DE1789016C3 - Switching transistor and process for its manufacture - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Schalttransistor mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper mit einer Emitterzone eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer Basiszone eines entgegengesetzten, zweiten Leitfähigkeitstyps, die je einen PN-Übergang an der Grenzfläche mit der Emitterzone und an der gegenüberliegenden Grenzfläche mit einer Kollektorzone des ersten Leitfähigkeitstyps bildet, die aus einer der Basiszone benachbarten hochohmigen Kollektorschicht und einer niederohmigen Kollektorschicht besteht. Ein Transistor dieses Aufbaus ist bekannt (US-PS 3165 811). Die Unterteilung der Kollektorzone in eine dünne hochohmige Kollektorschicht und eine dicke niederohmige Kollektorschicht erfolgt dabei, um den Kollektorwiderstand der Kollektorzone zu vermindern. Durch die dünne Ausbildung der hochohmigen Kollektorschicht, die die eigentliche Funktion der Kollektorzone übernimmt, läßt sich so bei einem Schalttransistor die Schaltgeschwindigkeit erhöhen. Die hochohmige Kollektorschicht hat dabei überall die gleiche Dicke.The invention relates to a switching transistor having a disk-shaped semiconductor body with a Emitter zone of a first conductivity type, a base zone of an opposite, second conductivity type, each one PN junction at the interface with the emitter zone and at the opposite one Interface with a collector zone of the first conductivity type, which forms from one of the Base zone adjacent high-resistance collector layer and a low-resistance collector layer. A transistor of this structure is known (US-PS 3165 811). The subdivision of the collector zone takes place in a thin high-resistance collector layer and a thick low-resistance collector layer in order to reduce the collector resistance of the collector zone. Due to the thin design of the high-resistance collector layer, which takes on the actual function of the collector zone, can be increase the switching speed of a switching transistor. The high-resistance collector layer has it the same thickness everywhere.
Bekannt sind auch Transistoren des eingangs angegebenen Aufbaus, die jedoch eine gleichförmige Kollektorzone aufweisen (DE-AS 1 208 409). Sie enthalten einen Siliciumkörper in Form einer Platte, die durch einen Einschnitt von einer Oberfläche her in einen dünnen Teil und in einen diesen kreisförmig umgebenden dickeren Teil unterteilt ist. In dem dünnen Teil der Siliciumplatte sind eine Emitterzone und eine Basiszone angeordnet. Der Rest des dünnen Teils bildet die Kollektorzone.There are also known transistors of the structure specified at the beginning, but which have a uniform Have collector zone (DE-AS 1 208 409). They contain a silicon body in the form of a plate, through an incision from one surface into a thin part and circular in one of these surrounding thicker part is divided. In the thin part of the silicon plate there is an emitter zone and a base zone. The remainder of the thin part forms the collector zone.
Darüber hinaus sind auch Legierungstransistoren allgemein bekannt (DE-AS 1018 556).In addition, alloy transistors are also generally known (DE-AS 1018 556).
Wird bei bekannten Schalttransistoren eine Spannung zwischen Emitter und Basis in Sperriciitung angelegt, um die Schaltwirkung zu steuern, so kommt es, wenn der Kollektor-Basis-Strom einen bestimmten Wert übersteigt, zu einem zweiten Durchbruch, der einen schnellen Abfall der Kollektor-Emitter-Spannung verursacht Die Ursache dieses zweiten Durchbruches ist noch nicht klar. Es wird jedoch angenommen, daß sich im Mittelabschnitt der Emitterzone aufgrund des Potentialabfalls der Basiszone die Spannung am Emitter-Basis-PN-Übergang in eine Spannung in Durchlaßrichtung umkehrt, wodurch eine lokale Stromkonzentration stattfindet. Diese hat eine lokale Erhitzung des in Sperrichtung vorgespannten Teiles des Emitter-Basis-PN-Ubergangs zur Folge, d. h. eine lokale Temperaturerhöhung dieses PN-Überganges, dessen Sperreigenschaften dadurch herabgesetzt werden. Aus diesem Grunde können bekannte Schalttransistoren nur in einem Bereich kleiner Spannungen verwendet werden.If, in known switching transistors, a voltage is applied between the emitter and base in blocking, to control the switching action, it happens when the collector-base current is a certain Value, leads to a second breakdown, causing a rapid drop in collector-emitter voltage The cause of this second breakthrough is not yet clear. However, it is believed that in the middle section of the emitter zone due to the potential drop in the base zone the The voltage at the emitter-base PN junction is reversed into a forward voltage, whereby a local current concentration takes place. This has a local heating of the biased in the reverse direction Part of the emitter-base PN junction result, d. H. a local temperature increase this PN junction, the blocking properties of which are thereby reduced. For this reason, known Switching transistors can only be used in a range of low voltages.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, die Festigkeit des Emitter-Basis-PN-Übergangs gegen den zweiten Durchbruch zu erhöhen.The object of the invention is therefore to counter the strength of the emitter-base PN junction to increase the second breakthrough.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die hochohmige Kollektorschicht der Kollektorzone an ihrer Grenzfläche mit der niederohmigen Kollektorschicht einen der Emitterzone gegenüberliegenden sowie zu einer Ausnehmung der niederohmigen Kollektorschicht an dieser Grenzfläche komplementären Vorsprung aufweist, wobei die Größe des den Vorsprung der hochohmigen Kollektorschicht umgebenden Grenzflächenteils zumindest 10% der gesamten Grenzfläche beträgt. Der Vorsprung der hochohmigen Koliektorschicht kann kreisförmig sein. Der Vorsprung des Abschnittes der niederohmigen Kollektorschicht, der den Vorsprung der hochohmigen Kollektorschicht umgibt, ist dann ringförmig. Weiter ist zweckmäßig die Höhe des Vorsprungs der hochohmigen Kollektorschicht über dem PN-Übergang zwischen der Basiszone und der Kollektorzone so gewählt, daß sie zur Höhe des den Vorsprung der hochohmigen Kollektorschicht umgebenden Abschnittes der niederohmigen Kollektorschicht über dem PN-Übergang zwischen der Basiszone und der Kollektorzone im Verhältnis von zumindest 1,2 steht.This object is achieved according to the invention in that the high-resistance collector layer of the collector zone at its interface with the low-resistance collector layer one opposite to the emitter zone as well as a recess in the low-resistance collector layer at this interface having complementary projection, the size of the projection of the high-resistance collector layer surrounding interface part is at least 10% of the total interface. Of the The projection of the high-resistance Koliektorschicht can be circular. The protrusion of the section of the low-resistance collector layer, which surrounds the projection of the high-resistance collector layer, is then ring-shaped. Furthermore, the height of the projection of the high-resistance collector layer above the is expedient PN junction between the base zone and the collector zone chosen so that it corresponds to the height of the projection the portion of the low-resistance collector layer surrounding the high-resistance collector layer across the PN junction between the base zone and the collector zone in the ratio of at least 1.2 stands.
Durch eine derartige Ausbildung ist erreicht, daß der Schalttransistor auch im Bereich größerer Spannungen verwendet werden kann, denn der zweite Durchbruch und die mit diesem Hand in Hand gehende lokale Überhitzung tritt nicht mehr auf. Dai liegt daran, daß durch die besondere Ausbildung der Kollektorzone deren Durchbruchsspannung im für den zweiten Durchbruch gefährdeten Bereich erhöht ist.Such a design ensures that the switching transistor is also used in the area of higher voltages can be used because the second breakthrough and the one that goes hand in hand with this one local overheating no longer occurs. Dai lies because the special design of the collector zone whose breakdown voltage is for the second breakthrough vulnerable area is increased.
Eine Weiterbildung der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen des Schalttransistors in einem Legierungs- und Diffusionsprozeß. Es kann auch ein Legierungsverfahren oder ein epitaktisches Verfahren im Anschluß an einen Ätzprozeß angewendet werden.A further development of the invention relates to a method for producing the switching transistor in one Alloy and diffusion process. It can also be an alloy process or an epitaxial process can be used following an etching process.
In der Zeichnung sind Schalttransistoren nach der Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und zwar zeigtIn the drawing, switching transistors according to the invention are illustrated by way of example, namely shows
F i g. 1 eine Schnittansicht eines Schalttransistors nach der Erfindung,F i g. 1 is a sectional view of a switching transistor according to the invention,
F i g. 2 eine Schnittansicht eines Schalttransistors nach einem Verfahrensschritt eines Legierungsverfahrens zum Herstellen des Schalltransistors nach der Erfindung,F i g. 2 shows a sectional view of a switching transistor after a process step of an alloy process for producing the sound transistor according to the invention,
Fig. 3a bis 3f eine Schnittansichi eines Schalttransistors nach verschiedenen Verfahrensschritten eines weiteren Legierungsverfahrens zum Herstellen eines Schalttransistors nach der Erfindung,3a to 3f show a sectional view of a switching transistor after various process steps of a further alloy process for manufacturing a switching transistor according to the invention,
F i g. 4a bis 4e eine Schnittansicht eines Schalltransistors nach verschiedenen Verfahrensschritten eines Verfahrens zum Herstellen eines SchalttransistorsF i g. 4a to 4e show a sectional view of a sound transistor after various method steps of a method for manufacturing a switching transistor
ίο nach der Erfindung durch zwei Ablagerungsprozesse und einen Diffusionsprozeß undίο according to the invention by two deposition processes and a diffusion process and
Fig. 5a bis 5c eine Schnittansicht eines Schalttransistors nach verschiedenen Verfahrensschritten eines epitaktischen Verfahrens zum Herstellen eines Schalttransistors nach der Erfindung.FIGS. 5a to 5c show a sectional view of a switching transistor after various process steps of an epitaxial process for producing a Switching transistor according to the invention.
F i g. 1 zeigt den Aufbau eines erfindungsgemäßen Schalttransistors, der im folgenden im Zusammenhang mit einer theoretischen Analyse seiner Eigenschaften beschrieben wird. Der Schalttransistor hut eineF i g. 1 shows the structure of a switching transistor according to the invention, which is described below in connection is described with a theoretical analysis of its properties. The switching transistor has one
2D N-Ieilende Basiszone 2, die in einen P-lc-i!enden Ge-Körper 1 eindiffundiert ist, ferner eine P-leilende Emitterzone 3 und eine P-!eitende Kollektorzone, die aus einer niederohmigen Kollektorschicht 4 besteht, die in einer schwach dotierten und entsprechend hochohmigen Kollektorschicht 5 ausgebildet ist. Die auch für Kontaktzwecke herangezogene niederohmige Kollektorschicht 4 ist konkav ausgebildet, also mit einer Ausnehmung versehen, in die ein komplementärer Vorsprung der entsprechend konvex ausgebildeten hochohmigen Kollektorschicht 5 eingreift.2D N-type base zone 2, which is diffused into a P-1c-i! Ending Ge body 1, further a P-type emitter zone 3 and a P-type collector zone, which consists of a low-resistance collector layer 4, which is in a lightly doped and correspondingly high-resistance collector layer 5 is formed. The low-resistance collector layer 4, which is also used for contact purposes, is designed to be concave, that is to say provided with a recess into which a complementary projection of the correspondingly convex high-resistance collector layer 5 engages.
Bezeichnet man die Höhe des Vorsprungs der hochohmigen Kollektorschicht 5 über dem PN-Übergang 6 zwischen Basis- und Kollektorzone mit Wx und die Höhe des diesen Vorsprung umgebenden Abschnittes der niederohmigen Kollektorschicht 4 über dem gleichen PN-Übergang 6 mit W2, wie aus F i g. 1 ersichtlich, so soll die Bedingung W1 > W1 erfüllt werden. Außerdem ist es notwendig, daß der Vorsprung der hochohmigen Kollektorschicht 5 der Emitterzone 3 gegenüberliegt und sein Radius R der Bedingung R > 0 genügt.The height of the projection of the high-resistance collector layer 5 above the PN junction 6 between the base and collector zone is denoted by W x and the height of the portion of the low-resistance collector layer 4 surrounding this projection above the same PN junction 6 is denoted by W 2 , as from F. i g. 1, the condition W 1 > W 1 should be fulfilled. In addition, it is necessary that the projection of the high-resistance collector layer 5 lies opposite the emitter zone 3 and that its radius R satisfies the condition R > 0.
In der folgenden Tabelle 1 werden vier diese Bedingungen erfüllende Schalttransistoren und ein Schalttransistor verglichen, bei dem für den Radius R des Vorsprungs der hochohmigen Kollektorschicht 5 R = O gilt. Dabei ist der Kollektorstrom des zweiten Druchbruchs mit /.sß bezeichnet.In the following table 1, four switching transistors fulfilling these conditions and one switching transistor in which R = O applies to the radius R of the projection of the high-resistance collector layer 5 are compared. The collector current of the second breakthrough is with /. called sweet .
Λ (mm)
Wx (μ)Λ (mm)
W x (μ)
Wx (μ)
ISB(Λ) W x (μ)
ISB (Λ)
1,65 41 21 23,01.65 41 21 23.0
Wie aus Tabelle 1 ersichtlich, kann ein mit einer konkaven niederohmigen Kollektorschicht 4 und einer konvexen hochohmigen Kollektorschicht 5 versehener Schalttransistor einen Strom aushalten, der bei im übrigen gleichen Bedingungen erheblich größer ist als bei dem Schalttransistor, bei dem R = Q ist. Die vier Transistoren haben im wesentlichen die gleiche KoI-lektor-Lawinendurchbruchsspannung. As can be seen from Table 1, a switching transistor provided with a concave low-resistance collector layer 4 and a convex high-resistance collector layer 5 can withstand a current which, under otherwise identical conditions, is considerably higher than the switching transistor in which R = Q. The four transistors have essentially the same KoI-lektor avalanche breakdown voltage.
In dem Stromkreis, mit dem die Vergleichstransistoren gemessen wurden, waren eine Lastinduktivität L und eine Energiequelle Vcc zum Zuleiten der Kollektorspannung hintereinandergeschaltet und zwi-In the circuit with which the comparison transistors were measured, a load inductance L and an energy source V cc for supplying the collector voltage were connected in series and between
sehen den Emitter und den Kollektor gelegt. Eine Energiequelle Vmi zur Lieferung einer Sperrspannung, sowie ein zur Energiequelle Vm: parallelgcschalleter Impulsgenerator zur Lieferung von FluBspannungsimpulsen waren zwischen die Basis und den Emitter gelegt. Die in Tabelle 1 angegebenen Kollcktoislromwerte wurden durch Messen des Kolleklorslromcs /s/; gewonnen, wobei der zvveile Durchbruch durch fortlaufendes Zuführen von Flußspannungsimpulsen und gleichzeitiges Erhöhen der Spannung V1-,- bewirkt wurde.see the emitter and the collector placed. An energy source Vmi for supplying a reverse voltage, as well as a pulse generator, which was sounded in parallel with the energy source Vm, for supplying flow voltage pulses were placed between the base and the emitter. The collision current values given in Table 1 were determined by measuring the collision current c / s / ; won, the two breakthroughs being effected by continuously supplying forward voltage pulses and simultaneously increasing the voltage V 1 -, - .
Der Grund, warum der Kolleklorstrom Isu in einem Schalttransistor verstärkt wird, isi gemäß den durchgeführten Untersuchungen, die auch in der Zeitschrift »Proceedings of the ΪΕΠΕ«, Bd. 56. Nr. 1, 1968, S. 123 und 124 beschrieben sind, folgender: Bei Anlegen einer Sperrspannung zwischen den Emitier und die Basis erreicht der Wert der Spannung zwischen Kollektor und Basis auf Grund eines Abfalls des in der Lastinduktivität fließenden Stromes den Wert der Kollektor-Basis-Üurchbruchsspannung und ein Lawinendutchbruchsstrom fließt zwischen Kollektor und Basis, bis der Transistor den Ausschallzustand annimmt. Der Strompfad ist jedoch von Transistor zu Transistor verschieden, und zwar tritt bei einem Transistor, bei dem R > 0 ist, der Lawirendurchbrueh zuerst in einem Teil auf, in dem die Dicke der hochohmigen Kollektorschicht klein ist. Daher fällt das Potential in der Basiszone in Querrichtung verhältnismäßig wenig ab. Andererseits ist bei einem Transistor, bei dem R -~- 0 ist, der also eine ebene Grenze zwischen beiden Kollektorschichten hat, der Abfall des Querpotcntials auf Grund des in der Basiszone fließenden Kollektor-Basis-Durchbruchstroms groß. Dieser Unterschied zwischen den beiden Transistorarten wird als Ursache für den Unterschied in den Kennlinien des zweiten Durchbruchs angesehen.The reason why the collector current Isu is amplified in a switching transistor is, according to the investigations carried out, which are also described in the journal "Proceedings of the ΪΕΠΕ", Vol. 56. No. 1, 1968, pp. 123 and 124, as follows : When a reverse voltage is applied between the emitter and the base, the value of the voltage between collector and base reaches the value of the collector-base breakdown voltage due to a drop in the current flowing in the load inductance and an avalanche breakdown current flows between the collector and base until the transistor adopts the ejection state. The current path, however, differs from transistor to transistor, namely in the case of a transistor in which R > 0, the avalanche breakdown occurs first in a part in which the thickness of the high-resistance collector layer is small. Therefore, the potential in the base zone drops comparatively little in the transverse direction. On the other hand, in the case of a transistor in which R - ~ - 0, that is to say has a flat boundary between the two collector layers, the drop in the transverse potential is large due to the collector-base breakdown current flowing in the base zone. This difference between the two types of transistors is considered to be the cause of the difference in the characteristics of the second breakdown.
Wie aus der obigen Erläuterung z:u entnehmen, kann die auf Grund der Emitter-Kollcktor-Spcrrspannung erzeugte Spannung des zweiten Durchbruchs durch konkave Ausbildung der niederohmigcn Kollektorschicht 4 und der entsprechend konvexen Ausbildung der hochohmigen Kollektorschicht 5 beträchtlich erhöht werden.As can be seen from the above explanation z: u, due to the emitter-collector voltage generated voltage of the second breakdown through concave design of the low-resistance collector layer 4 and the correspondingly convex design the high-resistance collector layer 5 can be increased considerably.
Die Herstellung eines Schalltransistors wird im folgcnden an verschiedenen Beispielen unter Bezugnahme auf die F i g. 2 bis 5 ausgeführt.The production of a sound transistor is described in the following using various examples with reference to FIGS. 2 to 5 executed.
