DE1544320C

DE1544320C - Device for the continuous manufacture of a one-piece band made of semi-conductor material

Info

Publication number: DE1544320C
Authority: DE
Inventors: Paul Charles Richardson Tex Goundry (V St A)
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Publication date: 1971-02-25

Description

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Die beanspruchte Vorrichtung geht von einem Abmessungen und der Oberflächeneigenschaften der Stand der Technik aus, wie er durch die USA.-Patent- erhaltenen Bänder und ist auf die Erzielung beschriften 2 927 008 und 3 096 158 gegeben ist. stimmter Bandstärken beschränkt.The claimed device is based on a dimensions and surface properties of the State of the art from how he tapes obtained by the USA. Patent and is labeled on the achievement 2 927 008 and 3 096 158 is given. limited band thicknesses.

Der hier verwendete Ausdruck »Band« bedeutet Die vorliegende Vorrichtung vermeidet alle voreinen flachen, in einer ersten Achse verhältnismäßig 5 stehend genannten Nachteile, indem zusätzlich zu der langen, in einer zweiten Achse verhältnismäßig brei- aus der USA.-Patentschrift 3 096 158 bekannten erten (breiter als lang) und in einer dritten Achse ex- sten Kammer eine zweite Kammer vorgesehen ist mit trem dünnen (um ein Vielfaches dünner als breit einer Öffnung, deren Form und Größe etwa der oder lang) Halbleiterkristall. Querschnittsform und -größe des zu bildenden Ban-Die steigenden Ansprüche an eine größere Zuver- io des entspricht, durch welche das aus der ersten Kamlässigkeit von Halbleitervorrichtungen und die dau- mer austretende Halbleitermaterial kontinuierlich in ernde Forderung nach verringerten Kosten haben die zweite Kammer eintritt, und indem zwischen dem eine ausgedehnte Mechanisierung der Verfahren zur Band und der Wand der Öffnung in die zweite Kam-Halbleiterherstellung bedingt. Eine solche Mechani- mer eine Kühlgaszuführung eingebaut ist. Mit dieser sierung beruht auf der wirksamen Verwertung von 15 Vorrichtung kann man nun auch sehr dünne Bänder aus gewachsenen Kristallen erhaltenen Scheibchen mit Stärken von etwa 0,125 bis 1,25 mm herstellen, aus einkristallinem Material und ergab bestimmte F i g. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Qualitätsverbesserungen und Kosteneinsparungen. Ausführungsform der beanpruchten Vorrichtung,
Die bisherigen Techniken waren jedoch auf eine F i g. 2 eine perspektivische Darstellung der Einchargenweise Behandlung einer großen Vielzahl von 20 führung in die zweite Kammer und
einzelnen Scheibchen beschränkt. Ferner hat man bei F i g. 3 die Ausführungsform von F i g. 1 mit zuder Bearbeitung der Kristallscheibchen. durch Sägen, sätzlichen Mitteln zur Steuerung der Temperatur Läppen, Polieren und Ätzen vor der Verarbeitung zu innerhalb der Vorrichtung.The term "band" as used here means the present device avoids all of the disadvantages mentioned in front of a flat, relatively broad in a first axis, in addition to the long, relatively broad in a second axis, known from US Pat. No. 3,096,158 (wider than long) and in a third axis outer chamber a second chamber is provided with extremely thin (many times thinner than wide an opening, the shape and size of which is roughly the same or long) semiconductor crystal. The cross-sectional shape and size of the band to be formed corresponds to the increasing demands for greater reliability, through which the first chamber of semiconductor devices and the more and more emerging semiconductor material have continuously entered the second chamber in a demand for reduced costs, and by causing extensive mechanization of the process of tape and the wall of the opening in the second Kam semiconductor manufacture between the. Such a mechanic has a built-in cooling gas supply. With this sation, based on the effective utilization of the device, one can now also produce very thin strips of disks obtained from grown crystals with thicknesses of about 0.125 to 1.25 mm, from monocrystalline material and resulted in certain figures. 1 shows a schematic representation of quality improvements and cost savings. Embodiment of the claimed device,
The previous techniques, however, were limited to one figure. 2 shows a perspective illustration of the single-batch treatment of a large number of guides into the second chamber and
limited to individual slices. Furthermore, one has in FIG. 3 shows the embodiment of FIG. 1 with for processing the crystal slices. by sawing, additional means of temperature control, lapping, polishing and etching prior to processing to within the device.

Halbleitervorrichtungen einen großen Ausschuß, so Die in F i g. 1 gezeigte Vorrichtung besitzt eine gedaß nur etwa 35% der ursprünglich erhaltenen ein- 25 schlossene zylindrische erste Kammer 10, in welcher kristallinen Halbleiterkristalle schließlich zu Halb- kontinuierlich ein Stab 11 aus gereinigtem Halbleitervorrichtungen verarbeitet werden. leitermaterial, ζ. B. Silicium, durch eine im Boden des Bisherige Techniken versuchten eine Lösung des Raums befindliche Öffnung eingeführt wird. Diese vorstehenden Problems dadurch, daß man Halbleiter- Öffnung ist mit einer geeigneten Gasabdichtung 12 material in Form einer kristallinen Bahn zwischen 30 ausgekleidet. Eine Hochfrequenzheizspule 13, die Dendriten wachsen ließ. Dieses Verfahren ist jedoch etwa im Mittelteil der Kammer 10 angeordnet ist, mit vielen Nachteilen behaftet. Die Erzeugung eines schmilzt das Ende des Kristallstabes unter Entstehung Siliciumbandes zwischen zwei Dendriten bedingt, daß einer geschmolzenen Masse 14, die auf dem Ende des die Dendrite aus einer unterkühlten Schmelze ge- Stabes auf Grund ihrer eigenen Oberflächenspannung wachsen sind, da ein dendritisches Wachstum unter- 35 ruht. Flüssiges Halbleitermaterial wird aus der halb des Flüssigkeitsspiegels in unterkühlten Zonen Schmelze 14 durch eine formgebende Führung 16 aberfolgt. Die Temperatur des dendritischen Wachstums gezogen, welche das flüssige Halbleitermaterial zu liegt etwa 5 bis etwa 15° C unterhalb des normalen einem dünnen, flüssigen Band 15 formt. Dieses Band Schmelzpunktes. Wenn diese unterkühlte Zone er- wird dann durch eine Öffnung 18 in das Innere einer zeugt ist, muß sie durch ein mit einer Genauigkeit 40 zweiten Kammer 17 gezogen, wobei die Öffnung 18 von etwa ± 0,01° C arbeitendes Kontrollsystem auf etwa die Querschnittsabmessungen des zu bildenden einer im wesentlichen konstanten Temperatur gehal- einkristallinen Bandes besitzt. Die Stelle, an der das ten werden. Kritische Wärmegefälle in dem Tiegel Band seine endgültige Form erhält, ist im Detail in und in dem Abdecksystem müssen zur Aufrechterhai- der vergrößerten Ansicht von F i g. 2 dargestellt,
tung der für ein dendritisches Wachstum erforder- 45 In der Vorrichtung von F i g. 1 tritt Kühlgas durch liehen unterkühlten Zone eingehalten werden; das die Öffnung 19 in die erste Kammer 10 ein. Wie sind verwickelte und schwierige Anforderungen an durch die Pfeile in F i g. 1 angezeigt ist, strömt das ein Herstellungsverfahren. Gas zwischen den Wänden der zweiten Kammer 17 Ferner sind die an die Impfkristalle, welche ein und der ersten Kammer 10 nach unten und wird dendritisches Bandwachstum in Gang setzen, zu stel- 50 durch die Öffnung 18 ins Innere der zweiten lenden Anforderungen sehr kritisch. Kammer 17 gepreßt, und zwar zusammen mit dem Auch darf das fertige Halbleiterband keine Den- flüssigen, durch diese Öffnung tretenden Band 15. drite mehr aufweisen, die also vor seiner Weiterver- Das durch die Öffnung 18 strömende Kühlgas ergibt wendung entfernt werden müssen und so ein kon- eine geregelte Erstarrung des flüssigen Halbleitertinuierliches Verfahren unpraktisch machen. 55 bandes zu einem einkristallinen Halbleiterband. Mit Es ist weiter aus der USA.-Patentschrift 3 096 158 zunehmendem Querschnitt des Kristalls wird der eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung Gasstrom durch die Öffnung verringert, und der Grad eines einkristallinen Bandes aus Halbleitermaterial der Wärmeübertragung von dem erstarrenden Kristall bekannt, enthaltend eine erste Kammer, durch welche auf das Kühlgas nimmt ab. Daraus folgt, daß der ein fester Stab aus Halbleitermaterial axial nach oben 60 Kristallquerschnitt so lange automatisch verringert geführt wird, wobei er eine lokalisierte Erhitzungs- wird, bis der Gasstrom zunimmt. Der Effekt ist dann zone in der ersten Kammer unter fortschreitendem umgekehrt. Das Kühlgas kann ein beliebiges Gas sein, Schmelzen durchläuft, und eine formgebende Füh- welches den Halbleiter nicht verunreinigt, beispielsrungsöffnung in der ersten Kammer, deren Form und weise Helium oder Argon.Semiconductor devices have a large scrap, so the figures shown in FIG. 1 has an enclosed cylindrical first chamber 10 that is only about 35% of the originally obtained, in which crystalline semiconductor crystals are finally processed into a semi-continuous rod 11 of cleaned semiconductor devices. conductor material, ζ. B. silicon, is introduced through an opening in the floor of the previous techniques attempted a solution of the space. This above problem in that one semiconductor opening is lined with a suitable gas seal 12 material in the form of a crystalline path between 30. A high frequency heating coil 13 that grew dendrites. However, this method is arranged approximately in the middle part of the chamber 10, has many disadvantages. The generation of a melts the end of the crystal rod with the formation of silicon ribbon between two dendrites, that a molten mass 14, which grows on the end of the rod due to its own surface tension, is caused by dendritic growth. 35 rests. Liquid semiconductor material is followed by a shaping guide 16 from the half of the liquid level in the melt 14 in supercooled zones. The temperature of the dendritic growth pulled, which forms the liquid semiconductor material to be about 5 to about 15 ° C below the normal of a thin, liquid ribbon 15. This band's melting point. When this supercooled zone is then created through an opening 18 in the interior of a, it must be drawn through a second chamber 17 with an accuracy 40, the opening 18 operating from about ± 0.01 ° C control system on about the cross-sectional dimensions of the monocrystalline band to be formed has an essentially constant temperature. The place where the th will be. Critical heat gradients in which the crucible band is given its final shape is detailed in and in the cover system must be maintained in the enlarged view of FIG. 2 shown,
45 In the device of FIG. 1 cooling gas occurs through borrowed supercooled zone; the opening 19 into the first chamber 10. How are intricate and difficult requirements to be met by the arrows in FIG. 1 indicates a manufacturing process. Gas between the walls of the second chamber 17 Furthermore, the requirements placed on the seed crystals, which one and the first chamber 10 down and will set in motion dendritic band growth, through the opening 18 into the interior of the second lumbar region are very critical. Chamber 17 pressed, together with the also, the finished semiconductor tape must not have any den- liquid, tape 15 th passing through this opening, which must therefore be removed before it can be further used and so on make a controlled solidification of the liquid semiconductor continuous process impractical. 55 tape to a single crystal semiconductor tape. It is further known from U.S. Patent 3,096,158 to increase the cross-section of the crystal, the apparatus for continuously producing gas flow through the opening is reduced, and the degree of a single crystal ribbon of semiconductor material of heat transfer from the solidifying crystal including a first chamber is known , through which on the cooling gas decreases. From this it follows that the one solid rod of semiconductor material is automatically reduced in an axially upward direction 60 of the crystal cross-section, whereby it becomes a localized heating until the gas flow increases. The effect is then reversed as the zone progresses in the first chamber. The cooling gas can be any gas, melts through it, and a shaping duct which does not contaminate the semiconductor, for example opening in the first chamber, its shape and helium or argon.

Größe etwa dem Querschnitt des zu bildenden Ban- 65 Das einkristalline Halbleiterband 20 wird kontinu-Size approximately the cross-section of the band to be formed 65 The single-crystal semiconductor band 20 is continuously

des entspricht. ierlich auf beliebige Weise, z. B. mittels Rollen 21,that corresponds. ierlich in any way, e.g. B. by means of rollers 21,

Diese elektromagnetisch arbeitende Vorrichtung 22 und 23 aus der zweiten Kammer 17 abgezogenThese electromagnetically operating devices 22 and 23 are withdrawn from the second chamber 17

besitzt nun Mängel in bezug auf die Kontrolle der und gelagert oder kontinuierlich einer Einrichtungnow has shortcomings in terms of the control of and stored or continuous equipment

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zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen züge- mechanismus (nicht dargestellt) kann vorgesehen sein,for the manufacture of semiconductor devices pulling mechanism (not shown) can be provided,

führt. um neue Stäbe nach Verbrauch des ersten Stabes zu-leads. to add new bars after the first bar has been used up.

Es sei bemerkt, daß die Form und die Größe des zuführen, ohne daß das Verfahren unterbrochen zu erzeugten Kristallbandes durch die formgebende Füh- werden braucht. Durch diese kontinuierliche Zuführung 16 sowie durch die Fprm und die Größe der 5 rung kann die Verwendung einer in einem Tiegel beÖffnung 18 bestimmt wird. Die formgebende Führung findlichen Schmelze und somit eine wesentliche 16 übt auf die durch Oberflächenspannungskräfte Quelle für Verunreinigungen vermieden werden. Ferzusammengehaltene Flüssigkeit einen Druck aus, wel- ner können übliche Heizmittel, z.B. eine Hochcher die Flüssigkeit in Form eines dünnen Flüssig- frequenzerhitzung, zur Erzeugung einer gleichmäßig keitsbandes zwingt. Da der Halbleiter beim Durch- io erhitzten, geschmolzenen Zone verwendet werden,
tritt durch die Führung 16 flüssig ist, wird die Form In der Vorrichtung können durch Zusatzheizungen des Bandes durch diese Führung bestimmt. Die Füh- und Wärmereflektoren die Temperaturverhältnisse rung 16 soll eine isotherme, rechteckige Ebene bie- weiter beeinflußt werden.It should be noted that the shape and size of the feed without the process needing to be interrupted to be produced crystal ribbon by the shaping guide. The use of an opening 18 in a crucible can be determined by this continuous feed 16 and by the Fprm and the size of the hole. The shaping guidance of the sensitive melt and thus a substantial 16 exercises on the source of impurities due to surface tension forces. The liquid held together has a pressure which conventional heating means, for example a high-frequency heating device, forces the liquid in the form of a thin liquid frequency heating to produce a uniformity band. Since the semiconductors are used in the through-io heated, molten zone,
occurs through the guide 16 is liquid, the shape in the device can be determined by additional heating of the belt through this guide. The guide and heat reflectors, the temperature relationships 16, an isothermal, rectangular plane is to be further influenced.

ten, durch welche der flüssige Halbleiter so gezogen Eine bevorzugte Ausführungsform ist in F i g. 3th through which the liquid semiconductor is so drawn. A preferred embodiment is shown in FIG. 3

wird, das die Zwischenfläche zwischen Schmelze und 15 dargestellt. Die Vorrichtung von F i g. 3 entsprichtthat represents the interface between the melt and 15. The device of FIG. 3 corresponds

Feststoff rechteckig und parallel zur Ebene der öff- der von F i g. 1, besitzt jedoch zusätzlich eine Wick-Solid rectangular and parallel to the plane of the öff- der of FIG. 1, but also has a wick

nung J 8 ist. Die Führung 16 kann zur Aufrechterhai- lung 33, die eine Wärmefalle bildet, welche dietion J is 8. The guide 16 can be used to maintain 33, which forms a heat trap which the

tung des erforderlichen isothermen rechteckigen Energie der Heizwicklung 13 auf das Ende des Sta-processing of the required isothermal rectangular energy of the heating coil 13 on the end of the sta-

Querschnitts erwärmt oder gekühlt werden, damit bes 11 unter Bildung einer geschmolzenen Masse 14Cross-section can be heated or cooled, so that bes 11 to form a molten mass 14

sich beim Hindurchziehen das geschmolzene Band ao aus Halbleitermaterial konzentriert. Die geschmol-The molten band ao of semiconductor material is concentrated when it is pulled through. The melted

bildet. zene Masse wird auf dem Ende des Stabes auf Grundforms. zene mass is aground on the end of the rod

Das durch die öffnung 18 strömende Gas (Fig. 1 ihrer eigenen Oberflächenspannung gehalten,
und 2) ergibt eine weitere Regelung der Form des Flüssiges Halbleitermaterial wird aus der Schmelze Halbleiterbandes. Da das Band nicht mit den Wan- 14 durch eine fonngebende Führung 32 abgezogen, den der öffnung 18 in Berührung kommt, kann für 35 welche dem Halbleitermaterial die Form eines dündie zweite Kammer 17 z. B. Quarz verwendet werden. nen Flüssigkeitsbandes verleiht. Die formgebende Wenn das Flüssigkeitsband 15 in die öffnung 18 ge- Führung 32 besteht aus einer kreisförmigen Scheibe zogen wird, führt das zwischen den Wänden der öff- mit einem in der Mitte angeordneten Schlitz oder nung und dem Flüssigkeitsband strömende Gas einer öffnung mit der Form und der Größe der geWärme von dem Band ab und läßt es kristallisieren. 30 wünschten Querschnittsabmessungen des Bandes. Die Das durch die öffnung 18 strömende Gas schafft Führung 32 besitzt an der Unterseite in der Mitte eine zweite isotherme rechteckige Fläche, durch eine Ausnehmung. Diese Ausnehmung stimmt grob welche das Band gezogen wird. Dieses isotherme mit der Krümmung der Oberfläche der flüssigen Rechteck wird auf dem Erstarrungspunkt des Halb- Masse 14 überein und unterstützt die Einführung des leiterbandes gehalten; dieses kristallisiert somit bei 35 flüssigen Materials in den Schlitz,
seinem Durchtritt durch die öffnung 18 und bildet In Nähe des Flüssigkeitsbandes 15 kann oberhalb dann das feste Band 20. Die beiden isothermen, der formgebenden Führung 32 ein Wärmereflektor 34 rechteckigen Ebenen bei 16 und 18 schaffen eine ge- aus hochschmelzendem Material angeordnet sein, regelte Temperaturzone mit einem Wärmegefälle, in welcher die Aufrechterhaltung eines gleichmäßigen welchem das Flüssigkeitsband von der Führung 16 4° Temperaturgefälles noch weiter unterstützt. Die Form an allmählich bis auf seinen Erstarrungspunkt abge- des Bandes wird im wesentlichen durch die öffnung kühlt wird. Die Zwischenfläche zwischen Schmelze in der formgebenden Führung 32 bestimmt; die Tem- und Feststoff verläuft parallel zu den rechteckigen peratur des Flüssigkeitsbandes 15 muß jedoch allisothermen Ebenen der öffnung in der Führung und mählich zur Erzielung einer gleichmäßigen Erstarder öffnung 18. Das Band erstarrt somit gleichmäßig 45 rung erniedrigt werden. Der Reflektor 34 berührt das unter Bildung eines einkristallinen Bandes. Flüssigkeitsband nicht, vielmehr wird von ihmThe gas flowing through the opening 18 (FIG. 1) maintains its own surface tension,
and 2) results in a further control of the shape of the liquid semiconductor material becomes semiconductor ribbon from the melt. Since the tape is not pulled off with the wall 14 by a shape-giving guide 32 that comes into contact with the opening 18, the shape of a second chamber 17, e.g. B. quartz can be used. gives a liquid band. When the liquid band 15 is drawn into the opening 18, the guide 32 consists of a circular disc, leads the gas flowing between the walls of the opening with a central slot or opening and the liquid band to an opening with the shape and the amount of heat from the tape and allow it to crystallize. 30 desired cross-sectional dimensions of the tape. The guide 32 that creates the gas flowing through the opening 18 has a second isothermal rectangular surface in the middle on the underside, through a recess. This recess roughly matches which the tape is pulled. This isothermal with the curvature of the surface of the liquid rectangle is held at the solidification point of the semi-mass 14 and supports the introduction of the conductor tape; this thus crystallizes at 35 liquid material in the slot,
Its passage through the opening 18 and forms. In the vicinity of the liquid band 15, the solid band 20 can then be above it. The two isothermal planes at 16 and 18, which are rectangular planes at 16 and 18 which give the shape-giving guide 32 a heat reflector, create a regulated temperature zone made of high-melting material with a heat gradient in which the maintenance of a uniform temperature gradient which the liquid band from the guide 16 supports even further. The shape of the strip gradually down to its solidification point is essentially cooled by the opening. The interface between the melt in the shaping guide 32 is determined; The temperature and solids run parallel to the rectangular temperature of the liquid band 15, however, all isothermal planes of the opening in the guide and gradually to achieve a uniform solidification opening 18 must be lowered. The band thus solidifies evenly. The reflector 34 contacts this to form a single crystal band. Fluid band not, rather it is from him

Die Strömungsgeschwindigkeit, die Wärmeleitfähig- Wärmeenergie zur Aurrechterhaltung eines gleichkeit und die spezifische Wärme des Gases sind Fak- mäßigen Temperaturgefälles auf das Band 15 abgetoren, welche die Temperatur des durch die öffnung strahlt und reflektiert.The flow velocity, the heat conductive heat energy to maintain an equality and the specific heat of the gas are absorbed onto the belt 15 due to the temperature gradient, which radiates and reflects the temperature of the through the opening.

18 tretenden Halbleiterbandes beeinflussen. Gas- 5» Zusätzliche Erhitzer 31 sind etwa im oberen Ab-18 affecting the semiconductor band. Gas 5 »Additional heaters 31 are located approximately in the upper

mischungen, z. B. Argon-Helium-Mischungen, kön- schnitt des Raums 10 zur Aufrechterhaltung einesmixtures, e.g. B. argon-helium mixtures, can cut the room 10 to maintain a

nen zur Erzielung der gewünschten spezifischen gleichmäßig abnehmenden Temperaturgefälles überto achieve the desired specific, uniformly decreasing temperature gradient

Wärme und Wärmeleitfähigkeit mit jeder Strömungs- das Halbleiterband angeordnet. Durch allmählicheHeat and thermal conductivity arranged with each flow the semiconductor ribbon. By gradual

geschwindigkeit verwendet werden. Ein reduzierendes Abkühlung des Bandes werden Verzerrungen und an-speed can be used. If the belt cools down, distortions and other

Gas kann ebenfalls verwendet werden. 55 dere störende Einflüsse von Wärmeschocks ver-Gas can also be used. 55 other disruptive influences of thermal shocks

Wie man sieht, wird die anfängliche Verformung mieden.As you can see, the initial deformation is avoided.

des Bandes durch die Führung 16 bewirkt, und eine Vorerhjtzer 30 können zur Vorerhitzung des Halbzusätzliche Verformung und Erstarrung wird durch leiterstabes 11 vor dem Schmelzen verwendet werden, das durch die öffnung 18 zusammen mit dem Flüs- Die Vorerhitzer liefern eine zur Erhitzung des Stabes sigkeitsband 15 hindurchtretende Kühlgas hervorge- 60 H auf eine Temperatur unterhalb seines Schmelzrufen. Auf diese Weise können dünne Bänder aus punkts ausreichende Energie. Dadurch erzielt man einkristallinem Halbleitermaterial mit bestimmten eine zusätzliche Kontrolle über das schmelzende Stärken von etwa 0,125 bis etwa 1,25 mm und mit Ende des Stabes, da das die Schmelzzone ernennende verschiedenen Breiten von etwa 2,5 bis etwa 25 mm Material auf einer konstanten Temperatur gehalten kontinuierlich hergestellt werden. 65 wird. Der Stab 11 kann auch bei seiner Einführungof the strip caused by the guide 16, and a preheater 30 can be used for preheating the semi-additional deformation and solidification is through conductor rod 11 before melting The preheaters provide one for heating the rod The cooling gas that passes through the band 15 produces 60 H to a temperature below its melting point. In this way, thin ribbons can point out sufficient energy. This achieves Single crystal semiconductor material with certain an additional control over the melting point Thicknesses from about 0.125 to about 1.25 mm and with the end of the rod as that designating the melting zone different widths from about 2.5 to about 25 mm material is kept at a constant temperature continuously produced. 65 turns. The rod 11 can also at its introduction

Die Verwendung eines Stabes oder einer Stange in den Raum 10 gedreht werden. Eine Drehung desThe use of a rod or rod in the room 10 can be rotated. A twist of the

aus dem Zuführungsmaterial ergibt einen kontinuier- Stabes 11 gewährleistet ein gleichmäßiges Wachstumfrom the feed material results in a continuous rod 11 ensures uniform growth

liehen Betrieb. Ein geeigneter mechanischer Förder- aus dem geschmolzenen Bereich 14 und eine gleich-borrowed operation. A suitable mechanical conveyor from the molten area 14 and an equal

mäßige Dotierung des Bandes, wenn ein dotierter Stab 11 zur Anwendung kommt.moderate doping of the tape if a doped rod 11 is used.

Claims

Patent claims:

1. Apparatus for the continuous production of a monocrystalline ribbon made of semiconductor material, containing a first chamber through which a solid rod of semiconductor material is guided axially upwards, creating a localized heating zone in the first chamber with progressive melting passes through a form-giving guide opening in the first Chamber, the shape and size of which corresponds approximately to the cross-section of the band to be formed, characterized by a second chamber (17) with an opening (18), its shape and Size roughly corresponds to the cross-sectional shape and size of the band to be formed, through which the semiconductor material emerging from the first chamber continuously enters the second chamber, and through a cooling gas supply between the belt and the wall of the opening (18) into the second chamber.

2. Apparatus according to claim 1, characterized by a heat reflector (34) which consists of the liquid band (15) exiting the shaping guide (32) before it enters the opening (18) surrounds with a game.

1 sheet of drawings