DE1774685A1 - Recording device - Google Patents
Recording deviceInfo
- Publication number
- DE1774685A1 DE1774685A1 DE19681774685 DE1774685A DE1774685A1 DE 1774685 A1 DE1774685 A1 DE 1774685A1 DE 19681774685 DE19681774685 DE 19681774685 DE 1774685 A DE1774685 A DE 1774685A DE 1774685 A1 DE1774685 A1 DE 1774685A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal
- recorded
- solid body
- recording device
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 3
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 5
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 GdSe Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
- H04R23/006—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices
Description
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO.,LTD., Osaka, JapanMATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., Osaka, Japan
AufzeichnungsvorrichtungRecording device
Die Erfindung betrifft eine Aufzeichnungsvorrichtung, die sich dadurch auszeichnet, daß in einen Festkörper mit einem verbotenen Band im Energiebändermodell, beispielsweise einen Halbleiter oder einen Isolator in Abhängigkeit vom aufzuzeichnenden Signal ein als Rekombinationszentrum wirkender und im verbotenen Band ein Tiefenergieniveau bildender Störstoff einbringbar ist.The invention relates to a recording device, which is characterized in that in a solid body with a forbidden tape in the energy tape model, for example a semiconductor or an insulator depending on the recorded Signal an interfering substance acting as a recombination center and forming a deep energy level in the forbidden band can be brought in.
Die verschiedensten Aufzeichnungsvorrichtungen sind für die verschiedensten Verwendungszwecke bereits bekannt. Es handelt sich um Magnetaufzeichnung, Tonaufzeichnung auf Schallplatten, photographische und Druckaufzeichnungsverfahren. Die Entwicklung der InformationsIndustrie geht neuerdings dahin, eine große Zahl von Signalen in möglichst kleinen SpeichernA wide variety of recording devices are already known for a wide variety of uses. These are magnetic recording, sound recording on phonograph records, photographic and pressure recording processes. The development of the information industry has recently gone towards storing a large number of signals in the smallest possible memory
209810/US1209810 / US1
-2--2-
- 2 - ■ - ""■■' ■ ■- 2 - ■ - "" ■■ ' ■ ■
festzuhalten. Es ist deshalb erforderlich, sehr kleine Aufζeichnungssignale in Signale umzusetzen, die von einer Maschine oder vom Menschen exakt aufgenommen werden können.to hold on. It is therefore necessary to convert very small recording signals into signals that can be transmitted by a Machine or human can be picked up exactly.
Die Erfindung befaßt sich nun mit einer völlig neuartigen Aufzeichnungsvorrichtung. Dabei ist insbesondere eine große Anzahl von Informationen in einem Speicher unterzubringen, der viel kleiner ist als die für die gleiche Anzahl von Informationen bei den herkömmlichen Aufzeichnungsverfahren und -vorrichtungen erforderlichen Speicher. Das umgewandelte und aufzunehmende Signal kann in den verschiedensten Formen erhalten werden, beispielsweise als elektrisches Signal, als Lichtsignal oder als Tonsignal.The invention is now concerned with a completely new one Recording device. In particular, a large amount of information must be stored in a memory, which is much smaller than that for the same number of information in the conventional recording methods and devices required storage. The converted and recorded signal can be in the most varied Shapes are obtained, for example as an electrical signal, as a light signal or as a sound signal.
Der Erfindung liegt die Tatsache zugrunde, daß bei Zusetzen eines im verbotenen Band ein tiefes Energieniveau bildenden und ein Bekombinationszentrum darstellenden Störstoffs zu einem Festkörper, wie einem Halbleiter oder einem Isolator und bei Anlegen einer elastischen Welle an den Festkörper, in der Nachbarschaft der Störstoffatome eine reversible Dehnung auftritt, die den elektrischen Widerstand in diesem Bereich herabsetzt.The invention is based on the fact that when you add a in the forbidden band a low energy level forming and a Bekombinationszentrum representing impurities to a solid, such as a semiconductor or a Insulator and when an elastic wave is applied to the solid, a reversible one in the vicinity of the impurity atoms Stretching occurs, which reduces the electrical resistance in this area.
