DE1690025B2 - PRE-TREATMENT PROCESS FOR THIN INSULATING FILMS MADE OF POLYAETHYLENE TEREPHTHALATE - Google Patents
PRE-TREATMENT PROCESS FOR THIN INSULATING FILMS MADE OF POLYAETHYLENE TEREPHTHALATEInfo
- Publication number
- DE1690025B2 DE1690025B2 DE1967S0111283 DES0111283A DE1690025B2 DE 1690025 B2 DE1690025 B2 DE 1690025B2 DE 1967S0111283 DE1967S0111283 DE 1967S0111283 DE S0111283 A DES0111283 A DE S0111283A DE 1690025 B2 DE1690025 B2 DE 1690025B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solution
- copper
- sodium hydroxide
- foils
- insulating films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 6
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 title claims description 3
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 title 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 60
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 38
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 17
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 17
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 9
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 8
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 2
- 229940001593 sodium carbonate Drugs 0.000 claims description 2
- 229940083608 sodium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 claims description 2
- 229960002167 sodium tartrate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 5
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H chromium(III) sulfate Chemical compound [Cr+3].[Cr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- XPQGQRUKEBSKNW-UHFFFAOYSA-M sodium;2,3-dihydroxybutanedioic acid;hydrogen carbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O.OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O XPQGQRUKEBSKNW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2073—Multistep pretreatment
- C23C18/208—Multistep pretreatment with use of metal first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
- C23C18/24—Roughening, e.g. by etching using acid aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/285—Sensitising or activating with tin based compound or composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
- C23C18/405—Formaldehyde
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Vorbehandlungsverfahren »5 für dünne Isolierfolien aus Polyäthylenterephthalat <lurch Einwirkung von Schwefelsäurelösung, nachfolgende Behandlung mit heißer wäßriger Natriumhydroxid-Lösung und anschließende Sensibilisierung lind Aktivierung sowie chemische Verkupferung unter Verwendung eines Kupfersulfat, Formaldehyd, Natirumlaurylsulfat, Natriumhydroxid, Natriumcarbonat und Tartrat enthaltenden Bades.The invention relates to a pretreatment method »5 for thin insulating foils made of polyethylene terephthalate <l due to the action of sulfuric acid solution, the following Treatment with hot aqueous sodium hydroxide solution and subsequent sensitization lind activation and chemical copper plating using a copper sulfate, formaldehyde, sodium lauryl sulfate, Bath containing sodium hydroxide, sodium carbonate and tartrate.
Insbesondere sollen gemäß der Erfindung solche !Isolierfolien vorbehandelt werden, die zur Verwendung
»n der Technik der gedruckten Schaltungen und in der datenverarbeitenden Speichertechnik vorgesehen sind.
Bekanntlich besteht neuerdings der Wunsch, dünne, mit Kupfer in Form von dünnen Schichten belegte
Isolierfolien in der datenverarbeitenden Speichertechnik, vorzugsweise als Träger für Bandleitungen, z. B.
als Ansteuer-, Wort-, Bit- und Leseleitungen für magnetische Dünnschichtspeichermatrizen, einzusetzen. Bisher
waren Isolierfolien mit Kupferfolien kaschiert zu erhalten. Die Dicke der Kupferfolien, aus denen das
erwünschte Muster mit Hilfe der Photoätztechnik gebildet wurde, liegt in der Größenordnung von 30 bis
35 μηι, die Dicke der Isolierfolien betrug ebenso zwischen 30 und 35 μπι; die Gesamtstärke der Folien
ist bisher also relativ groß. Es sind zwar bereits Untersuchungen angestellt worden, die darauf abzielen,
dünnere Isolierfolien mit dünneren Kupferschichten zu versehen. Beispielsweise hat man versucht, dünne
Folien durch Aufdampfen im Vakuum oder durch Kathodenzerstäubung zu verkupfern. Hierbei wird
abet eine thermische Beanspruchung der Folien erforderlich, wobei deren mechanische Festigkeit oft bis
zum Zerreißen verringert wird. Die abgeschiedenen Schichten sind außerdem nicht spannungsfrei. Bei der
Verkupferung der Folien aus bekannten Verkupferungslösungen konnten bisher keine Schichten auf den
Folien abgeschieden werden, die nicht durch leichtes Spülen mit Wasser oder durch Wischen wieder entfernt
wurden. Eine Temperung des abgeschiedenen Kupfers brachte zwar eine geringe Verbesserung der Haftfestigkeil,
aber die Anforderungen sind auch hiernach bei weitem nicht erfüllt. Die getemperten Kupferschichten
haften immer noch sehr schlecht und sind nicht kratzfest Eine mechanische Aufrauhung der Folien, die
eventuell eine Verbesserung der Haftfestigkeit bewirken würde ist bei deren geringer Starke ausgeschlossen.
Ganz besondere Schwierigkeiten treten auf wenn die Isolierfolien aus Polyäthylenterephthalat bestehen.
Polyäthylenterephthalat ist auf Grund der guten chemischen
Resistenz gegenüber den zum Atzen von Kupfer gebräuchlichen Lösungen als Tragermaterial
ganz besonders vorteilhaft. Auf diesen Folien lassen Ich aber praktisch überhaupt keine einigermaßen
haftenbleibenden Kupferschichten auf bringen. Es wurden eine ganze Reihe bekannter Verkupferungsoader
untersucht, mit denen auf dicken, kompakten KunststoffDlatten
gut haftende Kupferschichten erzielt werden können. Alle diese Verfahren versagen wenn
dünne Polyäthylenterephthalatfohen verkupfert werden sollen. Beispielsweise wurden Bader angewendet,
die in 1 1 Wasser folgende Komponenten enthalten: 14,6 g Kupfersulfat (kristallisiert),
7,5 g Natriumhydroxid,
7,5 g Rochellesalz und
34,0 g Formaldehyd (37%ig). Ein anderes angewendetes Bad enthält pro 1 1
7,8 g Kupferchlorid,
7,5 g Natriumhydroxid,
7,5 Rochellesalz undIn particular, according to the invention, such insulating foils are to be pretreated which are intended for use in the technology of printed circuits and in data-processing storage technology. As is well known, there has recently been a desire to use thin insulating foils covered with copper in the form of thin layers in data processing storage technology, preferably as a carrier for ribbon cables, e.g. B. as control, word, bit and read lines for magnetic thin-film memory matrices to use. Up to now, insulating foils could be obtained laminated with copper foils. The thickness of the copper foils, from which the desired pattern was formed with the help of the photo-etching technique, is in the order of 30 to 35 μm, the thickness of the insulating foils was also between 30 and 35 μm; the total thickness of the foils has so far been relatively large. Investigations have already been made with the aim of providing thinner insulating foils with thinner copper layers. For example, attempts have been made to copper-coat thin foils by vapor deposition in a vacuum or by cathode sputtering. In this case, however, the foils must be subjected to thermal stress, and their mechanical strength is often reduced to the point of tearing. The deposited layers are also not free of tension. When copper-plating the foils from known copper-plating solutions, it has hitherto not been possible to deposit any layers on the foils that were not removed again by light rinsing with water or by wiping. Tempering the deposited copper brought about a slight improvement in the adhesive strength wedge, but the requirements are still far from being met. The tempered copper layers still adhere very poorly and are not scratch-resistant. Mechanical roughening of the foils, which would possibly improve the adhesive strength, is ruled out if they are less thick. Particular difficulties arise when the insulating films are made of polyethylene terephthalate. Polyethylene terephthalate is particularly advantageous as a carrier material due to its good chemical resistance to the solutions commonly used for etching copper. On these foils, however, I practically do not have any reasonably adhering copper layers applied at all. A number of known copper plating loaders have been investigated with which well-adhering copper layers can be achieved on thick, compact plastic slats. All of these methods fail when thin polyethylene terephthalate films are to be copper-plated. For example, baths were used which contained the following components in 1 liter of water: 14.6 g copper sulfate (crystallized), 7.5 g sodium hydroxide,
7.5 g Rochelle salt and
34.0 g formaldehyde (37%). Another bath used contains 7.8 g copper chloride per 1 1,
7.5 g sodium hydroxide,
7.5 Rochelle salt and
16,2 g Formaldehyd (100 %ig konzentriert). Diese und eine Reihe weiterer, beispielsweise beim Herstellen gedruckter Schaltungen nach der Aufbaumethode auf Schaltplatten gut haftende Kupferschichten ergebende Bäder führten bei den Folien der beschriebenen Art - die Folien wurden vor der Verkupferung in bekannter Weise mit katalytisch wirkenden Metallkeimen versehen, also beispielsweise in SnCl2-Bädern sensibilisiert und danach in PdCl^Badern aktiviert — nur zu einem bereits durch Wasser enifernbaren Kupferschleier, aber in keinem Falle zu haftenbleibenden Kupferschichten.16.2 g formaldehyde (100% concentrated). These and a number of other baths, which, for example, when producing printed circuits according to the build-up method on circuit boards, yielding well-adhering copper layers, resulted in the foils of the type described - the foils were provided with catalytically active metal nuclei in a known manner before copper plating, for example in SnCl 2 - Baths sensitized and then activated in PdCl ^ baths - only to a copper veil that can already be removed by water, but in no case copper layers to stick.
