DE1764744A1 - Electrical component with a superconductor, coupled with adjacent ferromagnetic materials - Google Patents

Electrical component with a superconductor, coupled with adjacent ferromagnetic materials

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DE1764744A1 DE19681764744 DE1764744A DE1764744A1 DE 1764744 A1 DE1764744 A1 DE 1764744A1 DE 19681764744 DE19681764744 DE 19681764744 DE 1764744 A DE1764744 A DE 1764744A DE 1764744 A1 DE1764744 A1 DE 1764744A1
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Description

Elektrisches Bauelement mit einem Supraleiter, gekoppelt mit angrenzenden Ferromagnetika Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement, mit einem Supraleiter, gekoppelt mit Ferromagnetika. In "Physics Letters", Bd. 25, Nr. 1, Oktober 1966, Seiten 10 und 11 hat de Gennes einen Effekt beschrieben, der sich aus einer Kopplung zwischen Ferromagnetika und einem Supraleiter ergibt. Das Auftreten dieses Effektes wird für solche Änordnungen angegeben, bei denen zwei elektrisch isolierende Ferromagnetika eine nicht zu dicke supraleitende Schicht zwischen sich einschließen. Nach dem de Gennes-Effekt hängt das Umschalten vom Winkel zwischen den in der Schichtebene liegenden augenblicklichen Magnetisierungen der Ferromagnetika ab. Für Werte des Winkels größer als ein kritischer Winkel 80 ist die Wechselwirkungsenergie zwischen den Ferromagnetika und den Supraleiter kleiner als die Energielücke des Supraleiters. Für Werte kleiner--0, herrscht Normalleitung in dem sonst an sich supraleitenden Material. @..1@1!: fgabe der Erfindung iwt es, ein elektrisches bau- elcr.:ent anzugeben, bei dem der zunächst nur theoretisch vcr:aisgesagte de Gennes-Effekt realisier-, und pr aktis-,1"i nuo-eiiu-tzt ist. Insbesondere soll ein solches Bauelement als Sreicherelement für eine ;@heichera nordnung ausgebil- det- sein. Line andere. Ergänzung der Aufgabenstellung ist e, solches Da_ielement für logische Verknüpfungen an- ,vendbt:r zu machen und dafür zu verwenden. Gelöst wird diese i',ufgabe erfindungsgemäß durch ein elek- trisches Bauelement i:iit einer elektrischen Leitungsbahn in Form eines dünnen Streifens aus einem sunralei ,fähigem @'#per i@;l, das im Zusammenwirken mit den :,@agne @isierun@jen u-:iittelbur benaciibül-ter, ferromagnetischer Schichten, deren jct:ciligc l;oer zitivfeld:rtä rke und/oder deren je%-;eilige maf;- ::c tische Anisotropie voneinander unterschiedlich is t-, ab- h:;ngiG von der Wahl der elektrischen Leitfähigkeit dieser Schichten, bei einem kritischen Winkel 9 zwischen den Ma- gnetisierungen in der Schichtebene einen gbergang (nach de Gennes) zwischen Supraleitung und Normalleitung, bzw. umge- lehrt aufweist und mit einem odermehreren'elekttischen Lei- tern, wobei diese Leiter, die Schichten und die Leitungsbahn :ueinander so angeordnet sind, d aß ein elektrischer Strom- fluß durch einen oder durch mehrere solcher Leiter eine sol- :jhe Veränderung der Tlagnotisierungsrichtung in wenigstens einer der Schichten und damit des Winkels zwischen den Magne- tisierungen der Schichten 'bewirken kann, daß ein Übergang in dcr Leitungsbahn eintritt. Der Begriff "Schicht",im Zusammenhang mit ferromagnetischer S-hicht ist hier im Sinne der Erfindung weitgefaßt zu vers-'4c:- hen. i31c Verwendung der rerromagnetika in Form von dünnen Schich- 4en ist zur Lösung dieser Aufgabe besonders vorteilhaft. Es wurde gefunden, daß es besonders günstig ist, wenn die Schichten eine geringe elektrische Zeitfähigkeit aufweisen, wie sie bei Halbleitern vorliegen kann und wofür hier die Begriffe "halbleitend", bzw. "Halbleiter" verwendet werden. Insbesondere wurde festgestellt, daß der Wert des kritischen Winkels 9C von der Höhe dieser Zeitfähigkeit abhängig ist. Erfindungsgemäß wird also durch bezüglich der Zeitfähigkeit getroffene Auswahl und/oder Dotierung des Materials für die Schichten der Winkel 9C festgelegt. Für die erfindungsgemäße Anordnung eignen sich besonders die bei entsprechend tiefen Temperaturen ferromagnetischen Chalkogenide der Seltenen Erden, z.B. Europiumsulfid oder -oxid oder halbleitende Chromsulfo- oder Chromseleno-Spinelle, z.13. CdCr2 Se 44 Bei ihnen rührt der Magnetismus von Ionen im S-Zustand her. Es eignen sich aber auch ferromagnetische Oxide mit anderen Ionen der sogenaxinten 3-d-Übergangselemente, wie Nickel, Eisen, Kobalt, Mangan oder Chrom, so z.B. ein Ferrit mit dreiwertigen Eisenionen. Als besonders geeignet erweisen sich auch halbleitende ferromagnetische Chalkogenide, bei enen positiv zweiwertige Ionen, insbesondere des Europiums, teilweise durcn positiv dreiwertige Ionen magnetischer Ubergangselemente substituiert sind. Bei derartigen Stoffen läßt sich die elektrische Leitf-hi.gkeit vorte-i lha* :;erweise auf für den de Gennes-Effekt besonders günstige Werte einstellen. t3esonders vorteilhaft für das erfi.nuiingsgemäße elektrische Bauelement ist es, wenn die ferromagnetischen Schichten von sich aus eine uniaxiale magnetische Anisotropie aufweisen. Der Winkel zwischen-den entsprechenden Anisotropieachsen der beteiligten Ferromagnetika kann bereits so vorgegeben werden, wie dies für den jeweiligen Anwendungsfall der, erfindungsgemäßen supraleitenden Speicheranordnung besonders günstig ist. Es kann z.B. ein Winkel gewählt werden, der nahezu gleich dem kritischen Winkel ist, so daß nur noch eine geringe Drehung der Magnetisierung wenigstens .einer der Schichten erforderlich ist, um das gewünschte Umschalten zu bewirken. ,..Electrical component with a superconductor, coupled with adjoining ferromagnetic materials. The invention relates to an electrical component with a superconductor, coupled with ferromagnetic materials. In "Physics Letters", Vol. 25, No. 1, October 1966, pages 10 and 11, de Gennes described an effect which results from a coupling between ferromagnetic materials and a superconductor. The occurrence of this effect is indicated for arrangements in which two electrically insulating ferromagnetic materials enclose a superconducting layer that is not too thick between them. According to the de Gennes effect, the switching depends on the angle between the instantaneous magnetizations of the ferromagnetic materials in the plane of the layer. For values of the angle greater than a critical angle 80 , the interaction energy between the ferromagnetic materials and the superconductor is smaller than the energy gap of the superconductor. For values less than - 0, normal conduction prevails in the otherwise superconducting material. @ .. 