DE1293494B - Electrical control device with a field effect transistor as an actuator - Google Patents

Electrical control device with a field effect transistor as an actuator

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Regeleinrichtung mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied, unter Verwendung eines über ein Vergleichsglied rückgekoppelten Transfluxors als Speicher.The invention relates to an electrical control device a field effect transistor as an actuator, using a via a comparator fed-back transfluxors as storage.

Bei fortschreitender Automatisierung der Weitverkehrsnachrichtenübertragungstechnik werden die Aufgaben der Pilottechnik immer wichtiger. Diese Aufgaben bestehen im wesentlichen in der Pegelregelung und Störungssignalisierung. Die hierfür erforderlichen Überwachungsgeräte müssen unter Vermeidung eines allzu großen Aufwandes immer wartungsfreier und zuverlässiger werden. Diese Aufgabe läßt sich dadurch lösen, daß man an Stelle der bisher in der Pegelregelungstechnik üblichen Elektromechanik die Elektronik setzt. Außerdem erzielt man eine Vereinfachung dadurch, daß eine Abfrage vieler Meßstellen mittels Wähler und eine zentrale Auswertung des Pegels erfolgt. Ferner ist es wesentlich, daß kleine robuste und verschleißfreie Speichereinrichtungen im Regelkreis vorhanden sind.With the advancing automation of wide area communication technology the tasks of the pilot technology are becoming more and more important. These tasks exist in essential in level control and fault signaling. The necessary Monitoring devices must always be maintenance-free while avoiding too much effort and become more reliable. This task can be solved by in place the electromechanics previously used in level control technology, the electronics puts. In addition, a simplification is achieved in that a query of many Measuring points by means of a selector and a central evaluation of the level takes place. Further it is essential that small, robust and wear-free storage devices are present in the control loop.

Wesentliche Elemente einer Regelungseinrichtung sind der Speicher und das von diesem gesteuerte Stellglied. Es ist nun möglich, beide Elemente entweder mechanisch oder elektronisch oder auch das eine mechanisch und das andere jeweils elektronisch zu verwirklichen. Je nach Art der Verwirklichung spricht man dann von einem mechanischen, einem elektromechanischen oder einem voll elektronischen Regelungssystem.The memory is an essential element of a control system and the actuator controlled by this. It is now possible to use both items mechanically or electronically or one mechanically and the other in each case to be realized electronically. Depending on the type of realization, one speaks of a mechanical, an electromechanical or a fully electronic control system.

Betrachtet man zuerst einmal den Speicher, so sieht man, daß es verschiedene Möglichkeiten einer Speicherung von Regelwerten gibt. Ein typischer elektromechanischer Speicher ist beispielsweise der sogenannte Motor-Potentiometer-Speicher, bei dem ein Potentiometer mit Hilfe eines von den jeweiligen Regelabweichungen gesteuerten elektrischen Motors verstellt wird.If you first look at the memory, you can see that there are different ones There are options for storing control values. A typical electromechanical Memory is for example the so-called motor potentiometer memory, in which a potentiometer with the help of one controlled by the respective control deviations electric motor is adjusted.

Der Vorteil solcher Speicherelemente liegt darin, daß bei Ausfall der Versorgungsspannungen für das Regelungssystem die zuletzt vorhandene Stellgröße bestehenbleibt, so daß das zugehörige Übertragungssystem auf diesen Wert eingepegelt bleibt und die Übertragung ohne allzu große Störungen weitergeführt werden kann.The advantage of such storage elements is that in the event of failure of the supply voltages for the control system, the last manipulated variable present remains, so that the associated transmission system is leveled to this value remains and the transmission can be continued without too much interference.

Speicher, bei denen die den elektromechanischen Systemen eigenen Nachteile, wie z. B. Verschleißteile, vermieden werden, sind z. B. die elektronischen Speicher. Bekannte elektronische Speicher enthalten einen Zähler mit Transistor-Binärzählern. Abgesehen von der relativ großen Aufwendigkeit eines derartigen Teilers verliert der Speicher bei Stromausfall sein »Gedächtnis«, d. h., im Gegensatz zu elektromechanischen Speichern bleibt die zuletzt vorhandene Stellgröße für die Regelung nicht wirksam, sondern es stellt sich sogar eine beliebige, also falsche Stellgröße ein, so daß ein mit einer derartigen Überwachung ausgerüstetes Übertragungssystem für diesen Fall sogar einen Fehler vortäuscht. Ferner wird eine gewisse Zeitspanne benötigt, bis nach Wiedereinsetzen der Versorgungsspannungen die Regelung wirksam wird, da die Stellgröße erst nach einer gewissen Zeit auf den richtigen Wert kommt. Ein weiterer Nachteil dieser mit Zählern versehenen Speichereinrichtungen besteht darin, daß sie digital arbeiten, gleichgültig, ob sie Kippschaltungen oder Magnetkerne als bistabil speichernde Elemente enthalten. Sie entsprechen damit letztlich einem Schalter mit begrenzter Anzahl von Einstellungen. Ein weiteres für die Pegelregelung häufig verwendetes Speicherelement ist der Transfluxor, ein Viellochkern aus Magnetmaterial mit Rechteckhysterese. Der Transfluxor stellt einen Analogspeicher dar. Er wird häufig durch einen Strom eingestellt, dessen Größe den zu speichernden Fluß bestimmt.Storage systems that have the disadvantages inherent in electromechanical systems, such as B. wearing parts are avoided, are, for. B. the electronic memory. Known electronic memories contain a counter with transistor binary counters. Apart from the relatively great complexity of such a divider loses the memory is its "memory" in the event of a power failure, d. i.e., as opposed to electromechanical When saving, the last available manipulated variable remains ineffective for the control, rather, an arbitrary, i.e. incorrect, manipulated variable is set so that a transmission system equipped with such monitoring for this Case even fakes a mistake. Furthermore, a certain period of time is required until the control becomes effective after the supply voltages are restored, since the correcting variable only reaches the correct value after a certain time. Another Disadvantage of these memory devices provided with counters is that they work digitally, regardless of whether they are used as flip-flops or magnetic cores contain bistable storing elements. Ultimately, they correspond to a switch with a limited number of settings. Another one for level control frequently The storage element used is the Transfluxor, a multi-hole core made of magnetic material with square hysteresis. The Transfluxor is an analog memory. It will often set by a current, the size of which determines the flow to be stored.

Der Transfluxor eignet sich besonders als multistabiler Speicher, weil er seine Einstellung über lange Zeit über einen großen Temperaturbereich und auch bei Spannungsausfall festhält. Er ist sozusagen ein Gedächtnis ohne Energiebedarf. So ist er z. B. geeignet, die Stellgröße eines geregelten Verstärkers festzuhalten, auch wenn der Regelkreis aufgetrennt wird. Wesentliche Schwierigkeiten bereitet jedoch die definierte Verstellung seines jeweiligen eingestellten Wertes.The Transfluxor is particularly suitable as a multi-stable storage unit, because it maintains its setting over a wide temperature range and over a long period of time holds even in the event of a power failure. It is, so to speak, a memory with no need for energy. So he is z. B. suitable to hold the manipulated variable of a regulated amplifier, even if the control loop is broken. Causes major difficulties however, the defined adjustment of its respective set value.

In der Zeitschrift »Control Engineering«, Vol. 6, Nr. 12, 1959, auf S. 127 ist eine Prinzipschaltung angegeben, bei der ein Transfluxor in einen Regelkreis einbezogen ist. Während des Einspeicherns wiederholt sich dauernd der Vorgang: Blockieren, Einschreiben, Abfragen. Die Ausgangsspannung des Transfluxors wird jeweils im Regelkreis ausgewertet und veranlaßt eine angemessene Änderung der Einschreibamplitude. Nach der Einschwingzeit des Kreises ist der Einspeisevorgang beendet. Der Vorteil des Verfahrens liegt in der weitgehenden Unempfindlichkeit gegen Exemplarstreuungen. Eine Eigenschaft der Transfluxoren stört hier jedoch: Nach jeder Änderung der Einschreibamplitude zeigt der Scheitelwert der Ausgangsspannung einen Anklingvorgang, der etwa fünf bis zehn Abfrageperioden andauert. Er ist um so ausgeprägter, je größer die Unterschiede in der Verteilung der Weißschen Bezirke sind, die zwischen zwei Abfrageperioden durch Blockier- und Einstellstrom hervorgerufen werden. Da auch teilweise Blokkierungen schon zu starken Feldveränderungen führen können, ist es sinnvoll, nur vor, aber nicht während des Einspeichervorgangs zu blockieren. Deshalb sollte jede Auslegung des Regelkreises vermieden werden, bei der sich die Ausgangsspannung des Transfluxors oszillierend ihrem Sollwert nähert, da sich hierbei Teilblockierungen nicht vermeiden lassen.In the magazine "Control Engineering", Vol. 6, No. 12, 1959 on On p. 127 a basic circuit is given in which a transfluxor is in a control loop is included. During the saving process, the process is repeated: blocking, Registered mail, inquiries. The output voltage of the transfluxor is in each case in the control loop evaluates and causes an appropriate change in the writing amplitude. To The feed-in process is ended after the loop has settled. The advantage of the The method lies in the fact that it is largely insensitive to specimen variations. However, one property of the transfluxors is disturbing here: after every change in the inscription amplitude shows the peak value of the output voltage a ringing process that is about five lasts up to ten query periods. The greater the differences, the more pronounced it is are in the distribution of Weiss's districts between two query periods caused by blocking and setting current. There are also partial blockages can already lead to strong field changes, it makes sense only before, but not to block during the saving process. Therefore, every interpretation should of the control loop in which the output voltage of the transfluxor approaches its setpoint in an oscillating manner, since partial blockages cannot be avoided permit.

Eine Schaltung, die diese Nachteile vermeidet, ist in der Nachrichtentechnischen Zeitschrift, 1961, H. 8, auf S. 411 beschrieben.One circuit that avoids these disadvantages is in communications Zeitschrift, 1961, no. 8, at p. 411.

Im Zeitnullpunkt wird die Eingangs(gleich)spannung Ui an ein Vergleichsglied angelegt. Dann beginnt der Speichervorgang mit eitler Blockierung des Transfluxors. Danach werden dem Kern in kurzen Abständen aus dem Schreibgenerator Einstellimpulse zugeführt, deren Amplituden vom Wert des Schwellenstromes zeitproportional ansteigen. Zwischen je zwei Einstellimpulsen wird dem Transfluxor von einem Lesegenerator ein Abfrageimpulspaar zugeführt. Die an der Ausgangswicklung entstehenden Spannungsimpulse wachsen gemäß der Transfiuxorkennlinie an. Sie werden auf Spitzenwert gleichgerichtet und im Komparator mit der Eingangsspannung verglichen. Sobald die Ausgangsspannung ü, U1 ist, spricht eine Schwelle an, wodurch die Einstell-und Abfrageimpulse abgeschaltet werden. Zum Lesen des Speicherinhalts werden nur die Abfrageimpulse zugeführt und die Ausgangsgleichspannung U2 ausgewertet. Ausgehend von einer bestimmten Einstellung des Transfluxors eine definierte Verstellung zu erreichen, kann jedoch mit einer derartigen Anordnung nicht vorgenommen werden.At the zero point in time, the input (DC) voltage Ui is sent to a comparison element created. Then the storage process begins with vain blocking of the transfluxor. Then the core receives adjustment pulses from the write generator at short intervals supplied, the amplitudes of which rise proportionally to the value of the threshold current. Between every two setting impulses, the Transfluxor is switched on by a reading generator Interrogation pulse pair supplied. The voltage pulses generated at the output winding grow according to the transfiuxor characteristic. They are rectified to peak and compared with the input voltage in the comparator. Once the output voltage ü, U1, responds to a threshold, whereby the setting and query pulses are switched off will. To read the memory content, only the interrogation pulses are supplied and the DC output voltage U2 is evaluated. Starting from a certain Setting the transfluxor to achieve a defined adjustment, however, can cannot be made with such an arrangement.

Die vorstehend genannten Transfluxorspeicher lassen sich zum Aufbau eines vollelektronischen Pegelregelungssystems in vielen Fällen gut verwenden. Neben den Vorteilen, die den vollelektrischen Pegelregelungssystemen allgemein eigen sind, erhält man bei Aufbau eines solchen Systems mit Transfluxoren den weiteren Vorteil, daß der zuletzt vorhandene Speicherwert im Transfluxor gespeichert bleibt. Nachteilig ist jedoch bei Regelsystemen, die einen Transfluxorspeicher verwenden, häufig die Tatsache, daß ein mechanisches Stellglied, wie z. B. ein Widerstand, erforderlich ist. Dieser Nachteil läßt sich zwar mit einem fremdgeheizten Heißleiter vermeiden. Der Heißleiter wird aber dann vom Ausgangsstrom des Transfluxors geheizt, und sein Widerstand beeinflußt die Gegenkopplung des Verstärkers. Häufig ist es aber unerwünscht, daß ein durch den Heißleiter unvermeidbarer zusätzlicher Temperatureinfluß in die Regelstrecke gebracht wird. Ferner benötigen derartige Heißleiter eine hohe Steuerleistung und können auf Grund ihrer Trägheit die Regelung unnötig langsam machen.The above-mentioned transfluxor storage can be used to build of a fully electronic level control system in many cases. Next to the advantages that are generally inherent in all-electric level control systems, if such a system is set up with transfluxors, the additional advantage is obtained, that the last stored value remains stored in the Transfluxor. Disadvantageous however, is often the case with control systems using a transfluxor storage tank The fact that a mechanical actuator, such as. B. a resistor is required is. This disadvantage can be avoided with an externally heated thermistor. The thermistor is then heated by the output current of the transfluxor, and will be Resistance affects the negative feedback of the amplifier. However, it is often undesirable that an unavoidable additional temperature influence in the thermistor Controlled system is brought. Furthermore, such thermistors require a high control power and can make the regulation unnecessarily slow due to their inertia.

Zur Ausschaltung eines zusätzlichen Temperatureinflusses in der Regelstrecke kann man an Stelle eines Heißleiters ein Element mit Eigenschaften verwenden, die denen eines Widerstandes ähneln, nämlich einen HALL-Generator, der eine Spannung liefert, die das Produkt einer magnetischen Induktion und eines elektrischen Stromes ist. Ein solches HALL-Element läßt sich auch als Vierpol in einen Verstärker einbauen, und die Verstärkung kann mittels eines Elektromagneten geregelt werden. Für den Einsatz bei Trägerfrequenzverstärkern ist diese Lösung jedoch häufig ungünstig, weil das HALL-Element einen hohen Klirrfaktor besitzt.To switch off an additional temperature influence in the controlled system instead of a thermistor, you can use an element with properties that resemble those of a resistor, namely a HALL generator that generates a voltage which is the product of a magnetic induction and an electric current is. Such a HALL element can also be built into an amplifier as a quadrupole, and the gain can be regulated by means of an electromagnet. For the However, this solution is often unfavorable for use in carrier frequency amplifiers, because the HALL element has a high distortion factor.

Aus diesem Grund verwendet man neuerdings sogenannte Feldplättchen, die nur einen sehr niedrigen Klirrfaktor aufweisen. Sie bestehen aus dem gleichen Halbleitermaterial wie HALL-Generatoren, sind aber Zweipole, deren Widerstand r, wie in F i g. 2 gezeigt, von der einwirkenden Induktion B etwa in , der Form Ir@=R+a.B+bB2 abhängt. Mittels einer von einem Elektromagneten beeinflußten Feldplatte, die an geeigneter Stelle in einen Vierpol eingesetzt ist, kann man dessen übertragungsmaß ohne störende mechanische Kontaktgabe regeln. Soll die Einstellung gespeichert werden, so kann man dazu einen durch Motorantrieb mehr oder weniger genäherten Dauermagneten benutzen. Eine derartige Lösung arbeitet aber mehr mit mechanischen Teilen, die ja gerade ausgeschlossen bleiben sollen.For this reason, so-called field tiles have recently been used, which only have a very low distortion factor. They consist of the same Semiconductor material such as HALL generators, but are two-pole, the resistance of which is r, as in Fig. 2, of the acting induction B approximately in, of the form Ir@=R+a.B+bB2 depends. By means of a field plate influenced by an electromagnet, which at suitable place is used in a quadrupole, you can see its transfer rate regulate without disruptive mechanical contact. If the setting is to be saved, so you can add a permanent magnet more or less approximated by a motor drive use. Such a solution works more with mechanical parts that yes should just remain excluded.

Es ist auch bekannt, einen Ringkern aus Magnetmaterial mit Rechteckhysterese mit einem Luftspalt zu versehen und in diesen ein HALL-Element einzusetzen. Der Luftspalt verschlechtert jedoch die Speichereigenschaften der Anordnung so erheblich, daß nur die zwei extremen Flußwerte sicher gespeichert werden können. Der Speicher verhält sich also binär. Setzt man jedoch an Stelle des HALL-Elements eine Feldplatte in den Luftspalt, wie ebenfalls bekannt, so braucht man einen Viellochmagnetkern ähnlich dem Transfluor, um statt des einen extremen Flußwertes den Wert Null im Luftspalt erzeugen zu können. Auch dieser Speicher kann nur mit binärem Ausgang verwendet werden. Zur Vermeidung der Nachteile der vorstehend genannten Stellglieder ist es auch bereits bekannt, Feldeffekttransistoren als Stellglieder zu verwenden. Sie haben den Vorteil, daß sie praktisch leistungslos steuerbar sind. Außerdem ist eine verzögerungsfreie Einstellung des Stellgliedes bei Änderung der Stellgröße im Gegensatz zu den Heißleitern, die eine thermische Zeitkonstante besitzen, möglich, und im Vergleich zu Dioden, die häufig ebenfalls als Stellglieder verwendet werden, treten wesentlich kleinere nichtlineare Verzerrungen der Wechselspannung auf. Nachteilig ist jedoch die Nichtlinearität zwischen Stellgröße und Ausgangsspannung, die dann auftritt, wenn derartige Feldeffekttransistoren beispielsweise als Stellglieder in Verstärkern verwendet werden.It is also known to have a toroidal core made of magnetic material with rectangular hysteresis to be provided with an air gap and to insert a HALL element into this. Of the However, the air gap worsens the storage properties of the arrangement so considerably that that only the two extreme flow values can be safely stored. The memory thus behaves in a binary manner. However, if a field plate is used instead of the HALL element in the air gap, as is also known, you need a multi-hole magnetic core similar to the Transfluor, to instead of the one extreme flow value the value zero in To be able to generate air gap. This memory can also only have a binary output be used. To avoid the disadvantages of the aforementioned actuators it is also already known to use field effect transistors as actuators. They have the advantage that they can be controlled with practically no power. Also is a delay-free setting of the actuator when the manipulated variable is changed in contrast to the thermistors, which have a thermal time constant, possible, and compared to diodes, which are also often used as actuators, significantly smaller non-linear distortions of the alternating voltage occur. Disadvantageous however, is the non-linearity between the manipulated variable and the output voltage, which then occurs when such field effect transistors, for example, as actuators used in amplifiers.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Regelanordnung zu schaffen, die vollelektronisch arbeitet und allen für eine hochwertige Regelung notwendigen Anforderungen, insbesondere bei Einsatz zur Pilotregelung, gerecht wird.The object of the present invention is to provide a control arrangement create that works fully electronically and all for high-quality control necessary requirements, especially when used for pilot control.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei einer elektrischen Regeleinrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß einem ersten Feldeffekttransistor die Stellgröße von einem in vorgegebenen Schritten einstellbaren oder blockierbaren Transfluxorspeicher zugeführt ist und daß im Rückkopplungsweg des Transfluxorspeichers zwischen seiner Ausgangswicklung und dem Vergleichsglied ein zweiter Feldeffekttransistor eingeschaltet ist, der seine Stellgröße ebenfalls vom Transfluxorspeicher erhält, jedoch von einer gegenüber dem ersten Feldeffekttransistor unterschiedlichen Wechselspannungsquelle angesteuert ist, und daß das Vergleichsglied derart geschaltet ist, daß die durch die Stellgrößenänderungen hervorgerufenen Ausgangsspannungsschwankungen am zweiten Feldeffekttransistor mit einer dem Vergleichsglied zugeführten Vergleichsspannung, die der Spannung für den vorgegebenen Einstellschritt des Transfluxorspeichers entspricht, verglichen wird und daß bei Erreichen dieser Spannung für den Einstellschritt ein den Transfluxorspeicher mit einer Impulsreihe, deren Einzelimpulse mit ihrer Zeitspannungsfläche sich ändern, ansteuernder Impulsgeber abgeschaltet wird.According to the invention, this object is achieved in an electrical control device of the type mentioned achieved in that a first field effect transistor the manipulated variable from one that can be set or blocked in predetermined steps Transfluxor memory is supplied and that in the feedback path of the transfluxor memory a second field effect transistor between its output winding and the comparison element is switched on, which also receives its manipulated variable from the transfluxor memory, however, from an alternating voltage source that differs from the first field effect transistor is controlled, and that the comparison element is connected in such a way that the through the manipulated variable changes caused output voltage fluctuations on the second Field effect transistor with a comparison voltage fed to the comparison element, which corresponds to the voltage for the specified setting step of the transfluxor storage tank, is compared and that when this voltage is reached for the setting step the transfluxor memory with a series of impulses, the individual impulses with their time voltage area change, the activating pulse generator is switched off.

Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß sowohl die Nichtlinearitäten im Speicher als auch die Nichtlinearitäten im Stellglied so kompensiert werden, daß zwischen der Eingangsgröße des Regelungssystems und der geregelten Ausgangsgröße völlige Linearität besteht. Das hat beispielsweise zur Folge, daß die Ausgangsspannung des Verstärkers in jeweils gleichen Schritten geändert werden kann. Die schrittweise Änderung der Ausgangsspannung in genau gleichen Schritten ist dann gegeben, wenn die Vergleichsspannung für das Vergleichsglied eine konstante Größe ist.These measures ensure that both the non-linearities in the memory as well as the non-linearities in the actuator are compensated so that that between the input variable of the control system and the controlled output variable there is complete linearity. This has the consequence, for example, that the output voltage of the amplifier can be changed in the same steps. The gradually The output voltage is changed in exactly the same steps if the comparison voltage for the comparison element is a constant value.

Soll aber nicht die Ausgangsspannung, sondern der Logarithmus dieser Spannung in gleichen Schritten änderbar sein, so ist es zweckmäßig, die Vergleichsspannung für das Vergleichsglied abhängig von der jeweiligen Ausgangsspannung des zweiten Feldeffekttransistors über einen Spannungsteiler zu erzeugen.But not the output voltage, but the logarithm of this Voltage can be changed in equal steps, so it is advisable to use the comparison voltage for the comparison element depending on the respective output voltage of the second Generate field effect transistor via a voltage divider.

Die Änderung der Ausgangsschritte eines derartig veränderbaren Verstärkers kann jedoch auch nach einer beliebigen Funktion erfolgen, wenn man den Spannungsteiler entsprechend, z. B. durch Einsatz von nichtlinearen Elementen, ausbildet. Damit Nichtlinearitäten im Speicher ausgeglichen werden und damit gewährleistet ist, daß die Ausgangsspannung des Speichers selbst in gleichmäßigen Schritten änderbar ist, kann man die Amplitude der Einzelimpulse der vom Impulsgeber gesendeten Impulsreihe abhängig von der Zeit nach einer vorgegebenen Funktion größer oder kleiner werden lassen (vgl. Zeichnungen), in F i g. 1 und 2. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Impulsbreite der ausgesendeten Impulse nach einer bestimmten Funktion zu verändern. Eine einfache Methode zum Vergleich der jeweiligen Spannungen besteht darin, die Ausgangsspannung des zweiten Fvldeffekttransistors gleichzurichten und über einen Kondensator dem Vergleichsglied zuzuführen. Der erste Feldeffekttransistor kann hierbei ein Stellglied eines Verstärkers oder einer anderen zu regelnden Baugruppe sein.Changing the output steps of such a changeable amplifier but can also after any function if one the voltage divider accordingly, e.g. B. through the use of non-linear elements, trains. So that non-linearities in the memory are compensated and thus guaranteed is that the output voltage of the memory itself can be changed in equal steps you can determine the amplitude of the individual pulses of the pulse series sent by the pulse generator become larger or smaller depending on the time after a given function let (see drawings), in F i g. 1 and 2. Another possibility is to to change the pulse width of the transmitted pulses according to a certain function. A simple way to compare the respective voltages is to use the To rectify output voltage of the second film effect transistor and via a Supply capacitor to the comparison element. The first field effect transistor can here an actuator of an amplifier or another module to be controlled be.

An Hand der Ausführungsbeispiele nach den F i g. 1 und 2 wird die Erfindung näher erläutert.On the basis of the exemplary embodiments according to FIGS. 1 and 2 becomes the Invention explained in more detail.

F i g. 1 zeigt dabei eine Schaltungsanordnung, bei der die Verstärkung des Verstärkers V1 mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied verändert wird. Der Feldeffekttransistor F1 wird von der Ausgangsspannung des Transfluxors Tfl gesteuert. Der Transfluxor selbst ist über ein Vergleichsglied (Komparator) K mit konstanter Vorspannung U,, und einem Impulsgeber rückgekoppelt. Der Impulsgeber läuft bei dem an seinem Eingang eingetasteten Signal an und gibt je nach Art des Eintastsignals, die davon abhängt, ob der Transfluxor eingestellt oder blockiert werden soll, eine Impulsreihe ab, wobei die Einzelimpulse, von einem Wert Null ausgehend, eine stetig wachsende Spannungszeitfläche haben. Zwischen Transfluxor und Vergleichsglied liegt ein Verstärker V2 mit dem zweiten Feldeffekttransistor F2 als Stellglied. Soll nun die Verstärkung des Verstärkers V1 in gleich großen Stufen verändert werden, so wird am Vergleichsglied K eine konstante Vergleichsspannung U,r eingestellt, die der Größe des jeweiligen Spannungsschritts der Verstärkerausgangsspannung des Verstärkers V1 entspricht. Der über den Transfluxor angesteuerte Verstärker V2 gibt dann auf Grund der Änderung des als Stellglied verwendeten Feldeffekttransistors F2 am Ausgang eine Spannungsänderung ab, die über einen Kondensator an das Vergleichsglied geführt wird. Ist die so entstehende Spannung d k V2 gleich der Vergleichsspanung U," so gibt das Vergleichsglied K ein Signal an den Impulsgeber IG, und die Aussendung der Impulsreihe wird unterbrochen. Am Verstärkerausgang des Verstärkers V1 hat sich dann die Ausgangsspannung um denn Schritt d V1 geändert. Voraussetzung hierfür ist allerdings, daß der Verstärker V2 die gleiche Regelcharakteristik wie der Verstärker V1 aufweist. Der Verstärker V2 wird außerdem von einer eigenen Wechselspannung k angesteuert. Bei dieser Anordnung wird die Verstärkung des Verstärkers V1 in gleichmäßigen Schritten erstellt, unabhängig, welche Funktion die Spannung des Verstärkers V1 in Abhängigkeit von der Transfluxorspannung aufweist. Es muß nur gewährleistet sein, daß ein Stellglied ohne Zeitkonstante, wie es beim Feldeffekttransistor ja der Fall ist, gegeben ist. Soll die Verstärkung des Verstärkers V1 im logarithmischen Maßstab gemessen gleichmäßig verstellt werden, so zeigt F i g. 2 die dazu notwendige Anordnung. Die Schaltungsanordnung ist im wesentlichen gleich aufgebaut wie die Schaltungsanordnung nach F i g. 1. Lediglich vom Ausgang des Verstärkers V2 zum Vergleichsglied ist ein Spannungsteiler geschaltet, von dem in Abhängigkeit von der Ausgangsspannung des Verstärkers V2 die Vergleichsspannung abgegriffen wird. Da für diesen Fall dkV2 =K- V2 ist, erhält man eine logarithmische Änderung der Verstärkung des Verstärkers V1.F i g. 1 shows a circuit arrangement in which the gain of the amplifier V1 is changed with a field effect transistor as the actuator. The field effect transistor F1 is controlled by the output voltage of the transfluxor Tfl. The transfluxor itself is constant via a comparison element (comparator) K Bias voltage U ,, and a pulse generator fed back. The pulse generator runs with the keyed signal at its input and, depending on the type of keyed signal, which depends on whether the Transfluxor is to be set or blocked, a Pulse series from, whereby the individual pulses, starting from a value zero, one continuous have increasing stress-time area. Between the Transfluxor and the comparison element lies an amplifier V2 with the second field effect transistor F2 as an actuator. Should now the gain of the amplifier V1 can be changed in equal steps, see above a constant comparison voltage U, r is set at the comparison element K, which the size of the respective voltage step of the amplifier output voltage of the amplifier V1 corresponds. The amplifier V2 controlled via the Transfluxor then gives up Reason for the change in the field effect transistor F2 used as an actuator at the output a voltage change, which is fed to the comparison element via a capacitor will. If the resulting voltage d k V2 is equal to the comparison voltage U, "so the comparison element K outputs a signal to the pulse generator IG, and the transmission the pulse series is interrupted. At the amplifier output of the amplifier V1 has then changed the output voltage by because step d V1. The prerequisite for this is however, that the amplifier V2 has the same control characteristics as the amplifier V1 has. The amplifier V2 is also supplied with its own alternating voltage k controlled. With this arrangement, the gain of the amplifier V1 becomes uniform Steps, regardless of which function the voltage of the amplifier V1 as a function of the transfluxor voltage. It just has to be guaranteed that an actuator without a time constant, as is the case with the field effect transistor is, is given. Set the gain of amplifier V1 on a logarithmic scale measured evenly, so shows F i g. 2 the arrangement required for this. The circuit arrangement is essentially constructed in the same way as the circuit arrangement according to FIG. 1. Is only from the output of the amplifier V2 to the comparison element a voltage divider connected, depending on the output voltage of the amplifier V2 the comparison voltage is tapped. Since in this case dkV2 = K-V2, a logarithmic change in the gain of the amplifier is obtained V1.

Claims (7)

Patentansprüche: 1. Elektrische Regeleinrichtung mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied, unter Verwendung eines über ein Vergleichsglied rückgekoppelten Transfluxors als Speicher, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß einem ersten Feldeffekttransistor (F1) die Stellgröße von einem in vorgegebenen Schritten einstellbaren oder blockierbaren Transfluxorspeicher (T f1) zugeführt ist und daß im Rückkopplungsweg des Transfluxorspeichers zwischen seiner Ausgangswicklung und dem Vergleichsglied (K) ein zweiter Feldeffekttransistor (F2) eingeschaltet ist, der seine Stellgröße ebenfalls vom Transfluxorspeicher (T ft) erhält, jedoch von einer gegenüber dem ersten Feldeffekttransistor (F ) unterschiedlichen Wechselspannungsquelle f) angesteuert ist, und daß das Vergleichsglied (K) derart geschaltet ist, daß die durch die Stellgrößenänderungen hervorgerufenen Ausgangsspannungsschwankungen am zweiten Feldeffekttransistor (F2) mit einer dem Vergleichsglied (K) zugeführten Vergleichsspannung (U"), die der Spannung für den vorgegebenen Einstellschritt des Transfluxorspeichers (Tfl) entspricht, verglichen wird und daß bei Erreichen dieser Spannung für den Einstellschritt ein den Transfluxorspeicher (Tfl) mit einer Impulsreihe, deren Einzelimpulse mit ihrer Zeitspannungsfläche sich ändern, ansteuernder Impulsgeber (IG) abgeschaltet wird. Claims: 1. Electrical control device with a field effect transistor as an actuator, using a transfluxor fed back via a comparison element as a memory, characterized in that the manipulated variable from a transfluxor memory (T f1) which can be set or blocked in predetermined steps is fed to a first field effect transistor (F1) and that in the feedback path of the transfluxor memory between its output winding and the comparison element (K), a second field effect transistor (F2) is switched on, which also receives its manipulated variable from the transfluxor memory (T ft), but from an alternating voltage source f that is different from the first field effect transistor (F) ) is controlled, and that the comparison element (K) is connected in such a way that the output voltage fluctuations at the second field effect transistor (F2) caused by the manipulated variable changes with a comparison voltage (U ") fed to the comparison element (K), which d he voltage for the specified setting step of the transfluxor memory (Tfl) is compared, and that when this voltage is reached for the setting step, a pulse generator (IG) controlling the transfluxor memory (Tfl) with a series of pulses, the individual pulses of which change with their time voltage area, is switched off. 2. Regeleinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsspannung (U,,) für das Vergleichsglied (K) eine konstante Größe ist. 2. Control device according to claim 1, characterized in that that the comparison voltage (U ,,) for the comparison element (K) has a constant value is. 3, Regeleinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsspannung (U,,) für das Vergleichsglied (K) abhängig von der jeweiligen Ausgangsspannung des zweiten Feldeffekttransistors (F2) über einen Spannungsteiler erzeugt ist. 3, control device according to claim 1, characterized in that the comparison voltage (U ,,) for the comparison element (K) depending on the respective output voltage of the second field effect transistor (F2) is generated via a voltage divider. 4. Regeleinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler nichtlineare Elemente enthält. 4. Control device according to claim 3, characterized in that the voltage divider is non-linear elements contains. 5. Regeleinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Amplitude der Einzelimpulse der vom Impulsgeber (IG) gesendeten Impulsreihe abhängig von der Zeit nach einer vorgegebenen Funktion größer oder kleiner wird. 5. Control device according to one of the preceding claims, characterized in that the amplitude of the individual pulses of the pulse series sent by the pulse generator (IG) is larger or smaller depending on the time according to a predetermined function. 6. Regeleinrichtung nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsreihe der Einzelimpulse der vom Impulsgeber (IG) gesendeten Impulsreihe in Abhängigkeit von der Zeit veränderbar ist. 6. Control device according to claim 1 or 5, characterized in that the pulse series of the individual pulses of the pulse series sent by the pulse generator (IG) as a function of is changeable over time. 7. Regeleinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsspannung des zweiten Feldeffekttransistors (F2) gleichgerichtet und über einen Kondensator dem Vergleichsglied (K) zugeführt ist.7. Control device according to one of the preceding claims, characterized in that the output voltage of the second Field effect transistor (F2) rectified and the comparator via a capacitor (K) is supplied.
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