DE1564089B1 - Method for manufacturing a storage screen for - Google Patents

Method for manufacturing a storage screen for

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DE1564089B1
DE1564089B1 DE19661564089 DE1564089A DE1564089B1 DE 1564089 B1 DE1564089 B1 DE 1564089B1 DE 19661564089 DE19661564089 DE 19661564089 DE 1564089 A DE1564089 A DE 1564089A DE 1564089 B1 DE1564089 B1 DE 1564089B1
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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Schicht 8 aus Zinksulfid. Das Netz oder der Schirm 4 Herstellen eines Speicherschirms für Kathodenstrahl- aus Nickel hat beispielsweise 140 Maschen pro Zenti-Speicherrö'hren, bei dem auf die Oberfläche einer meter und eine Dicke von etwa 0,025 bis 0,05 mm. elektrisch leitenden Unterlage eine Metallschicht auf- Um einen Speicherschirm 2 herzustellen, wird dasThe invention relates to a method for layer 8 made of zinc sulfide. The net or screen 4 Manufacture of a storage screen for cathode ray from nickel has, for example, 140 meshes per centimeter storage tubes, where on the surface of one meter and a thickness of about 0.025 to 0.05 mm. In order to produce a storage screen 2, the

gebracht und anschließend in Anwesenheit von 5 Nickelnetz 4 zunächst mit einer Schicht oder einem Sauerstoff oxydiert wird. Dieses Verfahren ist aus der Überzug 6 aus Aluminium auf seiner einen Seite verdeutschen Auslegeschrift 1189 210 bekannt. sehen. Dies geschient mittels konventioneller, all-brought and then in the presence of 5 nickel mesh 4 initially with a layer or a Oxygen is oxidized. This process is illustrated by the coating 6 made of aluminum on one side Auslegeschrift 1189 210 known. see. This is done by means of conventional, general

Dem zu beschreibenden Verfahren liegt in erster gemein bekannter Verfahren zum Aufdampfen von Linie die Aufgabe zugrunde, dieses Verfahren dahin Aluminium. Die Dicke der Aluminiumschicht 6 bezu verbessern, daß die Ableitung, also der Reststrom, 10 trägt beispielsweise 0,0001 mm. Das seinerseits mit der bei Festkörpern unvermeidlich ist und vielfach als Aluminium überzogene Nickelnetz 4 wird sodann in Leckstrom bezeichnet wird, weitgehend herabgesetzt einen evakuierbaren Behälter oder Rezipienten 9 gewird, bracht, wie er in F i g. 2 dargestellt ist. Der Rezipient 9The method to be described is primarily a commonly known method for vapor deposition Line the task underlying this process there aluminum. The thickness of the aluminum layer 6 bezu improve that the discharge, so the residual current, 10 carries, for example, 0.0001 mm. That in turn which is unavoidable with solids and often coated as aluminum nickel mesh 4 is then in Leakage current is referred to, is largely reduced an evacuable container or recipient 9, brought, as shown in FIG. 2 is shown. The recipient 9

Dies geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß die wird anschließend evakuiert. Hierauf wird Sauerstoff Metallschicht zur Oxydation einer Glimmentladung 15 eingelassen, und zwar bis zu einem Partialdruck von ausgesetzt wird, wodurch auf der Metallschicht eine 10 bis 50 Mikron.According to the invention, this is done in that the is then evacuated. Then there is oxygen Metal layer let in for the oxidation of a glow discharge 15, up to a partial pressure of is exposed, creating a 10 to 50 micron on the metal layer.

Oxidschicht erzeugt wird, und daß dann auf die Oxid- Der Rezipient 9 enthält eine Einrichtung zur Er-Oxide layer is generated, and that then on the oxide The recipient 9 contains a device for

schicht Zinksulfid aufgebracht wird. zeugung einer Glimmentladung, bestehend aus einerlayer of zinc sulfide is applied. generation of a glow discharge, consisting of a

Bei Anwendung der Erfindung ergibt sich ein Kathodenplatte 11 und einem Anodenring 13. In äußerst gleichförmiger Oxidfilm, also ein Film, der 20 einer typischen Anordnung kann die Kathodenplatte frei von Flecken und Nadellöchern ist. Es wurde ge- 11 aus Aluminium von etwa 200 mm Durchmesser funden, daß erfindungsgemäß hergestellte Speicher- und die Anode 13 aus einem Aluminiumring von 6 ä schirme in viel geringerem Maße zur Ableitung im bis 7 mm Dicke und 200 mm Durchmesser bestehen. ™ oben angegebenen Sinne neigen als Schirme bekann- Dabei wird das Nickelnetz 4 in der Nähe der Kathode ter Art. Außerdem wird das sonst notwendige lang- 25 11 angebracht. An die Kathodenplatte 11 und den wierige und kostspielige Altern und Stabilisieren der Anodenring 13 wird sodann eine Spannung von etwa Zinksuffide vermieden, so daß die Produktionszeit er- 600 Volt gelegt, so daß innerhalb des Rezipienten 9 heblich herabgesetzt werden kann. Infolge der Gleich- "erne grünlichgelbe Sauerstoff-Glimmentladung entförmigkeit der Oxidschicht und ihrer geringeren.Nei- . ·. steht.; Die Glimmentladung wird ungefähr für eine gung zur Ableitung wird die Tendenz bekannter 30 halbe Stunde aufrechterhalten. Die Dauer hängt von Speicherröhren mit direkter Bildbetrachtung, das ge- dem jeweils gewünschten Grad der Oxydation der speicherte Bild allmählich verschwinden zu lassen, Aluminiumschicht 6 ab. In einem typischen Fall kann vermindert. Es wurde ferner gefunden, .daß die Auf- die Aluminiumoxidschicht 7 eine Dicke von etwa 40 rechterhaltung von an sich nicht zur Speicherung be- bis 100 Α-Einheiten,' also 40 bis 100 · 10 ~8 cm erstimmten Bildern, die sich bei Speicherröhren mit 35 halten.Using the invention results in a cathode plate 11 and an anode ring 13. In an extremely uniform oxide film, that is to say a film which, in a typical arrangement, the cathode plate is free of spots and pinholes. It was found overall 11 made of aluminum of about 200 mm in diameter that storage and produced according to the invention, the anode 13 made of an aluminum ring of 6 ä umbrellas in a much lesser degree for the derivation in the consist to 7 mm thickness and 200 mm diameter. The above-mentioned senses tend to be known as screens. The nickel mesh 4 is placed in the vicinity of the cathode of the type. In addition, the otherwise necessary long 25 11 is attached. A voltage of approximately zinc suffide is then avoided on the cathode plate 11 and the difficult and costly aging and stabilization of the anode ring 13, so that the production time is 600 volts, so that within the recipient 9 can be considerably reduced. As a result of the uniform greenish-yellow oxygen glow discharge of the oxide layer and its lower tendency Observation of the image, to let the stored image gradually disappear depending on the degree of oxidation desired in each case, from aluminum layer 6. In a typical case, it was also found that the aluminum oxide layer 7 maintains a thickness of about 40% not in itself suitable for storage up to 100 units, that is, 40 to 100 · 10 ~ 8 cm images, which hold up to 35 in the case of storage tubes.

direkter Bildbetrachtung der in Rede stehenden Art Eine Schicht aus Zinksulfid, das in seiner kubi-direct image viewing of the type in question A layer of zinc sulfide, which in its cubic

störend auswirken, auf ein Minimum sinkt. sehen Gitterform verwendet werden kann, wird aufdisturbing effect, drops to a minimum. see lattice shape can be used is on

In der Durchführung des Verfahrens nach der Er- die Schicht 7 aus Al2O3 durch ein übliches Auffindung haben sich im wesentlichen zwei Maßnahmen dampfverfahren aufgebracht. Während des Aufdampals vorteilhaft erwiesen. Die eine Maßnahme besteht 40 fens wird das Netz 4 auf einer Temperatur von darin, als Metall Aluminium und als Oxid Aluminium- ungefähr 200° C gehalten. Die Zinksulfidschicht 8 oxid zu verwenden, während gemäß der zweiten,-als wird bis zu einer Dicke von etwa 0,25 bis 2μΐη ervorteilhaft erkannten Maßnahme als Metall Titan und zeugt. Nach Herstellung der Zinksulfidschicht 8 kann als Oxid Titanoxid verwendet wird. es sich empfehlen, die rückwärtige, also noch me- 'In the implementation of the method after the layer 7 made of Al 2 O 3 by means of a customary discovery, essentially two measures of steaming method have been applied. Proven to be beneficial during vapor deposition. One measure consists of keeping the net 4 at a temperature of approximately 200 ° C. as metal, aluminum and as oxide, aluminum. The zinc sulfide layer 8 to use oxide, while according to the second, -as is up to a thickness of about 0.25 to 2μΐη advantageously recognized measure as a metal titanium and testifies. After the zinc sulfide layer 8 has been produced, titanium oxide can be used as the oxide. it is recommended to use the rear, so still me- '

Die Zeichnung veranschaulicht ein Aüsführungs-' 45 tallische Seite des Netzes 4 durch Aufdampfen mit beispiel sowie einige weitere Darstellungen zur Er- Aluminium zu überziehen, um mögliche dielektrische läuterung der Erfindung. Es zeigt Partikeln zu überdecken, die sich unbeabsichtigt aufThe drawing illustrates an execution '45 metallic side of the network 4 by vapor deposition with example as well as some other illustrations for er- aluminum to be coated in order to avoid possible dielectric purification of the invention. It reveals particles that are inadvertently obscuring themselves

F i g. 1 einen Teilschnitt durch einen erfindungs- dieser Seite gebildet oder niedergeschlagen haben, gemäß gestalteten Speicherschirm, - Der in dieser Weise hergestellte Speicherschirm 2F i g. 1 have formed or knocked down a partial section through an invention of this page, according to designed storage screen, - the storage screen 2 produced in this way

F i g. 2 eine schematische Darstellung' einer Vor- 50 kann sodann in einer mit direkter Bildbetrachtung arrichtung zum Herstellen eines erfindungsgemäß er- beitenden Kathodenstrahlröhre 12 gemäß Fig. 3 zeugten Speicherschirms, untergebracht werden. Die Röhre 12 besteht aus einerF i g. 2 a schematic representation of a front 50 can then be arranged in a direction with direct image viewing for producing a cathode ray tube 12 according to the invention according to FIG. 3 storage screen. The tube 12 consists of a

F i g. 3 einen schematisch gehaltenen Querschnitt evakuierten Hülle, die sich aus einem verhältnismäßig durch eine mit direkter Bildbetrachtung arbeitende, großen zylindrischen Abschnitt 14 und einem engeren Kathodenstrahl-Speicherröhre, in der em erfindungs- 55 Hals 16 zusammensetzt. Der Hals schließt sich an die gemäß hergestellter Speicherschirm angeordnet ist, eine Seite des größeren Abschnitts 16 an. Diese Seite und des Abschnitts 14 wird nachstehend als Halsseite be-F i g. 3 shows a schematic cross-section of an evacuated envelope, which consists of a relatively by a large cylindrical section 14 working with direct image viewing and a narrower one Cathode ray storage tube in which the neck 16 of the invention is composed. The neck joins the is arranged according to the storage screen produced, one side of the larger portion 16 on. This page and section 14 is hereinafter referred to as the neck side

Fig. 4 ein Diagramm zur Veranschaulichung des zeichnet. Der Hals 16 ist in der gezeichneten Weise Spannungsabfalls quer über die Schichten aus Zink- unter einem Winkel gegen die Hauptlängsachse des sulfid und Aluminiumoxid eines erfindungsgemäß 60 größeren zylindrischen Abschnitts 14 angeordnet. Die hergestellten Speicherschirms. entgegengesetzt zur Halsseite liegende Seite des größe-Fig. 4 is a diagram to illustrate the drawing. The neck 16 is in the manner shown Voltage drop across the layers of zinc at an angle to the main longitudinal axis of the sulfide and aluminum oxide of a cylindrical section 14 which is 60 larger according to the invention. the manufactured storage screen. opposite to the side of the neck of the larger

Der in Fig. 1 allgemein mit 2 bezeichnete ren zylindrischen Abschnitts 14 besteht aus einer Speicherschirm besteht aus einem durch elektroly- Stirnplatte 18, deren Innenfläche mit einer Schicht 20 tischen Niederschlag erzeugten Nickelnetz 4 mit einer aus phosphoreszierendem Material versehen ist, auf dessen einer Fläche befindlichen Schicht aus Alu- 65 welche ihrerseits mit einem dünnen Aluminiumfilm minium. Auf der Aluminiumschicht 6 befindet sich 22 bedeckt ist. Benachbart zu der den Bildschirm 18 eine Schicht 7 aus Aluminiumoxid, und die Alu- bildenden Stirnplatte ist ein Speicherschirm 2 angeminiumoxidschicht 7 ist ihrerseits überdeckt mit einer ordnet, wie er zuvor beschrieben und in F i g. 1 dar-The in Fig. 1 generally designated 2 Ren cylindrical portion 14 consists of a Storage screen consists of an electrolyte face plate 18, the inner surface of which is covered with a layer 20 The nickel net 4 produced by the precipitate is provided with a phosphorescent material, on one surface of which there is a layer of aluminum, which in turn is covered with a thin aluminum film minium. On the aluminum layer 6 is 22 is covered. Adjacent to the screen 18 a layer 7 of aluminum oxide, and the aluminum-forming face plate is a storage screen 2 layer of ammonium oxide 7 is in turn covered with an order as described above and in FIG. 1 dar-

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gestellt ist. Er erstreckt sich über die ganze Aus- und angelegt werden, moduliert und zum Abtasten dehnung des Bildschirms. Auf der der Halsseite zu- gebracht. Der Strahl wird horizontal und vertikal auf gewandten Seite des Speicherschirms befindet sich elektromagnetische Weise abgelenkt, nämlich in der ein Sammelgitter 24, dessen Ausdehnung derjenigen gezeichneten Weise durch ein magnetisches Abdes Speicherschirms 2 entspricht. Das Sammelgitter 5 lenkungsjoch 50, das rings um den Hals 16 der Röhreis posed. It extends over the whole of the output and can be applied, modulated and used for scanning stretching of the screen. On the side of the neck. The beam is raised horizontally and vertically facing side of the storage screen is electromagnetically deflected, namely in the a collecting grid 24, the expansion of which in the manner shown by a magnetic Abdes Storage screen 2 corresponds. The collecting grid 5 steering yoke 50, which goes around the neck 16 of the tube

24 besteht aus einem elektrisch leitenden Schirm, angeordnet ist.24 consists of an electrically conductive screen that is arranged.

der an seinem Umfang von einem Ring 26 gehalten Flächenteile des Speicherschirms 2, die von dem wird. Die Durchlässigkeit des Schirms liegt Vorzugs- 2,5 Kilovolt-Strahl entsprechend der zu speichernden weise bei etwa 80 %. Das Sammelgitter 24 hat den und wiederzugebenden Information getroffen werden, Zweck, Sekundärelektronen aufzufangen, die vom io werden positiv geladen, und zwar zufolge der Speicherschirm 2 emittiert werden. Benachbart zum Emission von Elektronen, die von dem Speicher-Sammelgitter 24 folgt sodann eine als Kollimator schirm emittiert und vom Sammelgitter 24 aufgefangen wirkende Elektrode 28 in Form einer zylindrischen werden. Um in dieser Weise zu wirken, liegt dieses Hülse, deren Zweck darin besteht, die von einem Sammelgitter dabei auf einem Potential von +12 Volt Flutelektronenerzeuger 30 ausgehenden Flutelektro- 15 gegen Erde. Bilderzeugende Flutelektronen, die vom nen auszurichten. Der Flutelektronenerzeuger 30 ist Flutelektronenerzeuger 30 ausgehen, können dann an der Halsseite des Röhrenabschnitts 14 angeordnet. durch den Speicherschirm 2 an diesen Flächenteilen Der Flutelektronenerzeuger 30 liegt in der Längs- positiven Potentials durchtreten und werden hierauf achse des größeren zylindrischen Abschnitts 14 der in Richtung auf den Bildschirm mittels einer Span-Röhre 12 und besteht aus einer Kathode 32 und 20 nung von etwa +6000 Volt gegen Erde beschleunigt, einem Wehneltzylinder 34, der die Kathode 32 um- einem Potential, auf welchem der Aluminiumfiim 22 schließt, mit Ausnahme einer kleinen Öffnung 36, des Bildschirms gehalten wird. In dieser Weise wird die oberhalb der Mitte der Kathode 32 angeordnet die Information »Weiß auf Schwarz« wiedergegeben, ist. Eine ringförmige Elektrode 38 liegt benachbart und das Bild kann beliebig lange aufrechterhalten und zum Wehneltzylinder 34 und in Flucht mit der Längs- 25 betrachtet werden. -"..·.
achse der Röhre 12. Diese Längsachse geht auch Nicht zu speichernde oder »lebendige« Information durch die Öffnung 36 im Wehneltzylinder 38. kann gleichzeitig wiedergegeben werden, indem das
the surface parts of the storage screen 2 held on its circumference by a ring 26, which is of the. The permeability of the screen is a preferred 2.5 kilovolt beam, corresponding to the way to be stored, at around 80%. The collecting grid 24 has the purpose of collecting the information to be reproduced and collecting secondary electrons which are positively charged by the io, specifically as a result of the storage screen 2 being emitted. Adjacent to the emission of electrons from the storage collecting grid 24 then follows a collimator screen emitted and captured by the collecting grid 24 acting electrode 28 in the form of a cylindrical. In order to work in this way, this sleeve, the purpose of which is to have the flood electron generator 30 emanating from a collecting grid at a potential of +12 volt flood electron generator 30, lies to earth. Imaging flood electrons that align from the nen. The flood electron generator 30 is the flood electron generator 30 running out, can then be arranged on the neck side of the tube section 14. through the storage screen 2 on these surface parts The flood electron generator 30 lies in the longitudinal positive potential pass through and are thereupon axis of the larger cylindrical section 14 of the direction of the screen by means of a chip tube 12 and consists of a cathode 32 and 20 voltage of about +6000 volts against earth, a Wehnelt cylinder 34, which keeps the cathode 32 at a potential at which the aluminum film 22 closes, with the exception of a small opening 36 in the screen. In this way, the information "white on black" arranged above the center of the cathode 32 is reproduced. An annular electrode 38 is adjacent and the image can be maintained for any length of time and viewed towards the Wehnelt cylinder 34 and in alignment with the longitudinal 25. - ".. ·.
axis of the tube 12. This longitudinal axis also goes through the opening 36 in the Wehnelt cylinder 38, which cannot be stored or "living" information

Der Hals 16 der Röhre 12 dient zur Aufnahme Potential der Kathode 42 des Elektronenstrahlerzeu-The neck 16 of the tube 12 serves to accommodate the potential of the cathode 42 of the electron beam generator

eines Elektronenstrählerzeugers 40, der in üblicher gers 40 auf ungefähr 4,5 Kilovolt geschaltet wird. Einan electronic generator 40, which is switched to approximately 4.5 kilovolts in the usual gers 40. A

Weise gestaltet ist. Er besteht aus einer Kathode 42, 30 Strahl dieser Energie erzeugt keinerlei Änderung imWay is designed. It consists of a cathode 42, 30 beam of this energy does not produce any change in the

einer als Beschleunigungsgitter dienenden Elektrode Potential der Speicherfläche. Der Strahl passiert somitan electrode serving as an acceleration grid potential of the storage area. The beam then passes

44 und einem zylindrischen, strahlformenden Teil 46. den Speicherschirm 2, ohne die Potentiale zu ändern,44 and a cylindrical, beam-shaping part 46. the storage screen 2 without changing the potentials,

Mittels einer leitenden Schicht 48, welche die auf denen dessen positiv oder negativ geladene TeileBy means of a conductive layer 48, which has the positively or negatively charged parts on it

Innenfläche der Röhre wie gezeichnet überdeckt, liegen.Covered inner surface of the tube as shown.

wird ein Bereich gleichen Potentials im Hals 16 und 35 Auf dem Speicherschirm 2 gespeicherte Potentialebecomes an area of equal potential in the neck 16 and 35. Potentials stored on the storage screen 2

dem größeren zylindrischen Abschnitt 14 der Röhre können selektiv gelöscht werden, indem das Potentialthe larger cylindrical section 14 of the tube can be selectively erased by the potential

12 aufrechterhalten. Im Betrieb wird diese leitende der Kathode 42 des Elektronenstrählerzeugers 40 auf12 upheld. In operation, this conductive of the cathode 42 of the electron generator 40 is on

Schicht auf einem Potential von + 5 Volt gehalten. ungefähr 7,0 Kilovolt geschaltet und der Speicher-Layer held at a potential of + 5 volts. approximately 7.0 kilovolts and the storage

Mit negativem Potential der dem Bildschirm 18 zu- schirm mit einem Strahl von diesem Energieniveau gekehrten Seite des Speicherschirms kann eine 40 gemäß Signalen abgetastet wird, die die zu löschende Speicherröhre mit selektiver Löschung in der nach- Information repräsentieren. Trifft ein Strahl von stehenden Weise betrieben werden. Ein Potential von 7,0 Kilovolt auf Teile des Speicherschirms, so hat dies etwa — 9 Volt, bezogen auf Erde, wird an das Nickel- zur Folge, daß diese Teile negativ auf ungefähr das netz 4 des Speicherschirms gelegt. Die Kathode 32 Potential des Nickelnetzes 4 (-9VoIt) geladen werdes Flutelektronenerzeugers, von der die bilderzeugen- 45 den, und zwar zufolge des Phänomens der durch Beden Flutelektronen ausgehen, liegt auf Erdpotential, schuß erzeugten Leitfähigkeit.With a negative potential, the screen 18 is screened with a beam of this energy level On the opposite side of the storage screen, a 40 is scanned in accordance with signals indicating the Storage tube with selective erasure in the post information. Strikes a ray of operated in a standing manner. This has a potential of 7.0 kilovolts on parts of the storage screen about - 9 volts, related to earth, is applied to the nickel - as a result, these parts are negative to about that net 4 of the storage screen placed. The cathode 32 potential of the nickel network 4 (-9VoIt) is charged Flood electron generator, of which the image-generating 45, and that due to the phenomenon of Beden Going out flood electrons, is at earth potential, shot generated conductivity.

während der Wehneltzylinder 34 und die Ring- Die in F i g. 3 dargestellte und oben beschriebene elektrode 38 auf Potentialen von etwa — 20 Volt bzw. Speicherröhre hat nur einen Elektronenstrahlerzeuger, + 100VoIt gehalten werden, sämtlich bezogen auf dessen Kathodenpotential auf verschiedene Energie-Erde. Unter diesen Bedingungen werden die von dem 50 niveaus (2,5 Kilovolt, 4,5 Kilovolt und 7,0 Kilovolt) Elektronenerzeuger 30 ausgehenden Flutelektronen geschaltet werden kann, um auf diese Weise Speichedaran gehindert, den Speicherschirm zu durchdringen, rung, Schreiben mit Durchtritt durch den Speicherund zwar wegen des daran liegenden negativen Po- schirm und selektives Löschen zu ermöglichen. Ist tentials von —9 Volt. Infolgedessen können die bild- nur ein einziger Elektronenstrahlerzeuger vorgesehen, erzeugenden Flutelektronen den Bildschirm nicht er- 55 so können die Operationen des Speicherns, durch den reichen und dort keine Lumineszenz erzeugen. Dies Speicherschirm Hindurchschreibens und Löschen? ist der anfängliche »dunkle« Zustand der Röhre, und nicht gleichzeitig ausgeführt werden. Dazu ist vielin dieser Betriebsweise wird die Information »Weiß mehr eine mit mehr als einem Elektronenstrahlauf Schwarz« wiedergegeben. erzeuger versehene Röhre nötig. Wird — abgesehenwhile the Wehnelt cylinder 34 and the ring die in FIG. 3 and described above electrode 38 at potentials of around - 20 volts or storage tube has only one electron gun, + 100VoIt, all related to its cathode potential on different energy earth. Under these conditions, those of the 50 levels (2.5 kilovolts, 4.5 kilovolts and 7.0 kilovolts) Electron generator 30 outgoing tide electrons can be switched in order to store them in this way prevented from penetrating the storage screen, writing with passage through the storage and because of the negative screen and selective erasure. is potentials of -9 volts. As a result, only a single electron gun can be provided, The flood electrons that generate the screen do not 55 so can the operations of saving, through the range and do not generate luminescence there. Is this writing through and erasing the memory screen? is the initial "dark" state of the tube, and cannot be run at the same time. There is a lot to do with that In this mode of operation, the information “knows more of a person with more than one electron beam run Black «reproduced. generator-equipped tube required. Will - apart

Um Information zu speichern und wiederzugeben, 60 von dem Flutelektronenerzeuger — mehr als einTo store and reproduce information, 60 from the flood electron generator - more than one

wird der Speicherschirm 2 von einem Elektronen- Elektronenstrahlerzeuger in der Röhre vorgesehen, soif the storage screen 2 is provided in the tube by an electron gun, see above

strahl von elementarem (d. h. also ungefähr einem können je zwei der drei Operationen (also dasray of elementary (i.e. approximately one can each perform two of the three operations (i.e. the

Bildelement entsprechenden) Querschnitt abgetastet, Speichern, das Löschen und das durch den Speicher-Corresponding image element) cross-section scanned, storage, deletion and the through the memory

wobei der Strahl ein Energieniveau von etwa 2,5 Kilo- schirm Hindurchschreiben) gleichzeitig ausgeführtwith the beam running through an energy level of about 2.5 kiloscreens) at the same time

volt hat. Dieser Strahl wird mittels des Elektronen- 65 werden. Werden in einer Röhre drei Elektronensträhl-volt has. This beam will be by means of the electron 65. Are three electron beams in one tube

strahlerzeugers 40 im Hals 16 der Röhre erzeugt. Er erzeuger vorgesehen, so können alle drei Operationenjet generator 40 generated in the neck 16 of the tube. He provided creator so can all three operations

wird durch Signale, die die wiederzugebende Infor- gleichzeitig durchgeführt werden,is carried out by signals that the information to be reproduced is carried out at the same time,

mation repräsentieren und in üblicher Weise erzeugt In F i g. 4 ist veranschaulicht, daß mit einem Alu-represent mation and generated in the usual way. In FIG. 4 shows that with an aluminum

miniumoxidfilm, dessen spezifischer Widerstand wesentlich größer ist als der des Zmksulfidfilms, der dünne Oxidfilm ungefähr 50% des Potentialsgefälles über die beiden dielektrischen Schichten aufnimmt. Werden beispielsweise an die beiden Schichten aus Zinksulfid und Aluminiumoxid 15 Volt gelegt, so stehen an der Zinksulfidschicht nur 7,5 Volt. Zufolge der nichtlinearen Spannungs-Stromcharakteristika des Zinksulfidfilms wird der Leckstrom so weit reduziert, wie einem Faktor 4 entspricht, wodurch der durch Leckströme entstehende Ladungsabfluß drastisch vermindert wird.Minium oxide film, the specific resistance of which is essential is larger than that of the zinc sulfide film, the thin oxide film is about 50% of the potential gradient picks up on the two dielectric layers. For example, the two layers are made from When zinc sulfide and aluminum oxide are placed at 15 volts, the zinc sulfide layer is only 7.5 volts. As a result the non-linear voltage-current characteristics of the zinc sulfide film, the leakage current is reduced so much corresponds to a factor of 4, as a result of which the discharge of charge caused by leakage currents is drastic is decreased.

Vorstehend ist ein neuer und verbesserter Speicherschirm für Kathodenstrahlröhren erläutert, der es gestattet, das Phänomen der durch Beschüß induzierten Leitfähigkeit wirksam und praktisch nutzbar zu machen. Der Speicherschirm nach der Erfindung ist hier mit besonderer Berücksichtigung der Verwendung in einer mit direkter Bildbetrachtung arbeitenden Kathodenstrahl-Speicherröhre beschrieben. Doch ist die Brauchbarkeit eines Speicherschirms nach der Erfindung nicht notwendigerweise auf derartige Röhren beschränkt. Er kann vielmehr in Speicherröhren anderer Art verwendet werden, wo es sich darum handelt, elektrische Ladungen, die eine bestimmte Information repräsentieren, unter Ausnutzung des Phänomens der durch Beschüß induzierten Leitfähigkeit unter Verwendung von Zinksulfid zu erhalten. Beispielsweise kann der Speicherschirm auch in mit Speicherung arbeitenden elektrischen Senderöhren benutzt werden.A new and improved storage screen for cathode ray tubes is explained above, which allows the phenomenon of bombardment-induced conductivity effectively and practically usable do. The storage screen according to the invention is here with particular consideration of the use described in a cathode ray storage tube operating with direct image viewing. It still is the usefulness of a storage screen according to the invention does not necessarily apply to such tubes limited. Rather, it can be used in storage tubes of other types, where it is a question of electrical charges that carry certain information represent, taking advantage of the phenomenon of bombardment-induced conductivity using zinc sulfide. For example, the storage screen can also be in with Storage working electrical transmission tubes are used.

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zum Herstellen eines Speicherschirms für Kathodenstrahl-Speicherröhren, bei dem auf die Oberfläche einer elektrisch leitenden Unterlage eine Metallschicht aufgebracht und anschließend in Anwesenheit von Sauerstoff oxydiert wird, dadurch gekennzeichnet,daß die Metallschicht (6) zur Oxydation einer Glimmentladung ausgesetzt wird, wodurch auf der Metallschicht (6) eine Oxidschicht (7) erzeugt wird, und daß dann auf die Oxidschicht (7) Zinksulfid (8) aufgebracht wird.1. Method of manufacturing a storage screen for cathode ray storage tubes, at a metal layer is applied to the surface of an electrically conductive base and then is oxidized in the presence of oxygen, characterized in that the metal layer (6) is subjected to a glow discharge for oxidation, whereby on the metal layer (6) an oxide layer (7) is produced, and that then on the oxide layer (7) zinc sulfide (8) is applied. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall der Schicht (6) Aluminium verwendet wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the metal of the layer (6) is aluminum is used. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall der Schicht (6) Titan verwendet wird.3. The method according to claim 1, characterized in that the metal of the layer (6) Titanium is used. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1189210B (en) * 1960-05-19 1965-03-18 Gen Electric Storage electrode for cathode ray tubes in the form of a storage membrane and a method for producing the storage membrane

Patent Citations (1)

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