DE1764670C

DE1764670C - Method of making a secondary emission electrode

Info

Publication number: DE1764670C
Authority: DE
Inventors: Donald Winston Lancaster Pa. Roe (V.StA.)
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Publication date: 1972-05-18

Description

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

\ 764 670 \ 764 670

ι 2ι 2

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her- sind nur zwei weitere Stufen dargestellt, die jalousiestellen einer Sekundäremissionseiektrode mit einer artige Vervielfacherelektroden 20, 22 mit jeweilsThe invention relates to a method for producing only two further stages are shown, the blind positions a secondary emission electrode with a type of multiplier electrodes 20, 22 each having

Magnesiurnoxydschicht auf einem Träger aus Metall, einer Anzahl von schräggesteilten ElektrodenbtreifenMagnesium oxide layer on a metal carrier, a number of obliquely cut electrode strips

für einen Sekundärelektronenvervielfacher. 24 enthalten. Die Oberfläche der ersten Sekundär-for a secondary electron multiplier. 24 included. The surface of the first secondary

Bei einem bekannten Verfahren zum Herstellen 5 emissionselektrode 16 ist von einer Feldelektrode 25 einer Sekundäremissionselektrode, die eine Magne- umgeben, die die von der ersten Sekundäremissionssiumoxydschicht enthält, wird der Träger zuerst mit elektrode 16 ausgehenden Sekundärelektronen auf einer Schicht aus einem Oxyd eines verhältnismäßig die zweite Vervielfacherelektrode 20 lenkt, wo sieIn a known method for producing 5 emission electrode 16 is from a field electrode 25 a secondary emission electrode surrounded by a magnet that is formed by the first secondary emission layer contains, the carrier will first have secondary electrons emanating from electrode 16 a layer of an oxide relative to the second multiplier electrode 20 directs where it

inaktiven Metalls, z. B. Silberoxyd oder Goldoxyd, auf Schichten 28 auftreffen, die einen verhältnimäßig überzogen und dann im Hochvakuum mit einer io hohen SekundäremJssionsfaktor aufweist.inactive metal, e.g. B. silver oxide or gold oxide, impinge on layers 28, which are a relative coated and then exhibited in a high vacuum with a high secondary emission factor.

Magnesiumschicht bedampft. Anschließend wird die Im Betrieb der Röhre, die ein bevorzugtes Anwen-Magnesium layer vaporized. Then the operation of the tube, which is a preferred application

Magnesiumschicht unter gleichzeitiger Reduktion der dungsgebiet für gemäß der Erfindung hergestellteMagnesium layer with simultaneous reduction of the training area for manufactured according to the invention

darunter befindlichen Oxydschicht oxydiert (deutsche Sekundäremissionselektroden darstellt, wird eineOxide layer underneath is oxidized (German secondary emission electrodes represent, becomes a

Patentanmeldung W 3973 VIIIc, 21g, 13/03, be- nicht dargestellte Speicherplatte durch den vomPatent application W 3973 VIIIc, 21g, 13/03, not shown storage disk by the dated

kanntgemacht am 3. Juni 1953). 15 Strahlerzeugungssystem erzeugten Elektronenstrahlmade known on June 3, 1953). 15 beam generating system generated electron beam

Bei einem anderen bekannten Verfahren wird der abgetastet, und die reflektierten Elektronen treffenIn another known method, the is scanned and the reflected electrons hit

Träger im Vakuum zuerst mit einer Schicht aus auf die obere Seite der ersten Sekundäremissions-Carrier in vacuum first with a layer of on the upper side of the first secondary emission

Chrom, Gold oder Nickel und dann mit einer elektrode 16 auf. Die an der Elektrode 16 entstehen-Chromium, gold or nickel and then with an electrode 16 on. The generated at the electrode 16-

Magnesiumschicht bedampft. Die Magnesiumschicht den Sekundärelektronen werden in den folgendenMagnesium layer vaporized. The magnesium layer the secondary electrons are in the following

wird dann durch Erhitzen in Sauerstoff oxydiert und ao Stufen des Vervielfachers in üblicher Weise verviel-is then oxidized by heating in oxygen and multiplied in the usual way.

anschließend etwa 3 Minuten bei etwa 750° C in facht (siehe z. B. USA.-Patentschrift 2 433 941).then about 3 minutes at about 750 ° C in fold (see, for example, US Pat. No. 2,433,941).

Wasserstoff erhitzt (USA.-Patentschrift 3 308 324). Der Sekundärelektronenvervielfacher soll einenHydrogen heated (U.S. Patent 3,308,324). The secondary electron multiplier is said to be a

Es ist weiterhin bekannt, eine Sekundäremissions- möglichst hohe« Verstärkungsgrad und einen mögschicht aus Magnesiumoxyd durch Aufdampfen von liehst großen Störabstand aufweisen. Diese Eigen-Magnesium in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre as schäften hängen in erheblichem Maße von der Oberherzustellen (USA.-Patentschrift 2 942 132). fläche der ersten Sekundäremissionselektrode 16 undIt is also known to have a secondary emission level that is as high as possible and a possible layer made of magnesium oxide by vapor deposition of borrowed large signal-to-noise ratio. This own magnesium in an oxygen-containing atmosphere as shafts depend to a considerable extent on the upper manufacture (U.S. Patent 2,942,132). area of the first secondary emission electrode 16 and

Nachteilig a,. den bekannten Verfahren ist, daß der Vervielfacherelektroden 20, 22, an denen dieDisadvantageous a ,. the known method is that the multiplier electrodes 20, 22 to which the

sie Magnesiumoxydschinhten ~-Iativ kleiner Dichte Elektronen vervielfacht werden, ab.they magnesium oxide layers - relatively small density electrons are multiplied.

liefern, deren Sekundäremissionsfaktor aus diesem Ein bewährtes Material für die Beschichtung vondeliver whose secondary emission factor from this A proven material for the coating of

Grunde relativ niedrig ist und s z\\ bei wiederholter 3° Sekundäremissionselektroden ist Magnesiumoxyd.Basically is relatively low and s z \\ with repeated 3 ° secondary emission electrodes is magnesium oxide.

Beaufschlagung der Schicht mit Primärelektronen Die bekannten Herstellungsverfahren liefern jedochApplication of primary electrons to the layer However, the known manufacturing processes provide

verschlechtert. Schichten relativ niedriger Dichte. Gemäß der Erfin-worsened. Relatively low density layers. According to the invention

Der Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe dung werden die Oberflächen des Elektronenverviel-The invention is accordingly the task of making the surfaces of the electron multiplier

zugnindc, ein Verfahren zum Herstellen von Ma- fachrrs, auf die die zu vervielfachenden ElektronenZugnindc, a process for the production of Ma- matrrs, on which the electrons to be multiplied

gnesiumoxydschichten anzugeben, deren Dichte im 35 auftreffen, durch relativ dichte Schichten aus Magne-to indicate magnesium oxide layers, the density of which impinge in 35, through relatively dense layers of magnetic

Vcrgleich zu den nach den bekannten Verfahren siumoxyd gebildet. Solche MagnesiumoxydschichtenCompared to those formed by the known processes, sium oxide. Such magnesium oxide layers

hergestellten Schichten verhältnismäßig groß ist und relativ hoher Dichte sind bei dem in Fig. 1 dar-produced layers is relatively large and relatively high density are shown in Fig. 1

die daher einen höheren Sekundäremissionsfaktor gestellten bevorzugten Anwendungsgebiet der Erfin-the preferred field of application of the invention, which therefore has a higher secondary emission factor

aufweisen als die bekannten Schichten geringerer dung die Schicht 27 der ersten Sekundäremissions-have less than the known layers, the layer 27 of the first secondary emission

Dichte sowie frei von Ermüdungserscheinungen sind. 4° elektrode 16 und die Schichten 28 auf den streifen-Dense as well as free from signs of fatigue. 4 ° electrode 16 and layers 28 on the strip