Vorbehandlungsverfahren für Polyester Polymere zum Zwecke der Metallbeschichtung sind zwar gemäß der USA -Patentschrift 31 42 582 bereits bekannt.Pretreatment processes for polyester polymers for the purpose of metal coating are in accordance with the USA patent specification 31 42 582 already known.
Hierbei wird jedoch die Vorbehandlung mit einer netzmittelfreien Natriumhydroxid-Lösung durchgeführt, die bei weiterer Anwendung eines ebenfalls zum Beispiel aus Plating 1964, Heft 11, S. »069 bis 1072, an sich bekannten Kupferbades zu einer nicht befriedigenden Schichthaftung führt.Here, however, the pretreatment is carried out with a wetting agent-free sodium hydroxide solution, which, with further application, also for example from Plating 1964, Issue 11, pp. »069 to 1072, known copper bath leads to unsatisfactory layer adhesion.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Entwicklung eines Vorbehandlungsverfahrens fur dünne Isolierfolien aus Polyäthylenterephthalat, welches eine höhere Schichthaftung der hierauf chemisch ausgeschiedenen Kupferschicht bewirkt.The object of the present invention is therefore Development of a pretreatment process for thin insulating films made of polyethylene terephthalate, which causes a higher layer adhesion of the chemically deposited copper layer.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß durch ein Vorbehandlungsverfahren gelöst durch Einwirkung von Schwefelsäurelösung, nachfolgende Behandlung mit heißer wäßriger Natriumhydroxid-Lösung und anschließende Sensibilisierung und Aktivierung sowie chemische Verkupferung unter Verwendung eines Kupfersulfat, Natriumhydroxid, Natriumcarbonat und Tartrat enthaltenden Bades, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß eine netzmittelhaltige Natriumhydroxid-Lösung verwendet wird.According to the invention, this object is achieved by a Pretreatment process solved by exposure to sulfuric acid solution, subsequent treatment with hot aqueous sodium hydroxide solution and subsequent sensitization and activation as well chemical copper plating using a copper sulfate, sodium hydroxide, and sodium carbonate Tartrate-containing bath, which is characterized in that a wetting agent-containing sodium hydroxide solution is used.
Bei Anwendung dieses Vorbehandlungsverfahrens werden auf den dünnen Isolierfolien gut haftende Kupferschichten erzielt. Die Haftfestigkeit ist so groß, daß beispielsweise bei 1 mm breiten Kupferstreifen, die bis zu einer Dicke von etwa 5 μιη galvanisch ver-When using this pretreatment process, the thin insulating foils will adhere well Copper layers achieved. The adhesive strength is so great that, for example, with 1 mm wide copper strips, which up to a thickness of about 5 μm galvanically
stärkt sind, erne Kraft zwischen 18 und 25 ρ erf order- enthaltende Lösung, die durch Lösen von wenigstrengths are, erne strength between 18 and 25 ρ required solution, which by solving little
Hch ist, um diese Streifen von der Unterlage zu lösen. Palladiumchlorid und Zinn-II-Chlorid in verdünnterHch is to detach these strips from the backing. Palladium chloride and tin (II) chloride in dilute
Oft kommt es beim Abziehen der Kupferstreifen zum Salzsäure (2 Teile Wasser, 1 Teil konzentrierter SaIz-When pulling off the copper strips, hydrochloric acid often occurs (2 parts water, 1 part concentrated salt
Zerreißen £er Streifen oder sogar zur Zerstörung der säure) gewonnen wird.Tearing it up strips or even destroying the acid) is obtained.
Kunststoffolie. 5 Gegebenenfalls können vor der Aktivierung undPlastic film. 5 If necessary, before activation and
Vorzugsv/eise wird Natriumlaurylsulfat als Netz- Sensibilisierung die Isolierfolien noch mit einer dünnenSodium lauryl sulfate is preferably used to sensitize the insulating film with a thin layer
mittel verwendet und der Anteil auf 50 mg pro Liter Kleberschicht versehen werden. Hierdurch wird diemedium used and the proportion to be provided on 50 mg per liter of adhesive layer. This will make the
Verkupferungslösung eingestellt. Haftfestigkeit der Kupferschichten weiter verbessert.Copper plating solution set. Adhesive strength of the copper layers further improved.
Gemäß der Erfindung ist also vorgesehen, daß zu- Der Kleber wird beispielsweise in verdünnter FormAccording to the invention it is therefore provided that to- The adhesive is, for example, in a diluted form
nächst die dünne Isolierfolie in ganz bestimmter Weise i» auf die Folie aufgebracht, so daß extrem dünneNext, the thin insulating film is applied to the film in a very specific way, so that extremely thin
vorbehandelt wird. Kleberschichten gebildet werden.is pretreated. Adhesive layers are formed.