Das erste Beispiel wird mit Bezug auf F i g. 2 beschrieben. Ein Donatorstörstoff wird im Pulververfahrcn in eine P-Ieitendc Germaniumscheibe 7 eindiffundicrt, die eine Dicke von 200 μ und einen spezifischen Widerstand von 15 Ohm/cm hat. Daraufhin wird die Dicke durch Ätzen einer der Oberflächen auf 140 μ verringert. Hierdurch wird eine diffundierte Basiszone 8 erhalten, die eine Obcrflächen-Störstoffkonzentration von 3,5 · 10" Atome/cm3 und eine Dicke von etwa 60 μ aufweist.The first example is explained with reference to FIG. 2 described. A donor interfering substance is diffused in a powder process into a P-conductive germanium disk 7, which has a thickness of 200 μ and a specific resistance of 15 ohm / cm. The thickness is then reduced to 140μ by etching one of the surfaces. As a result, a diffused base zone 8 is obtained which has a surface impurity concentration of 3.5 · 10 7 "atoms / cm 3 and a thickness of about 60 μ.
Nach Herstellen der Basiszone 8 wird die Emitterzone 10 gebildet. Eine Kugel mit einem Durchmesser von 1,85 mm aus einer Legierung mit 80 Gewichtsprozent Pb und 20 Gewichtsprozent In wird auf der Ge-Schcibe 7 befestigt und zum Legieren mit dieser 7 Minuten lang auf 560 C erhitz«. Hierdurch wird eine Emitterzone 10 erhalten und ein PN-Übergang 9 zwischen der Emitter/one 10 und der Basiszone 8 in einer liefe von 17 μ ausgebildet. Die Emillerzone Kl hat ei'ien Durchmesser von etwa 3 mm. da sich die Kugel beim Legieren ausdehnt.After the base zone 8 has been produced, the emitter zone 10 is formed. A sphere with a diameter of 1.85 mm made of an alloy with 80 percent by weight Pb and 20 percent by weight In is applied to the Ge-Schcibe 7 attached and for alloying with this heated for 7 minutes at 560 C «. This creates a Emitter zone 10 and a PN junction 9 between the emitter / one 10 and the base zone 8 in one run of 17 μ is formed. The Emillerzone Kl has a diameter of about 3 mm. since the Ball expands when alloying.
Der bemerkenswerteste Verfahrcnsschritl bei diesem Verfahren ist die Ausbildung der konkaven niederohmigcn Kollektorschicht in der von der (ic-Scheibe 7 gebildeten Kollektorschicht. Hierbei wird eine In-Scheihcll einer Dicke von 0,4 mm und mit einem Durchmesser von 3,9 mm in dem gewünschten Bereich aufgebracht, derdic Bedingungen R > Oiind II', IV,, crfülli. Diese In-Schcibc 11 wird zum Legieren 7 Minuten lan}! auf 450 C erhitzt. Dabei wird eine Schablone 12 verwendet, die die Ausdehnung der In-Scheibc 11 begrenzt. Ein Druckslcmpcl in Form eines Gewichts !4 mit einem Vorsprung !3 v.ird, wie in F i g. 2 dargestellt, auf der In-Scheibc Il befestig!. Bei Verwendung des Gewichts 14 mit dem Vorsprung 13 wird der Teil der In-Scheibe II, der mil dem Vorsprung 13 in Berührung steht, durch diesen nach dem Schmelzen zusammengedrückt, wodurch eine dünne geschmolzene Schicht gebildet wird, die von einer Schicht einer der Höhe des Vorsprungs entsprechenden Dicke umgeben ist. Wenn die Legierung 7 Minuten lang bei 450 C unter Verwendung eines Gewichtes 14 mit einem Durchmesser von 3,85 mm und einem Gewicht von 1,8 g durchgeführt wird, das einen Vorsprung von 1,85 mm Durchmesser und eine Höhe von 0,3 mm aufweist, erhält man eine konkave legierte Kolleklorschichl von 4 mm Durchmesser, bei der der tiefe Lcgierungsbercich 65 μ, der flache Legierungsbercich 48 μ und dci Radius des Vorsprungs der von der Ge-Scheibc 7 gebildeten Kollcktorschicht, d.h. die Größe R von F i g. 1, 0,85 mm beträgt.The most remarkable process step in this process is the formation of the concave low-resistance collector layer in the collector layer formed by the (ic-disk 7. In this case, an in-sheet with a thickness of 0.4 mm and a diameter of 3.9 mm in the desired Area applied that fulfills the conditions R> Oiind II ', IV ,, cr. For alloying, this in-disk 11 is heated for 7 minutes to 450 ° C. A template 12 is used to limit the expansion of the in-disk 11 A pressure pad in the form of a weight! 4 with a protrusion! 3 is fastened to the In disc II, as shown in Fig. 2. When using the weight 14 with the protrusion 13, the part of the In Disk II, which is in contact with the projection 13, is compressed by the latter after melting, whereby a thin molten layer is formed which is surrounded by a layer of a thickness corresponding to the height of the projection. When the alloy 7 Mi grooves is carried out at 450 C using a weight 14 with a diameter of 3.85 mm and a weight of 1.8 g, which has a protrusion of 1.85 mm in diameter and a height of 0.3 mm, is obtained a concave alloyed collector layer of 4 mm diameter, in which the deep alloy area 65 μ, the flat alloy area 48 μ and the radius of the projection of the collector layer formed by the Ge disk 7, ie the size R of FIG. 1, 0.85 mm.
Da der durch dieses Verfahren hergestellte Kollektorkontakl nicht eben ist, wird eine nochmalige Wärmebehandlung mit Hilfe eines Druckstempels durchgeführt. Diesmal wird die Wärmebehandlung 7 Minuten lang bei 450'C unter Verwendung eines glatten, keinen Vorsprung aufweisenden Gewichtes als Druckstempcl durchgeführt. Während dieser Behandlung legiert In kaum in das Ge ein und die in-Schcibc schmilzt lediglich in eine Form mit ebener Oberfläche um.Since the collector contact produced by this process is not even, a repeated heat treatment with the help of a pressure stamp carried out. This time the heat treatment is carried out for 7 minutes at 450'C using a smooth, no protrusion showing weight carried out as Druckstempcl. During this treatment Alloys In hardly in the Ge and the in-Schcibc only melts into a shape with a flat surface around.
Dieses Verfahren unterscheidet sich von bekannten Legierungsverfahren nur dadurch, daß an dem entsprechenden Teil des Gewichtes ein Vorsprung vorgesehen ist, während im übrigen bekannte Legierungs maßnahmen unverändert angewandt werden können Dabei werden der Vorsprung der einen Kollektorschicht der Kollektorzone und die den Vorsprung umgreifende konkave andere Kollektorschicht um mit ihr auch der Kollektorkonlakl in einem cin/igei Legierungsgang hergestellt.This process differs from known alloying processes only in that the corresponding Part of the weight a projection is provided, while the rest of the known alloy measures can be applied unchanged. The protrusion of one collector layer the collector zone and the other concave collector layer encompassing the projection with it also the collector conflict was made in a cin / igei alloy process.
Ferner kann selbst bei einem aus übereinander liegenden Schichten bestehenden Schalttransistor, bc dem eine Vielzahl von Emitterzonen unabhängig von einander in einer Basiszone vorhanden sind, die kon kave Kollektorschichi einfach durch Bearbeiten de Endabschnitts des Druckslempels hergestellt werdenFurthermore, even with a switching transistor, bc which a plurality of emitter zones are present independently of one another in a base zone, the con kave Kollektorschichi can be produced simply by machining the end section of the die
Bei diesem Verfahren wird auf die I* ig. 3 a bis 31 die den Schalttransistor nach verschiedenen Verfall rcnsschrilten darstellen. Bezug genommen.This procedure is based on the I * ig. 3 a to 31 which represent the switching transistor after various decay steps. Referenced.
Im ersten Verfahrcnsschrilt wird, wie im ersten Bespiel, ein Donalorslörsloff durch das Pulververfahr«: in eine P-Ieitende < icnnaniiimsclieihc 15 einer DickIn the first procedure, as in the first example, a donor's slip is caused by the powder procedure: in a P-lead end of a Dick
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von 200 μ und mit einem spezifischen Widerstand von Beispiel 3of 200 μ and with a specific resistance of Example 3
15 Ohm/cm eindiffundiert. Dann wird eine Seite der15 Ohm / cm diffused. Then one side of the
Ge-Scheibe 15 mit Wachs beschichtet, während die Dieses Verfahren bezieht sich besonders auf die andere Seite geätzt wird. Als Ergebnis erhält man, Herstellung eines aus einem Siliciumkörper bestehenwie in Fig. 3a gezeigt, in der Gc-Scheibe 15 eine 5 den Transistors mit einer konkaven niederohmigen Basiszone 16 mit einer Diffusionstiefe von 60 μ Kollektorschicht. Es wird unter Bezugnahme auf die und einer Oberflächenstörstoffkonzentration von F i g. 4a bis 4e erläutert. Wie F i g. 4a zeigt, werden 3,5 · 10" Atome/cm3 und eine P-Ieitende Schicht einer zunächst Siiiciumoxidschichten 22 durch Oxydieren Dicke von 140 μ. Der zweite Verfahrensschritt, der der beiden Seiten eines N-Siliciumkörpers 21 hergefür dieses Verfahren charakteristisch ist, ist in F i g. 3 b io stellt, der einen spezifischen Widerstand von 10 Ohm/ dargestellt. In diesem Verfahrensschrilt wird zunächst cm hat. Dann wird die Siliciumoxidschicht 22 auf einer die Lage der Emitterzone bestimmt und dann ein Seite entfernt mit Ausnahme eines Teils, der gleich kreisförmiger Vorsprung 17 mit einem vorbestimmten der Breite der Vertiefung ist, die die konkave Kollek-Radius R > 0 auf der Germaniumscheibe 15 ausge- torschicht erhalten soll. Der restliche Teil der Oxidbildet. Der Vorsprung 17 hat beispielsweise einer. s5 schicht 22 dient als Maske für das Beschichten mit Durchmesser von 19 mm und eine Höhe von 20 μ. Störstellenstoff. Daraufhin wird auf die freiliegende Der Vorsprung 17 ist von großer Bedeutung für die Oberfläche des Si-Körpers 21 eine Störstellenstoff-Form der unten beschriebenen konkaven Kollektor- schicht 23 aus Phosphor aufgebracht, wie Fig. 4b schicht. Zur Herstellung des Vorsprungs 17 wurde eine zeigt. Gleichzeitig bildet sich auf der Oberfläche wieder gestanzte Ni-Platte mit einem Durchmesser von io eine Oxidschicht. Üblicherweise wird diese Ablagerung 1,9 mm an der richtigen Stelle mit Wachs befestigt, bei 12000C 40 Minuten lang durchgeführt, Der abgeum eine Ätzmaske zu bilden, also eine Abdeckung, lagerte Störstellenstoff Phosphor wird nach und nach unter der der Vorsprung 17 bestehenbleibt. in den Siliciumkörper 21 eindiffundiert.Ge disk 15 coated with wax while the This process particularly applies to the other side being etched. As a result, one obtains, production of a silicon body as shown in Fig. 3a, in the Gc disk 15 a 5 den transistor with a concave low-resistance base zone 16 with a diffusion depth of 60 µ collector layer. Referring to and a surface impurity concentration of FIG. 4a to 4e explained. Like F i g. 4a shows 3.5 · 10 "atoms / cm 3 and a P-conductive layer of an initially silicon oxide layer 22 by oxidizing a thickness of 140 μ. The second process step, which is characteristic of the two sides of an N-silicon body 21 for this process, Fig. 3 shows b io, which shows a resistivity of 10 ohms / cm. In this process step, the silicon oxide layer 22 is determined on one of the emitter zone locations and then one side is removed except for a portion , the uniformly circular projection 17 with a predetermined width of the recess which the concave collector radius R> 0 is to receive on the germanium disk 15. The remaining part of the oxide forms. The projection 17 has, for example, a serves as a mask for plating having a diameter of 19 mm and a height of 20 μ. Störstellenstoff. Then, on the exposed the projection 17 is of great Matters ng for the surface of the Si body 21 an impurity substance form of the below-described concave collector layer 23 made of phosphor is applied, as shown in FIG. 4b layer. For the production of the projection 17, one was shown. At the same time, a punched Ni plate with a diameter of io forms an oxide layer on the surface. Typically, this deposit is 1.9 mm in place fixed with wax, at 1200 0 C for 40 minutes carried out for forming the abgeum an etching mask, that is a cover superimposed Störstellenstoff phosphorus is gradually under the protrusion 17 persists. diffused into the silicon body 21.
Im dritten Verfahrensschritt wird, wie in Fig. 3c Nach der Ablagerung des Phosphors wird die im dargestellt, in gleicher Weise wie im ersten Beispiel »5 vorhergehenden Verfahrensschritt als Maske verwennach der Ausbildung des Vorsprungs 17 eine Emitter- dete dünne Siliciumoxidschicht 22 weggeätzt, wie zone 18 durch Legieren hergestellt. Dann wird eine F i g. 4c zeigt, und eine zweite Beschichtung mit Stör-Basislasche 19 für das Kontaktieren der Basiszone 16 Stellenstoff wird in einer Wasserdampf enthaltenden auf dieser befestigt. Im vierten Verfahrensschritt wird Atmosphäre durchgeführt, wodurch eine zweite Stördann eine konkave Kollektorschicht 2Γ hergestellt, 30 stellenstoffschicht 24 und eine dünne Oxidschicht 28 wie aus F i g. 3d und 3e ersichtlich. gebildet werden. Als zweiter Störstellenstoff wird Anti-In the third process step, as in Fig. 3c. After the deposition of the phosphorus, the im shown, in the same way as in the first example »5 use the previous process step as a mask the formation of the projection 17 an emitter end thin silicon oxide layer 22 etched away, as zone 18 produced by alloying. Then a F i g. 4c shows and a second coating with sturgeon base tab 19 for contacting the base zone 16 place fabric is in a water vapor containing attached to this. In the fourth process step, atmosphere is carried out, whereby a second Stördann a concave collector layer 2Γ made, 30 constituent material layer 24 and a thin oxide layer 28 as in Fig. 3d and 3e can be seen. are formed. The second impurity substance is anti-
Die Kollektorschicht 2Γ wird hergestellt, indem mon verwendet.The collector layer 2Γ is made by using mon.
man die Ge-Scheibe 15 umdreht, auf die den Vor- Bei diesem Verfahren ist es wichtig, Störstellenstoffe sprung 17 aufweisende Oberfläche der Ge-Scheibe 15 des gleichen Leitungstyps zu verwenden, die jedoch, eine In-Scheibe 20 aufbringt, auf diese ein Gewicht 35 w>e Phosphor und Antimon, verschiedene Diffusionsmit einer ebenen Endfläche anordnet und das Ganze konstanten haben.The Ge disk 15 is turned over on which the surface of the Ge disk 15, which has the same conductivity type, but an In disk 20, applies a weight to it 35 w > e phosphorus and antimony, different diffusion arrangements with a flat end face and having the whole thing constant.
unter Verwendung einer eine Ausbreitung begren- Wenn Phosphor bei 13000C in den Siliciumkörper zenden Maske, wie im ersten Beispiel, 7 Minuten lang eindiffundiert wird, beträgt die Diffusionskonstante auf 5400C erhitzt. etwa 10~12 cm2/Sek., während die des Antimons unterlimitation using a spreading When phosphorus at 1300 0 C in the silicon body collapsing mask, such as 7 minutes long diffused in the first example, the diffusion constant at 540 0 C is heated. about 10 ~ 12 cm 2 / sec., while that of the antimony is below
Die geringe Vertiefung in der Kollektorschicht 2Γ, 40 den gleichen Bedingungen etwa 3 · 10-18cm2/Sek. bedie gleich dem Unterschied zwischen W1 und W1 trägt. Demnach ist die Diffusionskonstante des Phos-(F ig. 1) ist, stimmt im wesentlichen mit der Höhe des phors etwa das Dreifache der des Antimons. Dieses im zweiten Verfahrensschritt hergestellten Vorsprungs Verfahren nützt diesen Unterschied in den Diffusions-17 der Oberfläche der Ge-Scheibe 15 überein. Wenn konstanten aus. Nach Beendigung des Beschichtungsbeispielsweise die Höhe des Vorsprungs 17, wie oben 45 Vorganges wird der Siliciumkörper 21 zur Durchbeschrieben, 20 μ beträgt, dann erhält man eine Ver- führung der Diffusion in einen Ofen eingebracht. Die tiefung von 22 μ. Diffusion wird bei 13000C durchgeführt, und der The small depression in the collector layer 2Γ, 40 the same conditions about 3 x 10- 18 cm 2 / sec. serve the same as the difference between W 1 and W 1 . Accordingly, the diffusion constant of the phos (Fig. 1) is, essentially agrees with the height of the phors about three times that of the antimony. This projection process produced in the second process step makes use of this difference in the diffusion 17 of the surface of the Ge disk 15. When constant out. After completion of the coating, for example, the height of the projection 17, as described above, the silicon body 21 is 20 µ, then a diffusion is introduced into a furnace. The deepening of 22 μ. Diffusion is carried out at 1300 0 C, and the
Um den an der Oberfläche des Halbleiterkörpers diffundierte Bereich nimmt die in F i g. 4d dargestellte liegenden Rand des Basis-Kollektor-PN-Übergangs zu Form an.To the diffused on the surface of the semiconductor body area occupies the g i in F. 4d shown lying edge of the base-collector-PN-junction to form.
passivieren, werden in einem letzten Verfahrensschritt 50 Da die Diffusionskonstanten des Störstellenstoffes die Oberflächenteile, an denen der Basis-Kollektor- der ersten und zweiten Störstoffschicht sich etwa um PN-Übergang an die Oberfläche tritt, durch Ätzen den Faktor 3 unterscheiden, wird bei einem Diffusionsmit einem Ätzmittelgemisch aus HF und HNO3, prozeß von 5 Stunden Phosphor 30 μ und Antimon CH3COOH in die in F i g. 3f dargestellte Form ge- 10 μ tief eindiffundiert. Auf diese Weise wird eine bracht. Da die eine konkave Gestalt aufweisende 55 konkave Kollektorschicht 25 mit einer Höhendifferenz Kollektorschicht 21' zunächst durch Herstellen eines von 20 μ hergestellt. Nach diesem Verfahrensschritt Vorsprungs an einer Halbleiterscheibe durch Ätzen werden eine Basiszone 26 und eine Emitterzone 27 auf ausgebildet worden ist, ist die GestaJt der Scheibe aus die gleiche Weise wie. bei der Herstellung bekannter Störstellenmaterial, die den Kollektorkontakt bildet, Planar- oder Mesatransistoren im Siliciumkörper 21 unwesentlich. 60 ausgebildet und man erhält einen Schalttransistor, wie Since the diffusion constants of the impurity substance, the surface parts at which the base-collector of the first and second impurity layers come to the surface around the PN junction, due to etching, differ by a factor of 3 an etchant mixture of HF and HNO 3 , process of 5 hours phosphorus 30 μ and antimony CH 3 COOH in the in F i g. 3f shape shown diffused in 10 μ deep. That way one is brought. Since the concave collector layer 25 having a concave shape 25 with a height difference collector layer 21 'is first produced by producing one of 20 μ. After this process step, a base zone 26 and an emitter zone 27 have been formed on a semiconductor wafer by etching, the structure of the wafer is the same as. in the production of known impurity material which forms the collector contact, planar or mesa transistors in the silicon body 21 are insignificant. 60 is formed and a switching transistor is obtained, such as
genau hergestellt werden kann, kann auch die Lage des Es ist eine Besonderheit dieses Verfahrens, daß die Vorsprungs der hochohmigen Kollektorschicht der Störstellenstoffe zur Herstellung der konkaven nieder-Kollektorzone genau gewählt werden. Deshalb weist ohmigen Kollektorschicht aufgebracht werden, bevor dieses Verfahren den Vorteil auf, daß ihre Beeinflus- 65 die Emitter- und die Basiszone ausgebildet werden. Es sung durch Verschieben der Lage der niederohmigen ist auch wichtig, daß der erste Störstellenstoff zum Kollektorschicht auf ein Mindestmaß reduziert werden Herstellen dei ersten Störstellenstoffschicht eine grö-Jcann. ßcre Diffusionskonstante hat als der zweite Störstellen-It is a special feature of this process that the Projection of the high-resistance collector layer of the impurity substances for producing the concave low-collector zone can be selected precisely. Therefore ohmic collector layer has to be applied before this method has the advantage that its influencing 65 the emitter and base regions are formed. It Solution by moving the position of the low resistance is also important that the first impurity substance to The collector layer can be reduced to a minimum. ßcre diffusion constant has as the second impurity
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stoff zum Herstellen der zweiten Störstellenstoffschicht. gegenüber angeordnet sein.material for making the second impurity layer. be arranged opposite.
Ein wichtiger Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, Daraufhin werden zur Vervollständigung des Schalt-An important advantage of this method is that, in order to complete the switching
daß die Kollektorzone in einem einzigen Diffusions- transistors Emitterelektroden 34 und Basiselektroden Vorgang hergestellt wird. Man braucht sich nämlich 35 aus einem Leitermaterial wie Au oder Al hergestellt, nicht um eine nach dem Diffundieren auftretende 5 Bei diesem Verfahren werden die üblichen, beVerunreinigung zu kümmern, da keine weiteren Diffu- kannten Maßnahmen verwendet. Es kommt daher auf sionsvorgänge folgen, die sie negativ beeinflussen die richtige und genaue Anordnung der Voisprünge 29 könnte. Nur Zeit und Temperatur müssen kontrolliert im eisten Arbeitsgang an. Es wurde festgestellt, daß es werden. Deshalb ist dieses Verfahren für die Massen- vorteilhaft ist, eine epitaktische Siliciumschicht vorzuproduktion geeignet. 10 sehen, wenn der Halbleiterkörper aus Silicium besteht,that the collector zone is produced in a single diffusion transistor, emitter electrodes 34 and base electrodes process. One need namely 35 made of a conductive material such as Au or Al, not a occurring after diffusing 5 In this method, the usual to worry beVerunreinigung as no further diffu- knew measures used. It therefore comes down to sion processes that could negatively influence the correct and precise arrangement of the Voisjünge 29. Only time and temperature have to be controlled in the first step. It was found to be. Therefore, this method is suitable for the mass-advantageous preproduction of an epitaxial silicon layer. 10 see if the semiconductor body is made of silicon,
und eine epitaktische Germaniumschicht, wenn er ausand an epitaxial germanium layer when off
Beispiel 4 Germanium besteht, da dadurch die Bildung einerExample 4 Germanium exists because it results in the formation of a
Grenzschicht zwischen unterschiedlichen Halbleiter-Boundary layer between different semiconductor
Bei diesem Verfahren wird eine konkave nieder- materialien verhindert werden kann. Da bei diesem ohmige Kollektorschicht leicht und mit guter Repro- i5 Verfahren die konkave Kollektorschicht durch Epiduzierbarkeit durch Ätzen und Epitaxie hergestellt, taxie hergestellt wird, ist es möglich, die an die Vorganz gleich, wie kompliziert das Muster der Emitter- Sprünge angrenzenden Bereiche der niederohmigen zone ist. Dieses Verfahren wird unter Bezugnahme auf Kollektcrschicht unter im wesentlichen gleichmäßigen Fig. 5a bis 5c beschrieber.. Bedingungen herzustellen. Ferner können die Vor-In this process, a concave low-profile material can be prevented. As prepared in this ohmic collector layer easily and with good reproductive i 5 method, the concave collector layer by Epiduzierbarkeit by etching and epitaxy, epitaxy is made, it is possible that adjoining the Vorganz same as the pattern of the emitter complicated jumps regions of the low resistance zone is. This process is described with reference to the collector layer under substantially uniform conditions in FIGS. 5a to 5c. Furthermore, the pre
Obwohl sowohl Ge als auch Si bei diesem Verfahren ao Sprünge, da sie nach einem Photoätzverfahren hergeals
Halbleitermaterial verwendet werden kann, wird stellt werden, sehr genau bemessen werden,
hier ein Beispiel angeführt, bei dem ein Silkiumkörper Wenn die niederohmige Kollektorschicht keinenAlthough both Ge and Si will be ao cracks in this process, since they can be used as semiconductor material after a photoetching process, they will be measured very precisely,
Here an example is given, in which a silkium body If the low-resistance collector layer does not have any
28' verwendet wird. durchgehenden ringförmigen Vorsprung aufweist, ist28 'is used. has continuous annular projection is
Der erste Verfahrensschritt besteht darin, wie im das gleiche Ergebnis erzielbar, wenn sie einen längs zweiten Beispiel an der Oberfläche des Siliciumkörpers a5 eines Teiles des Umfanges durchgehend vorhandenen 28' Vorsprünge 29 in den den Emitterzonen züge- Vorsprung hat, dessen Fläche 10°/0 oder mehr der kehrten Bereichen herzustellen. Wie Fig. 5a zeigt, Grenzfläche der niederohmigen Kollektorschicht bewerden bei Verwendung der Photoätztechnik die Vor- trägt, oder wenn sie mehrere getrennte Einzelvorsprünge 29 durch Ätzen des mit einer Photomaske 30 Sprünge hat, deren Gesamtfläche 10% oder mehr der versehenen Siliciumkörpers 28' in einem. Ätzmittel- 3O Grenzfläche der Kollektorschicht beträgt. Der Wert gemisch aus HF, HNO3, CH,COOH hergestellt, nach- von 10°/0 ist ein empirischer Wert. Wenn die Fläche dem die Photomaske 30 abschnittsweise aufgebracht des Vorsprungs oder der Vorsprünge weniger als 10 °/3 worden ist. Obwohl in diesem Beispiel eine Photo- der Grenzfläche der Kollektorschicht beträgt, tritt eine maske verwendet wird, ist es bei diesem Verfahren eine Erhitzungsstelle bildende Stromkonzentration auf auch möglich, zunächst durch thermische Oxydation 35 und der Schalttransistor unterliegt dem zweiten eine Siliciumoxidschicht herzustellen und diese als Durchbruch.The first process step consists in how the same result can be achieved if it has a 28 'projections 29 continuously present along the second example on the surface of the silicon body a5 of a part of the circumference in the emitter zones, the area of which is 10 ° / 0 or produce more of the swept areas. As FIG. 5a shows, the boundary surface of the low-resistance collector layer is applied when the photoetching technique is used, or when it has several separate individual projections 29 by etching the cracks with a photo mask 30, the total area of which is 10% or more of the silicon bodies 28 'provided in one . Etchant- 3O interface of the collector layer is. The value of a mixture of HF, HNO 3 , CH, COOH produced after 10 ° / 0 is an empirical value. When the area to which the photomask 30 is applied in sections of the projection or projections is less than 10 ° / 3 . Although in this example a photo is the boundary surface of the collector layer, if a mask is used, it is also possible with this method to produce a current concentration forming a heating point, first by thermal oxidation 35 and the switching transistor is subject to the second to produce a silicon oxide layer and this as a breakdown .
Ätzmaske zu verwenden. Jedenfalls ist die Herstellung Die oben beschriebenen Herstellungsverfahren könder Vorsprünge 29 bei diesem Verfahren notwendig. nen bezüglich der Herstellung des Vorsprungs bzw.Use etching mask. In any case, the production process described above is more suitable Projections 29 are necessary in this process. nen regarding the production of the projection or
Dann wird, wie in Fi g. 5b dargestellt, durch Epi- der Vorsprünge abgewandelt werden. Es kann im taxie eine Si-Schicht 31 mit einem spezifischen Wider- 40 ersten Beispiel die Form des am Gewicht 14 vorgestand von weniger als 0,02 Ohm/cm und N-Leitfähig- sehenen Vorsprunges 13 verändert werden. Im zweiten keit, die als niederohmige Kollektorschicht der KoI- Beispiel kann der im zweiten Arbeitsgang gemäß lektorzone des Schalttransistors dient, auf dem N-lei- F i g. 3 b hergestellte kreisförmige Vorsprung 17 eine tenden Siliciumkörper 28' aufgebracht. Damn wird von andere, nicht kreisförmige Form erhalten. Im dritten der der epitaktischen Si-Schicht 31 entgegengesetzten 45 Beispiel können die Flächenausdehnungen der in Seite des Siliciumkörpers 28' ein Störstoif eindiffun F i g. 4b und 4c gezeigten ersten und zweiten Stördiert, der wie in den beiden ersten Beispielen eine stellenstoffschichten 23 und 24 so gewählt werden, daß Basiszone 32 bildet. die Fläche der ersten Störstellenstoffschicht 23 nurThen, as shown in FIG. 5b, can be modified by epid projections. It may in taxie a Si layer 31 with a specific resistance 40 first example, the shape of the weight 14 provided standing of less than 0.02 ohms / cm, and N-conductivity provided for projection be changed. 13 In the second speed, which is used as the low-resistance collector layer of the KoI example, in the second work step according to the lektorzone of the switching transistor, on the N-line F i g. 3 b produced circular projection 17 a tend silicon body 28 'applied. Damn is obtained from other, non-circular shape. In the third of the epitaxial Si layer 31 opposite the surface 45 as extensions of the side of the silicon body 28 'a Störstoif eindiffun F i g can. 4b and 4c shown first and second disturbance, which, as in the first two examples, a fabric layers 23 and 24 are chosen so that the base zone 32 forms. the area of the first impurity layer 23 only
Wie aus dem Vorstehenden zu entnehmen, wird die 40°/o der Seitenfläche des Siliciumkörpers 21 beträgt,
gewünschte Form der Grenzfläche zwischen den beiden 50 Im vierten Beispiel kann die Form des Vorsprungs 29
Kollektorschichten vollständig durch die Vorsprünge wie die im zweiten Beispiel ausgeführt werden.
29 des Si-Körpers 28' bestimmt. Bei Versuchen wurde ferner festgestellt, daß dasAs can be seen from the above, 40% of the side surface of the silicon body 21 is the desired shape of the interface between the two collector layers.
29 of the Si body 28 'is determined. Tests have also shown that the
Dann werden, wie Fig. 5c zeigt, durch Diffusion bevorzugte Verhältnis von W1 zu Wx, wie in Fig. 1 Emitterzonen 33 in der Basiszone 32 hergestellt. Die dargestellt, W1I Wx ^ 1,2 ist.Then, as FIG. 5c shows, preferred ratios of W 1 to W x are produced by diffusion, as in FIG. 1, emitter zones 33 in the base zone 32. The one shown is W 1 IW x ^ 1.2.
Lage der Emitterzonen 33 muß der Lage der im ersten 55 Obwohl das Verfahren in den Beispielen 1 bis 4 mit Arbeitsgang ausgebildeten Vorsprünge 29 entsprechen, Bezug auf Si oder Ge beschrieben worden ist, können \ d. h. jede Emitterzone muß jeweils einer Vertiefung in ohne weiteres Halbleitermaterialien aus VerbindungenPosition of the emitter regions 33 has the position of the, reference has been described in Si or Ge in the first 55 Although the method in Examples 1 to 4 having operation projections formed correspond to 29, \ can ie, each emitter region has in each case a recess in readily semiconductor materials from links
' der niederohmigen Kollektorschicht der Kollektorzone wie GaAs, InAs, AIP oder SiC verwendet werden.'The low-resistance collector layer of the collector zone such as GaAs, InAs, AIP or SiC can be used.
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
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1968
- 1968-09-21 DE DE19681789016 patent/DE1789016C3/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1789016B2 (en) | 1973-05-17 |
| DE1789016A1 (en) | 1972-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |