DE1514817C3 - transistor - Google Patents
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- DE1514817C3 DE1514817C3 DE1965T0028525 DET0028525A DE1514817C3 DE 1514817 C3 DE1514817 C3 DE 1514817C3 DE 1965T0028525 DE1965T0028525 DE 1965T0028525 DE T0028525 A DET0028525 A DE T0028525A DE 1514817 C3 DE1514817 C3 DE 1514817C3
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Description
Die Erfindung betrifft einen Transistor mit einer kreisförmig ausgebildeten Emitterzone, einer Emitterelektrode und einer die Emitterelektrode ringförmig umgebenden Basiselektrode. Ein solcher Transistor ist beispielsweise aus der FR-PS 13 16 621 bekannt.The invention relates to a transistor with a circular emitter zone, an emitter electrode and a base electrode surrounding the emitter electrode in a ring shape. One such transistor is for example from FR-PS 13 16 621 known.
Die wirksame Emitterzone eines Transistors wird bekanntlich durch den Spannungsabfall bestimmt, den der Basisstrom im Emitterbereich der Basiszone hervorruft. Bei hohen Stromdichten emittiert infolge dieses Spannungsabfalls praktisch nur noch der äußere Emitterzonenrand. Aus diesem Grund ist man bestrebt, den Umfang der Emitterzone bei gleichbleibender Emitterzonenfläche möglichst groß zu machen; eine Vergrößerung der Emitterzonenfläche ist aus Kapazitätsgründen häufig unerwünscht.The effective emitter zone of a transistor is known to be determined by the voltage drop, the the base current causes in the emitter area of the base zone. In the case of high current densities, this is emitted as a result Voltage drop practically only the outer edge of the emitter zone. For this reason one endeavors to make the circumference of the emitter zone as large as possible while maintaining the same emitter zone area; one Increasing the emitter zone area is often undesirable for reasons of capacity.
Zur Erhöhung der Emission der Emitterzone sind bereits Transistoren bekannt, deren Emitterzone beispielsweise eine Stern- oder Blattstruktur aufweist. Solche Transistoren sind beispielsweise durch die FR-PS 13 86 621 oder durch die Zeitschrift »Electronic Design«, Januar 1963, Seiten 40 und 41, bekannt.To increase the emission of the emitter zone, transistors are already known, their emitter zone, for example has a star or leaf structure. Such transistors are for example by the FR-PS 13 86 621 or through the magazine "Electronic Design", January 1963, pages 40 and 41, known.
Bei den bekannten Transistoren mit einer stern- oder blattförmigen Emitterzone ergibt sich eine wesentliche Vergrößerung des Randes der Emitterzone bei gleichbleibender Fläche der Emitterzone. Die bekannten Transistoren haben jedoch verschieden lange Stromwege zwischen dem Stromzuführungspunkt der Emitterelektrode und den einzelnen Bereichen des Randes der Emitterzone. Da das Emitterelektrodenmaterial, welches für den Spannungsabfall in der Emitterelektrode fast ausschließlich ausschlaggebend ist, aus verschiedenen Gründen nicht in beliebiger Schichtdicke aufgebracht werden kann, treten bei relativ langen Stromwegen Spannungsabfälle auf, die zum Ausfall einzelner Bereiche der Emitterzone führen. Dies hat zur Folge, daß der aktive Emitterzonenrand kleiner als der geometrische Umfang wird.In the case of the known transistors with a star-shaped or leaf-shaped emitter zone, there is an essential one Enlargement of the edge of the emitter zone with the same area of the emitter zone. The known However, transistors have current paths of different lengths between the current supply point of the emitter electrode and the individual areas of the edge of the emitter zone. Since the emitter electrode material, which for the voltage drop in the emitter electrode is almost exclusively decisive, from various Reasons that cannot be applied in any layer thickness occur with relatively long current paths Voltage drops that lead to the failure of individual areas of the emitter zone. As a consequence, that the active emitter zone edge is smaller than the geometric circumference.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transistor anzugeben, bei dem die Stromwege zwischen dem Stromzuführungspunkt der Emitterelektrode und den einzelnen Bereichen des Randes der Emitterzone möglichst gleich lang sind und bei dem die Emitterzone trotzdem einen möglichst großen Umfang aufweist. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Transistor der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung der Rand der kreisförmigen Emitterzone gezahnt. Die Zähne können rechteckig oder sägezahnförmig ausgebildet sein.The invention is based on the object of specifying a transistor in which the current paths between the power supply point of the emitter electrode and the individual areas of the edge of the emitter zone are as long as possible and in which the emitter zone nevertheless has the largest possible circumference. To the This problem is solved in a transistor of the type mentioned according to the invention, the edge the circular emitter zone serrated. The teeth can be rectangular or sawtooth-shaped be.
Es empfiehlt sich, die Emitterelektrode ebenfalls zu zahnen.It is advisable to also tooth the emitter electrode.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.The invention is explained in more detail below using an exemplary embodiment.
Die F i g. 1 und 2 zeigen beide eine am Rand gezahnte, kreisförmige Emitterzone eines Transistors. In F i g. 1 sind die Zähne 1 der Emitterzone 2 rechteckförmig ausgebildet, während die Zähne 1 der Emitterzone 2 der F i g. 2 eine Sägezahnform haben. Die Zahnhöhe der rechteckförmigen Zähne ist mit hrund die der sägezahnförmigen mit hs bezeichnet. Die Emitterelektrode ist jeweils von einer ringförmigen Basiselektrode 3 umgeben. Während der Umfang eines nichtgezahnten kreisförmigen Emitters ΙΙ=2π ■ r ist, vergrößert sich der Umfang eines gezahnten Emitters mit rechteckförmigen Zähnen demgegenüber um 2π ■ Λ,Λρ und beträgt somit υ=π ■ d + 2π ■ Λ/ψ, wenn d der mittlere Durchmesser, Ar die Zahnhöhe und φ derjenige Winkel(abstand) im Bogenmaß ist, der der Breite der Zähne und der Lücke zwischen den Zähnen entspricht.The F i g. 1 and 2 both show a circular emitter zone of a transistor which is toothed at the edge. In Fig. 1, the teeth 1 of the emitter zone 2 are rectangular, while the teeth 1 of the emitter zone 2 of FIG. 2 have a sawtooth shape. The tooth height of the rectangular teeth is denoted by h r and that of the sawtooth-shaped teeth by h s . The emitter electrode is surrounded by an annular base electrode 3 in each case. While the circumference of a non- toothed circular emitter is ΙΙ = 2π ■ r , the circumference of a toothed emitter with rectangular teeth increases by 2π ■ Λ, Λρ and is therefore υ = π ■ d + 2π ■ Λ / ψ, if d is the middle one Diameter, A r is the tooth height and φ is the angle (distance) in radians that corresponds to the width of the teeth and the gap between the teeth.
Schließlich sei noch ein Beispiel für die zulässige Höhe eines Emitterzahnes bei Verwendung von Rechteckzähnen angeführt. Im speziellen Fall der Verwendung einer Emitterelektrode aus Aluminium ^/=0,029 · 10-4Ohmcm) mit einer Dicke s=0,5 ■ 10-4cm ergibt sich unter der Voraussetzung, daß der Emitterzonenradius r=50 · 10~4cm beträgt, eine Emitterstromdichte h von 0,1 A/cm2 vorhanden ist und der zulässige Spannungsabfall V entlang der Zähne 5 ■ IO-3 Volt beträgt, eine Zahnhöhe hr, die kleiner oder gleich 25 μΐη ist. Der Spannungsabfall muß dabei so klein sein, daß entlang der Zahnflanke noch eine Emission in die Basiszone stattfindet.Finally, an example should be given for the permissible height of an emitter tooth when using rectangular teeth. In the particular case of using an emitter electrode made of aluminum ^ / = 0.029 · 10- 4 ohm-cm) having a thickness s = 0.5 ■ 10- 4 cm is obtained under the condition that the emitter zone radius r = 50 x 10 ~ 4 cm is , an emitter current density h of 0.1 A / cm 2 is present and the permissible voltage drop V along the teeth 5 ■ IO- 3 volts, a tooth height h r that is less than or equal to 25 μΐη. The voltage drop must be so small that there is still an emission into the base zone along the tooth flank.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1965T0028525 DE1514817C3 (en) | 1965-05-06 | 1965-05-06 | transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1965T0028525 DE1514817C3 (en) | 1965-05-06 | 1965-05-06 | transistor |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1514817A1 DE1514817A1 (en) | 1969-12-11 |
| DE1514817B2 DE1514817B2 (en) | 1978-02-02 |
| DE1514817C3 true DE1514817C3 (en) | 1978-09-21 |
Family
ID=7554232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1965T0028525 Expired DE1514817C3 (en) | 1965-05-06 | 1965-05-06 | transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1514817C3 (en) |
-
1965
- 1965-05-06 DE DE1965T0028525 patent/DE1514817C3/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1514817A1 (en) | 1969-12-11 |
| DE1514817B2 (en) | 1978-02-02 |
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Legal Events
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