DE1427770A1 - Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe in Einzelsysteme - Google Patents

Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe in Einzelsysteme

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DE1427770A1
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DE
Germany
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semiconductor wafer
breaking down
individual systems
individual
systems
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Pending
Application number
DE19641427770
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English (en)
Inventor
Walter Klossika
Georg Reinhardt
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1427770A1 publication Critical patent/DE1427770A1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H10P50/00—
    • H10P52/00—

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

  •

Claims (1)

  1.
    4) Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekenn-
DE19641427770 1964-06-12 1964-06-12 Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe in Einzelsysteme Pending DE1427770A1 (de)

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DET0026358 1964-06-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1427770A1 true DE1427770A1 (de) 1968-12-12

Family

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0075102A3 (en) * 1981-09-22 1983-09-21 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor with a multi-layer pnpn semiconductor body and process for its manufacture
EP0075103A3 (de) * 1981-09-22 1983-09-28 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit einem Mehrschichten-Halbleiterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung

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EP0075102A3 (en) * 1981-09-22 1983-09-21 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor with a multi-layer pnpn semiconductor body and process for its manufacture
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