DE1811575U

DE1811575U - ARRANGEMENT FOR CLEANING UP AND / OR DOPING A SEMICONDUCTOR BODY.

Info

Publication number: DE1811575U
Application number: DET8035U
Authority: DE
Original assignee: Telefunken AG
Current assignee: Telefunken AG
Priority date: 1957-03-15
Filing date: 1957-03-15
Publication date: 1960-05-19

Description

T e 1 e f u n k e n G. m. b. H.T e 1 e f u n k e n G. m. B. H.

Berlin NW 87, Siokingenstrasse 71 Neuerung Die betrifft eine Anordnung zum Hochreinigen und/oder Dopen eines Halbleiterkörpers. Sie besteht aus einem Vakuumbehalter, in dem der Halbleiterkörper nach Art des Zonenschmelzverfahrens abschnittweise geschmolzen wird.Berlin NW 87, Siokingenstrasse 71 Innovation This concerns an arrangement for high cleaning and / or doping of a semiconductor body. It consists of a vacuum holder, in which the semiconductor body is melted in sections in the manner of the zone melting process will.

Stand der Technik sind das Zonenschmelzan, insbesondere das tiegelfreie Zonenschmelzen, das Schmelzen bzw. Zonenschmelzen von Halbleiterkörpern im Vakuum und Anordnungen zur Durchführung dieser Verfahren. Diese Merkmale werden in bestimmterp gemässer Weise miteinander und mit neuen Merkmalen kombinierte wodurch gemäss der mit der Anordnung zu lösenden Aufgabe der unten bezeichnete besondere Reinigungseffekt zu erzielen ist, Nach dem Stand der Technik erweist es sich als äusserst schwierig. Silizium mit einem Reinheitsgrad herzustellen, wie ihn die Halbleiterteehnik erforderte und für viele Zwecke scheidet Silizium noch als Halbleitermaterial aus, weil es sich nicht hinreichend reinigen lässt, oder es lässt sich Rohsilizium mit gewissen Verunreinigungen nicht für die Fertigung von Halbleiteranordnungen verwenden. wird vorgeschlagen, dass der Vakuumbehälter, in dem der Halbleiterkörper nach Art des Zonenschmelzens absohnittweise geschmolzen wird, aus zwei miteinander in Verbindung stehenden Räumen besteht, die auf voneinander versohiedene Temperaturen einregelbar sind und in dessen ersterem der Halbleiterkörper untergebrachte insbesondere eingespannt ist. neuerungsgemäßen Mittels der Anordnung ist es möglich, je nach dem angebrachten Aufwand die Reinigung von beispielsweise Silizium bei völlig gradientenfreiem Dopen praktisch beliebig weit zu treiben. Das ist insbesondere für Silizium mit den heute bekannten Verfahren nicht zu erreichen.State of the art are zone melting, in particular crucible-free zone melting, melting or zone melting of semiconductor bodies in a vacuum and arrangements for carrying out these processes. These features are combined with one another and with new features in a specific manner, whereby the special cleaning effect described below can be achieved according to the object to be solved with the arrangement. According to the prior art, it has proven to be extremely difficult. Manufacture silicon with a degree of purity that is required by semiconductor technology and for many purposes silicon is still ruled out as a semiconductor material because it cannot be adequately cleaned, or raw silicon with certain impurities cannot be used for the production of semiconductor arrangements. It is proposed that the vacuum container, in which the semiconductor body is melted sequentially in the manner of zone melting, consists of two interconnected spaces which can be adjusted to different temperatures and in the first of which the semiconductor body is accommodated, in particular clamped is. according to the innovation By means of the arrangement it is possible depending after the effort involved, the purification of silicon, for example, with completely gradient-free doping, practically as far as desired. This cannot be achieved with the methods known today, especially for silicon.

Wegen der bekannten physikalischen Eigensohaften von Quarz ist es zweokmässig, den Vakuumbehälter aus diesem Material zu machen. Grundsätzlich eignet sich natürlich jedes Material für die Herstellung des Behälters, das den anzuwendenden Tempernturen standhält und sich dabei passiv verhält.Because of the well-known physical properties of quartz, it is two-way to the vacuum container from this material do. Basically Of course, any material is suitable for the manufacture of the container that has the withstands the temperatures to be applied and behaves passively.

