Halbleiter für Dioden oder Kristallverstärker
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Die für Dioden oder Kristallverstärker benutzten Halbleiterstoffe, im wesentlichen
Germanium oder Silizium, müssen vor dem Zusammenbau der Einrichtung an ihrer Oberfläche
geätzt werden, um eine für die Wirkungsweise der Einrichtung ge-
eignete Fläche zu sch-,. ifen.
Semiconductors for diodes or crystal amplifiers ffl ------------------ m
The semiconductor materials used for diodes or crystal amplifiers, mainly germanium or silicon, have to be etched on their surface before the device is assembled in order to ensure that the device functions properly. suitable area for sch- ,. ifen.
Die Neuerugn bezieht sich ebei@alls auf solche Halbleiter und schlägt
vor, den Halbleiter vor der Ätzung mit. einem, gegen das Ätzmittel beständigen Überzug
zu versehen, der während des Aufbringens oder auch nachträglich mit Durchbrechungen
versehen ist, durch die das Ätzmittel nur an gewünschten Stellen wirksam ist. Deiser
Überzug kann gegebenenfalls nach der ätzung wieder entfernt sein. Der Vorteile der
sich hierdurch bietet, ist der, dass der Halbleiterkörper nur an jenen Stellen geätzt
ist, die für seine spätere Verwendung benötigt werden. Wenn man ausserdem das Ätzmittellängere
Zeit einwirken lässt, wird sich an jenen geätzten Stellen eien Vertiefung bilden
in welche die Elektrode sicher gegen Verrücken eingesetzt werden k@nnen.
. Der Überzug kann aus einem derartigen Stoff bestehen dass
er. im Falle des Verbleibens auf dem Halbleiterkörpor für
" diesen eine dauernde Snb+pcoh bdot.
In der Zeichnung ist gezeigt, wie ein halbleiterkörper ent-
sprechend der Neuerung ausgebildet ist.. Ii der FgT ist
ein grosses Stück einer von einem Block'eines-Halbleiters
abgeacigten Blatte mit, 1 bezeichnet, welche'auf ihrer Ober-
fläche mit einer. ätzmittelfesten Schutzschicht 2 versehen ißt. In dieser Schutzschicht
2 sind beim Aufbringen oder auch
nachträglich'Durchbrechungen 3 und 4 angebracht, an denen
zu
das Ätzmittel auf den Halbleiterkörper 1 einwirken kann.
c
An den mit 4 bezeichneten Stellen bilden sich danntinebeisonder abhängig von der
Art des Ätzmittels, beispielsweise halbkugelförmige Vertiefungen aus, in die die
Elektroden eingesetzt werden. Die mit 3 bezeichneten strichartigen Durchbrechungen
sollen lediglich eine leichte Durchtrennung der Halbleiterplatte in einzelne Halbleiterelemente
ermöglichen.The innovation also relates to such semiconductors and suggests adding the semiconductors before etching. to provide a coating resistant to the etchant, which is provided with perforations during the application or also afterwards, through which the etchant is only effective in the desired places. This coating can possibly be removed again after the etching. The advantage that this offers is that the semiconductor body is only etched at those points that are required for its subsequent use. If you also allow the etchant to act for a longer period of time, a recess will form at the etched areas in which the electrode can be safely inserted to prevent it from moving. . The coating can consist of such a material that
he. in the case of remaining on the semiconductor body for
"this one permanent Snb + pcoh bdot.
The drawing shows how a semiconductor body is
is trained speaking of the innovation .. Ii is the FgT
a large piece of a block of a semiconductor
labeled leaf with, 1, which 'on its upper-
area with a. Etch-resistant protective layer 2 provided eats. In this protective layer 2 are during application or also nachtrnach'Durchbruch 3 and 4 attached to which
to
the etchant can act on the semiconductor body 1.
c
Depending on the type of etchant, for example hemispherical depressions, into which the electrodes are inserted, are then formed at the points designated by 4. The line-like openings designated by 3 are only intended to enable the semiconductor plate to be easily severed into individual semiconductor elements.
In der Fig. 2 ist gezeigt, dass ein einzelnes Halbleiterelement 5
beiderseitig mit durch Ätzung ehrvorgerufenon VErtiefungen 6 und 8 hergestellt ist,
in welche die Elektroden
;'7 und 9, gelegt sind. In diesem Fall handelt es sich um einen
sogenannten koaxialen Transistor, bei dem die-Elektroden 7
BHrr*
und 9 durch eine bestimmte Halbleiterschichyvonöinander
getrennt sind. In der. Fig. 3 soliliesslich ist ein keilförmig.
, gestalteter Halbleiterkristall 10 gezeigt, bei welchem in-
, folge der ätzmittelfesten abdeckung eine Rille 11 eignenetzt ist. Auf den durch
die Ätzung beliebig dünn ausgebildeten Keilanfang in nächster Nähe der Keilschneide
12 sind die beiden Elektroden 13 und 14 aufgesetzt,
Während in Fig. 1 und 2 auf dem Halbloiterplättohon die
ätzfeste Schicht verblieben ist, ist sie im Beispiel der
Fig3 nachträglich entfernt.
a Schutzanapriiohe
1. Blatt Zeichnungen SohutzansprüohoIn FIG. 2 it is shown that a single semiconductor element 5 is produced on both sides with recesses 6 and 8, in which the electrodes are formed by etching ; '7 and 9, are placed. In this case it is a
so-called coaxial transistor, in which the electrodes 7
BHrr *
and 9 by a certain semiconductor layer one on top of the other
are separated. In the. Fig. 3 is soliliesslich a wedge-shaped.
Shown, shaped semiconductor crystal 10, in which in-
, follow the etchant-proof cover a groove 11 is suitable. The two electrodes 13 and 14 are placed on the beginning of the wedge, which is made as thin as desired by the etching, in the immediate vicinity of the wedge blade 12, While in Fig. 1 and 2 on the Halbloiterplättohon the
The etch-resistant layer remains, it is in the example of
Fig3 subsequently removed.
a protective anapriiohe
1. Sheet of drawings Sohutzendungoho