DE1639432B2

DE1639432B2 - Process for the production of electrical capacitors

Info

Publication number: DE1639432B2
Application number: DE19681639432
Authority: DE
Inventors: Horst Gebert; Silvia Lipka; Martin Meyer
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1968-01-15
Filing date: 1968-01-15
Publication date: 1974-10-24
Also published as: DE1639432A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit einem Anodenkörper aus Ventilmetall, auf dem eine dielektrische Oxidschicht angeordnet ist welche eine Halbleiterschicht trägt Auf der Halbleiterschicht ist eine elektrisch gut leitende Schicht angeordnetThe invention relates to a method for producing electrical capacitors with a Anode body made of valve metal, on which a dielectric oxide layer is arranged which carries a semiconductor layer electrically conductive layer arranged

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von solchen elektrischer) Kondensatoren zu schaffen, bei dem in einfacher WeiseThe invention is based on the object of creating a method for producing such electrical) capacitors in which in a simple manner eine hohe Kapazität erzielt bzw. bipolare Kondensatoren erhalten werden.a high capacity can be achieved or bipolar capacitors can be obtained.

Gemäß der Erfindung wird dies dadurch erreicht daß mindestens zwei Anodenkörper verwendet werden und diese bei der Erzeugung oder dem Aufbringen mindestens der gut leitenden Schicht so nahe beieinander angeordnet werden, daß durch diese Schicht die Anodenkörper zu einer Einheit verbunden werden. Bekanntlich wird bei der Herstellung von Kondensa-According to the invention, this is achieved in that at least two anode bodies are used and these are so close to one another when producing or applying at least the highly conductive layer be arranged so that the anode bodies are connected to form a unit through this layer. It is well known that in the production of condensate

ip toren der obengenannten Art von Elektrodenkörpern aus Ventilmetall ausgegangen, insbesondere von solchen aus Tantal, Aluminium, Niob, Titan. Zur Erzielung einer besonders hohen Kapazität pro Raumeinheit werden als Anodenkörper poröse Sinterkörper verip gates of the above-mentioned type of electrode bodies started from valve metal, in particular from those made of tantalum, aluminum, niobium, titanium. To achieve With a particularly high capacity per unit of space, porous sintered bodies are used as anode bodies wendetturns

Die Anodenkörper werden nach einem bekannten Verfahren mit einer dielektrischen Oxidschicht überzogen, und anschließend wird auf der Oxidschicht eine Halbleiterschicht erzeugt Die Halbleiterschicht bestehtThe anode bodies are coated with a dielectric oxide layer by a known method, and then a dielectric oxide layer is applied to the oxide layer Semiconductor layer produced The semiconductor layer exists

zo vorzugsweise aus einem geeigneten Oxid, wie z. B. Mangandioxid oder Bleidioxid Die Halbleiterschicht wird gewöhnlich durch Zersetzen einer geeigneten wäßrigen Lösung erzeugt beispielsweise indem die AnodenKörper in eine wäßrige Mangannitratlösung ge- zo preferably of a suitable oxide, such as. B. Manganese dioxide or lead dioxide. The semiconductor layer is usually produced by decomposing a suitable aqueous solution, for example by placing the anode bodies in an aqueous manganese nitrate solution.

2s taucht werden und durch anschließendes Erhitzen das Mangannitrat zu Mangandioxid zersetzt wird.2s are immersed and by subsequent heating the Manganese nitrate is broken down into manganese dioxide.

Auf dtfse Halbleiterschicht wird dann eine elektrisch gut leitende Schicht aufgebracht die auch aus mehreren Teilschichten unterschiedlicher Stoffe bestehenAn electrical layer is then applied to the semiconductor layer A highly conductive layer is applied, which also consists of several sub-layers of different substances kann. Beispielsweise wird zunächst auf die Mangandioxidschicht eine Graphitschicht aufgebracht und anschließend eine Lotschichtcan. For example, a graphite layer is first applied to the manganese dioxide layer and then a solder layer

Es is* auch bereits bekannt elektrische Kondensatoren mit Anodenkörpern aus Ventilmetall in der WeiseIt is * also already known electrical capacitors with anode bodies made of valve metal in the manner aufzubauen, daß für einen Kondensator mehrere Sinterkörper zu einer Einheit zusammengefaßt werden. So ist es beispielsweise aus der deutschen Patentschrift 1 101 67Λ bekannt mehrere Sinterkörper zu verwenden und die die Sinterkörper durchsetzenden Stromzuleibuild up that several sintered bodies are combined into one unit for a capacitor. For example, it is known from German patent specification 1 101 67Λ to use a plurality of sintered bodies and to supply the power supply through the sintered bodies tungen aus Ventilmetall miteinander zu verbinden bzw. eine gemeinsame Stromzuleitung für alle Sinterkörper in Draht- oder Bandform vozusehen. Bei dieser bekannten Ausführungsform handelt es sich jedoch nicht um Kondensatoren mit auf dem Anodenkörper aufgeconnections made of valve metal with each other or Provide a common power line for all sintered bodies in wire or ribbon form. However, this is not the case with this known embodiment around capacitors with on the anode body brachter Halbleiterschicht und einer leitenden Schicht, sondern um Kondensatoren mit einem flüssigen Elektrolyten.brought semiconductor layer and a conductive layer, but capacitors with a liquid electrolyte.

Aus der DT-AS 1 215 260 ist es weiter bekannt einen elektrischen Kondensator mit Halbleiterschicht in derIt is also known from DT-AS 1 215 260 electric capacitor with semiconductor layer in the

so Weise herzustellen, daß auf ein Band aus Ventilmetall in Abstand voneinander Mangandioxidbeläge und auf diese elektrisch leitende Kontaktschichten aufgebracht werden. Das Trägerband kann anschließend so gefaltet werden, daß die leitenden Schichten der einzelnen Einso way to manufacture that on a tape of valve metal at a distance from each other manganese dioxide coatings and applied to these electrically conductive contact layers will. The carrier tape can then be folded so that the conductive layers of the individual one heiten miteinander in Kontakt kommen. Bei diesem be kannten Verfahren werden zwar auch Kondensatoreinheiten zu einem einzigen Kondensator zusammengefaßt jedoch wird hier ein einziger Anodenkörper in Form eines Bandes verwendet. Hierdurch ist die Vercome into contact with each other. With this be Known processes, capacitor units are also combined to form a single capacitor, but a single anode body is used here in Used in the form of a ribbon. This makes the Ver wendung von Sinterkörpern ausgeschlossen. Auch sind Übergangswiderstände zwischen den einzelnen aufeinanderliegenden leitenden Schichten vorhanden, da diese erst nach ihrer Herstellung miteinander in Kontakt gebracht werden.use of sintered bodies is excluded. Also are Contact resistances exist between the individual conductive layers lying on top of one another, since these only come into contact with one another after they have been produced to be brought.

Aus der deutschen Patentschrift 1 142 967 ist es bereits bekannt einen Kondensator mit Halbleiterschicht in der Weise herzustellen, daß zwei Sinterkörper ineinander angeordnet werden, so daß der eine SinterkörperA capacitor with a semiconductor layer is already known from German patent specification 1 142 967 in such a way that two sintered bodies are arranged one inside the other, so that the one sintered body

•η anderen gehaltert ist Zwischen den Sintern ist eine Halbleiterschicht angeordnet Zur Halles einen Sinierkörpers im anderen ist ein geDruck erforderlich, durch den leicht eine Verletder Halbleiterschicht und ge>sebenenfalls der ^schicht eintreten kann. Schließlich ist für den äuße- ^Süiterkörper eine verhältnismäßig komplizierte• η other is held between the sintering a semiconductor layer is arranged Zur Halles One body in the other requires pressure, which can easily cause a loss Semiconductor layer and also the ^ shift can enter. Finally, for the external ^ A relatively complicated body