Bevorzugt wird die flache Heiz-c'der Induktionsspule, die zur Erzeugung einer schmalen Sohmelzzone dient) so angebracht, dass sie den Vakuumbehäler von aussen umgibt, weil für sie Mittel zur Bewegung und Führung vorgesehen sein müssen, die, im Innern des Behälters angebracht, die Anordnung komplizieren und die Qualität des Vakuum gefährden würden. Damit bei dieser Anordnung die Schmelzzone schmal bleibt, muss der Vakuumbehälter, der selbst von der Spule in geringem Abstand umgeben wird, einen solchen Querschnitt haben, dass er den Halbleiterkörper in geringem Abstand umschließt. Hierbei werden die beiden Behälterteile am zweokmässigsten koaxial zueinander angeordnet ; sie können dabei entweder nur Bereiche unterschiedlicher Temperatur in einem einheitlichen Behälter mit durchgehend glatten Wänden : beispielsweise einem glatten Quarzrohr, sein) oder der zweite Teil des Behälters ist gegenüber dem ersten verjüngte damit die gewünschten Temperaturverhältnisse sich auf engerem Raum noch leicht einstellen lassen.The flat heating c 'of the induction coil, which is used to generate a narrow Sohmelzzone) is attached so that it removes the vacuum container from surrounds the outside, because means for movement and guidance must be provided for them, which, placed inside the container, complicate the arrangement and the quality of the vacuum. So that the melting zone remains narrow with this arrangement, the vacuum container, which is itself surrounded by the coil at a short distance, must have such a cross-section that it is at a small distance from the semiconductor body encloses. In this case, the two container parts are coaxial to one another in the most twofold manner arranged; you can either only use areas with different temperatures in a uniform container with smooth walls throughout: for example a smooth quartz tube, his) or the second part of the container is opposite In the first, the desired temperature conditions tapered closer to one another Allow space to be adjusted easily.

Der erste Teil des Vakuumbehälters, in dem sich der Halbleiterkörper befindet, wird bevorzugt in einem Ofen derart angeordnet, dass dieser Ofen den Behälter mit geringem Abstand umsohliesst, während der zweite Teil des Behälters in einem Temperaturbad angeordnet ist, das vorzugsweise durch einen Thermostaten in seiner Temperatur konstant gehalten wird.The first part of the vacuum container in which the semiconductor body is located is preferably placed in an oven in such a way that that this Oven surrounds the container with a small gap, while the second part of the Container is arranged in a temperature bath, which is preferably by a thermostat is kept constant in its temperature.

Wegen seiner bekannten Vorteile, nämlich der Vermeidung von Verunreinigung und Störung des Kristallwaohstums durch eine Tiegelwand, und wegen der günstiger gelegenen Flüssigkeitoberfläche, die die Schmelzzone allseitig umgibt, ist es be-Neuerung sonders vorteilhaft, mit der Erlimüumg das tiegelfreie Zonenschmelzen anzuwenden. Weil beim tiegelfreien Zonenschmelzen ein stabförmiger Halbleiterkörper in senkrechter Lage angebracht werden muss, sind bei den vorbesproohenen bevorzugten Ausführungsformen die beiden Behälterteile dann senkrecht übereinander anzuordnen. Ausserdem lässt sich beim tiegelfreien Zonenschmelzen noch ein weiterer Vorteil erzielen, indem während des Ziehvorganges ein Stabende gedreht wird. Dadurch wird die Schmelze durchmischt und der Materialaustausoh durch die Flüssigkeitsoberfläohe durch Verdampfen und Kondensieren wird beschleunigte Es müssen dann in dem Behälter Mittel zur drehbaren Lagerung des Halbleiterkörpers vorgesehen sein die Drehachse dieser Mittel wird zwookmässig durch einen Simmerring aus dem Vakuumbehälter herausgeführt, Um das Einsetzen und Entfernen des Halbleiterkörpers oder eines Dopmittelvorrats oder das Entfernen niedergeschlagener Verunreinigungen zu erleichtern, wird gemäss einer bevorzugten Ausführungsform zum Zwecke der Halterung des Halbleiterkörpers an einem oder an beiden Enden ein Einsatzkörper vorgesehen, der seinerseits in die Form des Vakuumbehälters, in dem gegebenenfalls dazu geeignete Profile vorhanden sind, eingepasst ist.Because of its well-known benefit of preventing contamination and disturbance of the crystal growth by a crucible wall, and because of the more favorable located liquid surface, which surrounds the melting zone on all sides, it is a novelty It is particularly advantageous to use crucible-free zone melting with the Erlimüumg. Because in crucible-free zone melting, a rod-shaped semiconductor body in a vertical Position must be attached, are in the previously proposed preferred embodiments then to arrange the two container parts vertically one above the other. Also lets Another advantage can be achieved with crucible-free zone melting in that one end of the rod is rotated during the drawing process. This mixes the melt and the exchange of material through the liquid surface by evaporation and Condensation is accelerated. It must then be rotatable in the container Storage of the semiconductor body can be provided, the axis of rotation of these means routed out of the vacuum container through a Simmerring, Around inserting and removing the semiconductor body or a dopant supply or To facilitate the removal of deposited impurities, according to a preferred embodiment for the purpose of holding the semiconductor body on one or an insert body is provided at both ends, which in turn is in the shape of the Vacuum container, in which suitable profiles are optionally available, fitted is.

