbesondere bei inte-Be connected to the contact frame, with a con

taktierstift zum Aufbringen eines Kontaktdruckes mit 15 grierten Halbleiterbauelementen nicht wesentlichtacting pen for applying a contact pressure with 15 grated semiconductor components is not essential

Ultraschall. verringern.Ultrasonic. to decrease.

Für die Montage integrierter Halbleiterbauelemente Es ist auch schon bekannt (USA.-Patentschriften sind bereits Verfahren bekannt, um zwischen den 3 255 511 und 3 303 393), ein metallisches Leitungsohmschen Kontaktbereithen der integrierten Halb- muster zur Herstellung der elektrischen Verbindunleiterbauelemente und den Zuführungsleitungen der 20 gen auf einem keramischen oder andersartigen Träger Fassung od^r Kapsel elektrische Leitungsverbindun- anzubringen, auf dem integrierte Schaltkreiselemente gen herzustellen. Bei dem zur Zeit am häufigsten mit entsprechend vorgesehenen Anschlußflächen benutzten Verfahren werden sehr dünne Drähte derart befestigt werden, daß die Kontaktflächen thermokompressiv mit den dafür vorgesehenen Be- gegen das metallische Leitungsmuster zu liegen kornreichen verbunden. Bei einer Halbleiteranordnung as men. Dieses Kontaktierungsverfahren wird allgemein mit vierzehn Zufuhrungsleitungen sind somit acht- als nicht brauchbar angesehen, da einerseits dadurch undzwanzig voneinander getrennte Kontaktierungs- die Montagekosten erheblich vergrößert werden und schritte erforderlich, wobei jede einzelne thermo- andererseits die Verbindungsbereiche für eine Sichtkompressive Kontaktierung eine sehr sorgfältige prüfung verdeckt sind. Daher kann ein Defekt bei Justierung des teilweise montierten Halbleiterbau- 30 der Kontaktierung erst festgestellt werden, wenn die elementes in dem Kontaktiergerät :rford; -lieh macht. Halbleiteranordnung einer elektrischen PrüfungFor the assembly of integrated semiconductor components, it is already known (US patents are already known methods to between 3 255 511 and 3 303 393), a metallic line-ohmic contact readiness of the integrated half-pattern for the production of the electrical connecting elements and the supply lines of the 20 conditions to attach electrical line connections on a ceramic or other type of carrier socket or capsule, on which to produce integrated circuit elements. In the method currently most frequently used with correspondingly provided connection surfaces, very thin wires are fastened in such a way that the contact surfaces are thermocompressively connected with the provision for lying against the metallic line pattern with a large number of grains. To a semiconductor single r arrangement as men. This contacting method is generally considered to be unusable with fourteen feed lines, since on the one hand it increases the assembly costs considerably and requires steps, with each individual thermo on the other hand covering the connection areas for a visual-compressive contact, a very careful check are. Therefore, a defect in the adjustment of the partially assembled semiconductor component 30 of the contact can only be detected when the elements in the contacting device: rford; -lend it. Semiconductor assembly of an electrical test

Seit langer Zeit wird nach einen neuen Kontak- unterzogen wird.For a long time, a new contact has been submitted to.

tierungsverfahren gesucht, mit dem sich der Zeit- An Stelle der starren Metallbügel zur Verbindung aufwand und die Kosten für die Kontaktierung er- der Kontaktierungsfiächen der Halbleiteranordnung heblich verringern lassen. Dabei wurde verhältnis- 35 mit den Leitungszuführungen sind auch bandförmige mäßig viel Aufmerksamkeit auf die Zuführungs- Leitungsbahnen (USA.-Patentschriften 3 262 022, leitungen in den Fassungen verwendet und diese 3 341 649, 3 421 204, 3 374 537 und 3 390 308 sowie unter konischer Ausbildung so weit verlängert, daß deutsches Gebrauchsmuster 1892 316; bereits bedie vorderen Enden genügend fein sind, um sie mit kannt, wobei unterschiedliche Verfahren zur Anden Kontaktflächen des Halbleiteraufbaus direkt zu 40 bringung dieser bandförmigen Leiterbahnen Verwenverbinden. Diese Bemühungen führen zu keinem dung finden. Zum Beispiel werden derartige bandzufriedenstellenden Erfolg, insbesondere, da die an förmige Leiterbahnen düMi Aufdampfen angebracht, die Fassung gestellten Toleranzbedingungen nicht Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein mit den Bedingungen zu vereinbaren sind, die an Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbaudic internen Leitungsverbindungen zwischen den 45 elementen zu schaffen, wobei durch entsprechende Anschlußleitungen der Fassung oder Kapset und den Maßnahmen zwischen den Kontaktflächen eines Kontaktierbereichen des Halbleiterbauelemente* ge- integrierten Halbleiterelementes und den Zufühstellt werden. rungsleitungen der Fa'.fingen eine einfachere undLooking for a method that allows time to replace the rigid metal bracket to connect effort and costs for the contacting of the contacting surfaces of the semiconductor arrangement can be reduced significantly. In this case, the relation- 35 with the line feeds are also band-shaped moderate attention to the supply line paths (U.S. Patents 3,262,022, lines used in the sockets and these 3 341 649, 3 421 204, 3 374 537 and 3 390 308 as well with a conical design extended so far that German utility model 1892 316; already operating front ends are fine enough to be able to get to know them with different methods to the Andes Use the contact surfaces of the semiconductor structure directly to bring these strip-shaped conductor tracks. These efforts lead to nothing. For example, such tape will be satisfactory Success, especially since the düMi evaporation is attached to shaped conductor tracks, the version set tolerance conditions not The invention is based on the object of a are to be agreed with the conditions that apply to procedures for contacting semiconductor baudic to create internal line connections between the 45 elements, with appropriate Connection lines of the socket or Kapset and the measures between the contact surfaces of a Contact areas of the semiconductor components * integrated semiconductor element and the supply points will. management lines of the Fa'.fingen a simpler and

Fs ist üblich, für die Zufühningsleitungen der leichter herzustellende elektrische Leiterbahn geFassung oder Kapsel eine unter dem Warenzeichen so schaffen werden soll. Insbesondere soll das Vcr-Kovar bekannte Metallegierung zu verwenden, wo- fahren unter Verwendung einer thermokompressiven bei die Leitungen etwa 2.5 · 10 ' mm dick sind. Schweißung bzw. einer Widerstandsschweißung der-AUe Bemühungen, derartige aus Kovar bestehende art ausgestaltet sein, daß die Leitungsverbindungen Leitungen direkt mit den Kontaktflächen integrierter mit den einzelnen Kontaktflächen in einem einzigen Halbleiterbauelemente zu verbinden, fuhren zu kei- 55 Vorgang verschweißt werden können. Ferner sollen ncm zufriedenstellenden Ergebnis. Alle mit verhält- Kontaktrahmen geschaffen werden, die es crmög- »»mäliig höhet Geschwindigkeit arbeitenden Tech- liehen, das Verfahren im Rahmen einer vollauto-■iken, um QoId- oder AIuminiumdr8hte mit Hilfe matischen Kapselung von Halbleiterbauelementen zu «iner thermokompressiven Schweißung oder einer verwenden, damit sich die Kosten für die Kapselung Vibrations-Druckschweißung zu befestigen, führen 60 trotz hoher Qualit&tsanforderungen wesentlich vertu keiner wirklich haltbaren Verbindung, wenn ringera lassen, It is common practice to create a socket or capsule for the supply lines, which are easier to manufacture, under the trademark. In particular, the Vcr-Kovar should use known metal alloy, where the lines are about 2.5 · 10 mm thick using a thermocompressive one. Welding or a resistance welding of the AUe efforts to be designed in such a way existing from Kovar that the line connections to connect lines directly with the contact surfaces more integrated with the individual contact surfaces in a single semiconductor component lead to no process can be welded. Furthermore, ncm should have a satisfactory result. All of them are created with low-profile contact frames that allow technology that works at a slightly higher speed, the process in the context of a fully automatic , to make QoId or aluminum wires with the help of the automatic encapsulation of semiconductor components in thermocompressive welding or a use, so that the costs for the encapsulation to fasten vibration pressure welding, do not lead to a really durable connection, despite the high quality requirements, if ringera,

•in Leitermaterial mit der Dicke von ungefähr Ausgehend von dem eingangs erwähnten Verfah-• in conductor material with a thickness of approximately Based on the method mentioned at the beginning

2,5 · 10-« mm Verwendung findet oder wenn für die ren, wird diese Aufgab» erfindungsgemäß dadurch2.5 · 10- "mm is used or if it is used for these, this task becomes" according to the invention

Leitungsverbindungen Metalle verwendet werden, die gelöst, daß die freien Enden von ausrichtbaren, nachLine connections metals are used, which loosened that the free ends of alignable, according to

«ine geringere Leitfähigkeit besitzen als z. 8. Gold, es dein Zentrum weisenden Kontaktzungen eines ersten,«Have a lower conductivity than z. 8.Gold, it your center-pointing tongues of a first,

Aluminium oder Kupfer. Selbst wenn anfänglich im wesentlichen flachen Kontaktrahmens an denAluminum or copper. Even if initially the substantially flat contact frame

unter Verwendung eines Kootaktrahmens mit einer Kontaktflächen des Mikroschaltelementes befestigtattached using a Kootaktframe with a contact surface of the microswitch element

ful von etwa 2.3 · 10-«mm annehmbare Kontakt- werden, daß anschließend ein zweiter, im wesent-ful of about 2.3 · 10- «mm acceptable contact, that then a second, essentially

lichen flacher Kontaktrahmen mit seinen nach innen insbesondere beim Herstellen der KonUiktverbinverlaufenden Kontaktfmgern auf die zugeordneten dung zwischen den Kontaktflächen und den Kontakt-Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens aus- zungen durch eine Widerstandsschweißung. da» nach gerichtet wird und daß die innenliegenden freien einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung die über-Enden der Kontaklflnger mit den Kontaktzungen 5 schlissigen Teile des ersten Kontaktrahmens entfernt verbunden und die nicht für die Kontaktgabe mit werden, nachdem die Kontaktzungen mit dem zweidem Mikroschaltelement benötigten Teile des ersten ten Kontaktrahmen verbunden sind.
Kontaktrnhmens entfernt werden. Obwohl der aus dem ersten Kontaktrahmen be-Lichen flat contact frame with its inwardly extending contact fingers, especially during the manufacture of the KonUiktverbin, on the associated connection between the contact surfaces and the contact contact tongues of the first contact frame tongues by means of resistance welding. that is directed and that the inner free of a further embodiment of the invention, the over-ends of the contacts with the contact tongues 5 connected parts of the first contact frame away and which are not required for making contact with after the contact tongues with the two microswitching elements of the first th contact frame are connected.
Contact frame must be removed. Although the one from the first contact frame

Bei einer nach den Merkmalen der Erfindung stehende Streifen mit an den Kontaktzungen jeweils durchgeführten Kontaktierung läßt sich diese sehr xo befestigten Halbleiterbauelementen auf Grund der wesentlich vereinfachen und weitgehendst automa- Verbiegung der Kontaktzungen beim Kontaktieren tisch durchführen. Insbesondere wird nur noch ein eine ausreichende Flexibilität besitzt, um zur Lageeinziger genauer Justiervorgang für das Ausrichten rung bzw. zum Transport aufgerollt werden zu könder Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens auf nen, kann es wünschenswert sein, eine weitere Verdie Kontaktflächen des Halbleiterbauelementes be- 15 steifung vorzusehen. Aus diesem Grund wird nach nötigt. Das Ausrichten der Kontaktzungen auf die einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung zur Ver-Kontaktfinger des zweiten Kontaktrahmens kann mit steifung vorzugsweise mit dem Mikroschaltelement wesentlich geringerer Genauigkeit vorgenommen und und den daran befestigten Kontaktzungen eine starre damit sehr viel leichter im Rahmen einer automa- Scheibe od. dgl. verkittet. Die starre Halterung kann tischen Montage ausgeführt werden. Von besonderem ao aus einer Keramikscheibe o-.'.r Keramikplatte beVorteil ist, daß die Kontaktflächen mit den auf sie stehen, deren Durchmesser udei K antenlänge wesentausgerichteten Kontaktzungen in einem einzigen lieh größer ist als die Hauptabmessung des scheiben-Vorgang verbunden werden können, indem nämlich förmigen Halbleiterbauelementes. Die Kontaktzungen die für die Verbindung benötigte Energie gleichzeitig des Kontaktrahmens werden mit Hilfe einer polyallen Kontaktbereichen zugeführt wird. 25 meu.n Klebesubstanz, z. B. Epoxydharz, an derIn the case of a strip standing according to the features of the invention with contacting carried out on the contact tongues, this very much fixed semiconductor components can be carried out on the basis of the substantially simplified and largely automatic bending of the contact tongues when making contact. In particular, only one has sufficient flexibility to be able to be rolled up into contact tongues of the first contact frame for the alignment process or for transport, it may be desirable to provide a further reinforcement of the contact surfaces of the semiconductor component . For this reason, after is required. The alignment of the contact tongues to that of a further embodiment of the invention for Ver-Kontaktfinger the second contact frame can be done with stiffness, preferably with the microswitch element, much less accuracy and and the contact tongues attached to it a rigid so much easier in the context of an automatic disk or the like cemented. The rigid bracket can be designed for table mounting. Is before part 'r ceramic plate, that the contact surfaces are provided with the on it, whose diameter is Udei K ante length wesentausgerichteten contact tongues in a single lent greater can be connected as the major dimension of the disk-operation - particularly a o of a ceramic disc o.. namely by shaped semiconductor component. The contact tongues the energy required for the connection at the same time of the contact frame are supplied with the help of a polyall contact areas. 25 meu.n adhesive substance, e.g. B. epoxy resin, on the

Für die Kontaktierung können bekannte Wifah- Keramikscheibe befestigt. Diese Klebesubstanz wird ren, wie Weichlöten, Hartlöten, Widerstands- vorteilhafterweise verwendet, da sie die Fähigkeit schweißen bzw. thermokompressives 'ichweißen Ver- besitzt, auf der Oberfläche eines Halbleiterbauwendung finden. Es hat sich jedoch als besonders elementes einen Passivierungseffekt zu bewirken, vorteilhaft erwiesen, daß, wenn alle Kontaktzungen 30 Dabei wird die Klebesubstanz über einen Bereich des ersten Kontaktrahmens mit den Kontaktflächen der Keramikscheibe ausgebreitet, der genügend groß in einem Vorgang verbunden werden sollen, den ist, um die Halbleiteroberfläche und die daran be-Kontaktbereichen ein Anpreßdruck und Ultraschall festigten Kontaktzungen fest mit dem Keramikträger gleichzeitig zugeführt werden. zu verbinden.Known Wifah ceramic discs can be attached for contacting. This adhesive substance will Ren, such as soft soldering, hard soldering, resistance- advantageously used as they have the ability Welding or thermocompressive welding possesses, on the surface of a semiconductor construction Find. However, it has to be a special element to bring about a passivation effect, Proven to be advantageous that if all the contact tongues 30, the adhesive substance is over an area of the first contact frame spread out with the contact surfaces of the ceramic disc, which is sufficiently large to be connected in a process that is to the semiconductor surface and the contact areas thereon contact pressure and ultrasound firmly attached the contact tongues to the ceramic carrier be fed at the same time. connect to.

Um zu vermeiden, daß die Kontaktverbindung 35 Die endgültige Kapselung des mit Hilfe des erstenIn order to avoid that the contact connection 35 The final encapsulation of the with the help of the first

zwischen der Kontaktfläche und der Kontaktzunge und zweiten Kontaktrahmens fertig montiertenassembled between the contact surface and the contact tongue and second contact frame

nach der Kontaktierung bzw. während der Weiter- Schaltelementes kann bei einer bevorzugten Aus-after contacting or during the next switching element, with a preferred switch-off

verartviturg zu hohen Spannungsbeanspruchungen gestaltung der Erfindung durch ein Einspritzen inverartviturg to high voltage stresses design of the invention by injecting into

ausgesetzt ist, wird nach einer weiteren Ausgestaltung Kunststoff erfolgen. Es ist jedoch auch vorgesehen, der Erfindung vorgesehen, daß die Kontaktzungen 40 daß das durch die Verwendung der Kontaktrahmenis exposed, plastic is made according to a further embodiment. However, it is also provided that The invention provides that the contact tongues 40 that that through the use of the contact frame

des ersten Kontaktrahmens während der Kontak- fertig montierte Schaltelement vorzugsweise zwischenof the first contact frame during the contact-ready assembled switching element preferably between

ticrung festgehalten werden und durch eine Verfor- zwei Keramikscheiben gefaßt wird,ticrung are held and held by a defor- two ceramic discs,

mung der Kontaktzungen im Kontaktbereich eine Bei der Anwendung des Verfahrens werden erfin-mation of the contact tongues in the contact area.

leichte Krümmung in der Weise bewirkt wird, daß dungsgemäß zwei Kontaktrahmen verwendet, wobei die Kontaktzungen die Kanten des Mikroschalt- 45 die Kontaktelemente des ersten Kontaktrahmens ausslight curvature is effected in such a way that according to the invention two contact frames are used, wherein the contact tongues the edges of the microswitch 45 the contact elements of the first contact frame

elementes nicht berühren. Damit wird eine weit- Kontaktzungen bestehen, die jeweils in bekannterdo not touch the element. This means that there will be a wide range of contact tongues, each in a well-known manner

gehendst spannungsfreie Kontaktverbindung erzielt Weise sich verjüngend mit ihren freien Enden inas far as possible stress-free contact connection achieved tapering with their free ends in a way

und ferner dafür Sorge getragen, daß zwischen den einem Bereich enden, der innerhalb der räumlichenand also made sure that between the ends of an area that is within the spatial

Kniitakt/ungen und den Kanten des scheibenförmi- Begrenzungslinie des Mikroschaltelementes liegt, gen Halbieiterbauelementes genügend Abstand bleibt, 50 Die Kontaktelemente des zweiten Kontakt; ahmensKneitakt / ungen and the edges of the disk-shaped boundary line of the microswitch element lies, according to the semiconductor component, sufficient distance remains, 50 The contact elements of the second contact; ahmens

um die Gefahr eines elektrischen Kurzschlusses aus- Hstehen aus Kontaktfingern, deren innere und vor-to avoid the risk of an electrical short circuit sticking out of contact fingers, their inner and

zuschließen. Das Verbiegen der Kontaktzungen kann zugsweise vergrößerten Endflächen in einem Bereichclose. The bending of the contact tongues can preferably have enlarged end faces in one area

dadurch begünstigt werden, daß deren Querschnitt enden, der außerhalb der räumlichen Begrenzungs-are favored by the fact that their cross-section ends outside the spatial delimitation

im Bereich der Kante des scheibenförmigen Halb- linie des Mikroschaltelementes liegt, wobei di:: Konleiterbauelementes reduziert ist. Durch diese Maß- 55 taktfinger derart verlaufend ausgebildet sind, daßlies in the area of the edge of the disk-shaped half-line of the microswitching element, where di :: Konleiterbauelementes is reduced. These measuring fingers are designed to run in such a way that

nähme kann die Flexibilität weiter erhöht werden. bei aufeinander ausgerichteten ersten und zweitenthe flexibility can be increased further. with the first and second aligned

Beim Verbinden der Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmen die Endflächen der Kontaktfinger Kontaktrahmens mit den freien Enden der Kontakt- unter den Kontaktzungen zu liegen kommen,
finger des zweiten Kontaktrahmens ist nach einer Nach einer besonderen Ausgestaltung der Erfinweiteren Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, 60 dung ist vorgesehen, daß der erste Kontaktrahmen daß die überschüssigen Teile des ersten Kontakt- aus Aluminium oder Kupfer mit einer Dicke von unrahmens entfernt werden, bevor die Kontaktzungen gefähr 3,75 · JO"2 bis etwa 1 · 10-» mm bei einer mir dem zweiten Kontaktrahmen verbunden werden. Zugfestigkeit von etwa 700 bis etwa 1700 kg/cm2 Dieser Verfahrensschritt ist besonders günstig, wenn besteht und daß der zweite Kontaktrahmen eine die Kontaktverbindung zwischen den Kontaktflächen 69 Dicke von ungefähr 1,5 · 10~] bis etwa 3 · 10-» mm und den Kontaktzun^en durch das gleichzeitige Zu- bei einer Zugfestigkeit von zumindest 2100 kg/cm9 fUhreü eines Anpreßeruckes und Ultraschall her- besitzt und Gesamtabmessungen aufweist, die zugestellt wird. Es kann jedoch auch zweckmäßig sein, mindest doppelt so groß sind wie die des ersten When connecting the contact tongues of the first contact frame, the end faces of the contact finger contact frame come to rest with the free ends of the contact under the contact tongues,
finger of the second contact frame is provided according to a special embodiment of the invention, 60 training is provided that the first contact frame that the excess parts of the first contact aluminum or copper with a thickness of unframe are removed before the contact tongues About 3.75 · JO " 2 to about 1 · 10-» mm can be connected to the second contact frame. Tensile strength of about 700 to about 1700 kg / cm 2 the contact connection between the contact surfaces 69 thickness of about 1.5 · 10 ~ ] to about 3 · 10- »mm and the contact tongues through the simultaneous addition of a tensile strength of at least 2100 kg / cm 9 resulting from a pressure jolt and ultrasound - Has and has overall dimensions that will be delivered, but it may also be useful to be at least twice as large as that of the first

Kofitak'.fahmens. Die exakte Formgebung für die benötigte Energie allen Konwkfbereichen gleich·Kofitak'.fahmens. The exact shape for the required energy is the same for all consumer areas Kontakmjflgea kann in vortellhaiter Weise mit Hilfe mäßig und gleichzeitig dttreh das scheibenfö/migeKontakmjflgea can in an advantageous manner with the help of moderately and at the same time rotating the disc-shaped

eines enemisetten Atzverfahrens oder durch Aus· Mikröschaltelemem hindurch zugeführt. Die Energiean enemisette etching process or through switch-off elements. The energy

stanzen la bekannter Weise ausgeführt werden. Dabei zur Herstellung der Verbindung kann tadoeh auchpunch la are performed in a known manner. In doing so, tadoeh can also be used to establish the connection

ist es vorteilhaft, einen Metallstreifen ta verwenden, S direkt In die Kontaktberefefie eingeführt werden,it is advantageous to use a metal strip ta , S to be inserted directly into the contact area,

der eine Vielzahl Identischer Kontaktrahmen enthalt, indem nämlich der Kontaktierstift unmittelbar aufwhich contains a large number of identical contact frames, namely by the contact pin directly on

die über die Lange de» Streifens angeordnet sind. die mit den ttontaktzungen in Berührung stehendenwhich are arranged over the length of the strip. those in contact with the contact tongues

Die besenden hohe, für den ersten Kontaktrahmen Kontaktflächen aufgesetzt wird. Durch das Auf-The send high contact areas for the first contact frame. Through the up

vorgesehene FtexittlttBt IMBt es ro. daß die Streifen rauhen bzw. Riffeln der Oberfläche dm Kentafctier·intended FtexittlttBt IMBt es ro. that the stripes are rough or corrugated on the surface of the Kentucky animal

in aufgerollter Form leicht zu lagern sind und bei io Stiftes bzw. des Kontaktierambosses läßt sich die furare easy to store in rolled up form and with io pin or the contacting anvil, the fur

der Verarbeitung entsprechend dem Bedarf abgespult die Herstellung der Verbindung benötigte Energiethe processing according to the need unwound the establishment of the connection required energy

Werden können. besonders wirtschaftlich einleiten. Es ist für die Kon-Can be. initiate particularly economically. It is for the con-

Um die Flexibilität zu erhöhen, ist auch vor- taktierung besonders günstig, wenn die Endfläche gesehen, daß die Kontaktzungen des ersten Kontakt- des Kontaktierstiftes einerseits etwas kleiner ist als rahmens zumindest teilweise neben dem für die tg der entsprechende Oberflächenbereich des scheiben-Kontaktierung benutzten Spitzenbereich eine Aus- förmigen Halbleiterbauelementes und andererseits nehmung aufweisen, durch welche sich eine Quer- etwas größer als der von den inneren Kanten der Schnittseinschnürung ergibt. Damit läßt sich die Kontaktflächen begrenzte Bereich. Vorzugsweise Flexibilität so weit erhöhen, daß der Kontaktstreifen entspricht die Begrenzung der Fläche des Kontaktierauch aufgerollt werden kann, wenn die Halbleiter- ao Stiftes dem Verlauf der äußeren Kante der Kontaktbauelemente mit den Kontaktzungen verbunden flächen.In order to increase flexibility, pre-clocking is also particularly advantageous if the end face seen that the contact tongues of the first contact of the contacting pin is on the one hand slightly smaller than frame at least partially next to that for the tg the corresponding surface area of the pane contacting used the tip area of a semi-conductor component and on the other hand have perception, through which a transverse something larger than that of the inner edges of the Incision constriction results. This allows the contact surfaces to be limited area. Preferably Increase flexibility to such an extent that the contact strip corresponds to the delimitation of the area of the contact also Can be rolled up when the semiconductor ao pin the course of the outer edge of the contact components surfaces connected to the contact tongues.

sind, ohne daß die Kontaktbereiche dabei einer un- Beispielsweise Atisführungsformen der Erfindungare without the contact areas being an example of embodiments of the invention

zulässig hohen Spannung ausgesetzt werden. sind in der Zeichnung dargestellt. Es zeigtpermissible high voltage. are shown in the drawing. It shows

Zum Kontaktieren der Mikroschaltelemente ist F i g. 1 einen für das Verfahren gemäß der Erfineine Hinrichtung vorgesehen, mit der die freien 45 dung geeigneten Aufbau eines integrierten HaIb-Enden der Kontaktzungen des ersten Kontakt- leiterbauelemeittes in vergrößertem Maßstab,
rahmens mit den Kontaktflächen des Mikroschalt- F i g. 2 eine vergrößerte Draufsicht auf in Streifenelementes, insbesondere des integrierten Halbleiter- form angeordnete erste Kontaktrahmen mit zwei Einbauelementes, verbunden werden und die einen Kon- heiten.For contacting the micro-switching elements, F i g. 1 an execution is provided for the method according to the invention, with which the free 45 dung suitable structure of an integrated half-ends of the contact tongues of the first contact conductor assembly line on an enlarged scale,
frame with the contact surfaces of the microswitch F i g. 2 shows an enlarged plan view of the first contact frame, which is arranged in the strip element, in particular of the integrated semiconductor form, with two built-in elements, and the one cone.

taktierstift zum Aufbringen eines Kontaktierdruckes 30 F i g. 3 einen Schnitt, der das Verbinden der Konmit Ultraschall besitzt. Diese Einrichtung ist erfin- taktzungen des ersten Kontaktrahmens mit den entdungsgemäß derart ausgestaltet, daß ein Kontaktier- sprechenden Kontaktflächen des Halbletterbauamboß von etwa der Größe des Mikroschaltelementes elementes vergrößert darstellt, wobei ein aufvorhanden ist. auf den die freien Enden der Kontakt- gerauhter Kontaktierstift und Kontaktieramboß Verzungcn des ersten Kontaktrahmens und darüber mit 35 Wendung finden,tacting pen for applying a contact pressure 30 F i g. 3 is a section showing the connection of the Konmit Possesses ultrasound. This device is inventively takttungen the first contact frame with the deduction designed in such a way that a contact-speaking contact surfaces of the half-letter anvil from about the size of the microswitch element element is enlarged, with an on-hand is. on which the free ends of the contact roughened contacting pin and contacting anvil Verzungcn of the first contact frame and above with 35 turns,

den Kontaktflächen die freien Enden der Kontakt- Fig. 3a einen der Darstellung gemäß Fig. 3 entzuneen berührend das Mikroschaltelement auflegbar sprechenden Aufbau mit einem glatten Kontaktierist. Ferner ist die Oberfläche des Kontaktierambosses stift und Kontaktieramboß,the contact surfaces, the free ends of the contact Fig. 3a entzuneen one of the representation according to FIG touching the micro-switching element is placeable speaking structure with a smooth contact. Furthermore, the surface of the contacting anvil is pin and contacting anvil,

aufgerauht oder geriffelt und wirkt mit einem Kon- Fig. 3b einen Teilausschnitt aus einer anderenroughened or corrugated and acts with a Kon- Fig. 3b a partial section of another

taktierstift zusammen, der auf die Rückseite des 40 Art der Verbindung der Kontaktzungen des erstentacting pin together that on the back of the 40 type of connection of the contact tongues of the first

Mikroschaltelementes aufsetzbar ist und die Schweiß- Kontaktrahmens mit entsprechenden Kontaktflächen,Micro-switching element can be placed and the welding contact frame with corresponding contact surfaces,

energie über das Mikroschaltelement allen zu ver- F i g. 4 eine vergrößerte Draufsicht auf einen erstenenergy is available to all via the micro-switching element. 4 is an enlarged plan view of a first

schweißenden Kontaktflächen und Kontaktzungen Kontaktrahmen, an dem ein HalbleiterbauelementWelding contact surfaces and contact tongues Contact frame on which a semiconductor component

gleichzeitig zuführt. gemäß F i g. 1 befestigt ist.at the same time. according to FIG. 1 is attached.

Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung 45 Fig. 5 eine vergrößerte Draufsicht auf einen TeilAccording to a further embodiment of the invention 45 FIG. 5 shows an enlarged plan view of a part

ist eine weitere rohrförmige Kontakthalterung vor- eines aus zweiten Kontaktrahmen bestehendenis another tubular contact holder in front of one consisting of a second contact frame

handen. auf welche die freien Enden der Kontakt- Streifens.act. on which the free ends of the contact strips.

finger des zweiten Kontaktrahmens und darüber die F i g. 6 eine vergrößerte Ansicht, weiche die mit von dem kontaktierten Mikroschaltelement aus ver- den Kontaktfingern des zweiten Kontaktrahmens verlaufenden Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens 50 schweißten Kontaktzungen des ersten Kontaktauflegbar sind. Eine rohrförmige Schweißelektrode rahmens zeigt, fingers of the second contact frame and above the F i g. 6 is an enlarged view showing the FIGS running from the contacted microswitch element across the contact fingers of the second contact frame Contact tongues of the first contact frame 50 welded contact tongues of the first contact can be placed. A tubular welding electrode frame shows

wirkt derart mit der Kontaktierhaiterung zusammen. Fig. 7 einen Schnitt längs der Linie 7-7 derworks in this way with the Kontaktierhaiterung. Fig. 7 is a section along the line 7-7 of

daß die Kontaktzungen mit den Kontaktfingern mit- F i g. 6.that the contact tongues with the contact fingers with- F i g. 6th

tels einer an sich bekannten Widerstandsschweißung Fig. 8 einen Schnitt durch einen Teil einer Widerverschweißbar sind. Der Kontaktieramboß ist beziig- 55 Standsschweißvorrichtung, mit dem die Kontaktlich seiner Abmessung in der Art gestaltet, daß er Zungen des ersten Kontaktrahmens mit den Kontaktmit seinem Kantenbereich während der Kontaktie- fingern des zweiten Kontaktrahmens verschweißt rung im Bereich der zugeordneten Kontaktflächen werden,
der Halbleiterscheibe liegt Fig. 9 eine vergrößerte Draufsicht auf ein voil-by means of a resistance weld known per se, FIG. 8 shows a section through part of a re-weldable. The contacting anvil is associated with a standing welding device with which the contact of its dimensions is designed in such a way that the tongues of the first contact frame are welded to the contact with its edge area while the contact fingers of the second contact frame are welded in the area of the associated contact surfaces,
Fig. 9 is an enlarged plan view of a complete

Bei dieser erfindungsgemäß ausgestalteten Einrich- 60 ständig montiertes scheibenförmiges SchaltelementIn this device configured according to the invention, the disk-shaped switching element is permanently mounted

tung zum Kontaktieren eines Mikroschaltelementes in dem Zustand vor dem Vergießen bzw. Fassen,device for contacting a microswitch element in the state before potting or grasping,

liegt der Kontaktierstift mit seiner angeflachten Spitze Fig. 10 eine perspektivische Ansicht einer inis the contact pin with its flattened tip Fig. 10 is a perspective view of an in

genügend großflächig auf der Rückseite des scheiben- einem Plastikgehäuse vergossenen Anordnung gemäßSufficiently large area on the back of the disc a plastic housing encapsulated arrangement according to

förmigen Halbleiterbauelementes auf, wogegen mit F i g. 9,shaped semiconductor component, whereas with F i g. 9,

Hilfe des starren Kontaktierambosses die Kontakt- 65 Fig. 11 eine perspektivische, teilweise geschnitteneWith the help of the rigid contacting anvil, the contact 65 Fig. 11 is a perspective, partially sectioned

zungen an die Kontaktflächen angedrückt und an Ansicht einer in einer Keramikfassung hermetischTongues pressed against the contact surfaces and hermetically sealed in a ceramic socket

diesen festgehalten werden. Dadurch wird in vorteil- eingeschlossenen Anordnung gemäß F i g. 9,these are recorded. As a result, in the advantageously enclosed arrangement according to FIG. 9,

hafter Weise die für die Herstellung der Verbindung Fig. 12 eine perspektivische Ansicht einer Sand-For the production of the connection Fig. 12 is a perspective view of a sand-

7 87 8

wleh-Fasstiflg, bei def dt« Halbleiterscheibe zwischen vorderen Enden im Bereich der Kontaktflächen einewleh-Fasstiflg, with def dt «semiconductor wafer between front ends in the area of the contact surfaces

zwei keramischer} Scheiben verkittet ist. leichte Verlegung erfahren, line ausreichende Hat·two ceramic} discs is cemented. experienced easy installation, line has sufficient

fiel der in Fig.! dargestellten Seheibe Ii eines terurw gegen ein seitliches Verschieben wird itn all'fell in Fig.! shown Seheibe Ii a terurw against a lateral shifting itn all '

Halbleiterbauelemente» sind acht Kootaktbereiche 12 gemeinen von dem Kontaktrahrnen selbst gewähr*Semiconductor components »are eight contact areas 12 common by the contact frame itself.

aus Alurninhim oder etoeni anderen geeigneten Me- S leisten, Jedoch können auch zusätzliche Halterungenmade of Alurninhim or etoeni other suitable metering strips, however, additional brackets can also be used

tall vorgesehen, die die Oberfläche der Scheibe etwa oder Anschläge vorgesehen seht, wenn sieh dies alstall provided, which sees the surface of the disc approximately or stops provided if see this as

um 1 μ ^erregen. Für diese Kontaktbereiche sind notwendig erweist. Die Verformung der vorderenby 1 μ ^ excite. For these contact areas are proving necessary. The deformation of the front

insbesondere koplanare Plächea erwünscht, um die finden der Kontaktzungen beträgt zumindest 20»/»especially coplanar surfaces a desirable to find the contact tongues is at least 20 »/»

Zuverlässigkeit der in «ine» elnzigea Vorgang her* und liegt vorzugsweise zwischen 25 und 50»/». DieReliability of the "ine" elnzigea process her * and is preferably between 25 and 50 "/". the

gestellten Verbindung der Kofflafctzungpfi mit den ie steh auf Grund der Verformung ergebende KrUm-The connection between the coffin tongues and the curvature resulting from the deformation

Kontaktberekhen zu verbessern. Die integrierte fnung M an jeder Kontaktzunge 24 ist ausreichend,To improve contact calculations. The integrated opening M on each contact tongue 24 is sufficient

Schaltung als solche ist in der Zeichnung nicht dar- um die Gefahr eines Kurzschlusses zu beseitigen, derCircuit as such is not shown in the drawing in order to eliminate the risk of a short circuit

gestellt, da sie für die Erfindung ohne Belang ist. sich bei der Berührung der Kontaktzunge mit derposed because it is irrelevant for the invention. when the contact tongue touches the

In F i g. 2 ist der geometrische Aufbau einer Aus- Kante der Halbleiterscheibe ergeben würde. Durch ftthningsform des ersten Kontaktrahmens dargestellt. 15 die konische Ausführung der Kontaktzungen 24 wird Die Darstellung zeigt zwei identische und in einem der Punkt genau festgelegt, an welchem sich die Metallstreifen 21 angeordnete Kontaktrahmen 22 Krümmung ergibt. Da sich die Krümmung an dem und 23. von denen jeder eine Vielzahl nach innen weichsten Punkt der Kontaktzunge ausbildet, liegt verlaufender Kontaktzungen 24 besitzt, wobei die sie unmittelbar neben dem Kontaktbereich und sorgt Anzahl der Zungen der Anzahl der Kontaktbereiche 10 somit für einen genügenden Abstand zwischen den 12 der integrierten Schaltung entspricht, mit welchen Kontaktzungen und den Kanten der Halbleiterdie Kontaktzungen verbunden werden. An dem scheibe. Der Kontaktieramboß 32 wird von einer Streifen 21 sind Fortschaltlöcher 25 vorgesehen, um ringförmigen Ausnehmung 35 umgeben, die die Entden für die Kontaktierung vorgesehenen Kontakt- stehung der Krümmung unterstützt,
rahmen genau derart einzustellen und auszurichten, 45 Bei der in Fig. 3b dargestellten Ausführungsform daß die vorderen Enden der Kontaktzungen 24 die der Kontaktzungen 24 a sind diese mit einer Aus-Kontaktbereiche 12 der integrierten Schaltung be- nehmung 36 versehen, die im Bereich der Kante der rühren. Halbleiterscheibe 11 liegt. Auch durch die Verwen-In Fig. 2 is the geometric structure of a cutout edge of the semiconductor wafer. Represented by the shape of the first contact frame. 15 the conical design of the contact tongues 24 is shown. The illustration shows two identical contact frames 22 arranged exactly at one point at which the metal strips 21 are curved. Since the curvature at the and 23rd of which each forms a large number of inwardly softest points of the contact tongue, there are running contact tongues 24, which they directly next to the contact area and the number of tongues of the number of contact areas 10 thus ensures a sufficient distance between the 12 of the integrated circuit corresponds to which contact tongues and the edges of the semiconductors the contact tongues are connected to. On the pane. The contacting anvil 32 is provided by a strip 21, incremental holes 25 are provided around the annular recess 35, which supports the contact position of the curvature provided for the contacting,
frame to be set and aligned precisely in such a way 45 In the embodiment shown in FIG the stir. Semiconductor wafer 11 lies. Also through the use

In Γ ig. 3 ist schematisch der Kontaktierungs- dung einer derartigen Ausnehmung kann ein Kurzvorgang dargestellt, wobei die Kontaktflächen 12 mit 30 Schluß vermieden werden. Bei dieser Ausführungsden vorderen Enden der Kontaktzungen 24 verbun- form läßt sich die Halterung 31 α dahingehend verden werden. Zu diesem Zweck wird z. B. der Kon- einfachen, daß auf die ringförmige Ausnehmung 35 taktrahmen 22 auf einer Halterung 31 derart ange- verzichtet werden kann.In Γ ig. 3 is a schematic of the contacting of such a recess, a short process can be shown, wherein the contact surfaces 12 are avoided with the end. In this Ausführungsden front ends of the contact tongues 24 connectedness form, the holder 31 can be α to the effect Verden. For this purpose z. B. the simplicity that the ring-shaped recess 35 clock frame 22 on a holder 31 can be dispensed with.

ordnet, daß die Enden der Kontaktzungen 24 mittel- Der in F i g. 4 dargestellte, von dem Streifen 21 punktsymmetrisch zu einem Kontaktieramboß 32 an- 35 abgetrennte Koniaktrahmen 22 zeigt die damit vergeordnet sind. Die Halbleiterscheibe 11 wird sodann bundene Scheibe 11. Nach einem weiteren Merkmal mit der Oberfläche nach unten auf die Enden der der Erfindung überspannt eine starre Halterung 41 Kontaktzungen gelegt und ein Kontaktierstift 33 die Scheibe 11 und ist an den Kontaktzungen 24 begegen die Halbleiterscheibe mit genügend hohem festigt. Damit wird eine übermäßige, auf die KontaKt-Druck gepreßt, wobei gleichzeitig eine vorzugsweise 40 bereiche wirkende Spannung weitgehend entfernt, zwischen 5 bis 100 kHz liegende hochfrequente Zum Beispiel kann die starre Halterung 41 aus einer Schwingung angelegt wird, die eine dauerhafte Ver- Keramikscheine bestehen, die mit den Kontaktzungen bindung der Kontaktflächen 12 mit den entsprechen- sowie mit der Scheibe selbst mit Hilfe eines polyden Kontaktzungen 24 bewirkt. Es läßt sich z. B. meren Klebemittels verbunden ist.
eine gute Verbindung in nur 40 bis 60 Millisekunden 45 Fig. 5 zeigt einen Streifen 51. in dem die zweiten herstellen, wenn eine Frequenz von etwa 60 kHz an- Kontaktrahmen 52 und 53 angeordnet sind. Diese gelegt wird und der einwirkende Druck gleichzeitig Kontaktrahmer. sind mit nach innen verlaufenden eine Verformung der Kontaktzungenenden um zu- Kontaktfingern 54 versehen. Der Streifen 51 ist aus mindest 20°/o bewirkt. Die Schwingungsebene ver- einem stärkeren Blechmaterial hergestellt, da du läuft im wesentlichen quer, d. h. ungefähr senkrecht 50 Kontaktfinger 54 für die Verwendung als nach außer tür Achse des Kontaktierstiftes. ragende Anschlußleitungen für das gefaßte oder ge-arranges that the ends of the contact tongues 24 middle The in F i g. FIG. 4 shows the conical frame 22 which is separated from the strip 21 point-symmetrically to a contacting anvil 32 and which are thus arranged. The semiconductor wafer 11 is then bonded wafer 11. According to a further feature with the surface facing downwards on the ends of the invention, a rigid holder 41 is placed contact tongues and a contact pin 33 the disk 11 and is on the contact tongues 24 meet the semiconductor wafer with a sufficiently high level solidifies. In this way, excessive pressure is applied to the contact pressure, while at the same time a high-frequency voltage between 5 and 100 kHz, which is preferably applied in 40 areas, is largely removed that with the contact tongues binding of the contact surfaces 12 with the corresponding as well as with the disc itself with the help of a polydene contact tongues 24 causes. It can be z. B. meren adhesive is connected.
a good connection in only 40 to 60 milliseconds 45 Fig. 5 shows a strip 51. in which the second establish when a frequency of about 60 kHz on contact frames 52 and 53 are arranged. This is placed and the pressure applied at the same time contact frame. are provided with inwardly extending a deformation of the contact tongue ends around contact fingers 54. The strip 51 is made of at least 20%. The oscillation plane is made of a thicker sheet metal material because you run essentially transversely, ie approximately perpendicularly, 50 contact fingers 54 for use as the outward axis of the contacting pin. protruding connecting cables for the contained or

Um eine möglichst gute Kopplung und eine gute kapselte Schaltelement geeignet sein müssen.In order to achieve the best possible coupling and a good encapsulated switching element must be suitable.

Übertragung der Schwingungsenergie sicherzustellen, In F i g. 6 ist das Befestigen der Kontaktzungen 2^To ensure transmission of the vibrational energy, In F i g. 6 is the fastening of the contact tongues 2 ^

ist einerseits am Kontaktieramboß 32 eine Riffelung an den Kontaktfingern 54 dargestellt. Dies wird iia corrugation on the contact fingers 54 is shown on the one hand on the contacting anvil 32. This will ii

36 und andererseits an dem unteren Ende des Kon- 55 der Weise durchgeführt, daß der Streifen 21 in Be36 and on the other hand at the lower end of the conduit 55 carried out in such a way that the strip 21 in Be

taktierstiftes 33 eine aufgerauhte Oberfläche vor- running mit dem Streifen 51 gebracht wird, wöbetacting pin 33 a roughened surface is brought before running with the strip 51, wöbe

gesehen. Auch die Rückseite der Halbleiterscheibe die Kontaktzungen 24 auf die Kontaktfinger in deseen. The back of the semiconductor wafer also has the contact tongues 24 on the contact fingers in de

11 kann mit einer aufgerauhten Oberfläche 37 ver- dargestellten Weise ausgerichtet sind. In dieser Stel11 can be aligned with a roughened surface 37 in the manner shown. In this position

sehen sein. lung werden die Kontaktfinger und Kontaktzungeibe seen. The contact fingers and contact tongue become

Der in Fig. 3a dargestellte Aufbau unterscheidet 60 an den Punkten 61 verlötet oder verschweißt. DiThe structure shown in FIG. 3a distinguishes 60 soldered or welded at points 61. Tuesday

sich von dem Aufbau gemäß F i g. 3 nur darin, daß Kontaktierung kann in einem einzigen, der Dardiffer from the structure according to FIG. 3 only in the fact that contacting can be in a single one, the Dar

die Endflächen des Kontaktierambosses und des Kon- stellung gemäß F i g. 3 entsprechenden Vorgang austhe end faces of the contacting anvil and the constellation according to FIG. 3 from the corresponding process

taktierstiftes glatt ausgeführt sind. geführt werden. Vorzugsweise wird eine Widerstandstactical pen are smooth. be guided. Preferably a resistor is used

Während der Kontaktierung sind die Kontakt- schweißung verwendet, wobei alle KontaktzungeContact welds are used during contacting, with all contact tabs

zungen des Rahmens 22 gegen eine seitliche Ver- 65 gleichzeitig mit Hilfe einer zylindrischen rohrförmiTongues of the frame 22 against a lateral connection 65 at the same time with the aid of a cylindrical tubular shape

Schiebung gehalten, so daß die Kontaktzungen 24, gen Kontaktierhalterung an die Kontaktzungen acSliding held so that the contact tongues 24, gene Kontaktierhalterung to the contact tongues ac

die bereits vor der Kontaktierung wellenartig ge- geschweißt werden. An Stelle der Widerstandswhich are already welded in a wave-like manner before contact is made. Instead of resistance

Wi-iimmt sein können, auf Grund der Verformung der schweißung kann die Verbindung auch durch WeichDue to the deformation of the weld, the connection can also be soft

löten, Hartlöten, thertitokompressives Schweißen, Ultraschallschweißen usw. hergestellt werden.soldering, brazing, thermo-compressive welding, Ultrasonic welding, etc. can be made.

Entweder vor oder nach dem Schweißvofgang wer·» den die über die Schwei&punkte hitiausstehenden Teile des ersten Kontakcraftmens z. B. durch Abschneiden oder Abreißen «ntfernt. Nunmehr befindet sich der Montageteif in einem für das Kapseln geeigneten Zustand.Either before or after the welding process, who · » the ones who have to deal with the sweat & points Parts of the first Kontakcraftmens z. B. by cutting off or tearing off. Now is located the assembly part is in a state suitable for capsules.

Aus der vorausgehende! Beschreibung ergibt sich. daß durch die Kombination eines ersten und zweiten Kontaktrahmens die notwendigen Kompromisse umgangen werden können, dte bei einem Versuch, einen einzigen Kontaktrahmen sowohl für die inneren Leitunssverbindungen zu den Kontaktflächen der integrierten Schaltung als auch für die äußeren Anschlußfahnen zu verwenden, eingegangen werden müssen. From the previous one! Description arises. that by combining a first and second contact frame, the necessary compromises are avoided can be dte when trying to get a single contact frame both for the inner Leitunssverbindungen to use the contact surfaces of the integrated circuit as well as for the outer terminal lugs must be included.

Durch die Erfindung wird auch in vorteilhafter Weise eine beachtliche Verringerung der Werkzeugkosten möglich, da die genaue Formgebung des zweiten Kontaktrahmens nicht geändert werden muß, um diesen an verschiedene Größen und Formen der Mikroschaltkreise bzw. an die unterschiedliche Anordnung der daran vorgesehenen Kontaktflächen anzupassen. Diese Anpassung kann leicht durch eine unterschiedliche Ausgestaltung des ersten Kontaktrahmens vorgenommen werden, indem nämlich die Kontaktzungen derart verlaufen, daß die jeweils notwendigen Leitungsverbindungen zwischen der Scheibe und dem zweiten Kontaktrahmen hergestellt werden. Somit werden die Werkzeugkosten im wesentlichen auf die für die Herstellung des ersten Kontaktrahmens benötigten Kosten beschränkt, der jedoch wegen seiner kleineren Größe und seines leichteren Gewichtes billiger herzustellen ist.The invention also advantageously results in a considerable reduction in tool costs possible because the exact shape of the second contact frame does not have to be changed to these to different sizes and shapes of the microcircuits or to the different arrangement to adapt to the contact surfaces provided. This adjustment can easily be done by a different configuration of the first contact frame can be made, namely by the Contact tongues run in such a way that the line connections required in each case between the disc and the second contact frame. Thus, the tooling cost becomes substantial limited to the costs required for the production of the first contact frame, which however cheaper to manufacture because of its smaller size and lighter weight.

In F i g. 7 ist ein Schnitt längs der Linie 7-7 der F i g. 6 dargestellt, aus dem die Anordnung des Epoxydharzes 71 oder anderer geeigneter Klebemittel bezüglich des scheibenförmigen Schaltelementes II. der Kontaktzungen 24 und der Keramikscheibe entnommen werden kann.In Fig. Figure 7 is a section taken along line 7-7 of Figure 7. 6 shown, from which the arrangement of the Epoxy resin 71 or other suitable adhesive with respect to the disk-shaped switching element II. The contact tongues 24 and the ceramic disc can be taken.

Tn F i g. 8 ist in einem teilweisen Längsschnitt die Verwendung einer rohrförmigen Halterung 81 sowie einer rohrförmigen Schweißelektrode 82 für die Widcrstandsschweißung dargestellt, mit der die Kontaktzungen 24 des ersten Kontaktrahmens mit den Kontaktfingern 54 des zweiten Kontaktrahmens verbunden werden. Bei diesem Schweißvorgang entstehen die Schweißverbindungen 61 gemäß F i g. 6.Tn F i g. 8 is the in a partial longitudinal section Use of a tubular holder 81 and a tubular welding electrode 82 for the Resistance welding shown with which the contact tongues 24 of the first contact frame with the Contact fingers 54 of the second contact frame are connected. During this welding process arise the welded connections 61 according to FIG. 6th

Tn Fig. 9 ist das vollständig montierte Schaltelement dargestellt, nach dem die nicht benötigten Teile des Streifens 21 abgetrennt werden sind und die Kontaktzungen 24 die Verbinduni; zwischen den Kontaktfingern 54 und dem scheibenförmigen Schaltelement herstellen. Die gesamte Anordnung gemäß F i g. 9 wird anschließend gekapselt und die überschüssigen Teile des Streifens 51 in d;r Weise abgetrennt, daß das in Fig. 10 dargestellte Endprodukt 101 entsteht. Das Kapseln oder Fassen des montierten Schaltelementes in einem Plastikgehäuse 102 kann nach einem der verschiedenen bekannten Verfahren durchgeführt werden.Tn Fig. 9 is the fully assembled switching element shown, after which the unneeded parts of the strip 21 are separated and the contact tongues 24 the connection unit; between the contact fingers 54 and the disk-shaped switching element produce. The entire arrangement according to FIG. 9 is then encapsulated and the excess Parts of the strip 51 severed in the manner that the end product shown in FIG 101 is created. The encapsulation or holding of the assembled switching element in a plastic housing 102 can be carried out by any of a number of known methods.

In Fig. 11 ist eine teilweise geschnittene Keramikfassung 111 perspektivisch dargestellt, die aus einer oberen Keramikplatte 112 und einer unteren Keramikplatte 113 besteht, welche mit Hilfe einer Glasmasse 114 verkittet sind, die auch eine die Anschlußleitungen 54 umfassende hermetische Abdichtung bewirkt. Das in der Kapsel gefaßte Halbleiterbauelement aus der Scheibe 11 und den Kontaktzungen ist in der ta F i g. 9 dargestellten Weise mit den als Anschlußleitungen dienenden Kontaktarmen verbunden. In Fig. 11, a partially sectioned ceramic mount 111 is shown in perspective, which consists of a upper ceramic plate 112 and a lower ceramic plate 113, which with the help of a glass mass 114 are cemented, which also includes the connecting lines 54 hermetic seal causes. The semiconductor component contained in the capsule from the disk 11 and the contact tongues is in the ta F i g. 9 connected to the contact arms serving as connecting lines.

S Eine weitere Ausfuhrungsform der Erfindung ist in Fig. 12 dargestellt, bei der der Aufbau gemäß FI g. 4 in der Weise weiter verarbeitet wird, daß eine zweite Keramikachefbe 121 gegen die Rückseite des scheibenförmigen Halbleiterbauelementes gekittetS Another embodiment of the invention is shown in Fig. 12, in which the structure according to FI g. 4 is further processed in such a way that a second Keramikachefbe 121 cemented against the rear side of the disk-shaped semiconductor component

te wird, so daß dieses sandwichartig zwischen zwei Keramikscheiben oder Keramikplatten angeordnet ist. Ein Klebemittel, das für diesen Zweck verwendet werden kann, besteht vorzugsweise aus einem Epoxydharz, wie z. B. Polyäthylenepoxyd. Diese auste is so that this is sandwiched between two Ceramic disks or ceramic plates is arranged. An adhesive used for this purpose can be, is preferably made of an epoxy resin, such as. B. polyethylene epoxy. This out

is zwei keramikscheiben bestehende sandwichartig aufgebaute Fassung des scheibenförmigen Schaltelementes kann für einige Anwendungsarten als Kapselung vollkommen ausreichen. Zu diesem Zweck können die Kontaktzungen 24 vom Kontaktrahmenis a sandwich-like structure consisting of two ceramic disks Socket of the disk-shaped switching element can be used as an encapsulation for some types of application perfectly sufficient. For this purpose, the contact tongues 24 from the contact frame

so 22 abgetrennt werden, wodurch sofort eine marktfähige Einheit entsteht, bei der das scheibenförmige Schaltelement 11 und die Kontaktzungen 24 zwischen zwei Keramikscheiben mit einem synthetischen Kunstharzkleber 122 verkittet sind.so 22 are separated, which immediately creates a marketable unit in which the disk-shaped Switching element 11 and the contact tongues 24 between two ceramic discs with a synthetic Resin adhesive 122 are cemented.

Claims (14)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zum Kontaktieren von Mikroschaltelementen. insbesondere integrierten Halbleiterbauelementen, wobei als Gehäusedurchführung dienende äußere Anschlußkontakte in Form von Kontaktfingern an die Kontaktflächen des Mikroschaltelementes durch Leiterbahnen als Zwischenverbindung angeschlossen werden, dadurch gekennzeichnet, da" die freien Enden von ausrichtbaren, nach dem Zentrum weisenden Kontaktzungen (25) eines ersten, im wesentlichen flachen Kontaktrahmens (22: 23". 24) an den Kontaktflächen (12) des Mikroschaltelementes (II) bciestigt werden, daß anschließend ein zweiter, im wesentlichen flacher Kontaktrahmen (52: 53) mit seinen nach innen verlaufenden Kontaktfingern (54) auf die zugeordneten Kontaktzungen (25) des ersten Kontaktrahmens ausgerichtet wird und daß die innenliegenden freien Enden der Kontaktfinger mit den Kontaktzungen verbunden und die nicht für die Kontaktgabe mit dem Mikroschaltelement benötigten Teile des ersten Kontaktrahmens entfernt werden.1. Method for contacting microswitching elements. in particular integrated semiconductor components, with external connection contacts serving as housing bushings in the form of from contact fingers to the contact surfaces of the microswitch element through conductor tracks as Interconnection to be connected, characterized as "the free Ends of alignable, center-facing contact tongues (25) of a first, im essential flat contact frame (22: 23 ". 24) on the contact surfaces (12) of the microswitching element (II) be stied that subsequently a second, essentially flat contact frame (52: 53) with its inwardly extending ones Contact fingers (54) on the associated contact tongues (25) of the first contact frame is aligned and that the inner free ends of the contact fingers with the contact tongues connected and not required for making contact with the microswitch element Parts of the first contact frame are removed. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch sckennzeichnet, daß alle Kontaktzungen (25) des ersten Kontaktrahmens mit den Kontaktflächen (12) in einem einzigen Vorgang verbunden werden, indem den Kontaktbereichen gleichzeitig ein Anpreßdruck und Ultraschall zugeführt werden.2. The method according to claim 1, characterized in that that all contact tongues (25) of the first contact frame are connected to the contact surfaces (12) in a single process, by applying pressure and ultrasound to the contact areas at the same time. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzunsen des ersten Kontaktrahmens (21) während der Kontaktierung festgehalten werden und daß durch eine Verformung der Kontaktmnaen im Kontaktbereich eine leichte Krümmung (34) in der Weise bewirkt wird, daß die Kontaktzungen die Kanten des Mikroschaltelementes nicht berühren. 3. Process according to claims 1 and 2, characterized in that the contact pins the first contact frame (21) are held during the contact and that a slight curvature (34) in the way is effected that the contact tongues do not touch the edges of the microswitching element. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß4. The method according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that die überschüssigen Teile des ersten Kontaktrahmens entfernt werden, bevor die Kontaktzungen mit dem zweiten Kontaktralimen verbunden werden.the excess parts of the first contact frame are removed before the contact blades be connected to the second Kontaktralimen. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der S Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die überschüssigen Teile des ersten Kontakt* rahmens entfernt werden, nachdem die Kontakteungen mit dem zweiten Kontaktrahmen verbunden sind. ίο5. The method according to one or more of S claims 1 to 3, characterized in that the excess parts of the first contact frame are removed after the contacts are connected to the second contact frame. ίο 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß tür Versteifung vorzugsweise mit dem Mikroichaltelement und den daran befestigten Kontaktfcungen eine starre Scheibe od. dgl. verkittet wird.6. The method according to one or more of claims 1 to 5, characterized in that door stiffening or preferably with the micro-switching element and the attached Kontaktfcungen a rigid disk. The like. Is cemented. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das durch die Verwendung der ersten und zweiten Kontaktrahmen fertig montierte Schaltelement in einer Kunststoffassung (82) gekapselt wird. ao7. The method according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the switching element fully assembled by using the first and second contact frames in a plastic socket (82) is encapsulated. ao 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das durch die Verwendung der Kontaktrahmen fertig montierte Schaltelement vorzugsweise zwischen Keramikscheiben gefaßt wird. as8. The method according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the switching element assembled by using the contact frame, preferably between Ceramic disks is taken. as 9. Kontaktrahmen zur Verwendung bei einem Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 mit von einem Rahmenteil aus nach innen verlaufenden Kontaktelementen, d a durch gekennzeichnet, daß ein erster und ein zweiter Kontaktrahmen vorhanden sind, daß die Kontaktelemente des ersten Kontaktrahmens aus Kontaktzungen (25) bestehen, die jeweils in bekannter Weise sich verjüngend mit ihren freien Enden in einem Bereich enden, der innerhalb der räumlichen Begrenzungslinie des Mikroschaltelementes liegt, daß die Kontaktelcmente des zweiten Kontaktrahmens aus Kontaktfingern (54) bestehen, deren innere und vorzugsweise vergrößerte Endflächen in einem Bereich enden, der außerhalb der räumlichen Begrenzungslinie des Mikroschaltelementes liegt, und daß die Kontaktfinger derart verlaufend ausgebildet sind, daß bei aufeinander ausgerichteten ersten und zweiten Kontaktrahmen die Endflächen der Kontaktfinger unter den Kontaktzungen zu liegen kommen.9. Contact frame for use in a method according to one or more of the claims 1 to 8 with inwardly extending contact elements from a frame part, d a through characterized in that a first and a second contact frame are present, that the contact elements of the first contact frame consist of contact tongues (25) which each tapered in a known manner with their free ends in an area which lies within the spatial boundary line of the microswitch element that the Kontaktelcmente of the second contact frame consist of contact fingers (54), the inner and preferably enlarged end faces end in an area which is outside the spatial boundary line of the microswitch element is located, and that the contact fingers are designed to run in such a way are that with the first and second contact frames aligned, the end faces the contact fingers come to rest under the contact tongues. 10. Kontaktrahmen nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kontaktrahmen (21) aus Aluminium oder Kupfer mit einer Dicke von ungefähr 3,75 ■ 10~2 bis etwa 1 · ΙΟ"1 mm bei einer Zugfestigkeit von etwa 700 bis etwa 1700 kg/cm3 besteht und daß der zweite Kontaktrahmen (51) eine Dicke von ungefähr 1,5 · ΙΟ"1 bis etwa 3 ■ 10"1 mm bei einer Zugfestigkeit von zumindest 2100 kg/cm8 ber'tzt und Gesamtabmessungen aufweist, die zumindest doppelt so groß sind wie die des ersten Kontaktrahmens.10. Contact frame according to claim 9, characterized in that the first contact frame (21) of aluminum or copper having a thickness of about 3.75 ■ 10 ~ 2 mm to about 1 x ΙΟ "1 at a tensile strength of about 700 to about 1700 kg / cm 3 and that the second contact frame (51) has a thickness of about 1.5 · " 1 to about 3 · 10" 1 mm with a tensile strength of at least 2100 kg / cm 8 and has overall dimensions that are at least twice as large as that of the first contact frame. 11. Kontaktrahmen nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakieungen (2S) des ersten Kontaktrahmens zumindest teil' weise neben dem für die Kontaktierung benutzten Spitzenbereich eine Ausnehmung (36) aufweisen, durch welche sich eine Ouerschnittseinschnürung ergibt.11. Contact frame according to claim 9 or 10, characterized in that the Kontakieungen (2S) of the first contact frame at least partially in addition to the one used for contacting The tip area has a recess (36) through which a cross-sectional constriction extends results. 12. Einrichtung zum Kontaktieren von Mikroschaltelementen, insbesondere integrierten Halbleiterbauelementen, wobei mit den Kontaktflächen die freien Enden der Kontaktzungen eines ersten Kontaktrahmens verbunden werden, tait einem Kontaktierstift zum Aufbringen eines Kontaktdruckes mit Ultraschall, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontaktieramboß (32) von etwa der Größe des Mikroschaltelementes vorhanden ist, auf den die freien Enden der Kontaktzungen (24) des ersten Kontaktrahmens (21) und darüber mit den Kontaktflächen die freien Enden der Kontaktzungen berührend das Mikroschaltelement auflegbar sind, daß die Oberfläche des Kontaktierambosses (32) aufgerauht oder geriffelt ist und daß der Kontaktierstift (33) auf die Rückseite des Mikroschaltelementes aufsetzbar ist und die Schweißenergie über das Mikroschaltelement allen zu verschweißenden Kontaktflächen und Kontaktzungen gleichzeitig zuführt.12. Device for contacting microswitching elements, in particular integrated semiconductor components, the free ends of the contact tongues with the contact surfaces a first contact frame are connected, tait a contact pin for applying one Contact printing with ultrasound, characterized in that a contacting anvil (32) of about the size of the microswitch element is present on which the free ends of the contact tongues (24) of the first contact frame (21) and above the free ends with the contact surfaces the contact tongues touching the microswitching element can be placed that the surface of the Contacting anvil (32) is roughened or corrugated and that the contacting pin (33) on the back of the microswitch element can be placed and the welding energy via the microswitch element feeds all contact surfaces and contact tongues to be welded at the same time. 13. Einrichtung nach Anspruch 12. dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere rohrförmige Kontaktierhai'erung (81) vorhanden ist, auf welche die freien Enden der Kontaktfinger (54) eines zweiten Kontaktrahmens (51) und darüber die von dem kontaktierten Mikroschaltelement aus verlaufenden Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens auflegbar sind, und daß eine rohrförmige Schweißelektrode (82) derart mit der Kontaktierhalterung zusammenwirkt, daß die Kontaktzungen mit den Kontaktfingern mittels einer an sich bekannten Widerstandsschweißung verschweißbar sind.13. Device according to claim 12, characterized in that a further tubular Kontaktierhai'erung (81) is present, on which the free ends of the contact fingers (54) a second contact frame (51) and above that from the micro-switching element contacted from extending contact tongues of the first contact frame can be placed, and that a tubular Welding electrode (82) cooperates with the contacting holder in such a way that the Contact tongues with the contact fingers by means of a resistance welding known per se are weldable. 14. Einrichtung nach den Ansprüchen 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessung des Kontaktierambosses (32) derart ist, daß er mil seinem Kantenbereich während der Kontaktierung im Bereich der zugeordneten Kontaktflächen der Halbleiterscheibe liegt.14. Device according to claims 12 and 13, characterized in that the dimension of the contacting anvil (32) is such that it mils its edge area during contacting lies in the area of the assigned contact surfaces of the semiconductor wafer. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 18721872
DE19681813164 1967-12-15 1968-12-06 PROCEDURE FOR CONTACTING MICRO SWITCHING ELEMENTS AND CONTACT FRAME AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE PROCEDURE Withdrawn DE1813164B2 (en)

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