DE1414809B2

DE1414809B2 - Electron beam halftone storage tube

Info

Publication number: DE1414809B2
Application number: DE19601414809
Authority: DE
Inventors: Norman H. Los Angeles Calif. Lehrer (V.St.A.)
Original assignee: Hughes Aircraft Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 1959-02-26
Filing date: 1960-02-15
Publication date: 1970-04-16
Also published as: DE1414809A1; GB874288A

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine Elektronen- Löschmittel sind bei der erfindungsgemäß gestaltetenThe invention relates to an electron extinguishing agent designed according to the invention

strahl-Halbtonspeicherröhre mit einem Bildspeicher Röhre nicht notwendig.ray halftone storage tube with an image storage tube not necessary.

aus einer elektrisch leitenden Grundlage und einem Richtet man auf den Speicher einen Strahl von diese mindestens teilweise bedeckenden Dielektrikum, mittlerem Energieniveau, so heben sich die entgegendessen Außenfläche die Speicherfläche bildet, mit 5 gesetzten Wirkungen der beiden Phänomene der beeinem ersten Elektronenstrahlerzeugungssystem, des- schußinduzierten Leitfähigkeit und der Sekundärsen Strahl die Speicherfläche abtastet und auf ihr ein emission gegenseitig auf, so daß sich an einer auf seiner jeweiligen Intensität entsprechendes Ladungs- dem Speicher bereits befindlichen Information nichts bild schreibt, wobei das Dielektrikum aus einem ändert. Dennoch durchdringt der Strahl die Speicher-Stoff besteht, der innerhalb eines ersten Energie- io elektrode und erzeugt auf dem Bildschirm zusätzlich niveaubereiches des Elektronenstrahls ein oberhalb das gewohnte Bild einer nichtgespeicherten Inforvon 1 liegendes Sekundärelektronenemissionsverhält- mation.from an electrically conductive base and one directs a beam of at the memory This at least partially covering dielectric, medium energy level, so stand out the opposite The outer area forms the storage area, with 5 set effects of the two phenomena of one first electron gun, shot-induced conductivity and secondary sensors Beam scans the storage area and emits an emission on each other, so that one on one The information already present in the memory, corresponding to its respective intensity, does not contain anything picture writes, whereby the dielectric changes from one. Nevertheless, the beam penetrates the storage substance consists of a first energy electrode and generated on the screen in addition level range of the electron beam above the usual image of an unsaved information 1 lying secondary electron emission ratio.

nis hat und innerhalb eines zweiten Energieniveau- Eine erfindungsgemäß gestaltete Halbtonspeicherbereiches, der den ersten Bereich überlappt, die röhre ist weiterer Verbesserung und Ausgestaltung Eigenschaft hat, unter der Wirkung des Beschüsses 15 durch Maßnahmen fähig, die in den Unteransprüchen von Elektronen leitfähig zu werden, wobei ferner angegeben sind. Worin diese Maßnahmen im einzelder Elektronenstrahl des ersten Elektronenstrahl- nen bestehen und welche Wirkungen und Vorteile erzeugungssystems das Dielektrikum mittels Sekun- mit ihnen erreicht werden, wird im Zusammenhang därelektronenemission zu laden vermag, wodurch mit der Erläuterung des in der Zeichnung dargezwischen der Speicherfläche und der leitenden Grund- 2° stellten Ausführungsbeispiels angegeben werden. In lage ein Potentialunterschied entsteht, und mit einem der Zeichnung zeigtnis and within a second energy level - a halftone memory area designed according to the invention, which overlaps the first area, the tube is further improvement and refinement Property has capable of being under the action of shelling 15 through measures set out in the subclaims to become conductive of electrons, which are also indicated. What are these measures in detail Electron beam of the first electron beam exist and what effects and advantages generation system, the dielectric can be achieved with them in seconds, is related The electron emission is able to charge, whereby Darge between the explanation of the in the drawing the storage area and the conductive basic 2 ° posed exemplary embodiment can be specified. In a potential difference arises, and one of the drawing shows

zweiten Elektronenstrahlerzeugungssystem, dessen Fig. 1 einen schematischen Längsschnitt durchsecond electron gun, FIG. 1 is a schematic longitudinal section through

Strahl (Löschstrahl) den Bildspeicher abtastet und eine Röhre mit den Merkmalen der Erfindung,Beam (erase beam) scans the image memory and a tube with the features of the invention,

das Dielektrikum durch mittels Beschüß induzierte F i g. 2 einen vergrößerten, perspektivisch darge-the dielectric by bombardment-induced F i g. 2 shows an enlarged, perspective

Leitfähigkeit auf ein Bezugspotential zu entladen 25 stellten Ausschnitt des Speichergitters der RöhreConductivity to a reference potential to discharge 25 provided section of the storage grid of the tube

sucht. Eine Röhre mit diesen Merkmalen ist in dem nach Fig. 1,seeks. A tube with these features is shown in Fig. 1,

Aufsatz »Viewing Storage Tubes« von M. Knoll Fig. 3 einen Querschnitt durch das Gitter nachEssay "Viewing Storage Tubes" by M. Knoll Fig. 3 shows a cross section through the grid

und B. Kazan in der Zeitschrift Advances in Elec- Fig. 2 undand B. Kazan in the journal Advances in Elec- Fig. 2 and

tronics and Electron Physics, Bd. VIII, 1956, Fig. 4 bis 7 Kennlinien und Arbeitskurven dertronics and Electron Physics, Vol. VIII, 1956, Fig. 4 to 7 characteristics and working curves of the

S. 447ff., beschrieben. 30 Röhre nach Fig. 1.P. 447ff., Described. 30 tube according to FIG. 1.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Die Röhre nach F i g. 1 besteht aus einem evabei einer Elektronenstrahl-Halbtonspeicherröhre kuierten Gehäuse 10 mit einer verhältnismäßig großen der oben bezeichneten Bauart die Möglichkeit zu Kammer 11, die rechts durch eine Stirnwand 12 abschaffen, das gespeicherte Bild selektiv zu geschlossen ist, und einem gleichachsig dazu liegenlöschen. 35 den Hals 13, der sich links an die Kammer 11 an-The invention is based on the object, The tube according to FIG. 1 consists of an evabei an electron beam halftone storage tube housing 10 with a relatively large the above design the possibility of chamber 11, abolish the right through an end wall 12, the saved image is selectively closed, and delete one lying on the same axis. 35 the neck 13, which adjoins the chamber 11 on the left.

Es wurde gefunden, daß diese Aufgabe dadurch schließt. Im Hals 13 finden sich zwei Elektronengelöst werden kann, daß man als Stoff für das Di- strahlerzeuger 14 und 15, von denen nachstehend elektrikum Zinksulfid von kubischer Struktur (Zink- der Elektronenstrahlerzeuger 14 als Schreibstrahlblende) wählt. erzeuger und der Elektronenstrahlerzeuger 15 alsIt has been found that this completes this task. In the neck 13 there are two electrons that can be released that can be used as a substance for the beam generator 14 and 15, of which are below Elektrikum zinc sulfide of cubic structure (zinc- the electron gun 14 as a write beam diaphragm) chooses. generator and the electron gun 15 as

Die Erfindung liefert nicht nur die Möglichkeit, 40 Löschstrahlerzeuger bezeichnet werden. Sie erzeugen das gespeicherte Bild selektiv zu löschen. Außer Schreib- und Löschelektronenstrahlen, deren Querselektiver Löschung ist es möglich, auf dem Bild- schnitte die Größe eines Flächenelementes haben, schirm ungespeichert zu schreiben, also dem ge- Horizontalablenkplatten 16 und Vertikalablenkplatten speicherten Bild ein Bild zu überlagern, wie es bei 17 steuern den Schreibstrahl und Horizontalablenkgewöhnlichen, nicht mit Bildspeicherung arbeitenden 45 platten 18 und Vertikalablenkplatten 19 den Lösch-Oszilloskopen geschrieben wird. strahl. Ein dritter Elektronenstrahlerzeuger 20, derThe invention not only provides the possibility of 40 extinguishing jet generators being designated. You generate selectively delete the saved image. In addition to writing and erasing electron beams, the cross-selective erasure of which it is possible to have the size of a surface element on the image sections, to write screen unsaved, so the horizontal deflection plates 16 and vertical deflection plates stored image to superimpose an image, as is usual at 17 control the writing beam and horizontal deflection, not working with image storage 45 plates 18 and vertical deflection plates 19 the erase oscilloscopes is written. beam. A third electron gun 20, the

Wird bei einer erfindungsgemäß gestalteten Halb- nachstehend auch als Flutstrahlerzeuger bezeichnet tonspeicherröhre auf dem Speicher mit einem Strahl wird, dient zur Erzeugung eines ausgedehnten Bünrelativ niedriger Energie geschrieben, so überwiegt dels von Flutelektronen. Die in den Elektronenstrahldie Sekundäremission die beschußinduzierte Leit- 50 erzeugern 14 und 15 erzeugten, scharf gebündelten fähigkeit bei der Ladung der Speicherfläche. Mit dem Strahlen können natürlich auch magnetisch gebündelt Strahl niedriger Energie kann somit ein gespeichertes und abgelenkt werden. In diesem Falle wird man im Bild erzeugt werden. Wird dagegen auf die Speicher- allgemeinen getrennte Hälse vorsehen,
fläche ein Elektronenstrahl hoher Energie gerichtet, Auf der Innenseite der Stirnfläche 12 gegenüber so überwiegt die beschußinduzierte Leitfähigkeit. 55 den drei Elektronenstrahlerzeugern 14, 15 und 20 ist Dadurch werden die von dem Elektronenbeschuß ein Bildschirm 22 angeordnet, der aus einer luminesgetroffenen Teile der Speicherfläche im umgekehrten zierenden Leuchtstoffschicht 23 mit einem dünnen Sinne elektrisch geladen wie durch die Sekundär- Aluminiumfilm 24 besteht. Benachbart zum Bildemission. Durch Ausnutzung des Phänomens der schirm 22 liegt ein Bildspeicher in der Form eines beschußinduzierten Leitfähigkeit ist es daher möglich, 60 Speichergitters 25 und zu diesem wiederum benachmittels des Strahls hoher Energie bestimmte ausge- bart ein Sammelgitter 26. Die Gitter 25 und 26 haben wählte Bildteile zu löschen, andere aber bestehen zu räumlich die gleiche Ausdehnung wie der Schirm 22. lassen. Denn die negative Aufladung, die auf der F i g. 2 und 3 zeigen den Aufbau des Speicherbeschußinduzierten Leitfähigkeit beruht, hebt die gitters 25 stark vergrößert und perspektivisch sowohl positive Aufladung durch die Sekundäremission auf. 65 wie im Querschnitt. Das Gitter besteht aus einem Die von dem Strahl hoher Energie getroffenen Bild- durch ein elektrisches Verfahren hergestelltes Nickelteile verschwinden daher, während die nicht ge- netz 28 mit vier bis sechzehn Maschen pro MiIIitroffenen Bildteile unbeeinflußt bleiben. Weitere meter, wobei zehn Maschen pro Millimeter einenIf in a half-tone storage tube designed according to the invention, hereinafter also referred to as a flood jet generator, a sound storage tube is written on the memory with a beam, which is used to generate a large amount of relatively low energy, so flood electrons predominate. The secondary emission in the electron beam generated by the bombardment-induced conductors 14 and 15 is sharply focused when the storage surface is charged. With the beam, of course, a magnetically bundled beam of low energy can be stored and deflected. In this case one will be generated in the picture. If, on the other hand, separate necks are to be provided for the storage areas,
surface directed an electron beam of high energy, on the inside of the end face 12 opposite, the bombardment-induced conductivity predominates. 55 The three electron guns 14, 15 and 20 are thereby arranged by the electron bombardment a screen 22, which consists of a lumines-hit parts of the storage area in the reverse decorative phosphor layer 23 with a thin sense electrically charged as by the secondary aluminum film 24. Adjacent to the image emission. By utilizing the phenomenon of the screen 22, there is an image memory in the form of a bombardment-induced conductivity, it is therefore possible to create 60 memory grids 25 and, in turn, a collecting grid 26 determined adjacent to this by means of the beam of high energy. The grids 25 and 26 have selected image parts delete, but others exist too spatially the same extent as the screen 22. leave. Because the negative charge that is on the Fig. 2 and 3 show the structure of the accumulator-bombardment-induced conductivity, which removes the grid 25, greatly enlarged, and in perspective, both positive charging through the secondary emission. 65 as in cross section. The grid consists of a nickel part made by the high energy beam, produced by an electrical process, disappears, while the non-meshed parts of the image with four to sixteen meshes per part remain unaffected. Another meter, with ten meshes per millimeter one

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bevorzugten Wert darstellen. Die Stärke des Netzes liegt ein Potentiometer 37, dessen verstellbarer Abliegt in der Größenordnung von 0,025 bis 0,05 mm griff 38 an das Nickelnetz 28 des Speichergitters 25 und seine Durchsichtigkeit in der Größenordnung angeschlossen ist und auf die verlangte Spannung von 40%. Das Nickelnetz 28 trägt auf der Seite, die eingestellt wird. Die ringförmige Elektrode 33 liegt dem Schreibstrahlerzeuger 14, dem Löschstrahlerzeu- 5 auf einem Potential in der Größenordnung von ger 15 und dem Flutstrahlerzeuger 20 gegenüberliegt, 20 Volt positiv gegen Erde und ist zu diesem Zweck eine dünne Schicht 29 aus einem Isolierstoff, der an einen Punkt der Batterie 36 angeschlossen, der fähig ist, Sekundärelektronen mit einem Emissions- zwischen deren äußeren Enden liegt,
verhältnis größer als 1 zu emittieren, und die Eigen- Bereiche gleichen Potentials werden innerhalb des schaft hat, unter Beschüß mit Elektronen von üb- io Halses 13 und zwischen der Ringelektrode 33 und lichem Energiebereich leitend zu werden. Die Schicht den drei Elektronenstrahlerzeugern 14, 15 und 20 29 besteht aus Zinksulfid von kubischer Struktur, aufrechterhalten. Dazu dienen leitende Schichten 40 also aus Zinkblende, bedeckt die Maschen des Nickel- und 41, die innen auf die Wandung des Halses 13 netzes und hat eine Dicke in der Größenordnung von und der zylindrischen Kammer 11 aufgebracht sind. 0,65 Mikrometer. Zum Aufbringen dieser Schicht 15 Dabei erstreckt sich der Überzug 40 in Längsrichtung kann man sich einer Aufdampfmethode bedienen. mindestens so weit, wie den Elektronenstrahlerzeugern Die Zinkblende kann auf dem Nickelschirm 28, der 14 und 15 entspricht. Im Betrieb wird der Überzug die leitende Grundschicht des Speichergitters dar- 40 auf einem Potential in der Größenordnung von stellt, aus einer anderen Form von Zinksulfid herge- 100 Volt positiv gegen Erde gehalten. Er ist zu diestellt werden, beispielsweise aus amorphem Zinksulfid 20 sem Zweck an die positive Klemme einer Batterie 42 oder einem Zinksulfid von hexagonaler Struktur angeschlossen, deren negative Klemme geerdet ist. (Wurtzit), indem man dieses, während es sich auf Der leitende Überzug 41 liegt dagegen auf einem dem Nickelnetz 28 befindet, auf eine Temperatur Potential der Größenordnung von 5 Volt positiv zwischen 200 und 300° C bringt. Zinkblende ku- gegen Erde und ist zu diesem Zweck mit einer gebischer Struktur kann zwar auch dadurch erhalten 25 eignet gewählten Anzapfung der Batterie 42 verwerden, daß man Zinksulfid auf das Nickelnetz 28 bunden.represent preferred value. The strength of the network is a potentiometer 37, the adjustable distance of which is of the order of 0.025-0.05 mm, 38 is connected to the nickel network 28 of the storage grid 25 and its transparency in the order of magnitude and to the required voltage of 40%. The nickel mesh 28 carries on the side that is being adjusted. The ring-shaped electrode 33 is the write beam generator 14, the Löschstrahlerzeu- 5 at a potential in the order of magnitude of ger 15 and the flood jet generator 20 opposite, 20 volts positive to earth and is for this purpose a thin layer 29 of an insulating material, which is at a point connected to the battery 36 which is capable of emitting secondary electrons with an emission between their outer ends,
to emit ratio greater than 1, and the proper areas of the same potential within the shaft has to become conductive under bombardment with electrons from the neck 13 and between the ring electrode 33 and the light energy area. The layer of the three electron guns 14, 15 and 20 29 consists of zinc sulfide of cubic structure, maintained. For this purpose, conductive layers 40, made of zinc blende, cover the meshes of the nickel and 41, which are internally applied to the wall of the neck 13 and have a thickness of the order of magnitude of and the cylindrical chamber 11. 0.65 microns. To apply this layer 15, the coating 40 extends in the longitudinal direction, a vapor deposition method can be used. at least as far as the electron guns. The zinc screen can be on the nickel screen 28, which corresponds to 14 and 15. In operation, the coating is the conductive base layer of the storage grid at a potential in the order of magnitude, made from another form of zinc sulfide, held 100 volts positive to earth. It is to be connected, for example, from amorphous zinc sulfide 20 sem purpose to the positive terminal of a battery 42 or a zinc sulfide of hexagonal structure, the negative terminal of which is earthed. (Wurtzit) by bringing it to a temperature potential of the order of magnitude of 5 volts positive between 200 and 300 ° C. Zinc blende ku- against earth and is for this purpose with a certain structure can also be obtained by using a suitable tapping of the battery 42 that zinc sulfide is bound to the nickel network 28.

aufdampft und das ganze Speichergitter 25 dann für Der Schreibstrahlerzeuger 14 besteht aus einer die Dauer von mindestens 2 Tagen im Dunkeln ver- Kathode 46 und einem Wehneltzylinder 47. Die Kawahrt. Eine dritte Methode besteht darin, Zinksulfid thode 46 wird auf einem Potential in der Größenauf dem Nickelnetz 28 niederzuschlagen und dann 30 Ordnung von 2000 Volt negativ gegen Erde gehalten bei einer Temperatur von mindestens 500° C in einer und ist zu diesem Zweck an die negative Klemme Schwefelwasserstoffatmosphäre zu tempern. Um die einer Batterie 48 angeschlossen, deren positive Fähigkeit des Speichergitters, Sekundärelektronen zu Klemme geerdet ist. Der Wehneltzylinder 47 des emittieren, zu verstärken, kann ein dünner Film 30 Elektronenstrahlerzeugers 14 liegt auf einem Ruheaus Magnesiumfluorid von einer Stärke in der Größen- 35 potential in der Größenordnung von 75 Volt negativ Ordnung von 500 A auf die Zinksulfidschicht 29 auf- gegen das Potential der Kathode 46. Er ist zu diesem gedampft werden. Es empfiehlt sich, mit der Stärke Zweck über einen Lastwiderstand 50 an eine entdes Magnesiumfluoridfilms so weit herunterzugehen, sprechend gelegte Anzapfung der Batterie 48 angedaß die ausgeprägte Fähigkeit des Magnesiumfluorids, schlossen. Zur Modulierung der Intensität des von Sekundärelektronen zu emittieren, erhalten bleibt, 40 dem Schreibstrahlerzeuger 14 erzeugten Schreibder Film aber zugleich einen Elektronenstrahl hoher Strahles dient eine Verbindung zwischen einer AnEnergie bis auf die Zinksulfidschicht 29 hindurch- schlußklemme 53 über einen Kondensator 54 und läßt, um darin Elektronen bis auf das Maß anzuregen, über den Lastwiderstand 50 zum Wehneltzylinder 47 bei dem Leitfähigkeit eintritt. Für beide Schichten des Schreibstrahlerzeugers 14. Der Schreibstrahl tastet kann die Schichtdicke mittels eines Interferometers 45 das Speichergitter 25 in der jeweils gewünschten bestimmt werden. Weise ab und wird durch horizontale und vertikale Das Sammelgitter 26 besteht aus einem leitenden Ablenkspannungen entsprechend gesteuert. Zur ErNetz, dessen Durchsichtigkeit zweckmäßig in der zeugung dieser Spannungen dienen Generatoren 56 Größenordnung von 80 % liegt. Dieses Netz wird und 58. Die horizontalen Abieriksignale werden über an seinem Rand mittels eines Ringes 32 gehalten. 50 geeignete Verbindungen auf die horizontalen Ablenk-Neben dem Ring 32 des Sammelgitters 26 ist eine platten 16 gegeben. Entsprechend sind die vertikalen ringförmige Elektrode 33 angeordnet, die sich von Ablenkplatten 17 durch geeignete Verbindungen an ihrer Stirnfläche in Richtung zu den Elektronen- den Generator 58 angeschlossen. Die horizontalen Strahlerzeugern über eine Strecke von mehreren und vertikalen Ablenkplatten 16 und 17 werden auf Zentimetern erstreckt, wobei das genaue Maß von 55 einem Ruhepotential in der Größenordnung von der Größe der Röhre abhängt. Im Betrieb wird der 100 Volt gegen Erde, also auf dem gleichen Poten-Bildschirm 22 auf einem Potential der Größenord- tial wie der leitende Überzug 40 gehalten,
nung von 6000 Volt positiv gegen Erde gehalten, und Ähnlich wie der Schreibstrahlerzeuger 14 besteht zwar durch eine Verbindung, die von dem Aluminium- der Löschstrahlerzeuger 15 aus einer Kathode 66 und film 24 zur positiven Klemme einer Batterie 34 führt, 60 einem Wehneltzylinder 67. Die Kathode 66 wird auf deren negative Klemme geerdet ist. Das Nickelnetz einem Potential in der Größenordnung von 7000 Volt 28 des Speichergitters 25 und das Sammelgitter 26 negativ gegen Erde gehalten, und zwar mittels eines werden auf Potentialen von 9 Volt negativ bzw. Anschlusses an die negative Klemme einer Batterie 120 Volt positiv gegen Erde gehalten. Zu diesem 68, deren positive Klemme über einen Schalter 69 Zweck ist der Haltering 32 des Sammelgitters 26 an 65 mit der negativen Klemme einer Batterie 70 mit gedie positive Klemme einer Batterie 36 angeschlossen, erdeter positiver Klemme verbunden ist. Dies gilt, die in einem zwischen ihren äußeren Klemmen wenn sich der Schalter 69 in der gezeichneten Stelliegenden Punkt geerdet ist. Parallel zur Batterie 36 lung befindet. Er kann statt dessen in eine Stellungvapor-deposited and the entire storage grid 25 then for The writing beam generator 14 consists of a cathode 46 and a Wehnelt cylinder 47 for a period of at least 2 days in the dark. A third method is to deposit zinc sulfide method 46 to a potential of the order of magnitude on the nickel mesh 28 and then held 30 order of 2000 volts negative to earth at a temperature of at least 500 ° C in a and for this purpose is to the negative terminal To temper hydrogen sulfide atmosphere. Connected to a battery 48 whose positive ability of the storage grid, secondary electrons, is grounded to terminal. The Wehnelt cylinder 47 can emit, amplify, a thin film 30 electron gun 14 lies on a resting place of magnesium fluoride of a strength in the order of magnitude of 75 volts negative order of 500 A on the zinc sulfide layer 29 against the potential the cathode 46. He is to be vaporized on this. It is advisable to go down with the strength purpose via a load resistor 50 to an end of the magnesium fluoride film so far that the tapping of the battery 48 is connected to the fact that the pronounced ability of the magnesium fluoride is closed. To modulate the intensity of the emitting of secondary electrons, 40 the writing beam generator 14 is retained, but at the same time a high-beam electron beam, a connection between an energy through to the zinc sulfide layer 29 through-connecting terminal 53 via a capacitor 54 and leaves to it To excite electrons to the extent that the load resistance 50 to the Wehnelt cylinder 47 leads to the conductivity. For both layers of the write beam generator 14. The write beam scans the layer thickness by means of an interferometer 45 and the storage grid 25 can be determined in the desired manner. Way off and is controlled by horizontal and vertical The collecting grid 26 consists of a conductive deflection voltages accordingly. Generators 56 of the order of 80% are used for ErNetz, whose transparency is expediently used in generating these voltages. This network becomes and 58. The horizontal Abierik signals are held over at its edge by means of a ring 32. 50 suitable connections to the horizontal deflection-In addition to the ring 32 of the collecting grid 26, a plate 16 is given. The vertical ring-shaped electrodes 33 are arranged correspondingly, which are connected by deflecting plates 17 by suitable connections on their end face in the direction of the electron generator 58. The horizontal beam generators over a distance of multiple and vertical baffles 16 and 17 are extended to centimeters, the exact extent of 55 a rest potential of the order of magnitude depending on the size of the tube. During operation, the 100 volt to earth, that is to say on the same potential screen 22, is kept at a potential of the order of magnitude as the conductive coating 40,
voltage of 6000 volts held positive to earth, and similar to the writing beam generator 14 is indeed through a connection that leads from the aluminum of the erasing beam generator 15 from a cathode 66 and film 24 to the positive terminal of a battery 34, 60 a Wehnelt cylinder 67. The Cathode 66 is grounded to its negative terminal. The nickel network has a potential of the order of magnitude of 7000 volts 28 of the storage grid 25 and the collecting grid 26 is held negative to earth, namely by means of a potential of 9 volts negative or connection to the negative terminal of a battery 120 volts positive to earth. For this purpose 68, the positive terminal of which is connected via a switch 69, the retaining ring 32 of the collecting grid 26 is connected to 65 with the negative terminal of a battery 70 with the positive terminal of a battery 36 being connected to the positive terminal grounded. This is true in a point between its outer terminals when the switch 69 is grounded in the position shown. Parallel to the battery 36 is located. Instead, he can take a position

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gebracht werden, in der die positive Klemme der 2 kV mit einer Geschwindigkeit von etwa 25 000 Volt Batterie 68 unmittelbar geerdet wird. Damit wird cm/Sek. auf das Speichergitter 25 zu schreiben verdie Batterie 70 überbrückt und die Kathode 66 auf mag. Eine Erhöhung des Energieniveaus des Strahles ein Potential von 4000 Volt negativ gegen Erde ge- bewirkt eine Verminderung in der möglichen Schreiblegt. In diesem Fall schreibt der Elektronenstrahl- 5 geschwindigkeit, bis bei einer Energie von annähernd erzeuger 15 direkt auf den Bildschirm 22, ohne eine 4,4 kV die Schreibgeschwindigkeit praktisch auf Null Wirkung auf die Ladungsverteilung auf dem Speicher- fällt. Eine weitere Erhöhung des Energieniveaus des gitter 25 zu haben. Ebenso wie der Schreibstrahl wird Strahles hat dann zur Folge, daß der Strahl die der in dem Löschstrahlerzeuger 15 erzeugte Lösch- Speicherfläche zu entladen beginnt, wobei bei einer strahl so gesteuert, daß er das Speichergitter 25 in io Energie von annähernd 7 kV die Löschung oder Entder jeweils gewünschten Weise abtastet. Die dazu ladung der Speicherfläche mit einer Geschwindigkeit nötigen horizontalen und vertikalen Ablenkspannun- geschieht, die einer negativen Schreibgeschwindigkeit gen werden von Generatoren 74 und 76 erzeugt. Diese von 20 000 Volt cm/Sek. entspricht.
Generatoren sind durch geeignete Leitungen an die Die gestrichelte Linie 96 stellt die Schreib- und horizontalen und vertikalen Ablenkplatten 18, 19 an- 15 Löschkennlinie für den Fall dar, daß der Speicher geschlossen. Die horizontalen und vertikalen Ablenk- aus einer auf dem Nickelsieb 28 in einer Stärke von platten 18, 19 werden überdies auf einem Ruhepoten- 0,65 Mikrometer gleichförmig aufgetragenen Schicht tial in der Größenordnung von 100 Volt positiv aus Zinksulfid mit einer darüberliegenden, äußerst gegen Erde gehalten. dünnen Schicht 30 aus Magnesiumfluorid besteht,in which the positive terminal of the 2 kV at a rate of about 25,000 volts battery 68 is directly grounded. This means that cm / sec. To write on the storage grid 25, the battery 70 is bridged and the cathode 66 on mag. An increase in the energy level of the beam, a potential of 4000 volts negative to earth, causes a reduction in the possible write load. In this case the electron beam speed writes until at an energy of approximately generator 15 directly on the screen 22, without a 4.4 kV the writing speed practically drops to zero effect on the charge distribution on the memory. To have another increase in the energy level of the grid 25. Just like the write beam, the beam then has the consequence that the beam begins to discharge the erasing memory area generated in the erasing beam generator 15, with one beam being controlled so that it erases or erases the memory grid 25 in energy of approximately 7 kV Scanned in any desired manner. The horizontal and vertical deflection voltages required for this purpose are charged to the storage area at a speed, while the generators 74 and 76 generate the negative writing speed. This of 20,000 volts cm / sec. is equivalent to.
Generators are connected by suitable lines to the The dashed line 96 represents the writing and horizontal and vertical deflection plates 18, 19 to 15 erase characteristic in the event that the memory is closed. The horizontal and vertical deflectors from a plate 18, 19 thickness on the nickel screen 28 are also applied uniformly on a resting potential of 0.65 micrometers tial in the order of 100 volts positive of zinc sulfide with an overlying, extremely to earth held. thin layer 30 made of magnesium fluoride,

Der Elektronenstrahlerzeuger 20, der die Flut- 20 und zwar in einer Stärke von etwa 500A. Wie erelektronen erzeugt, ist so gestaltet, daß er wie eine wähnt, gelten die Kennlinien 94 und 96 für einen punktförmige Lichtquelle wirkt. Er liegt auf der durchschnittlichen negativen Spannungsabfall quer Längsachse der zylindrischen Kammer 11 des Ge- durch die dielektrischen Schichten 29 und 30 hinhäuses 10 nahe deren linkem Ende, gesehen in durch, der in der Größe von etwa 7 Volt liegt.
Fig. 1. Er besteht aus einer Kathode80 und einem 25 In Fig. 5 ist die Schreib- und Löschgeschwindig-Wehneltzylinder 81, der die Kathode 80 umschließt keit des Schreibstrahles und des Löschstrahles für und eine kleine kreisförmige öffnung 82 hat, die verschiedene Potentialunterschiede, gemessen quer gegenüber der Mitte der Kathode 80 angeordnet ist. über die dielektrische Schicht 29 des Speichergitters Einen Bestandteil des Elektronenstrahlerzeugers 20 25 eines Gerätes nach Fig. 1, aufgetragen. Die Potenbildet ferner eine Ringelektrode 84, die benachbart 30 tialunterschiede bilden mithin in F i g. 5 die Abszissen zur Randzone des Wehneltzylinders 81 und konzen- und die Schreibgeschwindigkeiten die Ordinaten, wotrisch zur öffnung 82 angeordnet ist. Die Kathode 80 bei natürlich wiederum eine negative Schreibgeschwindes Flutstrahlerzeugers 20 ist geerdet. Der Wehnelt- digkeit bedeutet, daß die Speicherfläche entladen zylinder 81 und die Ringelektrode 84 werden auf wird. Linie 98 stellt die Schreibgeschwindigkeit des Potentialen in der Größenordnung von 20 Volt nega- 35 von dem Schreibstrahlerzeuger 14 erzeugten Elektiv gegen Erde bzw. 100 Volt positiv gegen Erde tronenstrahles dar, wenn der Strom im Strahl gehalten. Dazu dienen Anschlüsse an verstellbare 30 Mikroampere, der Durchmesser des von ihm auf Abgriffe 87 und 88 eines Potentiometers 90. Das der Speicherfläche erzeugten Flecks 0,5 mm und das Potentiometer 90 ist mit den äußeren Klemmen einer Energieniveau 2 kV beträgt. Die Linie 100 stellt da-Batterie 92 verbunden, die mit einem zwischen diesen 40 gegen die Schreib-Lösch-Kennlinie des Löschstrahles Klemmen liegenden Punkt geerdet ist. dar, der in dem Elektronenstrahlerzeuger 15 erzeugtThe electron gun 20, the flood 20 and that in a strength of about 500A. How electrons are generated is designed in such a way that he imagines that the characteristic curves 94 and 96 apply to a point-like light source. It lies on the average negative voltage drop across the longitudinal axis of the cylindrical chamber 11 of the housing 10 through the dielectric layers 29 and 30 near the left end thereof, as seen in FIG.
Fig. 1. It consists of a cathode 80 and a 25. measured across the center of the cathode 80 is arranged. A component of the electron beam generator 20 25 of a device according to FIG. 1 is applied via the dielectric layer 29 of the storage grid. The potential also forms a ring electrode 84, the adjacent 30 tial differences thus form in FIG. 5 shows the abscissas to the edge zone of the Wehnelt cylinder 81 and concentrates and the writing speeds the ordinates, which is arranged literally to the opening 82. The cathode 80 at, of course, again a negative write speed of the flood jet generator 20 is grounded. Wehneltness means that the storage area is discharged, cylinder 81 and the ring electrode 84 is opened. Line 98 represents the writing speed of the potential in the order of magnitude of 20 volts negative 35 elective generated by the writing jet generator 14 to earth or 100 volts positive to earth tronenstrahles when the current is held in the beam. Connections to adjustable 30 microamps are used for this purpose, the diameter of the taps 87 and 88 of a potentiometer 90. The spot created in the storage area is 0.5 mm and the potentiometer 90 has an energy level of 2 kV with the outer terminals. Line 100 is connected to battery 92, which is grounded to a point between these 40 clamped against the write-erase characteristic of the erasing beam. which is generated in the electron gun 15

Bevor auf die Wirkungsweise des Gerätes einge- wird, und zwar mit einem Energieniveau von 7 kV. gangen wird, seien einige Erläuterungen in Verbin- Dabei ist auch hier der Fleck auf dem Speichergitter dung mit F i g. 4 bis 7, insbesondere F i g. 4 gegeben, 25 0,5 mm groß und der Strom im Strahl gleich die die Schreib- und Löschcharakteristiken eines 45 30 Mikroampere. Für die Linie 100 ergibt sich mit-Bildspeichers der beschriebenen Art enthält, und hin, daß, wenn der Potentialabfall quer über das zwar für einen Elektronenstrahl, der einen Fleck Dielektrikum des Speichergitters negativer wird als von 0,5 mm Durchmesser auf einem Schirm erzeugen —3,6 Volt, der Löschstrahl die Speicherfläche entwürde. Unter der Annahme eines konstanten Elek- lädt. Der Punkt, an dem der Löschstrahl die Ladung tronenstrahlstromes vom 30 Mikroampere ist in 50 null auf der Speicherfläche erzeugt, ist von Bedeutung F i g. 4 die Schreibgeschwindigkeit cm · Volt/Sek. über für die Bestimmung der Betriebspotentiale der Röhre, dem Energieniveau in Kilovolt aufgetragen. Ist einer wie sich aus dem weiteren ergeben wird. Um schließbestimmten Energie eine positive Schreibgeschwin- Hch die Lösch- und Schreibstrahlen der Elektronendigkeit zugeordnet, so bedeutet dies, daß bei dieser strahlerzeuger 14 und 15 von denen der üblichen Energie die Speicherfläche des Speichergitters 25 ge- 55 Halbton-Speicherröhren zu unterscheiden, ist in laden wird, während eine negative Schreibgeschwin- Fig. 5 mittels der Linie 102 noch die Schreibdigkeit anzeigt, daß die Speicherfläche des Gitters 25 geschwindigkeit eines 5-kV-Strahles einer üblichen durch den Strahl entladen, ein Ladungselement, das Halbton-Speicherröhre eingetragen worden. Wie die einem Bildelement entspricht, also gelöscht wird. Die Zeichnung zeigt, ist die Schreibgeschwindigkeit dieses beiden gezeichneten Kennlinien wurden bei einem 60 5-kV-Strahles vollständig unabhängig vom Potentialmittleren Potentialabfall von —7 Volt quer über die abfall quer durch die Speicherschicht und bewegt sich Speicherschicht 29 aufgenommen. Die voll ausge- konstant auf dem normalen Geschwindigkeitswert zogene Linie 94 ist einem Speicher 25 zugeordnet, von 190 000 Volt cm/Sek., woraus geschlossen werder nur eine Schicht 29 aus Zinksulfid aufweist, die den kann, daß bei diesen Röhren dem Dielektrikum gleichförmig über das Nickelnetz 28 in der oben an- 65 keine durch Beschüß induzierte Leitfähigkeit erteilt gegebenen Weise verteilt ist, und zwar mit einer wird. Dies bedeutet, daß das Schreiben ausschließlich Stärke von 0,65 Mikrometer. Die Kurve zeigt, daß durch Sekundärelektronenemission bewirkt wird,
ein Elektronenstrahl von einer Energie von annähernd In F i g. 6 sind die Helligkeits-Übertragungseigen-Before the mode of operation of the device is discussed, with an energy level of 7 kV. A few explanations are in connection. Here, too, the spot on the storage grid is marked with FIG. 4 to 7, in particular FIG. 4, 25 0.5 mm in size and the current in the beam equals the write and erase characteristics of a 45 30 microampere. For the line 100 it results with the image memory of the type described, and that if the potential drop across the, although for an electron beam, a spot of dielectric of the storage grid is more negative than 0.5 mm in diameter on a screen - 3.6 volts, the extinguishing beam would design the storage area. Assuming a constant elec- tric charge. The point at which the extinguishing beam generates the charge electron beam current of 30 microampere is 50 zero on the storage area, is of importance F i g. 4 the writing speed cm · volts / sec. plotted over for the determination of the operating potentials of the tube, the energy level in kilovolts. Is one as will emerge from the other. In order to achieve a positive writing speed for certain energy, the erasing and writing beams are assigned to the electron end, this means that in these beam generators 14 and 15 the storage area of the storage grid 25 must be distinguished from those of the usual energy is, while a negative writing speed. Fig. 5 by means of the line 102 still indicates the writing, that the storage surface of the grid 25 speed of a 5 kV beam of a conventional discharged through the beam, a charge element, the halftone storage tube has been entered. How that corresponds to a picture element, i.e. is deleted. The drawing shows that the writing speed of these two characteristic curves were recorded for a 60 5 kV beam, completely independent of the potential mean potential drop of -7 volts across the drop across the storage layer and the storage layer 29 moves. The line 94, which is drawn in full constant at the normal speed value, is assigned to a memory 25, of 190,000 volts cm / sec., From which it is concluded that only a layer 29 of zinc sulfide has, which can ensure that the dielectric is uniformly overlaid in these tubes the nickel mesh 28 is distributed in the manner not given above 65 given by bombardment-induced conductivity, namely with a will. This means that the writing is only 0.65 micrometers thick. The curve shows that secondary electron emission causes
an electron beam with an energy of approximately In FIG. 6 are the brightness transmission properties

schäften der Röhre für verschiedene am Nickelnetz 28 des Speichergitters 25 liegende Potentiale veranschaulicht, und zwar für den Fall, daß keine Schicht 30 aus Magnesiumfluorid verwendet wird. Auf- der waagerechten Achse ist das Speicherflächenpotential, bezogen auf das Potential der Kathode 80 des Flutstrahlerzeugers, aufgetragen, während als Ordinaten die relativen.Helligkeiten in Prozent erscheinen. Es liegt auf der. Hand; daß jedes Potential auf der Speicherfläche des Gitters 25, das in bezug auf das ip Potential der Kathode 80 : des Flutstrahlerzeügers positiv ist, alsbald durch die Wirkung der vom Elektronenstrahlerzeuger 20 erzeugten Flutelektronen auf das Potential der Kathode 80, also auf 0 Volt entladen wird. Die Kurven 104, 105 und 106 in Fig. 6 veranschaulichen die ' Helligkeitsübertragung für Potentiale von +5,. —9 und —10 Volt am Nickelnetz 28. Die Kennlinie 104, die dem Potential von +5 Volt am Netz 28 entspricht, ergibt eine relative Helligkeit vom Betrage Null, wenn das Potential der Speicherfläche —6 Volt beträgt. Entsprechend ergeben die Kennlinien 105 und 106, denen Potentiale von —9 und —10 Volt am Netz 28 zugeordnet sind, eine relative Helligkeit vom Werte Null bei Potentialen von —4 und —3 Volt auf der Speicherfläche. Von den drei Kennlinien 104, 105 und 106 paßt die Kennlinie 105 am besten zu den übrigen Kennlinien, die in F i g. 4 und 5 wiedergegeben sind, um die Speicherröhre nach F i g. 1 so zu betreiben, daß sie die verlangten Halbtöne des Bildes erzeugen. Die 3,0 folgenden Darlegungen werden dies zeigen.shafts of the tube for various potentials lying on the nickel network 28 of the storage grid 25, in the event that no layer 30 made of magnesium fluoride is used. On the the horizontal axis is the storage area potential, based on the potential of the cathode 80 of the flood jet generator, plotted, while the relative brightnesses in percent appear as ordinates. It lies on the. Hand; that any potential on the Storage area of the grid 25, which with respect to the ip The potential of the cathode 80: of the flood gun is positive, soon as a result of the action of the electron gun 20 generated flood electrons to the potential of the cathode 80, i.e. discharged to 0 volts will. Curves 104, 105 and 106 in FIG. 6 illustrate the brightness transfer for Potentials of +5. -9 and -10 volts on the nickel network 28. The characteristic curve 104, which corresponds to the potential of +5 volts at the network 28, results in a relative one Brightness of the magnitude zero when the potential of the storage area is -6 volts. Surrender accordingly the characteristic curves 105 and 106, to which potentials of -9 and -10 volts on the network 28 are assigned, a relative brightness of the value zero at potentials of -4 and -3 volts on the storage area. Of the three curves 104, 105 and 106, curve 105 fits best with the other curves, the in F i g. 4 and 5 are reproduced to illustrate the storage tube of FIG. 1 operate so that they generate the required halftones of the image. The 3.0 The following statements will show this.

F i g. 7 stellt ein Potentialdiagramm des Speichergitters 25 dar, wobei die Potentiale auf die Kathode 80 des Flutstrahlerzeugers bezogen sind. Das Diagramm ist der Kurve 105 in F i g. 6 zugeordnet. Dieser Kurve entsprechend liegt mithin ein Potential von —9 Volt am Nickelnetz 28 des Speichergitters 25. Positive Potentiale auf der Speicherfläche bleiben außer acht, da bei ihrem Auftreten die aus dem Flutstrahlerzeuger 20 geschossenen Flutelektronen sofort beginnen, sie zu entladen. Wie an Hand von F i g. 6 und der Kennlinie 105 erläutert wurde, liegt der Halbtonbereich zwischen —4 und 0 Volt Potential auf der Speicherfläche, wobei —4 Volt der Helligkeit Null und 0 Volt der maximalen Helligkeit entspricht. Diesem Halbtonbereich entspricht die schraffierte Fläche 110 in Fig. 7. Wird die Röhre eingeschaltet, so nimmt die Speicherfläche 25 ein Anfangspotential von —9 Volt gegen Erde an. Dieses Potential entspricht einem Potentialabfall quer durch die Speicherschacht 29 des Gitters 25 von 0 Volt. Die Speicherfläche kann nunmehr in positiver Richtung entweder durch den Schreibstrahl oder durch den Löschstrahl geladen werden. Wird die Fläche in positiver Richtung geladen, so nimmt der Potentialabfall quer über die Speicherschicht 29 in negativer Richtung zu. Wird mit dem Löschstrahl gearbeitet, so ergibt die Kennlinie 100 in Fig. 5*-' daß die Schreibgeschwindigkeit auf Null vermindert wird, wenn das Potential der Speicherfläche, bezogen auf das Potential der Kathode 80, —5,4 Volt erreicht. Für die oben angegebenen Arbeitsgrößen hat ein mit einer Energie von 7 kV betriebener Löschstrahl einen »stabilen Punkt«, nämlich bei —5,4 Volt gegen Erde. Dies kann an Hand der Kennlinie 100 auch aus der Wirkungsweise des Löschstrahles erklärt werden. Nimmt man zunächst an, daß die Speicherfläche zunächst auf einem Potential liegt, das positiver ist als i—5,4 Volt, liegt dieses Potential also inFig. 7 rechts der dem Potential; von —5,4 Volt zugeordneten Vertikalen, dann ist der Unterschied der Potentiale beiderseits des Dielektrikums 29 negativer als — 3,6 Volt. Mithin wird, wie sich aus der Kennlinie .100 ergibt, die Speicherfläche durch den Löschstrahl entladen. Ist jedoch das Potential auf der Speicherfläche negativer als —5,4 Volt, dann ist der Potentialuntersehied zwischen den beiden Seiten des Dielektrikums 29 positiver als —3,6 Volt. Somit wird die Speicherfläche, wie die Kennlinie 100 in Fig. 5 ergibt, in positiver'_: Richtung geladen. Aus alledem folgt, daß die Speicherfläche selektiv auf ein Potential gelöscht wird, das innerhalb eines Bruchteiles eines Volts über den ganzen Bereich der Fläche den gleichen Wert hat Eine Theorie zur Erklärung dieses Phänomens besagt, daß der Löschstrahl die Speicherfläche durch Sekundärelektronenernission auflädt und gleichzeitig mittels durch Beschüß induzierter Leitr fähigkeit entlädt. Di^e Speicherfläche muß also notwendigerweise ein Sekundärelektronenemissionsver_r hältnis haben, das größer als Eins ist, und ferner die Eigenschaft besitzen, durch Beschüß von Elektronen, deren Energie im Bereich dessen liegt, was in Braunschen Röhren üblich und realisierbar ist, leitfähig zu werden. Soweit, die Elektronen auf die Speicherfläche entladend wirken, treffen sie mithin mit einer Energie auf, die genügend groß ist, um zahlreiche Elektronen des Dielektrikums auf das Energieniveau anzuheben, bei dem Leitfähigkeit eintritt. Dadurch werden eine entsprechende Zahl von »Löchern« erzeugt, die beim Vorhandensein eines negativen Potentialgradienten vom Netz 28 des Speichergitters 25 angezogen werden. Je ausgeprägter dieser negative Gradient ist, um so mehr »Löcher«, zieht er an und um so schneller entlädt er mithin die Speicherfläche in negativer Richtung. Eine Entladung in negativer Richtung setzt den Gradienten und damit auch die Geschwindigkeit herunter, mit der die Speicherfläche als Folge der durch Beschüß induzierten Leitfähigkeit entladen wird. Unter den oben angegebenen numerischen Bedingungen ist der gesamte Ladungseffekt gleich Null, die Ladung durch Sekundärelektronenemission also gleich der Entladung, die als Folge der durch Be_r schuß induzierten Leitfähigkeit eintritt, wenn der Potentialabfall quer durch die Schicht 29 des Spei_r chergitters 25 gleich —3,6 Volt ist, gerechnet von der freiliegenden, dem Beschüß ausgesetzten Fläche der Schicht 29 zum Nickelnetz 28.F i g. 7 shows a potential diagram of the storage grid 25, the potentials being related to the cathode 80 of the flood jet generator. The diagram is the curve 105 in FIG. 6 assigned. Corresponding to this curve, there is a potential of −9 volts at the nickel network 28 of the storage grid 25. Positive potentials on the storage surface are ignored, since the flood electrons fired from the flood jet generator 20 immediately begin to discharge them when they occur. As shown in FIG. 6 and the characteristic curve 105, the semitone range lies between -4 and 0 volts potential on the storage area, with -4 volts corresponding to zero brightness and 0 volts corresponding to maximum brightness. The hatched area 110 in FIG. 7 corresponds to this semitone area. When the tube is switched on, the storage area 25 assumes an initial potential of −9 volts to earth. This potential corresponds to a potential drop across the storage compartment 29 of the grid 25 of 0 volts. The storage area can now be charged in the positive direction either by the writing beam or by the erasing beam. If the surface is charged in the positive direction, the potential drop across the storage layer 29 increases in the negative direction. If the erasing beam is used, the characteristic curve 100 in FIG. 5 * - 'shows that the writing speed is reduced to zero when the potential of the storage area, in relation to the potential of the cathode 80, reaches -5.4 volts. For the working quantities given above, an extinguishing beam operated with an energy of 7 kV has a "stable point", namely at -5.4 volts to earth. This can also be explained on the basis of the characteristic curve 100 from the mode of action of the extinguishing jet. If one initially assumes that the storage area is initially at a potential which is more positive than i-5.4 volts, this potential is therefore in FIG. 7 to the right of the potential; of -5.4 volts associated vertical, then the difference in the potentials on both sides of the dielectric 29 is more negative than -3.6 volts. Thus, as can be seen from the characteristic curve .100, the storage area is discharged by the extinguishing beam. However, if the potential on the storage area is more negative than -5.4 volts, then the potential difference between the two sides of the dielectric 29 is more positive than -3.6 volts. . Thus, the memory area as the characteristic curve 100 in Figure 5 will result, in the positive _': Direction loaded. From all this it follows that the storage area is selectively erased to a potential which has the same value within a fraction of a volt over the entire area of the area Shelling induced conductivity discharges. Thus Di ^e memory area must necessarily Sekundärelektronenemissionsver _r ratio have, which is greater than one, and further the property is possessed by bombardment of electrons whose energy is in the range of what is common and can be realized in Braun tubes to be conductive. To the extent that the electrons have a discharging effect on the storage area, they therefore strike with an energy that is large enough to raise numerous electrons in the dielectric to the energy level at which conductivity occurs. This creates a corresponding number of “holes” which are attracted by the network 28 of the storage grid 25 when a negative potential gradient is present. The more pronounced this negative gradient, the more "holes" it attracts and the faster it discharges the storage area in a negative direction. A discharge in the negative direction reduces the gradient and thus also the speed with which the storage area is discharged as a result of the conductivity induced by bombardment. Among the above numerical conditions is the total charge effect equal to zero, the charge through secondary electron emission thus equal to the discharge which occurs as a result of _r by Be shot induced conductivity when the potential drop across the layer 29 of the SpeI _r chergitters 25 is equal to -3 .6 volts is calculated from the exposed surface of the layer 29 exposed to the bombardment to the nickel mesh 28.

Der von dem Löschstrählerzeuger 15 erzeugte Löschstrahl tastet-die Fläche des Speichergitters 25 ab und legt diese Fläche dadurch gleichförmig auf das Potential von ;-5,4 Volt, bezogen auf das Potential der Kathode 80 des Flutstrahlerzeügers. Die Speicherfläche wird dann in der üblichen Weise dadurch beschrieben, daß man sie von dem im Schreibstrahlerzeuger 14 erzeugten Schreibstrahl abtasten läßt, wobei die Generatoren 56 und 58 die horizontale und vertikale Ablenkspannung erzeugen. Die Intensität des Schreibstrahles kann so eingestellt werden, daß ein Reststrom, der dem Nullwert der Helligkeit des an der Eingangsklemme 53 liegenden Signals entspricht, zugleich einem Minimum des Stromes des Schreibstrahles entspricht, das genügt, um die Speicherfläche in positiver Richtung auf -4 Volt gegen Erde zu laden, während zugleich der maximale Strom des Schreibstrahles die Speicherfläche auf 0 Volt gegen Erde lädt, wie es der vollen Helligkeit ent-The extinguishing beam generated by the extinguishing beam generator 15 scans the surface of the storage grid 25 and thereby places this surface uniformly on the potential of; -5.4 volts, based on the potential the cathode 80 of the flood lamp generator. The storage area is then used in the usual way described that they are scanned by the write beam generated in the write beam generator 14 lets, with the generators 56 and 58 producing the horizontal and vertical deflection voltages. the The intensity of the write beam can be adjusted so that a residual current, which is the zero value of the brightness of the signal applied to the input terminal 53, at the same time a minimum of the current of the Corresponds to the write beam, which is sufficient to counter the storage area in the positive direction to -4 volts Earth to charge while at the same time the maximum current of the write beam reduces the storage area to 0 volts charges against earth, as it derives from the full brightness

009 516/106009 516/106

spricht. Das an die Eingangsklemme 53 gelegte Signal erzeugt auf diese Weise ein Ladungsbild, das innerhalb des gesamten Halbtonbereiches getönt sein kann. Die vom Flutstrahlerzeuger 20 geschossenen Flutelektronen dringen dann, wie sich aus der Übertragungskennlinie 105 in F i g. 6 ergibt, durch die Öffnungen im Bereich eines jeden Flächenelementes des Speichergitters 25 in einer Anzahl hindurch, die der auf dem Flächenelement befindlichen Ladung proportional ist, und gelangen auf den Bildschirm 22, wo sie eine sichtbare Abbildung des Ladungsbildes oder der Ladungsverteilung erzeugen. Das Ladungsbild wird von dem im Löschstrahlerzeuger 15 erzeugten Löschstrahl in der beschriebenen Weise selektiv gelöscht. Dabei können die zur Erzeugung der horizontalen und vertikalen Ablenkspannung dienenden Generatoren 74 und 76, durch deren Wirkung der Löschstrahl das Speichergitter 25 abtastet, mit den zur Erzeugung der horizontalen und vertikalen Ablenkspannung für den Schreibstrahl dienenden Gene- ao ratoren 56 und 58 synchronisiert werden, wenn dies erwünscht ist. Dies würde zur Folge haben, daß das auf dem Speichergitter 25 befindliche Ladungsbild gelöscht wird, unmittelbar bevor es durch den Schreibstrahl erneut beschrieben wird.speaks. In this way, the signal applied to the input terminal 53 generates a charge image which can be tinted within the entire halftone range. The flood electrons shot by the flood jet generator 20 then penetrate, as can be seen from the transfer characteristic curve 105 in FIG. 6 results, through the openings in the area of each surface element of the storage grid 25 in a number which is proportional to the charge on the surface element, and arrive at the screen 22, where they generate a visible image of the charge image or the charge distribution. The charge image is selectively erased in the manner described by the erasing beam generated in the erasing beam generator 15. The generators 74 and 76 serving to generate the horizontal and vertical deflection voltage, through whose action the erasing beam scans the storage grid 25 , can be synchronized with the generators 56 and 58 serving to generate the horizontal and vertical deflection voltage for the write beam, if this is desirable. This would have the consequence that the charge image located on the storage grid 25 is erased immediately before it is rewritten by the write beam.

Der in F i g. 1 dargestellte Schalter 69 kann mit dem Kontakt 71 verbunden werden, um den im Löschstrahlerzeuger 15 erzeugten Strahl in seiner Energie auf 4,4 kV herunterzusetzen. Bei diesem Energieniveau hat der Löschstrahl, wie sich aus der Kennlinie 94 in F i g. 4 ergibt, keine Wirkung auf das auf dem Speichergitter 25 befindliche Ladungsbild. Der Löschstrahl kann dann mittels eines an eine Klemme 112 gelegten Signals moduliert werden. Dieses Signal ist über einen Kondensator 113 und einen Lastwiderstand 114 an den Wehneltzylinder 67 des Löschstrahlerzeugers angekoppelt, und der so modulierte Strahl tastet den Bildschirm 22 ab, um dort ein kurzlebiges Bild zu erzeugen, ohne das Ladungsbild auf dem Speichergitter 25 zu beeinflüssen. The in F i g. The switch 69 shown in FIG. 1 can be connected to the contact 71 in order to reduce the energy of the beam generated in the extinguishing jet generator 15 to 4.4 kV. At this energy level, the extinguishing beam has, as can be seen from the characteristic curve 94 in FIG. 4 shows no effect on the charge image located on the storage grid 25. The extinguishing beam can then be modulated by means of a signal applied to a terminal 112. This signal is coupled to the Wehnelt cylinder 67 of the extinguishing jet generator via a capacitor 113 and a load resistor 114 , and the beam modulated in this way scans the screen 22 in order to generate a short-lived image there without influencing the charge image on the storage grid 25.

Die Erfindung sieht auch die Möglichkeit vor, mittels eines gänzlich unabhängigen Elektronen-Strahlerzeugersystems, das auf einem geeigneten Energieniveau gehalten wird, direkt auf den Bildschirm 22 zu schreiben, ohne das Ladungsbild auf dem Speicherschirm 25 zu beeinflussen.The invention also provides the possibility of using a completely independent electron beam generator system, which is maintained at an appropriate energy level to write directly on the screen 22 without the charge image the storage screen 25 to influence.

Claims

Patent claims:

1. Electron beam halftone storage tube with an image memory made of an electrically conductive Basis and this at least partially covering dielectric, the outer surface forms the storage area with a first electron gun, whose beam scans the storage area and on it a charge image corresponding to its respective intensity writes, wherein the dielectric consists of a substance that is within a first energy level range of the electron beam has a secondary electron emission ratio greater than 1 and within a second energy level range that overlaps the first range, has the property of becoming conductive under the effect of the bombardment of electrons, wherein the electron beam of the first electron gun further comprises the dielectric able to charge by means of secondary electron emission, whereby between the storage area and the conductive base creates a potential difference, and with a second electron gun, whose beam (erase beam) scans the image memory and induced the dielectric by means of bombardment Seeks to discharge conductivity to a reference potential, characterized in that the dielectric (29) consists of zinc sulfide with a cubic structure (zinc blende).

2. Tube according to claim 1, characterized in that the thickness of the dielectric forming layer (29) is smaller than 2 micrometers.

3. Tube according to claim 1 or 2, characterized by a film (30) made of magnesium fluoride, which covers the outer surface of the dielectric (29).

4. Tube according to claim 3, characterized in that the film (30) is made of magnesium fluoride has a strength of less than 1000 A.

5. Tube according to one of claims 1 to 4, characterized in that a third electron gun (20) is provided, which generates an electron beam operating at a medium energy level, which the Dielectric (29) charges simultaneously by secondary electron emission and by means of bombardment generated conductivity discharges.

6. A method of manufacturing a storage grid for a tube according to claim 1, characterized in that characterized in that the zinc sulfide of cubic structure (zinc blende) on the conductive basis (28) of the storage grid is made from a different crystal structure of zinc sulfide.

7. The method according to claim 6, characterized in that that zinc sulfide of non-cubic structure is applied to the conductive base (28) and then at a temperature of at least 500 ° C in a hydrogen sulfide atmosphere is tempered.

1 sheet of drawings