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung da- förmigen Teilen 24 der zweiten Sekundäremissions-According to the invention, this object is achieved in the form of parts 24 of the second secondary emission

durch gelöst, daß die Magnesiumoxydschicht auf dem elektrode 20. Die Elektroden der dritten Stufe 22solved by that the magnesium oxide layer on the electrode 20. The electrodes of the third stage 22nd

Träger durch pyrolytisches Zersetzen von flüchtigem und weiterer, nicht dargestellter Stufen können eben-Carriers by pyrolytic decomposition of volatile and other, not shown stages can also

Magnesium-Acetylacetonat oder einem flüchtigen falls mit solchen Schichten versehen sein,Magnesium acetylacetonate or a volatile one if provided with such layers,

substituierten Acetylacetonat des Magnesiums ge- 45 Fig. 2 zeigt eine Einrichtung zur Herstellung rcla-substituted acetylacetonate of magnesium gel 45 Fig. 2 shows a device for the production of rcla-

bildet wird. tiv dichter Schichten aus Magnesiumoxyd auf einerforms is. tively dense layers of magnesium oxide on one

Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfin- Oberfläche einer Sekundäremissionselektrode nachDevelopments and refinements of the invented surface of a secondary emission electrode according to

dung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet. dem Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß derapplication are characterized in the subclaims. the embodiment of the method according to

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher Erfindung. Da es bei einem ElektronenvervielfacherThe invention will become closer to the invention with reference to the drawing. As it is with an electron multiplier

erläutert, es zeigt 50 besonders darauf ankommt, daß die erste Verviel-explains, it shows 50 that it is particularly important that the first duplication

F i g. 1 eine Schnittansicht eines Teiles eines Elek- fachungselektrode frei von Störeffekten ist, wird im tronenstrahlerzeugungssystems und eines Elektronen- folgenden die Herstellung der ersten Sekundäremisvcrvielfachers einer Image-Orthicon-Fcrnsehauf- sionselektrode 16 beschrieben. Bei einer Aufnahmenahmeröhre und röhre der in Fig. 1 dargestellten Art machen sichF i g. 1 is a sectional view of part of an electrode free of interference effects, is shown in FIG electron beam generating system and an electron following the manufacture of the first secondary emis multiplier an Image-Orthicon television viewing electrode 16 is described. With a pickup tube and tubes of the type shown in Fig. 1 are made

Fig. 2 eine Schnittansicht einer Einrichtung zum 55 Fehler oder Ungleichmäßigkeiten in der Sekundär-Fig. 2 is a sectional view of a device for 55 defects or irregularities in the secondary Hersteifen einer relativ dichten Schicht aus Magne- elektronenemission der ersten Sekundaremissions-Stiffening of a relatively dense layer of magnetic electron emission from the first secondary emission

siumoxyd auf einer Sekundäremissionselektrode für elektrode besonders störend bemerkbar, da der vonSiO oxide on a secondary emission electrode is particularly noticeable for electrode, since that of

den Elektronenvervielfacher der in Fig. 1 darge- der Speicherplatte zurücklaufende Elektronenstrahlthe electron multiplier of the electron beam returning to the storage disk in FIG. 1

stellten Röhre. im Betrieb einen beträchtlichen Teil der Oberflächeput tube. a considerable part of the surface during operation

Das Strahlerzeugungssystem der in Fig. 1 dar- 60 der Elektrode 18 überstreicht, gestellten Fernsehaufnahmeröhre enthält eine in- Bei der an Hand von Fig. 2 erläuterten Herdirekt geheizte Kathode 10, ein Steuergitter 12, eine stellung der ersten Sekundäremissionselektrode 16 Beschlcunigungselektrode 14 und eine Blende 16, die geht man von einer Trägerplatte 30 aus, an der der auf einem Flansch 17 gehaltert ist und eine öffnung Halteflansch 17, z. B, durch Schweißen oder Hart-18 aufweist. Die Blende 16 dient außer zur Strahl- 65 löten, bereits befestigt ist. Die Trägerplatte kann aus begrenzung auch als die erste Sekundäremissions- einem elektroplaltierten Nickelblech bestehen, das tL&uode (Dynode) eines Elektronenvervielfacher, etwa 2 Stunden bei etwa 600° C im Vakuum erhitzt der im allgemeinen noch weitere Stufen enthält. Hier worden ist. Auf das Nickelblech wird dann eine etwaThe beam generation system of the television pickup tube shown in FIG. 1, swept over the electrode 18, contains a directly heated cathode 10, a control grid 12, a position of the first secondary emission electrode 16, acceleration electrode 14 and a diaphragm 16, which is based on a carrier plate 30 on which the is held on a flange 17 and an opening holding flange 17, for. B, by welding or Hart-18. The screen 16 is used except for beam soldering 65, is already attached. The carrier plate can also be made from an electroplated nickel sheet as the first secondary emission limit , the dynode (dynode) of an electron multiplier, heated for about 2 hours at about 600 ° C in a vacuum, which generally contains further stages. Has been here. An approximately

>7t> 7t

3 43 4

10 000 A dicke Silberschicht aufgedampft. Die Ge- Schiffchen 68 mit einer Mischung 80 aus Magnesiumsamtdicke der mit der Silberschicht versehenen Trä·· acetylacetonat oder irgendeinen flüchtigen substigerplatte beträgt etwa 0,13 mm. tuierten Acetylacetonat des Magnesiums und fein-10 000 A thick silver layer vapor-deposited. The Ge boat 68 with a mixture 80 of magnesium velvet thickness the acetylacetonate coated with the silver layer or any volatile substance plate is about 0.13 mm. tuated acetylacetonate of magnesium and fine

Das unmittelbare Aufbringen von Magnesiumoxyd teiligem Aluminiumoxyd gefüllt. Bei einem flüchtigen auf die Silberschicht bringt verschiedene Vorteile mit 5 substituierten Acetylacetonat des Magnesiums sind sich. Die Silberschicht ist besonders geeignet, da sie die Wasserstoffatome durch andere Atome oder bei den hohen Temperaturen nicht schmilzt oder Atomgruppen ersetzt, die die Flüchtigkeit der Veroxydiert, welche bei dem im folgenden beschriebenen bindung nicht beeinträchtigen. Das beigemischte pyrolytischen Niederschlagsverfahren erforderlich Aluminiumoxyd hat den Zweck, die Wärme gleichsind. Außerdem verursacht Silber kein störendes xo mäßig im Magnsiumacetylacetonat oder dem flüchepitaktisches Wachsen im Magnesiumoxyd, was zu tigen substituierten Magnesiumacetylacetonat zu ver-Spannungen und Versetzungen im Kristallgitter des teilen.Immediate application of magnesium oxide partial aluminum oxide filled. With a fleeting one on the silver layer brings various advantages with 5 substituted acetylacetonate of magnesium himself. The silver layer is particularly suitable as it is replaced by other atoms or hydrogen atoms does not melt at the high temperatures or replace atomic groups, which the volatility of the oxidized, which do not affect the binding described below. That mixed in Pyrolytic deposition processes required alumina has the purpose of equating heat. In addition, silver does not cause any annoying xo moderately in magnesium acetylacetonate or the escape epitaxial Grow in magnesium oxide, leading to tensions in substituted magnesium acetylacetonate and dislocations in the crystal lattice of the share.

Magnesiumoxyds führen würde. Solche Spannungen Die Mischung 80 enthält zwischen 3 und 250 mg und Versetzungen verringern den Sekundäremissions- Magnesiumacetylacetonat oder flüchtiges substituierfaktor des Magnesiums. Silber ist zwar als Unterlage 15 tes Magnesiumacetylacetonat auf 1 g Aluminiumfür eine Magnesiumoxydschicht einer Sekundäremis- oxyd. Diese Menge liefert eine etwa 100 bis 1000 A sionselektrode besonders geeignet, das vorliegende dicxe Magnesiumoxydschlrht auf der Trägerplatte Verfahren kann jedoch auch mit anderen Unterlage- 30, wenn die Trägerplatte einen Durchmesser von materialien mit Erfolg angewandt w;rden, z.B. bei 1,56cm und die öffnung 18 einen Durchmesser von Verwendung von Gold als Unterlage. 20 25 μΐη haben. Wenn die zu beschichtende Träger-Magnesia would lead. Such tensions Mix 80 contains between 3 and 250 mg and dislocations reduce secondary emission magnesium acetylacetonate or volatile substituting factor of magnesium. It is true that silver is used as a base for 15 tes magnesium acetylacetonate on 1 g of aluminum a magnesium oxide layer of a secondary emisoxide. This amount provides about 100 to 1000 amps Sion electrode particularly suitable, the present thick magnesium oxide slip on the carrier plate However, the method can also be carried out with other underlay-30, if the carrier plate has a diameter of materials would be used with success, e.g. at 1.56cm and the opening 18 a diameter of Use of gold as a base. 20 25 μΐη have. If the carrier to be coated

Das aus der Trägerplatte 30 und dem Halteflansch platte der Elektrode eine hiervon abweichende FIa-17 bestehende Werkstück wird mit der Oberseite chengröße hat, bestimmt man das Verhältnis des nach unten durch eine öffnung 32 in eine becher- Mischungsgewichtes zur Schichtdicke empirisch, wie förmige Halterung 34, die z. B. aus Aluminium- es auch im obigen Falle geschehen ist.
oxyd besteht, gesteckt und durch einen aus Metall 35 Nachdem die Mischung 80 in das Quarzschiffchen bestehenden Halterungsring 36 gehaitert, der zwi- 68 eingebracht worden ist, wird durch die Kanäle 70 sehen einen radial verlaufenden Teil 38 des Flan- und 72 jeweils Sauerstoff mit einer Strömungssches 17 und den nach innen vorspringenden Hoden geschwindigkeit von etwa 0,18 nrVh eingespeist, der Halterung 34 eingesetzt ist. Der Ring 36 besteht Durch die beiden anderen Einlaßkanäle, von denen aus zwei Teilen, so daß er leicht bei der Montage 30 in Fig. 2 nur der Kanal 74 zu sehen ist, wird Stickeingesetzt und nach der Beschichtung wieder entfernt stoff mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa werden kann. 0,55 m^:)/h eingeführt. An Stelle von Stickstoff kannThe workpiece, consisting of the carrier plate 30 and the retaining flange plate of the electrode, which differs from this, will have the upper side of a small size, if the ratio of the mixed weight down through an opening 32 in a cup to the layer thickness is determined empirically, such as the shaped holder 34 , the z. B. made of aluminum - it also happened in the above case.
oxide consists, inserted and through a metal 35. After the mixture 80 is held in the quartz boat holding ring 36, which has been inserted between 68, a radially extending part 38 of the flange and 72 each oxygen with a can be seen through the channels 70 Strömsches 17 and the inwardly projecting testicles speed of about 0.18 nrVh fed, the holder 34 is used. The ring 36 consists of two other inlet channels, of which two parts, so that only channel 74 can easily be seen when assembling 30 in FIG can be. 0.55 m ^:) / h introduced. Instead of nitrogen can

Zur Erhitzung der Trägerplatte 30 während der auch irgendein anderes Inertgas verwendet werden. Beschichtung ist ein Heizblock 40 vorgesehen, der Der Sauerstoff kann ganz oder teilweise durch ein z. B. aus Graphit besteht und im Feld einer Hoch- 35 eine Verbrennung ermöglichendes, sauerstoffhaltiges frequer..:spule 42 angeordnet ist, deren Klemmen 44, Gas ersetzt werden. Das oben angegebene Verhältnis 46 mit einem nicht dargestellten Hochfrequenzgene- von Sauerstoff zu Stickstoff hat sich für die Herrator verbunden sind. Der Block 40 hat eine Bob- stellung der gewünschten Magnesiumoxydschichten rung 48, in die ein nicht dargestelltes Thermoelement als vorteilhaft erwiesen, gute Ergebnisse können jezur Überwachung der Temperatur des Blockes ein- 40 doch auch mit anderen Mischungsverhältnissen ergesetzt werden kann. reicht werden. Das in das Quarzrohr 58 eingespeisteAny other inert gas can also be used to heat the carrier plate 30. Coating is a heating block 40 is provided, the oxygen can be wholly or partially through a z. B. consists of graphite and in the field of a high 35 a combustion enabling, oxygen-containing frequer ..: coil 42 is arranged, the terminals 44 of which are replaced by gas. The ratio given above 46 with a high frequency gene (not shown) from oxygen to nitrogen has been chosen for the Herrator are connected. The block 40 has a bob position of the desired magnesium oxide layers tion 48, in which a thermocouple (not shown) has proven to be advantageous, good results can jezur Monitoring of the temperature of the block but also replaced with other mixing ratios can be. be enough. That fed into the quartz tube 58

Der Block 40 und die becherförmige Halterung 34 Gas kann z. B. 98% Sauerstoff enthalten, wenn man werden von einem Stab 50 getragen. Der Block 40 die nötigen Vorkehrungen zur Vermeidung von Exist am Stab 50 durch Aufhängungen 52, 54 gehaltert, plosionen trifft. Man kann auch mit höheren Stickdie so bemessen sind, daß sich das untere Ende des 45 Stoffanteilen arbeiten. Bei Erhöhung des Stickstoff-Blockes relativ nahe beim Flansch 17 befindet und anteils der Mischung treten jedoch vermehrt Kohlenein guter Wärmeübergang zur Trägerplatte 30 ge- Stoffeinschlüsse in der gebildeten Schicht auf, die bei währleislct ist. Dieser Abstand kann in der Praxis einem Stickstoffgehalt von 85°/o merklich und bei etwa 25 bis 50 (im betragen. Verwendung von 100⁰Vo Stickstoff untragbar werden.The block 40 and the cup-shaped holder 34 gas can, for. B. contain 98% oxygen if one is carried by a rod 50. The block 40 takes the necessary precautions to avoid existence on the rod 50 by suspensions 52, 54, plosions. You can also use higher sticks that are sized so that the lower end of the 45 pieces of fabric work. With an increase in the nitrogen block located relatively close to the flange 17 and part of the mixture, however, more coals occur, a good heat transfer to the carrier plate 30. This distance can, in practice, a nitrogen content of 85 ° / to 50 are (in amount. Using 100 ⁰ Vo nitrogen prohibitive o markedly and at about 25.

Die aus dem Block 40, der Halterung 34 und dem 5° Die Kohlenstoffeinschlüsse beeinträchtigen die Eigen-The from the block 40, the bracket 34 and the 5 ° The carbon inclusions affect the intrinsic

tu beschichtenden Werkstück 17, 30 bestehende An- schäften der gebildeten Magnesiumoxydscnioht.The workpiece 17, 30 to be coated has existing shafts of the magnesium oxide compound formed.

Ordnung reicht in eine obere öffnung 56 eines Rohres Nachdem die Zufuhr der Gase in das QuarzrohrOrder is sufficient in an upper opening 56 of a tube after the supply of the gases into the quartz tube

58, das z. B. aus Quarz bestehen kann. 58 angestellt worden ist, wird die auf der becher-58, the z. B. can be made of quartz. 58 has been employed, the

Das untere Ende des Rohres 58 ist durch eine förmigen Halterung 34, dem Block 40 und demThe lower end of the tube 58 is through a shaped bracket 34, the block 40 and the

Platte 60 aus Isoliermaterial, z. B. Asbest, geschlos- 55 Werkstück 17, 30 bestehende Anordnung in dasPlate 60 made of insulating material, e.g. B. Asbestos, closed 55 workpiece 17, 30 existing arrangement in the

sen. Die Platte 60 ruht auf einer aus Metall bestehen- Quarzrohr 58 eingeführt und mittels des Stabes 50 sen. The plate 60 rests on a quartz tube 58 made of metal and inserted by means of the rod 50

den Heizplatte 62, in der sich ein Widerstandsheiz- befestigt.the heating plate 62, in which a resistance heater is attached.

körper 64 befindet. Die Platte 60 hat in der Mitte Der Block 40 und die Trägerplatte 30 werdenbody 64 is located. The plate 60 has the block 40 and the carrier plate 30 in the middle

eine öffnung 66 zur Aufnahme eines Quarzschiff- dann mit Hilfe der Hochfrequenzspule 42 auf etwaan opening 66 for receiving a quartz ship - then with the help of the high-frequency coil 42 to about

chens 68, das Beschlchtungsmaterial enthält und 60 900° C erhitzt. Diese Temperatur wird mit Hilfe chens 68, which contains coating material and is heated to 60,900 ° C. This temperature is using

direkt auf der Oberiläche der Heizplatte 62 steht. eines nicht dargestellten Thermoelementes durchstands directly on the surface of the heating plate 62. a thermocouple, not shown

Um die noch n&ier zu beschreibende Atmosphäre Regelung der Hochfrequenz-Eingangsleistung derIn order to regulate the high-frequency input power of the atmosphere to be described later

im Rohr 58 umzuwälzen, ist die Platte 60 mit Oas- Spule 42 in bekannter Weise konstant gehalten,To circulate in the pipe 58, the plate 60 with OAS coil 42 is kept constant in a known manner,

einlaßkanälen versahen, von denen in Fig. 2 drei Eine Temperatur "«on etwa 900⁰C hat sich zwar als Kanäle 70, 72 und 74 dargestellt sind. Die obere 6s optimal erwiesen, man kann jedoch auch mit Tem-Stirnwand des Rohres 58 weist eine Anzahl von Oas- peraturen bis herunter zu 350⁰C und hinauf bissided inlet channels, of which in Fig. 2, three A temperature "" on about 900 ⁰ C has optimally been found indeed as channels 70, 72 are illustrated and 74. The upper 6s, but it is also with Tem-end wall of the tube 58 has a number of OAS temperatures down to 350 ⁰ C and up to

auslaßöffnurtgen 76,78 auf. theoretisch 2800° C brauchbare Ergebnisse erhalten.outlet openings 76.78. theoretically 2800 ° C useful results obtained.

Zum Beschichten der Trägerplatte 30 wird das Bd Erhöhung der Temperatur bis 2800° C bestehtTo coat the carrier plate 30, the Bd will increase the temperature to 2800 ° C

Claims

however, there is a considerable risk of explosion and the temperature of the block 40 and the carrier plate 30 should therefore not be heated above 2000 ° C. for practical reasons. The resistance heating element 64 is now switched on in order to heat the quartz boat 68 with the mixture 80 to a temperature between 250 and 300.degree. At this temperature, the magnesium acetylacetonate or the volatile substituted acetylacetonate sublimes in the mixture and the vapors formed in the process reach the carrier plate 30 with the Oas flow in the quartz tube 58. When the evaporated acetylacetonate or substituted acetylacetonate of magnesium reaches the much hotter carrier plate 30, e «Pyrolytically decomposed, whereby magnesium oxide is formed, which is deposited on the carrier plate 30. The gaseous decomposition products which are also formed and which may oxidize, leave the quartz tube 58 with the oas flow. In the preferred embodiment of the method, in which the carrier plate 30 is kept at a temperature of about 900.degree. C., the mixture 80 consists of 150 mg magnesium acetylacetonate and 1 g aluminum oxide and the quartz boat 68 is at a temperature between 250 and 300 ° C is heated, a 600 Å thick magnesium oxide layer is formed on the carrier plate 30 within about 5 minutes, which is characterized by a particularly high density. The mentioned thickness of the magnesium oxide layer is optimal with regard to the desired secondary electron emission and the adhesiveness, i.e. H. it does not peel off. However, satisfactory results are also obtained with layer thicknesses of 100 to 1000 Å. When the sublimation of the mixture 80 ceases, the radio frequency from the coil 42 is switched off and the support plate 30 is allowed to cool to room temperature. During the cooling process, the oas is allowed to continue flowing through the quartz tube 58 in order to shorten the cooling time. The density of the magnesia layers obtained by the present process is about 20 to 25% higher than the magnesia layers obtained by means of the known processes. Presumably this is due to the fact that the present process promotes the growth of a coarser polycrystalline material which has a higher density. The difference in density is accompanied by a considerable difference in the behavior of the secondary emission electrodes carrying the layer. A secondary emission electrode which has been coated with a magnesium oxide layer according to the present process shows, when used as a diaphragm secondary emission electrode of the electron multiplier of an Image-Orthicon television tube, a considerably better secondary emission, both in the untreated state and when subsequently treated with cesium. The multiplication factor of known secondary emission electrodes is about 2.5 without cesium treatment and about 4.0 with cesium treatment. In comparison, the multiplication factor of a secondary emission electrode produced by the present method without cesium treatment is about 6.7 and after treatment with cesium is about 9.5. The values given above were determined in each case at an operating voltage of around 280VoIt. The surface of a secondary emission electrode, which has a dense layer of magnesium oxide produced according to the present method, also shows significantly less fatigue when frequently electronically bombarded than secondary emission electrodes with magnesium oxide layers produced in a known manner. Patent claims:

1. Verfahren zum Herstellen einer Sekundäremissionselektrode mit einer Magnesiumoxyd schicht auf einem Träger aus Metall, für einen Sekundäretekironenvervielfacher, dadurch ge kennzeichnet, daß dieMagnesiumoxydschidi' auf dem Träger durch pyrolytisches Zersetzer von flüchtigem Magnesium-Acetylacetonat ode, einem flüchtigen substituierten Acetylaceton;)' des Magnesiums gebildet wird.1. Method of manufacturing a secondary emission electrode with a magnesium oxide layer on a carrier made of metal, for a secondary electrons multiplier, thereby ge indicates that the magnesium oxide on the carrier by pyrolytic decomposition of volatile magnesium acetylacetonate or a volatile substituted acetylacetone;) 'of magnesium is formed.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß der Träger vor dem Aufbringen der Magnesiumoxydschicht mit einer etw» 10000 A dicken Silberschicht versehen wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the carrier prior to the application of the magnesium oxide layer with a somewhat » 10000 A thick silver layer is provided.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Träger eine 1 κ> bis 1000 A dicke Magnesiumoxydschicht gebildet wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that a 1 κ> on the carrier up to 1000 A thick magnesium oxide layer is formed.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Träger eine etwa 600 A dicke Magnesiumoxydschicht gebildet. wird.4. The method according to claim 3, characterized in that on the carrier an approximately 600 A thick magnesium oxide layer formed. will.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der sich das verdampfte Acetylacetonat oder flüchtige substituierte Acetylacetonat des Magnesiums unter Bildung von Magnesiumoxyd auf dem Träger pyrolytisch zersetzt.5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the Support is heated to a temperature at which the vaporized acetylacetonate or volatile substituted acetylacetonate of magnesium with the formation of magnesium oxide on the Carrier decomposed by pyrolysis.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger auf eine Temperatur zwischen 350 und 2000° C erhitzt wird.6. The method according to claim 5, characterized in that the carrier is heated to a temperature between 350 and 2000 ° C.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger auf eine Temperatur von etwa 900° C erhitzt wird.7. The method according to claim 6, characterized in that the carrier is heated to a temperature of about 900 ° C.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Acetylacetonat oder substituierte Acetylacetonat des Magnesiums in Mischung mit einem inerten Pulver bei einer Temperatur zwischen 250 und 300° C verdampft wird und der Dampf zusammen mit einem oxydierenden Gas zu dem erhitzten Träger geleitet wird.8. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the Acetylacetonate or substituted acetylacetonate of magnesium mixed with an inert one Powder is evaporated at a temperature between 250 and 300 ° C and the steam is passed together with an oxidizing gas to the heated carrier.