1 @ 1 !: The invention is based on an electrical construction elcr.:ent to be specified, in which the initially only theoretically vcr: the said de Gennes effect realisier-, and pr aktis-, 1 "i nuo-eiiu-tzt is. In particular, such a component should as a string element for a; @heichera arrangement trained det- be. Line others. Supplement to the task e, such a data element for logical links to , vendbt: r to make and use for it. According to the invention, this problem is solved by an electrical tric component i: iit an electrical conduction path in the form of a thin strip of a sunralei, capable @ '# per i @; l, which works in conjunction with the:, @ agne @ isierun @ jen u-: iittelbur benaciibül-ter, ferromagnetic layers, their jct: ciligc l; oer zitivfeld: rtärke and / or their% -; urgent maf; - :: c tical anisotropy is different from one another, ab- h:; ngiG on the choice of the electrical conductivity of this Layers, at a critical angle 9 between the ma- gnetization in the layer level a transition (according to de Gennes) between superconductivity and normal conduction, or vice versa teaches and with one or more 'electrical tern, with these conductors, the layers and the conductive path : are arranged in such a way that an electric current flow through one or more such conductors such as : jhe change in the direction of tlagnotization in at least one of the layers and thus the angle between the magnets tization of the layers' can cause a transition in the duct enters. The term "layer", in connection with ferromagnetic S-hicht is here in the context of the invention broadly to vers-'4c: - hen. i31c Use of rerromagnetics in the form of thin layers 4en is particularly advantageous for solving this problem. It has been found that it is particularly favorable if the layers have a low electrical time capability, as can be the case with semiconductors and for which the terms “semiconducting” or “semiconductor” are used here. In particular , it was found that the value of the critical angle 9C is dependent on the magnitude of this time capability. According to the invention, the selection and / or doping of the material for the layers made with regard to the time capability determines the angle 9C. The chalcogenides of the rare earths which are ferromagnetic at correspondingly low temperatures, for example europium sulfide or oxide or semiconducting chromium sulfo or chromium seleno spinels, e.g. 13, are particularly suitable for the arrangement according to the invention. CdCr2 Se 44 Their magnetism comes from ions in the S state. However, ferromagnetic oxides with other ions of the so-called 3-d transition elements, such as nickel, iron, cobalt, manganese or chromium, such as a ferrite with trivalent iron ions, are also suitable. Semiconducting ferromagnetic chalcogenides also prove to be particularly suitable, in the case of positive divalent ions, in particular of europium, being partially substituted by positive trivalent ions of magnetic transition elements. In the case of such substances, the electrical conductivity can be adjusted to values that are particularly favorable for the de Gennes effect. It is particularly advantageous for the electrical component according to the invention if the ferromagnetic layers inherently have a uniaxial magnetic anisotropy. The angle between the corresponding anisotropy axes of the ferromagnetic materials involved can already be specified in such a way as is particularly favorable for the respective application of the superconducting storage arrangement according to the invention. For example, an angle can be selected which is almost equal to the critical angle, so that only a slight rotation of the magnetization of at least one of the layers is required in order to bring about the desired switching. , ..

Für eine ferromagne-Lische Aufdampfschicht kann die Anisotropfe in vielen Fällen bereits bei der Herstellung der Schicht, etvra durch Aufdampfen in einem äußeren Magnetfeld, erzwungen vterden. F,ine spezielle, Ausgestaltung der Erfindung geht dahin,, einer,- aus vrelchen Gründen auch immer, isotropen Schicht.eine.per- manent magnetisierte Zusatzschicht derart zuzuordnen, daß die Schicht wenigstens für den hier beabsichtigten Zvreck ausreichend anisotrop erscheint. ;, Fig. 1 zeigt in sphemati"scher,Darstellung -eine Ausführungs-> , form eines elektrischen Bauelementes--nach ;der Erfindung." ; , Mit 23 ist die Leitungsbahn aus supraleitfähigem Material bezeichnet. Sie befindet sich ivrischen zwei, z.D. echt.-,. .:. eckigen oder krei;sförigen ferromagne.tischen Schichten 21 und 22, die, dem besseren Verständnis halber, etwas gegen- einander versetzt dargestellt sind. Mit Vist ein elektri scher Leiter bezeichnet, der,so.angeordnet ist,daß das, . I:agnetfeld einem. durch ihn fließenden Stromes gegenüber dem Ruhezustand eine Änderüng., der in der Schichtebene , 2ie-,. , ;-r genden -P4agnetisierungen wenigstens einer d:ex.: Schichten der- :"..-t art bewirkt,.daß eine Veränderung des Winkele zwischen den :. w Magnetisierungen eintritt..Die Veränderung des.Winkels soll, . derart sein, daß ein Überschreiten oder Unterschreiten des kritischen Winkels.8@ .eintritt, so. daß in. der. Leitungsbahn 23, etira. ; in dem schraffiert ,dargestellten ßere:.ch 29,', : en ,@`ber- gang nach de Gennea.von der-Normalleitung,iM:de"gupraler, tun, oder umgekehrt eintritt . -Ein : solcher , Uberpng:mach:t . ; 3 sicä@n. der Leitungsbahn 23 ;als.-Ändei@ung. der@.:_e,ktri.schen Widerstandes bemerkbar;-und,.kenn in entsprep4ender;;#Ve,.ige;-est-- gestellt und ausgewertet werden. , ..., . Gegebenenfalls ist zwischen dem Leiter 7 und der ihm unmittelbar benachbarten Schicht eine elektrische Isolation vorgesehen. Die Ausrichtung des Leiters 7, gegebenenfalls auch die Stromrichtung durch diesen Leiter und die Magnetisierungsrichtungen in den Schichten sind an sich frei vrähltar bezogen auf die Zeitungsbahn 23, sie sind jedoch alle voneinander abhängig. Die Schichten sind so ausgedehnt, wie dies für das erfindungsgemäß stromgesteuerte Umschalten des Bereiches 29 in 21 erforderlich und zweckmäßig ist. Vorzugsweise sind die Schichten derart streifenförmig, daß sie von dem wirksamen I.Iagnetfeld des im Leiter fließenden Stromes im wesentlichen vollständig erfaßt werden. Insbesondere ist, etwa durch eine Zwischenschicht,'dafür gesorgt, daß auch in den Bereichen, in denen die Schichten nicht mehr durch das Material der Leitungsbahn ohnehin voneinander getrennt sind, keine störenden magnetischen Kopplungen der Schichten untereinander auftreten. Insbesondere sind der oder die Leiter aus einem supraleitendem Material, das auch im Betrieb supraleitend bleibt. Noch weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der Beschreibung zu den Figuren eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiels, insbesondere für die Anwendung des erfindungsgemäßen Bauelementes in einer neuen Speicheranordnung, hervor. Schematisch zeigen Fig. 2 die Aufsicht und r Fig. 3 einen Querschnitt eines Bauelemente, geeignet als Speicherzelle einer Speicheranordnung. 24,F25 und 26 sind elektrisch isolierende Schichten. 