DE1514422C3 - Process for the series production of semiconductor components - Google Patents

Process for the series production of semiconductor components

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DE1514422C3
DE1514422C3 DE19651514422 DE1514422A DE1514422C3 DE 1514422 C3 DE1514422 C3 DE 1514422C3 DE 19651514422 DE19651514422 DE 19651514422 DE 1514422 A DE1514422 A DE 1514422A DE 1514422 C3 DE1514422 C3 DE 1514422C3
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DE
Germany
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semiconductor components
components
semiconductor
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carrier body
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DE19651514422
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Fritz-Werner Dipl Chem Dr Kemlworth Court Cahf Beyerlein (VStA)
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

3 43 4

mehrere Halbleiterbauelemente mit einer Verguß- spielsweise vergoldeter FeNiCo-Legierung, bestehen-several semiconductor components with a potting - for example gold-plated FeNiCo alloy, consist-

masse versehen werden. Zum Vergießen werden den Trägerkörper 2 nach einem bekannten Legierver-mass are provided. For casting, the carrier body 2 is made according to a known alloy casting

hauptsächlich gießbare Kunststoffe, niedrigschmel- fahren aufgebracht. Die zu kontaktierenden HaIb-mainly castable plastics, applied with low melting point. The Halb-

zende Gläser und auch keramische Massen verwen- leiterbauelemente 1 werden dann mittels eines anZende glasses and also ceramic materials are used conductor components 1 by means of a

det. 5 sich bekannten Verfahrens, z. B. durch Thermokom-det. 5 known method, for. B. by thermocouple

Das Umhüllen der Halbleiterbauelemente kann pression, mit den Kontaktierungsdrähten 3 und 4, dieThe sheathing of the semiconductor components can pression, with the contacting wires 3 and 4, the

auch in einem Formkörper vorgenommen werden, aus Gold, Aluminium, Silber oder anderen Metall-can also be made in a molded body, made of gold, aluminum, silver or other metal

bei dem gleichzeitig mehrere Bauelemente mit einer drähten bestehen, versehen.in which there are several components with a wire at the same time.

Vergußmasse versehen werden und wobei der Form- In F i g. 2 wird gezeigt, wie gemäß der Lehre der körper so ausgebildet ist, daß er sowohl als Gießform io Erfindung mit Hilfe einer Vorrichtung eine (7) die als auch als Gehäusebestandteil nach entsprechender mit den beiden anderen (5 und 6) in einer Ebene He-Zerteilung der Halbleiterbauelemente dient. In die- genden Elektroden, in dem hier beschriebenen Aussem Falle werden vorwiegend Formkörper verwen-. führungsbeispiel die Elektrode 7, durch Verformung det, die aus einem gleichartigen Material, insbeson- des Trägerkörpers in eine Stellung gebracht ist, die dere aus einem aushärtbaren Kunststoff, Vorzugs- 15 sich von der Ebene der in der Ausgangsstellung beweise Epoxidharz, bestehen, wie die Vergußmassen. findlichen Elektroden S und 6 um einen Winkel bei-Casting compound are provided and the form- In F i g. 2 shows how, according to the teaching of body is designed so that it can be used both as a mold io invention with the help of a device (7) the as well as a housing component after corresponding with the other two (5 and 6) in one level He division which serves semiconductor components. In the following electrodes, in the exterior described here Traps are mainly used moldings. management example the electrode 7, by deformation det, which is made of a material of the same type, in particular the carrier body, is brought into a position which which is made of a curable plastic, preferably 15 from the level of the evidence in the starting position Epoxy resin, like the potting compounds. sensitive electrodes S and 6 at an angle

Das Verfahren gemäß der Erfindung beschränkt spielsweise von etwa 90° unterscheidet. Dabei versieh nicht nur auf die Herstellung von Halbleiterbau- kürzt sich die Entfernung zwischen der Elektrode 5 elementen, wie Mikroplanartransistoren, sondern und 7, wobei der Kontaktierungsdraht 4, des auf den läßt sich in gleich vorteilhafter Weise auch auf die 20 Trägerkörper 2 auflegierten Halbleiterbauelements 1 Herstellung von mehrpoligen Bauelementen, wie etwas stärker durchgebogen wird, als der Kontaktiez. B. integrierten Schaltungen, Heißleitern, Hallgene- rungsdraht3.
ratoren usw. anwenden. F i g. 3 veranschaulicht, wie zum Schutz gegen äu-The method according to the invention is limited, for example, by about 90 °. The distance between the electrode 5 elements, such as microplanar transistors, is shortened not only to the manufacture of semiconductor components, but also 7 and 7, whereby the contacting wire 4 of the can also be used in an equally advantageous manner on the semiconductor component 1 alloyed onto the carrier body 2 Manufacture of multi-pole components, like something more bent than the Kontaktiez. B. integrated circuits, NTC thermistors, Hall generation wire3.
use rators etc. F i g. 3 illustrates how to protect against external

Nähere Einzelheiten gehen aus dem an Hand der ßere atmosphärische Einflüsse und zur Erhöhung derFurther details go from the hand of the ßere atmospheric influences and to increase the

F i g. 1 bis 4 beschriebenen Ausführungsbeispiel her- 25 Stabilität die Halbleiterbauelemente und die Verbin-F i g. 1 to 4 described embodiment her- 25 stability the semiconductor components and the connec-

vor. dungsstellen zwischen den Kontaktierungsdrähtenbefore. connection points between the contacting wires

In F i g. 1 ist in Draufsicht ein mit mehreren Halb- und den Anschlüssen mit einer niedrigschmelzenden, leiterbauelementen 1 versehener Trägerkörper 2 aus- bei der Betriebstemperatur_des herzustellenden Bauschnittweise dargestellt, an dem entsprechend der elements festen Vergußmasse umhüllt worden ist und Anzahl der äußeren Elektroden des zu fertigenden 30 die vergossene Stirnseite 8 abgetrennt wurde.
Bauelements — am Ausführungsbeispiel sind es drei Die Halbleiterbauelemente 9 und 10, die der in Elektroden — drahtförmige elektrische An- F i g. 4 angegebenen Konfiguration der Elektroden Schlüsse5,6 und7, z.B. aus einer FeNiCo-Legie- entsprechen, wurden nach dem Aushärten der Verrung, angepunktet sind. Die Halbleiterbauelemente 1 gußmasse durch entsprechendes Schneiden oder Säwerden auf den aus Kontaktierungsmaterial, bei- 35 gen erhalten.In Fig. 1 shows a plan view of a carrier body 2 provided with several semiconductors and the connections with a low-melting, conductor components 1 from the operating temperature of the structural section to be produced, on which solid potting compound has been encased according to the elements and the number of outer electrodes of the 30 to be produced encapsulated end face 8 was separated.
Component - in the exemplary embodiment there are three The semiconductor components 9 and 10, which in electrodes - wire-shaped electrical connection. 4 specified configuration of the electrodes conclusions 5, 6 and 7, for example from a FeNiCo alloy, were spotted after the hardening of the Verrung. The semiconductor components 1 casting compound are obtained by appropriate cutting or sawing on the parts made of contacting material.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (6)

sondere aus einem aushürtbarcn Kunststoff, vor-Pateiitansnrüche: zugsweise Epoxidharz, bestellt wie die Verguß-Especially made of a hardenable plastic, pre-Pateiitansnrüche: preferably epoxy resin, ordered like the potting masse.Dimensions. I. Verfahren zur Serienfertigung von Halb- 5I. Process for the series production of semi-5 lciterbauelemcntcn oder Mikroschaltungen, bei £,as Patent 15 14 412 bezieht sich auf ein Verfah-lciterbauelemcntcn or microcircuits, in £, a s patent 15 14 412 relates to a method dem ein als Transportband während der Herstel- ren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen lung der Halbleiterbauelemente dienender oder Mikroschaltungen, bei dem ein als Transport-Trägerkörper aus Kontaktierungsmaterial ver- bancj während der Herstellung der Halbleiterbauwendet wird, der entsprechend einem den erfor- io elemente dienender Trägerkörper aus Kontaktierungsderlichen Anschlüssen für die zu fertigenden material verwendet wird, der entsprechend einem den Halbleiterbauelemente angepaßten Raster mit pe- erforderlichen Anschlüssen für die zu fertigenden riodisch wiederkehrenden Einschnitten, insbeson- Halbleiterbauelemente angepaßten Raster mit periodcre durch Ausstanzen, versehen ist, bei dem disch wiederkehrenden Einschnitten, insbesondere weiterhin drahtförmige, elektrische Anschlüsse, 15 durch Ausstanzen, versehen ist, bei dem weiterhin deren Anzahl durch die Zahl der äußeren Elek- drahtförmige, elektrische Anschlüsse, deren Anzahl troden der zu fertigenden Halbleiterbauelemente durch die Zahl der äußeren Elektroden der zu fertibestimmt ist, an den jeweiligen Stellen des genden Halbleiterbauelemente bestimmt ist, an den Trägerkörpers, die als Elektroden ausgebildet jeweiligen Stellen des Trägerkörpers, die als Elektrosind, angebracht werden, bei dem dann die Halb- 20 den ausgebildet sind, angebracht werden, bei dem leiterbauelemente auf dem Trägerkörper aufle- dann die Halbleiterbauelemente auf dem Trägergiert und die Kontaktierungsdrähte mit den An- körper auflegiert und die Kontaktierungsdrähte mit Schlüssen verbunden werden, wonach die Halb- den Anschlüssen verbunden werden, wonach die leiterbauelemente und die Verbindungsstellen Halbleiterbauelemente und die Verbindungsstellen zwischen" Kontaktierungsdrähten und den An- 25 zwischen Kontaktierungsdrähten und den Anschlüsschlüssen mit einer niedrigschmelzenden, bei der sen mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebs-Betriebstcmperaiur des herzustellenden Bauele- temperatur des herzustellenden Bauelements festen ments festen Vergußmasse umhüllt werden, wo- Vergußmasse umhüllt werden, wobei die drahtbei die drahtförmigen elektrischen Anschlüsse förmigen elektrischen Anschlüsse aus dem veraus dem vergossenen Bauelement herausragen, 3° gossenen Bauelement herausragen, und bei dem in und bei dem in einem abschließenden Arbeits- einem abschließenden Arbeitsgang Trägerkörper und gang Trügerkörper und Anschlüsse zerteilt wer- Anschlüsse zerteilt werden.the one of a conveyor belt during the manufacturing ren for mass production of semiconductor devices, development of the semiconductor elements serving or microcircuits, wherein a as a transport carrier body is made of contacting material comparable b anc j during the preparation of Halbleiterbauwendet, which according to a the require io elements serving Carrier body made of Kontaktierungsderlichen connections is used for the material to be manufactured, which is provided according to a grid adapted to the semiconductor components with pe- required connections for the periodically recurring incisions to be made, in particular semiconductor components adapted grid with periodcre by punching, in which the recurring incisions , in particular furthermore wire-shaped, electrical connections, 15 is provided by punching, in which the number of these furthermore depends on the number of outer elec- tric wire-shaped, electrical connections, the number of which trode the semiconductor to be manufactured terbauelemente is determined by the number of outer electrodes to be finished, at the respective points of the low semiconductor components, on the carrier body, which are designed as electrodes, attached to the respective locations of the carrier body that are electrical, in which then the halves 20 den are formed, are attached, in which the conductor components are placed on the carrier body, then the semiconductor components are yawed on the carrier and the contacting wires are alloyed with the body and the contacting wires are connected to terminals, after which the semiconductors are connected, after which the conductor components and the connection points semiconductor components and the connection points between "contacting wires and the connections between contacting wires and the connection terminals with a low-melting point, with a low-melting point at the operating temperature of the component to be produced the component solid ments solid potting compound are enveloped, where the potting compound are enveloped, the wire-shaped electrical connections protrude from the veraus the potted component, protrude 3 ° cast component, and the in and the in a final work - In a final work step, support body and aisle support body and connections are divided up, connections are divided up. den nach Patent 1514412, dadurch gekenn- Aufgabe der Erfindung ist es, ein rationelles Verzeichnet, daß nach der Kontaktierung der fahren anzugeben, das es erlaubt, eine Vielzahl von Halbleiterbauelemente mit den äußeren elektri- 35 Halbleiterbauelementen, insbesondere von Mikroschen Anschlüssen eine der mit den beiden ande- Planartransistoren, herzustellen unter Verwendung ren in einer Ebene liegenden Elektroden durch eines Trägerkörpers, der so ausgebildet ist, daß Verformen des Trägerkörpers in eine Stellung durch seine Verformung die äußeren elektrischen gebracht wird, die einen bestimmten Winkel, vor- Anschlüsse der herzustellenden Bauelemente in bezugsweise 90°, mit der Ebene der Ausgangsstel- 40 liebigen Ebenen angeordnet sind,
lung einschließt. Man geht bei diesem Verfahren so vor, daß nachAccording to patent 1514412, the object of the invention is to provide a rational record that after contacting the drive that allows a variety of semiconductor components with the outer electrical 35 semiconductor components, in particular micro-terminals one of the two other planar transistors, to be produced using electrodes lying in one plane through a carrier body which is designed so that deformation of the carrier body is brought into a position by its deformation, the external electrical which a certain angle, in front of connections of the components to be produced in each case 90 °, with the level of the starting point 40 arbitrary levels are arranged,
ment includes. One proceeds with this procedure in such a way that after 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- der Kontaktierung der Halbleiterbauelemente mit kennzeichnet, daß Trägerkörper verwendet wer- den äußeren elektrischen Anschlüssen eine der mit den, die so ausgebildet sind, daß eine oder meh- den beiden anderen in einer Ebene liegenden Elekrere Elektroden durch Verformen des Trägerkör- 45 troden durch Verformung des Trägerkörpers in eine pers nach der Kontaktierung der Halbleiterbau- Stellung gebracht wird, die einen bestimmten Winkel, elemente in eine Stellung gebracht werden, die in vorzugsweis 90°, mit der Ebene der Ausgangssteleinem bestimmten Winkel, vorzugsweise 90°, zur lung einschließt.2. The method according to claim 1, characterized in that the semiconductor components are contacted indicates that the carrier body is used, one of the external electrical connections with those which are designed in such a way that one or more two other electrics lying in one plane Electrodes by deforming the support body 45 by deforming the support body into a pers is brought after the contacting of the semiconductor construction position, which a certain angle, elements are brought into a position that is preferably 90 °, with the level of the initial Steleinem includes a certain angle, preferably 90 °, to the development. Ebene der Ausgangsstellung stehen. Bei einer auf dem Erfindungsgedanken beruhen-Stand at the level of the starting position. In a case based on the concept of the invention 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch 5° den Ausführungsform des Verfahrens ist es möglich, gekennzeichnet, daß das Umhüllen der Halb- unter Verwendung eines mit beliebigen Einschnitten leiterbauelemente in einem Formkörper vorgc- versehenen Trägerkörpers eine oder mehrere Eleknommen wird, bei dem gleichzeitig mehrere troden in einen bestimmten Winkel zur Ebene der Halbleiterbauelemente mit einer Vergußmasse Ausgangsstellung anzuordnen.3. The method according to claim 1 and 2, characterized in 5 ° the embodiment of the method, it is possible characterized in that the wrapping of the half using one with any incisions Conductor components in a molded body provided with one or more elements in which several trodes at a certain angle to the plane of the Arrange semiconductor components with a casting compound starting position. versehen werden. 55 Durch das Verfahren gemäß der Lehre der Erfin-be provided. 55 By the method according to the teaching of the 4. Verfahren nach einem der Ansprüche I dung gelingt es, Halbleiterbauelemente herzustellen, bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Umhüllen deren Elektroden zueinander jede gewünschte Konfider Halbleiterbauelemente in einem Formkörper guration aufweisen. Dadurch werden die Anwenvorgenommcn wird, der gleichzeitig als Gießform dungsmöglichkeitcn beim Einbau dieser Bauelemente und als Gehäusebestandteil nach entsprechender 60 erheblich erweitert.4. The method according to any one of claims I succeeds in producing semiconductor components, to 3, characterized in that the covering of their electrodes to each other any desired confider Have semiconductor components in a molded body guration. The applications are thereby made which is also used as a casting mold when installing these components and significantly expanded as a housing component according to corresponding 60. Zerteilung der Halbleiterbauelemente dient. Die gemäß der Erfindung hergestellten Halbleiter-Division of the semiconductor components is used. The semiconductor manufactured according to the invention 5. Verfahren nach Anspruch I bis 4, dadurch bauelemente werden zum Schutz gegen äußere atmogekeimzeichnet, daß als Vergußmassen gießbare sphärische Einflüsse, insbesondere gegen Fcuchtig-Kunststoffe. niedrig schmelzende Gläser und ke- keit, und zur Erhöhung der mechanischen Stabilität ramische Massen Verwendung finden. 65 mit einer niedrigschnielzenden, bei der Betriebstem-5. The method according to claim I to 4, characterized in that components are germinated for protection against external atmospheres, that spherical influences that can be cast as potting compounds, especially against cultured plastics. low-melting glasses and keit, and to increase the mechanical stability Ramic masses are used. 65 with a low-cut, 6. Verfahren nach Anspruch I bis 5, dadurch perauir des herzustellenden Bauelements festen Vorgekeniv/cichnet, daß ein Formkörper verwendet gußmasse umhüllt, wobei ein Formkörper zur Anwird, tier aus einem gleichartigen Material, insbe- wendung gelangt, der es gestattet, daß gleichzeitig6. The method according to claim I to 5, characterized by perauir the component to be produced fixed Vorgekeniv / cichnet, that a molded body used encased casting compound, with a molded body used for animal made of a similar material, which allows that at the same time
DE19651514422 1965-03-26 1965-03-26 Process for the series production of semiconductor components Expired DE1514422C3 (en)

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