amen »i aus der DT-AS 1 213 053 ein Verfahzur Herstellung von elektrischen Kondensatoren *T Halbleiterschicht bekannt bei dem die einzelnen /tnodenkörper an einem gemeinsamen Draht befestigt «erden, welcher wiederum von einem Körper aus Keramik oder Quarz getragen wird. Die einzelnen Anodenkörper werden dann gemeinsam den weiteren vLfahrensschritten unterworfen, wozu auch die Herrtellung der Halbleiterschicht und der leitenden Schicht «hören. Bei diesem bekannten Verfahren sind jedoch, im Gegensatz zu der Erfindung, die e^:nzelnen Anoden-WirDer in solchem Abstand voneinander angeordnet, daß die aufgebrachten oder auf den Anodenkörpern erzeugten Schichten nicht mehrere Anodenkörper gleich-amen "i from DT-AS 1 213 053 a method for the production of electrical capacitors * T semiconductor layer is known in which the individual / terminal bodies are attached to a common wire," which in turn is carried by a body made of ceramic or quartz. The individual anode bodies are then jointly subjected to the further process steps, which also include the production of the semiconductor layer and the conductive layer. Nzelnen WirDer anode spaced apart at such a distance that the applied or generated on the anode bodies at the same layers not more anode ^body: In this known method, however, in contrast to the invention, which are e

7ftitie umfassen.7ftitie include.

Aus der deutschen Patentschrift 1 121 731 ist auch ein Verfahren zur Herstellung von keramischen Röhrchenkondensatoren bekannt bei dem mehrere dielektrische Röhrchen nebeneinander auf haarnadelförmig gebogene Drähte so aufgesteckt werden, daß das eine zu einer Schleife gebogene Ende am Umfang des Keramikröhrchens federnd anliegt Durch Tauchen in ein Lötbad werden die Enden des Drahtes mit dem Röhrchen verlötet Keinesfalls sollen aber hierbei mehrere Einheiten durch die aufgebrachten Schichten miteinander verbunden werden.The German patent specification 1 121 731 also discloses a method for producing ceramic tubular capacitors known in which several dielectric tubes side by side in a hairpin shape bent wires are attached so that one end bent into a loop on the circumference of the ceramic tube resiliently rests by immersing in a solder bath, the ends of the wire with the tube soldered Under no circumstances should several units be connected to one another through the layers applied get connected.

Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung können die einzelnen Anodenkörper in verschiedener Weise so nebeneinander angeordnet werden, daß sie beim Aufbringen der Schichten miteinander verbunden werden. So ist es beispielsweise möglich, die einzelnen Anodenkörner selbst oder mittels ihrer Zuleitungsdrähte in an sich bekannter Weise an einem gemeinsamen Träger, vorzugsweise aus Ventilmetall, zu befestigen. Hierbei werden sie gemäß der Erfindung so in Gruppen angeordnet, daß beim Erzeugen bzw. Aufbringen der Schichten die einzelnen Gruppen zu einer mechanischen und elektrische« Einheit verbunden werden.In the method according to the invention, the individual anode bodies are arranged side by side in various ways so that they are applied when of the layers are connected to each other. For example, it is possible to use the individual anode grains themselves or by means of their lead wires in themselves known way to be attached to a common carrier, preferably made of valve metal. Here will be they are arranged according to the invention in groups that when creating or applying the layers the individual groups are connected to form a mechanical and electrical unit.

Eine andere Möglichkeit zur Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung besteht darin, federnde haarnadelförmig gebogene Drähte zu verwenden, an denen die Anodenkörper befestigt werden. Die Verwendung solcher federnder Drahtklammern, dip später auch als Anschlußdrähte dienen, zur Herstellung von Kondensatoren mit Halbleiterschicht ist bereits vorgeschlagen «,orden Es wurde jedoch bei dem älteren Verfahren nur immer ein Anodenkörper an Hner DrahtklammerAnother possibility for carrying out the method according to the invention is resilient hairpin-shaped to use bent wires to which the anode bodies will be attached. The usage Such resilient wire clips, dip later also serve as connecting wires, for the production of capacitors with a semiconductor layer has already been proposed «, but it was used in the older method only ever one anode body on Hner wire clip

inden Figuren ist das Verfahren gemäß der Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen dargestellt. Es sind dort die Produkte dargestellt, die nach Anwendung der einzelnen Verfahrensstufen erhalten werden.in the figures is the method according to the invention shown on the basis of exemplary embodiments. There the products are shown, which according to application of the individual process stages can be obtained.

Fi g 1 zeigt Verfahrensstufen für ein Verfahren, bei dem mehrere Anodenkörper an einem gemeinsamen Träger gruppenweise angeordnet sind; in denFi g 1 shows process stages for a process in the several anode bodies are arranged in groups on a common carrier; in the

Fi g 2 und 3 sind Abwandlungen des Verfahrens gemäß der Erfindung dargestellt, bei denen eine haarna- &5 delförmige Drahtklammer als Träger der Anodenkor-Fi g 2 and 3 modifications of the method according to the invention are shown in which a hair & 5 delta-shaped wire clip as a carrier of the anode cor-

^{und lc sind die Produkte von drei} Verfahrensstufen dargestellt, nach denen Kondensatoren gemäß der Erfindung hergestellt werden. Zunächst werden, wie dies in F i g. la dargestellt ist, mehrere Anodenkörper gruppenweise an einem gemeinsamen Träger 3 befestigt, der beispielsweise, wie die Anodenkörper 1 und die Zuleitungsdrähte 2, aus Ventilmetall bestehen kann. Die Anodenkörper 1 können, wie in F i g. 1 schematisch dargestellt, z. B. Tantalsinterkörper sein. Gemäß der Erfindung sind nun je zwei Sinterkörper so nahe nebeneinander augeordnet, daß bei der Erzeugung oder beim Aufbringen von Schichten die beiden Anodenkörper zu einer Einheit verbunden werden. Zunächst werden die Anodenkörper einer elektrischen Formierung zur Erzeugung einer dielektrischen Oxidschicht unterworfen. Einerseits muß die Oxidschicht die Anodenkörper 1 allseitig vollkommen bedecken, andererseits wächst diese Oxidschicht in das Innere des Anodenkörpers hinein, so daß hierdurch noch keine Verbindung der beiden Anodenkörper zu einer Einheit erfolgt. Erst wenn die Halbleiterschicht 4 aufgebracht ist, wie dies in Fi g. Ib dargestellt ist, werden die Anodenkörper durch diese Schicht zu einer Einheit verbunden. In F i g. Ic ist der Verfahrenszustand nach derr> Aufbringen der leitenden Schicht 5 dargestellt. Gegebenenfalls genügt es, wenn erst durch die Schicht 5 die Anodenkörper zu einer Einiisit verbunden werden. Die leitende Schicht 5 kann aus mehreren Teilschichten unterschiedlicher Stoffe bestehen oder es können mehrere leitende Schichten aufeinander aufgebracht werden. Vorzugsweise wird die äußerste leitende Schicht aus einer niedrigschmelzenden Legierung hergestellt, wodurch sich eine besonders gute Verbindung der Anodenkörper ergibt Nunmehr kann der so erhaltene Körper durch Abtrennen der Drähte 2 von dem gemeinsamen Träger 3 getrennt werden, wonach in der Regel noch Anschlußdrähte angebracht werden und der Kondensator in eine geeignete Umhüllung eingebaut wird. Dabei können die beiden miteinander verbundenen Anodenkörper elektrisch zusammengeschaltet werden, während ein zweiter Anschluß an der leitenden Schicht 5 angebracht wird. Man erhält auf diese Weise einen Kondensator höherer Kapazität unter Verwendung von einzelnen einheitlichen Anodenkörpern. Es ist natürlich auch möglich, bei Verwendung eines geeigneten Trägers, z. B. eines Bandes, mehr als zwei Anodenkörper zu einer Einheit zu verbinden, indem sie in geeigneter Weise räumlich nahe nebeneinander angeordnet werden. ^{and lc show the products of three} process stages by which capacitors according to the invention are manufactured. First, as shown in FIG. 1a, several anode bodies are attached in groups to a common carrier 3 which, for example, like the anode body 1 and the lead wires 2, can consist of valve metal. The anode body 1 can, as in FIG. 1 shown schematically, for. B. be tantalum sintered bodies. According to the invention, two sintered bodies are arranged so closely next to one another that the two anode bodies are connected to form a unit when producing or applying layers. First, the anode bodies are subjected to electrical formation to produce a dielectric oxide layer. On the one hand, the oxide layer must completely cover the anode body 1 on all sides; on the other hand, this oxide layer grows into the interior of the anode body so that the two anode bodies are not yet connected to form a unit. Only when the semiconductor layer 4 is applied, as shown in Fi g. Ib is shown, the anode bodies are connected by this layer to form a unit. In Fig. Ic the process state after the application of the conductive layer 5 is shown. It may be sufficient if the anode bodies are first connected to form a unit through the layer 5. The conductive layer 5 can consist of several partial layers of different substances or several conductive layers can be applied to one another. The outermost conductive layer is preferably made of a low-melting alloy, which results in a particularly good connection of the anode bodies Capacitor is installed in a suitable envelope. The two anode bodies connected to one another can be electrically connected together while a second connection is attached to the conductive layer 5. In this way, a capacitor with a higher capacitance is obtained using individual, uniform anode bodies. It is of course also possible, using a suitable carrier, e.g. B. a tape to connect more than two anode bodies to form a unit by being arranged spatially close to one another in a suitable manner.

Eine Abwandlung des Verfahrens gemäß der Erfindung ist in den F i g. 2 und 3 dargestellt Hier werden als Träger für die Anodenkörper 1 haarnadelförmig gebogene Drahtklammern 6 verwendet, deren Enden mit den Zuleitungsdrähten 2 verbunden werden. Die Verbindungsstelle wird beispielsweise kreuzförmig mit überstehenden Enden ausgeführt, wie dies bereits vorgeschlagen wurde, so daß eine durch Tauchen aufgebrachte Vergußmasse besser haftetA modification of the method according to the invention is shown in FIGS. 2 and 3 are shown here used as a carrier for the anode body 1 hairpin-shaped bent wire clips 6, the ends with the lead wires 2 are connected. The connection point is, for example, cross-shaped with protruding ends carried out, as has already been proposed, so that one applied by dipping Potting compound adheres better

Nach F i g. 2 sind die Drahtklammern 6 an beiden Schenkeln federnd ausgebildet während bei der Ausführungsform nach F i g. 3 die Drahtklammern so ausgebildet sind, daß nur ein Ende wesentliche Federungseigenschaften hat Die Drahtklammer 6 bei der Ausführungsform nach F i g. 2 kann derart bemessen sein, daß zwischen den einzelnen Anodenkörpern 1 ein geringer Zwischenraum verbleibt Es ist aber auch möglich, die Anodenkörper federnd aneinanderzudrücken, was die Ausbildung einer vollständigen dielektrischen Schicht auf beiden Anodenkörpern nicht behindern muß. NachAccording to FIG. 2, the wire clips 6 are resilient on both legs while in the embodiment according to FIG. 3 the wire clips are designed so that only one end has essential spring properties. The wire clip 6 in the embodiment according to FIG. 2 can be dimensioned such that between the individual anode bodies 1 a small amount Gap remains but it is also possible to press the anode bodies against each other resiliently, which the Formation of a complete dielectric layer on both anode bodies does not have to be an obstacle. To

dem Aufbringen der Halbleiterschicht 4 wird eine Anordnung erhalten, wie sie in F i g. 2b dargestellt ist. Das Endprodukt nach dem Aufbringen der leitenden Schicht 5 ist in Fig.2c dargestellt Anschließend kann noch, wie in F i g. 2d dargestellt, eine Kunststoffschicht 7 durch Tauchen aufgebracht werden. Schließlich werden die einzelnen Schenkel der Drahtklammer 6 an der durch eine gestrichelte Linie dargestellten Stelle durchtrennt. Man erhält so einen bipolaren elektrischen Kondensator.After applying the semiconductor layer 4, an arrangement is obtained as shown in FIG. 2b is shown. The end product after the application of the conductive layer 5 is shown in FIG. 2c. Subsequently, as in FIG. 2d, a plastic layer 7 can be applied by dipping. Finally, the individual legs of the wire clip 6 are severed at the point shown by a dashed line. A bipolar electrical capacitor is obtained in this way.