Erfolgt nun das Einbringen des Störstoffs in Nachzeichnung des aufzuzeichnenden Signals, so liefert die ela-If the contaminant is now introduced in the tracing of the signal to be recorded, the ela-
209810/1481 _5_209810/1481 _5_
"3" 1774SS" 3 " 1774SS
stische Welle ein umgewandeltes elektrisches Signal.static wave is a converted electrical signal.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und zwar zeigenFurther details, advantages and features of the invention emerge from the following description. In the Drawing illustrates the invention by way of example, namely show
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Aufzeichnungsvorrichtung, undFig. 1 is a perspective view of a recording device according to the invention, and
Fig. 2 ein Schema zum Erläutern der Fortpflanzung einer g elastischen Welle im erfindungsgemäß verwendeten Festkörper.2 shows a diagram for explaining the propagation of a g elastic wave in the solid body used according to the invention.
Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau einer erfindungsgemäßen Aufzeichnungsvorrichtung. Ein Festkörper 1 hat ein verbotenes Band im Energiebändermodell und ist beispielsweise ein Halbleiter oder ein Isolator. Ein aufzuzeichnendes Signal 2 ist im Festkörper 1 durch einen Störstoff gebildet, der im verbotenen Band ein Tiefenergieniveau bildet und ein Rekom- " binationszentrum darstellt. Weiter sind Festkörper 3 und 31 mit piezoelektrischen Eigenschaften vorgesehen, die eine elektrische Welle erzeugen. Die piezoelektrischen Elemente 3 und y sind mit Elektroden 4 und 5 bzw. 4! und 5f versehen. Weiter sind Absorberplatten 6, 6f, 6" und 6WI vorgesehen, mit deren Hilfe reflektierte Wellen unterdrückt werden. Mit den Elek-Fig. 1 shows the basic structure of a recording device according to the invention. A solid 1 has a forbidden band in the energy band model and is, for example, a semiconductor or an insulator. A signal 2 to be recorded is formed in the solid 1 by an interfering substance which forms a depth energy level in the forbidden band and represents a recombination center. Furthermore, solid 3 and 3 1 with piezoelectric properties are provided which generate an electrical wave and y are provided with electrodes 4 and 5 or 4! 5 and f. further, absorber plates 6, 6 f, provided 6 "and 6 WI, reflected waves can be suppressed with the aid of. With the elec-
2 0 9 8 1 0 / U 8 1 -4-2 0 9 8 1 0 / U 8 1 -4-
troden 4 und 41 sind Anschlußklemmen A und B verbunden. Die Elektroden 5 und 51 haben eine gemeinsame Anschlußklemme C. Vom Festkörper 1 können Signale über Anschlußklemmen D und E angenommen werden, von denen die Anschlußklemme E der Anschlußklemme D gegenüberliegt.electrodes 4 and 4 1 are terminals A and B connected. The electrodes 5 and 5 1 have a common connection terminal C. The solid body 1 can accept signals via connection terminals D and E, of which the connection terminal E is opposite the connection terminal D.
Wird zwischen die Anschlußklemmen A und C eine Spannung gelegt, so entsteht im piezoelektrischen Festkörper 3 eine elastische Welle, die sich durch den Festkörper 1 fortpflanzt, wie das in Fig. 2 gezeigt ist. Die Festkörper 3 und 3* erzeugen elastische Wellen 7 bzw. 8. Durch Überlagerung ent-If a voltage is applied between the terminals A and C, a voltage is generated in the piezoelectric solid 3 elastic wave propagating through the solid body 1 as shown in FIG. Create the solids 3 and 3 * elastic waves 7 or 8.
9/ steht am Schnittpunkt P eine elastische Impulswellei Diese kann9 / there is an elastic impulse wave at the intersection point P. This can
bei P die gesamte Oberfläche des Festkörpers 1 rasterartig abtasten, wenn die Phase der erzeugten elastischen Welle gesteuert wird.at P, scan the entire surface of the solid 1 in a grid-like manner when the phase of the elastic wave generated is controlled will.
