DE1463434A1 - Circuit arrangement for the delivery of a direct current stabilized against fluctuations in the input voltage - Google Patents
Circuit arrangement for the delivery of a direct current stabilized against fluctuations in the input voltageInfo
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Description
Beschreibung ' H63434Description 'H63434
zum x'atentgesuohto the x'atentgesuoh
der Firma Maatscha ppi 3 voor Electrische Bedri ji'seutoiiit tisering Electrofect N.V., Amersfoort / Niederlandethe company Maatscha ppi 3 voor Electrische Bedri ji'seutoiiit tisering Electrofect N.V., Amersfoort / Netherlands
"betreffend:"concerning:
"SchLltungsenordnung zur A"bge"be eines gegenüber Schwenkungen \ der EingangsBpannung stabilisierten Gleichstromes""Circuit order to the" bge "with a direct current stabilized against swings \ of the input voltage"
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Abgebe eines gegenüber Schwenkungen der Eing&ngsspannung stabilisierten Gleichstromes.The invention relates to a circuit arrangement for delivering a stabilized against swings of the input voltage Direct current.
Ea ist bereits eine dererti^e ochaltungstnordnung mit einem Regeltransistor vorgeschlagen, dewsen Kollektor über Belt st ungs klemmen und dessen Emitter über einen Eiaitterwiderotend an eine Gleichapannungsquelle fc«ngeachlossen sind, während die Basis mit einer Anzapfung eines sρε.nnungsabhängigen ■Spannungsteilers verbunden ist, der zwischen den beiden Anschlußklemmen der Eingangsgleiöhspannungsquelle angeschlossen ist und Schwankungen der Eingangsspannung mit verringerter Amplitude an die Basis-Emitter-Strecke sowie den Emitterwider stand durchläßt.Ea is already a dererti ^ e circuit arrangement with A regulating transistor proposed, dewsen collector over belt power terminals and its emitter via an egg resistor are connected to a source of equal voltage while the base with a tapping of a sρε ■ Voltage divider is connected between the two terminals connected to the input voltage source is and fluctuations in the input voltage with reduced Amplitude to the base-emitter path and the emitter resistance stood through.
Bei dieser Schaltungsanordnung gibt der spannungsc.bhängige Spannungsteiler eine nur geringfügig von der Sing&ngsapannung abhängige Spannung ab, die mit einer εus der Summe der Spannungaabfälle in der Basis-Emitter-Strecke des Re^eI-tr&naistora und dem Emitterwiderstand bestehenden Gegenkopp-With this circuit arrangement, the voltage is dependent on the voltage Voltage divider only slightly depends on the singing voltage dependent voltage, with a εus of the sum of the voltage drops in the base-emitter path of the Re ^ eI-tr & naistora and the emitter resistance existing negative feedback
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lungs spannung verglichen wird. Da der Emitter strom in einem festen Verhältnis zum Kollektors tr om steht, und da die .G-rösse dieser beiden Ströme nahezu ausschließlich von der Basis-Emitter-Spannung "bestimmt ist, stellt sich auf diese //eise ein stabilisierter Kollektorstrom ein. Dabei ist die Summe der Spannungsabfälle in dem Emitterwiderstand und der Basis-Emit cer-S tr ecke des Regeltransistors der von dem spannungsabhängigen Spannungsteiler gelieferten Bezugsspannung gleich.voltage is compared. Since the emitter current is in a fixed relationship to the collector tr om, and there the .G size of these two currents almost exclusively from the base-emitter voltage "is determined, arises on this // wise a stabilized collector current. Here is the sum of the voltage drops in the emitter resistor and the base emit cer-S tr ecke of the control transistor of the voltage-dependent Voltage divider supplied reference voltage equal.
Dies gilt innerhalb weiter Grenzen unabhängig von dem Wert der Kollektorspannung. Palls diese unter die Knickspannung absinkt oder über die Durchbruchspannung ansteigt, sind die Grenzen erreicht, v/o der Koll.ektcrstrom unter den stabilisierten Wert absinkt bzw« darüber hinaus ansteigt.This applies within wide limits regardless of the value of the collector voltage. Palls this under the buckling stress drops or rises above the breakdown voltage, the limits have been reached, v / o the collector current below the stabilized value falls or rises beyond it.
Die Bezugsspannung kann auf verschiedene 7/eise erzeugt werden. Nach der meistbenutzten Hethode besteht der spannung sf.bhängige Spannungsteiler rus einem Ohm1sehen Widerstand und einem Spannungsstabilisstor, wie beispielsweise einer Zenerdiode, einem oder mehreren in Durchlaßrichtung angeschlossenen Selengleichrichtern, einer elektrolytischen Stebilisatorzelle oder einer Glimmlampe. Man kann eine Bezugs spannung such mittels eines Strömst?, bilisators, beispielsweise eines Eisen-Wasserstoff-Widerstandes, erzeugen.The reference voltage can be generated in different ways. According to the most frequently used method, the voltage dependent voltage divider consists of an ohm 1 resistor and a voltage stabilizer, such as a Zener diode, one or more forward-biased selenium rectifiers, an electrolytic stabilizer cell or a glow lamp. A reference voltage can also be generated by means of a flow stabilizer, for example an iron-hydrogen resistor.
In jedem Pail ist die Bezugsspannung niemals völlig von Schwankungen der Eingangsspennung unabhängig. Bei einem Anstieg der Eingangsspannung über den Sollwert hinaus steigt wenn auch In weit verringertem Maüe - die Bezugsspannung an, so daIi auch der abgegebene Strom etwas ansteigt.In each pail the reference voltage is never complete independent of fluctuations in the input voltage. At a Rise in input voltage above the setpoint increases albeit to a much lesser extent - the reference voltage on, so that the current delivered also rises somewhat.
Die Erfindung bezweckt die Schaffung einer Schaltungsanordnung, bei der der Einfluß von EingtngsspannungsSchwankungen nahezu völlig kompensiert ist.The aim of the invention is to create a circuit arrangement in which the influence of input voltage fluctuations is almost completely compensated.
Demgemäß ist eine erfindungcs^emäße Schaltungsanordnung dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der an die Basis ange-Accordingly, there is a circuit arrangement according to the invention characterized in that between the
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sdlilossenen-Anschlußklemme und dem Emitter des Ro.jeltransistors ein Widerstand eingefügt ist, der im binne einer Kompensation des Einflusses von Schwankungen der Eingangs spa nnung auf den Ausgangästrom bemessen ist.sdlilossenen terminal and the emitter of the Ro.jel transistor a resistor is inserted, which is in the context of a compensation the influence of fluctuations in the input voltage is dimensioned for the output current.
..Einzelheiten der Erfindung.ergeben sich ε us der folgenden Bqe<:hreibung eineä bevorzugten Ausführungebeispieles tnhand der zugehörigen Zeichnungen: . ■ · ·The details of the invention can be found in the following Bqe <: for a preferred embodiment example of the accompanying drawings:. ■ · ·
Die Eingangsspannung U. liegt an den Anschlußklemmen 1 , απ, εη welche, ein aus Widerstand:. 3 und Zenerdiode 4 bestehender tipinnungsteiler angeschlossen ist. Der Kollektor eines Re- ä geltransistors 5 ist über din BeIastungyanschlui-kleiamen 6, 7 und eine Gleiehtipannungscjuollc; mit der Anschlußklemme 2 ver-Dunden, wahrend der Emittei- des Regeltrsnoiators 5 über einen Emitterwiderstind εη derselben Anschlußklemme 2 anliegt. Eine derartige Schcltungsanordnung ist εη sich belannt.The input voltage U. is applied to the connection terminals 1, απ, εη which, a resistor :. 3 and Zener diode 4 existing tipi nnungteiler is connected. The collector of a re ä geltransistors 5 is kleiamen BeIastungyanschlui-din about 6, 7 and a Gleiehtipannungscjuollc; with the connection terminal 2, while the emitter of the control transformer 5 is applied to the same connection terminal 2 via an emitter resistor εη. Such a circuit arrangement is known.
Die a.n der Zenerdiode 4 anliegende, von jjxngi. ngssp8nnungsschwaniiungen nahezu unabhängige Spannung dient als Bezugsspc.nnung. Damit die von Jchwanjcungen der. EingangsCx.; nnung U. herl'Lihrenuen geringfügigen 3ciiwankungen:.korapenaiert v;erden, ist tischen ,die Eingingokleauen und den.Emitter des Regeltransistorc 5 ein V/idersta.nd 9 eingeiagt.-The applied to the Zener diode 4, from jjxngi. Voltage fluctuations almost independent voltage serves as a reference voltage. So that those of Jchwanjcungen the. Input C x .; Nnung U. herl'Lihrenuen slight 3cii fluctuations: .korapenaiert v; grounding, tables, the input cleavage and the.emitter of the control transistorc 5 a V / idersta.nd 9.-
über diesen V/iderstt na 9 erreichen der Schwankung der J5ingangbb^annung entsprechende bpannungs^naerungeii den Emitter des Regeltransistors, so dai? cie Easis-Smitter-Syi nnung des Regeltransibtors unü otmit der Ausgangsetrom 1Q konbtmt bleiben.Via this V / iderstt na 9, voltage values corresponding to the fluctuation of the input voltage reach the emitter of the control transistor, so that? The Easis-Smitter-syi nnion of the regulating transformer must remain uno ot with the output stream 1 Q.
unter der Vcrt uasetsung, άε.ώ der Regeltr; nsistor die Spannungsteiler 5,4 uz.w. 9,a nicht merklich belastet, v;eö in der Jrr< xis im wesentlichen zutrifft, kr.nn der 7/ert des Widerstandes 2 wie fol^t berechnet v/erden!under the Vcrt uasetsung, άε.ώ der Regeltr; nsistor the voltage divider 5.4 etc. 9, a not noticeably loaded, v; eö in which Jrr <xis essentially applies, kr.nn the 7 / ert of resistance 2 is calculated as fol ^ t!
i:ei eine.r. Schv/aii'cung der Eingt ngaspo nnung U, uia einen Betrag Δ U erh'-i It na. η au ö-ci 3i:b±ü des Re:. eltr; nöistorü * eine S1 annungsischwanlcungi: ei a.r. Increase in the input gas position U, uia an amount Δ U erh'-i It na. Η au ö-ci 3 i: b ± ü des Re :. eltr; nöistorü * a S 1 approach fluctuation
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
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R3+R4 ■ =R 3+ R 4 ■ =
wobei R, den dynamischen Widerstand der Zenerdiode 4 bezeichnet Die dem Emitter zugeführte Spannungsschwankung beträgtwhere R, denotes the dynamic resistance of the Zener diode 4 The voltage fluctuation fed to the emitter is
8 A TT8 A TT
und soll der vorgenannten SpannungsSchwankung gleich sein, so daß sich die Beziehungand should be equal to the aforementioned voltage fluctuation, see above that the relationship
E_ R RoE_ R Ro
9 ~ 3 ' 9 ~ 3 '
ergibt.results.
Eine ähnliche Kompensation kann auch bei einer andersartigen Ausbildung des spannungsabhängigen Spannungsteilers erreicht werden. Anstelle des Widerstandes 3 kann man beispielsweise auch einen Stromstabilisator verwenden und die Zenerdiode durch einen Ohm1sehen Widerstand ersetzen. Eine noch bessere Stabilisierung erzielt man, wenn man eine Zenerdiode 4 mit einem Stromstabilisator 3 kombiniert. Als Stromstabilisator kommt jedes Schaltelement in !rage, dessen Widerstand mit zunehmendem Strom stark ansteigt, wie beispielsweise ein Eisen-Wasser-stoff-Widerstand. Als Spannungsstabilisator kann hingegen jedes Schaltelement mit bei ansteigendem Strom abnehmendem Widerstand dienen, wie beispielsweise eine Zenerdiode, ein oder mehrere Selengleichrichter, eine elektrolytisch^ Stsbilisierungszelle, eine Glimmlampe oder ein Widerstand mit fallender Kennlinie.A similar compensation can also be achieved with a different design of the voltage-dependent voltage divider. Instead of the resistor 3 , a current stabilizer can also be used, for example, and the Zener diode can be replaced by an ohm 1 resistor. Even better stabilization is achieved if a Zener diode 4 is combined with a current stabilizer 3 . Any switching element whose resistance increases sharply with increasing current can be used as a current stabilizer, such as an iron-hydrogen resistance. On the other hand, any switching element with a resistance that decreases with increasing current can serve as a voltage stabilizer, such as a Zener diode, one or more selenium rectifiers, an electrolytic stabilization cell, a glow lamp or a resistor with a decreasing characteristic curve.
Man kann auch in jeder dieser möglichen Schaltungen den Widerstand 8 durch einen Stromstabilisator ersetzen, wodurch sich eine noch bessere Stabilisierung des Ausgangsstromes er-You can also replace the resistor 8 by a current stabilizer in each of these possible circuits, whereby an even better stabilization of the output current
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gibt. Die Stabilisierung wird durch den hohen Gregenkopplungsfaktor begünstigt, der infolge des hohen dynamischen Widerstandes des Schaltelementes hervorgerufen wird.gives. The stabilization is due to the high Gregen coupling factor favored by the high dynamic resistance of the switching element is caused.
Mit den Widerstandswerten R,, R,, Rq und Rq sind jeweils die dynamischen Widerstandswerte gemeint, soweit dieselben von den betreffenden statischen Widerstandswerten verschieden sind.With the resistance values R ,, R ,, Rq and Rq are respectively the dynamic resistance values are meant insofar as they are different from the relevant static resistance values.
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