DE1589529C3 - Planar transistor - Google Patents

Planar transistor

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DE1589529C3 DE1967B0093060 DEB0093060A DE1589529C3 DE 1589529 C3 DE1589529 C3 DE 1589529C3 DE 1967B0093060 DE1967B0093060 DE 1967B0093060 DE B0093060 A DEB0093060 A DE B0093060A DE 1589529 C3 DE1589529 C3 DE 1589529C3
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Description

Dne 12 eindiffundiert, die als Basiszone dient und mit er nicht dargestellten Basiselektrode des Transistors ersehen ist Die Kollektorzone 11 und die als Basiszone ienende erste p-leitende Diffusionszone 12 bilden wischen sich einen ersten pn-Übergang, der sich an die weite Hauptoberfläche (Oberseite) des Halbleiterplättnens 11 erstreckt. Von der zweiten Hauptoberfläche 3berseite) des Halbleiterplättchens 11 aus ist in dieses ine zweite p-leitende Diffusionszone 1 eindiffundiert, -eiche ringförmig ausgebildet ist, den ersten pn-Überang umschließt und zwischen sich und der Kollektorone 11 einen den ersten pn-Übergang umschließenden weiten pn-Übergang bildet. Von der zweiten Hauptberfläche des Halbleiterplättchens 11 aus ist in dieses ine dritte p-leitende Diffusionszone 2 eindiffundiert, velche wie die zweite p-leitende Diffusionszone 1 ingförmig ausgebildet ist und zwischen sich und der Collektorzone 11 einen dritten pn-Übergang bildet, der en zweiten pn-Übergang umschließt. Schließlich ist on der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterplätthens 11 aus in dieses eine vierte p-leitende Diffusionsone 3 eindiffundiert, welche ebenfalls ringförmig usgebildet ist und zwischen sich und der Kollektorzone 1 einen vierten pn-Übergang bildet, der den dritten in-Übergang umschließt.Dne 12 diffused in, which serves as the base zone and with he base electrode of the transistor, not shown, is the collector zone 11 and the base zone A first p-type diffusion zone 12 forms between a first pn junction, which is connected to the wide main surface (upper side) of the semiconductor die 11 extends. From the second main surface 3 topside) of the semiconductor chip 11 from is in this into a second p-conductive diffusion zone 1 diffused-oak is ring-shaped, the first pn transition encloses and between itself and the collector zone 11 enclosing the first pn junction forms a wide pn junction. From the second main surface of the semiconductor chip 11 is in this diffused into a third p-conducting diffusion zone 2, like the second p-conducting diffusion zone 1 is designed in the shape of a ring and forms a third pn junction between itself and the collector zone 11, which en second pn junction encloses. Finally, it is on the second major surface of the semiconductor wafer 11 diffused into this a fourth p-conductive diffusion zone 3, which is also ring-shaped is formed and between itself and the collector zone 1 forms a fourth pn junction, which is the third in-transition encloses.

Die von der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiter-)lättchens 11 in dieses eindiffundierten p-leitenden Diffusionszonen 12,1, 2,3 stimmen in ihrer Diffusionsiefe, in ihrem Diffusionsprofil und in ihrer Oberflächenzonzentration überein, da sie in einem einzigen Diffusionsvorgang mit Hilfe einer entsprechend ausgeüldeten Diffusionsmaske gleichzeitig hergestellt werlen. Diese Maske enthält außer der für die erste Diffusionszone 12 vorgesehenen runden öffnung noch eweils eine ringförmige öffnung für die zweite, dritte md vierte Diffusionszone 1,2 und 3.From the second main surface of the semiconductor) lamina 11 diffused into this p-conductive Diffusion zones 12,1, 2,3 are correct in their diffusion depth, in their diffusion profile and in their surface concentration as they are in a single diffusion process with the help of a suitably shaped The diffusion mask is produced at the same time. This mask also contains the one for the first The round opening provided in the diffusion zone 12 also has an annular opening for the second, third md fourth diffusion zone 1, 2 and 3.

Von der zweiten Hauptoberfläche (Oberseite) des halbleiterplättchens 11 aus ist schließlich in die als Basiszone dienende erste Diffusionszone 12 eine als imitterzone dienende n+-leitende Diffusionszone 13 •indiffundiert, die mit der nicht dargestellten Emitter- ;lektrode versehen ist. From the second main surface (upper side) of the semiconductor plate 11, an n + -conducting diffusion zone 13 serving as the imitter zone is finally indiffused into the first diffusion zone 12 serving as the base zone, which is provided with the emitter electrode (not shown).

Die ringförmigen Diffusionszonen 1, 2, 3 sind dagegen nicht mit Elektroden versehen und haben von der als Basiszone dienenden ersten Diffusionszone 12 jnd voneinander einen solchen Abstand, daß bei neigender Sperrspannung die sich in die Kollektorzone 11 ausdehnende Sperrschicht, bei der innersten ringförmigen Diffusionszone 1 beginnend, jeweils auf eine der aufeinanderfolgenden ringförmigen Diffusionszonen 1, 2, 3 überspringt, bevor die Krümmung des on-Übergangs einen Durchbruch verursacht.The annular diffusion zones 1, 2, 3, however, are not provided with electrodes and have from serving as the base zone first diffusion zone 12 jnd from one another such a distance that at with a tendency towards reverse voltage, the barrier layer extending into the collector zone 11, in the case of the innermost starting annular diffusion zone 1, each jump to one of the successive annular diffusion zones 1, 2, 3 before the curvature of the on transition causes a breakthrough.

Die Spannungsfestigkeit des bekannten Planartransistors nach F i g. 1 wird anhand der in den F i g. 2 und 3 dargestellten Ausführung eines Planartransistors erläutert, die sich von dem in F i g. 1 dargestellten Planartransistor dadurch unterscheidet, daß bei ihr von der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 11 aus in die p-leitenden ringförmigen Diffusionszonen i, 2,3 jeweils eine η+-leitende ringförmige Diffusions- :one la, 2a, 3a gleichzeitig, also in einem Diffusionsvor- ?ang, mit Hilfe einer entsprechend ausgebildeten Diffusionsmaske eindiffundiert ist; die Ausführung des Planartransistors nach den F i g. 2 und 3 ist jedoch nicht 3egenstand der durch das Patent geschützten Erfiniung. The dielectric strength of the well-known planar transistor according to FIG. 1 is based on the in FIGS. 2 and 3 illustrated embodiment of a planar transistor explained, which differs from that shown in FIG. 1 shows the planar transistor in that it differs from the second main surface of the semiconductor die 11 into the p-type annular diffusion zones i, 2,3 each have an η + -conducting ring-shaped diffusion : one la, 2a, 3a simultaneously, i.e. in a diffusion ? ang, is diffused in with the aid of a correspondingly designed diffusion mask; the execution of the Planar transistor according to FIGS. However, 2 and 3 are not the subject of the invention protected by the patent.

In F i g. 3 ist die Oxidschicht 15 dargestellt, die an der •weiten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 11 angebracht ist und die ringförmigen Diffusionszonen 1, 2, 3 und la, 2a, 3a abdeckt. In dieser Figur ist auch die Kollektorelektrode 14 dargestellt, die an der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 11 angebracht ist.In Fig. 3 shows the oxide layer 15 which is attached to the • wide main surface of the semiconductor wafer 11 is attached and the annular diffusion zones 1, 2, 3 and la, 2a, 3a covers. In this figure, the collector electrode 14 is shown, which is attached to the first Main surface of the semiconductor die 11 is attached.

Mit gestrichelten Linien ist in Fig.3 die jeweilige Grenze der Raumladungsschicht in der Kollektorzone 11 für verschiedene Sperrspannungen V eingezeichnet, die zwischen der Kollektorelektrode 14 und der mit derThe respective boundary of the space charge layer in the collector zone 11 for different blocking voltages V , which between the collector electrode 14 and the one with the

ίο als Basiszone dienenden ersten Diffusionszone 12 verbundenen, in der Zeichnung nicht dargestellten Basiselektrode angelegt sind.ίο serving as the base zone first diffusion zone 12 connected base electrode, not shown in the drawing, are applied.

Betrachtet man die bei steigender Sperrspannung sich aus der ersten Diffusionszone 12 in die Kollektorzone 11 ausbreitende Raumladungsschicht bei der Spannung Vi = 200 V, so sieht man aus F i g. 3, daß bei dieser Spannung die Raumladungsschicht die zweite Diffusionszone 1, die bei niedrigerer Sperrspannung von der ersten Diffusionszone 12 noch durch einen raumladungsfreien Streifen der Kollektorzone getrennt war, gerade berührt. Bei weiter steigender Sperrspannung dehnt sich nun nicht nur die Raumladungsschicht um die erste Diffusionszone 12 weiter aus, sondern um die zweite Diffusionszone 1 bildet sich ebenfalls eine solche.If one considers the flow from the first diffusion zone 12 into the collector zone 11 as the reverse voltage rises expanding space charge layer at the voltage Vi = 200 V, one can see from FIG. 3 that at this one Voltage the space charge layer the second diffusion zone 1, which at lower reverse voltage of the the first diffusion zone 12 was still separated by a space charge-free strip of the collector zone, just touched. If the reverse voltage continues to rise, not only does the space charge layer expand around the first diffusion zone 12, but around the second diffusion zone 1 is also formed.

Dadurch wird das restliche Gebiet der Kollektorzone zwischen der ersten Diffusionszone 12 und der zweiten Diffusionszone 1 sehr schnell durch die Raumladungsschicht ausgefüllt, d. h. die Krümmung der Grenze der Raumladungsschicht des Kollektor-Basis-Übergangs an dieser Stelle abgeflacht. Rechnungen zeigen nämlich, daß Vorsprünge von der hochohmigen Kollektorzone allgemein schnell durch die wachsende Raumladungsschicht ausgefüllt werden.
Hierbei ist wesentlich, daß bei steigender Sperrspannung die Dicke der Raumladungsschicht zunächst sehr schnell, später aber langsamer steigt Bei der Sperrspannung von 250 V, bei der die erste Diffusionszone 12 allein infolge der Krümmung der Grenze der Raumladungsschicht des pn-Übergangs bereits in die Nähe des Durchbruchs kommen würde, hat sich um die zweite Diffusionszone 1 schon eine relativ dicke Raumladungsschicht gebildet, obwohl dafür nur 50 V zur Verfügung stehen. Ferner ist günstig, daß der Übergang vom gekrümmten zum ebenen Teil der Grenze derAs a result, the remaining area of the collector zone between the first diffusion zone 12 and the second diffusion zone 1 is filled very quickly by the space charge layer, ie the curvature of the boundary of the space charge layer of the collector-base junction is flattened at this point. Calculations show that projections from the high-resistance collector zone are generally quickly filled by the growing space charge layer.
It is essential that the thickness of the space charge layer rises very quickly when the reverse voltage rises, but later more slowly If a breakthrough were to occur, a relatively thick space charge layer has already formed around the second diffusion zone 1, although only 50 V are available for this. It is also favorable that the transition from the curved to the flat part of the boundary of the

Raumladungsschicht des Kollektor-Basis-Übergangs allmählich, d. h. unter steigendem Krümmungsradius verläuft. Trotzdem sollte zur Sicherheit der Abstand zwischen der als Basiszone dienenden ersten Diffusionszone 12 und der zweiten Diffusionszone 1 nicht größer The space charge layer of the collector-base junction gradually, d. H. with increasing radius of curvature runs. Nevertheless, for safety the distance between the first diffusion zone 12, which is used as the base zone, and the second diffusion zone 1 should not be greater

so als etwa das Vierfache des Krümmungsradius des Kollektor-Basis-Übergangs, der etwa gleich der Tiefe des Kollektor-Basis-Übergangs ist, gewählt werden.about four times the radius of curvature of the collector-base transition, which is roughly equal to the depth of the collector-base transition is to be selected.

Nachdem die Grenze der Raumladungsschicht innerhalb der Kollektorzone 11 die zweite Diffusionszone 1 übersprungen hat, ist für die Sperrspannung die Krümmung der Grenze der Raumladungsschicht des pn-Übergangs der zweiten Diffusionszone 1 an der der dritten Diffusionszone 2 zugewandten Seite maßgebend. Aber an diesem pn-Übergang liegt bei derAfter the boundary of the space charge layer within the collector zone 11, the second diffusion zone 1, the curvature of the boundary of the space charge layer is for the reverse voltage pn transition of the second diffusion zone 1 on the side facing the third diffusion zone 2 is decisive. But this pn junction is due to the

M) Gesamtsperrspannung V nur die Sperrspannung V— V\. Wenn diese den Wert Vi erreicht, wird die dritte Diffusionszone 2 berührt usw. Auf diese Weise wird die Gesamtsperrspannung V in mehrere kleinere Spannungen Vi unterteilt, die jeweils zwischen den p-leitenden M) Total blocking voltage V only the blocking voltage V— V \. When this reaches the value Vi, the third diffusion zone 2 is touched, etc. In this way, the total reverse voltage V is divided into several smaller voltages Vi, each between the p-conducting

·'■> Diffusionszonen 12, 1, 2, 3 liegen und gerade mit der durch die Tiefe dieser Diffusionszonen gegebenen Krümmung noch keinen Durchbruch erzeugen.
Um mit einer möglichst kleinen Anzahl von· '■> Diffusion zones 12, 1, 2, 3 lie and do not yet produce a breakthrough with the curvature given by the depth of these diffusion zones.
In order to use the smallest possible number of

p-leitenden ringförmigen Diffusionszonen 1, 2, 3 auszukommen, ist bei dem Planartransistor nach der Erfindung anders als bei den Planartransitoren nach den Fig. 1, 2, 3 ein Abstand zwischen den p-leitenden Diffusionszonen 12, 1, 2, 3 vorgesehen, der, bei der ersten, als Basiszone dienenden Diffusionszone 12 beginnend, von innen nach außen zunimmt.To get along with p-type annular diffusion zones 1, 2, 3 is the planar transistor according to the Invention, unlike the planar transistors according to FIGS. 1, 2, 3, a distance between the p-conducting Diffusion zones 12, 1, 2, 3 are provided, in the case of the first diffusion zone 12 serving as the base zone starting, increasing from the inside out.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (1)

Patentanspruch:Claim: Planartransistor mit einem die Kollektorzone bildenden Halbleiterplättchen vom einen Leitfähigkeitstyp, dessen erste Hauptoberfläche mit der Kollektorelektrode versehen ist, mit einer als Basiszone dienenden, mit der Basiselektrode versehenen ersten Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp;· dje von der zweiten Hauptoberfläche : des^ Halbleiterplättchens aus in das Halbleiterpiahchen 'eindiffundiert ist, so daß die Kollektör^und Hie als Basiszone dienende erste Diffusionszone zwischen sich einen sich an die zweite Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens erstreckenden ersten pn-Übergang bilden, bei dem eine zweite, den ersten pn-Übergang umschließende, ringförmige Diffusionszone vom Leitfähigkeitstyp der ersten, als Basiszone dienenden Diffusionszone von der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens in dieses eindiffundiert ist und zwischen sich und der Kollektorzone einen den ersten pn-Übergang umschließenden zweiten pn-Übergang bildet und bei dem mindestens eine dritte Diffusionszone, die den Leitfähigkeitstyp der ersten und der zweiten Diffusionszone hat und wie die zweite Diffusionszone ringförmig ausgebildet ist, von der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens in dieses eindiffundiert ist und zwischen sich und der Kollektorzone einen weiteren pn-Übergang bildet, der den zweiten pn-Übergang umschließt, wobei die genannten Diffusionszonen in ihrer Diffusionstiefe, in ihrem Diffusionsprofil und in ihrer Oberflächenkonzentration übereinstimmen, wobei ferner in die als Basiszone dienende erste Diffusionszone von der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens aus eine als Emitterzone dienende Diffusionszone eindiffundiert ist, die mit der Emitterelektrode versehen ist, und wobei schließlich die ringförmigen Diffusionszonen nicht mit Elektroden versehen sind und von der als Basiszone dienenden Diffusionszone und voneinander einen solchen Abstand haben, daß bei steigender Sperrspannung die sich in die Kollektorzone ausdehnende Sperrschicht, bei der innersten ringförmigen Diffusionszone beginnend, jeweils auf eine der aufeinanderfolgenden ringförmigen Diffusionszonen überspringt, bevor die Krümmung des pn-Übergangs einen Durchbruch verursacht, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Diffusionszonen (12, 1, 2, 3) mit zum die Kollektorzone bildenden Halbleiterplättchen (11) entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, bei der ersten, als Basiszone dienenden Diffusionszone (12) beginnend, von innen nach außen zunimmt.Planar transistor with a semiconductor plate of one conductivity type forming the collector zone, the first main surface of which is provided with the collector electrode, with an as Serving the base zone, provided with the base electrode first diffusion zone from the opposite one Conductivity type; dje from the second main surface: of the ^ semiconductor wafer into the Semiconductor piahchen 'is diffused in, so that the Collector ^ and Hie serving as the base zone first Diffusion zone between them on the second main surface of the semiconductor wafer form extending first pn-junction, in which a second, the first pn-junction enclosing, annular diffusion zone of the conductivity type of the first diffusion zone serving as the base zone from the second major surface of the semiconductor die is diffused into this and between itself and the collector zone a second pn junction enclosing the first pn junction forms and in which at least one third diffusion zone, which has the conductivity type of the first and the second diffusion zone and, like the second diffusion zone, is annular in shape, from the second major surface of the semiconductor die is diffused into this and between and the collector zone forms a further pn junction that surrounds the second pn junction, said diffusion zones in their diffusion depth, in their diffusion profile and in their surface concentration coincide, furthermore in the first serving as the base zone Diffusion zone from the second main surface of the semiconductor chip as an emitter zone serving diffusion zone is diffused, which is provided with the emitter electrode, and finally the annular diffusion zones are not provided with electrodes and used as a base zone serving diffusion zone and have such a distance that with increasing reverse voltage the barrier layer expanding into the collector zone, at the innermost ring-shaped diffusion zone beginning, jumps to one of the successive annular diffusion zones, before the curvature of the pn junction causes a breakdown, characterized in that that the distance between the diffusion zones (12, 1, 2, 3) with the collector zone forming semiconductor wafer (11) opposite conductivity type, in the first, as Base zone serving diffusion zone (12) beginning, increasing from the inside to the outside. 5555 Die Erfindung betrifft einen Planartransistor mit einem die Kollektorzone bildenden Halbleiterplättchen t>o vom einen Leitfähigkeitstyp, dessen erste Hauptoberfläche mit der Kollektorelektrode versehen ist, mit einer als Basiszone dienenden, mit der Basiselektrode versehenen ersten Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, die von der zweiten Hauptoberflä- br> ehe des Halbleiterplättchens aus in das Halbleiterplättchen eindiffundiert ist, so daß die Kollektor- und die als Basiszone dienende erste Diffusionszone zwischen sich einen sich an die zweite Hauptoberfläche des Halb leiterplättchens erstreckenden ersten pn-Übergan; bilden, bei dem eine zweite, den ersten pn-Übergan umschließende, ringförmige Diffusionszone vom Leitfa higkeitstyp der ersten, als Basiszone dienende. Diffusionszone von der zweiten Hauptoberfläche de Halbleiterplättchens in dieses eindiffundiert ist um zwischen sich und der Kollektorzone einen den erstei pn-Übergang umschließenden zweiten pn-Übergan; bildet und bei dem mindestens eine dritte Diffusionszo ne, die den Leitfähigkeitstyp der ersten und der zweitei Diffusionszone hat und wie die zweite Diffusionszom ringförmig ausgebildet ist, von der zweiten Hauptober fläche des Halbleiterplättchens in dieses eindiffundier ist und zwischen sich und der Kollektorzone einer weiteren pn-Übergang bildet, der den zweiten pn-Über gang umschließt, wobei die genannten Diffusionszoner in ihrer Diffusionstiefe, in ihrem Diffusionsprofil und ir ihrer Oberflächenkonzentration übereinstimmen, wöbe ferner in die als Basiszone dienende erste Diffusionszone von der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiter plättchens aus eine als Emitterzone dienende Diffu sionszone eindiffundiert ist, die mit der Emitterelektro de versehen ist, und wobei schließlich die ringförmiger Diffusionszonen nicht mit Elektroden versehen sind unc von der als Basiszone dienenden Diffusionszone unc voneinander einen solchen Abstand haben, daß be steigender Sperrspannung die sich in die Kollektorzom ausdehnende Sperrschicht, bei der innersten ringförmi gen Diffusionszone beginnend, jeweils auf eine de aufeinanderfolgenden ringförmigen Diffusionszoner überspringt, bevor die Krümmung des pn-Übergange einen Durchbruch verursacht.The invention relates to a planar transistor with a semiconductor wafer t> o forming the collector zone of one conductivity type, the first main surface of which is provided with the collector electrode, with a first diffusion zone of the opposite conductivity type serving as a base zone and provided with the base electrode, from the second main surface b r > before the semiconductor wafer has diffused into the semiconductor wafer, so that the collector zone and the first diffusion zone, which serves as the base zone, have a first pn junction between them extending to the second main surface of the semiconductor wafer; form, in which a second, the first pn junction enclosing, annular diffusion zone of conductivity type of the first, serving as a base zone. Diffusion zone from the second main surface of the semiconductor wafer has diffused into the latter in order to have a second pn junction surrounding the first pn junction between itself and the collector zone; forms and in which at least one third diffusion zone, which has the conductivity type of the first and the second diffusion zone and like the second diffusion zone is annular, diffuses from the second main surface of the semiconductor wafer into this and between itself and the collector zone of a further pn- Forms transition that encloses the second pn-transition, the said diffusion zones coinciding in their diffusion depth, in their diffusion profile and in their surface concentration, furthermore in the first diffusion zone serving as the base zone from the second main surface of the semiconductor wafer a serving as an emitter zone Diffusion zone is diffused in, which is provided with the emitter electrode, and finally the annular diffusion zones are not provided with electrodes and unc from the diffusion zone serving as the base zone unc have such a distance from each other that be increasing reverse voltage in the collector zom expanding barrier layer, beginning at the innermost annular diffusion zone, jumps over to one of the successive annular diffusion zones before the curvature of the pn junction causes a breakthrough. Ein Planartransistor dieser Art ist aus der FR-Pi 14 21 136 bekannt. Derartige Planartransistoren zeich nen sich infolge der ringförmigen Diffusionszonen durcl eine hohe Kollektor-Basis-Durchbruchspannung aus.A planar transistor of this type is known from FR-Pi 14 21 136. Such planar transistors drawing As a result of the ring-shaped diffusion zones, a high collector-base breakdown voltage results. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einen Planartransistor der eingangs genannten Art eine möglichst hohe Kollektor-Basis-Durchbruchspannunf mit einer möglichst kleinen Anzahl von ringförmiger Diffusionszonen zu erreichen.The invention is based on the object of a planar transistor of the type mentioned at the outset The highest possible collector-base breakdown voltage with the smallest possible number of ring-shaped To achieve diffusion zones. Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelös' daß der Abstand zwischen den Diffusionszonen mit zun die Kollektorzone bildenden Halbleiterplättchen entge gengesetztem Leitfähigkeitstyp, bei der ersten, al Basiszone dienenden Diffusionszone beginnend, vo! innen nach außen zunimmt.According to the invention, this object is achieved by ' that the distance between the diffusion zones is contrary to the semiconductor platelets forming the collector zone opposite conductivity type, starting at the first diffusion zone serving as the base zone, vo! increases inside out. Anhand der Zeichnung wird der Planartransisto nach der Erfindung näher erläutert. Es zeigtThe planar transistor according to the invention is explained in more detail with the aid of the drawing. It shows F i g. 1 eine nicht maßstäbliche Draufsicht auf den au; der FR-PS 14 21 136 bekannten Planartransistor mi hoher Kollektor-Basis-Durchbruchspannung,F i g. 1 is a plan view, not to scale, of the au; the FR-PS 14 21 136 known planar transistor mi high collector-base breakdown voltage, F i g. 2 eine nicht maßstäbliche Draufsicht auf einer Planartransistor ähnlich dem nach F i g. 1,F i g. FIG. 2 shows a plan view, not to scale, of a planar transistor similar to that according to FIG. 1, Fig.3 einen vergrößerten, etwa maßstäblicher Schnitt entlang der Linie III-III der F i g. 2, wobei nur die eine Hälfte des Halbleiterplättchens vom Mittelpunk ab nach links dargestellt ist.3 shows an enlarged, approximately to scale section along the line III-III in FIG. 2, with only the one half of the semiconductor die is shown from the center point to the left. Der in F i g. 1 dargestellte bekannte Planartransisto; ist in einem η-leitenden Halbleiterplättchen 11 unterge bracht, das die Kollektorzone des Transistors bildet unc an seiner in F i g: 1 nicht dargestellten ersten Haupt Oberfläche (Unterseite des Plättchens) ganzfiächig mi der ebenfalls nicht dargestellten Kollektorelektrodversehen ist. Von der zweiten Hauptoberfläch< (Oberseite) des Halbleiterplättchens 11 aus ist in da Halbleiterplättchen 11 eine erste p-leitende DiffusionsThe in F i g. 1 shown known planar transistor; is in a η-conductive semiconductor wafer 11 under Bracht, which forms the collector zone of the transistor and unc on its first main, not shown in FIG The entire surface (underside of the plate) is provided with the collector electrode, which is also not shown is. From the second major surface (top side) of the semiconductor die 11 is in there Semiconductor wafer 11 a first p-type diffusion
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