Bei der Ausführungsform nach F i g. 3 sind die beiden Anodenkörper 1 gemeinsam an dem gleichen Schenkel der Drahtklammer 6 befestigt, während der andere Schenkel der Drahtklammer an der Außenseite des einen Anodenkörpers anliegt oder in kurzem Abstand davon angeordnet ist. Es muß jedoch darauf geachtet werden, daß de Schenkel der Drahtklammer bei der Formierung nicht am Anodenkörper anliegt F i g. 3b zeigt wieder den Zustand nach dem Aufbringen der Halbleiterschicht 4 und F i g. 3c nach dem Aufbringen der leitenden Schicht 5. Schließlich kann der erhaltene Kondensator wieder mit einer Kunststoffhülle 7 versehen werden, wie dies in F i g. 3d dargestellt ist Das Aufbringen des Kunststoffes geschieht vorzugsweise durch Tauchen. Anschließend wird die Schleife der Drahtklammer 6 abgeschnitten. Bei dem so erhaltener Kondensator sind die Anodenkörper parallel geschaltet so daß ein polarer Kondensator doppelter Kapazität erhalten wird.In the embodiment according to FIG. 3 are the two Anode body 1 attached together to the same leg of the wire clip 6, while the other Leg of the wire clip rests against the outside of an anode body or at a short distance of which is arranged. However, care must be taken that the leg of the wire clip in the Formation is not in contact with the anode body F i g. 3b again shows the state after the application of the Semiconductor layer 4 and FIG. 3c after applying the conductive layer 5. Finally, the Capacitor can again be provided with a plastic sleeve 7, as shown in FIG. 3d shown is that The plastic is preferably applied by dipping. Then the loop becomes the Wire clip 6 cut off. In the capacitor obtained in this way, the anode bodies are connected in parallel so that a polar capacitor of double capacity is obtained.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kondensatoren, bei dem auf einem Anodenkörper aus Ventilmetall eine dielektrische Oxidschicht erzeugt wird, auf die eine Halbleiterschicht aufgebracht wird, die ihrerseits mit mindestens einer elektrisch gut leitenden Schicht bedeckt wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Erzeugung oder dem Aufbringen mindestens der gut leitenden Schicht mindestens zwei Anodenkörper so nahe beieinander angeordnet werden, daß durch diese Schicht die Anodenkörper zu einer Einheit verbunden werden.1. A method of manufacturing electrical capacitors in which on an anode body a dielectric oxide layer is produced from valve metal, to which a semiconductor layer is applied, which in turn has at least one electrically highly conductive layer is covered, characterized in that during the production or application of at least the highly conductive layer at least two anode bodies so be placed close together that by this layer the anode bodies are connected to form a unit.

2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenkörper mindestens vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht nahe beieinander angeordnet werden.2. The method according to claim I, characterized in that the anode body at least before the application of the semiconductor layer are arranged close to one another.

3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenkörper bereits vor dem Erzeugen der dielektrischen Schicht nahe beieinander angeordnet werdea3. The method according to claim 1 and 2, characterized in that the anode body already before are arranged close to one another when the dielectric layer is produced

4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet daß die Anodenkörper gruppenweise an einem gemeinsamen Träger befestigt werden.4. The method according to claim 1 to 3, characterized in that the anode body in groups be attached to a common carrier.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als gemeinsamer Träger ein Band oder Draht aus dem gleichen Ventilmetall wie der Anodenkörper verwendet wird.5. The method according to claim 4, characterized in that a tape as a common carrier or wire made from the same valve metal as the anode body is used.

6. Verfahren nach Anspruch 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß als gemeinsamer Träger ein haarnadelförmig gebogener Draht verwendet wird, an dessen Enden je ein Anodenkörper angebracht wird.6. The method according to claim 4 and 5, characterized in that a common carrier Hairpin-shaped bent wire is used, at the ends of which an anode body is attached will.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der haarnadelförmige Draht derart federnd ausgebildet ist daß die Anodenkörper aneinandergedrückt werden.7. The method according to claim 6, characterized in that the hairpin-shaped wire is designed resiliently in such a way that the anode bodies are pressed against one another.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß an einem Ende des haarnadelförmig gebogenen Drahtes mehrere Anodenkörper befestigt werden und das andere Ende federnd außen an einem der Anodenkörper anliegt8. The method according to claim 6, characterized in that at one end of the hairpin-shaped bent wire several anode bodies are attached and the other end is resilient to the outside rests against one of the anode bodies

9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Anodenkörper Sinterkörper aus Tantal verwendet werden.9. The method according to claim 1 to 8, characterized in that the anode body is sintered body made of tantalum can be used.

10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Kondensator Anschlüsse so angebracht werden, daß die einzelnen Anodenkörper parallel geschaltet wertjen,10. The method according to claim 1 to 9, characterized in that connections on the capacitor be attached in such a way that the individual anode bodies are connected in parallel,

11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet daß an dem Kondensator Anschlüsse so angebracht werden, daß die einzelnen Anodenkörper in Reihe geschaltet werden.11. The method according to claim 1 to 9, characterized in that connections on the capacitor be attached in such a way that the individual anode bodies are connected in series.