DE1296177B - Halbleiterbauelement zur Umwandlung eines Analogsignals in eine entsprechende Impulsfolgefrequenz - Google Patents

Halbleiterbauelement zur Umwandlung eines Analogsignals in eine entsprechende Impulsfolgefrequenz

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DE1296177B
DE1296177B DED51970A DED0051970A DE1296177B DE 1296177 B DE1296177 B DE 1296177B DE D51970 A DED51970 A DE D51970A DE D0051970 A DED0051970 A DE D0051970A DE 1296177 B DE1296177 B DE 1296177B
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Feuell Edward Albert
Sandbank Carl Peter
Heeks John Stuart
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TDK Micronas GmbH
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    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H—ELECTRICITY
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4926228A (en) * 1981-03-30 1990-05-15 Secretary Of State For Defence (G.B.) Photoconductive detector arranged for bias field concentration at the output bias contact

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2761020A (en) * 1951-09-12 1956-08-28 Bell Telephone Labor Inc Frequency selective semiconductor circuit elements
GB1070261A (en) * 1963-06-10 1967-06-01 Ibm A semiconductor device
US3439236A (en) * 1965-12-09 1969-04-15 Rca Corp Insulated-gate field-effect transistor with critical bulk characteristics for use as an oscillator component
US3377566A (en) * 1967-01-13 1968-04-09 Ibm Voltage controlled variable frequency gunn-effect oscillator

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB1134441A (en) 1968-11-20

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