DE1448030C

DE1448030C - Device for measuring a pressure

Info

Publication number: DE1448030C
Authority: DE
Inventors: Minneapolis Minn Kooiman. Robert R (V St A )
Original assignee: Rosemount Engineering Company, Minneapolis, Minn (V St A )
Publication date: 1971-01-21

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung Fig. 26 zeigt einen Querschnitt einer entsprechen-The invention relates to a device. Fig. 26 shows a cross section of a corresponding

zum Messen eines Druckes durch Messung des elek- den Anordnung;for measuring a pressure by measuring the elec- tric arrangement;

trischen Widerstandes eines dem Druck ausgesetzten F i g. 27 zeigt eine Ansicht gemäß dem Pfeil 27 dertric resistance of a F i g. 27 shows a view according to arrow 27 in FIG

Hohlkörpers. Fig. 26;Hollow body. Fig. 26;

Es ist bekannt, den Druck zu messen durch Mes- 5 F i g. 28 zeigt einen Querschnitt einer weiteren An-It is known to measure the pressure by measuring 5 F i g. 28 shows a cross section of another an

sung des elektrischen Widerstandes eines körnigen Ordnung;solution of the electrical resistance of a granular order;

Materials, das in einem dem Druck ausgesetzten Be- F i g. 29 zeigt eine Ansicht nach dem Pfeil 29 derMaterial that is exposed to the pressure F i g. 29 shows a view according to arrow 29 of FIG

halter angeordnet ist (deutsche Patentschrift 307 450). F i g. 28.holder is arranged (German Patent 307 450). F i g. 28.

Man hat auch den Druck durch Messung des piezo- Wenn ein beiderseits geschlossenes Rohr 10The pressure can also be obtained by measuring the piezo-If a tube 10 closed on both sides

elektrischen Effektes oder des dielektrischen Effektes io (Fig. 1) dadurch einem Druck ausgesetzt wird, daßelectrical effect or the dielectric effect io (Fig. 1) is subjected to a pressure in that

oder des dielektrischen Widerstandes eines Konden- entweder in einem es umgebenden Medium, z. B.or the dielectric resistance of a condenser either in a surrounding medium, e.g. B.

sators oder der magnetoelastischen Permeabilität einer Flüssigkeit, in der das Rohr liegt, ein Drucksators or the magnetoelastic permeability of a liquid in which the pipe lies, a pressure

nach den deutschen Patentschriften 745 893 bzw. ausgeübt wird, der größer ist als der Druck im Innernaccording to German patents 745 893 or is exercised, which is greater than the pressure inside

849 494 oder 906 625 gemessen. Es ist ferner be- des Rohres oder umgekehrt, wenn im Innern des849 494 or 906 625. It is also be the tube or vice versa, if inside the

kannt, den Druck zu messen durch Messung der 15 Rohres ein Druck ausgeübt wird, der größer ist alsknown to measure the pressure by measuring the 15 pipe a pressure is exerted which is greater than

Änderungen des elektrischen Widerstandes eines der Druck des das Rohr umgebenden Mediums, soChanges in the electrical resistance of one of the pressure of the medium surrounding the pipe, so

unter Druck gesetzten Körpers (»Journal of Applied wird jedes Teilchen der Rohrwand 12 einer mechani-pressurized body (»Journal of Applied, every particle of the pipe wall 12 is a mechanical

Physics«, 1952, Nr. 1, S. 43 ff.). sehen Spannung unterworfen, die in drei räumlichePhysics ", 1952, No. 1, p. 43 ff.). see tension subdivided into three spatial

Die Erfindung verwendet zur Messung des Druckes Komponente xy ζ zerlegt werden kann, nämlich inThe invention used to measure the pressure component xy ζ can be broken down, namely into

davon die Methode, bei der die Änderungen, die der 20 die Komponente χ parallel zur Achse, in die Kompo-of which the method in which the changes that the 20 component χ parallel to the axis, in the compo-

elektrische Widerstand durch den Druck erfährt, ge- nente in tangentialer Richtung y und in die Kompo-electrical resistance is experienced by the pressure, in the tangential direction y and in the component

messen werden. nente in radialer Richtung z. Wenn man in einer die-will measure. nente in the radial direction z. If you are in one of the

Aufgabe der Erfindung ist, eine Anordnung zu fin- ser Richtungen ein Element anordnet, dessen Zug-The object of the invention is to arrange an element in fin directions, the tension of which

den, die in der Praxis eine zuverlässige Messung er- oder Druckspannung in eine Änderung eines elektri-those who in practice require a reliable measurement or compressive stress in a change in an electrical

möglicht und keinen großen Aufwand erfordert, so 25 sehen Stromes umgewandelt wird, so kann man mit-possible and does not require a great deal of effort, so that electricity is converted, so one can with-

daß die Vorrichtung gemäß der Erfindung in üblichen tels eines solchen Rohres den Druck des unter Druckthat the device according to the invention in the usual means of such a tube the pressure of the under pressure

Betrieben ohne weiteres angewandt werden kann. gesetzten Mediums messen.Operated can be applied without further ado. measure the set medium.

Dazu wird die eingangs genannte Vorrichtung er- Die in Fig. 2 dargestellte Meßvorrichtung bestehtFor this purpose, the device mentioned at the outset is used. The measuring device shown in FIG. 2 consists

findungsgemäß so ausgebildet, daß mindestens ein aus einem Zylinder 20, dessen beide Enden durchinventively designed so that at least one of a cylinder 20, both ends of which through

Teil seiner Wandung aus einem Halbleiter besteht. 30 Stopfen 21 und 22 verschlossen sind. Durch denPart of its wall consists of a semiconductor. 30 plugs 21 and 22 are closed. Through the

Vorzugsweise ist der Hohlkörper allseitig geschlos- Stopfen 22 geht ein Rohr 13, durch das FlüssigkeitThe hollow body is preferably closed on all sides. A tube 13 passes through the plug 22 through which the liquid passes

sen. Der Halbleiter kann die Form einer Auflage der in das Innere des Rohres geführt werden kann. Ansen. The semiconductor can be in the form of a support that can be guided into the interior of the tube. On

äußeren oder inneren Seite des Hohlkörpers haben. den Enden des Zylinders sind elektrische Leitungenhave outer or inner side of the hollow body. the ends of the cylinder are electrical cables

Vorzugsweise ist der Halbleiter ein Einkristall. 24 und 25 angebracht. Bei Änderung des DruckesThe semiconductor is preferably a single crystal. 24 and 25 attached. When changing the pressure

Die Erfindung ist an Hand der Zeichnung erläu- 35 im Innern des Zylinders ändert sich die mechanischeThe invention is explained with reference to the drawing. The mechanical changes in the interior of the cylinder

tert, die eine Anzahl von Ausführungsbeispielen zeigt. Spannung des Zylinders zwischen den Anschlüssentert showing a number of embodiments. Tension of the cylinder between the terminals

F i g. 1 zeigt perspektivisch einen Abschnitt eines 24 und 25. Dementsprechend ändert sich der elek-F i g. 1 shows a section of a 24 and 25 in perspective.

Rohres, an dem das Prinzip der Erfindung dargestellt trische Widerstand des Rohres. Somit läßt sich durchPipe on which the principle of the invention is shown tric resistance of the pipe. So you can get through

wird; einen an die Leitungen 24 und 25 angeschlossenenwill; one connected to lines 24 and 25

F i g. 2 und 3 zeigen Längsschnitte von entspre- 40 Widerstandsmesser die Änderung des elektrischenF i g. 2 and 3 show longitudinal sections of corresponding ohmmeters the change in electrical

chenden Vorrichtungen; Widerstandes und damit der Druck im Innern descorresponding devices; Resistance and thus the pressure inside the

F i g. 4 und 5 zeigen in Längsschnitten entspre- Zylinders 20 messen. Eine solche Vorrichtung ist dachende Anordnungen mit der dazugehörigen Schal- her geeignet, als Meßgerät mittels des Rohres 13 mit tung; einem Behälter verbunden zu werden, dessen Innen-F i g. 4 and 5 show corresponding cylinder 20 in longitudinal sections. One such device is roofing Arrangements with the associated switch are suitable as a measuring device by means of the tube 13 tung; to be connected to a container, the inner

F i g. 6 zeigt die Ansicht einer anderen Ausfüh- 45 druck gemessen werden soll,F i g. 6 shows the view of another execution pressure to be measured,

rungsform mit Schaltung; In F i g. 3 ist ein Zylinder 30 mit Stopfen 31 undform with circuit; In Fig. 3 is a cylinder 30 with plugs 31 and

Fig. 7 zeigt eine Anwandlung zu Fig. 6; 32, im wesentlichen dem Zylinder 20 (Fig. 2) ent-FIG. 7 shows a modification of FIG. 6; 32, essentially the cylinder 20 (Fig. 2)

F i g. 8 zeigt im Längsschnitt eine andere Form; sprechend, in einen größeren Zylinder 35 frei einge-F i g. Fig. 8 shows another shape in longitudinal section; speaking, freely incorporated into a larger cylinder 35

F i g. 9 zeigt im Schnitt ein weiteres Ausführungs- setzt. Seine Enden sind mit Leitungen 33 und 34 ver-F i g. 9 shows a further embodiment in section. Its ends are connected with lines 33 and 34

beispiel; 50 bunden, die mittels Isolatoren 33 A und 34 A durchexample; 50 bound, the 33 A and 34 A by means of isolators

Fig. 10 bis 14 zeigen Querschnitte der verschiede- die Wandung des Behälters 35 geführt sind. Der im10 to 14 show cross-sections of the various walls of the container 35 are guided. The im

nen Ausführungsbeispiele; übrigen geschlossene Behälter 35 besitzt ein Rohr 36,NEN exemplary embodiments; remaining closed container 35 has a tube 36,

Fig. 15 zeigt eine weitere Ausführungsform; durch welches Flüssigkeit unter Druck in RichtungFig. 15 shows a further embodiment; through which liquid under pressure towards

Fig. 16 zeigt eine Ansicht der Fig. 15 gemäß des Pfeiles 37 eingebracht werden kann. Während beiFIG. 16 shows a view of FIG. 15 which can be introduced according to arrow 37. While at

dem Pfeil 16 der Fi g. 15; 55 der Anordnung nach Fig. 2 der Druck des im Innernthe arrow 16 of Fi g. 15; 55 of the arrangement according to FIG. 2, the pressure of the inside

Fig. 17 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel; des Zylinders 20 befindlichen Mediums gemessenFig. 17 shows another embodiment; of the cylinder 20 located medium measured

Fig. 18 zeigt eine Ansicht der Anordnung nach wird, wird nach der Anordnung der Fig. 3 deiFIG. 18 shows a view of the arrangement according to, becomes after the arrangement of FIG. 3 dei

Fig. 17 gemäß dem Pfeil 18; Druck des außerhalb des Zylinders 30 befindenden17 according to arrow 18; Pressure of the outside of the cylinder 30

Fig. 19 zeigt eine ähnliche Ansicht wie Fig. 18; Mediums gemessen.Fig. 19 shows a view similar to Fig. 18; Medium measured.

F i g. 20 zeigt im Längsschnitt eine andere Anord- 60 F i g. 4 zeigt eine Anordnung mit zwei Zylindern,F i g. 20 shows another arrangement in longitudinal section. 4 shows an arrangement with two cylinders,

nung; die im wesentlichen der F i g. 2 entspricht, nämlichtion; which essentially of FIG. 2 corresponds to, namely

Fig. 21 zeigt in perspektivischer Ansicht eine die Zylinder20 und 40, deren Enden durch StopfenFig. 21 shows a perspective view of the cylinders 20 and 40, the ends of which are plugged

andere Anordnung; 21 und 22, bzw. 41 und 42 verschlossen sind, wobeiother arrangement; 21 and 22, or 41 and 42 are closed, with

F i g. 22 zeigt eine weitere Anordnung; dem Zylinder 20 Flüssigkeit durch ein Rohr 13 inF i g. 22 shows another arrangement; the cylinder 20 fluid through a tube 13 in

Fig. 23 und 24 zeigen einen Querschnitt bzw. eine 65 Richtung des Pfeiles 56 zugeführt werden kann, wäh-23 and 24 show a cross section or a 65 direction of the arrow 56 can be supplied, while

Ansicht gemäß den Pfeilen 23 bzw. 24 der Fig. 22; rcnd der Zylinder 40 durch eine öffnung43 mit derView according to arrows 23 and 24 of FIG. 22; rcnd the cylinder 40 through an opening 43 with the

Fig. 25 zeigt eine Ansicht ähnlicher Art wie Atmosphäre in Verbindung steht. An die AnschlüsseFig. 25 is a view of similar manner in which atmosphere is related. To the connections

Fig. 18und 19 bei einem anderen Ausführungsbeispiel; 24 und 25 bzw. 51 und 54 der elektrischen LeitungenFigs. 18 and 19 in a different embodiment; 24 and 25 or 51 and 54 of the electrical lines

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ist ein Galvanometer 55 nach Art einer Brücke mit In F i g. 10 besteht der Meßbehälter aus einer halb-Widerständen 46 und 52 und einer Stromquelle 48 kugelförmigen Schale 210, die durch eine dünne, als angeschlossen. Durch den Anschluß des Zylinders 40 Membran wirkende Wand 212 geschlossen ist. Bei wird eine Temperaturschwankung kompensiert, die Änderung des Druckes des durch ein Rohr 214 in sich etwa aus Temperatur und Druck der Umgebung 5 den Behälter 210 eingeführten Mediums ändert sich ergeben könnte. die Durchbiegung der Membran 212. Dadurch ent-Die Anordnung der F i g. 5 unterscheidet sich von stehen in der Membran 212 mechanische Spannun-F i g. 4 in gleicher Weise, wie sich F i g. 3 von F i g. 2 gen die den elektrischen Widerstand verändern, der unterscheidet. Der durch den Stopfen 42 Λ verschlos- von dem in Brückenschaltung angeschlossenen GaI-sene Zylinder 40 befindet sich in einem Behälter 35, io vanometer 225 gemessen wird,
der über eine Leitung 36 mit einem nicht dargestell- Die Anordnung der Fig. 11 unterscheidet sich von ten Behälter verbunden ist, dessen Druck gemessen der der Fig. 10, wie sich die Anordnung der Fig. 3 werden soll. Die Leitung 36 ist mit einer Leitung 13 von der der F i g. 2 unterscheidet,
verbunden, der das unter Druck stehende Medium Das in Fig. 12 dargestellte Wandlerelement bezugeführt wird, und die in das Innere des anderen 15 steht aus einem keramischen Ring 242, der durch Zylinders 20 hineinführt. Die beiden Zylinder sind, zwei Membranen 240, 241, die die gleiche Form ähnlich wie in Fig. 4, mit einem Galvanometer 55 haben, zu einem zylindrischen Körper geschlossen verbunden. ist. Auf jeder der Membranen 240 und 241 sitzt ein In Fig. 6 besitzt der Meßzylinder die Form eines Ring240A, 241A. Die beiden Ringe sind mit elek-Kapillarrohres 60, das in seiner Mitte 60 C geschlos- 20 irischen Leitungen mit den Enden eines Widerstansen ist. In den Einlaß 61 kann ein Druckmedium in des 262 verbunden, dessen eines Ende mit einer Bat-Richtung des Pfeiles 61 eingelassen werden. Das terie 250 und dessen anderes Ende mit einem Galva-Ende 62 ist zur Atmosphäre offen. Die Stellen 50, 61, nometer 259 verbunden ist. Die Mitte der Membran 62 sind mit einem Galvanometer 55 über eine Brük- 240 ist mittels einer elektrischen Leitung 257 mit kenschaltung verbunden, ähnlich wie in F i g. 4 und 5. 25 Galvanometer 259 verbunden, während die Mitte der F i g. 7 unterscheidet sich von F i g. 6 lediglich da- Membran 241 über eine Leitung 253 mit der Batterie durch, daß die beiden Teile 6OA und 6OB des Ka- 250 verbunden ist. Die beiden Leitungen 253 und pillarrohres 60 parallel zueinander derart angeordnet 257 sind außerdem miteinander über einen Widersind, daß der Einlaß 61 und der Auslaß 62 neben- stand 255 verbunden. Der aus den Teilen 240, 241 einanderliegen. 30 und 242 bestehende Wandler liegt in einem Behälter In F i g. 8 sind zwei Meßzylinder konzentrisch in- 244, dem durch eine Zuleitung 245 ein Medium unter einander angeordnet, nämlich der Meßzylinder 96 Druck zugeführt werden kann. Die zu dem Wandler und der Meßzylinder 95. Dem Innern des einen oder führenden elektrischen Leitungen sind mittels Isolades anderen Meßzylinders kann ein Druckmedium toren 246, 247, 248 und 249 durch die Wandung des zugeführt werden, während der andere Meßzylinder 35 Behälters 244 hmdurchgeführt.
zur Atmosphäre offen ist. Die elektrische Verbindung Bei Anstieg des Druckes innerhalb des Behälters zu einem Galvanometer 118 entspricht der Schaltung 244 werden die Mitten der Membranen 240 und 241 der vorherigen Figuren. einander genähert, während sie sich voneinander entin F i g. 9 ist innerhalb einer zylindrischen Wan- fernen, wenn der Druck in dem Behälter nachläßt, dung 121 eine dazu konzentrische Wandung 122 vor- 40 Die sich dadurch ergebende Widerstandsänderung gesehen, wobei die Wandungen 121 und 122 aus kann am Galvanometer 259 abgelesen werden,
einem Stück mit einem Boden 120 bestehen. Der zwi- Bei dieser Anordnung bilden die beiden Membraschen den konzentrischen Zylindern 121 und 122 ge- nen 240 und 241 zwei Zweige eines Brückenkreises, bildete Ringraum 124 ist durch einen Glasring 125 deren andere Zweige auf den Widerständen 255 und abgeschlossen. An einer Stelle geht durch diesen 45 262 bestehen. Daher wird bei dieser Anordnung ein Glasring 125 ein Rohr 126, durch das ein Druck- doppelter Meßwert im Vergleich zu den Anordnunmedium in Richtung des Pfeiles 127 in den Ring- gen der Fig. 10 und 11 erzeugt,
raum 124 eingeführt werden kann. Die mit den Tei- Die Anordnung nach Fig. 13 unterscheidet sich len 120, 121, 122 verbundenen elektrischen Leitun- von der nach F i g. 10 im wesentlichen nur dadurch, gen können in ähnlicher Weise mit einem Galvano- 50 daß die Basis 270 des halbkugelförmigen Wandlers meter verbunden werden wie in Fig. 8. Der Boden starr und mit einem Einlaßrohr 286 versehen ist, 120 würde dann mit der Batterie und jede der Wan- während der halbkugelige Teil 271 unter dem im düngen 121 und 122 einerseits mit dem Galvano- Innern des Wandlers herrschenden Druck deformiermeter und andererseits mit einem der Widerstände bar ist.is a galvanometer 55 in the manner of a bridge with In F i g. 10, the measuring container consists of a semi-resistors 46 and 52 and a power source 48 spherical shell 210, which is connected by a thin, as. By connecting the cylinder 40 membrane acting wall 212 is closed. At, a temperature fluctuation is compensated, the change in the pressure of the medium introduced through a pipe 214 roughly from the temperature and pressure of the environment 5 to the container 210 could result. the deflection of the membrane 212. As a result, the arrangement of FIGS. 5 differs from mechanical tension in the membrane 212. 4 in the same way as FIG. 3 of FIG. 2 genes that change the electrical resistance that makes a difference. The cylinder 40, which is closed by the stopper 42 and is connected in a bridge circuit, is located in a container 35, io vanometer 225 is measured,
which is connected via a line 36 to a not shown. The arrangement of FIG. 11 differs from th container, the pressure of which is measured that of FIG. 10, as the arrangement of FIG. 3 is to be. The line 36 is connected to a line 13 from that of FIG. 2 distinguishes
connected to which the pressurized medium is supplied to the transducer element shown in FIG. The two cylinders are, two diaphragms 240, 241, which have the same shape as in FIG. 4, with a galvanometer 55, connected closed to form a cylindrical body. is. In Fig. 6, the measuring cylinder is in the form of a ring 240A, 241A. The two rings are with elek capillary tube 60, which is in its middle 60 ° C closed- 20 Irish lines with the ends of a resistance. In the inlet 61, a pressure medium in the 262 can be connected, one end of which can be admitted with a Bat direction of the arrow 61. The terie 250 and its other end with a galva end 62 is open to the atmosphere. The digits 50, 61, nometer 259 is connected. The center of the membrane 62 is connected to a galvanometer 55 via a bridge 240 by means of an electrical line 257 with a circuit, similar to that in FIG. 4 and 5. 25 galvanometers 259 connected while the center of FIG. 7 differs from FIG. 6 merely because membrane 241 is connected to the battery via a line 253 so that the two parts 60A and 60B of the cable 250 are connected. The two lines 253 and pillar tube 60 are arranged 257 parallel to one another in such a way that the inlet 61 and the outlet 62 are connected to one another via a gap 255. The parts 240, 241 lie one on top of the other. 30 and 242 existing transducers lies in a container in FIG. 8 there are two measuring cylinders concentrically in 244, to which a medium can be arranged one below the other through a feed line 245, namely the measuring cylinder 96 pressure. To the transducer and the measuring cylinder 95. The inside of one or the leading electrical lines are by means of Isolades other measuring cylinder, a pressure medium gates 246, 247, 248 and 249 can be fed through the wall of the, while the other measuring cylinder 35 container 244 hm carried out.
is open to the atmosphere. The electrical connection When the pressure inside the container rises to a galvanometer 118, the circuit 244 corresponds to the centers of the diaphragms 240 and 241 of the previous figures. approached each other as they diverged from each other. 9 is within a cylindrical trough, when the pressure in the container decreases, dung 121 has a wall 122 concentric to it.
a piece with a bottom 120 exist. In this arrangement, the two diaphragms form the concentric cylinders 121 and 122, 240 and 241, two branches of a bridge circle, the annular space 124 is formed by a glass ring 125, the other branches of which are terminated on the resistors 255 and. At one point this 45 262 goes through. Therefore, with this arrangement, a glass ring 125 becomes a tube 126, through which a pressure double the measured value compared to the medium in the direction of the arrow 127 in the rings of FIGS. 10 and 11 is generated.
room 124 can be introduced. The electrical lines connected to the parts 120, 121, 122 differ from that according to FIG. 10 essentially only by connecting the base 270 of the hemispherical transducer to a galvanometer in a similar manner as in FIG each of the walls while the hemispherical part 271 is under the pressure prevailing in the fertilizer 121 and 122 on the one hand with the electroplated interior of the transducer and on the other hand with one of the resistors bar.

verbunden. Diese Anordnung ist besonders geeignet 55 Bei F i g. 14 hat der Wandler die Form eines kugelfür die Ausbildung der Teile 120, 121 und 122 aus kartenförmigen Raumes S, der durch kalbkugelige einem Halbleiter bzw. Germanium, Silicium oder aus Wände 290 und 291 gebildet wird. Diese Wände sind einer Halbleiterverbindung Siliciumcarbid. in Nuten 295^4 und 295 B eines starren Ringes 295 Bei den in F i g. 2 bis 9 dargestellten Wandlerele- eingelassen und mit dem Ring verlötet oder vermenten sind die elektrischen Anschlüsse an den 60 schweißt. Durch ein Rohr kann ein Druckmedium in Enden dieser Elemente angeordnet. Die Anschlüsse den Raum S eingelassen werden. Elektrische Leitunkönnen aber auch in Abständen von den Enden oder gen sind angeschlossen an den Ring 295 und an die an irgendwelchen Stellen zwischen den Enden vorge- Mitten der halbkugeligen Wände 290 und 291 und sehen sein und der Spannungsabfall zwischen diesen mit einem Galvanometer 308 über eine Brücken-Stellen gemessen werden. Das gilt insbesondere bei sol- 65 schaltung verbunden. Auch bei dieser Anordnung erchen Halbleitern, bei denen die Orientierung der Kri- gibt sich eine Verdoppelung, also Verstärkung, der stallebenen des Halbleitermaterials einen Einfluß auf dem Galvanometer 308 zugeführten Meßsignale wie die Stellen mit dem maximalen Wandlereffekt haben. in Fig. 13.connected. This arrangement is particularly suitable 55 in FIG. 14, the transducer has the shape of a sphere for the formation of the parts 120, 121 and 122 from card-shaped space S, which is formed by calf-spherical semiconductors or germanium, silicon or from walls 290 and 291. These walls are made of a semiconductor compound silicon carbide. in grooves 295 ^ 4 and 295 B of a rigid ring 295 When in F i g. The converter elements shown in FIGS. 2 to 9 are embedded and soldered or cemented to the ring, the electrical connections are welded to the 60. A pressure medium can be arranged in ends of these elements through a pipe. The connections can be let into the room S. Electrical conductors can also be connected to the ring 295 and to the hemispherical walls 290 and 291 at any point between the ends and the voltage drop between these can be seen with a galvanometer 308 via a bridge -Places to be measured. This applies in particular to a 65 connection. In this arrangement, too, semiconductors can be found in which the orientation of the sensor is doubled, that is to say amplification, of the structural planes of the semiconductor material and has an influence on the measurement signals supplied to the galvanometer 308, such as the points with the maximum transducer effect. in Fig. 13.

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Der in Fig. 15 dargestellte Wandler besteht aus Gehäuse330 als Wandteil eine Platte335 aus einemThe transducer shown in Fig. 15 consists of a housing 330 as a wall part of a plate 335

einem Gehäuse 320, das mit einem Einlaß 321 ver- Halbleiter. Die Platte ist zwischen O-Ringen 333, a housing 320 which is connected to an inlet 321 semiconductor. The plate is between O-rings 333,

sehen ist und dessen Wandung zu einem Teil von 334 zwischen Flanschen 332 a, 332 b luftdicht gehal-can be seen and the wall of which part of 334 is kept airtight between flanges 332 a, 332 b

einer kreisförmigen Scheibe 322 aus einem Halb- ten. Von einem Mittelkontakt 336 aus erstrecken sicha circular disk 322 of a half. Extending from a center contact 336

leiter gebildet wird. Die Scheibe 322 ist mittels ihrer 5 nach zwei verschiedenen Richtungen sektorenförmigehead is formed. The disk 322 is sector-shaped by means of its 5 in two different directions

Ränder 323 zwischen Flanschen 324 und 325 luft- Flächen C und D, an deren Enden Kontakte 337 bzw.Edges 323 between flanges 324 and 325 air surfaces C and D, at the ends of which contacts 337 resp.

dicht befestigt. In der Mitte der Scheibe ist ein elek- 338 angebracht sind, die mit dem Galvanometerkreistightly fastened. In the middle of the disk is an elec- 338 attached to the galvanometer circuit

irischer Anschluß 326 vorgesehen; in einem von die- in Verbindung stehen.Irish port 326 provided; in one of the- related.

sem Anschluß ausgehenden Sektor der Scheibe 322 Es ist nicht unbedingt notwendig, daß die gedrucksind zwei bogenförmige Anschlüsse 327 und 328 vor- 10 ten Felder vom Mittelpunkt der Scheibe ausgehen,
gesehen. Die Flächen A und B zwischen den Kontak- F i g. 19 zeigt bei einer derartigen Scheibe 340 zwei ten 326, 327 und 328 sind »gedopte« Flächen des Kontakte 341, 342, zwischen denen eine gedopte Halbleiter 322. Fläche E liegt. Die mit den Kontakten 341 und 342 sem connection outbound sector of the disk 322, it is not absolutely necessary that the gedrucksind two arcuate ports 327 and 328 proceed forward 10 th fields from the center of the disk,
seen. The areas A and B between the contact F i g. 19 shows two theses 326, 327 and 328 of such a disk 340 are "doped" surfaces of the contacts 341, 342, between which a doped semiconductor 322nd surface E lies. The ones with contacts 341 and 342

Unter »Dopen« versteht man die Behandlung der verbundenen Leitungen 343 führen zu einem geeigne-"Dope" means the treatment of the connected lines 343 lead to a suitable

Oberfläche eines Halbleiters mit einem anderen Ma- 15 ten Meßgerät.Surface of a semiconductor with another measuring device.

terial derart, daß der elektrische Widerstand des so Bei der in Fig. 20 dargestellten kreisförmigenmaterial such that the electrical resistance of the circular

behandelten Teiles geändert wird. Zu diesem Zweck Scheibe 350 aus Halbleitermaterial sind zwischentreated part is changed. To this end, slices 350 of semiconductor material are between

kann man die Fläche beispielsweise imprägnieren dem Rand 357 und dem Mittelteil der Scheibe kon-you can, for example, impregnate the surface with the edge 357 and the middle part of the disc

oder mit einer Schicht dieses Materials belegen. Eine zentrische Nuten 351 und 352 derart angeordnet, daßor cover with a layer of this material. A central grooves 351 and 352 arranged such that

solche Behandlung eines Halbleiters, beispielsweise 20 zwischen diesen Nuten ein dünner Flansch 354 ver-such treatment of a semiconductor, for example 20 a thin flange 354 between these grooves

Silicium, Indiumantimonid oder Germanium, ergibt bleibt, der bei Drücken in Richtung der Pfeile 355 Silicon, indium antimonide or germanium, which remains when pressed in the direction of arrows 355

bei Verwendung in Druckwandlern häufig eine er- und 356 eine Durchbiegung des mittleren Teiles deroften when used in pressure transducers one ER and 356 a deflection of the central part of the

heblich höhere Meßspannung. Scheibe ermöglicht, ohne daß diese Durchbiegungsignificantly higher measuring voltage. Disk allows without this deflection

Die Scheibe 322 kann beispielsweise aus höchst durch den Rand 357 wie bei einer eingespanntenThe disk 322 can, for example, from the highest through the edge 357 as in a clamped

reinem »N«-Typ Silicium bestehen, das einen Wider- 25 Scheibe beeinflußt wird.consist of pure "N" -type silicon, which is affected by a counter-disk.

stand in der Größenordnung von 1000 bis 4000 Ohm F i g. 21 zeigt einen rohrförmigen Wandler 360 pro Zentimeter hat. Auf dieser Oberfläche wird da- aus Halbleitermaterial. Auf seiner Oberfläche sind durch, daß sie bei hoher Temperatur einer oxydie- gedopte Felder K und L dargestellt. Die Form und renden Atmosphäre ausgesetzt wird, eine dicke die Anordnung dieser Felder können entweder beSchicht Siliciumdioxyd erzeugt. Diese Oxydschicht 30 rechnet oder experimentell ermittelt werden, um wird dann auf der Fläche des Ausschnittes, der ge- möglichst günstige Meßwerte zu erhalten. Die Feidopt werden soll (in F i g. 16 der Kreissektor unter der K und L sind an ihren Enden mit Anschlußkon-Einschluß der Flächen der Anschlüsse 326, 327 und takten 361 und 362 bzw. 364, 365 versehen, die über 328), abgeätzt. Dann wird das Halbleiterelement eine Brückenschaltung mit einem Galvanometer verunter hoher Temperatur einer Arsenatmosphäre aus- 35 bunden werden können.was on the order of 1000 to 4000 ohms F i g. 21 shows a tubular transducer which has 360 per centimeter. This turns into semiconductor material on this surface. On its surface are shown by the fact that they are oxidized doped fields K and L at high temperature. The form and atmosphere is exposed, a thick arrangement of these fields can either be coated with silicon dioxide. This oxide layer 30 is calculated or determined experimentally in order to then obtain the most favorable measured values on the area of the cutout. The Feidopt is to be (in Fig. 16 the circular sector under the K and L are provided at their ends with connection con-inclusion of the surfaces of the connections 326, 327 and clocks 361 and 362 or 364, 365 , which over 328), etched off. Then the semiconductor element will be able to form a bridge circuit with a galvanometer under a high temperature of an arsenic atmosphere.

gesetzt. Das Arsen diffundiert leicht in das Silicium, Für alle solche Galvanometer-Brückenschaltungenset. The arsenic easily diffuses into the silicon, for all such galvanometer bridge circuits

aber in viel geringerem Maße durch die Schutzschicht gilt natürlich, daß sie einen veränderbaren Wider-but to a much lesser extent through the protective layer it is of course true that it has a changeable resistance

des Siliciumdioxydes. Nachdem die Diffusion bis zur stand enthalten, durch den die Brücke justiert werdenof silicon dioxide. After containing the diffusion up to the stand by which the bridge can be adjusted

gewünschten Tiefe, z. B. bis zur Tiefe von 0,0025 kann, vorzugsweise derart, daß der Galvanometer-desired depth, e.g. B. to a depth of 0.0025, preferably such that the galvanometer

bis 0,125 mm oder mehr fortgeschritten ist, wird die 4° ausschlag null beträgt, wenn der Wandler keinenuntil 0.125 mm or more has progressed, the 4 ° deflection will be zero if the converter does not

Behandlung angehalten und die Scheibe geglüht und mechanischen Spannungen ausgesetzt ist.Treatment is stopped and the disc is annealed and exposed to mechanical stresses.

gealtert und dann die elektrischen Kontakte 326, 327 Der Wandler nach den F i g. 22 bis 24 besteht ausaged and then the electrical contacts 326, 327 The transducer according to FIGS. 22 to 24 consists of

und 328 angebracht. einem Behälter 400, der dem Behälter 20 der F i g. 1and 328 attached. a container 400 which corresponds to the container 20 of FIG. 1

Der Diffusionsprozeß kann in Abhängigkeit von ähnlich ist. Er besteht aus einem Rohr 401 aus HaIb-The diffusion process can be similar depending on. It consists of a tube 401 made of half

Zeit, Temperatur und Menge und Art des Dopmate- 45 leitermaterial und ist an jedem Ende durch StopfenTime, temperature, and amount and type of Dopmate-45 conductor material and is plugged at each end

rials geregelt werden, um so auf der Sektorfläche 402 und 403 dicht verschlossen. Der durchbohrterials are regulated so as to be tightly sealed on the sector surface 402 and 403. The pierced

einen Widerstand in der Größenordnung von Stopfen 402 enthält ein Zuflußrohr 404 zur Aufgabea resistance on the order of plug 402 includes a feed tube 404 to the feed

1 Ohm/cm zu erhalten. des Flüssigkeitsdruckes im Innern des Behälters.1 ohm / cm. the liquid pressure inside the container.

Das Grundmateril, z. B. die Siliciumscheibe 322, Ringförmige Elektroden 406 und 407 sind an den wirkt im wesentlichen als ein Isolator gegenüber den 50 Stirnseiten des Rohres 401 konzentrisch zur Längsgedopten Abschnitten von niedrigem Widerstand. achse angebracht und durch Leitungen 408 bzw. 410 Man kann auch ein »N«-Typ-Dopmaterial auf einem mit einem Spannungsmesser 409 verbunden.
»P«-Typ-Grundmaterial verwenden; dabei ergibt sich Eine dritte ringförmige Elektrode 411 ist in der ein Gleichrichtkontakt in der Grenzschicht der bei- Mitte zwischen den Elektroden 406 und 407 auf der den Stoffe. Die Gleichrichtwirkung erhöht die Isolier- 55 Innewandung des Rohres 401 und eine vierte Elekeigenschaft des Grundmaterials. trode412 auf der Außenwandung konzentrisch zurThe basic material, e.g. B. the silicon wafer 322, annular electrodes 406 and 407 are on the acts essentially as an insulator with respect to the 50 end faces of the tube 401 concentric to the longitudinally doped sections of low resistance. Axis attached and through lines 408 and 410 respectively. An "N" -type doping material can also be connected to a voltmeter 409 .
Use "P" -type base material; This results in a third ring-shaped electrode 411 in which there is a rectifying contact in the boundary layer of the two middle between the electrodes 406 and 407 on the substances. The rectifying effect increases the insulating 55 inner wall of the tube 401 and a fourth electrical property of the base material. trode412 on the outer wall concentric to the

Das Dopen einer ausgewählten Fläche des Halb- dritten angebracht. Die Elektroden 406, 407, 411 undThe doping of a selected area of the half-third is appropriate. The electrodes 406, 407, 411 and

leitermaterials kann auch durch Plattieren oder Auf- 412 bestehen vorzugsweise aus Nickel. Die Elektro-Conductor material can also consist of plating or 412 preferably of nickel. The electric

bringen einer dünnen Schicht des Dopmaterials im den 406 und 407 dienen zur Messung der SpannungApplying a thin layer of the doping material in the 406 and 407 are used to measure the voltage

Vakuum erfolgen; die Diffusion des Dopmaterials 60 senkrecht zum Stromfluß zwischen den AnschlüssenVacuum take place; the diffusion of the doping material 60 perpendicular to the current flow between the connections

kann dann bei höherer Temperatur mit nachfolgen- 411 und 412. Die Elektroden 411, 412 sind über einecan then follow at a higher temperature with 411 and 412. The electrodes 411, 412 are via a

dem Glühen und Altern erfolgen. Batterie 416 und einen Regulierwiderstand 414 mitannealing and aging. Battery 416 and a regulating resistor 414 with

Bei der Anordnung nach Fig. 15 und 16 wird der einem Strommesser 418 verbunden.In the arrangement according to FIGS. 15 and 16, an ammeter 418 is connected.

Meßkreis eines Galvanometers, wie er in den vor- Beim Fließen eines konstanten Stromes zwischenMeasuring circuit of a galvanometer, as it is in the pre- When a constant current flows between

stehenden Figuren dargestellt ist, an die Anschlüsse 65 den Elektroden 411, 412 wird zwischen den Elektro-standing figures is shown, to the connections 65 the electrodes 411, 412 is between the electrode

326 und 327 und 328 angelegt. den 406 und 407 eine Spannung, die dann vom Span- 326 and 327 and 328 applied. the 406 and 407 a voltage, which is then

Bei der Anordnung nach F i g. 17 besitzt ein mit nungsmesser 409 angezeigt wird, nur auftreten, wennIn the arrangement according to FIG. 17 has a with voltage meter 409 will only occur when

einem Zuleitungsrohr 331 versehenes geschlossenes der Druck im Innern des Behälters 400 erhöht wird.a supply pipe 331 provided the pressure inside the container 400 is increased.

Man kann auch die Stromquelle an die Anschlüsse 406 und 407 und den Spannungsmesser an die Anschlüsse 411 und 412 anlegen.You can also connect the power source to terminals 406 and 407 and the voltmeter to terminals Create 411 and 412.

Fig. 25 zeigt eine Anordnung ähnlich Fig. 19. Jedoch sind außer den beiden Anschlüssen 428 und 429, die den Anschlüssen 341, 342 der F i g. 19 entsprechen, in der Mitte zwischen diesen beiden Anschlüssen zwei weitere Anschlüsse 431 und 432 vorgesehen, so daß durch das eine Paar Anschlüsse der Strom, durch das andere Paar Anschlüsse die Spannung gemessen werden kann, ähnlich wie dies bei F i g. 22 erklärt worden ist.Fig. 25 shows an arrangement similar to Fig. 19. However are in addition to the two connections 428 and 429 which correspond to the connections 341, 342 of FIG. 19 correspond, two further connections 431 and 432 are provided in the middle between these two connections, so that through one pair of connections the current, through the other pair of connections the voltage can be measured, similar to that in FIG. 22 has been declared.

Bei der Anordnung nach Fig. 28, 29 sind entsprechende Paare von Elektroden 446, 447 auf entsprechenden gegenüberliegenden Stellen eines gedopten Feldes 441 eines Halbleiters 442 angeordnet, der die halbkugelige Wand eines im übrigen durch eine diagonale Wand 444 gebildeten Wandlers darstellt.In the arrangement according to FIGS. 28, 29 are corresponding Pairs of electrodes 446, 447 on respective opposite locations of a doped Field 441 of a semiconductor 442 arranged, the hemispherical wall of a otherwise by a diagonal Wall 444 represents transducer formed.

Nach den F i g. 26 und 27 besteht der Wandler aus einer Halbkugel 476 aus Halbleitermaterial und einer ao sie abschließenden Kreisscheibe 447, die ein Einlaßrohr 478 besitzt. Auf der Außenseite der Halbkugel ist in der Mitte ein Anschluß 479 sowie ein dazu konzentrischer ringförmiger Anschluß 480 vorgesehen, die über Leitungen 481 mit einer Stromquelle verbunden werden können. Zwischen diesen beiden Elektroden 479 und 480 ist auf der Außenseite des halbkugeligen Halbleiters 476 ein zu ihnen konzentrischer Anschluß 483 angebracht und ihm gegenüber auf der Innenseite des halbkugeligen Halbleiters eine Elektrode 484 angebracht. Die Elektroden 483 und sind mittels Leitungen 485 und 486 mit einem Spannungsmesser verbunden. Im übrigen gilt hier dasselbe, was für F i g. 22 ausgeführt wurde.According to the F i g. 26 and 27, the converter consists of a hemisphere 476 made of semiconductor material and an ao they final circular disk 447, which has an inlet pipe 478. On the outside of the hemisphere a connection 479 and a concentric annular connection 480 are provided in the middle, which can be connected to a power source via lines 481. Between these two Electrodes 479 and 480 are concentric to them on the outside of the hemispherical semiconductor 476 Terminal 483 attached and opposite it on the inside of the hemispherical semiconductor one Electrode 484 attached. The electrodes 483 and are by means of leads 485 and 486 with a Voltmeter connected. Otherwise, the same applies here as for F i g. 22 was executed.

Claims

Patent claims:

1. Apparatus for measuring a pressure by measuring the electrical resistance of a hollow body exposed to pressure, thereby characterized in that at least part of the wall of the hollow body is made of a semiconductor consists.

2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the hollow body is closed on all sides is.

3. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the semiconductor Has the form of a support on the outer or inner surface of the hollow body.

4. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the semiconductor is a doped Place of the surface of the hollow body is.

5. Device according to one of claims 1, 3 and 4, characterized in that the hollow body has the shape of a tube.

6. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that the semiconductor is a single crystal.

7. Device according to one of claims 1, 2, 5 and 6, characterized in that the Semiconductor has the shape of a membrane closing off a hollow body.

For this purpose 2 sheets of drawings 009 522/54