DE1499672B2 - MAGNETIC STORAGE ARRANGEMENT WITH ONE OR MORE STORAGE ELEMENTS IN THE FORM OF THIN MAGNETIC LAYER ELEMENTS - Google Patents

MAGNETIC STORAGE ARRANGEMENT WITH ONE OR MORE STORAGE ELEMENTS IN THE FORM OF THIN MAGNETIC LAYER ELEMENTS

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DE1499672B2
DE1499672B2 DE19661499672 DE1499672A DE1499672B2 DE 1499672 B2 DE1499672 B2 DE 1499672B2 DE 19661499672 DE19661499672 DE 19661499672 DE 1499672 A DE1499672 A DE 1499672A DE 1499672 B2 DE1499672 B2 DE 1499672B2
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William W. Lomita Calif. Powell (V.StA.). GlIc 13-04
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Description

3 43 4

der Strom die äußeren Leiterabschnitte entgegen- magnetischen Schichtelementes 12 begrenzt ist, mehgesetzt zu derjenigen Richtung durchfließt, die er rere Male in einer Richtung (von links nach rechts in den dazwischenliegenden inneren Leiterabschnitten in Fig. 1) mit Hilfe der inneren Abschnitte 16, 20 hat. Infolgedessen ist auch das von den äußeren Lei- und 24 hindurchgeführt wird und ein additives materabschnitten erzeugte magnetische Feld zu dem von 5 gnetisches Feld erzeugt, das an die dünnen magneden inneren Leiterabschnitten erzeugte' magneti- tischen Filmelemente 12 angelegt wird. Weiterhin sehe Feld entgegengesetzt, so daß sich diese Felder wird der Strom in Serie zwischen jeweils zwei solchen im Randbereich des Schichtelementes weitgehend inneren Passagen durch die äußeren Leiter 18 und aufheben und dadurch ein ziemlich scharf auf den 22 durch ein Gebiet zurückgeführt (von rechts nach Bereich des Schichtelementes begrenztes Magnetfeld io links in F i g. 1), das außerhalb des Gebietes liegt, das erzeugt wird und die Störungen durch Streufelder durch die Ränder des dünnen magnetischen Schichteliminiert werden. Außerdem ist der Energiebedarf elementes 12 begrenzt ist. Dieser Strom erzeugt ein zur Erzeugung eines begrenzten Magnetfeldes gerin- magnetisches Feld, das einen Teil des additiven mager als derjenige, der zur Erzeugung eines ausgedehn- gnetischen Feldes in einem Randgebiet teilweise austen Magnetfeldes benötigt wird. Endlich addieren 15 löscht bzw. reduziert. Es liegt auch im Rahmen der sich bei der erfindungsgemäßen Anordnung die Wir- Erfindung, das Randgebiet an jeder gewünschten kungen der die inneren Leiterabschnitte durchfließen- Stelle der dünnen Schicht zu erzeugen, wie zum Beiden Ströme, so daß wegen der Serienschaltung dieser spiel längs seiner Ränder, um Bitspeichergebiete in Leiterabschnitte eine wesentlich geringere Strom- der dünnen Schicht 12 zu definieren. Das interessiestärke ausreicht als bei den bekannten Speicheranord- 20 rende magnetische Element ist dann ein bestimmtes nungen, bei denen lediglich der die Bandleitung Gebiet, das innerhalb der Gesamtfläche der dünnen durchfließende Strom auf die parallel zueinander ge- Schicht 12 abgegrenzt ist.the current of the outer conductor sections opposing the magnetic layer element 12 is limited, more to the direction it flows through several times in one direction (from left to right in the intermediate inner conductor sections in FIG. 1) with the aid of the inner sections 16, 20 Has. As a result, that is also passed through by the outer liner and 24 and is an additive material section generated magnetic field to that of 5 generated magnetic field, which is applied to the thin magnet Inner conductor sections generated 'magnetic film elements 12 is applied. Farther see field opposite, so that these fields will be the current in series between any two such fields in the edge region of the layer element largely inner passages through the outer conductors 18 and cancel and thereby a fairly sharp traced back to the 22 through an area (from right to Area of the layer element limited magnetic field io left in FIG. 1) that lies outside the area that and the interference from stray fields through the edges of the thin magnetic layer is eliminated will. In addition, the energy requirement is element 12 is limited. This electricity generates a to generate a limited magnetic field low-magnetic field, which is part of the additive lean than the one who partially austen to generate an extensive magnetic field in a peripheral area Magnetic field is required. Finally adding 15 clears or reduces. It is also within the scope of the In the arrangement according to the invention, the we-invention, the edge area at each desired to produce effects of the thin layer flowing through the inner conductor sections, as for both Streams, so that because of the series connection this game along its edges to bit storage areas in Conductor sections to define a significantly lower current of the thin layer 12. That strength of interest A certain magnetic element is then sufficient as in the known memory arrangements voltages in which only the strip line area is within the total area of the thin The current flowing through is delimited on the layer 12 which is parallel to one another.

schalteten Leiterabschnitte verteilt wird, so daß die Der Leiter 14 ist über dem ein magnetisches FeldSwitched conductor sections is distributed so that the conductor 14 is above which a magnetic field

benötigte Stromstärke gleich der Summe aller die erzeugenden unteren Leiter 26 angeordnet, der mit Leiterabschnitte durchfließenden Ströme ist. 25 dem Leiter 14 deckungsgleich ist und sich in .einerrequired amperage equal to the sum of all the generating lower conductors 26 arranged with Conductor sections through which currents flow. 25 the conductor 14 is congruent and in .einer

Die Erfindung wird im folgenden an Hand des in tieferen Ebene befindet, die parallel zu der Ebene der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles der Oberfläche des dünnen magnetischen Schichtnäher beschrieben und erläutert. Es zeigt elementes 12 verläuft. Natürlich kann es bei einerThe invention is located below with reference to the deeper plane that is parallel to the plane the embodiment shown in the drawing of the surface of the thin magnetic layer closer described and explained. It shows element 12 runs. Of course it can with one

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine von dünnen ma- anderen Anordnung möglich sein, einen einzelnenFig. 1 is a plan view of one of thin ma- other arrangements may be possible, a single one

gnetischen Schichten Gebrauch machende Anord- 30 Leiter als unteren Leiter 26 zu verwenden. Die bei-Arrangement 30 conductors which make use of magnetic layers can be used as the lower conductor 26. The two

nung nach der Erfindung, den Leiter 14 und 26 sind beide mit Hilfe eines Ver-tion according to the invention, the conductors 14 and 26 are both with the help of a

Fig. 2 einen Querschnitt längs der Linie H-II bindungsgliedes25 zueinander in Serie geschaltet,2 shows a cross section along the line H-II connecting link 25 connected in series with one another,

durch die Anordnung nach F i g. 1 und Infolgedessen führt der andere oder untere Leiter 26by the arrangement according to FIG. 1 and as a result the other or lower conductor 26 leads

Fig. 3 ein Diagramm zur Veranschaulichung des in Serie denselben Strom in derselben Art und Weimagnetischen Feldes bei der Anordnung nach den 35 se, abgesehen davon, daß die Stromrichtung in den Fig. 1 und 2 im Verhältnis zu dem magnetischen einzelnen Leiterabschnitten 28, 30, 32, 34 und 36 Feld, das durch einen bisher üblichen einzigen Leiter entgegengesetzt zu der Stromrichtung in den enterzeugt wird. sprechenden Abschnitten des Leiters 14 ist, wie esFig. 3 is a diagram to illustrate the same current in series in the same manner and magnetic Field in the arrangement according to the 35 se, apart from the fact that the current direction in the 1 and 2 in relation to the magnetic single conductor sections 28, 30, 32, 34 and 36 Field generated in the opposite direction to the current in the de-generated by a single conductor that was customary up to now will. speaking sections of conductor 14 is like it

Bei der in der Zeichnung dargestellten Anord- in F i g. 2 durch die durch Punkte wiedergegebenenIn the arrangement shown in the drawing in FIG. 2 by the ones represented by dots

nung ist eine Vielzahl dünner magnetischer Schicht- 4° Pfeilspitzen und die durch Kreuze wiedergegebenention is a multitude of thin magnetic layers - 4 ° arrowheads and those represented by crosses

elemente 12 nahe genug an einem zur Erzeugung von Pfeilenden veranschaulicht wird. Als Ergebnis wer-elements 12 close enough to one to generate arrow ends is illustrated. As a result

magnetischen Feldern dienenden oberen Leiter 14 und den die additiven magnetischen Felder des Leiters 14Upper conductor 14 serving magnetic fields and the additive magnetic fields of conductor 14

einem magnetische Felder erzeugenden unteren Lei- und des Leiters 26 ebenfalls addiert, wenn sie an dasa magnetic field generating lower conductor and the conductor 26 are also added when they are connected to the

ter 26 angebracht, um mit diesen Leitern magnetisch dünne magnetische Schichtelement 12 angelegt wer-ter 26 attached in order to be applied with these conductors magnetically thin magnetic layer element 12

gekoppelt zu sein. 45 <ten.to be coupled. 45 <th.

Im Betrieb erzeugt der Leiter 14, wenn es einen Im Betrieb wird ein Strom einer Eingangsklemme elektrischen Strom führt, ein magnetisches Feld, das 40 des Leiters 14 zugeführt, die mit dem inneren Aban das dünne magnetische Schichtelement angelegt schnitt 16 verbunden ist. Wenn der Strom nach dem wird, um dessen remanente Magnetisierung zu be- Durchfließen der Abschnitte 16, 18, 20, 22 und 24 einflussen. Im einzelnen besteht der Leiter 14 aus 50 des Leiters 14 das Ende des inneren Abschnittes 24 einer Anzahl von Leitungsabschnitten 16, 18, 20, 22 erreicht, wird er mit Hilfe des Verbindungsgliedes 25 und 24, die parallel zueinander oder Seite an Seite zu dem unteren Leiter 26 hinabgeleitet, der zu dem in einer Ebene vor- und zurücklaufen, die der Ebene Leiter 14 kongruent und deshalb in der Draufsicht benachbart ist, in der die Oberfläche des dünnen nach Fig. 1 nicht sichtbar ist. Der Strom nimmt in magnetischen Schichtelementes 12 liegt. Es versteht 55 dem Leiter 26 den gleichen Weg wie in dem Leiter 14 sich natürlich, daß es kein kritisches Erfordernis für und durchfließt dessen Abschnitte 28, 30, 32, 34 und die einzelnen Leitungsabschnitte ist, in der gleichen 36, bevor er am Ende des inneren Abschnittes 36 zu Ebene zu liegen. Die einzelnen Leitungsabschnitte einer Ausgangsklemme 42 gelangt, die der Eingangssind an ihren Enden zu einer Serienschaltung mitein- klemme 40 gegenübersteht.In operation, the conductor 14 generates a current of an input terminal when it is in operation Electric current carries a magnetic field that is supplied to 40 of the conductor 14, which is connected to the inner Aban the thin magnetic layer element applied section 16 is connected. When the current after the is to flow through the sections 16, 18, 20, 22 and 24 its remanent magnetization influence. In detail, the conductor 14 consists of 50 of the conductor 14 the end of the inner section 24 a number of line sections 16, 18, 20, 22, it is reached with the aid of the connecting member 25 and 24 descending parallel to each other or side by side to the lower conductor 26 leading to the run back and forth in a plane that is congruent to the plane conductor 14 and therefore in plan view is adjacent, in which the surface of the thin according to Fig. 1 is not visible. The current takes in magnetic layer element 12 is located. It understands 55 the conductor 26 the same way as in the conductor 14 Obviously, there is no critical requirement for and flowing through sections 28, 30, 32, 34 and the individual line sections is in the same 36 before coming to the end of the inner section 36 too To lie flat. The individual line sections of an output terminal 42, which are the input is opposite at its ends to form a series circuit with one terminal 40.

ander verbunden, so daß derselbe Strom in Serie 60 Der Strom führt somit insgesamt sechs innere durch jeden Leitungsabschnitt in einer ausgewählten Durchgänge durch ein Gebiet aus, das durch die beiReihenfolge hindurchfließt. den Oberflächen des dünnen magnetischen Schicht-connected to the other, so that the same stream in series 60. The stream thus carries a total of six inner ones through each line section in selected passages through an area defined by the in order flows through it. the surfaces of the thin magnetic layer

Die einzelnen Abschnitte des Leiters 14 sind so elementes 12 definiert ist, und erzeugt ein additivesThe individual sections of the conductor 14 are so element 12 is defined, and creates an additive

angebracht, daß ein elektrischer Strom, der einem magnetisches Feld, das mit dem Element gekoppeltattached to an electric current carrying a magnetic field coupled to the element

Eingangsende des Leiters zugeführt wird, nahe der 65 ist. Die vier äußeren Stromdurchgänge erzeugen ma-Input end of the conductor is fed near the 65 is. The four outer current passages generate ma-

Oberfläche eines jeden dünnen Schichtelementes 12 gnetische Felder, die entgegengesetzt zu dem addi-Surface of each thin layer element 12 magnetic fields, which are opposite to the addi-

durch ein Gebiet oder einen Raum, das bzw. der tiven Feld gerichtet sind, das durch die innerenthrough an area or space which is directed through the tive field, which is directed by the inner

durch die Ränder oder die Oberfläche des dünnen Stromdurchgänge in derselben Ebene erzeugt wird,is generated by the edges or the surface of the thin current passages in the same plane,

und das Bestreben haben, einen Teil des magneti- Strombedarfes des oben beschriebenen Leiters ist es sehen Feldes in dem.Randgebiet aufzuheben. Natur- möglich, wirtschaftliche Halbleiter-Stromquellen, wie •lieh ergibt sich eine andere Anzahl von Stromdurch- z. B. integrierte Schaltungsteile, zu verwenden,and strive to have part of the magneti-current requirement of the conductor described above is it see field in the border area. Naturally possible, economical semiconductor power sources, such as • loan results in a different number of current through- z. B. integrated circuit parts to be used,

gangen, wenn eine andere Anzahl von Leiterabschnit- Es wurde eine von dünnen Schichten Gebrauchwent when a different number of conductor sections- One of thin layers was used

ten vorgesehen wird. 5 machende Vorrichtung nach den Fig. 1 und 2 mitth is provided. 5 making device according to FIGS. 1 and 2 with

Ein typisches Beispiel für die magnetische Feld- den folgenden Abmessungen und den folgenden Mastärke H, die durch den obigen Vorgang erzeugt und terialien hergestellt und geprüft. Das magnetische mit der das dünne magnetische Schichtelement 12 dünne Schichtelement 12 bestand aus 81 Gewichtsbeaufschlagt wird, wird durch die ausgezogene Kurve prozent Nickel und 19 Gewichtsprozent Eisen und in dem Diagramm nach Fig. 3 veranschaulicht. Auf io bildete einen Film von 1000 Ä Dicke. Es hatte eine der vertikalen Achse des Diagramms ist die magne- Länge von etwa 1,5 mm und eine Breite von etwa tische Feldstärke H der parallel zur Ebene des dün- 0,75 mm. Die dünne magnetische Schicht war auf nen Schichtelementes 12 verlaufenden Komponente einem Träger 54 aus Glas angebracht, wie z. B. ein des mit Hilfe der Leiterabschnitte erzeugten Magnet- Alkali-Zink-Borsilikatglas. Der Träger war ungefähr feldes aufgetragen. Auf der horizontalen Achse sind 15 0,15 mm dick. Die Leiter 14 und 26 bestanden aus die körperlichen Dimensionen der Schaltungsteile in Kupfer von 0,025 mm Dicke und waren durch einer Ebene, die der Schnittebene nach Fig. 4 ent- Drucken oder Ätzen auf Trägerfolien 56 und 58 aufspricht, dargestellt. Dementsprechend sind die Ab- gebracht, die aus einem gehärteten, glasfaserverstärkschnitte 16 bis 24 des Leiters 14, die Abschnitte 30 ten Epoxydharz bestanden. Jeder der einzelnen Leibis 36 des Leiters 26 und das dünne magnetische ao terabschnitte 16 bis 24 und 28 bis 36 war ungefähr Schichtelement 12 über und unter der horizontalen 0,15 mm breit und von dem benachbarten Abschnitt Achse eingezeichnet Demnach wird bei einem Strom durch einen Zwischenraum von etwa 0,15 mm Breite der Stärke / von den inneren Leiterabschnitten ein getrennt. Um den Leiter 14 von dem dünnen magnemagnetisches Feld mit einer Durchschnittsfeld- tischen Schichtelement 12 elektrisch zu isolieren und stärke H = X erzeugt und dem dünnen magneti- 25 die einzelnen Schichten miteinander zu verbinden, ■sehen Schichtelement 12 zugeführt. Die äußeren Lei- wurden 0,025 mm dicke Schichten 60 und 62 aus terabschnitte haben die Neigung, die magnetische nicht gehärtetem, glasfaserverstärktem Epoxydharz Feldstärke H in dem Randgebiet zu vermindern, wo- zwischen dem dünnen magnetischen Schichtelement durch die magnetische Feldstärke in dem Raum zwi- 12 und dem Leiter 14 sowie zwischen dem Leiter 26 .sehen den beiden einander zugeordneten äußeren 30 und dem Träger 54 angebracht. Bei der Endmontage Leiterabschnitten umgekehrt wird, dann wieder leicht wurden die vereinigten Schichten zusammengepreßt positiv wird und endlich asymptotisch gegen Null und Wärme ausgesetzt, so daß die Schichten 60 und geht. Zusätzlich wird das magnetische Feld in den 62 gehärtet wurden und den gesamten Aufbau mit-Randgebieten über dem oberen Leiter 14 und unter einander verbanden. Im Betrieb wurde ein Strom dem unteren Leiter 26 durch das entgegengesetzte 35 zwischen 170 mA und 200 mA mit einer Anstiegsund kompensierende Feld wesentlich vermindert. zeit von 60 ns an die Eingangs- und Ausgangsklem-A typical example of the magnetic field - the following dimensions and the following mast thickness H produced by the above process and materials manufactured and tested. The magnetic with which the thin magnetic layer element 12 thin layer element 12 consisted of 81 weight is applied, is illustrated by the solid curve percent nickel and 19 percent by weight iron and in the diagram of FIG. On io formed a film 1000 Å thick. It had one of the vertical axes of the diagram is the magne- length of about 1.5 mm and a width of about the field strength H which is parallel to the plane of the thin- 0.75 mm. The thin magnetic layer was attached to a support 54 made of glass on a component extending from the layer element 12, such as, for. B. one of the magnet-alkali-zinc-borosilicate glass produced with the help of the conductor sections. The carrier was applied approximately across the field. On the horizontal axis, 15 are 0.15 mm thick. The conductors 14 and 26 consisted of the physical dimensions of the circuit parts in copper 0.025 mm thick and were represented by a plane corresponding to the sectional plane according to FIG. 4, printing or etching on carrier foils 56 and 58. Correspondingly, the abutments, which consisted of a hardened, glass fiber reinforced section 16 to 24 of the conductor 14, the sections 30 th epoxy resin. Each of the individual bodies 36 of the conductor 26 and the thin magnetic ao ter sections 16 to 24 and 28 to 36 was approximately layer element 12 above and below the horizontal 0.15 mm wide and drawn from the adjacent section axis by about 0.15 mm width of the thickness / separated from the inner conductor sections. In order to electrically isolate the conductor 14 from the thin magnetic field with an average field table layer element 12 and to generate a strength H = X and to connect the individual layers to the thin magnetic field, the layer element 12 is supplied. The outer conductor layers 60 and 62 with a thickness of 0.025 mm have a tendency to reduce the magnetic, non-hardened, glass fiber reinforced epoxy resin field strength H in the edge area, between the thin magnetic layer element due to the magnetic field strength in the space between and the conductor 14 as well as between the conductor 26 .see the two mutually associated outer 30 and the carrier 54 attached. During final assembly, conductor sections are reversed, then again slightly the combined layers were pressed together becoming positive and finally asymptotically exposed to zero and heat, so that the layers 60 and goes. Additionally, the magnetic field in Figure 62 has hardened and bonded the entire structure with fringes over the top conductor 14 and below one another. In operation, a current on the lower conductor 26 through the opposite 35 was substantially reduced between 170 mA and 200 mA with a rising and compensating field. time of 60 ns to the input and output terminal

Wenn ein einziger Leiter, der die Abschnitte 46 men angelegt, worauf eine Drehung der remanentenIf there is a single conductor attached to the sections 46, a rotation of the remanent

und 48 umfaßt, die durch die gestrichelten Linien in Magnetisierung festgestellt wurde.and 48 identified by the dashed lines in magnetization.

Fig. 3 veranschaulicht sind, verwendet würde, wäre Es versteht sich natürlich, daß die obengenanntenFig. 3 would be used, it would be understood, of course, that the above

eine Stromstärke von 3 / nötig, um ein magnetisches 40 Dimensionen, Werkstoffe und die Arbeitsparametera current of 3 / necessary to a magnetic 40 dimensions, materials and the working parameters

Feld zu erzeugen, das graphisch durch die gestrichelte nur für einen als Beispiel hergestellten und unter-To generate the field, which is graphically represented by the dashed line only for an example produced and under-

Kurve dargestellt wird. Als Ergebnis würde dieselbe suchten Aufbau gelten und nicht in einem begren-Curve is displayed. As a result, the same set-up would apply and not in a limited

magnetische Feldstärke H = X in dem dünnen ma- zenden Sinn für die Merkmale der Erfindung aufzu-magnetic field strength H = X in the thin mazing sense for the features of the invention

gnetischen Schichtelement erzeugt werden, während fassen sind.gnetic layer element are generated while grasp are.

die Stärke des magnetischen Feldes in dem Rand- 45 Bei der Verwendung als digitale Speichereinheitthe strength of the magnetic field in the edge 45 When used as a digital storage unit

gebiet wesentlich höher sein würde als in der vorher erstrecken sich die Leiter 14 und 26 nach Fig. 1 imarea would be much higher than in the previous, the conductors 14 and 26 of FIG. 1 in the

beschriebenen Vorrichtung, die die Merkmale der allgemeinen parallel zu einer Anisotropieachse desdescribed device, the features of the general parallel to an anisotropy axis of the

Erfindung aufweist. Schichtelementes und erzeugen ein magnetischesInvention having. Layer element and generate a magnetic

Einige Vorteile, die durch die Ausführungsform Querfeld. Diese Leiter können dann als WortleiterSome advantages of the cross-field embodiment. These conductors can then be used as word conductors

nach den Fig. 1 und 2 erzielt werden, bestehen 50 betrachtet werden. Das magnetische Querfeld dreht1 and 2, consist 50 are considered. The transverse magnetic field rotates

darin, daß ein magnetisches Feld, das eine ausrei- die remanente Magnetisierung M aus der Achse derin that a magnetic field that has sufficient remanent magnetization M from the axis of the

chende Stärke hat, um die uniaxialen anisotropen Anisotropie heraus. Eine Bitleitung 72, die in F i g. 1has sufficient strength to make the uniaxial anisotropic anisotropy out. A bit line 72 shown in FIG. 1

Eigenschaften des dünnen magnetischen Schicht- strichpunktiert angedeutet ist, erstreckt sich quer zurProperties of the thin magnetic layer- indicated by dash-dotted lines, extends transversely to

elementes 12 zu beeinflussen, von einem relativ nied- Anisotropieachse und erzeugt zur AnisotropieachseTo influence element 12, from a relatively low anisotropy axis and generated to the anisotropy axis

rigen Strom erzeugt wird. Zusätzlich wird derselbe 55 parallele magnetische Felder, die bestimmen, ob dasrigen electricity is generated. In addition, the same 55 parallel magnetic fields that determine whether the

niedrige Strom des Leiters auch dazu verwendet, die Speicherelement den Zustand für eine Null oder eineThe low current of the conductor is also used to make the storage element state for a zero or a

magnetische Feldstärke H in den Randgebieten des Eins annimmt.magnetic field strength H in the peripheral areas of the one assumes.

magnetischen Feldes wesentlich zu vermindern, und Dieselbe Bitleitung 72 kann auch als LeseleitungThe same bit line 72 can also be used as a read line

zwar wesentlich unter die magnetische Feldstärke verwendet werden, wenn die Speicherzellen abgefragtalthough significantly below the magnetic field strength used when the memory cells are interrogated

vergleichbarer magnetischer Felder, die mit anderen 60 werden. Wenn die Wortleiter 14 und 26 ein magne-comparable magnetic fields that turn 60 with others. If the word conductors 14 and 26 are a magnetic

Mitteln erzeugt werden. Infolgedessen ist es möglich, tisches Querlesefeld erzeugen, um die gespeicherteFunds are generated. As a result, it is possible to generate the cross reading field to the saved

weitere Reihen oder Spalten dünner magnetischer remanente Magnetisierung M zu drehen, wird in derTo rotate further rows or columns of thinner magnetic remanent magnetization M is in the

Schichtelemente 12 relativ dicht an anderen Reihen Leseleitung ein elektrisches Signal induziert. Die Po-Layer elements 12 induced an electrical signal relatively close to other rows of reading lines. The Po

oder Spalten anzuordnen und mehrere Schichten von larität dieses induzierten elektrischen Signals ent-or to arrange columns and create several layers of larity of this induced electrical signal.

Speicherelementen aufzustapeln, ohne daß wesent- 65 spricht der Richtung, in die die remanente Magneti-Stacking storage elements without any significant indications of the direction in which the remanent magnetic

liche Schwierigkeiten durch ein magnetisches Krie- sierungM zeigte, als sie gedreht wurde. Daher kannshowed some difficulties from a magnetic creepingM when it was rotated. Hence can

chen infolge eines wiederholten Abfragens benach- festgestellt werden, ob der Speicherzustand einerChen as a result of repeated interrogation next to be determined whether the memory status of a

barter Elemente auftreten. Als Ergebnis des niedrigen digitalen Null oder einer digitalen Eins existiert, in-beard elements occur. As a result of the low digital zero or a digital one there exists, in-

dem die Polarität der induzierten Lesesignale ermittelt wird.which determines the polarity of the induced read signals will.

In der vorstehend beschriebenen Anordnung war die magnetische Schicht dünn genug, um unter dem Einfluß eines Querfeldes und eines Bitfeldes ein Rotationsschalten auszuführen. Bei anderen Ausführungsformen der Erfindung kann das Speichern und Schalten auch in Schichten verschiedener anderer Dicken erfolgen, die zum Schalten nur die Anwendung eines Bitschaltfeldes genügender Stärke bedürfen, um die Koerzitivkraft Hc des Materials zu überwinden. Das Prinzip der Erfindung ist weiterhin auch auf magnetische Filme oder Medien anwendbar, die isotrope Eigenschaften haben und bei denen die Koerzitivkraft H0 des magnetischen Materials ebenfalls mit koinzidenten Feldern zum SchaltenIn the arrangement described above, the magnetic layer was thin enough to perform rotary switching under the influence of a transverse field and a bit field. In other embodiments of the invention, the storage and switching can also take place in layers of various other thicknesses which, for switching, only require the use of a bit switch field of sufficient strength to overcome the coercive force H c of the material. The principle of the invention can also be applied to magnetic films or media that have isotropic properties and in which the coercive force H 0 of the magnetic material also has coincident fields for switching

überwunden werden kann. Auch sind die Prinzipien der Erfindung nicht auf einzelne Elemente dünner Schichten für jedes Bit oder strukturell getrennte magnetische Punkte begrenzt, weil es möglich sein kann, die Prinzipien der Erfindung bei anderen geeigneten Formen von dünnen magnetischen Schichten zu verwenden, wie z. B. bei Bändern oder Folien aus magnetischen Schichten, bei denen die Vorteile der magnetischen Isolation besonders nützlich sein würden, um die magnetischen Bereiche daran zu hindern, sich auszubreiten. Mit anderen Worten könnte jedes magnetische Element in Wirklichkeit ein Bereich aus einer Vielzahl von bestimmten elementaren Bereichen in einem größeren Gebiet sein, das beispielsweise von einem Band aus einer mit magnetischem Material beschichteten Folie gebildet wird.can be overcome. Nor are the principles of the invention thinner on individual elements Layers for each bit or structurally separate magnetic points are limited because it can be can apply the principles of the invention to other suitable forms of thin magnetic layers to use such as B. for tapes or foils made of magnetic layers, where the advantages magnetic isolation would be particularly useful to prevent the magnetic areas from to spread out. In other words, each magnetic element could actually be an area be from a multitude of certain elementary areas in a larger area, for example is formed by a tape made of a film coated with magnetic material.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 209 528/4571 sheet of drawings 209 528/457

Claims (4)

1 2 Oberfläche der Schichtelemente an einer oder an bei- PatentansDrüche· ^en Oberflächen entlanggeführt sind und von denen ' wenigstens eine im Bereich der Schichtelemente aus einer Anzahl parallel zueinander verlaufender Leiter-1 2 surface of the layer elements are guided along one or both surfaces and of which at least one in the area of the layer elements consists of a number of conductors running parallel to one another 1. Magnetische Speicheranordnung, insbeson- 5 abschnitte besteht, von denen innere Leiterabschnitte dere orthogonal angesteuerte Speicheranordnung, die Schichtelemente und zu beiden Seiten der inneren mit einem oder mehreren, in Reihen und Spalten Leiterabschnitte angeordnete äußere Leiterabschnitte angeordneten Speicherelementen in Form dünner außerhalb der Grenzen der magnetischen Schichtelemagnetischer Schichtelemente und mit der Erzeu- mente liegende Gebiete kreuzen.1. Magnetic storage arrangement, in particular there are 5 sections, of which inner conductor sections their orthogonally controlled memory arrangement, the layer elements and on both sides of the inner one with one or more outer conductor sections arranged in rows and columns of conductor sections arranged memory elements in the form of thinner outside the boundaries of the magnetic layerelemagnetischer Layer elements and areas with the Erzeum cross. gung magnetischer Koppelfelder dienenden io Es ist bekannt, Treibleitungen für magnetische Treibleitungen, die parallel zur Oberfläche der Schichtelemente als Bandleitungen auszubilden, die Schichtelemente an einer oder an beiden Ober- in der Umgebung des Bereiches jedes Schichtelemenflächen entlanggeführt sind und von denen we- tes Längsschlitze aufweisen, welche die Bandleitung nigstens eine im Bereich der Schichtelemente aus in eine Anzahl paralleler Leiterabschnitte untereiner Anzahl parallel zueinander verlaufender 15 teilen, die auch alle parallel zueinander geschaltet Leiterabschnitte besteht, von denen innere Lei- sind. Durch diese Maßnahme sollen die in solchen terabschnitte die Schichtelemente und zu beiden Bandleitungen bei den Schaltvorgängen infolge der Seiten der inneren Leiterabschnitte angeordnete sich ändernden Magnetfelder auftretenden Wirbeläußere Leiterabschnitte außerhalb der Grenzen ströme reduziert werden. Auf den Verlauf und die der magnetischen Schichtelemente liegende Ge- 20 Stärke des von der Bandleitung zur Steuerung des biete kreuzen, dadurch gekennzeich- Schichtelementes erzeugten Magnetfeldes hat die net, daß die inneren und äußeren Leiterab- Unterteilung des Bandleiters in eine Anzahl parallel schnitte derart in Serie geschaltet sind und da- verlaufender und auch parallel geschalteter Leiterdurch in einer solchen Richtung von dem glei- abschnitte keinen Einfluß.supply of magnetic coupling fields serving io It is known to drive lines for magnetic Driveline lines that are parallel to the surface of the layer elements as ribbon lines that Layer elements on one or both upper surfaces in the vicinity of the area of each layer element surface are guided along and of which we tes have longitudinal slots, which the ribbon line At least one in the area of the layer elements into a number of parallel conductor sections below one another Number of parts running parallel to one another 15, which are also all connected in parallel to one another Ladder sections consists, of which inner Lei- are. Through this measure, the in such sub-sections the layer elements and to both ribbon lines during the switching operations as a result of the Sides of the inner conductor sections arranged changing magnetic fields occurring vortices outer conductor sections outside the limits currents are reduced. On the course and the of the magnetic layer elements lying 20 Strength of the tape line to control the offer cross, thereby marked-layer element generated magnetic field has the net that the inner and outer conductor divisions subdivide the strip conductor into a number in parallel cuts are connected in series in this way and there are conductors that run through them and are also connected in parallel in such a direction of the same section no influence. chen Strom durchflossen werden, daß die inneren 25 Dünne magnetische Schichtelemente haben den Leiterabschnitte (16, 20, 24 und 28, 32, 36) ein Vorteil, daß sie einen nur geringen Bedarf an Schaltadditives magnetische Feld einer bestimmten Rieh- und Abfrageleistungen haben. Trotzdem wird jedoch tung, mit dem das magnetische Schichtelement zum Schalten der Schichtelemente mit Hilfe der be-(12) beaufschlagt wird, und die äußeren Leiter- kannten Bandleitungen noch immer ein Strom erabschnitte (18, 22 und 30, 34) kompensierender 30 heblicher Stärke benötigt. Außerdem besteht bei Speimagnetische Felder entgegengesetzter Richtung cheranordnungen mit solchen magnetischen Schichterzeugen, die die magnetische Feldstärke in den elementen die Schwierigkeit, daß die Streufelder an Randgebieten des additiven magnetischen Feldes den Rändern der Bandleitungen über den Bereich schwächen. des Schichtelementes hinausgehen und erheblicheChen current are flowing through that the inner 25 thin magnetic layer elements have the Conductor sections (16, 20, 24 and 28, 32, 36) an advantage that they only have a small need for switching additives magnetic field of a certain Rieh- and interrogation powers have. Still, however device with which the magnetic layer element for switching the layer elements with the help of the (12) is acted upon, and the outer conductors knew ribbon lines still a current cut (18, 22 and 30, 34) compensating 30 considerable strength is required. In addition, there is a Speimagnetische Fields in opposite directions generate arrays with magnetic layers of this type, the the magnetic field strength in the elements the difficulty that the stray fields Edge areas of the additive magnetic field the edges of the ribbon lines over the area weaknesses. of the layer element go beyond and considerable 2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, da- 35 Störungen beim Betrieb von aus solchen Schichteledurch gekennzeichnet, daß an einer Oberfläche menten aufgebauten magnetischen Speicheranorddes Schichtelementes (12) drei innere Leiter- nungen verursachen können. Insbesondere können abschnitte (16, 20, 24) und zwei äußere Leiter- die Schichtelemente, wenn sie von in bestimmter abschnitte (18, 22) angeordnet sind und jeweils Weise magnetisierten Bereichen in größeren magneein äußererer Leiterabschnitt (18 bzw. 22j zwi- 40 tischen Schichten gebildet werden, durch wiederholte sehen den mittleren inneren Leiterabschnitt (20) Schaltvorgänge zu einem Wandern quer zu der Band- und den ihm benachbarten äußeren Leiterab- leitung veranlaßt werden.2. Memory arrangement according to claim 1, there being 35 interference in the operation of such layers characterized in that magnetic storage devices built up on a surface Layer element (12) can cause three internal conductors. In particular, can sections (16, 20, 24) and two outer conductors - the layer elements, if they are of in certain Sections (18, 22) are arranged and each way magnetized areas in larger magneein outer conductor section (18 or 22j between layers are formed by repeated see the middle inner conductor section (20) switching operations to a wandering across the ribbon and the outer conductor lead adjacent to it. schnitt (16 bzw. 24) in Serie geschaltet ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diecut (16 or 24) is connected in series. The invention is based on the object 3. Speicheranordnung nach Anspruch 1 oder 2, bisher durch die Streufelder an den Rändern der ( : dadurch gekennzeichnet, daß die inneren ^und 45 Bandleitungen verursachten Störungen zu vermeiden äußeren Leiterabschnitte zwei deckungsgleiche und eine magnetische Speicheranordnung zu schaffen, Gruppen (16 bis 24 und 28 bis 36) bilden, bei der zwischen den einzelnen Schichtelementen von denen je eine an einer der beiden Oberflächen eine hohe magnetische Isolation besteht, so daß des Schichtelementes (12) angeordnet ist und die die Schichtelemente sehr dicht beieinander angeordbeide in Serie geschaltet sind. 50 net werden können und daher eine hohe Speicher-3. Storage arrangement according to claim 1 or 2, so far by the stray fields at the edges of the ( : characterized in that the inner ^ and 45 ribbon lines avoid causing interference outer conductor sections to create two congruent and one magnetic storage arrangement, Form groups (16 to 24 and 28 to 36) between the individual layer elements each of which has a high magnetic isolation on one of the two surfaces, so that of the layer element (12) is arranged and the layer elements are arranged very close to one another are connected in series. 50 net and therefore a high storage capacity 4. Speicheranordnung nach einem der vor- kapazität pro Volumeinheit erreicht werden kann,
hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch daß das magnetische Schichtelement (12) in an gelöst, daß die inneren und äußeren Leiterabschnitte sich bekannter Weise uniaxiale anisotrope Eigen- derart in Serie geschaltet sind und dadurch in einer schäften aufweist. 55 solchen Richtung von dem gleichen Strom durchflossen werden, daß die inneren Leiterabschnitte ein additives magnetisches Feld einer bestimmten4. Storage arrangement according to one of the pre-capacity per volume unit can be achieved,
The preceding claims, characterized in that this object is achieved according to the invention in that the magnetic layer element (12) is achieved in that the inner and outer conductor sections are uniaxial anisotropic properties connected in series in a known manner and thereby have shafts. 55 are traversed by the same current in such a direction that the inner conductor sections create an additive magnetic field of a certain Richtung, mit dem das magnetische SchichtelementDirection with which the magnetic layer element beaufschlagt wird, und die äußeren Leiterabschnitte 60 kompensierende magnetische Felder entgegengesetzter Richtung, die die magnetische Feldstärke in denis applied, and the outer conductor sections 60 compensating magnetic fields opposite Direction that the magnetic field strength in the Die Erfindung bezieht sich auf eine magnetische Randgebieten des additiven magnetischen Feldes Speicheranordnung, insbesondere orthogonal ange- schwächen.The invention relates to magnetic marginal areas of the additive magnetic field Memory arrangement, especially orthogonally weakened. steuerte Speicheranordnung, mit einem oder mehre- Bei der erfindungsgemäßen Speicheranordnungcontrolled memory arrangement, with one or more- In the memory arrangement according to the invention ren, in Reihen und Spalten angeordneten Speicher- 65 sind also die im Bereich eines Schichtelementes parelementen in Form dünner magnetischer Schicht- allel zueinander angeordneten Leiterabschnitte nicht elemente und mit der Erzeugung magnetischer Kop- wie bei den bekannten Anordnungen parallel, sonpelfelder dienenden Treibleitungen, die parallel zur dem in Serie geschaltet, und zwar in der Weise, daßThe memory 65 arranged in rows and columns are therefore the parelements in the area of a layer element in the form of thin magnetic layer alleles arranged in relation to one another conductor sections are not elements and with the generation of magnetic Kop- as in the known arrangements parallel, sonpelfelder Serving drivetrains, which are connected in parallel to the series, in such a way that
DE19661499672 1965-10-06 1966-09-29 Magnetic storage arrangement with one or more storage elements in the form of thin magnetic layer elements Expired DE1499672C (en)

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