27 und 28 sind, sich kreu- zendyjgegeneinander isolierte elektrische leiter, die hier ein rechtwinkliges Achsenkreuz miteinanderbilden. Der schraf- fierte Bereich deutet wieder inetwa den Orb an, an dem durch entsprechende koinzidente Stromflüsse durch die Leiter 27 unc3_ ::r"';: t- 28 infolge von Veränderungen der etisierungs- richtungen in 21 und 22 ein Umschalten in 23 bewirkt Tiergen kann. 30 ist ein insbesondere supraleitender Trüger, der vorzug weise auch als elektrische Rückleitung u:zd/oder als magnetische Abschirmung herangezogen wird. In der erfindungsgemäßen Anordnung vierten in der. ferro- ßagne tika, hier in deii Streifen 21 und22, bestimmte 1.Ia- enetisierungszustände gespeichert, die dann durch den jeweils supraleitenden oder normalleitenden Zustand der %eitungßba hn 23 erkennt :werden können. Eine Anzahl derartiger Elemente kann gemäß einer 1`leiter- bildung der Erfindung, vorzugsweise in der Ar-:: einer iiätrix angeordnet, zu einer Speicheranordnung mit kreuz- weise verlaufenden Leitern der Annteuermatrix -usanmen- geschaltet trerden: Das Eindchreiben und auslesen von binCH:rer Information bei einer, der Weiterbildung der Erfindung gemäßen, SFeicheran-- ordnung kann in mehrfacher Weise erfolgen:: Das Einschreiben kann in der Voise durchgeführt werden, ,..aß zwei koinzidente positive oder negative Stromimpulpe in die Leiter eingegeben vierten. Durch die entsprechenden magnetischen 2eldimpulse werden die äichtungen der biagne=, tinierungen jeder der beiden Ferromagnetika vorübergehend in die Richturig der resultierenden Feldstarke, das ist et- :ra in die Richtung der Winkelhalbierenden, zwischen den .agnotisierun'en In Ruhezustand, gedreht. Aus der Richtung der Winkelhal Ie.xenden fallen die Magnetisieruugen dann nach den Ende ydaz lmpuläes in die .jeweils nächetliegende Richturig der. ichten Achse zurück. Diaenetisierungen in den gle positiv 8 enommenen Richtungen dir leichten - Achsen sein die blnhrä 't 1 : 33ie dazu uwgativen Rlc@,tungen stellen dann die biniie u0 dar. Zum zerotöru freien Auslonen dtr so jeepeIcherten Inforr- ma%ion spcint Amen zwei -COin$tdente PC pttive StxonimpUlee #h die sich am abzufragenden Ort kreuzenden Leiter ein. Ihre Amplitude wird so groß gel7ählt, daß die Schichten noch nicht durch kohärente Drehungen geschaltet, wohl aber die augenblicklichen I:iagnetisierüngsrichtungen etwas aus der Richtung der-leichten Achsen herausgedreht werden können. Je nach eingespeicherter "1" oder "0" wird bei einem solchen Lesevorgang der Winkel zwischen den Magnetisierungen vorübergehend verkleinert oder vergrößert. Der Viinkel zwischen den leichten Achsen und das Maß der Drehungen sind aber erfindungsgemäß so gewählt, daß die beim hier beschriebenen Leseprozeß auftretende Winkelvei,ind-eruiig bei eingespeicherter "1" zu einem de Gennes-Übergang in der Leitungsbahn, bei eingespeicherter "0" dagegen zu keinem Übergang führt. Dieser iwergang, d.h. die Normalleitung, ist in dem Stromkreis mit der Leitungsbahn als elektrischer Impuls bemerkbar. Entsprechend einer anderen erfindungsgemäßen Methode zum Einschreiben binärer Information wird durch den einen Leiter ein solcher Stromimpuls geschickt, der einen als positiv angenommenen Magnetfeldimpuls in der diesem Leiter zugehörigen Schicht wirken läßt. In dem anderen, dazu krev.zweise verlaufenden Leiter wird -je nach Information, d.h. binärer "0" oder "1t1, ein solcher Impuls eingespeichert, der ein als positiv@oder.alä negativ bezeichnet, gerichtetes Magnetfeld in der anderen Schicht-wirksam werden läßt. Die Magnetisierung der durch diceeri Schreibimpuls gesteuerten Schicht ist danach in jener:pofitiven oder negativen Richtung ausgerichtet. Zum zerstörungsfreien Auslesen wird nun durch den hier letztgenannten Leiter ein solcher Impuls geschickt, der die beim Schreiben stets 3n gleichble'iberider Richtung magnetisierte Schicht um einen äusr&ichend großen Winkel im positiven oder negativen Sinne dreht, aber noch kein Umschalten der Magnetisierung in der anderen Schicht bewirken kann. Diese Drehung der Mag netislierung führt dann je nach gespeicherter Ausrichtung der Magnetisierung in der anderen Schicht zu einer Vergrößerung oder Verkleinerung dep augenblicklichen Winkels zwischen den Magnetisierungen der Schichten. Die Verkleinerung ist erfindungsgemäß so groß zu bemessen, daß es zu einem Übergang in die Normalleitung kommt. Eine Drehung in der anderen Richtung läßt den Winkel größer werden, so daß kein Übergang eintritt. Das zuletzt beschriebene Schreib- und Leseverfahren eignet sich besonders zum simultanen Auslesen bei einem vrortorganisierten Speicher, pro alle gespeicherten Bits einer Zeile oder einer Spalte der 14iatrix gleichzeitig abgefragt werden. Das an erster Stelle beschriebene Verfahren des Einschreibens und Auslesens ist vorzugsweise für.bit-organisierte Speicher geeignet. Ein großer technischer Vorteil dererfindungsgemäßen Speicheranordnung ist, daß die ferromagnetischen Schichten hier durehvregs sehr dünn sein können, so daß das stets gefürchtete Wandkriechen und andere bei-dickeren ferromagnetischen Schichten beobachtete Störeffekte rieitgehend vermieden vrerden können. Eine andere Vreiterbildung der Erfindung ist die Ausbildung und/oder Anvrendung eines elektrischen Bauelementes nach dem Prinzip der Erfindung zur Durchführung logischer Verknüpfungen. Einzelheiten für diese Weiterbildung vierden dem einfachen Verständnis halber anhand der Beschreibungen zu den weiteren Figuren 4 bis 12 für eine Anzahl von Beispielen von Schaltelementen für verschiedene logische Verküpfungen erläutert. Dazu sei darauf hingewiesen, daß insbesondere die angegebenen, jeweils angenommenen Magnetisierungsrichtungen als Beispiele zu verstehen sind. Für die Funktion der "Konjunktion" kann ein-; wie in den Figuren 2 und 3 dargestelltes, Bauelement verwendet vier-. den. . Wie die Figur 4 andeutet, sollen die Magnetisierungen M1 und 112 der Schichten 21 und 22 einen Winkel wesentlich größer als der kritische Winkel 9G, insbesondere einen rechten Winkel miteinander einschließen. Im Falle des Stromflusses durch nur eine der Leitungen 27 oder 28 kommt es zu den gestrichelt angedeuteten Magnetisierungsrichtungen P:21' oder P12'. Fließen jedoch entsprechend bemessene Ströme koinzident durch beide Leiter 27 und 28, so wird in beiden Schichten die angenommene Verdrehung in die Richtungen M1 ' und M2' bewirkt. Die, Richtungen schließen dann einen Winkel niteinander ein, der erfindungsgemäß kleiner als der kritische Winkel 8G ist. Die koinzidenten Stromflüsse bewirken also, daß die supraleitende Schicht 23 im Bereich 29 in die Normalleitung übergeht, und daß somit im Stromkreis von 23 ein Signal auftritt. Ein Stromfluß in nur einen Leiter oder ausbleibender Stromfluß führt, wie im Falle der Speicherzelle, dagegen zu keinem Signal, was der Funktion der "Konjunktion" entspricht. Die logische Verknüpfung der "Negation" kann mit einer Anordnung nach Fig. 1 ausgeführt vzerden. Die Magnetisierungs-Dichtungen der Schichten sind hierfür jedoch- angenommener-:-reise so ausgerichtet, wie dies Fig. 5 zeigt. P11 und 1,i2 schließen einen Winkel kleiner als AG ein. Ein entsprechend bemessener Stro±fluß durch den Leiter 7 soll auf die Magnetisierungen derart i1irken, daß P:11 in die Richtung 141 ' gedreht wird und 1,I2 in seiner ursprünglichen Richtung verbleibt, d.h. nicht in die Gegenrichtung umklappt. Die Drehung von P11 soll derart groß sein, daß der Winkel zwischen M2 und I11 größer als 8G ist. Bei dieser Anordnung tritt ein Signal im Kreis des Supraleiters 21 dann auf, wenn kein Strom durch 25 fließt, wohingegen bei Stromfluß kein Signal an 23 auftritt. Die Funktion der "Disjunktion", bei der ein Signal auftreten soll, wenn ein Strom durch entweder einen Leiter oder dinen anderen Leiter fließt, kann mit einer Anordnung nach Fig. 6 ausgeführt werden. Im Grunde genommen enthält Fig. 6 zwei, bezüglich des Supraleiters.23 hinterenandergeschaltete Ble- r.:ente,. wie sie in Grunde genommen; in den I#'iguien'1@7 und. 3, an--, gegeben sind. Die einander:entsprechenaen Teile der nadnge-_ schalteten Anordnung sind mit den Bezugszecher 121,122 und; 107 bezeichnet.. Die 1,Isghetisz:erungezi. der Schichtken 21, 22' und 121 und 122 sind angeüommcnen-ieise entsprechend dem Fall der Konjunktion" crie izi Fig: 7 dargestellt, ausgerichtet. min entsprechend bemessener Stromfluß durch. einender Leiter 7 oder 107 dreht die I1agnet;isierungen> ?:I1 ,. bzw. il 1 in die dich- tungen 1.I1 , bzw., 1.111., Der von 1.1,11 und ?,i2, bzw: 1l2 und. I12'` eingeschlossene Winkel;: ist: jeweils kleiner als 8C*. Ein: Strom- fluß durch eine der Leitungen 7 oder 107,. oder durch., heida Zeitungen erzeugt, stets ein Signal an 23.. Die sogenanntc "ShefferfUnktion",, bei der denn uni, nur dahw, kein Signal. auftreten: ao:T,vrenn. in, zviei?,i,tern"" k.oinzidentwsr- Stramfluß. varli;egt::,, läßt, slnh". mit einer Anordnung,, wie: az;, in, rig... 6 darge$t,el.lt :#gt,,. realisieren-., Jedoch sind: her, U@ Lagnetiserungen dir Snhlchtgna 21" 22 und', 121:,: 122 z..-B'». zue- einander vife im palleder,< »r.gatictn., auagerichtet. Diese, Ach--: ri,chtung; zeigt. Fige, a#4. I im Ruhegue.°tandvon: M1, und 1@,. wr.@t, und.:2 eingssnh:oasenen.. 19dnkelx ai.ndkleiner., a:'s der: Irt:-. sehe Winkel.. hur in. dew Pa,. in; dem. sowohl, durch, 7:. alß' aun durch 1077 ein entspra.chipnd:: groß beweseeher Strom, fllsgt" vier- den:: in beiden, Schlchtpren, die eingeschloneanen;1YInkeI# gr4#-e@ als. der.. krit,isehe:,. Wkel,;.daß, die im@. RUheza#tand: im. supx nanh, der 1xtiu@ta: ^#n#::,4v Z,#eaabar x.h@ d's. f nw 1T,x 21.- un4@ 3': dn.s.'1=,x,."t. aind¢ 2:3 @1r..c@ildt: arte: P.aa;s.k vtan=. Silb4tttquni> 22't$;212,, ei, dchpe@ d:, so daß das resultierende Magnetfeld in ihnen fließender, gleichgroßcr koinzidenter Ströme sich in 23 im wesentlichen aufhebt. Die Stromflüsse der zu verknüpfenden Informationen durch die Leiter 7 und 207 fließen aber, wie die Pfeile andeuten, in antiparalleler Richtung. Fig. 10 zeigt ein Beiopiel für die Magnetisierungen in den Schichten 21;22 und 221;222. Ein entsprechend bemessener Stromfluß durch den Leiter 7 dreht die Magnetisierung M1 in die Richtung LI1' und die Magnetisierung 21 in die Richtung 21 ' . Dabei wird wegen des Unterschreiteno des kritischen Winkels zwischen M1' und M2 ein Übergang in die Normalleitung bewirkt. Im Bereich der Schichten 221, 222 herrscht weiterhin Supraleitung, da der Winkel zwischen M2 und 21 1 größer als ß0 bleibt. Auch hier ist darauf zu achten, daß die Stromflüsse kein Umschalten der Magnetisierungen in den einzelnen Schichten mit absichtlich unveränderter Magnetisierung M2 und 22 bewirken. Der gleichgroßc, entgegengesetzt gerichtete Stromfluß durch den Leiter 207 bewirkt z.B. eine Drehung von M1 in die Richtung M1" und von I21 in die Richtung 21". In diesem Falle wird ;?3 im Bereich der Schichten 221, 222 normalleitend und bleibt supraleitend im Bereich der Schichten 21 und 22. Entsprechend der Pierce-Funktion entsteht im Kreis des Supraleiters 23 stets dann ein Signal, wenn in einer der beiden Leitungen 7, 207 ein Stromfluß vorliekt. Es entsteht aber kein Signal, wenn in keinem oder in beiden Leitern gleichzeitig ein antiparalleler Strom fließt. Eine ebenfalls ,ganz schematische Darstellung eines A.usführungsbeispieles für die Funktiön der "Äquivalenz" zeigt die Figur 11. Der streifenförmige Supraleiter 23 verläuft hier zwischen drei Paaren von magnetischen Schichten 21, 22;121, 122 und 321, 322. Im Bereich der Schichten 21, 22 und 121,122 verlaufen die Leiter derart benachbart, bzw. übereinanderliegend, daß die magnetischen Wirkungen in ihnen fließender Ströme etwä am gleichen Ort dieser Schichten auftreten. Im Bereich der Schichten 321, 322 jedoch verlaufen 7 und 307 kreuzweise zueinander, vorzugsweise mit einem Kreuzungswinkel von 90o. Der Kreuzungspunkt fällt dabei im wesentlichen in den Bereich der Zeitungsbahn 23. Fig. 12 gibt ein Beispiel für Magnetisierungen für ein Ausführungsbeispiel nach.Fig..11. Die I.Iagnetisierungen in den Schichten 21 und 22'und 121 und 122 sind entsprechend denen beim Ausführungsbeispiel zur Shefferfunktion. Ein Stromfluß durch einen der heiter vergrößert den Winkel auf Werte größer als es dem kritischen Winkel entspricht. Die Magnetiyierungen fl' der Schichten 321, 322 sind so ausgerichtet, daß, wie im Falle der Konjunktion, erst ein koinzidenter Stromfluß durch 7 und 307 eine Verringerung des Winkels zwischen den Magnetisierungen 1' und f.121 unter den Wert des kritischen Winkels bewirkt. Im Falle der Äquivalenz tritt ein Signal an 23 in den Fällen auf, in denen entweder kein Strom fließt oder ein koinzidenter Strom fließt. Durch sinngemäße Kombination der angegebenen Elemente können noch weitere Funktionen durch logische Verknüpfungen nach der Erfindung angegeben werden:For a ferromagnetic vapor deposition layer, the anisotropy can in many cases already be enforced during the production of the layer, e.g. by vapor deposition in an external magnetic field. F, ine special, embodiment of the invention goes as follows, one, - for various reasons, isotropic layer. a.per- Manent magnetized additional layer to be assigned in such a way that the shift at least for the purpose intended here appears sufficiently anisotropic. ;, Fig. 1 shows in sphemati "shear, representation -an execution->, shape of an electrical component - according to; the invention. ";, At 23, the conductor track is made of superconductive material designated. It is located in the Ivorian two, zD real.- ,. .:. angular or circular; ferromagne-tic layers 21 and 22, which, for the sake of better understanding, are shown offset from one another. With Vist an electric shear conductor, which is so arranged that the,. I: agnetfeld one. opposite the current flowing through it a change to the idle state, which occurs in the layer level, 2ie- ,. ,; -r genden -P4agnetizations at least one d: ex .: layers of-: "..- t art causes .that a change in the angle between the:. w Magnetization occurs. The change in the .angle should,. be such that exceeding or falling below the critical angle. 8 @. entrance, so. that in. the. Line 23, etira. ; in the hatched, shown outer: .ch 29, ',: en, @ `ber- walk to de Gennea. from the normal line, iM: de "gupraler, do, or vice versa. -A: such, Uberpng: mach: t. ; 3 sicä @ n. the line 23; als.-Ändei@ung. der @.: _ e, ktri.schen Resistance noticeable; -and, .kenn in corresponding ;; # Ve, .ige; -est-- are provided and evaluated. , ...,. If necessary, electrical insulation is provided between the conductor 7 and the layer immediately adjacent to it. The orientation of the conductor 7, possibly also the direction of current through this conductor and the directions of magnetization in the layers are inherently freely variable in relation to the newspaper web 23, but they are all dependent on one another. The layers are extended as is necessary and expedient for the current-controlled switching of the area 29 in FIG. 21 according to the invention. The layers are preferably strip-shaped in such a way that they are essentially completely covered by the effective magnetic field of the current flowing in the conductor. In particular, it is ensured, for example by means of an intermediate layer, that no disruptive magnetic coupling between the layers occurs even in the areas in which the layers are no longer separated from one another by the material of the conduction path. In particular, the conductor or conductors are made of a superconducting material that remains superconducting even during operation. Still further details of the invention emerge from the description of the figures of a further preferred exemplary embodiment, in particular for the use of the component according to the invention in a new memory arrangement. FIG. 2 schematically shows the top view and FIG. 3 shows a cross section of a component suitable as a memory cell of a memory arrangement. 24, F25 and 26 are electrically insulating layers. 27 and 28 are zendyj against each other insulated electrical conductors here form a right-angled axis cross with each other. The sharp The fused area again indicates the orb through which corresponding coincident current flows through the conductors 27 unc3_ :: r "';: t- 28 as a result of changes in the directions in 21 and 22 switching to 23 causes animal genes can. 30 is a particularly superconducting carrier, preferably also as an electrical return line u: zd / or is used as a magnetic shield. In the arrangement according to the invention fourth in the. ferro- ßagne tika, here in strips 21 and 22, certain 1st Ia- enetization states are saved, which are then processed by the respectively superconducting or normally conducting state of % eitungßba hn 23 recognizes: can be. A number of such elements can Formation of the invention, preferably in the ar- :: a iiätrix arranged, to a storage arrangement with cross- wise running ladders of the activation matrix -usanmen- switched to earth: The writing and reading of binCH: rer information one, according to the development of the invention, SFeicheran-- Ordering can be done in several ways: Registered mail can be carried out in the Voise, , .. ate two coincident positive or negative current impulses entered into the ladder fourth. Through the appropriate magnetic 2-field impulses are the directions of the biagne =, tation of each of the two ferromagnetics temporarily in the correctness of the resulting field strength, that is et- : ra in the direction of the bisector, between the .agnotisierun'en At rest, rotated. From that direction At the angle of the end the magnetizations then drop after the end of the impulses to the next one Right that. back axis. Diaenetizations in the The same positive 8 directions en you light - be axes the flow rate 1: 33ie then provide the uw gative Rlc @, services the biniie u0 represents. To the zero-free Auslonen dtr so jeeped information ma% ion spcint Amen two -COin $ tdente PC pttive StxonimpUlee #h the ladder crossing at the location to be queried. Their amplitude is calculated to be so great that the layers cannot yet be switched by coherent rotations, but the instantaneous directions of magnetization can be rotated somewhat out of the direction of the easy axes. Depending on the stored "1" or "0", the angle between the magnetizations is temporarily reduced or increased during such a reading process. The angle between the easy axes and the degree of rotation are selected according to the invention so that the angle values occurring in the reading process described here, ind-eruiig with stored "1" to a de Gennes transition in the conduction path, with stored "0" on the other hand does not lead to a transition. This transition, ie normal conduction, is noticeable in the circuit with the conduction path as an electrical impulse. According to another method according to the invention for writing binary information, such a current pulse is sent through one conductor, which allows a magnetic field pulse which is assumed to be positive to act in the layer associated with this conductor. Depending on the information, ie binary "0" or "1t1", a pulse is stored in the other conductor, which runs in a cross direction for this purpose, and a magnetic field directed as positive or negative, becomes effective in the other layer The magnetization of the layer controlled by the write pulse is then aligned in that positive or negative direction Rotates an extremely large angle in the positive or negative sense, but cannot yet switch the magnetization in the other layer. This rotation of the magnetization then leads, depending on the stored orientation of the magnetization in the other layer, to an increase or decrease in the current angle between the Magnetizations of the layers The reduction i st according to the invention to be dimensioned so large that there is a transition to the normal line. Rotation in the other direction increases the angle so that no transition occurs. The last-described writing and reading process is particularly suitable for simultaneous reading in a memory organized in advance, for each of which all stored bits of a row or column of the matrix are queried at the same time. The method of writing in and reading out described in the first place is preferably suitable for .bit-organized memories. A great technical advantage of the memory arrangement according to the invention is that the ferromagnetic layers can be very thin here, so that the wall creep, which is always feared, and other disruptive effects observed with thicker ferromagnetic layers can be avoided. Another development of the invention is the formation and / or use of an electrical component according to the principle of the invention for the implementation of logical operations. For the sake of easy understanding, details for this development are explained with reference to the descriptions relating to the further FIGS. 4 to 12 for a number of examples of switching elements for various logical connections. In this regard, it should be pointed out that, in particular, the indicated directions of magnetization assumed in each case are to be understood as examples. For the function of the "conjunction" one can; As shown in Figures 2 and 3, the component uses four. the. . As FIG. 4 indicates, the magnetizations M1 and 112 of the layers 21 and 22 should enclose an angle substantially larger than the critical angle 9G, in particular a right angle with one another. In the case of the current flow through only one of the lines 27 or 28, the magnetization directions P: 21 'or P12' indicated by dashed lines occur. However, if correspondingly dimensioned currents flow coincidentally through both conductors 27 and 28, the assumed rotation in the directions M1 'and M2' is effected in both layers. The directions then enclose an angle with one another which, according to the invention, is smaller than the critical angle 8G. The coincident current flows thus have the effect that the superconducting layer 23 changes over to normal conduction in the region 29, and that a signal thus occurs in the circuit of 23. A current flow in only one conductor or a lack of current flow does not lead, as in the case of the memory cell, to any signal, which corresponds to the function of the "conjunction". The logical combination of the "negation" can be carried out with an arrangement according to FIG. The magnetization seals of the layers are, however, assumed for this purpose: travel oriented as shown in FIG. 5. P11 and 1, i2 enclose an angle smaller than AG. A correspondingly measured current through the conductor 7 should act on the magnetizations in such a way that P: 11 is rotated in the direction 141 'and 1, I2 remains in its original direction, ie does not flip over in the opposite direction. The rotation of P11 should be so great that the angle between M2 and I11 is greater than 8G. With this arrangement, a signal occurs in the circuit of the superconductor 21 when no current flows through 25, whereas no signal occurs at 23 when current flows. The function of "disjunction", in which a signal is to appear when a current flows through either one conductor or the other conductor, can be carried out with an arrangement according to FIG. Basically, Fig. 6 contains two, with regard to the superconductor. 23 back-to-back lead pension,. like them basically; in the I # 'iguien'1 @ 7 and. 3, an--, given are. The mutually: corresponding parts of the nadnge-_ switched arrangement are with the reference numerals 121, 122 and; 107 denotes .. The 1, Isghetisz: erungezi. of the layers 21, 22 ' and 121 and 122 are appropriate according to the case the conjunction "crie izi Fig: 7 shown, aligned. min correspondingly dimensioned current flow through. unifying conductor 7 or 107 rotates the magnet; izations>?: I1,. or il 1 in the you- functions 1.I1, or, 1.111., the one from 1.1,11 and?, i2, or: 1l2 and. I12 '' included angles ;: is: each less than 8 C *. A stream- flow through one of the lines 7 or 107 ,. or through., heida Newspapers generated, always a signal to 23 .. The so-called "Sheffer function", with the uni, just dahw, no signal. occur: ao: T, vrenn. in, zviei?, i, tern "" k.oinzidentwsr- Stram river. varli; egt :: ,, lets, slnh ". with an arrangement ,, like: az ;, in, rig ... 6 shown $ t, el.lt: #gt ,,. realize-., However: her, U @ Lagnetiserungen dir Snhlchtgna 21 "22 and ', 121:,: 122 z ..- B'». Zue- each other vife in the palleder, <»r.gatictn., arranged. This, oh--: direction; shows. Fig, a # 4. I am at rest: M1, and 1 @ ,. wr. @ t, und.:2 eingssnh: oasenen .. 19dnkelx ai.ndkleiner., a: 's der: Irt: -. see angle .. hur in. dew pa ,. in; to the. both, through, 7 :. alß 'aun by 1077 a corresponding den :: in both, Schlchtpren, the cloned; 1YInkeI # gr4 # -e @ as. der .. Krit, isehe:,. Wkel,;. That, in the @. RUheza # tand: im. supx nanh, der 1xtiu @ ta: ^ # n # ::, 4v Z, # eaabar xh @ d's. f nw 1T, x 21.- un4 @ 3 ': dn.s.'1 =, x,. "t. aind ¢ 2: 3 @ 1r..c @ ildt: arte: P.aa; sk vtan =. Silb4tttquni>22't$; 212 ,, ei, dchpe @ d :, so that the resulting magnetic field of equally large coincident currents flowing in them is essentially canceled out in 23. The current flows of the information to be linked through the conductors 7 and 207, however, as the arrows indicate, flow in an anti-parallel direction. 10 shows an example for the magnetizations in layers 21; 22 and 221; 222. A correspondingly dimensioned current flow through the conductor 7 rotates the magnetization M1 in the direction LI1 'and the magnetization 21 in the direction 21'. In this case, a transition to normal conduction is effected because the critical angle between M1 'and M2 is not reached. In the area of the layers 221, 222 there is still superconductivity, since the angle between M2 and 21 1 remains greater than β0. Here, too, it must be ensured that the current flows do not cause the magnetizations to switch in the individual layers with the magnetization M2 and 22 intentionally unchanged. The equally large, oppositely directed current flow through the conductor 207 causes, for example, a rotation of M1 in the direction of M1 "and of I21 in the direction of 21". In this case;? 3 becomes normally conductive in the area of the layers 221, 222 and remains superconducting in the area of the layers 21 and 22. According to the Pierce function, a signal always arises in the circuit of the superconductor 23 when in one of the two lines 7, 207 there is a current flow. However, there is no signal if an anti-parallel current flows in neither or in both conductors at the same time. A likewise very schematic representation of an exemplary embodiment for the function of "equivalence" is shown in FIG. 11. The strip-shaped superconductor 23 runs here between three pairs of magnetic layers 21, 22; 121, 122 and 321, 322. In the area of the layers 21, 22 and 121, 122, the conductors run adjacent or on top of one another in such a way that the magnetic effects of currents flowing in them occur at roughly the same location of these layers. In the area of the layers 321, 322, however, 7 and 307 run crosswise to one another, preferably at a crossing angle of 90 °. The point of intersection falls essentially in the area of the newspaper web 23. FIG. 12 gives an example of magnetizations for an exemplary embodiment according to FIG. 11. The magnetizations in layers 21 and 22 'and 121 and 122 are similar to those in the exemplary embodiment for the Sheffer function. A current flow through one of the cheerful increases the angle to values greater than it corresponds to the critical angle. The magnetizations fl 'of the layers 321, 322 are aligned so that, as in the case of conjunction, only a coincident current flow through 7 and 307 causes the angle between the magnetizations 1' and f.121 to be reduced below the value of the critical angle. In the case of equivalence, a signal occurs at 23 in those cases in which either no current flows or a coincident current flows. By analogous combination of the specified elements, further functions can be specified by logical links according to the invention:

Claims (3)

P a t e n t ans p r ü c h e 1. Elektrisches Bauelement mit einer elektrischen Leitungsbahn in Form eines dünnen Streifens aus einem supraleitf«higern Material, das im Zusammenwirken mit den I:Iagnetisierungen unmittelbar benachbarter, ferromagnetischer Schichten, deren jeweilige Koerzitivfeldstärke und/oder deren jeweilige magnetische Anisotropie voneinander unterschiedlich ist, abhängig von der Wahl der elektrischen :Leitfähigkeit dieser Schichten, bei einem kritischen Winkel 9C zwischen den Magnetisierungen in der Schichtebene einen Übergang (nach de Gennes) zwischen Supraleitung und Normalleitung, bzw. umgekehrt aufweist, und mit einem oder mehreren elektrischen Leitern, wobei diese Leiter, die Schichten und die Leitungsbahn zueinander so angeordnet sind, daß ein elektrischer Stromfluß durch einen oder durch mehrere solcher Leiter eine solche Veränderung der Magnetisierungsrichtung in wenigstens einer der Schichten und damit des Winkels zwischen den Magnetisierungen der Schichten bewirken kann, so daß ein Übergang in der Zeitungsbahn eintritt. P a t e n t ans p r ü c h e 1. Electrical component with an electrical Conductive track in the form of a thin strip of a superconductive material, this in conjunction with the I magnetizations of immediately adjacent, ferromagnetic ones Layers, their respective coercive field strength and / or their respective magnetic Anisotropy is different from each other, depending on the choice of electrical : Conductivity of these layers, at a critical angle 9C between the magnetizations in the layer level a transition (according to de Gennes) between superconductivity and normal conductivity, or vice versa, and with one or more electrical conductors, wherein these conductors, the layers and the conductor track are arranged in relation to one another in such a way that that an electric current flow through one or more such conductors a such a change in the direction of magnetization in at least one of the layers and thus the angle between the magnetizations of the layers can cause so that a transition occurs in the newspaper web. 2. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Schichten im vresentlichen aus einem Chalkogenid der Seltenen Erden besteht. 2. Electrical component according to Claim 1, characterized in that at least one of the layers is essentially consists of a rare earth chalcogenide. 3. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Schichten im wesentlichen aus einem Chalkogenid eines oder mehrerer der 3-d-Übergangselemente, wie Nickel, Eisen, Kobalt, Mangan, Chrom besteht. . Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht im tiesentlichen aus einem Chalkogenid eines 2+-wertig gebundenen Elements der Seltenen Erden, insbesondere des Europiums, das teilgreise durch hinsichtlich des Ionenradius zum Einbau in 'das Gitter geeignete 3+-wertige Ionen substituiert ist, besteht: 5. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Schichten ein ferromagnetischer Halbleiter ist. 6. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Schichten aus einem halbleitenden, ferromagnetischen Chromsulfö- öder Chromseleno-Spinell besteht. 7. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Schichten bezüglich der Magnetisierung anisotrop ist. B. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anisotropie der Schicht durch Aufdampfen der Schicht in einem äußeren Magnetfeld erzeugt ist. g. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zu einer Schicht eine weitere, in einer Richtung permanent magnetisier bare Zusatzschicht zugeordnet ist, durch deren permanente 1Jagnetisierung erstere Schicht anisotrop wirkt: 10. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei der elektrisahen Leiter zusammen je ein insbesondere rechtwinkliges Achsenkreuz bilden und so angeordnet sind, daß'iht, Kreu-° zungspunkt in den Bereich einer Zeitungsbahn fällt und@`daß koinzidente elektrische Stromflüsse durch die gekreuzten Leiter im Bereich des Kreuzungspunktes eine Änderung des Winkels zwischen den Magnetisierungen der Schichten bewirken können, so daß ein Übergang in der Zeitungsbahn eintreten, jedoch ein aoleher Stromfluß durch nur einen Leiter noch keinen Übergang bewirken kann. (Fig. 2, 3): 11. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die leichte Acrae der Magnetisierung der einen Schicht im wesentlichen in der einen Achsenrichtpng, die .der anderen Schicht im iresentlichen in der anderen Achsenrichtung des Achsenkreuzes der Leiter ausgerichtet ist. 12. Speicheranordnung, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere elektrische Bauelemente nach Anspruch 10 oder 11 derart zusammengeschaltet sind,.daß die sich kreuzenden Leiter die I-.iatrix der Ansteuerleitungen bilden. 13. Elektrisches Bauelement, insbesondere Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einschreiben einer binären Information die Stromflüsse in den beiden, sich am Speicherort kreuzenden, Leitern jeweils derart gerichtet und ausreichend groß bemessen sind, daß sie für den einen binären Zustand in einer je- weils als positiv angenommenen Richtung,für den anderen binären Zustand in der dazu entgegengesetzten negativen Richtung fließen und die gespeicherten LIagnetisierungen in jeder der beiden Schichten der Anisotropie und den ge- wählten Stromrichtungen entsprechend ausgerichtet sind. 14.. Elektrisches Bauelement, insbesondere Speicheranordnung nach einen der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß zum zerstörungsfreien Lesen in jedem der Leiter je ein in angenommener positiver oder in dazu negativer Richtung gerichteter Stromfluß vorgesehen ist, der so bemessen ist, daß zwar noch kein Umschalten der Magnetisierung der Schicht eintritt, 17ohl aber durch vorübergehende Veränderung des Winkels zwischen den Magnetisierungen der Schichten je nach jeweils gespeichertem binärem Zustand der Magnetisierungen der Schichten zueinander und bezogen auf die angenommenen positiven Richtungen eine vorübergehende Umschaltung der Leitungsbahn eintritt oder nicht eintritt. 15. Elektrisches Bauelement, insbesondere Speicheranordnung nach einen der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einschreiben einer binären Information@in dem einen Leiter ein in einer Richtung verlaufender Stromfluß, in dem anderen, am Speicherort kreuzenden Leiter, ein je nach zu speichernder binärer Information in positiver oder in negativer Richtung verlaufender Stromfluß vorgesehen ist; irodurch die Idagnetisierung in jeder der beiden Schichten den Stromflüssen entsprechend ausgerichtet; ist. 16. Elektrisches Bauelement, insbesonclere Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß zum zerstörungsfreien Lesen in dem Leiter in dem beim Einschreiben die Stromrichtung abhängig von der einzuschreibenden Information war, ein derartiger Stromfluß vorgesehen'ist, daß abhängig von der jeweiligen hIagnetisierung der Schichten, d.h. abhängig vom gespeicherten, binären Zustand in den Schichten, eine Umschaltung der Leitungsbahn eintritt oder nicht eintritt. 17. Anwendung einer Speicheranordnung nach Anspruch 15 oder 16 als rrortorganisierter Speicher, bei dem die Einspeicherung der vrortorganisierten Information in der Richtung des Leiter: vorgesehen ist, in dem beim Schreiben gleichbleibende Stromrichtung vorgesehen ist. 18. Elektrisches Bauelement, insbesondere für logische Verknüpfungen, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Bauelemente nach einem der Ansprüche 1 bis , bezogen auf die Leitungsbahn aus supraleitfähigem Material, elektrisch hintereinander geschaltet sind (Figur 6). 19. Elektrisches Bauelement, insbesondere für logische Verknüpfungen, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Bauelemente nach einer. der Ansprüche i bis 9, bezogen.auf die Leitungs-@ 'hahn aus supraleitfähigem Material und bezogen auf den elektrischen Leiter, elektrisch hintereinander geschaltet sind und daß ein zweiter Leiter (225) zusätzlich zu dem vorangenannten Leiter vorgesehen ist, die zusammen so angeordnet sind, daß gleichgroße, antiparallele, koinzidente Stromflüsse durch beide Leiter ein resultierendes Magnetfeld mit im wesentlichen verschwindender Feldstärke in den Schichten erzeugen. (Figur 9). 20. Elektrisches Bauelement, insbesondere für logische Verknüpfungen, dadurch gekennzeichnet, daß zu einem Bauelement nach Anspruch 19 noch ein weiteres Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bezogen auf die Leitungsbahn und bezogen auf die Leiter, elektrisch in Reihe geschaltet ist und daß die Leiter in diesem weiteren Element derart kreuzweise, vorzugsweise sich im rechten Winkel kreuzend verlaufen, daß die Leitungsbahn im Bereich des Kreuzungspunktes im wesentlichen in Richtung der Winkelhalbierenden zwischen den Leitern verläuft (Fig. 12). 21. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetisierungen so gewählt und der Stromf luß durch einen Leiter so bemessen ist, daß durch das Magnetfeld des vorgesehenen Stromflusses eine Verringerung des Winkels zwischen den LIagnetisierungen in den Schichten bis unter den Wert des kritischen Winkels be-Wirkt wird und damit ein Übergang in die Normalleitung in der Leitungsbahn eintritt. 22_. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetisierungen so gewählt und der Stromfluß durch einen Leiter so bemessen ist, dar durch das I.Tagnetfeld des vorgesehenen Stromflusses eine Vergrößerung des Uinkels zwischen. den T1agnetisierungen in den Schichten bis über den Wert des kritischen Winkels be- wirkt wird und damit ein Übergang in die Supraleitung in der Leitungsbahn eintritt. 3. Electrical component according to claim 1, characterized in that at least one of the layers consists essentially of a chalcogenide of one or more of the 3-D transition elements, such as nickel, iron, cobalt, manganese, chromium . . Electrical component according to Claim 1, 2 or 3, characterized in that the layer consists essentially of a chalcogenide of a 2+ -value bonded element of the rare earths, in particular europium, the partially aged by 3 which are suitable for installation in the grid with regard to the ionic radius + -valent ions is substituted: 5. Electrical component according to one of claims 1 to 4, characterized in that the material of the layers is a ferromagnetic semiconductor. 6. Electrical component according to claim 5, characterized in that at least one of the layers consists of a semiconducting, ferromagnetic chromium sulfo or chromium seleno spinel. 7. Electrical component according to one of claims 1 to 6, characterized in that at least one of the layers is anisotropic with respect to the magnetization. B. Electrical component according to claim 7, characterized in that the anisotropy of the layer is generated by vapor deposition of the layer in an external magnetic field. G. Electrical component according to one of Claims 1 to 8, characterized in that a further additional layer, permanently magnetisable in one direction, is assigned to one layer, the permanent 1Jagnetisation of which makes the first layer anisotropic: 10. Electrical component according to one of Claims 1 to 9 , characterized in that at least two of the near-electric conductors together each form a, in particular, right-angled axis cross and are arranged in such a way that the point of intersection falls in the area of a newspaper web and that coincident electric current flows through the crossed conductors in the area of the Intersection point can cause a change in the angle between the magnetizations of the layers, so that a transition can occur in the newspaper web, but an earlier current flow through only one conductor cannot yet cause a transition. (Fig. 2, 3): 11. Electrical component according to claim 10, characterized in that the slight acrae of magnetization of the one layer is essentially in one axis direction, the other layer essentially in the other axis direction of the axis cross of the conductors is aligned. 12. A memory arrangement, characterized in that a plurality of electrical components according to claim 10 or 11 are interconnected in such a way that the crossing conductors form the I-.iatrix of the control lines. 13. Electrical component, in particular memory arrangement according to one of claims 1 to 12, characterized in that for writing binary information, the current flows in the two conductors intersecting at the storage location are each directed and dimensioned sufficiently large that they are for the one binary state weils flow as a positive direction adopted for the other binary state in the negative direction opposite thereto in a JE and the stored LIagnetisierungen in each of the two layers of the anisotropy and the overall selected flow directions are aligned. 14 .. Electrical component, in particular memory arrangement according to one of claims 1 to 13, characterized in that for non-destructive reading in each of the conductors a current flow in an assumed positive or in a negative direction is provided, which is dimensioned so that although still No switching of the magnetization of the layer occurs, but due to a temporary change in the angle between the magnetizations of the layers, depending on the stored binary state of the magnetizations of the layers to one another and based on the assumed positive directions, a temporary switching of the conduction path occurs or does not occur. 15. Electrical component, in particular memory arrangement according to one of claims 1 to 12, characterized in that for writing binary information @ in one conductor a current flow running in one direction, in the other conductor crossing at the storage location, one to be stored depending on binary information is provided in a positive or negative direction current flow; io aligned with the current flows in each of the two layers due to the idagnetization; is. 16. Electrical component, in particular memory element according to one of claims 1 to 12 and 15, characterized in that for non-destructive reading in the conductor in which the current direction was dependent on the information to be written during writing, such a current flow is provided that is dependent on the respective magnetization of the layers, ie depending on the stored, binary state in the layers, a switchover of the conductive path occurs or does not occur. 17. Use of a memory arrangement according to claim 15 or 16 as a rrortorganized memory, in which the storage of the pre-organized information in the direction of the conductor: is provided, in which constant current direction is provided during writing. 18. Electrical component, in particular for logic operations, characterized in that two components according to one of claims 1 to, based on the conductor track made of superconductive material, are electrically connected in series (Figure 6). 19. Electrical component, in particular for logic operations, characterized in that two components according to one. of claims i to 9, based on the line tap made of superconductive material and based on the electrical conductor, are electrically connected in series and that a second conductor (225) is provided in addition to the aforementioned conductor, which are arranged together in this way that equal, anti-parallel, coincident current flows through both conductors produce a resulting magnetic field with essentially vanishing field strength in the layers. (Figure 9). 20. Electrical component, in particular for logic operations, characterized in that for a component according to claim 19, a further component according to one of claims 1 to 11, based on the conductor track and based on the conductor, is electrically connected in series and that the Conductors in this further element run crosswise, preferably crossing each other at right angles, that the conductor path in the region of the crossing point runs essentially in the direction of the bisector between the conductors (FIG. 12). 21. Electrical component according to one of claims 1 to 20, characterized in that the magnetizations are selected and the current flow through a conductor is dimensioned so that the magnetic field of the intended current flow reduces the angle between the magnetizations in the layers to below the value of the critical angle is effected and thus a transition to normal conduction occurs in the conduction path. 22_. Electrical component according to one of Claims 1 to 21, characterized in that the magnetizations are selected and the current flow through a conductor is so dimensioned that the I. magnetic field of the intended current flow increases the angle between. is and T1agnetisierungen in the layers to about the value of the critical angle effect loading so that a transition to the superconductivity in the pathway occurs.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2650430A1 (en) * 1989-07-28 1991-02-01 Ampex THIN-FILM MAGNETIC ARRAY MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

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