Die Folit! wird nacheinander in Chromschwefelsäure Für die Verkupferung der Isolierfolie dienen erfin-
und Natriumhydroxid-Lösung, die ein Netzmittel ent- dungsgemäß alkalische Bäder, die einen sehr großen
hält, getaucht; beide Lösungen sind hierbei auf höhere Anteil an Reduktionsmittel bezogen auf den Kupfer-Temperatur
erhitzt. Diese Lösungen bewirken e;ne 15 ionenanteil enthalten. Diese Verkupferungsbäder wei-Veränderunfl
der Oberfläche der Folien, die zu erhöh- ssn etwa 85 bis 95 g Formaldehyd pro 1 1 Lösung auf,
ten Haftfestigkeiten der aufzubringenden Kupfer- das sind etwa 250 ml der im Handel erhältlichen
schicht führt. Da diese Lösungen eine Zerstörung der 35gewichtsprozentigen Formaldehyd-Lösung. Eine beFolien
bewirken können, darf die Behandlung nur vorzugte Verkupferungslösung, die ausgezeichnete
kurze Zeit durchgeführt werden. Beispielsweise werden *° Kupferschichten liefert, hat die folgende Zusammenbei
lminütiger Behandlung mit der Chromschwefel- setzung:
säurelösung und danach gleichfalls lminütiger Be- 12 ε CuSO -5HO
handlang mit der 15 bis 20gewichtsProzentigen Na- 35 J Kaliumnatriumtartrat ■ 4 H2O
tnumhydroxid-Losung sehr gute Ergebnisse erzielt. iHr«-lu»l1p«aM
Die Chromschwefelsaurelosung wird vorzugsweise aus *5 20 g N?OH
2 Volumteilen 98%iger Schwefelsäure, 1 Volumteil 15gNa,Co'
Wasser und 25 g Kaliumbichromat pro Liter herge- 50 J1 Natriumlaurylsulfat und
stellt. Der Natnumhydroxid-Lösung muß ein Netzmit- 250 mf Formaldehyd (35gewichtsprozentig)
tel wie Natriumlaurylsulfat zugesetzt werden. Vorzugsweise
beträgt der Anteil des Netzmittels in der 3<> pro Liter wäßriger Lösung.The folit! is successively in chromosulfuric acid. Invention and sodium hydroxide solution are used for copper plating of the insulating film, which dips a wetting agent according to alkaline baths, which hold a very large one; Both solutions are heated to a higher proportion of reducing agent based on the copper temperature. These solutions cause e ; contain 15 ions. These copper plating baths change the surface of the foils, which leads to an increase in the adhesive strength of the copper to be applied by about 85 to 95 g of formaldehyde per 1 liter of solution - that is about 250 ml of the commercially available layer. Because these solutions destroy the 35 weight percent formaldehyde solution. A foil can cause the treatment only preferred copper plating solution, which can be carried out for an excellent short time. For example, * ° copper layers are delivered, has the following relationship with a one-minute treatment with the chromium-sulfurization:
acid solution and then likewise for one minute loading 12 ε CuSO -5HO
long with the hand 15 to 20gewichts P rozentigen Na 35 J potassium sodium tartrate ■ 4 H 2 O
tnumhydroxid solution achieved very good results. iHr «-lu» l1p «aM
The chromosulfuric acid solution is preferably made from * 5 2 0 g N? OH
2 parts by volume 98% sulfuric acid, 1 part by volume 15gNa, Co '
Water and 25 g of potassium dichromate per liter. 50 J 1 of sodium lauryl sulfate and
represents. The sodium hydroxide solution must be a wetting agent 250 m f formaldehyde (35 percent by weight)
tel such as sodium lauryl sulfate can be added. The proportion of the wetting agent in the is preferably 3 per liter of aqueous solution.
Natronlauge zwischen etwa 300 und 600, insbesondere Nach einer etwa 5minütigen Behandlung der Isolier-Caustic soda between about 300 and 600, especially after treating the insulating material for about 5 minutes
500 mg 1. folie mit der Verkupferungslösung bei Zimmertempe-500 mg 1st foil with the copper plating solution at room temperature
Nach dieser vorbereitenden Behandlung der Isolier- ratur können etwa 0,5 μηι dicke KupferschichtenAfter this preparatory treatment of the insulation, about 0.5 μm thick copper layers can be applied
folie mit Chromschwefelsäure und der mit einem erzielt werden. Diese Schichtdicke ist gewöhnlichslide with chromosulfuric acid and that can be achieved with one. This layer thickness is common
Netzmittel versetzten Natriumhydroxid-Lösung und 35 erreicht, wenn die abgeschiedene Schicht gleichmäßigWetting agent added sodium hydroxide solution and 35 reached when the deposited layer was uniform
kurzem Abspülen dieser Lösung wird die Sensibilisie- erscheint und keinerlei Lichtdurchlässigkeit mehr zeigt,briefly rinsing off this solution, the sensitization appears and no longer shows any light transmission,
rung und Aktivierung der Isolierfolie vorgenommen- Diese chemisch abgeschiedene Kupferschicht kanntion and activation of the insulating film made- This chemically deposited copper layer can
Hierfür können die bekannten SnCl2- und PdCl2. noch galvanisch verdichtet und verstärkt werden.The known SnCl 2 - and PdCl 2 . still be galvanically compressed and reinforced.
Lösungen Verwendung finden. Die Reihenfolge der Zweckmäßigerweise wird die galvanische BehandlungFind solutions to use. The order of expediency is the galvanic treatment
Bäder ist hierbei gleichgültig. Als Sensibilisierungs- 4° in zwei Stufen vorgenommen, indem man zuvor eineBaths is irrelevant here. As a sensitization 4 ° carried out in two stages by previously one
lösung kann eine 2gewichtsprozentige SnSl2-Lösung geringe kathodische Stromdichte von etwa 4 bis 5 mA/solution, a 2 percent by weight SnSl 2 solution can contain a low cathodic current density of approx. 4 to 5 mA /
verwendet werden, die 1 Gewichtsprozent HCI enthält. cm2 und hierauf eine wesentlich höhere Stromdichteican be used, which contains 1 percent by weight HCI. cm 2 and then a much higher current density i
Dieser Lösung kann zur besseren Benetzung ein niede- beispielsweise eine kathodische Stromdichte von 40 bisFor better wetting, this solution can have a low, for example, a cathodic current density of 40 to
rer Alkohol, zum Beispiel Methanol, zugegeben wer- 50 mA/cm2, anwendet.rer alcohol, for example methanol, is added, 50 mA / cm 2 is used.
den, beispielsweise 25 ml/l Lösung. Nach 5 min ist eine 45 Wird zur Hauptverkupferung ein bekanntes Badden, for example 25 ml / l solution. After 5 minutes, a 45 becomes a familiar bath for the main copper plating
ausreichende Sensibilisierung der Isolierfolie erreicht. folgender Zusammensetzung verwendet:Sufficient sensitization of the insulating film is achieved. the following composition is used:
Nach der Sensibilisierung wird die Isolierfolie kurz in 200 g CuSO -5HO,After the sensitization, the insulating film is briefly in 200 g CuSO -5HO,
Wasser gespült, beispielsweise nur 5 see lang, und 30 g H SO* (98 Vig)',Rinsed with water, for example only for 5 seconds, and 30 g H SO * (98 Vig) ',
hiernach in eine Palladiumchloridlösung getaucht. Die 1OgNaCl* °then immersed in a palladium chloride solution. The 10gNaCl * °
Palladiumchloridlösung ist etwa 0.1 gewichtsprozentig 5<>
2 g Gelatine,
mit 1 Gewichtsprozent HCI angesäuert. Sie solltePalladium chloride solution is about 0.1 percent by weight 5 <> 2 g gelatin,
acidified with 1 percent by weight HCI. she should
ebenfalls ein Netzmittel, zum Beispiel Natriumlauryl- so erhält man nach etwa 4minütiger Behandlung inAlso a wetting agent, for example sodium lauryl, is obtained after about 4 minutes of treatment in
sulfat, enthalten. Durch Eintauchen oder Besprühen diesem Bad einen Schichtdickenzuwachs von 4 bissulfate. By immersing or spraying this bath a layer thickness increase of 4 to
der Folie mit dieser Lösung für eine Zeitdauer von 5 μπι. Die erste Stufe der galvanischen Behandlungthe film with this solution for a period of 5 μπι. The first stage of galvanic treatment
etwa 3 min werden befriedigende Ergebnisse erzielt. 55 bei geringer kathodischer Stromdichte wird vorzugs-Satisfactory results are achieved for about 3 minutes. 55 with low cathodic current density is preferred
Zur Aktivierung kann auch beispielsweise eine andere weise bis zu einem Schichtdickenzuwachs von etwaFor activation, for example, another way up to an increase in layer thickness of about
Edelmetallsalzlösung, beispielsweise eine Goldchlorid- 1 μΐη durchgeführt.Noble metal salt solution, for example a gold chloride 1 μΐη carried out.
lösung, verwendet werden. Wie erwähnt, kann die Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung dersolution, can be used. As mentioned, the following examples may serve to illustrate the
Isolierfolie auch zuerst mit der Aktivierungslösung und Erfindung,Insulating film also first with the activation solution and invention,
danach mit der Sensibilisierungslösung behandelt wer- 6o „ "soiel 1
den. Es ist auch möglich, die Sensibilisierung undthen treated with the sensitizing solution 6o "" soiel 1
the. It is also possible to raise awareness and
Aktivierung in einem einzigen Arbeitsgang vorzu- Eine Isolierfolie aus Polyäthylenterephthalat von nehmen, indem eine Lösung verwendet wird, die das 6 μπι Dicke wird auf einen Rahmen aufgespannt und katalytisch für die Kupferabscheidung wirkende Me- befestigt, z. B. angeklebt. Hierdurch wird die Folie tall, wie Palladium, Gold oder Platin, in kolloider 65 mechanisch gefestigt und handlich. Die auf dem Rah-Verteilung, vorzugsweise zusammen mit einem Schutz- men aufgespannte Folie wird 1 min lang in Chromkolloid, enthält. Eine solche Lösung ist beispielsweise schwefelsäure getaucht, die auf 90° C erhitzt ist und pi™- kolloidale Zinnsäure und kolloidales Palladium aus 2 Teilen H2SO4 (98%ig), 1 Teil Wasser und 25 gActivation in a single operation vorzu- Take an insulating film made of polyethylene terephthalate by using a solution that is 6 μm thick is stretched on a frame and catalytically attached to the copper deposition acting Me- z. B. glued. This makes the foil tall, such as palladium, gold or platinum, mechanically strengthened and manageable in colloidal 6 5. The foil, which is stretched out on the creamer, preferably together with a protective cover, is contained in chromium colloid for 1 min. Such a solution is, for example, immersed in sulfuric acid which is heated to 90 ° C. and pi ™ - colloidal stannic acid and colloidal palladium from 2 parts of H 2 SO 4 (98%), 1 part of water and 25 g
K2Cr2O7 pro Liter zusammengesetzt ist, danach kurz gewässert und 1 min in 20gewichtsprozentige Natronlauge von 9OC getaucht, die 500 mg Natriumlauryisulfat pro Liter enthält. Nach kurzer Wässerung wird die Folie in eine SnCI2-Lösung getaucht, kurz gespült, vorzugsweise mit leicht angesäuertem Wasser, und hiernach in eine 0,1 gewichtsprozentige salzsäure PdCl2-Lösung getaucht. Beispielsweise besitzt tue SnCI2-Lösung folgende Zusammensetzung: 20 g SnCI2 und 10 g HCl pro Liter. Dieser Lösung kann noch Methanol zugegeben werden. Die so mit katalytisch wirkenden Pd-Keimen versehene Isolierfolie wird nun, gegebenenfalls nach kurzem Zwischenspülen mit Wasser, das mit einem Netzmittel, wie Natriumlaurylsulfat, versetzt ist, mit einer Verkupferungslösung folgender Zusammensetzung behandelt (pro Liter Lösung):K 2 Cr 2 O 7 is composed per liter, then briefly soaked and immersed for 1 min in 20 weight percent sodium hydroxide solution of 9OC, which contains 500 mg sodium laury sulfate per liter. After a short soak, the film is dipped into an SnCl 2 solution, rinsed briefly, preferably with slightly acidic water, and then dipped into a 0.1 percent by weight hydrochloric acid PdCl 2 solution. For example, the SnCl 2 solution has the following composition: 20 g SnCl 2 and 10 g HCl per liter. Methanol can also be added to this solution. The insulating film thus provided with catalytically active Pd nuclei is now treated with a copper plating solution of the following composition (per liter of solution), if necessary after a brief intermediate rinse with water to which a wetting agent such as sodium lauryl sulfate has been added:
12 g CuSO4-5 H2O,
35 g Rochellesalz,
2OgNaOH,
ISgNa2CO3,12 g CuSO 4 -5 H 2 O,
35 g Rochelle salt,
2OgNaOH,
ISgNa 2 CO 3 ,
50 mg Natriumlaurylsulfat,
250 ml Formaldehyd (35gewichtsprozentig),
Rest Wasser.50 mg sodium lauryl sulfate,
250 ml formaldehyde (35 percent by weight),
Rest water.
Diese Lösung wird zweckmäßigerweise erst kurz vor der Verwendung hergestellt, beispielsweise durch Zugabe der erforderlichen Menge Formaldehyd zu einer die übrigen Bestandteile enthaltenden Lösung. Sobald die abgeschiedene Kupferschicht für Lichi undurchsichtig geworden ist und gleichmäßig aussieht, wird die Behandlung in dem chemischen Bad unterbrochen. Die Schichtdicke beträgt jetzt ungefähr 0,5 μπι.This solution is expediently produced shortly before use, for example by adding the required amount of formaldehyde to a solution containing the remaining components. As soon the deposited copper layer has become opaque to lichi and looks uniform, becomes the Treatment in the chemical bath interrupted. The layer thickness is now approximately 0.5 μm.
Hiernach kann die Schicht galvanisch weiterverkupfert werden bis zu einer Schichtdicke von etwa 5 oder 6 μπι. Aus diesen Schichten können dann in bekannter Weise durch Abdecken bestimmter Teile, zum Beispiel mit Hilfe der Fotolacktechnik, die gewünschten Muster gebildet werden.After this, the layer can be galvanically further copper-plated up to a layer thickness of about 5 or 6 μπι. These layers can then be used in a known manner by covering certain parts, For example, with the help of photoresist technology, the desired pattern can be formed.
Die Kupferschichten haften ausgezeichnet auf der Isolierunterlage. Beispielsweise beträgt der zum Abziehen von 1 mm breiten Streifen einer Dicke von 5,5 μηι erforderliche Kraftaufwand zwischen 18 und 25 p. Durch Tempern beispielsweise bei 100° C kann diese Haftfestigkeit noch weiter verbessert werden.The copper layers adhere excellently to the insulating pad. For example, the amount to be peeled off is of 1 mm wide strips with a thickness of 5.5 μm required force between 18 and 25 p. This adhesive strength can be further improved by tempering at 100 ° C., for example.
Der Vollständigkeit halber wird noch darauf hingewiesen, daß die Behandlung der Isolierfolien auch kontinuierlich im sogenannten Wander bad verfahren durchgeführt werden kann, wenn dafür gesorgt wird, daß die Folie die hierfür erforderliche mechanische Festigkeit besitzt.For the sake of completeness, it should be noted that the treatment of the insulating films is also continuous can be carried out in the so-called hiking pool procedure if it is ensured that that the film has the mechanical strength required for this.
ίο A) Ein Vorbehandlungsbad wurde gemäß der USA.-Patentschrift 3142 582 mit folgender Zusammensetzung hergestellt:ίο A) A pretreatment bath was made according to the United States patent 3142 582 manufactured with the following composition:
38 g/l Na2Cr2O7 · 2 H2O,
740 ml/1 konzentrierter H2SO1 (D: 1,84),
249 ml/1 Wasser.38 g / l Na 2 Cr 2 O 7 · 2 H 2 O,
740 ml / 1 concentrated H 2 SO 1 (D: 1.84),
249 ml / 1 water.
Mit diesem Bad wurde eine Folie aus Polyäthylenterephthalat 1 min bei 85' C behandelt, die darauf mit Wasser gespült und anschließend 1 min in eine wäßrigeWith this bath, a film made of polyethylene terephthalate was treated for 1 min at 85 'C, which then with Rinsed water and then 1 min in an aqueous
ao Lösung aus 150 g/l Natriumhydroxid bei etwa 90 C getaucht und dann abermals mit Wasser gespült wurde, worauf nach vorangegangener Sensibilisierung und Aktivierung mit Zinn- und Palladiumchlorid-Lösung dann eine chemische Verkupferung bei Zimmertempe-ao solution of 150 g / l sodium hydroxide at about 90 ° C was immersed and then rinsed again with water, whereupon after previous sensitization and Activation with tin and palladium chloride solution then chemical copper plating at room temperature
»5 ratur aus einer Lösung vorgenommen wurde, die
Natriumlaurylsulfat, Natriumhydroxid, Natriumcarbonat, Kalium-Natrium-Tartrat und 12 g CuSO4 - >
H2O sowie 90 g Formaldehyd pro Liter enthielt.
Die Prüfung der Haftfestigkeit (Bestimmung der Abzugskraft) erfolgte nach der Deutschen Norm DlN
53 494 und ergab einen Wert von 2,0 kg.»5 temperature was made from a solution containing sodium lauryl sulfate, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium sodium tartrate and 12 g CuSO 4 -> H 2 O and 90 g formaldehyde per liter.
The test of the adhesive strength (determination of the pull-off force) was carried out in accordance with the German standard DIN 53 494 and resulted in a value of 2.0 kg.
B) Der unter A) beschriebene Versuch wurde unter sonst identischen Bedingungen wiederholt, wobei jedoch eine wäßrige Lösung aus 150 g/l Natriumhydroxid verwendet wurde, der 500 mg Natriumlaurylsulfat als Netzmittel hinzugefügt waren.B) The experiment described under A) was repeated under otherwise identical conditions, with However, an aqueous solution of 150 g / l sodium hydroxide was used, the 500 mg sodium lauryl sulfate were added as a wetting agent.
Die nach DIN 53 494 bestimmte Haftfestigkeit betrug hierbei 3,1 kg.The adhesive strength determined in accordance with DIN 53 494 was 3.1 kg.
Der Zusatz eines Netzmittels zu dem an sich bekannten Vorbehandlungsbad für Polyäthylenterephthalat zum Zwecke der anschließenden chemischen Verkupferung hatte eine Erhöhung der Haftfestigkeit der abgeschiedenen Metallschicht von 2,0 kg auf 3,1 kg, das heißt von mehr als 50% zur Folge.The addition of a wetting agent to the known pretreatment bath for polyethylene terephthalate for the purpose of the subsequent chemical copper plating had an increase in the adhesive strength of the deposited metal layer from 2.0 kg to 3.1 kg, that is more than 50% result.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1967S0111283 DE1690025B2 (en) | 1967-08-09 | 1967-08-09 | PRE-TREATMENT PROCESS FOR THIN INSULATING FILMS MADE OF POLYAETHYLENE TEREPHTHALATE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1967S0111283 DE1690025B2 (en) | 1967-08-09 | 1967-08-09 | PRE-TREATMENT PROCESS FOR THIN INSULATING FILMS MADE OF POLYAETHYLENE TEREPHTHALATE |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1690025A1 DE1690025A1 (en) | 1971-04-15 |
DE1690025B2 true DE1690025B2 (en) | 1976-10-07 |
Family
ID=7530843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1967S0111283 Granted DE1690025B2 (en) | 1967-08-09 | 1967-08-09 | PRE-TREATMENT PROCESS FOR THIN INSULATING FILMS MADE OF POLYAETHYLENE TEREPHTHALATE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1690025B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2659625A1 (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-06 | Ferrozell Sachs & Co Gmbh | PROCESS FOR MANUFACTURING THINCLAD MATERIALS FOR PRINTED CIRCUITS |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4486483A (en) * | 1983-07-11 | 1984-12-04 | American Hoechst Corporation | Polyester film primed with organic acid salts |
-
1967
- 1967-08-09 DE DE1967S0111283 patent/DE1690025B2/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2659625A1 (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-06 | Ferrozell Sachs & Co Gmbh | PROCESS FOR MANUFACTURING THINCLAD MATERIALS FOR PRINTED CIRCUITS |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1690025A1 (en) | 1971-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2238004C3 (en) | Process for the pretreatment for the subsequent metallization of plastics, in particular for the production of printed circuit boards | |
DE2810523C2 (en) | Process for the production of a base material for printed circuits | |
DE2064861C3 (en) | Process for the production of printed circuit boards. Eliminated in: 2065346 and 2065347 and 2065348 and 2065349 | |
DE2166971C3 (en) | Process for the production of printed circuit boards | |
DE69432591T2 (en) | MATERIAL FOR PCB WITH BARRIER LAYER | |
DE1270353C2 (en) | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF METALLIC, ELECTRICALLY CONDUCTIVE OR SEMI-CONDUCTIVE AND / OR MAGNETIC COATINGS ON NON-METALLIC SURFACES BY CHEMICAL DEPOSITION | |
EP0154909A2 (en) | Process and sheet material for the manufacture of printed circuits with through-connections | |
DE3110415A1 (en) | MANUFACTURING METHOD FOR AND CIRCUIT BOARDS PRODUCED BY THIS METHOD | |
DE2335497C3 (en) | Process for the catalytic sensitization of surfaces of plastics and solution for carrying out the process | |
CH658563A5 (en) | METHOD FOR PRODUCING PRINTED CIRCUITS. | |
DE2362382C3 (en) | Process for the manufacture of base material | |
DE2137179A1 (en) | Method for electroless metal heating of a surface | |
DE2831126C2 (en) | Process for the pretreatment of an epoxy resin substrate for electroless copper plating | |
DE1665314C2 (en) | Base material for the production of printed circuits | |
DE3850176T2 (en) | Wiring method. | |
DE1690025B2 (en) | PRE-TREATMENT PROCESS FOR THIN INSULATING FILMS MADE OF POLYAETHYLENE TEREPHTHALATE | |
DE1690025C3 (en) | Pretreatment process for thin insulating foils made of polyethylene terephthalate | |
DE69023816T2 (en) | Process for the production of printed circuit boards. | |
DE3412447A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING PRINTED CIRCUITS | |
DE1926669B2 (en) | METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICALLY CONDUCTIVE METAL SAMPLES | |
DE2530614C2 (en) | Process for preparing substrates for the production of metal samples | |
DE2307222A1 (en) | METALIZATION METHOD OF PLASTIC SURFACES | |
DE2135384C3 (en) | Process for the manufacture of printed circuit boards and the product manufactured by this process | |
DE2159613A1 (en) | Process for electroless metal plating of non-conductive bodies | |
DE3048665C2 (en) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |