DE1619981A1 - Process for applying polycrystalline layers of elementary substances to substrates - Google Patents
Process for applying polycrystalline layers of elementary substances to substratesInfo
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Description
Patentanwalt
Anmelder: N> V. PHfLIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN Patent attorney
Applicant: N> V. PHfLIPS 'GLOEILAM PEN FABRIEKEN
Akfe: PHN- 1559 . ; .". Akfe: PHN- 1559. ; . ".
Anmeldune vomi 11.April 1967 Registration dated April 11, 1967
N.V.Philips'GlQeilamj)enfabrieken, Eindhoven / HollandN.V.Philips'GlQeilamj) enfabrieken, Eindhoven / Holland
"Verfahren zum Auftragen polykristalliner Schichten von Elementarstoffen ω' Substrate""Process for applying polycrystalline layers of Elementary substances ω 'substrates "
Die Erfindung beziehtsich, auf das Auftragen jolykristalliher Schichten von Elementarstoffen auf Substrate..The invention relates to the application of polycrystalline Layers of elementary substances on substrates.
E$ 1st bekannt, daß Elemente unmittelbar in Form gleicKmäßiger polykristalliner Schichten aii-f Substrate aufgedampft werden können. Auch ftann man Elemente aus Verbindurigen, wie VCIg und 2r«3'., durch 3fssozlation aus dem Baiapf bei erhöhten (Tempera-turen -auf Substraten niederschlagen* Biese Verfahren müssen jjedÄch in einem evakuierten durchgeführt werden. It is known that elements can be vapor-deposited directly in the form of uniform polycrystalline layers on substrates. Elements from compounds, such as VCIg and 2r «3 ', can also be used by means of association from the Baiapf at elevated temperatures - precipitate on substrates * These processes must always be carried out in an evacuated.
Weiter ist es bekannt, daß Schichten von Elementen aus dem Dampf von deren zersetzbaren Verbindungen, wie Silan und Butan, auf Substrate, die über die Zersetzungstemperätur der Verbindttngeii erhitzt sinif aufgetragen werden können. Dabei braucht man zwar nicht iw. Vakuum zu arbei- hsn, aber von nur wenigen Siebenten sind die dazu geeigneten Verbindungen In nur beschränkten Mengen verfügbar« Außerdem sindIt is also known that layers of elements from the vapor of their decomposable compounds, such as silane and butane, can be applied to substrates which are heated above the decomposition temperature of the compound. You do not need iw. To work in a vacuum, but only a few seventh have the compounds suitable for this purpose. Only limited quantities are available
- 1559 - 1559
-.■ 00-9813/14-. ■ 00-9813 / 14
bim. 155^619981bim. 155 ^ 619981
diese Ausgangsstoffe sehr reaktiv und manchmal, wie z.B. SiH., sogar explosiv.these starting materials are very reactive and sometimes, such as SiH., even explosive.
Die oben, beschriebenen Verfahren führen alle, unabhängig von der Zusammensetzung des Subatratmaterials,,- zu gleichmäseigen polykristallinen Schichten.The procedures described above all perform independently on the composition of the substrate material, - to be uniform polycrystalline layers.
Weiter ist noch ein Verfahren bekannte bei dam durch eine chemische Reaktion, insbesondere durch Reduktion mit Wasserstoff, Elemente aus dem Dampf ihrer Verbindungen aus "einem Gasgemisch* auf Substraten, die auf die Heaktionstemperatür erhitzt sind* abgeschieden werden. Der Wasserstoff kana dabei zugleich als Trägergas für den Dampf der Verbindung dienen« Es kann gegebenenfalls auch ein neutrales Trägergas, z.B. Argonr verwendet werden.In addition, another method is known in which, through a chemical reaction, in particular through reduction with hydrogen, elements from the vapor of their compounds from "a gas mixture * are deposited on substrates that are heated to the heating temperature". The hydrogen can also be used as a carrier gas are used for the vapor of the compound "It can optionally also a neutral carrier gas, for example argon r are used.
