DE1286081B

DE1286081B - High frequency amplifier with a transistor

Info

Publication number: DE1286081B
Application number: DE1964T0026536
Authority: DE
Inventors: Wegener Rolf; Heitefuss Werner
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1964-07-08
Filing date: 1964-07-08
Publication date: 1969-01-02

Description

Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenzverstärker mit einem Transistor zur Verstärkung unterschiedlicher Frequenzbereiche, insbesondere der Fernsehbänder I und III.The invention relates to a high-frequency amplifier with a transistor for amplifying different frequency ranges, especially the television bands I and III.

Bei solchen Verstärkern soll für alle Frequenzbereiche die Hochfrequenzverstärkung annähernd gleich sein. Das ist jedoch nicht möglich, da sich die Verstärkung eines Transistors infolge des sich mit der Frequenz ändernden Eingangswiderstandes bei 40 MHz und 200 MHz etwa im Verhältnis 6 : 1 ändert. Mit diesem Effekt in gleichem Sinne wirkt die Abnahme der Vorwärtssteilheit mit wachsender Frequenz. Dadurch kann bei optimaler Verstärkung in einem Bereich (z. B. Band III) im anderen Bereich (z. B. Band I) die Verstärkung so groß werden, daß infolge einer Rauschrückkopplung trotz Schwundregelung der ZF-Verstärker übersteuert wird.In such amplifiers, the high-frequency amplification should be used for all frequency ranges be approximately the same. However, this is not possible because the reinforcement is a Transistor due to the input resistance that changes with the frequency 40 MHz and 200 MHz changes roughly in a ratio of 6: 1. With this effect in the same way The decrease in the forward steepness with increasing frequency has an effect on the senses. This can with optimal amplification in one area (e.g. band III) in the other area (e.g. B. Volume I) the gain so large that as a result of noise feedback The IF amplifier is overdriven despite fading control.

Es ist ein Hochfrequenzverstärker mit einem Transistor für Rundfunkempfänger bekannt (japanische Gebrauchsmusteranmeldungs-Bekanntgabe 23 476/63), bei dem der Transistor im FM-Frequenzbereich in Basisschaltung und im AM-Frequenzbereich in Emitterschaltung betrieben wird. Die in dieser Gebrauchsmusterschrift angegebene Schaltung ist aber z. B. für einen Verstärker der Fernsehbänder I und III nicht geeignet, da der nicht benutzte FM-Antennenkreis in der Schaltung angeschlossen und wirksam bleibt. Dies würde zu Kreuzmodulationen führen.It is a high frequency amplifier with a transistor for broadcast receivers known (Japanese utility model application notice 23 476/63), in which the Transistor in the FM frequency range in basic circuit and in the AM frequency range in Emitter circuit is operated. The one specified in this utility model Circuit is z. B. not for an amplifier of TV bands I and III suitable because the unused FM antenna circuit is connected to the circuit and remains effective. This would lead to cross modulations.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil zu vermeiden.The invention is based on the object of avoiding this disadvantage.

Die Erfindung besteht darin, daß bei Verwendung für die Fernsehbänder I und HI Basis und Emitter des Transistors über je einen Koppelkondensator und je einen Vorkreis für jeden Frequenzbereich mittels eines Umschalters wechselweise an die Antennenbuchse anschließbar sind, wobei der jeweils nicht mit der Antennenbuchse verbundene Vorkreis ausgangsseitig geerdet wird.The invention consists in that when used for the television bands I and HI Base and emitter of the transistor each via a coupling capacitor and each a pre-circuit for each frequency range alternately by means of a switch can be connected to the antenna socket, but not with the antenna socket connected pre-circuit is grounded on the output side.

Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird im folgenden ein Ausführungsbeispiel an Hand von F i g. 1 beschrieben. Diese zeigt die Hochfrequenzverstärkerschaltung eines Fernsehempfängers mit einer Antennenbuchse 1 zum Anschluß der nicht dargestellten Antenne, einer Eingangsschaltung 2, einem Transistor 3 zur Verstärkung von Signalen in den Bändern I und III sowie ein zwischen den Hochfrequenzverstärker 3 und eine Mischstufe 4 geschaltetes Hochfrequenzbandfilter 5.To explain the invention in more detail, an exemplary embodiment is given below with reference to FIG. 1 described. This shows the high frequency amplifier circuit a television receiver with an antenna socket 1 for connecting the not shown Antenna, an input circuit 2, a transistor 3 for amplifying signals in the bands I and III as well as one between the high frequency amplifier 3 and one Mixing stage 4 switched high-frequency band filter 5.

Die Eingangsschaltung 2 umfaßt zwei parallelliegende abstimmbare Vorkreise 11 und 12, von denen der Vorkreis 11 mit der Basis des Transistors 3 über einen Kondensator 6 und der Vorkreis 12 mit der Emitterelektrode des Transistors 3 über einen Kondensator 7 verbunden ist. Die beiden dem Transistor abgewandten Elektroden der Koppelkondensatoren 6 und 7 sind mit Kontakten 8 bzw. 9 eines Umschalters 10 verbunden, dessen gemeinsamer Punkt an Masse liegt. Der Vorkreis 11 dient zum Empfang der Signale im Band III, während der Vorkreis 12 nur Signale im Band I durchläßt. Die Eingänge der beiden Vorkreise 11 und 12 sind wechselweise über Kontakte 13 bzw. 14 eines Umschalters 15 an die Antennenbuchse 1 angeschlossen. Die Basis des Transistors 3 ist über einen Widerstand 16 mit einer positiven Spannung -I- UB verbunden, die über einen Kondensator 17 nach Masse abgeblockt ist. Die Emitterelektrode liegt über einen Widerstand 18 an der positiven Spannung UB o, die über einen Kondensator 19 nach Masse abgeblockt ist. An U$ kann auch Regelspannung zugeführt werden.The input circuit 2 comprises two parallel tunable pre-circuits 11 and 12, of which the pre-circuit 11 is connected to the base of the transistor 3 via a capacitor 6 and the pre-circuit 12 is connected to the emitter electrode of the transistor 3 via a capacitor 7. The two electrodes of the coupling capacitors 6 and 7 facing away from the transistor are connected to contacts 8 and 9, respectively, of a changeover switch 10, the common point of which is grounded. The pre-circuit 11 serves to receive the signals in band III, while the pre-circuit 12 only allows signals in band I to pass. The inputs of the two pre-circuits 11 and 12 are alternately connected to the antenna socket 1 via contacts 13 and 14, respectively, of a switch 15. The base of the transistor 3 is connected via a resistor 16 to a positive voltage -I- UB , which is blocked via a capacitor 17 to ground. The emitter electrode is connected to the positive voltage UB o via a resistor 18, which voltage is blocked to ground via a capacitor 19. Control voltage can also be fed to U $.

Die Wirkungsweise der soweit beschriebenen Schaltung wird im folgenden näher erläutert.The mode of operation of the circuit described so far is shown below explained in more detail.

Die Hochfrequenzeingangssignale gelangen über die nicht dargestellte Antenne zur Eingangsklemme des Empfängers. Mit der Einstellung des gewünschten Senders werden zugleich die Kontakte der Schalter so umgelegt, daß der Hochfrequenzverstärker 3 beim Betrieb im Band I in Basisschaltung und beim Betrieb im Band III in Emitterschaltung betrieben wird. Zu diesem Zweck ist jeweils eine der dem Transistor abgewandten Kondensatorelektroden der Koppelkondensatoren auf Masse gelegt. Da die Eingangswiderstände des Transistors sich beim Betrieb in Emitterschaltung zum Betrieb in Basisschaltung (im Band I) wie etwa 10 :1 verhalten, andererseits die Verstärkerschaltung für den Betrieb in den Bändern I und III einen Verstärkungsunterschied von etwa 10 bis 15 db aufweist, wird auf diese Weise weitgehend eine gleiche Gesamtverstärkung für beide Bänder erzielt. Außerdem kann die Schaltung für beide Bereiche mit optimaler Eingangsanpassung betrieben werden.The high-frequency input signals arrive via the not shown Antenna to the input terminal of the receiver. With the setting of the desired station at the same time the contacts of the switch are turned over so that the high-frequency amplifier 3 when operating in band I in basic circuit and when operating in band III in emitter circuit is operated. For this purpose, one is in each case facing away from the transistor The capacitor electrodes of the coupling capacitors are connected to ground. As the input resistances of the transistor when operated in common emitter circuit to operation in common base circuit (in Volume I) behave like about 10: 1, on the other hand the amplifier circuit for the Operating in bands I and III a gain difference of about 10 to 15 db, in this way an overall gain for scored both ligaments. In addition, the circuit can be optimal for both areas Input matching can be operated.

Die erfindungsgemäße Schaltung hat den Vorteil, daß der Transistor 3 in beiden Bereichen optimal betrieben wird. Für Band I ist die Emitterschaltung nachteilig wegen zu großer Rückwirkung auf den Eingangskreis. Diese Schaltung ist daher für Band I schlecht an den Antennenkreis anzupassen. Für Band III ist diese Schaltung dagegen vorteilhaft wegen ihrer hohen Verstärkung und der besseren Rauschzahl. Außerdem kann hier der Vorteil ausgenutzt werden, daß Rauschanpassung und Leistungsanpassung zusammenfallen, weil in Band III geringe Verstärkung und ein hoher Eingangswiderstand gegeben sind. Die Basisschaltung hat für Band I den Vorteil, daß auf Grund eines geringen Eingangswiderstandes und der geringen Rückwirkung eine bessere Anpassung ermöglicht wird. " Die Erfindung ist nicht darauf beschränkt, daß die dem Transistor abgewandten Elektroden der Koppelkondensatoren 6 und 7 direkt an den Schalterkontakten liegen. Vielmehr können auch zwischen diese Elemente weitere Schaltungselemente wie Teile der Filter eingeschaltet sein.The circuit according to the invention has the advantage that the transistor 3 is operated optimally in both areas. For volume I is the emitter circuit disadvantageous because of too great a repercussion on the input circuit. This circuit is therefore difficult to adapt to the antenna circuit for band I. For Volume III this is Circuitry, on the other hand, is advantageous because of its high gain and better noise figure. In addition, the advantage that noise matching and power matching can be used here coincide because in Volume III low gain and high input resistance given are. The basic circuit for Volume I has the advantage that due to a low input resistance and the low feedback a better adaptation is made possible. "The invention is not limited to that of the transistor remote electrodes of the coupling capacitors 6 and 7 directly on the switch contacts lie. Rather, further circuit elements can also be placed between these elements how parts of the filters are turned on.

In F i g. 2 ist eine Schaltung dargestellt, bei der, infolge der starken Abweichung der Frequenzen möglich, in einem Bereich ein Kondensator 20 Teil des Vorkreises 12 ist, der beim Betrieb im anderen (höheren) Bereich einen Kurzschluß darstellt. Für den Kurzschluß des Ausganges des Vorkreises 11 bei Umschaltung ist ein Schalter 21 vorgesehen. Die weiteren Bezugszeichen entsprechen denen der Fig. 1.In Fig. 2 shows a circuit in which, due to the strong Deviation of the frequencies possible in one area a capacitor 20 part of the Pre-circuit 12 is a short circuit when operating in the other (higher) area represents. For the short circuit of the output of the pre-circuit 11 when switching is a switch 21 is provided. The other reference numerals correspond to those in FIG. 1.

Claims

Claims: 1. High-frequency amplifier with a transistor for amplifying different frequency ranges, in which the transistor is operated in an emitter circuit in one frequency range and in a base circuit in the other frequency range, characterized in that when used for TV bands I and III, the base and emitter of the transistor ( 3) can be connected alternately to the antenna socket (1) via a coupling capacitor (6, 7) and a pre-circuit (11, 12) for each frequency range by means of a switch (15), the pre-circuit not connected to the antenna socket being grounded on the output side will.

2. High-frequency amplifier according to claim 1, characterized in that the electrodes of both coupling capacitors (6, 7 ) facing away from the transistor (3) are connected to the contacts (8, 9) of a switch (10) connected to ground.

3. High-frequency amplifier according to claim 1, characterized in that the transistor (3) facing away from the electrode of a coupling capacitor (6) is connected to ground via a switch (21) and that between ground and the electrode of the other coupling capacitor facing the transistor is a corresponding filter associated capacitor (20) is located, which represents a short circuit in the other frequency range.