DE1514106B2

DE1514106B2 - Process for the production of Haiblei teranorders

Info

Publication number: DE1514106B2
Application number: DE19651514106
Authority: DE
Inventors: Richard 4785 Belecke Magner
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH 6000 Frankfurt
Priority date: 1965-01-04
Filing date: 1965-01-04
Publication date: 1971-01-14
Also published as: DE1514106A1

Description

Der Kontaktierungsprozeß diffundierter, mit lötfähigen Metallauflagen versehener Siliziumscheibchen ist schwieriger als bei legierten Siliziumgleichrichtern, bei denen eine Elektrode eine Molybdänronde darstellt, während die andere Elektrode eine Ronde aus Gold-Silizium ist. Die legierten Gleichrichter weisen eine starke Profilierung auf, so daß sie mühelos mit einem Schutzüberzug versehen werden können. Dagegen sind die diffundierten, geschnittenen und geätzten Siliziumscheiben in ihrer Form so flach und unprofiliert, daß man sie nur unter kaum vertretbarem Aufwand mit einem Lacküberzug, beispielsweise aus Silikonlack, überziehen kann. Die Kontaktierung muß vor der Anbringung eines Schutzüberzuges erfolgen. Es hat sich gezeigt, daß dabei gewisse Schwierigkeiten auftreten. Wenn man beispielsweise ein mit Elektroden versehenes Gleichrichterelement vor dem Aufbringen des Schutzüberzuges dem üblichen Ätzprozeß unterwirft, so verhindern Ätzrückstände von unedlen Elektroden die Erzielung einer brauchbaren Sperrkennlinie. Die Verwendung von Elektroden aus Gold oder Platin, die von den Säuren — im allgemeinen Flußsäure und Salpetersäure — nicht angegriffen werden, ist recht teuer.The contacting process diffused, with solderable Silicon wafers with metal layers is more difficult than with alloyed silicon rectifiers, where one electrode is a molybdenum blank, while the other electrode is a blank Gold silicon is. The alloy rectifiers have a strong profile, so that they can be used with ease can be provided with a protective coating. In contrast are the diffused, cut and etched Silicon wafers are so flat and unprofiled in their shape that they can only be found under barely reasonable conditions Can cover effort with a varnish coating, for example made of silicone varnish. The contacting must be done before applying a protective coating. It has been shown that doing so certain difficulties arise. For example, if you have a rectifier element provided with electrodes subject to the usual etching process before applying the protective coating, so prevent Etching residues from base electrodes achieve a usable blocking characteristic. the Use of electrodes made of gold or platinum, by the acids - generally hydrofluoric acid and nitric acid - not attacked, is quite expensive.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu entwickeln, das die Verwendung von Elektroden aus unedlen Metallen gestattet.The invention is based on the object of developing a method that uses Electrodes made of base metal are permitted.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem diffundierten Halbleiterkörper aus Silizium. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die zu kontaktierenden Halbleiterkörper beim Anlöten der Elektroden mittels Weichlot mit einem Flußmittel vollständig abgedeckt werden und daß das Flußmittel durch längere Behändlung mit geeigneten Lösungsmitteln, wie z. B. Isopropylalkohol oder Trichloräthylen, entfernt wird. Durch diese Behandlung ergibt sich überraschenderweise eine Verbesserung der Sperrkennlinie.The invention relates to a method for producing semiconductor devices with a diffused Semiconductor body made of silicon. The invention is characterized in that the to be contacted Semiconductor body completely covered with a flux when soldering the electrodes by means of soft solder and that the flux by prolonged treatment with suitable solvents, such as. B. isopropyl alcohol or trichlorethylene, is removed. This treatment surprisingly results an improvement in the locking characteristic.

Das neue Verfahren wird an Hand eines in der Zeichnung im Schnitt dargestellten Halbleiterelementes erläutert.The new method is illustrated using a semiconductor element shown in section in the drawing explained.

Mit 1 ist ein diffundiertes Siliziumplättchen bezeichnet, das eine p-Zone und eine η-Zone aufweist. Die lötfähigen Metallauflagen 2 und 3 bestehen jeweils aus dünnen Schichten von Nickel—Gold—Nickel—Gold. Die seitlichen Schnittflächen der Siliziumscheibe sind schräg angelegt, um längere Kriechwege zwischen den leitenden Flächen 2 und 3 zu erzielen und damit die Sperrspannungsfestigkeit zu erhöhen. Mit 4 ist die obere, drahtförmige Elektrode bezeichnet. Die untere Elektrode 5 besteht aus einer Blechscheibe. Beide Elektroden sind aus unedlem Metall hergestellt. Die gesamte Halbleiteranordnung wird während des Lötvorganges in eine dicke kolophoniumhaltige Flußmittelschicht eingebettet und das Halbleiterelement vollständig abgedeckt. Die Lötung erfolgt in Schutzgasatmosphäre, beispielsweise in Wasserstoff oder Stickstoff, oder auch an Luft mit Stromdurchgang. Als Lote werden vorzugsweise Blei-lndium-Legierungen mit einem Schmelzpunkt von etwa 250⁰C verwendet. Die Ursache für die Verbesserung der Sperrkennlinie ist noch nicht ganz geklärt. Vermutlich bilden sich beim Lötvorgang Resinate, d. h. Salze der Lotmetalle mit Harzsäuren, die mit dem Silizium an den Schnittflächen reagieren und dort eine unlösliche, sehr dünne Schutzschicht bilden. Die Resinate lagern sich an den Schrägflächen an, obwohl das Lot selbst nicht mit diesen Flächen in Berührung kommt. Nach dem Lötvorgang müssen die Flußmittelrückstände sorgfältig entfernt werden. Hierzu ist eine längere Behandlung der kontaktierten Gleichrichterelemente in Isopropylalkohol oder Trichoräthylen geeignet. Der Reinigungsvorgang erfolgt in mehreren Stufen, Falls erforderlich, kann zum Schluß eine Ultraschallwäsche durchgeführt werden.1 with a diffused silicon wafer is referred to, which has a p-zone and an η-zone. The solderable metal layers 2 and 3 each consist of thin layers of nickel-gold-nickel-gold. The lateral cut surfaces of the silicon wafer are inclined in order to achieve longer creepage distances between the conductive surfaces 2 and 3 and thus to increase the blocking voltage strength. With 4 the upper, wire-shaped electrode is referred to. The lower electrode 5 consists of a sheet metal disc. Both electrodes are made of base metal. During the soldering process, the entire semiconductor arrangement is embedded in a thick layer of flux containing rosin and the semiconductor element is completely covered. The soldering takes place in a protective gas atmosphere, for example in hydrogen or nitrogen, or in air with current passage. As solders preferably lead-indium alloys are used having a melting point of about 250 ⁰ C. The cause of the improvement in the locking characteristic has not yet been fully clarified. Resinates are probably formed during the soldering process, ie salts of the soldering metals with resin acids, which react with the silicon on the cut surfaces and form an insoluble, very thin protective layer there. The resin is deposited on the inclined surfaces, although the solder itself does not come into contact with these surfaces. After the soldering process, the flux residues must be carefully removed. For this purpose, a longer treatment of the contacted rectifier elements in isopropyl alcohol or trichlorethylene is suitable. The cleaning process takes place in several stages, if necessary, an ultrasonic wash can be carried out at the end.

Gemäß der weiteren Erfindung wird vorgeschlagen, die Halbleiterflächen anschließend mit reinen Silikonkautschukpräparaten, eventuell unter Zusatz von etwa 10% Alizarin, abzudecken und die Mischung bei Temperaturen von etwa 200 bis 22O⁰C auszuheizen. Sehr gute Ergebnisse erzielt man, wenn der Kautschuk 10 Stunden bei 70° C, 2 Stunden bei 150°C und schließlich 20 Stunden bei 220⁰C auspolymerisiert wird. Die Silikonkautschukschicht ist in der Zeichnung mit 8 bezeichnet. Der verwendete Silikonkautschuk darf keine anorganischen Beimengungen enthalten. Störend sind vor allem die den handelsüblichen Silikonkautschukmischungen zuzusetzenden leicht reduzierenden Härter.According to the invention, further it is proposed that the semiconductor surfaces then with pure silicone rubber formulations, possibly with the addition of about 10% Alizarin cover and the mixture at temperatures of about 200 to 22O ⁰ C anneal. Very good results are obtained when the rubber is polymerized for 10 hours at 70 ° C, 2 hours at 150 ° C and finally 20 hours at 220 ⁰ C. The silicone rubber layer is denoted by 8 in the drawing. The silicone rubber used must not contain any inorganic additives. The slightly reducing hardeners to be added to the commercially available silicone rubber mixtures are particularly disruptive.

Die beim Ausheizen des Silikonkautschuks in Anwendung gebrachte Temperatur muß höher liegen als die Betriebstemperatur des Gleichrichterelementes, weil sonst eine Depolymerisation des Kautschuks eintritt, die durch Metallspuren, z. B. eiserne Gehäuseteile, begünstigt wird. Aus diesem Grunde kann es sinnvoll sein, die Gehäiiseteile zu versilbern. Bei einer Depolymerisation unter erhöhten Temperaturen macht sich unter Umständen der Dampfdruck des Silikons unangenehm bemerkbar, da durch Silikondampf Metalle angegriffen werden und am pn-Übergang Ablagerungen entstehen können, die einen Kurzschluß begünstigen.The temperature used when heating the silicone rubber must be higher than the operating temperature of the rectifier element, otherwise depolymerization of the rubber occurs which is caused by traces of metal, e.g. B. iron housing parts, is favored. Because of this, it can make sense to silver-plate the housing parts. In the case of depolymerization at elevated temperatures the vapor pressure of the silicone may become uncomfortably noticeable, as it is caused by silicone vapor Metals are attacked and deposits can arise at the pn junction, causing a short circuit favor.

Claims

Patent claims:

1. A method for producing semiconductor arrangements with a semiconductor body Silicon, characterized in that the semiconductor bodies (1) to be contacted when soldering the electrodes (4, 5) completely covered with a flux using soft solder (6, 7) and that then the flux by prolonged treatment with suitable Solvents such as B. isopropyl alcohol or trichlorethylene is removed.

2. The method according to claim 1, characterized in that the contacted semiconductor body with a mixture (8) of a silicone rubber free of inorganic admixtures to be covered.

3. The method according to claim 2, characterized in that the silicone rubber is about 10% Alizarin can be added.

4. The method according to claim 1, characterized in that a lead-indium solder is used, which preferably consists of 70% lead and 30% indium.