Befindet sich ein solcher Einsatzkörper an der Verbindungsstelle zwischen den beiden Behälterräumen, so muss er hinreichend weite Öffnungen für den Durchtritt der Dämpfe von dem einen Raum in den anderen besitzen. neuerungsgemäßen Beim Gebrauch der sxlimhmgsgsmasasN. Anordnung wird stets der erste Behälterteil, in dem sich der Halbleiterkörper befindet, wärmer gehalten als der zweite Behälterteil. Soll die Anordnung zum Hochreinigen eines Halbleiterkörpers verwendet werden, so müssen die Wandungen der beiden Räume auf solchen unterschiedlichen Temperaturen gehalten werden, dass das aus der Schmelzzone herauadiffundierende Verunreinigungsmaterial sich lediglich an der Innenwand dos zweiten, den Halbleiterkörper nicht enthaltenden Raumes niederschlägt. Dieses Verfahren gestattet es, die Sohmelzzone mehrfach durch den Halbleiterkörper wandern zu lassen, ohne dass beim wiederholten Durchlaufen von der Gefäßwand erneut dort niedergeschlagenes Verunreinigungsmaterial verdampft und dadurch den Dampfdruck einen gewissen Wert nicht unterschreiten lässt, auch dass Verunreinigungsmaterial sich gar auf einer anderen Stelle des Halbleiterkörpers wieder niederschlägt. Wenn also bei bekannten Verfahren beim Zonenschmelzen im Vakuum das Abdampfen von Verunreinigungen als dort bisher nicht berücksiohtigter Nebeneffekt mit aufgetreten ist, so ist die Wirkung des hier behandelten Verfahrens doch nicht mit eingetreten.If such an insert is located at the junction between the two container spaces, it must have sufficiently wide openings for the vapors to pass from one space into the other. according to the innovation When using the sxlimhmgsgsmasasN. Arrangement is always the first container part in which the semiconductor body is located, kept warmer than the second container part. If the arrangement is to be used for cleaning a semiconductor body, the walls of the two rooms must be kept at such different temperatures that the impurity material diffusing out of the melting zone is only deposited on the inner wall of the second room that does not contain the semiconductor body. This method allows the melting zone to migrate through the semiconductor body several times without the contaminant material deposited there evaporating again when it repeatedly passes through the vessel wall and the vapor pressure does not fall below a certain value, and the contaminant material is even on another point of the semiconductor body precipitates again. So if the evaporation of impurities occurred in known processes during zone melting in a vacuum as a side effect not previously taken into account, the effect of the process discussed here did not occur.

Soll die Anordnung zum Dopen eines Halbleiterkörpers verwendet werden, so wird das Dopmittel in dem zweiten (kälteren) der beiden Räume untergebracht und die Temperatur dieses Raumes derart gewählte dass sich in den beiden Räumen der für die gewünsche Dotierung erforderliche Dampfdruck des Dopmittels einstellte Das Dopen und Reinigen lässt sich schliesslich auch gleichzeitig ausführen wenn der kältere Raum so kalt sein kann dass sich die Verunreinigungen dort niederschlagen und das Dopmaterial (beispielsweise Phosphor) bei dieser Temperatur noch einen hinreichend grossen Dampfdruck hat. Schließlich sei noch darauf hingewiesen, dass bei einem durchgeführten Zonenschmelzen neben den hier besprochenen Effekten stets noch der bereits bekannte Seggrogationseffekt zur Reinigung des Halbleiterkörpere mitwirkt. Der hier beschriebene Effekt ist also immer mit dem Seggregationseffekt kombinierte Ferner ist das Dopen durch den Seggregationsoffekt bekannte wenn die Seggregationskonstante des Dopmittels klein gegen eins ist, das Dopmittel wird dann der Anfangsschmelzzone beigegeben und beim Durchwandern der Schmelzzone durch den Kristall in diesem verteilt. Dieses Dopen durch den Seggregationseffekt lässt sich natürlich auch kombinieren mit dem hier beschriebenen Hochreinigen oder mit dem Dopen durch Eindampfen, wenn zwei verschiedene Dopmittel gleichzeitig eingebracht werden sollen.If the arrangement is to be used for doping a semiconductor body, so the dopant is housed in the second (colder) of the two rooms and the temperature of this room was chosen in such a way that the Das set the vapor pressure of the dopant required for the desired doping After all, doping and cleaning can also be carried out at the same time if the colder room can be so cold that the impurities are deposited there and the doping material (for example phosphorus) at this temperature is sufficient has high vapor pressure. Finally, it should be noted that with one performed zone melts in addition to the effects discussed here already known seggrogation effect for cleaning of the semiconductor body contributes. The effect described here is therefore always with the segregation effect In addition, doping is known through the segregation effect when the Seggregation constant of the dopant is small towards one, the dopant then becomes added to the initial melting zone and when passing through the melting zone through the Crystal distributed in this. This doping through the segregation effect can be Of course, it can also be combined with the high cleaning described here or with the Doping by evaporation when two different dopants are introduced at the same time should be.

Neuerung Die Exiindmmg wird nun an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel erläutert, wie es in der Figur gezeigt ist. In einem Ofen 1, in den die Heizwioklungen 2 eingelegt sind, befindet sich ein evakuierte Quarzgefäß 3 bei einer vorgegebenen Temperatur. In Längsrichtung über das Gefäß 3 verschiebbar ist die Heizspule 4 angeordnete Das Gefäß 3 taucht mit seinem unteren etwas verjüngten Ende in einen Behälter 5 mit einem Flüssigkeitsbad 6) das durch einen Thermostaten auf einer konstanten Temperatur von rund 1000 0 gehalton wird. Unten im Gefäß 3 befindet sich ein Stück Phosphor 7 das die Temperatur des Bades 6 hat Gefäss 3 befindet sich eine Haltevorrichtung 8 mit Durchbohrungen 9y in die ein Impfkristall 10 aus Silizium eingesetzt worden ist. Innerhalb der Heizspule 4 ist eine schmale Zone 11 geschmolzenen Siliziums. Die Schmelzzone 11 ist mit der Heizspule 4 verschiebbar. Oberhalb der Schmelzzone 11 befindet sich der Stab aus dem Ausgangsmateria112, das beispielsweise polykristallines, vorgereinigtes Silizium ist. Dieser Stab 12 ist oben in die auf die aufgeschmolzenen Vorsprünge 13 des Gefässer 3 gelagerte Haltevorrichtung 14 eingespannt, Bei der Durchführung des Verfahrens wird zunächst der Phosphor 7e der Impfkristall 10 und darauf aufliegend das Ausgangsmaterial 12 aus Silizium in die Apparatur eingebracht, das Gefäss 3 evakuiert und verschlossen und die Temperaturen im Ofen 1 und im Bad 6 eingeregelte Da sich der Phosphor 7 an der kältesten Stelle des Gefässes 3 befindet, stellt sich im ganzen Gefäß 3 der Phosphordampfdruok ein, den Phosphor bei der Temperatur an jener Stelle halt Dann wird die Stelle, an der der Impfkristall 10 das Ausgangsmaterial 12 berührt, durch Heizr :) mittels der Heizspule 4 über eine schmale Zone 11 zum Schmelzen gebracht, wobei zunächst auch etwas Material vom Impfkristall abschmilzt. Diese Phase des Verfahrens ist gerade in der Figur gezeigt. Die Schmelzzone 11 wird jetzt durch entsprechende Bewegung der Heizspule 4 langsam von unten nach oben durch den Stab aus Ausgangsmaterial 12 bis dicht an die Haltevorrichtung 14 herangeführt Über der Flüssigkeitsoberfläohe der Sohmelzzone 11 stellt sich von allen im Ausgangsmaterial enthaltenen. und in der Schmelze gelösten Beimengungen der zu Konzentration und Temperatur gehörige Dampfdruok : für jede Beimengung unabhängig ein. Da sich die Anordnung im Vakuum befindet, können sich die Partialdrucke aller vorhandenen Dämpfe, also von Verunreinigungen wie vom Dopmittel verhältnismässig schnell über das ganze Gofäss 3 ausbreiten. Dabei besteht bekanntlich zwischen Dopmitteldampfdruok und Verunreinigungsdampfdruck keinerlei Wechselwirkung, d. h. der eine Dampf breitet sich so aus, als ob der andere überhaupt nicht vorhanden wäre. Am kalten Ende, an der Stelle, wo sich der Phosphor 7 befindet, tritt Kondensation an der Gefäßwand ein. Die im Ausgangssilizium vorhandenen Beimengungen (beispielsweise Zink) haben bei der am kalten Gefässende vorhandenen Temperatur einen verschwindenden Dampfdruck und scheiden sich dort quantitativ ab. Auf diese Weise wird das Silizium von allen Beimengungen, deren Dampfdruck im geschmolzenen Silizium grösser ist als der des geschmolzenen Siliziums gereinigt. Zu diesem Reinigungseffekt tritt noch der bekannte Zonenreinigungseffekt hinzu. Gleichzeitig herrscht aber im ganzen Gefäss, insbesondere also über der Flüssigkeiteoberfläche an der Stelle 11, der Phosphordampfdruck, den Phosphor bei der Temperatur an der Stelle 7 hat. Dadurch diffundiert etwas Phosphor in die Schmelze ein und der Dampfdruck bestimmt die Konzentration, mit der der Phosphor in die Schmelze gelangt und in den Kristall mit eingebaut wird. Da der Phosphordampfdruck konstant gehalten wirdl baut sich der Phosphor stets mit gleicher Menge, d. hb gradientenfrei ein. Weil beim ersten Durchwandern der Schmelzzone wder alle Eremdatoffe vollkommen aus dem Silizium entfernt noch der Phosphor mit der vorgesehenen Endkonzentration eingebaut wird, durchläuft die Schmelzzone den Stab mehrfach. Bei jedem Durchlaufen wird dabei der Stab von einem Teil seiner Beimengungen befreit ; es ist dabei nur eine Frage des Aufwandes, wie fot die Schmelzzone den Stab durchläuft. Dieses Durchlaufen kann praktisch beliebig oft wiederholt werden, wobei das Silizium dann einen beliebigen Reinheitsgrad, bzw. in Gegenwart von Phosphordampf vorgegebenen Druckes eine bestimmte Phosphorkonzentration erreichen wird, in der Praxis wird die Sohmelzzone rund 5-bis 10-mal durch den Stab geführt. Nach Beendigung dieses Verfahrens kühlt die Apparatur abt der Stab wird herausgenommen ; die nicht behandelten Enden, wo der Stab eingespannt war, worden abgesägt. Innovation The Exiindmmg is now based on a preferred embodiment explained as shown in the figure. In an oven 1, in which the Heizwioklungen 2 are inserted, there is an evacuated quartz vessel 3 at a predetermined Temperature. The heating coil 4 is arranged to be displaceable in the longitudinal direction over the vessel 3 The lower, somewhat tapered end of the vessel 3 is immersed in a container 5 with a liquid bath 6) which is kept at a constant temperature by a thermostat of around 1000 0. At the bottom of the vessel 3 there is a piece of phosphorus 7, which has the temperature of bath 6, vessel 3 is a holding device 8 with through holes 9y in which a seed crystal 10 made of silicon has been inserted is. A narrow zone 11 is melted within the heating coil 4 Silicon. The melting zone 11 is displaceable with the heating coil 4. Above the melting zone 11 is the rod made of the starting material 112, which is, for example, polycrystalline, is prepurified silicon. This rod 12 is melted on top of the Projections 13 of the vessel 3 mounted holding device 14 clamped in the Carrying out the method is first the phosphor 7e of the seed crystal 10 and on top of it the starting material 12 made of silicon is introduced into the apparatus, the vessel 3 evacuated and sealed and the temperatures in the oven 1 and in the bath 6 regulated Since the phosphorus 7 is at the coldest point of the vessel 3, phosphorus vapor pressure arises in all vessel 3, phosphorus at temperature stop at that point Then the point at which the seed crystal 10 is the starting material 12 touched, by Heizr :) by means of the heating coil 4 over a narrow zone 11 to Brought melting, initially some material also melts from the seed crystal. This phase of the process is just shown in the figure. The melting zone 11 is now by moving the heating coil 4 slowly from bottom to top the rod of starting material 12 is brought up close to the holding device 14 Above the liquid surface of the Sohmeltzone 11 arises from all in the starting material contained. and additions to the concentration dissolved in the melt and Steam pressure corresponding to the temperature: for each addition independently. Since the Arrangement is in a vacuum, the partial pressures of all vapors present, so from impurities such as from the dopant relatively quickly over the whole Spread out Gofäss 3. As is well known, there is between dopant vapor pressure and Impurity vapor pressure no interaction, d. H. that spreads steam act like the other isn't there at all. At the cold end, on the point where the phosphorus 7 is, condensation occurs on the vessel wall a. The admixtures present in the starting silicon (e.g. zinc) have a vanishing vapor pressure at the temperature at the cold end of the vessel and are separated there quantitatively. In this way the silicon is shared by everyone Additions whose vapor pressure in the molten silicon is greater than that of the cleaned of molten silicon. In addition to this cleaning effect, there is also the well-known one Zone cleaning effect added. At the same time, however, prevails in the whole vessel, in particular so above the liquid surface at point 11, the phosphorus vapor pressure, the Has phosphorus at the temperature at point 7. This causes some phosphorus to diffuse into the melt and the vapor pressure determines the concentration with which the phosphorus enters the melt and is incorporated into the crystal. Because the phosphorus vapor pressure is kept constantl the phosphorus always builds up with the same amount, i. hb gradient-free a. Because with the first All earth substances wander through the melting zone The phosphorus with the intended final concentration is completely removed from the silicon is installed, the melting zone passes through the rod several times. With every run through the stick is freed from some of its additions; it is only there a question of the effort, how fot the melting zone passes through the rod. This traversing can be repeated practically any number of times, with the silicon then any Degree of purity, or a certain pressure given in the presence of phosphorus vapor Phosphorus concentration will reach, in practice the Sohmelzzone will be around 5-bis Passed through the stick 10 times. After this process has ended, the apparatus cools down abt the stick is removed; the untreated ends where the rod is clamped was sawed off.

Dieses mit der Figur beschriebene Beispiel ist gerade so gewählt, dass das Dopen und Reinigen gleichzeitig erfolgen kann. Das kann mit sonst denselben Verfahronsschritten und derselben Anordnung auch getrennt vor sich gehenThis example described with the figure has been chosen so that that doping and cleaning can take place at the same time. That can be done with otherwise the same Verfahronsstätze and the same arrangement also go separately

Claims

ID chut z- demands jE '. ä. j &. &Expectations

1) Arrangement for cleaning and / or doping a semiconductor body, consisting of a vacuum container in which the semiconductor body is melted in sections in the manner of the zone melting process, characterized in that the container consists of two interconnected spaces which can be regulated to different temperatures and in the first of which the semiconductor body is accommodated, in particular clamped.

2) Arrangement according to claim 1, characterized in that that the vacuum container is made of quartz.

3) Arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the vacuum container has such a cross section that it has the semiconductor body around the bottom at a small distance and that a flat heating or induction coil is used Generation of the Sohmelzzone is provided, which surrounds the vacuum container from the outside.

4) Arrangement according to claim 1 to 3, characterized in that for For the purposes of crucible-free zone melting in the container, means for rotatable storage of the semiconductor body are provided and that the axis of rotation of these means through a Simmerring is led out of the vacuum container

5) arrangement according to claim 1 or one of the following, characterized in that the first Part of the vacuum container in which the semiconductor body is located, in an oven is arranged in such a way that this furnace encloses the container with a small distance,

6) Arrangement according to claim 1 or one of the following, characterized in that the second part of the vacuum container is arranged in a temperature bath, which is preferably duroh a thermostat is kept constant in its temperature.

7) Arrangement according to claim l or one of the following, characterized in that that the two container parts are arranged vertically one above the other.

8) Arrangement according to claim 1 or one of the following, characterized in that that the two container parts are arranged coaxially to one another.

9) according to Claim 8, characterized in that the second part of the container opposite the first part is tapered

10) Arrangement according to claim 1 or one of the following, characterized in that for the purpose of producing the semiconductor body an insert body is provided at one or both ends, which in turn in the shape of the vacuum container in which suitable profiles may be present are fitted.

11) Arrangement according to claim lüx characterized this only An insert cooper is provided at the junction between the two container spaces is the sufficiently wide openings for the passage of the vapors from the one Owns space in the other.