Ein Vorteil dieses letzten Verfahrens besteht darin, dass kontinuierlich und bei jedem gewünschten Gasdruck, vorzugsweise bei ungefähr atmosphärischem Druck, gearbeitet werden, kann* Aus— serdem sind die in Betracht kommenden Verbindungen, meistens Halogenide, in reichem Hasse verfügbar.One advantage of this latter method is that can be operated continuously and at any desired gas pressure, preferably at approximately atmospheric pressure, can * Off— In addition, the compounds in question, mostly halides, are abundantly available.
In Zusammenhang damit ist die normale Praxis auf dieaesIn connection with this, normal practice is on dieaes
. für
Auftragungsverfahren/polykristalline Schichten van. Elementen auf
Substrate eingestellt. Auch sind fUr dieses Verfahren die Techniken
zum Dotieren mit kleinen Mengen anderer Efeaente in den. for
Application method / polycrystalline layers van. Elements set on substrates. The techniques for doping with small amounts of other elements are also used for this process
Schichten zur Beeinflussung der Eigenschaften am besten entwickelt.Layers for influencing properties are best developed.
Insbesondere ist das der Fall hinsichtlich der Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften für den Gebrauch is fc-iimltelesanten, wieThis is particularly the case with regard to influencing the electrical properties for use is fc-iimltelesanten, such as
i ■ · -i ■ · -
Widerständen, Kapazitäten, Blöden und Traneistaren«Resistance, capacities, stupid people and Traneistaren «
' , . ' " BAD ORIGINAL',. '"BAD ORIGINAL
009813/1475009813/1475
PHH, 1559PHH, 1559
- 3 ■-- 3 ■ -
Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht jedoch darin, dass sich mit ihm nicht ohne Weiteres auf allen Substratmaterialien, ungeachtet ihrer Zusammensetzung,' gleiohmässige Schichten erzielen: lassen. .-'. " ; -However, a disadvantage of this method is that with it not without further ado on all substrate materials, regardless of their composition, 'achieve uniform layers: permit. .- '. "; -
Wenig, Schwierigkeiten treten z.B. in dieser Hinsicht auf beim Niederschlagen der Elemente auf Substraten aus Elementarstoffen, wie Silizium, Kohlenetoff und Metallen mit einem derart hohen Schmelzpunkt, dass sie die Heäktionstemperatür vertragen können. "-.'-■-■Little, difficulties arise e.g. in this regard when the elements are deposited on substrates made of elementary substances, such as silicon, carbon and metals with such high melting point so that they can tolerate the heäktionstemperatur can. "-.'- ■ - ■
Auf anderen hochschmelzenden Materialien aus Verbindungen, insbesondere oxidischen Verbindungen^ wie keramischein Materialien, z.B. Steatit, Aluminiumoxid, Zirkonoxid und weiter tiuarz, Quarzglas und Siliziumnitrid, wird auf diese Weise jedoch nicht ein gleichmässiger Niederschlag erhalten.On other refractory materials from compounds, in particular oxidic compounds such as ceramic in materials, e.g. steatite, aluminum oxide, zirconium oxide and further tiuarz, Quartz glass and silicon nitride, however, will not work this way get an even precipitate.
Gerade diese Isolierstoffe sind jedoch als Substratmaterialien bei der Herstellung elektrischer Schartelemente von~ grosser Bedeutung.However, it is precisely these insulating materials that are used as substrate materials in the manufacture of electrical notch elements from ~ great importance.
Die Erfindung bezweckt den erwähnten Nachteil des zuletzt beschriebenen Verfahrens zu beheben, so dass es möglich wird, nach diesem Verfahren auch auf Substratmaterialien aus höchschmelzenden Verbindungen, insbesondere auf oxidischen Subetratmaterialien, gleichmäSBige polycristalline Schichten zu erhalten.The invention aims at the mentioned disadvantage of the last the procedure described, so that it is possible using this process also on substrate materials made of high-melting points Compounds, especially on oxidic substrate materials, to obtain uniform polycrystalline layers.
Bei Untersuchungen, die zu der ErfindungJTÜhrteri, wurde * festgestellt, dass auf diesen Substratmaterialien die Keime, auf denen sich Elementarstoffe niederschlagen kijnnen, sich In relativIn investigations leading to the invention, * found that the germs on these substrate materials which elementary substances can precipitate, in relative
009813/147009813/147
PHNPHN
. ,4619981 . , 4 619981
gross-en Abständen voneinander befinden, z.B. einige zehnten von Mikronen und dass bei Anwendung des Verfahrens, bei dem Elemente durch chemische Reaktion von Verbindungen aus einem Gasgemisch abgeschieden werden, in erster Instanz keine genügend dichte Keimbjildung entsteht.large distances from one another, e.g. a few tens of Microns and that when using the method in which elements by chemical reaction of compounds from a gas mixture are deposited, in the first instance there is no sufficiently dense nucleation.
Im Gegensatz dazu ist die Keimbildung auf Substraten aus Elementarstoffen viel dichter und es wird dabei auch durch direktes Aufdampfen von Elementen, durch Dissoziation oder durch ' thermischen Zerfall aus dem Dampf der Verbindungen der Elemente auf allen solchen Substratmatorialien eine genügend dichte Keimbildung erhalten. Der Abstand der Kristallisationskerne untereinander beträgt hier nur einige 0,1 X ,.In contrast, nucleation is off on substrates Elementary substances much more dense and it is thereby also through direct Evaporation of elements, by dissociation or by ' thermal decay from the vapor of the compounds of the elements on all such substrate material a sufficiently dense nucleation obtain. The distance between the crystallization nuclei is only a few 0.1 X, here.
Infolge der wenig dichten Keimbildung bei Anwendung des Verfahrens, bei dem Elemente duroh chemische Reaktion aus einem Gasgemisch auf Substraten aus hochschmelzenden Verbindungen niedergeschlagen werden, wird in diesem Fall in erster Instanz eine grobkörnige Schicht der Elemente aufgebaut. Die sich daraus ergebende TJngleichmässigkeit setzt sich bei grösserer Schichtdicke fort und nimmt sogar infolge der Anisotropie in der Wachstumsgeschwindigkeit der Kristalle zu. As a result of the less dense nucleation when using the process in which the elements duroh chemical reaction from one Gas mixture deposited on substrates made of refractory compounds In this case, a coarse-grained layer of the elements is built up in the first instance. The resulting The unevenness sets in with a greater layer thickness and even increases in the growth rate of the crystals due to the anisotropy.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Auftragung polykristalliner Schichten von Elementen auf Substrate, bei dem durch -eine chemische Reaktion, insbesondere durch Reduktion mit Wasserstoff, die Elemente aus dem Dampf ihrer Verbindungen aus einem Gasgemisch auf Substraten, die auf die Reduktions-The invention relates to a method for applying polycrystalline layers of elements to substrates by a chemical reaction, in particular by reduction with hydrogen, the elements from the vapor of their compounds from a gas mixture on substrates that focus on the reduction
BAD ORIGINAL 009813/1475 BATH ORIGINAL 009813/1475
PHN. 1559PHN. 1559
temperatur erhitzt .sind, abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten auf Substraten niedergeschlagen weTden die mindestens an ihrer Oberfläche aus einer "Verbindung, insbesondere einer oxidischen Verbindung, bestehen, auf welche eine kontinuierliche Keimbildung zustande gebracht wird dadurch, dass Elemente, die dabei nicht durch eine chemische· Reaktion < aus Verbindungen freigemacht sind, aufgetragen werden und danach die polykristallinen Schichten niedergeschlagen werden.temperature heated .are, are deposited, characterized that the layers are deposited on substrates weT the at least on their surface from a "compound, in particular an oxidic compound, exist on which a continuous nucleation is brought about by the fact that elements that are not produced by a chemical · reaction < freed from connections, applied and afterwards the polycrystalline layers are deposited.
Es lässt sich entweder dadurch, dass auf bekannte Weise Elemente unmittelbar aufgedampft werden, oder durch Dissoziation von Verbindungen eine kontinuierliche KeimbMung durchführen. Ks" wird jedoch bevorzugt, dass die-Keimbildung durch den ebenfalls bekannten thermischen Zersetzen von Dampf von Verbindungen dieser Elemente erfolgt, weil dies durch Hinzufügung von Dampf einer thermisch zeEsetzbaren Verbindung zum Gas, aus dem die polykristalline Schickt niedergeschlagen wird, durchführbar ist. ' . .It can be carried out either by directly evaporating elements in a known manner or by dissociating compounds continuously. It is preferred, however, that nucleation occurs by the also known thermal decomposition of vapor of compounds of these elements, because this can be carried out by adding vapor of a thermally determinable compound to the gas from which the polycrystalline layer is precipitated. ' . .
Dies kann dadurch erfolgen, dass dem f^Ägerga» Dampf der thermisch zersetzbaren Verbindung zugefügt wird und erst nachdem sich genügend Keime gebildet haben, di© oheaisoh su zqvseisend© Verbindung zugeführt wird, aus del1 ti« polyksiaiaiiise Schiefe^ ©bgesohieden wird» ;./..> - -This can be done by giving the f ^ Ägerga »Steam the thermally decomposable compound is added, and it was not until enough seeds have formed, di © oheaisoh su ZQV seisend © connection is supplied is from del 1 ti" polyksiaiaiiise Leaning ^ © bgesohieden "; ./ ..> - -
wird jedooh eine klein© Msng®' de* s©i?eet*«* " n lies Änf^ngsetuf©-'dde J!ied@ssohl®g»sss der in Man, ©üsstg-oM aufg9nosass©n9 4@5However, a small © Msng® 'de * s © i? eet * «*" n lies Änf ^ ngsetuf © -'dde J! ied @ ssohl®g »sss der in Man, © üsstg-oM © n 9 4 @ 5
§813/1478§813 / 1478
. PHR. 1559. PHR. 1559
aus der die Schicht durch chemische Reaktion aufgebaut wird, Ein Vorteil besteht darin, dass kontinuierlich in demselben Gasstrom gearbeitet werden kann und dass bei der Herstellung sehr dicker Schichten dabei leicht durch zwischenzeitliches Wiederholen des Kernbildungeverfahren·, .indem die zersetzbare Verbindung dem Gasstrom zugeführt wird» Ungleichmäßigkeit der Schioht infolge von Anisotropie in der Kristallisation vermieden werden kann.from which the layer is built up by chemical reaction. One advantage is that it is possible to work continuously in the same gas flow and that, when producing very thick layers, this can easily be done by repeating the nucleation process in between decomposable compound is fed to the gas flow »unevenness of the layer as a result of anisotropy in the crystallization can be avoided.
Zur. Erhaltung einer kontinuierlichen Keimbildung braucht man sehr wenig Material. Darum iat e*> für die Eigenschaften der polykristallinen Schioht meistens nicht wichtig, ob die Kernbildung durch einen anderen Stoff als der« aus dem die Schioht aufgebaut ist, zustande gebracht wird.To the. Maintaining continuous nucleation needs one very little material. That's why iat e *> for the properties of the polycrystalline Schioht mostly not important whether the Nucleus formation through a different substance than the «out of which the Schioht is built up, brought about.
Zunächst koamen Wasserstoffverbindungen, wie Silan und Butan* die eine Keimbildung von Si-Atosten bzw. C-Atomen geben, aber auch Alkyl»ilane, wie SiHJSf. , di· Keime von Si und SiC -bilden, in Betracht. -Initially, hydrogen compounds such as silane and Butane * which nucleation of Si atoms or C atoms, but also alkyl ilanes, such as SiHJSf. , di · form nuclei of Si and SiC. -
Vorzugsweise wird jedoch zur Vereeidung jeder Aufnahme freader Stoffe in di· polykristallinen Schichten zur Keiabildung wo möglich das gleiche Eleaent gewählt als das, aus des die Schicht aufgebaut wird. Bei der Herstellung von Si-Schichten iat dann s.B* »ur Keiabildung SlH, verwendbar. .However, it is preferable to avoid any admission freader substances in di · polycrystalline layers for keiabbildung where possible the same element chosen as that from des the layer is built up. In the production of Si layers Then see B * »ur keiabbildung SlH, usable. .
Bus erfindungege«Äe»e Verfahren ist »ur Herstellung polvkrietalliaer Sobichten von vielerlei Sleeent-, die axatah Hedukt%m ait Wasserstoff »ue Yerbinduni#ns insbesondere aue Halogenverbindungen, freigen&oht werden k8mtent wie Si, B, V und T*,Bus erfindungege "DNP" e method "for the preparation polvkrietalliaer Sobichten of many Sleeent- that axatah Heduk t% m ait hydrogen" ue Yerbinduni # n s particular aue halogen compounds freigen & are OHT k8mten t like Si, B, V, and T *,
137 U7S BAD 137 U7S BAD
16 TB16 TB
PHN. 1559PHN. 1559
,In vielen Fäll en t wie bei äei Bildung von Schichten aus W und Ta sind geeignete,, ausreichend flüchtige Verbindungen, die eine kontinuierliche Keimbildung in einem Gasstrom-ergeben können, nicht"verfügbar. In jenen Fällen verwendet man ζ·Β. Kohlenwasserstoffe oder es kann, fills dies mit Rücksicht auf Verunreinigung .der Schicht wenige? erwünscht ist, die erfor7 derliche Kernbildung zuvor durch unmittelbareB Aufdampfen oder , durch*Dissoziation von Verbindungen auf den Substraten zustande gebracht werden. % ., In many felling s t as in AEEI forming layers of W and Ta are appropriate ,, sufficiently volatile compounds that may result gas flow, a continuous nucleation in a not "available. In those cases ζ using · Β. Hydrocarbons or If this is less desirable with regard to contamination of the layer, the necessary nucleation can be brought about beforehand by direct vapor deposition or by dissociation of compounds on the substrates. % .
. Ea sei bemerkt, dass die Erfindung insbesondere--'für die Halblsitertechnik von Bedeutung ist, da mit Hilfe eines Verfahrens nach der Erfindung besonders gut reproduzierbare polykristalline Siliziumschichten (mittlerer Korndurchmesser z.B.. Ea should be noted that the invention in particular - 'for Half-liter technology is important because with the help of a process according to the invention particularly well reproducible polycrystalline Silicon layers (mean grain diameter e.g.
einige /um oder.weniger) auf elektrisch isolierenden Sub-some / around or less) on electrically insulating sub-
atraten angebracht werden können, wonach durch örtliche Diffussion von Aktivatoren Halbleiterschaltelemente in einer deraxtigen polykristallinen. Siliziumschicht angebracht werden können, die durch den grossen Schichtwiderstand der polykristallinen Siliziumschicht sehr gut elektrisch gegeneinander isciLlert sind*atraten can be attached, after which by local diffusion of activators semiconductor switching elements in a deraxtigen polycrystalline. Silicon layer can be attached, which is due to the large sheet resistance of the polycrystalline Silicon layers are very well electrically isolated from one another *
Die Erfindung wird im folgenden an Hand einiger Ausfüherläutert, "*The invention is explained below with the aid of some users, "*
^ wird von einem Substrat ausgegangen, das aus einem eeheib^nförmigen Siliziumkrietall besteht mit einem Durchmesser^ a substrate is assumed that consists of a A tubular silicon crystal has a diameter
98Ί 3/1 47598 Ί 3/1 475
PHN. 15-59PHN. 15-59
von 25 ram und einer Dicke von 400 /Um ., auf dem durch Erhitzung in feuchtem Sauerstoff bei 1200°C. eine 0,5 /um .. dicke Siliziumoxidschicht angebracht ist.of 25 ram and a thickness of 400 / µm ., on which by heating in moist oxygen at 1200 ° C. a 0.5 / µm .. thick silicon oxide layer is applied.
Dieses Substrat wird in einer Quarzröhre auf 1000 C in einem Wasserstoffatrom von 1 Liter/Minute erhitzt. Dem Gasstrom wird 1 Volumprozent Dainpf von Methylsilan (SiH^CH-) zugesetzt. Bei fortgesetzter Erhitzung während 5 Sekunden wird dann auf der Siliziumoxidoberfläche eine kontinuierliche Keimbildung, die aus Silizium und Siliziumkarbid besteht, zustande gebracht.This substrate is heated in a quartz tube to 1000 C in a hydrogen atom of 1 liter / minute. The gas flow is 1 Percentage by volume of methylsilane (SiH ^ CH-) was added. With continued Heating for 5 seconds is then carried out on the silicon oxide surface a continuous nucleation consisting of silicon and silicon carbide brought about.
Danach wird die Substrattemperatur auf 1150 C gebracht und dem Gasstrom wird statt des Methylsilans 1 Volumprozent Siliziumchlorid zugesetzt. Auf dem Substrat wächst nun eine gleichmäsaige feinkörnige polykristalline Siliziumechicht von 10 /um Die Wachstumsgeschwindigkoit beträgt 0,7 /um /Minute. BEISPIEL II -The substrate temperature is then brought to 1150 ° C. and 1 volume percent silicon chloride is added to the gas stream instead of the methylsilane. A uniform, fine-grained polycrystalline silicon layer of 10 μm now grows on the substrate. The growth rate is 0.7 μm / minute. EXAMPLE II -
Ein Siliziumkristall mit den Abmessungen wie in Beispiel I wird in einem Strom von 1 Liter/Minute eines Gemisches aus Wasserstoff und 5t3 Volumprozent Kohlensäure (C0_) und 1 Volumpro-, zent Siliziumchlorid auf 1200°C erhitzt. Dadurch wird in 10 Minuten eine 1 /UD1 dicke Siliziumoxidbedeckung aufgebaut.A silicon crystal with the dimensions as in Example I is heated to 1200 ° C. in a flow of 1 liter / minute of a mixture of hydrogen and 5t3 volume percent carbonic acid (C0_) and 1 volume percent silicon chloride. As a result, a 1 / UD1 thick silicon oxide covering is built up in 10 minutes.
Dann wird die Zufuhr von Kohlensäure und Siliziumchlorid eingestellt und statt dessen wird dem Wasserstoffstrom während 1 Minute 2 Volumprozent Butan zugesetzt. Durch Zersetzung des Butans entsteht auf der Siliziumoxidoberfläche eine kontinuierliche Kernb.ildung von Kohlenetoff.The supply of carbonic acid and silicon chloride is then stopped and, instead, 2 percent by volume of butane is added to the hydrogen stream for 1 minute. The decomposition of the butane creates a continuous nucleation of carbon on the silicon oxide surface.
BAD ORiQfMALBAD ORiQfMAL
.0 0 98 13/ 147 5.0 0 98 13/147 5
PHN. 1559PHN. 1559
Danach wird die Butanzufuhr eingestellt und dem Wasserstoff 5 Volumprozent Siliziumchlorid zugesetzt. Es wächst dann eine gleichmässige feinkörnige Siliziumschicht auf. Die Wachs-" turnsgeschwindigkeit des polykristallinen Siliziums beträgt 5 ,um ^/Minute. . -Then the butane supply is stopped and the hydrogen 5 percent by volume of silicon chloride was added. A uniform, fine-grain silicon layer then grows. The wax " turning speed of the polycrystalline silicon is 5 to ^ / minute. . -
Indem dem Gasstrom alle 15 Minute 2 Volumprozent Butan zugesetzt wird, wodurch zwischenzeitlich eine kontinuierliche Kernb'ildung zustande gebracht'wird, können dicke gleichmäeaige polycristalline Schichten," z.B» mit einer Dicke von 200 >um ·. erhalten werden.By adding 2 percent by volume of butane to the gas stream every 15 minutes is added, whereby meanwhile a continuous Core formation is brought about, thick uniform polycrystalline layers, "e.g.» with a thickness of 200> µm ·. can be obtained.
Durch örtliche Diffusion von Aktivatoren kühnen in polykristallinen
Siliziumachichten, die mit Hilfe der Verfahren
nach den Beispielen 1 und. 2 erhalten wurden, Halbleiterschaltelemente
angebracht werden, *
BEISPIEL III . . , / ^By local diffusion of activators bold in polycrystalline silicon layers, which with the help of the method according to Examples 1 and. 2 were obtained, semiconductor switching elements are attached, *
EXAMPLE III . . , / ^
Eine durchsichtige Aluminiumoxidplatte mit einem Durchmesser von 25 mm irird in einem Wasserstoffström von 1 Liter/Minute auf.10000C erhitzt. Dem Wasserstoff wird0,5 Volumprozent Methylsilan (SiH-CH,) zugesetzt und das Gemisch wird 5 Sekunden erhitzt, wodurch eine kontinuierliche Kernbildung von Siligium und Siliziumkarbid entsteht. Naoh Einstellung der Zufuhr von Methylsilan wird 5 Minuten in einem Strom von 1200 cm5 Wasserstoff und 10 cma Borohlorid .(BCl*) in Dampfform bei 1225°C erhitzt»! Ss wächst dann eine gleichmässige polykristalline Borsohioljt mit einer Wachsgesohwindigkeit von 1 .Un -. /Minute auf; * A transparent alumina plate having a diameter of 25 mm heated irird auf.1000 0 C in a hydrogen stream of 1 liter / minute. 0.5 percent by volume of methylsilane (SiH-CH,) is added to the hydrogen and the mixture is heated for 5 seconds, causing a continuous nucleation of silicon and silicon carbide. NaOH adjustment of the supply of methylsilane is 5 minutes in a stream of 1200 cm 5 is hydrogen and heated for 10 cm a Borohlorid. (BCl *) in vapor form at 1225 ° C »! Ss then grows a uniform polycrystalline Borsohioljt with a Wachsgesohwindigkeit of 1 .U n -. / Minute up; *
*■'"'■ I * ■ '"' ■ I
■ BAD GRiQSMAL■ BAD GRiQSMAL
".".." 009813/1475 .'_ "."'."." .. "009813/1475 .'_". "'.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL6605144A NL6605144A (en) | 1966-04-16 | 1966-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1619981A1 true DE1619981A1 (en) | 1970-03-26 |
| DE1619981B2 DE1619981B2 (en) | 1976-04-29 |
Family
ID=19796312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1967N0030327 Granted DE1619981B2 (en) | 1966-04-16 | 1967-04-12 | METHOD OF APPLYING POLYCRYSTALLINE COATINGS OF ELEMENTS TO SUBSTRATES |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1619981B2 (en) |
| GB (1) | GB1186892A (en) |
| NL (1) | NL6605144A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2204065A (en) * | 1987-02-10 | 1988-11-02 | Plessey Co Plc | Vapour deposited metal films for integrated circuit manufacture |
-
1966
- 1966-04-16 NL NL6605144A patent/NL6605144A/xx unknown
-
1967
- 1967-04-12 DE DE1967N0030327 patent/DE1619981B2/en active Granted
- 1967-04-13 GB GB1701867A patent/GB1186892A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6605144A (en) | 1967-10-17 |
| DE1619981B2 (en) | 1976-04-29 |
| GB1186892A (en) | 1970-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |