DE1424409A1

DE1424409A1 - Memory matrix with superconducting switching elements

Info

Publication number: DE1424409A1
Application number: DE19611424409
Authority: DE
Inventors: Haynes Munro King
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1960-05-18
Filing date: 1961-05-18
Publication date: 1969-01-09

Description

Speichermatrix mit supraleitenden Schaltelementen (Zusatz zu Patent ...... (Docket 10 201) Das Hauptpatent betrifft eine Speicheranordnung mit einer Vielzahl von in Vorm einer Matrix in Zeilen und Spalten angeordneten und zeilenweise in mehreren parallelen Registern zusammengefaßten supraleitenden Schaltelementen, welche einen. in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Teil aufweisen, in welcher mindestens eine der für jede Spalte der Matrix vorgesehenen Entnahmeleitungen durch Parallelschalten einer weiteren, mindestens mit einem in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Tgl zum Rückstellen versehenen Leitung und Artschließen an eine Stromquelle als Zwischenspeicher für die einem der Speicherelemente der Spalte entnommene Information ausgebildet ist.Memory matrix with superconducting switching elements (addendum to patent ...... (Docket 10 201) The main patent relates to a memory arrangement with a Plurality of arranged in front of a matrix in rows and columns and row by row superconducting switching elements combined in several parallel registers, which one. have reversible part in its conductivity state, in which at least one of the sampling lines provided for each column of the matrix Parallel connection of another, at least one with its conductivity state reversible Tgl for resetting provided line and type connection to a power source as a buffer for the information taken from one of the memory elements of the column is trained.

Gegenstand der Erfindung ist eine vorteilhafte Weiterbildung des Gegenstanden des Hauptpatentes, welche es ermöglicht, die in einem Register gespeicherten AIin einem Schritt auszulesen, mit anderen, durch Steuersignale dupstellten Angaben zu verknüpfen und in das gleiche Register zurück- oder in beliebige andere Register einzuschreiben. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß in jeder Spalte der Matrix eine Entnahmeleitung zusammen mit einer Steuerleitung über eine logische Grundschaltung eine Eingabeleitung dieser Spalte beeinflußt.The subject of the invention is an advantageous further development of the objects of the main patent, which enables the AIin to read out a step, with other information dupstellten by control signals link and in the same Register back or in any to register other registers. This is achieved according to the invention in that in each column of the matrix a sampling line together with a control line influences an input line of this column via a basic logic circuit.

Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung kann der Inhalt eines Registers in einem Schritt ausgelesen, um Eins erhöht und in das gleiche Register' zurück- oder in beliebige andere Register eingeschrieben werden. Dies wird dadurch erreicht, daß die logische Grundschaltung eine binäre Halbaddierschaltung mit zwei Eingängen, einem Summen- und eineatÜbertragsausgang ist und daß ihr erster Eingang mit der Entnahmeleitung, ihr Summenausgang mit der Eingabeleitung der Spalte und ihr zweiter Eingang mit dem _Übertragsausgang der vorhergehenden Spalte verbunden ist.According to a further feature of the invention, the content of a register read out in one step, increased by one and returned to the same register or written in any other register. This is achieved by that the basic logic circuit is a binary half-adding circuit with two inputs, a sum output and an at-carry output and that its first input is the Sampling line, its total output with the input line of the column and its second Input is connected to the transfer output of the previous column.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispieles näher beschrieben. Hierbei werden als Beispiel für in ihrem Leitfähigkeitszustand umsteuerbare Supraleiterabschnitte sog. Kryotrons verwendet; die Erfindung soll jedoch nicht auf Kryotronanordnungen beschränkt sein. In Mg. 1 ist ein Kryotron 10 dargestellt, bei dem eine Wicklung 12 ein Torelement 14 umgibt. Dieses hier zur Erleichterung der Darstellung als aus Draht gewickeltes Kryotron dargestellte Kryotronkönnte natürlich auch aus dünnen 'Schichten, aufgebaut sein. Die Schaltung des Kryotrons 10 von Fig. 1 ist in Fig. 2 vereinfacht dargestellt. In Fig. 1 und 2 sind übereinstimmende Teile mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Die Wicklung 12 von T'ig. 1 ist in Fig. 2 durch die vertikale Leitung 12 dargestellt, die über dem Torelement 14 liegt. Die vereinfachte Beschriftung von Fig. 2 wird in Fi.g. 3 und 4 zur Darstellung eines Kryotrnns benutzt.In the following the invention with reference to one in the accompanying drawings illustrated embodiment described in more detail. Here are an example for so-called cryotrons for superconductor sections whose conductivity can be reversed used; however, the invention is not intended to be limited to cryotron assemblies. In Mg. 1 shows a cryotron 10 in which a winding 12 has a gate element 14 surrounds. This one here for ease of illustration as wound from wire The cryotron represented by a cryotron could of course also be built up from thin layers be. The circuit of the cryotron 10 from FIG. 1 is shown in simplified form in FIG. In Fig. 1 and 2, corresponding parts are denoted by the same reference numerals. The winding 12 of T'ig. 1 is represented in Fig. 2 by the vertical line 12, which lies above the gate element 14. The simplified lettering of FIG. 2 becomes in Fi.g. 3 and 4 are used to represent a cryogen.

Die Schaltungen nach der Erfindung werden bei niedriger Temperatur betrieben, z. B. durch Eintauchen in flüssiges Helium. Die Schaltungsleitungen oder -dränte und die Steuerspulen jedes Kryotrons bestehen aus hartem Supraleitermaterial, z. B. aus NTiobium, und das Torelement besteht aus weichem Supraleitermaterial, z. B. Tantal. Die verwendeten Ströme erzeugen ein magnetisches Feld in der Steuerspule, das stärker als das kritische Feld des Torleiters, aber nicht stärker als das kritische Feld der Steuerspule oder der Verbindungsleitungen ist. Daher wird der Torleiter des Kryotrons normalleitend, wenn Strom in der Steuerspule fließt, und das Torelement ist supraleitend, wenn entweder kein Strom in der Steuerspule fließt oder wenn der darin fließende Strom schwächer als der kritische Strom des Torleiters ist.The circuits according to the invention are operated at low temperature operated, e.g. B. by immersion in liquid helium. The circuit lines or -drains and the control coils of each cryotron are made of hard superconductor material, z. B. made of NTiobium, and the gate element is made of soft superconductor material, z. B. tantalum. The currents used generate a magnetic field in the control coil, the stronger than the critical field of the goal leader, but not stronger than the critical Field of the control coil or the connecting lines is. Hence the gatekeeper of the cryotron normally conducting when current flows in the control coil, and the gate element is superconducting if either no current flows in the control coil or if the The current flowing in it is weaker than the critical current of the gate conductor.

In Fig. 3 und 4.ist eine Matrix 16 mit Registern 20, 21 und 22 dargestellt. Durch Erhöhung oder Verringerung der Registerzahl oder der Zahl von Speicherstellen in jedem Register kann die Größe der Matrix 16 verändert werden. Die in die Matrix 16 einzuspeichernden Informationen werden von einer Eingabevorrichtung 30 geliefert, für die es zahlreiche verschiedene mögliche Formen gibt. Gemäß der Zeichnung besteht die Eingabevorrichtung 30 aus Widerständen 31 bis 34, die mit als Stromquellen dienenden Batterien 35 bis 38 in Reihe geschaltet sind. An die Widerstände 31 bis 34 sind ' Schalter 41 bis 44 angeschlossen, die hier zwar als mechanische Schalter dargestellt sind, aber in der Praxis elektrische oder elektronische Vorrichtungen sein können. Die Schalter 41 bis 44 werden zur Darstellung binärer Informationen nach rechts oder nach links geschlossen.A matrix 16 with registers 20, 21 and 22 is shown in FIGS. 3 and 4. By increasing or decreasing the number of registers or the number of storage locations The size of the matrix 16 can be changed in each register. The ones in the matrix 16 information to be stored is supplied by an input device 30, for which there are many different possible forms. According to the drawing, there is the input device 30 consists of resistors 31 to 34, which also serve as current sources Batteries 35 to 38 are connected in series. At the resistors 31 to 34 are ' Switches 41 to 44 connected, which are shown here as mechanical switches are, but in practice may be electrical or electronic devices. The switches 41 to 44 move to the right to represent binary information or closed to the left.

Zur Veranschaulichung sei willkürlich angenommen, daß beim Schließen nach links die Schalter eine binäre Null darstellen und beim Schließen nach rechts eine binäre Eins. Wenn die Schalter 41 bis 44 an Kontakten 71 bis 74 geschlossen sind, wird keine Information dargestellt. Normalerweise sind diese Schalter an Kontakten 71 bis 74 geschlossen, und sie werden zur Darstellung binärer Informationen nach links oder nach rechts gestellt, wenn durch die Eingabevorrichtung 30 Informationen darstellende Signale der Matrix 16 zugeführt werden. Der Schalter 41 steuert den den Kryotrons 80 und 81 zugeleiteten Batteriestrom, und der Schalter 42 steuert den den Kryotrons 82 und 83 zugeleiteten Batteriestrom. Ebenso steuert der Schalter 43 den den Kryotrons 84 und 85 zugeleiteten Batteriestrom, und der Schalter 44 steuert den den Kryotrons 86 bis 87 zugeleiteten Batteriestrom. Die Schalter 41 bis 44 werden nach links an den Kontakten 91 bis 94 geschlossen, um eine binäre Null darzustellen, wodurch die Torleiter der Kryotrons 80, 82, 84 bzw. 86 normalleitend werden. Die Schalter 41 bis -44 werden zur Darstellung einer binären- Eins nach rechts an den Kontakten 101 bis 104 geschlossen, wodurch die Torleiter der Kryotrons 81, 83, 85 bzw. 87 normalleitend werden. Während einer Einspeicherung werden Ströme an Klemmen 105 bis 108 in Fig. 3 gelegt, die zu den den Ausgangsklemmen 117 bis 120 entsprechenden Leitungen 321 bis 328 fließen.For the purpose of illustration it is assumed arbitrarily that when closing to the left the switches represent a binary zero and when closing to the right a binary one. When the switches 41 to 44 on contacts 71 to 74 are closed no information is displayed. Usually these switches are on contacts 71 through 74 are closed, and they are used to represent binary information according to placed left or right when entering information through input device 30 signals representing the matrix 16 are supplied. The switch 41 controls the battery power supplied to cryotrons 80 and 81, and switch 42 controls the battery power supplied to cryotrons 82 and 83. The switch also controls 43 the battery power supplied to the cryotrons 84 and 85, and the switch 44 controls the battery power supplied to the cryotrons 86 to 87. The switches 41 to 44 are closed to the left at contacts 91 to 94 to represent a binary zero, whereby the gate ladder of the cryotrons 80, 82, 84 and 86 become normally conductive. the Switches 41 to -44 are to represent a binary one to the right to the Contacts 101 to 104 closed, whereby the gate ladder of the cryotrons 81, 83, 85 or 87 become normally conductive. During storage, currents are applied to terminals 105 to 108 in FIG. 3, which correspond to the output terminals 117 to 120 Lines 321 to 328 flow.

Das Register 20 in Fig. 3 enthält Speicherschleifen 111 bis 114, denen Abfühlschleifen 121 bis 124 zugeordnet sind. Die Schleifen dieses Registers sind durch die Punkte A, B, C und D in Verbindung mit der Schleifennummer abgegrenzt. Wenn eine Einspeicherung im Register 20 stattfinden soll, wird eine Schreibleitung 125 verwendet, und ein Strom auf dieser Leitung macht die Torleiter der Kryatrons 131 bis 134 normalleitend. Soll eine Ausspeiche- rang aus dem Register 20 stattfinden, wird eine Leseleitung 135 verwendet, und ein Strom auf dieser ,Leitung macht die Torleiter der Kryotrons 141 bis 144 normalleitend. Die in den Abfühlschleifen 121 bis 124 enthaltenen Kryo- trons 151 bis 154 werden bei einer Ausspeicherung als Abfühlvorrichtungen verwendet. Im Register 21 von Fig; 4 sind Speicherschleifen 161 bis 164 den Abfühl- schleifen 171 bis 174 zugeordnet. Jede dieser Schleifen im Register 21 wird durch die Punkte A, B, C und D in Verbindung mit der Schleifennum- mer abgegrenzt. Eine Leseleitung 175 wird für die Ausspeicherung von In- formationen aus dem Register 21 v rwendet und durch einen Strom auf die- er otrona" ser Leitung werden die Torleiter 181 bis 184 normalleitend. Eine Schreib- leitung 185 wird für die Einspeicherung von Informationen in das Register 21 verwendet, und ein Strom auf dieser Leitung macht die Torleiter der Kryo- trons 191 bis 194 normalleitend. Die in den Abfühlschleifen 171 bis 174 ent- haltenen Kryotrons 201 bis 204 werden während einer Ausäpeicherung aus dem Register 21 als Abfühlvorrichtungen verwendet. Das Register 22 in Fig. 4 enthält Speicherschleifen 211 bis 214, die Abfühl- schleifen 221 bis 324 zugeordnet sind. Bei der Ausspeicherung aus dem Regi- ster 22 wird eine Leseleitung 225 verwendet, und ein Strom auf dieser Lei- tung macht die Torleiter der Kryotrons 231 bis 234 normalleitend. Bei der Einspeicherung von Informationen in das Register 22 wird eine Schreiblei- tung 235 verwendet, und ein Strom auf dieser Leitung macht die Torleiter der Kryotrons 241 bis 244 normalleitend. Die in den Abfühlschleifen 221 bis 224 enthaltenen Kryotrons 251 bis 254 werden bei einer Ausspeicherung aus dem Register 22 als Abfühlvorrichtungen verwendet. Eine Rückstell- leiteng 255 (Fig. 4) wird für eine Rückstelloperation benutzt, die vor jeder in bezug auf eines der Register 20 bis 22 stattfindenden Aus- oder Einspei- cherung ausgeführt wird. Durch einen Strom auf der Rückatelleitung 255 werden die Torleiter der Kryotrons 261 bis 268 normalleitend und bewirken die Rückstellung.Register 20 in FIG. 3 contains storage loops 111-114 with associated sensing loops 121-124. The loops of this register are delimited by points A, B, C and D in connection with the loop number. If a write is to take place in the register 20, a write line 125 is used and a current is made on this line the gate ladder of the Kryatron 131 to 134 normally conducting. Should a withdrawal rank from register 20, a read line 135 is used, and a current on this line makes the gate ladder of the cryotrons 141 bis 144 normally conducting. The cryogenic cells contained in the sensing loops 121 to 124 trons 151 to 154 are used as sensing devices in the event of a withdrawal used. In register 21 of Fig; 4 are memory loops 161 to 164 the sensing loops 171 to 174 assigned. Each of these loops in register 21 is indicated by points A, B, C and D in connection with the loop number mer delimited. A read line 175 is used for the withdrawal of in- information from register 21 is used and transmitted to the he otrona " This line, the gate ladder 181 to 184 normally conductive. A writing line 185 is used to store information in register 21 used, and a current on this wire makes the gate ladder of the cryo- trons 191 to 194 normally conducting. The results in the sensing loops 171 to 174 Cryotrons 201 to 204 held are turned off during storage the register 21 are used as sensing devices. The register 22 in Fig. 4 contains memory loops 211 to 214, the sensing loops 221 to 324 are assigned. When withdrawing from the regi- ster 22 a read line 225 is used, and a current on this line tion makes the gate ladder of the cryotrons 231 to 234 normally conductive. In the Storage of information in the register 22 is a writing device 235 is used, and a current on this line makes the gate ladder of the cryotrons 241 to 244 are normally conducting. Those in the sensing loops 221 to 224 contained cryotrons 251 to 254 are in a withdrawal from register 22 are used as sensing devices. A reset line 255 (Fig. 4) is used for a reset operation that occurs before each with respect to one of the registers 20 to 22 taking place out or feed backup is carried out. By a current on the return line 255 the gate ladder of the cryotrons 261 to 268 become normally conductive and cause the resetting.

Bei der Ausspeicherung von Informationen aus einem der Register 1 bis 3 von Fig, 3 und 4 gelangen diese durch eine Spaltenabfühlschaltung 270 hindurch zu einer nicht gezeigten Auswertvorrichtung. Informationssignale werden aus den Spalten 1 bis 4 der Register 1 bis 3 über vertikale Leitungen 271 bis 278 gesendet, welche durch Fig. 3 und 4 hindurchführen, Diese Leitungen sind den Spalten darstellungsgemäß zugeordnet, und Ströme auf den Leitungen 271 bis 278 steuern Kryotrons 281 bis 288 in der SpaltenabfÜhlschaltung 270. Von den Klemmen 291 bis 294 kommende Ströme werden den Torleitern der Kryotrons 281 bis 288 in der in Fig. 3 gezeigten Weise zugeführt. Ströme an den Ausgangsklemmen 301 bis 308 stellen binäre Informationen dar. Eine binäre Eins wird dargestellt, wenn Ströme zu den Klemmen 301, 303, 305 oder 307 fliessen, und eine binäre Null, wenn Ströme zu den Klemmen 302, 304, 306 oder 308 fliessen. Die den Klemmen 311 bis 314 zugeführten Ströme steuern die Kryotrons 281 bis 288. Die an diese Klemmen gelegten Ströme treten durch Klemraen 315 bis 318 im unteren Teil von Fig. 4 aus.When extracting information from one of the registers 1 1-3 of FIGS. 3 and 4, these pass through a column sensing circuit 270 to an evaluation device (not shown). Information signals are generated from the Columns 1 to 4 of registers 1 to 3 sent via vertical lines 271 to 278, which pass through Figs. 3 and 4, these lines are the columns as shown and currents on lines 271-278 control cryotrons 281-288 in the column sensing circuit 270. Currents coming from terminals 291 to 294 are the gate ladders of the cryotrons 281 to 288 in the manner shown in FIG. Currents at output terminals 301 to 308 represent binary information. One binary one is shown when currents to terminals 301, 303, 305 or 307 flow, and a binary zero if currents to terminals 302, 304, 306 or 308 flow. The currents supplied to terminals 311 to 314 control the cryotrons 281 to 288. The currents applied to these terminals pass through terminals 315 to 318 in the lower part of FIG.

Gemäß Fig, 3 ist ein Zähler 320 vorgesehen, der zum sehr ittweisen Erb-.@--hen der ihm zugeführten Informationen dienen kann. Die vertikalen Leitungen 271 bis 278 führen dem Zähler 320 Informationen zu, und. die erhöhten Informationen werden aus dem Zähler über vertikale Leitungen 321 bis 328 den Registern 1 bis 3 zugeführt (Fig, 3 und 4). Von den Eingangslätungen 271 bis 278 steuert die Eingangsleitung 271 die Kryotrons 341 und 342, die Leitung 272 steuert die hryotrons 343 und. 344, die Leitung 273 die Kryotrons 345 und 346 und die Leitung 274 die Kryotrons 347 und 348. Die Leitung 275 steuert die Kryotr nns 349 und 350 und die Lei tang 376 die Kryotrons 351 und 35.2. Die Leitung 277 steuert die lryotrons 353 und 354 und die Leitung 278 die Kryotroizs 355 und 356. Was nun die Ausgangsleitungen aus dem Zähler 320 in Fig. 3 betrifft, so enthalten die Leitung 321 die Torleiter der Kryotrons 371 und 372 und die Leitung 322 die Torleiter der Kryotrons 373 und 374. Die Leitung 323 enthält die Torleiter der Kryotrons 375 und 376 und die Leitung 324 die Torleiter der Kryotrons 377 und 378. Die Leitung 325 enthält die Torleiter der Kryotrons 379 und 380, die Leitung 326 die Torleiter der Kryotr,ons 381 und 382, die Leitung 327 die Torleiter der Kryotrons 383 und 384 und die Leitung 328 die Torleiter der Kryotrons 385 und 386. Der Zähler 320 hat Eingangsklemmen 391 und 392. Soll der Inhalt des Zählers um Eins erhöht werden, wird ein Strom an die Klemme 391 gelegt, und wenn der Zählerinhalt unverändert bleiben soll, wird die Klemme 392 mit Strom versorgt. Der Zähler 320 hat Ausgangsklemmen 393 und 394, und wem die Klemme 393 einen Strom empfängt, zeigt das einen Überlaufzustand an. Wenn die Klemme 394 einen Strom empfängt, zeigt das an, daß kein Überlauf vorliegt.According to FIG. 3, a counter 320 is provided which can be used to inherit the information supplied to it in a very detailed manner. The vertical lines 271-278 carry information to the counter 320, and. the incremented information is fed from the counter to registers 1 to 3 via vertical lines 321 to 328 (FIGS. 3 and 4). From the input lines 271 to 278, the input line 271 controls the cryotrons 341 and 342, the line 272 controls the hryotrons 343 and 342. 344, the line 273 the cryotrons 345 and 346 and the line 274 the cryotrons 347 and 348. The line 275 controls the cryotrons 349 and 350 and the lei tang 3 7 6 the cryotrons 351 and 35.2. Line 277 controls lryotrons 353 and 354, and line 278 controls cryotrons 355 and 356. Referring now to the output lines from counter 320 in FIG Gate ladder of the cryotrons 373 and 374. The line 323 contains the gate ladder of the cryotrons 375 and 376 and the line 324 the gate ladder of the cryotrons 377 and 378. The line 325 contains the gate ladder of the cryotrons 379 and 380, the line 326 the gate ladder of the cryotr, ons 381 and 382, the line 327 the gate ladder of the cryotrons 383 and 384 and the line 328 the gate ladder of the cryotrons 385 and 386. The counter 320 has input terminals 391 and 392. If the content of the counter is to be increased by one, a current is applied the terminal 391 is applied, and if the counter content is to remain unchanged, the terminal 392 is supplied with current. The counter 320 has output terminals 393 and 394, and if the terminal 393 receives a current, this indicates an overflow condition. When terminal 394 receives a current, it indicates that there is no overflow.

Zur Veranschaulichung einer Einspeicherung, bei der die einzuspeichernden Informationen von der Eingabevorrichtung 30 geliefert wei,!den, sei angenommen, daß die Einspeicherung 3 in das Register 3 erfolgen soll und daß das zu speichernde binäre Wort 1100 lautet. Zur Einspeicherung des binären Wortes 1100 in die Spalten 1 bis 4 des Registers 3 werden die Schalter 41 bis 44 gemäß Fig. 4 geschlossen. Jetzt werden Ströme an die Eingangsklemmen 105 bis 108 in Fig. 3 gelegt. Die durch die Schalter 41 bis 44 der Eingabevorrichtung 30 in Fig. 4 fließenden Ströme machen die Torleiter der Kryotrons 81, 83, 84 und 86 der Spalten 1 bis 4 normalleitend. Daher fließt Strom in den Spalten 1 bis 4 auf den vertikalen Leitungen 321, 323, 326 bzw. 328. Jetzt wird die Schreibleitung 235 mit Strom erregt, wodurch die Torleiter der Kryotrons 241 bis 244 normalleitend werden. Infolgedessen werden die Ströme aus den vertikalen Leitungen 323 durch die Teile a, b, c, d der Speicherschleifen 211 und 212 umgesteuert. Da die vertikalen Leitungen 325 und 327 in den Spalten 3 bzw. 4 keinen Strom führen, zerstören die normalleitenden Torleiter der Kryotrons 243 und 244 alle etwa vorher in den Speicherschleifen 213 und 214 enthaltenen Dauerströme. Jetzt kann die Anlegung von Strom an die Schreibleitung 235 unterbrochen werden. Trotzdem fließen von den Klemmen 105 und 106 in Fig. 3 aus weiterhin Ströme auf den Leitungen 321 und 323 der Spalten 1 bzw. 2, und zwar fließen sie durch die Teile a, b, c, d der Speicherschlei- fen 211 bzw. 212. Das ist der Fall., weil ein in einem supraleitenden Pfad u raleitenden/ fließender Strom nur unter Zwang in einen parallelen@Pfad üGerwecfiaelt. Jetzt kann die Anlegung von Strom an die Klemmen 105 bis 108 in Fig. 3 unterbrochen werden. Durch die Beendigung der Stromzufuhr zu den Klemmen 105 bis 108 entste= hen Dauerströme in den Speicherschleifen 211 und 212 der Spalten 1 bzw. 2 des Registers 3. In den Speicherschleifen 213 und 214 der Spalten 3 bzw. 4 des Registers 3 entstehen dagegen keine Dauerströme. Das Vorliegen eines Dauerstroms in einer Speicherschleife wird willkürlich als Darstel- lung einer binären Eins und das Fehlen eines Dauerstroms als Darstellung einer binären Null angesehen. Daher stellen die Dauerströme in den Schlei- fen 211 und 212 des Registers 3 binäre Einsen und die nicht vorhandenen Dauerströme in den Speicherschleifen 213 und-Z.-214 binäre Nullen dar. Da- mit ist das Wort 1100 in den Spalten 1 bis 4 des Registers 3 gespeichert. Nun sei eine Ausspeicherung beschrieben, bei der ein Wort aus einem aus- gewtga:en Register in eine nicht gezeigte Ausgabevorrichtung durch die Spaltenabfühlschaitung 270 in Fig. 3 übertragen wird. Es sei angenommen, daß das Register 3 ausgewählt und daß das vorher in ihm gespeicherte bi- näre Wort 1100 einer Lastvorrichtung zugeleitet werden soll. Zunächst werden Ströme an die Klemmen 311 bis 314 der Spaltenabfühlschaltung 270 in Fig. 3 gelegt. Dann wird ein Rückstellimpuls an die Rückstellieitung 255 gelegt, 'wodurch die Torleiter der Kryotrons 261 bis 268 normallei- tend werden. Da hier nur eine Ausspeicherung in der Spaltenabfühlschal- tung 270 besprochen wird, können die vertikalen Leitungen 321 bis 328 außer acht gelassen werden. Durch die Erregung der Rückstelleitung 255 '" wird der den Klemmen 311 bis 314 zugeführte Strom über die vertikalen Leitungen 272, 374, 278 bzw. 278 den entsprechenden Ausgangsklemmen 315 bis 318 zugeleitet. Die Ströme auf dienen vertikalen Leitungen wer- den willkürlich als Darstellung binärer Nullen angesehen. Entstehen durch eine Ausspeicheroperation Ströme auf den vertikalen Leitungen 271, 273, 275 und 277, werden sie willkürlich als Darstellung binärer Einsen enge- sehen. Jetzt wird der der Rückatelleitung 255 zugeführte Strom beendet, dann wird ein Strom an die Leseleitung 225 des Registers 3 gelegt, wo- durch die Torleiter der Kryotrons 231 bin 234 normalleitend werden. In Spalte 1 werden die Torleiter der Kryotrons 231 und 251 normalleitend. Der Torleiter des Kryotrona 231 ist normalleitend, well ein Strom in der Leseleitung 225 fließt, und der Torleiter den Kryotrons 251 ist normallei- tend, weil ein Dauerstrom in der Speicherschleife 211 fließt. Daher wird' der von der Klemme 311 in Fig. 3 kommende Strom aus der vertikalen Leitung 272 in die vertikale Leitung 271 umgesteuert. In Spalte 2 ist der Torleiter des Kryotrons 232 normalleitend, weil Strom in der Leseleitung 925 fließt, und der Torleiter dos Kryotrons 252 ist nor- malleitend, weil ein Daueretromin der Speicherschleife 212 fließt. Daher wird der Strom von der Klemme 312 aus aus der vertikalen Leitung 274 in - die vertikale Leitung 973 unigesteuert. In den Spalten 3 und 4 sind die Torleiter der Kryotrons 253 und 254 in den Spalten 3 bzw. 4 pupraleitend, weil kein Dauerstrom in den Speicherechlei- . ton 213 bsw. 214 fließt. Daher werden die Ströme aus den vertikalen. Lei- tungen 278 und 278 in Spalte 3 bsw. 4 durch die Torleiter der Kryotrons 253 und 254 im Register 3 geleitet, weil die Torleiter der zugeordneten Kryotrons 233 bsw. 234 normalleitend sind. Die Ströme, die von den Klemmen 313 und 314 in Spalte 3 bzw. 4 kommen, fließen also .Weitere: durch die vertikalen Leitungen 276 und .378, In der Spaltenabfühlechaltung 270 von FYg. 3 macht der Strom in der ver- tikalen Leitung 271 von Spalte 1 den Torleiter 281 normalleitend und steuert den Strom von der Klemme 291 aus durch den aupraleitenden Tor- leiter des Kryotrons 282 zu der Auegangeklemrne 301, wo er eine binäre Eins darstellt. In Spalte 3 macht der W.rom in der vertikalen Leitung 273. den Torleiter des Kryotrone 283 normalleitend und steuert den Strom von der Klemme 293 aus durch den supraleitenden Torleiter des Kryotrons 284 zur Ausgangsklemme 303, wo er eine binäre Eine darstellt. In Spalte 3 macht der Strom auf der vertikalen Leitung 276 den Torleiter den Kryotrone 288 normalleitend und steuert den Strom von der Klemme 293 aus durch den supraleitenden Torleiter des Kryotrons 286 zur Ausgangsklemme 308, wo er eine binlre Null darstellt. In Spalte 4 macht der Strom auf der ver- tikalen Leitung 278 den Torleiter des Kryotrons 288 normalleitend und steuert den Strom von der Klemme 204 aus durch den supraleitenden Tor- leiter des Kryotronn 287 zur Ausgangsklemme 308, wo er eine binäre Null darstellt. Die Ströme an den Ausgangsklemmen 301, 303, 308 und 308 stellen also die binäre Zahl 1100 dar. Daher wird die in den Spalten 1 bis 4 des Regi- stern 3 gespeicherte binäre Zahl 110Q6rch die Spaltenabfühlechaltung 270 einer nicht gezeigten Auswertevorrichtung zugeführt. Der Strom auf der Leseleitung 225 kann beendet werden, sobald die von den Klemmen 311 bis 314 kommenden Ströme aus den Leitungen 272, 274, 276 und .278 weggelei- tet sind, falle Strom aus diesen Leitungen wegsuleiten ist, und sobald die von den Klemmen 291 bis 294 kommenden Ströme die nicht gezeigte Last- vorrichtung betätigt haben, können sie beendet werden. Schließlich kön- nen die Ströme an den Klemmen 311 bis 319 angeschaltet werden. Während einer Ausapelcherung werden also die spaltenabfüh1achaltung 270 und die vertiiaalen Leitungen 271 bis 278 benutzt, und während einer Einspeicherung werden die Eingabevorrichtung 30 und die vertikalen Leitungen 321 bis 328 benutzt. Die Verwendung eines Satzes vertikaler Leitungen für eine Ausspeicheroperation und eines anderen Satzes vertikaler Leitungen für eine Einspeicherung ermöglicht die gleichzeitige Ausführung von zwei Operationen. Z. B. kann gleichzeitig mit der Einspeicherung eines Wortes in das Register 3 ein anderes Wort aus dem Register 2 ausgespeigert werden. Während eines Zählvorganges werden beide Sätze dieser vertikalen Leitungen benutzt.To illustrate a storage in which the information to be stored is supplied by the input device 30, it is assumed that the storage 3 is to take place in the register 3 and that the binary word to be stored is 1100. To store the binary word 1100 in the columns 1 to 4 of the register 3, the switches 41 to 44 according to FIG. 4 are closed. Currents are now applied to input terminals 105 to 108 in FIG. 3. The currents flowing through the switches 41 to 44 of the input device 30 in FIG. 4 make the gate conductors of the cryotrons 81, 83, 84 and 86 of the columns 1 to 4 normally conductive. Current therefore flows in columns 1 to 4 on the vertical lines 321, 323, 326 and 328, respectively. The write line 235 is now energized with current, as a result of which the gate conductors of the cryotrons 241 to 244 become normally conductive. As a result, the currents from the vertical lines 323 through the parts a, b, c, d of the storage loops 211 and 212 are reversed. Since the vertical lines 325 and 327 in columns 3 and 4, respectively, do not have Conducting current will destroy the normally conducting gate conductors of the cryotrons 243 and 244 all contained in loops 213 and 214 about previously Continuous currents. Now the application of power to the write line 235 to be interrupted. Even so, there will be flow from terminals 105 and 106 in FIG. 3 also shows currents on lines 321 and 323 of column 1 or 2, namely they flow through parts a, b, c, d of the storage loop fen 211 or 212. That is the case. Because one is in a superconducting path u raliding / flowing current only under compulsion in a parallel @ path üGerwecfiaelt. Current can now be applied to terminals 105-108 in FIG. 3 to be interrupted. By terminating the power supply to terminals 105 to 108, = hen continuous currents in the storage loops 211 and 212 of columns 1 and 2 of register 3. In memory loops 213 and 214 of columns 3 and 4 of register 3, on the other hand, there are no continuous currents. The presence of a continuous current in a storage loop is arbitrarily development of a binary one and the lack of a continuous current as a representation considered a binary zero. Therefore, the continuous currents in the loop Fen 211 and 212 of the register 3 binary ones and the nonexistent Continuous currents in the storage loops 213 and -Z.-214 represent binary zeros. word 1100 is stored in columns 1 to 4 of register 3 with. Now, a retrieval will be described in which a word from an gewtga: en register into an output device (not shown) by the Column sensing circuit 270 in FIG. Suppose that register 3 is selected and that the previously stored binary nary word 1100 is to be fed to a load device. First currents are applied to terminals 311 through 314 of the column sensing circuit 270 in FIG. 3. Then a reset pulse is sent to the reset line 255, 'whereby the gate ladder of the cryotrons 261 to 268 is normal. tend to be. Since there is only one withdrawal in the column sensing switch device 270 is discussed, vertical lines 321-328 be disregarded. By energizing the reset line 255 '" the current supplied to terminals 311 to 314 is via the vertical Lines 272, 374, 278 and 278 to the corresponding output terminals 315 to 318. The currents on serve vertical lines are den arbitrarily viewed as representing binary zeros. Arise through an unloading operation of currents on vertical lines 271, 273, 275 and 277, they are arbitrarily narrowed to represent binary ones see. The current fed to the return line 255 is now terminated, then a current is applied to read line 225 of register 3, where- through the gate ladder of the cryotrons 231 to 234 become normally conductive. In column 1, the gate ladder of the cryotrons 231 and 251 become normally conductive. The gate conductor of the Kryotrona 231 is normally conductive because there is a current in the Reading line 225 flows, and the gate ladder to the cryotrons 251 is normal- tend, because a continuous current flows in the storage loop 211. Hence ' the current coming from terminal 311 in Fig. 3 on the vertical line 272 reversed into the vertical line 271. In column 2, the gate conductor of the cryotron 232 is normally conductive because it is current flows in the reading line 925, and the gate manager dos Kryotrons 252 is normal malleitend, because a continuous stream of the storage loop 212 flows. Therefore the current from the terminal 312 from the vertical line 274 in - the vertical line 973 uncontrolled. In columns 3 and 4 are the gate ladder of the cryotrons 253 and 254 in the Columns 3 and 4 puconducting because there is no continuous current in the storage loop . tone 213 bsw. 214 flows. Hence the currents from the vertical. Lead 278 and 278 in column 3, for example. 4 through the gate ladder of the cryotrons 253 and 254 in register 3, because the gate manager of the assigned Cryotrons 233 bsw. 234 are normally conductive. The currents flowing from the Terminals 313 and 314 come in column 3 or 4, so they flow. through vertical lines 276 and .378, In the column sensing circuit 270 of FYg. 3 the electricity in the tical line 271 of column 1 the gate ladder 281 normally conducting and controls the current from terminal 291 through the superconducting gate Head of the cryotron 282 to the external terminal 301, where it has a binary One represents. In column 3, the W.rom in the vertical line makes 273. the gate conductor of the cryotrone 283 normally conducting and controls the current from terminal 293 through the superconducting gate conductor of the cryotron 284 to output terminal 303, where it represents a binary one. In column 3 the current on vertical line 276 makes the gate conductor the cryotron 288 normally conducting and controls the current from terminal 293 the superconducting gate conductor of the cryotron 286 to the output terminal 308, where it represents a binary zero. In column 4, the electricity on the tical line 278 the gate conductor of the cryotron 288 normally conducting and controls the current from terminal 204 through the superconducting gate head of the Kryotronn 287 to output terminal 308, where it is a binary Represents zero. The currents at the output terminals 301, 303, 308 and 308 represent represents the binary number 1100. Therefore, the number in columns 1 to 4 of the regi- star 3 stored binary number 110 Q6 rch the column sensing circuit 270 fed to an evaluation device, not shown. The current on the Read line 225 can be terminated as soon as the terminals 311 to 314 currents coming from lines 272, 274, 276 and .278 are diverted away. tet, fall current from these lines must be diverted away, and as soon as the the currents coming from terminals 291 to 294 carry the load (not shown) have operated the device, they can be terminated. Finally, The currents can be switched on at terminals 311 to 319. During a stacking up, the column clearance is 270 and the vertical lines 271 to 278 are used, and during one The input device 30 and the vertical lines 321 to 328 are used for storage. Using one set of vertical lines for a dump operation and another set of vertical lines for a dump enables two operations to be performed simultaneously. For example, at the same time as a word is stored in register 3, another word can be stored in register 2. Both sets of these vertical lines are used during a count.

Zur Veranschaulichung eines Zählvorganges sei angenommen, daß das binäre Wort 1100 im Register 3 gespeichert ist, daß dieses Wort um den Wert Eins erhöht werden soll und daß das neue Wort wieder im Register 3 gespeichert werden soll, Zunächst werden Ströme den Klemmen 105 bis 108 des Zählers 320 in Fig. 3 und den Klemmen 311 bis 314 der Spaltenabfühlschaltung 270 in Fig. 3 zugeführt. Dann wird die Rückstelleitung 255 mit Strom erregt, wodurch die Torleiter der Kryotrons 261 bis 268 normalleitend werden. Dadurch werden die Ströme von den Klemmen 311 bis 314 zu den zugeordneten vertikalen Leitungen 272, 274, 276 und 27$ umgesteuert. Außerdem werden die den Klemmen 105 bis 108 zugeführten Ströme zu den vertikalen Leitungen 322, 324 bzw. 328 gesteuert. Der Strom auf der Rückatelleitung 255 wird abgeschaltet. Dann wird die Leseleitung 225 mit Strom erregt, wodurch die Torleiter der Kryotrons 231 bis 234 normalleitend werden. Weil die Speicherschleifen 211 und 212 Dauerströme und die Speicherschleifen 213 und 214 keine Dauerströme enthalten, werden die Ströme von den Klemmen 311 bis 314 aus zu den Leitungen 271, 273, 276 bzw. 278 aus den oben erläuterten Grinden umgesteuert.To illustrate a count operation, it is assumed that the binary word is stored in 1100 in section 3 that this word is to be increased by the value one and that the new word is to be stored back in the register 3 First, currents are the terminals 105 to 108 of the Counter 320 in FIG. 3 and terminals 311 to 314 of column sensing circuit 270 in FIG. The reset line 255 is then energized with current, as a result of which the gate conductors of the cryotrons 261 to 268 become normally conductive. This reverses the currents from terminals 311 to 314 to the associated vertical lines 272, 274, 276 and 27 $. It also controls the currents applied to terminals 105-108 to vertical lines 322, 324 and 328, respectively. The power on the return line 255 is switched off. The read line 225 is then energized with current, whereby the gate conductors of the cryotrons 231 to 234 become normally conductive. Because storage loops 211 and 212 contain continuous currents and storage loops 213 and 214 do not contain continuous currents, the currents from terminals 311 to 314 are reversed to lines 271, 273, 276 and 278, respectively, for the reasons discussed above.

Im Zähler 320 von Fig. 3 macht der Strom auf der vertikalen Leitung 271 die Torleiter der Kryotrons 341 und 342 normalleitend, der Strom auf der vertikalen Leitung 273 macht dieTorleiter der Kryotrons 345 und 346 normalleitend, der Strom auf der vertikalen Leitung 276 macht die Torleiter der Kryotrons 351 und 352 normalleitend, und der Strom auf der vertikalen Leitung 278 macht die Torleiter der Kryotrons 355 und 356 normalleitend. Zur Erhtihu@g um den Wert Eins wird Strom an die Klemme 391 des Zählers 320 ang :legt. Weil der Torleiter des Kryotrons 355 normalleitend ist, wird der Strom von der Klemme 391 aus durch die Steuerwicklung des Kryotrons 385 und den supraleitenden Torleiter des Kryotrons 353 zu einem Verbindungspunkt 401 umgesteuert. Der Torleiter des Kryotrons 385 wird normalleitend, und der Strom von der Klemme 108 in Spalte 4 wird aus der vertikalen Leitung 328 in die vertikale Leitung 327 umgeleitet.In counter 320 of Fig. 3, the current on vertical line 271 renders the gate conductors of cryotrons 341 and 342 normal, the current on vertical line 273 renders the gate conductors of cryotrons 345 and 346 normal, and the current on vertical line 276 renders the gate conductors of cryotrons 351 and 352 normal, and the current on vertical line 278 renders the gate conductors of cryotrons 355 and 356 normal. To increase the value by one, current is applied to terminal 391 of counter 320. Because the gate conductor of the cryotron 355 is normally conductive, the current is reversed from the terminal 391 through the control winding of the cryotron 385 and the superconducting gate conductor of the cryotron 353 to a connection point 401. The gate conductor of the cryotron 385 becomes normally conductive and the current from the terminal 108 in column 4 is diverted from the vertical line 328 to the vertical line 327.

Der Torleiter des Kryotrons 352 in Spalte 3 wird durch den Strom in der vertikalen Leitung 276 normalleitend gehalten. Daher fließt vom Verbindungspunkt 401 aus der Strom aufwärts und nach links durch die Steuerwicklung des Kryotrons 380 und den supraleitenden Torleiter des Kryotrons 350 zu einem Verbindungspunkt 402. Der Torleiter des Kryotrons 380 wird normalleitend, aber es tritt keine Änderung dadurch ein, da der Strom von der Klemme 107 durch die vertikale Leitung 326 fließt. Vom Verbindungspunkt 402 aus fließt Strom nach links durch die Steuerwicklung des Kryotrons 378 und den supraleitenden Torleiter des Kryotrons 348 zu einem Verbindungspunkt 403. Der Strom flid3 t in diesem Pfad, weil durch den Strom auf der vertikalen Leitung 273,der Torleiter des Kryotrons 378 durch den vom Verbindungspunkt 402 zum Verbindungspunkt 403 fließenden Strom normalleitend wird, wird von der Klemme 106 in Spalte 2 der Strom aus der vertikalen Leitung 324 in die vertikale Leitung 323 umgeleitet. Vom Verbindungspunkt 403 in Spalte 2 aus fliegt Strom durch die Steuerwicklung des Kryotrons 3744 und den supraleitenden Torleiter des Kryotrons 344 zur Ausgangsklemme 394 und zeigt damit an, daß kein Überlauf eingetreten ist. Vom Verbindungspunkt 403 aus fließt Strom zur Klemme 394 in dem angegebenen Pfad, weil durch den Strom auf der vertikalen Leitung 271 der Torleiter des Kryotrons 342 normalleitend wird. Der Strom in der Steuerwicklung des Kryotrons 374 macht dieses Kryotron normalleitend und leitet den Strom aus der vertikalen Leitung 322 in die vertikale Leitung 321 in Spalte 1 um.The gate conductor of the cryotron 352 in column 3 is kept normally conductive by the current in the vertical line 276. Therefore, from connection point 401, the current flows upwards and to the left through the control winding of the cryotron 380 and the superconducting gate conductor of the cryotron 350 to a connection point 402. The gate conductor of the cryotron 380 becomes normally conductive, but there is no change because the current from of terminal 107 flows through vertical line 326. From connection point 402, current flows to the left through the control winding of the cryotron 378 and the superconducting gate conductor of the cryotron 348 to a connection point 403. The current flid3 t in this path, because through the current on the vertical line 273, the gate conductor of the cryotron 378 becomes normally conductive due to the current flowing from the connection point 402 to the connection point 403, the current from the vertical line 324 is diverted from the terminal 106 in column 2 into the vertical line 323. From connection point 403 in column 2, current flies through the control winding of the cryotron 3744 and the superconducting gate conductor of the cryotron 344 to the output terminal 394, thus indicating that no overflow has occurred. Current flows from junction 403 to terminal 394 in the specified path because the current on vertical line 271 makes the gate conductor of cryotron 342 normally conductive. The current in the control winding of the cryotron 374 renders that cryotron normally conductive and diverts the current from the vertical line 322 to the vertical line 321 in column 1.

+) der Torleiter des Kryotrons 346 normalleitend wird. Weil Jetzt kann der Strom auf der Leseleitung 225 im Register 3 abgeschaltet werden, wenn das nicht bereits geschehen ist. Der Strom auf der Leseleitung kann beendet werden, sobald die Ströme in den vertikalen Leitun-gen 272, 274, 278 und 278 umgesteuert sind, falls eine solche Umsteuerung erfolgen muß. Der Strom auf der Schreibleitung 235 im Register 3 von Fig. 4 kann jetzt eingeschaltet werden, falls das nicht schon geschehen ist. Die Lese- und Schreibleitungen des Registers 3 können auch gleichzeitig zur Zeit der Erregung der Leseleitung erregt werden. Falls die Schreibleitung 235 zu diesem Zeitpunkt erregt wird, werden dadurch die Torleiter der Kryotrons 241 bis 244 normalleitend. Die Ströme auf den vertikalen Leitungen 321, 323 und 327 werden durch die normalleitenden Torleiter der Kryotrons 241, 242 bzw. 244 zu dem Teil a, b, c und d der Speicherschleifen 211, 212 bzw. 214 umgeleitet. In der vertikalen Leitung 325 von Spalte 3 fließt kein Strom, und daher wird der Speicherschleife 213 kein Strom zugeführt. Jetzt kann der Strom auf der Schreibleitung 235 abgeschaltet werden, und dabei fließen die Ströme der vertikalen Leitungen 321, 323 und 327 weiter im Teil a, b, c, d der Speicherschleifen 211, 212 und 214, weil ein in einem supraleitenden Pfad fließender Strom nur unter Zwang in einen parallelen supraleitenden Pfad überwechselt. Jetzt werden die den Klemmen 105 bis 1'08 zugeführten Ströme beendet, und in den Speicherschleien 211, 212 und 214 des Registers 3 entstehen Dauerströme, während in der Speicherschleife 213 kein Dauerstrom entsteht. Damit ist also die binäre Zahl 1101 in den Spalten 1 bis 4 des Registers 3 eingestellt worden. Diese binäre Zahl ist um Eins höher als die binäre Zahl 1100, die zu Beginn des Zählvorgangs im Register 3 gespeichert war. Es sei erwähnt, daß die binäre Zahl 1101 in jedes oder jede beliebige Kombination der Register 1 bis 3 durch Erregung der Schreibleitungen dieser Register eingespeichert werd en könnte. Bei dem vorstehend beschriebenen Zählvorgang waren drei der möglichen vier Kombinationen einer binären Eins und einer binären Null enthalten. Der eine nicht darin berücksichtigte Fall ist der mit zwei binären Einsen. Um diesen Fall unter Verwendung von Spalte 4 zu veranschaulichen, sei angenommen, daß Strom auf der vertikalen Leitung 277 fließt und ein Strom an die Klemme 391 gelegt wird. Die Ströme auf diesen Leitungen . stellen binäre Einsen dar. Von Klemme 391 aus fließt der Strom zurr,. Ver- bindungspunkt 4ä37., weil der Torleiter des Kryotrons 353 durch den Strom auf der vertikalen Leitung 277 normalleitend wird. Der von Klemme 391 aus zurr Verbindungspunkt 40s' fließende Stroin macht den Torleiter des Kryotrons 383 normalleitend, und dadurch wird bewirkt, daß der Strom von der Klemme 108 aus über die vesVkale Leitung 323 fließt, was eine binäre Null darstellt. Der zum. Verbiridung2punkt 407 fließende Strom stellt eine binäre Eins aus Spalte 4 dar. Tin Zahlensystem ergibt P-Isc Eins plus Eins die Stimme Null und einen "3rLLrag Eins, die durch den Strom auf der vertikalen Leitung 32.28 unG den auf der- ',-Uung zum VerbIn- dungspunkt 407 fließenden Str®in, dargestelM werden. Dier.-fi@d.@ag siebt eine neue Speicheranordnung mit mehrerenci.s@°can vor, in wacher die darin gespeicher >en Daten derart bearbeitet werde-ei können, daß eine ''ins zu dera Vio@ i. 1n. einem beliebigen?@.'ter addk e"',. wird. Das Wort au-s dem ausgewählten urn Ein-,9 ei:@iölit und der erhöhte zVert zuin selbe: Register zurückgeführt oder in eine:w@.ielaige Kor--Ira"G,ion der ReCoter we@-"Aen. Das Wort kanr& `=a3 einen a se"=a?@üten Register gleichzeitig mit ErFiolyuug and @ci5.fuhxn iri dass P",egis-ker, zus deeT;n: E:!' en¢now,anlen $ b°.. r:-'.F?rn °e s6 - ri.c-htung oder in ein o,e--° nge1gr ere aisder e Register der Speicheranor dnung +) the gate ladder of the cryotron 346 becomes normally conductive. Because now the power on read line 225 in register 3 can be switched off if it has not already done so. The current on the read line can be terminated as soon as the currents in the vertical Leitun- gen 272, 274, 278 and 278 reversed if such reversal must take place. The power on the write line 235 in register 3 of FIG. 4 can now be switched on, if it has not already done so. The read and write lines of register 3 can also be energized at the same time as the read line is energized. If the write line 235 is energized at this point in time, the gate conductors of the cryotrons 241 to 244 become normally conductive. The currents on vertical lines 321, 323 and 327 are diverted through the normally conducting gate conductors of cryotrons 241, 242 and 244, respectively, to portions a, b, c and d of storage loops 211, 212 and 214, respectively. No current flows on vertical line 325 of column 3 and therefore no current is supplied to storage loop 213. Now the current on the write line 235 can be switched off, and the currents of the vertical lines 321, 323 and 327 continue to flow in part a, b, c, d of the memory loops 211, 212 and 214 because a current flowing in a superconducting path only forcibly changed to a parallel superconducting path. The currents supplied to terminals 105 to 1,08 are now terminated, and continuous currents arise in storage loops 211, 212 and 214 of register 3, while no continuous current arises in storage loop 213. The binary number 1101 has thus been set in columns 1 to 4 of register 3. This binary number is one higher than the binary number 1100, which was stored in register 3 at the beginning of the counting process. It should be noted that the binary number 1101 could be stored in any or any combination of registers 1 through 3 by energizing the write lines of these registers. In the counting process described above, three of the possible ones were possible contain four combinations of a binary one and a binary zero. The one case not considered is that with two binary ones. To illustrate this case using column 4, let Assume that current is flowing on vertical line 277 and on Current is applied to terminal 391. The currents on these lines. represent binary ones. The current flows back from terminal 391. Ver tie point 4-37., because the gate conductor of the cryotron 353 through the current on vertical line 277 becomes normal. The one from terminal 391 Stroin flowing from junction 40s' makes the gate ladder of the Cryotrons 383 conduct normally, and this causes the current flows from terminal 108 via vesVcal line 323 , which is a represents binary zero. The for. Connection 2 point 407 provides flowing current represents a binary one from column 4. Tin number system results in P-Isc One plus one, the vote zero and a "3rLLrag one, through the Current on the vertical line 32.28 and the on the- ', -Uung to the connection connection point 407 flowing stream. Dier.-fi @ d. @ Ag screens a new memory arrangement with several ci.s@°can before, in awake, the data stored in it will be processed in this way can that an '' ins zu de ra Vio @ i. 1n. any? @. 'ter addk e "' ,. will. The word au-s selected around Ein, 9 ei: @ iölit and the increased zVert to the same: register returned or to a: w @ .ielaige Kor - Ira "G, ion the ReCoter we @ -" Aen. The word kanr & `= a3 unites a se "= a? @ üten register simultaneously with ErFiolyuug and @ ci5.fuhxn iri that P ", egis-ker, zu deeT; n: E :! ' en ¢ now, anlen $ b ° .. r: - '. F? rn ° e s6 - Alignment or in an o, e-- ° larger ais of the e register of the memory arrangement

Claims

Claims 1. Memory array with a plurality of in the form of a matrix in Lines and columns arranged and line by line in several parallel lelen registers combined superconducting switching elements, which has a part that can be reversed in its conductivity state. indicate in which, according to the patent ........... at least one of the for each column of the matrix provided sampling lines through parallel switching on another one, at least one with one in its guideline state of ability reversible part for resetting provided line processing and connecting to a power source as a buffer for the information taken from one of the storage elements of the column is formed, characterized in that in each column of the matrix (16) a removal line (274) together with a control line (391-393) via a basic logic circuit (345 to 348, 375 to 378) affects an input line (323) of this column. 2. Memory arrangement according to claim 1, characterized in that the basic logic circuit a binary half-adding circuit with two ganges, a sum output and a carry-over output and that you first input with the extraction line (274), its total output with the input line (323) of the column and its second input with your carry output is connected to the previous column. 3. Storage arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that that the input and output lines (323 and 274, respectively) of each column for each storage element (1l2) one in its conductivity state

have reversible part (132 or 142), which each of a superconducting branch (112 or 122) is bridged, and that each branch (122) connected to a sampling line (274) has one Part (152), whose LeitfS, higk-eitsstatus by the in the associated branch (112) connected to an input line (923) flowing current can be reversed (Fig. 3 and 4).