Es sei nun angenommen, daß die elastische Welle in P die Lage des aufgezeichneten Signals 2 von Fig. 1 erreicht. In der Nähe der das Tiefniveau erzeugenden Störstoffatose entsteht dann eine reversible Dehnung, durch die der elektrische Widerstand herabgesetzt wird. Ist zwischen den Anschlußklemmen D und E eine Spannung angelegt, so entsteht auf diese Weise ein Stromimpuls. Dieses elektrische Signal kann in ein Fernsehbild oder eine Druckaufzeichnung umgesetztIt is now assumed that the elastic wave in P reaches the position of the recorded signal 2 of FIG. In the vicinity of the Störstoffatose that creates the low level then a reversible expansion occurs, which lowers the electrical resistance. Is between the terminals When a voltage is applied to D and E, a current pulse is created in this way. That electrical signal can be converted into a television picture or a print recording
209810/U81 u209810 / U81 u
werden.will.
Entspricht das aufgezeichnete Signal 2 einem Tonsignal, so genügt es, die Wellenform des Musters des Signals 2 und die Störstoffkonzentration in Übereinstimmung mit dem Tonsignal zu ändern. Es ist einfach, das durch die elastische Welle umgesetzte elektrische Signal in ein Tonsignal umzusetzen. Erfindungsgemäß erhält man also eine statische Aufzeichnungsvorrichtung, die keinerlei bewegte Teile aufweist und sich grundsätzlich von herkömmlichen Bandaufzeichnungsvorrichtungen unterscheidet.When the recorded signal 2 corresponds to a sound signal, it suffices to express the waveform of the pattern of the signal 2 and change the contaminant concentration in accordance with the sound signal. It's easy to do that through the elastic Wave converted electrical signal to convert into a sound signal. According to the invention, a static one is obtained Recording device which has no moving parts and which is fundamentally different from conventional tape recording devices differs.
Das Zusetzen des Tiefniveau-Störstoffs als Aufzeichnungssignal geschieht durch Ionisieren und Beschleunigen des Störstoffs, der dann durch Strahlung an den Festkörper 1 abgegeben wird.The addition of the low-level interfering substance as a recording signal is done by ionizing and accelerating the Contaminant, which is then given off to the solid body 1 by radiation.
Die Wellenform oder die Form des Signals können durch rasterartiges Führen des Ionenstrahls über die Oberfläche er- g halten werden. Licht und Schatten der Signalform können durch Ändern der Ionenstrahldichte und der Beschleunigungsenergie verändert werden.The waveform or the form of the signal can be obtained by guiding the ion beam over the surface in a grid-like manner will hold. The light and shade of the waveform can be changed by changing the ion beam density and the acceleration energy to be changed.
Falls das Bild nur aufgezeichnet werden soll, so kann auf die Oberfläche des Festkörpers 1 die Photoätzmethode angewendet werden, wodurch das Bildmuster über den Störstoff aus-If the image is only to be recorded, the photo-etching method can be applied to the surface of the solid body 1 so that the image pattern shows the disruptive substance.
2 0 9 8 1 0 / U 8 1 -6-2 0 9 8 1 0 / U 8 1 -6-
gebildet wird, der während des Erhitzens in den Festkörper 1 eindiffundiert. In diesem Fall wird zum Vermeiden unscharfer Zeichnung des Musters, die aufgrund der Diffusion auftreten könnte, von der Tatsache Gebrauch gemacht, daß der Tiefniveau-Störstoff entlang der verschiedenen Kristallachsen des Festkörpers 1 verschiedene Diffusionskoeffizienten hat.is formed, which diffuses into the solid body 1 during heating. In this case, avoid becomes more blurred Drawing of the pattern that could occur due to diffusion made use of the fact that the low level impurity has different diffusion coefficients along the different crystal axes of the solid 1.
Der Festkörper kann ein beliebiger bekannter Halbleiter sein, wie Si, Ge, GaP, GaAs, InAs, AlN, LiNbO5, CdS, ZnS, ZnSe, GdSe, ZnO und SiC. Die Festkörper werden wegen des Rauschens und der FeHersignale vorzugsweise als Einkristalle verwendet.The solid can be any known semiconductor such as Si, Ge, GaP, GaAs, InAs, AlN, LiNbO 5 , CdS, ZnS, ZnSe, GdSe, ZnO and SiC. The solids are preferably used as single crystals because of the noise and the FeHer signals.
Der zum Erzeugen der elastischen Welle bestimmte Festkörper besteht aus einem piezoelektrischen Element, wie BaTiO,, Quarz, CdS, GaAs, usw. Es ist wünschenswert, auch Absorberplatten für das Schwächen der reflektierten Wellen zu verwenden, damit nicht aufgrund solcher reflektierter Wellen Signalstörungen auftreten. Selbstverständlich kann das auch durch geeignete Formuqgdes Festkörpers 1 erreicht werden.The solid body intended to generate the elastic wave consists of a piezoelectric element such as BaTiO ,, Quartz, CdS, GaAs, etc. It is also desirable to use absorber plates to weaken the reflected waves, so that signal interference does not occur due to such reflected waves. Of course it can too can be achieved by suitable Formuqgdes solid body 1.
Eine Ausführungsform der Erfindung soll nun im einzelnen beschrieben werden:One embodiment of the invention will now be detailed to be discribed:
Als Festkörper 1 wurde ein Si-Halbleiter verwendet.A Si semiconductor was used as the solid 1.
-7-209810/1481 f -7-209810 / 1481 f
Ein Strahl von Cu-Ionen wurde rasterartig über die Si-Oberflache geführt, so daß die Gu-Atome in Übereinstimmung mit einem Bildsignal dem Silizium zugesetzt wurden. Der Durchmesser des Strahlpunktes betrug dabei 25 Ji.A beam of Cu ions was grid-like across the Si surface guided so that the Gu atoms were added to the silicon in accordance with an image signal. The diameter the beam point was 25 Ji.
Auf diese Weise wurde an einem Siliziumkristall mit 20 χ 20 mm eine Speicherspur von 4 m Länge hergestellt. Die Ionenstrahldichte und die Geschwindigkeit der impulsartigen elastischen Welle konnten durch Phasensteuerung geändert bzw. herabgesetzt werden. Auf diese Weise erhält man eine mit einer herkömmlichen Aufzeichnungsplatte vergleichbare Aufzeichnungsvorrichtung. Tonsignale wurden damit erfolgreich aufgenommen .In this way, a memory track 4 m long was produced on a silicon crystal measuring 20 × 20 mm. the Ion beam density and the speed of the pulsed elastic wave could be changed or changed by phase control. be reduced. In this way, a recording apparatus comparable to a conventional recording disk can be obtained. Sound signals were successfully recorded with it.
Ist das Ionenstrahlmuster ein Bild, so kann das Bildsignal auf ähnliche Weise aufgezeichnet werden.If the ion beam pattern is an image, the image signal can recorded in a similar manner.
Bildet man weiter im Festkörper 1 eine p-n-Grenzschicht oder eine Schottky-Sperrschicht aus und bringt den Tiefniveau-Störstoff in der Nachbarschaft dieser Grenzschicht ein, so erhält man auch für elastische Wellen geringer Ausgangsgröße eine verbesserte Empfindlichkeit.If one continues to form a p-n boundary layer in the solid body 1 or a Schottky barrier layer and brings the low level interfering material in the vicinity of this boundary layer, one obtains a small output size even for elastic waves improved sensitivity.
Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß die erfindungsgemäße Aufzeichnungsvorrichtung ein völlig neues Prin-From the above description it follows that the recording device according to the invention is a completely new prin-
-8--8th-
209810/ U81209810 / U81
zip verwendet, bei kleiner Größe ohne bewegliche Teile auskommt und für die verschiedensten Verwendungszwecke geeignet ist.zip is used, has no moving parts in its small size and is suitable for a wide variety of purposes is.
209810/U81209810 / U81
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336667 | 1967-08-18 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1774685A1 true DE1774685A1 (en) | 1972-03-02 |
| DE1774685B2 DE1774685B2 (en) | 1973-05-03 |
| DE1774685C3 DE1774685C3 (en) | 1973-11-22 |
Family
ID=12940798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1774685A Expired DE1774685C3 (en) | 1967-08-18 | 1968-08-16 | Recording and reproducing device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3623025A (en) |
| DE (1) | DE1774685C3 (en) |
| FR (1) | FR1576272A (en) |
| GB (1) | GB1242085A (en) |
| NL (1) | NL145382B (en) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3144520A (en) * | 1958-05-19 | 1964-08-11 | Levin Simon | Magnetostrictive record and recording apparatus |
| BE624904A (en) * | 1961-11-17 | |||
| US3145372A (en) * | 1962-08-27 | 1964-08-18 | Ibm | Magnetostrictive thin film delay line |
| US3134099A (en) * | 1962-12-21 | 1964-05-19 | Ibm | Ultrasonic data converter |
| US3296555A (en) * | 1964-10-08 | 1967-01-03 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature-stable sonic transmission elements comprising crystalline materials containing jahn-teller ions |
| US3440113A (en) * | 1966-09-19 | 1969-04-22 | Westinghouse Electric Corp | Process for diffusing gold into semiconductor material |
-
1968
- 1968-07-30 GB GB36370/68A patent/GB1242085A/en not_active Expired
- 1968-08-13 US US752294A patent/US3623025A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-08-14 FR FR1576272D patent/FR1576272A/fr not_active Expired
- 1968-08-15 NL NL686811628A patent/NL145382B/en not_active IP Right Cessation
- 1968-08-16 DE DE1774685A patent/DE1774685C3/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6811628A (en) | 1969-02-20 |
| DE1774685C3 (en) | 1973-11-22 |
| NL145382B (en) | 1975-03-17 |
| US3623025A (en) | 1971-11-23 |
| FR1576272A (en) | 1969-07-25 |
| DE1774685B2 (en) | 1973-05-03 |
| GB1242085A (en) | 1971-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1905945A1 (en) | Focal plane shutter assembly | |
| EP0076544A1 (en) | Magneto-optic modulator | |
| DE1946815B2 (en) | ARRANGEMENT FOR ELECTROSTATIC RECORDING | |
| DE2437337A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLABLE DELAYING ELECTRICAL SIGNALS | |
| DE1572359A1 (en) | Reusable image plate | |
| DE2821421A1 (en) | CONVERTING SCAN DISPLAY SYSTEM | |
| DE1264508B (en) | Magnetic shift register | |
| DE1512544A1 (en) | Run-time pulse generator | |
| DE1774685A1 (en) | Recording device | |
| DE1762541B1 (en) | Method and circuit arrangement for the selection or elimination of pulses from a pulse train with intervals of different lengths | |
| DE2656595B2 (en) | Charge-transferring semiconductor device | |
| DE1541413B2 (en) | ARRANGEMENT FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC SHOCK WAVE VIBRATIONS | |
| DE1261164B (en) | Electro-optical logic circuit | |
| DE2656154A1 (en) | Two or three dimensional matrix, electroacoustic transducer - is for electrical generation of acoustic surface wave or for acoustic wave generation of electric signal (OE 15.6.77) | |
| DE1963986A1 (en) | Magnetic layer storage element | |
| DE2102854C3 (en) | Method for producing a read-only memory | |
| DE2649309B2 (en) | Binary clocked sense amplifier | |
| DE2539795A1 (en) | GENERATOR FOR GENERATING MAGNETIC BUBBLE DOMAAS | |
| DE1241162B (en) | Method and arrangement for scanning characters | |
| DE2404237A1 (en) | INTEGRATED SEMICONDUCTOR COMPONENT FOR LINE-SHAPED SCANNING OF AN IMAGE | |
| DE2063115A1 (en) | Method for changing the difference between the transit time of oscillation pulses through an elastic medium and device for pulse signal processing with the aid of such a method | |
| DE2657562A1 (en) | Solid-state image scanner | |
| DE2549848C3 (en) | Information storage device using elastic waves | |
| DE1950027A1 (en) | Electrophotographic printing device | |
| DE2045843C3 (en) | Electron beam storage device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EF | Willingness to grant licences | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |