DE1474481C3

DE1474481C3 - Memory working according to the principle of coincidence

Info

Publication number: DE1474481C3
Application number: DE19651474481
Authority: DE
Inventors: Peter 8000 Muenchen Elsner
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1965-06-22
Filing date: 1965-06-22
Publication date: 1975-07-17
Also published as: DE1474481B2; GB1111353A; DE1474481A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Speicher, ₍ die nach dem Koinzidenzprinzip arbeiten. Derartige Speicher sind an sich seit langem bekannt. Bei dem be-/ kanntesten Fall eines Koinzidenzspeichers werden als Speicherelemente Magnetringkerne verwendet. Die Magnetringkerne sind dabei nach Art einer Matrix, d. h. in Zeilen und Spalten angeorndet. Jeder der Magnetkerne einer solchen Matrix ist zum Zwecke der Ansteuerung zunächst mit einer Zeilen- und einer Spaltenleitung verbunden. Bei mehrdimensionalen Speichern sind im allgemeinen jeweils entsprechende Zeilen- und Spaltenleitungen aller Matrixebenen in Reihe geschaltet. Außerdem ist jeder Kern mit einer allen Magnetkernen einer Matrixebene gemeinsamen Inhibit- oder Informationsleitung verbunden. Mit Hilfe dieser Leitung wird jeweils bestimmt, weiche Information in einen durch die Ansteuerung einer bestimmten Zeilen- und einer bestimmten Spaltenleitung ausgewählten Magnetkern eingeschrieben werden soll. Um die in einem Magnetkern gespeicherte Information lesen zu können, sind außerdem sämtliche Magnetkerne einer Matrixebene mit einer Leseleitung verbunden. Infolge der Vielzahl der mit den Magnetkernen verketteten Leitungen ergeben sich jedoch aufwendige und komplizierte Flechtmuster. Weiterhin ist bei diesen Anordnungen nachteilig, daß bei sehr kleinen Magnetkernen relativ dünne Drähte verwendet werden müssen und somit in der Inhibitleitung eine hohe Verlustleistung und somit große Wärmeentwicklung entsteht. Außerdem ergibt sich für die Leseleitung ein hoher Generatorinnenwiderstand und somit eine geringe Energieausbeute, was andererseits wiederum einen erheblichen Aufwand an Leseverstärkern mit sich bringt. Allgemein kann man sagen, daß bei den üblichen nach dem Koinzidenzprinzip arbeitenden Speichern bei großen Speicherkapazitäten der größte Teil der Kosten im Speicherblock selbst liegt und die Kosten für die Ansteuermittel demgegenüber meist gering sind. Die Gesamtkosten könnten nur noch durch Senkung der Kosten für die Magnetkerne selbst sowie durch billigere — unter Umständen automatische — Flechtverfahren wesentlich gesenkt werden.The present invention relates to memories ₍ which operate according to the coincidence principle. Such memories have been known per se for a long time. In the best-known case of a coincidence memory, ring magnetic cores are used as memory elements. The ring magnetic cores are in the manner of a matrix, ie in Each of the magnetic cores of such a matrix is initially connected to a row and a column line for control purposes. In multi-dimensional memories, corresponding row and column lines of all matrix levels are generally connected in series This line is used to determine which information is to be written into a magnetic core selected by controlling a specific row and a specific column line To be able to read secure information, all magnetic cores of a matrix level are also connected to a read line. As a result of the large number of lines linked to the magnetic cores, however, there are complex and complex braided patterns. A further disadvantage of these arrangements is that with very small magnetic cores, relatively thin wires have to be used and thus a high power loss and thus a large amount of heat develop in the inhibit line. In addition, there is a high internal generator resistance for the read line and thus a low energy yield, which, on the other hand, entails considerable expenditure on read amplifiers. In general, it can be said that in the case of the usual memories operating according to the coincidence principle with large memory capacities, the majority of the costs lie in the memory block itself and the costs for the control means are, in contrast, mostly low. The total costs could only be reduced significantly by lowering the costs for the magnetic cores themselves and by cheaper - possibly automatic - braiding processes.

Es sind auch schon Speicheranordnungen bekannt, bei denen jeder Magretkern nur mit einer Zeilen- undThere are already memory arrangements known in which each Magretkern only with a line and

einer Spaltenleitung verbunden ist. Zum Abfühlen und Weiterleiten des beim Lesen einer gespeicherten Information auftretenden Signals ist z. B. bei der Anordnung nach dem französischen Patent 1 345 177, insbesondere Fig. 8, jede Spaltenleitung sowohl an ihrem Anfang als auch an ihrem Ende mit einem Widerstand in Reihe geschaltet und jeweils am Verbindungspunkt vom Widerstand am Anfang einer Spaltenleitung, und der Spaltenleitung selbst ist eine Diode angeschlossen, die andererseits gemeinsam mit den anderen Dioden der anderen Spaltenleitungen mit einer außerhalb der Matrix angeordneten zu dem Leseverstärker führenden Ausgangsleitung verbunden ist. Zwischen diese Ausgangsleitung und Masse ist außerdem noch ein Lastwiderstand 27 eingeschaltet Daraus ersieht man, daß mit dieser Lösung zwar der Lesedraht im Innern der Matrixanordnung eingespart wird, dieser Einsparung jedoch ein erheblicher Aufwand an Widerständen und Dioden in der Matrixanordnung gegenübersteht.a column line is connected. For sensing and forwarding the information stored when reading occurring signal is z. B. in the arrangement according to French Patent 1,345,177, in particular Fig. 8, each column line at both its beginning and its end with a resistor in series switched and each at the connection point from the resistor at the beginning of a column line, and the Column line itself is connected to a diode which, on the other hand, is shared with the other diodes of the other column lines with one arranged outside the matrix leading to the sense amplifier Output line is connected. There is also a load resistor between this output line and ground 27 switched on From this one can see that with this solution, although the reading wire inside the Matrix arrangement is saved, this saving, however, a considerable expense in resistors and Diodes facing in the matrix arrangement.

Speicheranordnungen, bei denen kein gesonderter Draht zum Lesen gespeicherter Informationen notwendig ist, sind auch aus den belgischen Patentschriften 634 786 und 634 787 bekanntgeworden.Storage arrangements that do not require a separate wire to read stored information are also known from Belgian patents 634 786 and 634 787.

Diese Speicheranordnungen arbeiten jedoch nicht mit der Koinzidenz sogenannter Halbstöme auf den mit den Kernen verknüften Leitungen.However, these memory arrangements do not work with the coincidence of so-called half currents on the lines associated with the cores.

Jedem Speicherelement sind zwei Dioden zugeordnet, von denen je nach Ansteuerung beim Lesen oder Schreiben eine durchlässig gesteuert wird, damit eine Erregung des ausgewählten Speicherelementes mit dem vollen zur Ummagnetisierung erforderlichen Strom ermöglicht. Ein Nachteil dieser Speicheranordnung liegt darin, daß für jedes Speicherelement noch zusätzlich innerhalb der Matrix zwei Entkopplungsdioden erforderlich sind. Für Speicheranordnungen großer Speicherkapazität bringt dies einen großen Aufwand an Bauelementen mit sich.Two diodes are assigned to each memory element, of which, depending on the control, when reading or Writing a permeable is controlled so that an excitation of the selected storage element with the full required for magnetization reversal Electricity enables. A disadvantage of this memory arrangement is that for each memory element In addition, two decoupling diodes are required within the matrix. For large storage arrangements Storage capacity, this entails a great expense in terms of components.

Aus dem deutschen Bundespatent 1 056 396 ergibt sich, daß sowohl beim Lesen als auch beim Schreiben die Auswahl eines von zwei Speicherelementen, die auf einem gemeinsam erregten Doppelleitungspaar in einer Koordinatenrichtung liegen, durch die Wahl der Polarität der Ansteuerimpulse in einer der beiden Koordinatenrichtungen erfolgt Die einem Doppelleitungspaar zugeordneten Speicherelemente werden dabei in entgegengesetzter Richtung vom Strojn durchflossen. Bei dieser Speicheranordnung ist zur Erzeugung der Lesesignale jedoch ein gesonderter Lesedraht erforderlich.The German federal patent 1 056 396 shows that both when reading and when writing the selection of one of two storage elements, which are on a jointly excited pair of wires in one coordinate direction, by choosing the polarity of the control pulses in one of the two Coordinate directions takes place The storage elements assigned to a double wire pair are thereby flowed through in the opposite direction by the Strojn. In this memory arrangement is for generation For the read signals, however, a separate read wire is required.

Ferner ist für einen Matrixspeicher, bei dem mit jedem bistabilen Speicherelement nur eine Spaltenleitung und eine Zeilenleitung verknüpft ist, bereits vorgeschlagen worden, jeweils zwei Zeilen- bzw. Spaltenleitungen zu Zeilen- bzw. Spaltenleitungspaaren zusammenzuschalten, nur jeweils in einem der beiden Kreuzungspunkte von einem Zeilen- bzw. Spaltenleitungspaar und einer Spalten- bzw. Zeilenleitung ein magnetisierbares Elemeat anzuordnen und zur Trennung des dem Ansteuersignal überlagerten Lesesignales die beiden Zeilen- bzw. Spaltenleitungen der Zeilen- bzw. Spaltenpaare mit den Eingängen einer Kompensationsschaltung zu verbinden, in der sich die Halbauswahlimpulse von zwei gleichzeitig aufgerufenen Zeilen- bzw. Spaltenleitungen kompensieren (DT-PS 1 449 806).Furthermore, for a matrix memory in which with each bistable memory element only a column line and a row line is linked, already proposed have been to interconnect two row or column lines to form row or column line pairs, only in one of the two crossing points of a row or column line pair and a column or row line to arrange a magnetizable element and to separate the the read signal superimposed on the control signal, the two row or column lines of the row or To connect pairs of columns to the inputs of a compensation circuit in which the half-selection pulses compensate for two simultaneously called row or column lines (DT-PS 1 449 806).

Dadurch, daß ein magnetisierbares Element nur jeweils an einem der beiden Kreuzungspunkte angeordnet ist, ergibt sich erstens der Nachteil, daß eine solche Speicheranordnung räumlich größer ist, da in jeder Zeile oder Spalte jeder zweite Spalten- oder Zeilendraht nicht durch die Kerne, sondern neben den Kernen vorbeiläuft, und zweitens, daß die Anzahl der in Spaltenoder Zeilenrichtung vorzusehenden Ansteuereinrichtungen doppelt so groß wie bei einer normalen Matrixanordnung ist.The fact that a magnetizable element only in each case is arranged at one of the two intersection points, there is first the disadvantage that such Storage arrangement is spatially larger, since in every row or column every other column or row wire not through the kernels, but alongside the kernels, and secondly, that the number of columns or Control devices to be provided in the row direction twice as large as in a normal matrix arrangement is.

' Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen nach dem Koinzidenzprinzip arbeitenden Speicher zu schaffen, bei dem jede Speicherzelle nur mit einer Zeilen- und Spaltenleitung verbunden ist, der jedoch weniger Aufwand erfordert als die bisherigen Speicher dieser Art. Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß jede Speicherzelle im Hinblick auf die ihr benachbarte Zelle der anderen Leitung des gleichen Zeilen- öder Spaltenleitungspaares entgegengesetzte, im Hinblick auf die benachbarte Speicherzelle des benachbarten Zeilen- oder Spaltenleitungspaares dagegen gleiche Orientierung hat und daß die gewünschte von zwei auf dem angesteuerten Zeilen- oder Spaltenleitungspaar befindlichen Speicherzellen durch Wahl der Polarität eines der Ansteuerströme auswählbar ist.The present invention is therefore based on the object of a working according to the coincidence principle To create memory in which each memory cell is connected to only one row and column line, which, however, requires less effort than the previous memory of this type. According to the invention, this is achieved in that each memory cell with respect to its neighboring cell of the other line of the same row or column line pairs opposite, with regard to the adjacent memory cell of the adjacent row or column line pair, however, has the same orientation and that the desired of two memory cells located on the driven row or column line pair Choice of polarity of one of the control currents can be selected.

Zum Auswerten des beim Lesen einer gespeicherten Information auftretenden Signals ist es zweckmäßig, jede Leitung eines Zeilen- oder Spaltenleiterpaares mit einer von zwei gegenseitigen Wicklungen eines symmetrischen Übertragers zu verbinden. Die Ausgangswicklungen mindestens eines Teiles der mit den Leitungspaaren verbundenen Übertrager können in Reihe geschaltet sein und bilden die Leseleitung der Speicheranordnung. Besonders vorteilhaft ist es, als Übertrager jeweils einen Weichferritkern vorzusehen.To evaluate the signal that occurs when reading stored information, it is useful to each line of a row or column conductor pair with one of two mutual windings of a symmetrical one To connect the transformer. The output windings of at least a part of those with the line pairs connected transmitters can be connected in series and form the read line of the memory arrangement. It is particularly advantageous to provide a soft ferrite core as a transformer.

Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.Further details of the invention are based on the exemplary embodiments shown in the drawings explained in more detail.

Die in F i g. 1 als Beispiel dargestellte Speicheranordnung besteht im wesentlichen aus 16 der Speicherung dienenden Magnetkernen, die in 4 Zeilen und 4 Spalten angeordnet sind. Bei in der Praxis verwendeten Speicheranordnungen ist selbstverständlich die Anzahl der Magnetkerne wesentlich größen Das grundsätzliche Prinzip der dargestellten Anordnung besteht darin, daß jeder dieser Magnetkerne nur mit einer Zeilen- und einer Spaltenleitung verkettet ist. Diese Leitungen übernehmen die Aufgabe der Ansteuerung, die Aufgabe der Bestimmung, welche Information in einen ausgewählten Magnetkern eingeschrieben werden soll und die Aufgabe der Leseleitung. Dies wird unter anderem dadurch erreicht, daß jeweils die Leitungen zweier benachbarter Zeilen am Anfang und Ende miteinander verbunden sind. Auf diese Weise werden sowohl zum Schreiben als auch zum Lesen einer Information die die gewünschte Speicherzelle enthaltende Zeilenleitung und eine der benachbarten Zeilenleitungen gemeinsam angesteuert. Die zum Zwecke der Koinzidenzbildung in einer bestimmten Speicherzelle erforderliche zugehörige Spaltenleitung wird dagegen jeweils allein angesteuert. In der dargestellten Anordnung sind z. B. die Zeilenleitungen Xl und Xl einerseits und X3 und X4 andererseits sowohl an ihrem Anfang als auch an ihrem Ende miteinander verbunden.The in F i g. 1 shown as an example memory arrangement consists essentially of 16 storage magnetic cores which are arranged in 4 rows and 4 columns. In the case of memory arrangements used in practice, the number of magnetic cores is, of course, significantly greater. The basic principle of the arrangement shown is that each of these magnetic cores is linked to only one row and one column line. These lines take on the task of control, the task of determining which information is to be written into a selected magnetic core and the task of the read line. This is achieved, among other things, in that the lines of two adjacent rows are connected to one another at the beginning and the end. In this way, the row line containing the desired memory cell and one of the adjacent row lines are driven jointly both for writing and for reading information. In contrast, the associated column line required for the purpose of forming coincidence in a specific memory cell is in each case driven alone. In the arrangement shown, for. B. the row lines Xl and Xl on the one hand and X3 and X4 on the other hand connected to each other both at their beginning and at their end.

Um nur mit zwei Leitungen pro Kern alle obengenannten Aufgaben erfüllen zu können, ist es weiterhin erforderlich, daß von den beiden auf einem gemeinsam angesteuerten Paar von Zeiienleitungen befindlichen und durch die Koinzidenzbildung mit der Spaltenleitung gemeinsam erregten Speicherzellen nur eine die zur Ummagnetisierung erforderliche Erregung erhält.In order to be able to fulfill all of the above tasks with only two lines per core, it is still necessary required that of the two located on a jointly controlled pair of row lines and through the formation of coincidence with the column line, only one of the memory cells excited in common receives the necessary excitation for magnetization reversal.

Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird dies einerseits dadurch erreicht, daß die Speicherzellen jeweils innerhalb einer Zeile gleiche Orientierung, im Hinblick auf die jeweils andere Zeile des gleichen Leitungspaares jedoch entgegengesetzte Orientierung haben, und andererseits dadurch, daß die Auswahl der gewünschten von zwei auf dem Paar gemeinsam angesteuerter Zeilenleitungen befindlichen und durch Koinzidenz mit der zugehörigen Spaltenleitung gemeinsam erregten Speicherzellen durch Wahl der Polarität des Ansteuerstromes auf der zur Koinzidenzbildung gehörigen Spaltenleitung erfolgt. In dem dargestellten Beispiel sind die Magnetkerne der Zeile Xi um 45° im Gegenuhrzeigersinn, die Magnetkerne der Zeile X2 dagegen um 45° im Uhrzeigersinn gegenüber den V-Leitungen geneigt, angeordnet.In the illustrated embodiment, this is achieved on the one hand by the fact that the memory cells each have the same orientation within a row, but opposite orientation with regard to the other row of the same line pair, and on the other hand by the fact that the selection of the desired of two on the pair is common driven row lines and are excited by coincidence with the associated column line by selecting the polarity of the drive current on the column line belonging to the coincidence formation. In the example shown, the magnetic cores of row Xi are inclined by 45 ° counterclockwise, whereas the magnetic cores of row X2 are inclined by 45 ° clockwise with respect to the V-lines.

Die Magnetkerne der Zeilen Xi und X2 werden durch Zuführen eines Stromes / zu dem Leitungspaar gemeinsam angesteuert. Jeder der Magnetkerne dieser beiden Zeilen erhält aber nur die halbe zur Ummagnetisierung erforderliche Erregung, da sich der Strom / auf je einen Halbstrom 1/2 auf jeder Leitung aufteilt. Auf diese Weise sind also sämtliche Kerne der Zeilen Xi und X2 halberregt. Die Halberregung der in der Zeile Xi angeordneten Kerne hat aber, gemessen an der Erregungsrichtung, die ein im Spaltenleiter fließender Strom in den Kernen einer Spalte erzeugt, stets die umgekehrte Richtung wie diejenige der Kerne in der Zeile Xl. Durch Wahl der Polarität des jeweils in dem zur Koinzidenzbildung zugehörigen Spaltenleiter fließenden Stromes mit der Größe 1/2 ist es deshalb möglich, nur in einem der durch diesen Strom gleichzeitig erregten beiden Magnetkernen die Erregung soweit zu erhöhen, daß dieser Magnetkern ummagnetisiert wird. In dem jeweils anderen der beiden gemeinsam erregten Magnetkerne wird dagegen die durch den Zeilenstrom hervorgerufene Halberregung kompensiert. Eine Ummagnetisierung dieses Magnetkernes ist deshalb nicht möglich. In F i g. 1 wurde die Auswahl des Magnetkernes Ki dargestellt, der sich im Kreuzungspunkt der Zeilenleitung Xi und der Spaltenleitung Y2 befindet. Soll an Stelle des Magnetkernes Ki z. B. der Magnetkern Kl ummagnetisiert werden, so ist lediglich erforderlich, die Polarität des auf der Leitung Yl fließenden Halbstromes umzukehren. Der Lesevorgang verläuft analog mit in der Polarität umgekehrten Strömen, wie dies für koinzident angesteuerte Speicher bekannt ist.The magnetic cores of rows Xi and X2 are controlled jointly by supplying a current / to the line pair. However, each of the magnetic cores of these two lines receives only half the excitation required for reversal of magnetization, since the current / is divided into a half-current 1/2 on each line. In this way, all nuclei of rows Xi and X2 are half-excited. The half-excitation of the cores arranged in row Xi , however, measured by the direction of excitation that a current flowing in the column conductor generates in the cores of a column, always has the opposite direction to that of the cores in row Xl. By choosing the polarity of the current with the size 1/2 flowing in the column conductor associated with the formation of coincidence, it is therefore possible to increase the excitation in only one of the two magnetic cores excited by this current so that this magnetic core is reversed. In contrast, the half-excitation caused by the line current is compensated in the other of the two jointly excited magnetic cores. A reversal of magnetization of this magnetic core is therefore not possible. In Fig. 1 shows the selection of the magnetic core Ki , which is located at the intersection of the row line Xi and the column line Y2 . Should instead of the magnetic core Ki z. B. the magnetic core Kl are magnetized, it is only necessary to reverse the polarity of the half- current flowing on the line Yl. The reading process is analogous with currents reversed in polarity, as is known for coincident controlled memories.

Um die beim Lesen einer in einem Magnetkern gespeicherten Information durch die Ummagnetisierung in den mit dem Magnetkern verbundenen Leitern induzierte Spannung auszuwerten und einem Leseverstärker zuführen zu können, wird bei dem Speicher gemäß der Erfindung die dabei am gemeinsam angesteuerten Zeilenleitungspaar auftretende Spannungsdifferenz ausgewertet. Bei dem in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt dies mit Hilfe von Übertragern l/l und Ul. Jede Leitung eines gemeinsam angesteuerten Zeilenleiterpaares ist zu diesem Zweck mit einer von zwei gegensinnigen Wicklungen eines symmetrischen Übertragers verbunden. Besonders vorteilhaft ist es, als Übertrager Weichferritkerne vorzusehen. Die Ausgangswicklungen aller bzw. einer Gruppe derartiger Übertrager können in Reihe geschaltet werden und dienen als Leseleitung L der Speicheranordnung. Wegen des geringen Spannungs-Zeit-Integrals des Lesesignals können die als Übertrager dienenden Magnetkerne sehr klein sein. Ihre Größe hängt natürlich in einem gewissen Maße von der Größe der als Speicherelemente verwendeten Magnetkerne ab. Im dargestellten Ausführungsbeispiel transformieren die als Übertrager Üi bzw. Ül verwendeten Magnetkerne die Lesespannung eines gelesenen Magnetkernes im Verhältnis 2:1. Ein großer Vorteil der Verwendung von Weichferritkernen als Übertrager besteht außerdem darin, daß diese direkt mit in die Matrix eingeflochten werden können.In order to be able to evaluate the voltage induced by the magnetization reversal in the conductors connected to the magnetic core when reading information stored in a magnetic core and to be able to feed it to a read amplifier, the voltage difference occurring at the jointly controlled row line pair is evaluated in the memory according to the invention. In the case of the FIG. 1 shown embodiment, this is done with the help of transformers l / l and Ul. For this purpose, each line of a jointly controlled pair of row conductors is connected to one of two opposing windings of a symmetrical transformer. It is particularly advantageous to provide soft ferrite cores as transformers. The output windings of all or a group of such transformers can be connected in series and serve as read line L of the memory arrangement. Because of the low voltage-time integral of the read signal, the magnetic cores used as transducers can be very small. Their size naturally depends to a certain extent on the size of the magnetic cores used as storage elements. In the illustrated embodiment , the magnetic cores used as transducers Üi and Ül transform the reading voltage of a read magnetic core in a ratio of 2: 1. Another great advantage of using soft ferrite cores as transformers is that they can be braided directly into the matrix.

F i g. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines mehrdimensionalen Speichers unter Verwendung von zweidimensionalen Matrixanordnungen, wie sie in F i g. 1 dargestellt sind. Einander entsprechende X-Leitungspaare aller Matrixebenen sind hintereinandergeschaltet und werden somit gemeinsam angesteuert. Die Ansteuerung der V-Leitungen erfolgt dagegen für jede Matrixebene getrennt. Es ist selbstverständlich auch möglich, die X-Leitungen und die V-Leitungen gegeneinander zu vertauschen. Jedes der X-Leitungspaare ist mit einem Übertragerkern abgeschlossen und ein gemeinsamer Lesedraht Li bzw. L2 usw. führt jeweils durch sämtliche Übertragerkerne einer Matrixebene. Falls bei großen Speichern zu viele halberregte Kerne einkoppeln, ist es auch möglich, nicht sämtliche Kerne einer Matrixebene, sondern nur Gruppen von Übertragerkernen einer Leseleitung zuzuordnen. Die der gleichen Adresse zugeordneten V-Leitungen werden auf der einen Seite — soweit möglich — parallel aus den gleichen Spannungsquellen (Ql, Ql ■ ■ ■) gespeist. Diese Spannungsquellen können z. B. eine sogenannte Diodenmatrix sein. Auf der anderen Seite sind die V-Leitungen durch Richtleiter entkoppelt. Auf dieser Seite liegen die Y-Leitungen zum Lesen und Schreiben, d. h. je nach Polarität der von den Spannungsquellen Q gelieferten bipolaren Signale an einem Widerstand Ri bzw. R2, oder an einem Schalter Sl bzw. Sl. Die Schalter Sl und Sl dienen während des Schreibvorganges zum Bestimmen der Art der einzuschreibenden Informationen, also z. B. »0« oder »1«.F i g. FIG. 2 shows a first exemplary embodiment of a multidimensional memory using two-dimensional matrix arrangements as shown in FIG. 1 are shown. Corresponding X-line pairs of all matrix levels are connected in series and are therefore controlled together. In contrast, the V-lines are controlled separately for each matrix level. It is of course also possible to interchange the X lines and the V lines. Each of the X line pairs is terminated with a transformer core and a common reading wire Li or L2 etc. leads through all of the transformer cores of a matrix level. If too many half-excited cores couple in with large storage units, it is also possible not to assign all cores of a matrix level, but only groups of transmitter cores to a read line. The V lines assigned to the same address are fed on the one hand - as far as possible - in parallel from the same voltage sources (Ql, Ql ■ ■ ■) . These voltage sources can, for. B. be a so-called diode matrix. On the other hand, the V-lines are decoupled by directional conductors. The Y lines for reading and writing are on this side, ie depending on the polarity of the bipolar signals supplied by the voltage sources Q to a resistor Ri or R2, or to a switch S1 or S1. The switches Sl and Sl are used during the write process to determine the type of information to be written, so z. B. "0" or "1".

F i g. 3 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel einer mehrdimensionalen Matrixanordnung, ebenfalls unter Verwendung von zweidimensionalen Matrixanordnungen nach F i g. 1. In diesem Fall sind die Y-Leitungen aller Matrixebenen in Reihe geschaltet, während die A"-Leitungspaare, ähnlich wie in Fig.2 die K-Leitungen, für jede Matrixebene getrennt angesteuert werden. Die der gleichen Adresse zugeordneten .Y-Leitungen werden — soweit möglich — parallel aus den gleichen Spannungsquellen Ql bzw. Ql gespeist. Diese Spannungsquellen Ql bzw. Ql liefern bipolare Impulse und können, ebenso wie bei der Ausführungsform nach F i g. 2, eine Diodenmatrix sein. Die anderen Enden der X- Leitungen sind durch Richtleiter derart voneinander entkoppelt, daß die jeweils ausgewählte X-Leitung beim Schreiben (z. B. bei einer positiven Spannung aus Q) an einem Schalter Sl bzw. Sl und beim Lesen (negative Spannung aus Q) über einen für alle X-Leitungspaare gemeinsamen, als Übertrager dienenden Lesekern Lki bzw. LkI an einem Widerstand Ri bzw. R2 liegt. Wie bei der Ausführungsform nach F i g. 2 sind die Schalter Sl und Sl je nach der Art der einzuschreibenden Information geöffnet (z. B. bei einer »0«) oder geschlossen (z. B. bei einer »1«).F i g. 3 shows a second exemplary embodiment of a multidimensional matrix arrangement, likewise using two-dimensional matrix arrangements according to FIG. 1. In this case, the Y lines of all matrix levels are connected in series, while the A "line pairs, similar to the K lines in FIG. 2, are controlled separately for each matrix level. The .Y lines assigned to the same address are - as far as possible - fed in parallel from the same voltage sources Ql or Ql . These voltage sources Ql or Ql supply bipolar pulses and, as in the embodiment according to FIG. 2, can be a diode matrix. The other ends of the X- Lines are decoupled from one another by directional conductors in such a way that the X line selected in each case when writing (e.g. with a positive voltage from Q) to a switch S1 or S1 and when reading (negative voltage from Q) via one for all X. -Leitungspaare common serving as a transformer core read Lki or LKI g at a resistor Ri or R2 is. as with the embodiment of F i. 2, the switches Sl and Sl are geöffne depending on the type of information to be written t (e.g. B. on a "0") or closed (e.g. on a "1").

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 3 erfordert zwar bei optimaler Matrixgeometrie gegenüber der Ausführungsform nach F i g. 2 einen Mehraufwand an Entkopplungsrichtleitern. Dieser Mehraufwand wird jedoch andererseits, insbesondere bei großen, sehr schnellen Speichern durch verschiedene zusätzlicheThe circuit arrangement according to FIG. 3 requires with optimal matrix geometry compared to Embodiment according to FIG. 2 an additional effort in decoupling guide ladders. This overhead is however, on the other hand, especially in the case of large, very fast memories, by means of various additional

Vorteile wieder ausgeglichen. Vorteile dieser Anordnung sind, daß die nichtausgewählten Leitungspaare von der Leseleitung abgetrennt sind und nur ein halb erregter Kern in die Leseleitung einkoppelt, wenn der Strom auf der V-Leitung etwas später eingeschaltet wird, als derjenige auf der X- Leitung. Vorteilhaft ist außerdem, daß einer Matrixebene jeweils nur ein einziger Lesekern Lki bzw. Lk2 zugeorndet ist Da die Leseleitung nur durch diesen einen Kern führt, besitzt diese in dieser Anordnung einen sehr geringen Generatorinnenwiderstand. Als Generatorinnenwiderstand tritt nämlich nur der Widerstand eines einzigen X-Leitungspaares auf. Dieser geringe Innenwiderstand ermöglicht eine sehr hohe Belastung des Lesesignals und damit eine sehr viel höhere Leistungsausbeute gegenüber den _ig bekannten Anordnungen. Die mit der Leseleitung verbundene Auswerteschaltung wird dadurch sehr einfach, billig und betriebssicher. Die Ausgangsspannung der Leseleitung kann entweder in dem als Übertrager dienenden Lesekern Lki .bzw. Lk2 oder durch einen zu- ao sätzlichen Übertrager am Eingang der Auswerteschaltung hochtransformiert werden.Benefits balanced again. Advantages of this arrangement are that the unselected line pairs are disconnected from the read line and only a half-excited core couples into the read line if the current on the V line is switched on a little later than that on the X line. It is also advantageous that only a single read core Lki or Lk2 is assigned to a matrix level. Since the read line only runs through this one core, it has a very low internal generator resistance in this arrangement. This is because only the resistance of a single X-line pair occurs as the generator internal resistance. This low internal resistance allows a very high load of the read signal and thus a much higher power output compared to the _ig known arrangements. The evaluation circuit connected to the reading line is therefore very simple, cheap and reliable. The output voltage of the read line can either .bzw in the reading core Lki serving as a transformer. Lk2 or be stepped up by an additional transformer at the input of the evaluation circuit.

Sowohl für die Ausführungsform nach F i g. 1 als auch für die nach den übrigen Figuren gilt, daß an Stelle eines Magnetkernes oder eines sonstigen Übertra- »5 gers zum Auswerten der beim Lesen einer eingespeicherten Information am gemeinsam angesteuerten Zeilen- oder Spaltenleiterpaar auftretenden Spannungsdifferenz ein Differenzverstärker verwendet werden kann.Both for the embodiment according to FIG. 1 as well as for those according to the other figures, that instead of a magnetic core or some other transmitter for evaluating the stored data when reading a Information on the voltage difference occurring at the jointly controlled row or column conductor pair a differential amplifier can be used.

Die dargestellten Ausführungsbeispiele zeigen Anordnungen, bei denen als Speicherelemente Magnetringkerne verwendet sind. Es ist selbstverständlich, daß sich die Erfindung nicht nur speziell auf solche Speicher, sondern ganz allgemein auf Speicher bezieht, die nach dem Koinzidenzprinzip arbeiten.The exemplary embodiments shown show arrangements in which magnetic ring cores are used as storage elements are used. It goes without saying that the invention is not only specific to such Memory, but more generally refers to memories that work on the principle of coincidence.

F i g. 4 zeigt eine Matrixanordnung, bei der die Bestimmung, welche Informationen in einen angesteuerten Magnetkern eingespeichert werden soll, mit Hilfe einer zusätzlichen Leitung Zi bzw. 22 erfolgt. Je nachdem, ob die dem ausgewählten Magnetkern zugeordnete Z-Leitung mit einem Strom 1/2 angesteuert wird oder nicht, verbleibt der Magnetkern in seiner Lage oder wird ummagnetisiert Im übrigen entspricht die Anordnung nach F i g. 4 derjenigen nach F i g. 1. Diese Maßnahme hat gegenüber Anordnungen, wie denen nach F i g. 2 oder 3, zwar den Nachteil der zusätzlichen Leitung, aber den Vorteil des geringeren Aufwandes an Ansteuermitteln.F i g. 4 shows a matrix arrangement in which the determination of which information is to be stored in a controlled magnetic core is made with the aid of an additional line Zi or 22 . Depending on whether the Z line assigned to the selected magnetic core is driven with a current 1/2 or not, the magnetic core remains in its position or is remagnetized. Otherwise, the arrangement corresponds to FIG. 4 of those according to FIG. 1. This measure has compared to arrangements such as those according to F i g. 2 or 3, although the disadvantage of the additional line, but the advantage of the lower cost of control means.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 409550/272For this purpose 2 sheets of drawings 409550/272

Claims

Patent claims:

1. Memory arrangement working according to the coincidence principle with arranged in rows and columns magnetic memory cells in which each memory cell has only one row and one Column line is connected and in which the row or column lines to row or column line pairs are interconnected, while the associated necessary for coincidence formation Column or row lines are connected in the usual way to the control devices, and at the two row or column lines for separating the drive signal superimposed on the read signal each row or column line pair is connected to a compensation device, characterized in that each memory cell with respect to its neighboring Cell opposite to the other line of the same row or column line pair, with regard to on the other hand, to the adjacent memory cell of the adjacent row or column line pair has the same orientation and that the desired of two on the driven row or column line pair The memory cells located can be selected by selecting the polarity of one of the drive currents is.

2. Memory arrangement according to claim 1, characterized in that for evaluating the reading of a stored information signal, the two lines of a row or Column line pairs are connected to a differential amplifier.

3. Memory arrangement according to claim 1, characterized in that for evaluating the reading a signal resulting from a stored information each line of a row or column line pair connected to one of two opposing windings of a symmetrical transformer is.

4. Memory arrangement according to claim 3, characterized in that the output windings at least some of the transformers connected to the line pairs are connected in series.

5. Memory arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that as a transmitter in each case a soft ferrite core, preferably a toroidal core, is provided.

6. Memory arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the type of in a selected memory cell to be written information by appropriate control depending one additional concatenated with only one line of all row or column line pairs Line is determined.

7. Multi-dimensional, consisting of several memory arrangements according to one of claims 1 to 6 Memory, characterized in that the corresponding row or column line pairs of all matrix levels are connected in series and thus together are responsible for the formation of coincidences required column or row lines, however, separately controllable for each matrix level are.

8. Multi-dimensional, consisting of several memory arrangements according to one of claims 1 to 5 Memory, characterized in that the corresponding required for coincidence formation Column or row lines of all matrix levels are connected in series and thus together, the row or column line pairs, on the other hand, can be controlled separately for each matrix level are.

9. Memory according to arrangement 7 or 8, characterized in that in each case the row or column line pairs a matrix level decoupled from each other and with a single device for Evaluation of the resulting signal when reading a stored information.

10. Memory according to one of claims 7 to 9, characterized in that in each case the coincidence formation required row or column lines or the row or column line pairs a matrix level decoupled from each other and with a single device for determining the information to be written into the core are connected.