DE1286259B

DE1286259B - Process for temperature stabilization of the getter material in a getter pump and a pump designed for carrying out the process

Info

Publication number: DE1286259B
Application number: DEV27945A
Authority: DE
Inventors: Ackley James W
Original assignee: Varian Associates Inc
Current assignee: Varian Medical Systems Inc
Priority date: 1964-04-01
Filing date: 1965-03-02
Publication date: 1969-01-02
Also published as: US3249291A; GB1060537A

Description

In Verbindung mit Ionen-Vakuumpumpen ist es üblich, ein Gettermaterial, beispielsweise Titan, zu verwenden, das auf eine bestimmte Temperatur erhitzt wird, bei der es sublimiert und restliche aktive Gase im zu evakuierenden System durch den üblichen Gettermechanismus beseitigt. Die Sublimierung des Gettermaterials erfolgt durch direkte Erhitzung, d. h. Widerstandsheizung, oder durch Elektronenbombardement. Elektronenbombardement wird gegenüber einer Widerstandsheizung gewöhnlich bevorzugt, weil die Lebensdauer größer ist und größere Gettermengen zur gleichen Zeit verdampft werden können. In beiden Fällen ist es erforderlich, die Heizleistung in der Weise einzustellen, daß die gewünschte Sublimationsrate des Gettermaterials erhalten wird.In connection with ion vacuum pumps it is common to use a getter material, e.g. to use titanium, which is heated to a certain temperature, in which it sublimates and residual active gases in the system to be evacuated through eliminates the usual getter mechanism. The getter material is sublimated by direct heating, d. H. Resistance heating, or by electron bombardment. Electron bombardment is usually preferred to resistance heating, because the service life is longer and larger amounts of getter evaporate at the same time can be. In both cases it is necessary to adjust the heating power in such a way to adjust that the desired rate of sublimation of the getter material is obtained.

Es ist bereits ein Verfahren zur Aufrechterhaltung einer im wesentlichen konstanten Sublimationsrate des Gettermaterials.durch Stabilisieren der Temperatur des Gettermaterials in einer Getterpumpe mit einer nach Erhitzung durch Sublimierung Gettermaterial abgebenden Elektrode bekanntgeworden (britische Patentschrift 951866).It is already a method of maintaining an essentially constant rate of sublimation of the getter material by stabilizing the temperature of the getter material in a getter pump with one after heating by sublimation Getter material-releasing electrode has become known (British patent 951866).

Durch die Erfindung soll dieses bekannte Verfahren dadurch praktisch durchführbar gemacht werden, daß eine gut verwirklichbare Möglichkeit zur Messung der Temperatur der Elektrode geschaffen wird, und diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der von dieser Elektrode abgegebene Elektronenstrom als Maß für die Temperatur der Elektrode gemessen und dem Meßergebnis entsprechend so nachgeregelt wird, daß die Temperatur der Elektrode im wesentlichen konstant gehalten wird. Wenn die Pumpe -mit einer Elektronenquelle versehgn, ist und die das -Gettermaterial abgebende Elektrode dieses durch Elektronenbombardement abgibt, wird dieSlektronenemission der. Elektronenquelle nachgeregelt.The invention aims to make this known method practical can be made feasible that a very feasible possibility of measurement the temperature of the electrode is created, and this object is achieved according to the invention solved in that the electron current emitted by this electrode as a measure measured for the temperature of the electrode and readjusted according to the measurement result is that the temperature of the electrode is kept substantially constant. if the pump is provided with an electron source and is the getter material donating electrode emits this through electron bombardment, the electron emission the. Electron source readjusted.

Eine zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignete Pumpe mit einer das Gettermaterial enthaltenden Elektrode und einer Heizeinrichtung für diese ist dementsprechend so ausgebildet, daß eine Einrichtung, zur Erzeugung eines die Menge der von der Elektrode abgegebenen Elektronen anzeigenden Signals vorgesehen ist sowie eine auf dieses Signal ansprechende Regeleinrichtung für die Heizeinrichtung. Bei einer-Solchen- Pumpe -mit einer Elektronenquelle zur Heizung der das Gettermaterial abgebenden Elektrode durch Elektronenbombardement regelt gemäß einer Ausführungsform der Erfindung die Regeleinrichtung.die Menge der von der Elek-. tronenquelle zur Gettermaterial-Elektrode fließenden Elektronen.A pump suitable for carrying out the method according to the invention with an electrode containing the getter material and a heating device for this is accordingly designed so that a device for generating a The signal indicative of the amount of electrons emitted from the electrode is provided and a control device for the heating device that responds to this signal. In the case of such a pump with an electron source for heating the getter material donating electrode by electron bombardment regulates according to one embodiment of the invention die Regeleinrichtung.die amount of the elec-. source of electrons to Getter material electrode flowing electrons.

Wenn gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zwischen die- Elektronenquelle- und die- das. Gettermaterial abgebende Elektrode eine Hochspannungs-Wechselstromquelle geschaltet ist, so daß die Elektrode nur während einer Wechselstrom-Halbwelle mit Elektronen bombardiert wird und in der anderen Halbwelle selbst als Elektronenquelle arbeitet, ergibt sich ein besonders einfacher Aufbau, weil der sonst übliche Hochspannungsgleichrichter nicht benötigt wird. Der Aufbau vereinfacht sich noch weiter, wenn die Gettermaterial abgebende Elektrode eine Anode ist und die Signalerzeugungseinrichtung aus einer in der Nähe der Anode angeordneten Kollektorelektrode und einer GleichspannungsqueIle besteht, mit der die Kollektorelektrode negativ gegen die Elektronenquelle vorgespannt wird. Die Regeleinrichtung kann entweder die der Elektronenquelle zugeführte Energie oder die an dieser liegende Spannung regeln.If, according to one embodiment of the invention, between the electron source and the electrode which emits the getter material is a high-voltage alternating current source is switched so that the electrode is only active during an alternating current half-cycle Electrons is bombarded and in the other half-wave itself as an electron source works, the result is a particularly simple structure because of the otherwise common high-voltage rectifier is not needed. The structure is simplified even further if the getter material delivering electrode is an anode and the signal generating device from a collector electrode arranged in the vicinity of the anode and a DC voltage source exists, with which the collector electrode is negatively biased against the electron source will. The control device can either use the energy supplied to the electron source or regulate the voltage applied to it.

Die Erfindung soll an Hand der Zeichnung näher erläutert werden; es zeigt F i g.1 schematisch eine Ausführungsform der Erfindung und F i g. 2 eine zweite Ausführungsform der Erfindung.The invention will be explained in more detail with reference to the drawing; it FIG. 1 schematically shows an embodiment of the invention and FIG. 2 a second Embodiment of the invention.

Gemäß F i g.1 ist ein zu evakuierendes System 11 mittels einer Leitung 15 mit einer erfindungsgemäßen Getter-Vakuumpumpe 16 und weiter über ein Ventil 13 und eine Leitung 14 mit einer mechanischen Pumpe oder vorzugsweise einer gekühlten Adsorptions-Vorvakuumpumpe 12 verbunden. Das Gehäuse 17 der Pumpe 16 besteht aus rostfreiem Stahl und enthält zwei Öffnungen 18, 19, die mit den Leitungen 14 bzw. 15 verbunden sind.According to FIG. 1, a system 11 to be evacuated is by means of a line 15 with a getter vacuum pump 16 according to the invention and further via a valve 13 and a line 14 with a mechanical pump or preferably a cooled one Adsorption backing pump 12 connected. The housing 17 of the pump 16 consists of stainless steel and contains two openings 18, 19 which are connected to lines 14 and 19 respectively. 15 are connected.

Im Gefäß 17 ist eine Anode 21 angeordnet, die auf Elektronen anspricht, die von einer Glühkathode 22 aus einem hitzebeständigen Metall, beispielsweise Wolfram, emittiert werden. Die Anode 21 besteht aus einem Gettermaterial, beispielsweise Titan, oder ist damit beschichtet; das Gettermaterial wird durch Bombardierung mit Elektronen von der Kathode oder dem Draht 22 auf Sublimationstemperatur erhitzt. In der Nähe -der Anode 21 und auf diese weisend ist ein Kollektor 23 angeordnet, der so angeordnet und vorgespannt ist, daß er nur von der Anode 21 emittierte Elektronen aufnimmt und keine von der Kathode 22 stammenden Elektronen.In the vessel 17 there is an anode 21 which responds to electrons, by a hot cathode 22 made of a heat-resistant metal, for example tungsten, be emitted. The anode 21 consists of a getter material, for example Titanium, or is coated with it; the getter material is bombarded with Electrons from the cathode or wire 22 heated to sublimation temperature. In the vicinity of the anode 21 and pointing towards it, a collector 23 is arranged, which is so arranged and biased as to have electrons emitted from the anode 21 only picks up and no electrons originating from the cathode 22.

Dadurch, daß der Kollektor 23 nur Elektronen von der Anode 21 aufnimmt, kann er ein die Temperatur des sublimierenden Materials angebendes Signal liefern. Dieses Signal wird dadurch gewonnen, daß der Kollektor 23 an die negative Klemme einer Gleichspannungsquelle 24 angeschlossen ist, an deren positiver Klemme ein Amperemeter 25 und damit in Reihe ein veränderlicher Belastungswiderstand 26 liegen. Die über dem .. Widerstand 26 abfallende Spannung wird an die Eingangsklemme einer üblichen Regelschaltung 27. -gegeben.Because the collector 23 only accepts electrons from the anode 21, it can provide a signal indicating the temperature of the subliming material. This signal is obtained by connecting the collector 23 to the negative terminal a DC voltage source 24 is connected, at the positive terminal of a Ammeter 25 and thus a variable load resistor 26 in series. The voltage drop across the resistor 26 is applied to the input terminal of a usual control circuit 27. -given.

Die Ausgangs-Wechselspannung der Schaltung 27, deren Amplitude sich reziprok zur variablen Signalamplitude über der Belastung 26 ändert, wird über Transformatoren 28 an- die Kathode 22 gelegt. Auf diese Weise wird die an den Klemmen der Kathode 22 stehende Spannung und damit die Kathodentemperatur entsprechend der Temperatur der Anode 21 geregelt, so - daf3: dies Temperatur der Anode im wesentlichen konstant bleibt, sobald einmal der Dauerbetriebszustan_d erreicht ist.The output AC voltage of the circuit 27, the amplitude of which is changes reciprocally to the variable signal amplitude across the load 26 is via transformers 28 placed on the cathode 22. In this way, the clamps on the cathode 22 standing voltage and thus the cathode temperature according to the temperature of the anode 21 is regulated so that this temperature of the anode is essentially constant remains as soon as the continuous operating state is reached.

Um die Kathoden- und damit die Anodentemperätur -nach -Wunsch einzustellen, wird der Wert des Widerstandes 26 geändert, so._daß sich die Eingangsspannung für die Schpltung 27 -ändert. Es ist erforderlich, den Wider"stand'26 nur einmal für jede Größe der Sublimationsrate einzustellen.In order to set the cathode and thus the anode temperature as required, the value of the resistor 26 is changed, so._that the input voltage for the circuit 27 changed. It is necessary to stand for the resistance only once adjust any size of the sublimation rate.

Durch die Sekundärwicklung 29 des Transformators 30, dessen Primärwicklung 31 an einer Quelle 32 für niederfrequenten Wechselstrom, beispielsweise das Netz, angeschlossen ist, wird eine hohe Wechselspannung zwischen die Anode 21 und die Kathode 22 gelegt. Bei jeder zweiten Halbwelle des Stromes von der Quelle 32, in der die Anode 21 positiv ist, werden Elektronen von der Kathode 22 zur Anode 21 beschleunigt. (Im folgenden werden die Halbwellen des Stromes von der Quelle 32, in denen die Anode 21 positiv ist, als positive Halbwellen bezeichnet und die anderen Halbwellen als negative Halbwellen.) Während der negativen Halbwelle erfolgt keine Elektronenemission der Kathode 22. Statt dessen werden Elektronen von der Anode 21 emittiert, und zwar wegen deren hoher Temperatur und der Elektronenbeschleunigung durch den Kollektor 23 und die Kathode 22, die beide während des größten Teils der negativen Halbwelle positiv gegenüber der Anode 21 sind. Weil der Kollektor 23 in der Nähe der Anode 21 angeordnet ist, so daß die Elektronenemission von der Anode 21 genau von ihm überwacht wird, ist der Spannungsabfall über dem Widerstand 26 direkt abhängig von der Anodentemperatur.A high alternating voltage is placed between the anode 21 and the cathode 22 through the secondary winding 29 of the transformer 30, the primary winding 31 of which is connected to a source 32 for low-frequency alternating current, for example the mains. With every second half-cycle of the current from the source 32, in which the anode 21 is positive, electrons are accelerated from the cathode 22 to the anode 21. (In the following, the half-waves of the current from the source 32, in which the anode 21 is positive, are referred to as positive half-waves and the other half-waves as negative half-waves.) During the negative half-wave, there is no electron emission from the cathode 22. Instead, electrons are emitted from the anode 21 emits because of its high temperature and the electron acceleration by the collector 23 and the cathode 22, both of which are positive with respect to the anode 21 during the greater part of the negative half-cycle. Because the collector 23 is arranged in the vicinity of the anode 21, so that the electron emission from the anode 21 is precisely monitored by it, the voltage drop across the resistor 26 is directly dependent on the anode temperature.

Im Betrieb wird das Ventil 13 zunächst geöffnet, und die Vorvakuumpumpe 12 pumpt die Getterpumpe 16 und das System 11 auf einen Unterdruck von etwa 10-s Torr. Das Ventil 13 wird dann geschlossen, und der Betrieb der Pumpe 16 beginnt, indem die Quelle 32 mit der Primärwicklung 31 verbunden wird. Wie oben beschrieben, bombardieren Elektronen die Anode 21 bei positiven Halbwellen, so daß diese aufgeheizt wird. Während der positiven Halbwelle fließen praktisch keine Elektronen zwischen den Elektroden 22 und 23, weil der Kollektor 23 auf beispielsweise minus 50 bis 100 Volt liegt. Die Heizung der Anode 21 geht weiter, so daß ihre Temperatur den Sublimationspunkt des Gettermaterials erreicht. Während der Sublimation wird Gettermaterial als Dampf von der Anode 21 abgegeben. Der Dampf schlägt sich auf den Wänden des Gefäßes 17 als Schicht nieder. Restgase, die mit den beschichteten Wänden in Berührung kommen, werden entfernt, so daß der Druck im System auf größenordnungsmäßig 10-7 Torr erniedrigt wird; dieser Druck ist durch die Teildrucke der nicht getterfähigen Gase wie Helium, Argon, Neon usw. begrenzt. Wenn in Kombination damit eine bekannte Glimmentladungs-Zerstäubungsionenpumpe verwendet wird, können noch niedrigere Drücke erreicht werden.In operation, the valve 13 is first opened, and the backing pump 12 pumps the getter pump 16 and the system 11 to a negative pressure of about 10 s Torr. The valve 13 is then closed and the operation of the pump 16 begins, by connecting the source 32 to the primary winding 31. As described above, electrons bombard the anode 21 with positive half-waves, so that it is heated up will. Virtually no electrons flow between the two during the positive half-wave the electrodes 22 and 23, because the collector 23 to for example minus 50 to 100 volts. The heating of the anode 21 continues, so that its temperature the Sublimation point of the getter material reached. Getter material becomes during the sublimation released as vapor from the anode 21. The steam hits the walls of the Vessel 17 down as a layer. Residual gases that come into contact with the coated walls come, are removed, so that the pressure in the system on the order of 10-7 Torr is lowered; this pressure is due to the partial prints of the non-getterable Gases such as helium, argon, neon etc. are limited. If in combination with it a well-known Glow discharge atomizing ion pump is used, even lower pressures can be used can be achieved.

Wenn die Pumpe 16 eingeschaltet wird, befindet sich die Anode 21 auf einer niedrigen Temperatur, emittiert in den negativen Halbwellen also sehr wenige Elektronen. Dementsprechend ist die Impedanz zwischen der Anode 21 und dem Kollektor 23 sehr groß, und über dem Widerstand 26 fällt nur eine sehr kleine Spannung ab. Der niedrige Spannungsabfall über dem Widerstand 26 wird durch die Schaltung 27 in eine relativ große Wechselspannung umgewandelt, so daß sich eine reichliche Elektronenemission von der Kathode 22 ergibt. Eine kräftige Emission von der Kathode 22 ergibt ein schnelles Aufheizen derAnode 21, so daß durch die Sublimation des Getters und ein Pumpen mit hoher Geschwindigkeit beide gefördert werden. Wenn die Anode 21 höhere Temperaturen erreicht, ergibt sich ein stärkerer Elektronenfluß zwischen ihr und dem Kollektor 23 in den negativen Halbwellen. Ein stärkerer Elektronenfluß zwischen Anode 21 und Kollektor 23 ergibt einen größeren Spannungsabfall über dem Widerstand 26 und damit eine Verringerung der Elektronenemission von der Kathode 22, so daß die Temperatur der Anode 21 im wesentlichen konstant gehalten wird. Es ist wichtig, daß die Temperatur der Anode 21 nicht zu hoch wird, weil sonst der Gettermaterialvorrat der Anode sehr schnell verbraucht wird. Ein schneller Verbrauch des Gettermaterials von der Anode 21 bringt keinen Vorteil mit sich,, weil sich nur Getter mit höherer Geschwindigkeit auf dem Gefäß 17 niederschlägt als er mit den Restgasen im System reagieren und diese adsorbieren kann. Das muß vermieden werden, weil sonst der größte Teil des sublimierten Gettermaterials verschwendet wird, ohne daß das Vakuum merklich verbessert wird. Selbstverständlich sorgt eine kontrollierte Sublimation des Getters von der Anode 21 auch für eine größere Lebensdauer der Pumpe.When the pump 16 is switched on, the anode 21 is at a low temperature, which means that it emits very few electrons in the negative half-waves. Accordingly, the impedance between the anode 21 and the collector 23 is very large, and only a very small voltage is dropped across the resistor 26. The low voltage drop across the resistor 26 is converted by the circuit 27 into a relatively large alternating voltage, so that an abundant electron emission from the cathode 22 results. A strong emission from the cathode 22 results in rapid heating of the anode 21, so that both get promoted by sublimation of the getter and pumping at high speed. When the anode 21 reaches higher temperatures, there is a stronger electron flow between it and the collector 23 in the negative half-waves. A stronger electron flow between anode 21 and collector 23 results in a larger voltage drop across resistor 26 and thus a reduction in electron emission from cathode 22, so that the temperature of anode 21 is kept essentially constant. It is important that the temperature of the anode 21 does not become too high, because otherwise the getter material supply of the anode is used up very quickly. Rapid consumption of the getter material from the anode 21 does not bring any advantage, because only getter is deposited on the vessel 17 at a higher rate than it can react with the residual gases in the system and adsorb them. This must be avoided because otherwise most of the sublimed getter material is wasted without the vacuum being noticeably improved. Of course, a controlled sublimation of the getter from the anode 21 also ensures a longer service life for the pump.

Die Erfindung ist bis jetzt speziell in Verbindung mit Wechselstrom über der Anoden-Kathoden-Diode der Pumpe beschrieben worden. Selbstverständlich kann aber das Grundkonzept der Temperaturüberwachung auch bei Gleichstrom-Elektronenbombardierung und Widerstandsheizungssystemen verwendet werden. Es ist auch möglich, das Konzept der Erfindung in der Weise zu benutzen, daß das Meßinstrument 25 abgelesen wird, dessen Skala unmittelbar in Abhängigkeit von der Temperatur der Anode 21 kalibriert ist, und danach die über die Kathode 22 stehende Spannung manuell eingeregelt wird. Bei diesem Verfahren braucht die Schaltung 27 selbstverständlich nicht vorgesehen zu sein.The invention heretofore has been particularly in connection with alternating current above the anode-cathode diode of the pump. Of course but the basic concept of temperature monitoring can also be used with direct current electron bombardment and resistance heating systems can be used. It is also possible to use the concept to use the invention in such a way that the measuring instrument 25 is read, whose scale is calibrated directly as a function of the temperature of the anode 21 and then the voltage across the cathode 22 is adjusted manually. With this method, the circuit 27 does not need to be provided, of course to be.

In F i g. 2 ist eine zweite Ausführungsform der Erfindung dargestellt; gleiche Teile sind auch hier mit gleichen Bezugszeichen wie in F i .g: 1 bezeichnet, Die Kathode 22 ist in eine vakuumdichte zylindrische Anodensublimationspatrone 33 eingebaut. Die Patrone 33 besteht aus reaktionsfähigem Material, beispielsweise Titan, oder ist damit beschichtet. Die Anodenpatrone wird mit einer Gleichstromquelle 34 auf positivem Potential gegen die Kathode 22 gehalten, beispielsweise auf plus 4 bis 8000 Volt. Der Kollektor 23 wird bei dieser Ausführungform auf plus 500 bis 1000 Volt gegen Anode 33 gehalten, je nach dem Abstand und der Symmetrie der Elektroden. Die Stromquellen 24 und 34 können durch Transformatoren ersetzt werden, ohne daß auf Phasenbeziehungen geachtet werden muß.In Fig. 2 shows a second embodiment of the invention; the same parts are also designated here with the same reference numerals as in FIG. 1, The cathode 22 is in a vacuum-tight cylindrical anode sublimation cartridge 33 built-in. The cartridge 33 is made of a reactive material, for example Titanium, or is coated with it. The anode cartridge comes with a DC power source 34 held at a positive potential with respect to the cathode 22, for example at plus 4 to 8000 volts. The collector 23 is in this embodiment to plus 500 to 1000 volts held against anode 33, depending on the spacing and symmetry of the electrodes. The power sources 24 and 34 can be replaced by transformers without attention must be paid to phase relationships.

Im Betrieb dieser Ausführungsform bewirken von der Kathode 22 auf die Anodenpatrone 33 aufprallende Elektronen eine Erhitzung, bis eine Temperatur erreicht ist, in der Gettermaterial von den Außenwänden der Patrone auf die Innenwände der Pumpe 16 sublimiert. Eine Elektronenemission auf Grund der Erhitzung von der Patrone 33 zum Kollektor 23 ermöglicht eine überwachung der Anodentemperatur in der gleichen Weise wie in Verbindung mit F i g.1 beschrieben. Die Ausführungsform nach F i g. 2 hat den Vorteil, daß die Kathode 22 gegen den Rest des Systems isoliert werden kann, so daß die Gefahr vermieden wird, daß der Draht durchbrennt, wenn sich ein plötzlicher Druckanstieg ergibt. Der Kollektor 23 ist auch vollständig gegen jede Elektronenemission zwischen dem Draht 22 und dem Kollektor 23 abgeschirmt.In the operation of this embodiment, effect from the cathode 22 on the anode cartridge 33 impinging electrons heating until a temperature is achieved in the getter material from the outer walls of the cartridge to the inner walls of the pump 16 sublimates. An electron emission due to the heating of the Cartridge 33 to collector 23 allows the anode temperature to be monitored in the same way as described in connection with Fig.1. The embodiment according to FIG. 2 has the advantage that the cathode 22 isolates from the rest of the system can be, so that the risk of the wire being burned out is avoided if results in a sudden increase in pressure. The collector 23 is also completely against shielded any electron emission between wire 22 and collector 23.

Claims

Claims: 1. Method for maintaining an essentially constant rate of sublimation of the getter material by stabilizing the temperature of the getter material in a getter pump with one after heating by sublimation Electrode emitting getter material, d u r c h g e - indicates that the of this electrode (21 or 33) emitted electron current as Measure measured for the temperature of the electrode and readjusted according to the measurement result is that the temperature of the electrode is kept substantially constant.

2. A method according to claim 1, wherein the pump is provided with an electron source and the electrode that emits the getter material causes it to be bombarded with electrons emits, characterized in that the electron emission of the electron source (22) is readjusted.

3. To carry out the method according to claim 1 trained Pump with an electrode containing the getter material and a heating device for this, characterized in that a device for generating a die Amount of the electron emitted from the electrode indicating signal provided and a control device for the heating device that responds to this signal.

4. Pump according to claim 1 for performing the method according to claim 2 with a Electron source for heating the getter material-releasing electrode by electron bombardment, characterized in that the control device (27) controls the amount of the electron source regulates electrons flowing to the getter material electrode.

5. Pump according to claim 4, characterized in that between the electron source and the getter material output electrode connected to a high-voltage alternating current source (29 to 32) is, so that the electrode (21) only during an alternating current half-wave with electrons is bombarded and in the other half-wave itself works as an electron source (Fig. 1).

6. Pump according to claim 5, characterized in that the getter material emitting electrode (21) is an anode and that the signal generating device from a collector electrode (23) arranged in the vicinity of the anode and a direct voltage source (24) consists, with which the collector electrode is negative against the electron source is biased.

7. Pump according to one of claims 4 to 6, characterized in that that the control device regulates the energy supplied to the electron source. B. Pump according to one of Claims 4 to 7, characterized in that the control device regulates the voltage applied to the electron source.