DE1280318B

DE1280318B - Magnetic data storage

Info

Publication number: DE1280318B
Application number: DE1963J0024149
Authority: DE
Inventors: Albert Watson Vinal
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1963-07-27
Filing date: 1963-07-27
Publication date: 1968-10-17

Description

Magnetischer Datenspeicher Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Datenspeicher mit matrixförmig in Zeilen und Spalten angeordneten Mehrlochmagnetkernen (Transfluxoren), von denen jeder eine Leseöffnung und eine Steuer- oder Einsehreiböffnung aufweist.Magnetic data storage device The invention relates to a magnetic data storage device Data memory with multi-hole magnetic cores arranged in a matrix in rows and columns (Transfluxors), each of which has a reading opening and a control or input opening having.

Magnetische Speicherelemente mit zwei stabilen Zuständen sind bekannt und sind schon seit einiger Zeit das grundlegende Bauelement in digitalen Rechen-, Steuer- und Speicheranordnungen. Diese Speicherelemente lassen sich grob in zwei Kategorien einteilen. Bei der ersten handelt es ich um Ringkerne mit löschender Entnahme, bei denen also die gespeicherten Informationen bei der Abfrage zerstört werden. Die andere umfaßt Kerne mit mehreren Öffnungen und nichtlöschender Entnahme, bei denen also die gespeicherten Informationen beim Abfragen nicht zerstört werden.Magnetic storage elements with two stable states are known and have been the basic component in digital computing, Control and storage arrangements. These storage elements can be roughly divided into two Divide categories. The first is toroidal cores with extinguishing Removal, which means that the information stored is destroyed when queried will. The other includes cores with multiple openings and non-quenching extraction, in which the stored information is not destroyed when it is queried.

Soll eine dieser verschiedenen magnetischen Vorrichtungen in einer Speicheranordnung verwendet werden, kann das z. B. durch Adressieren mit Koinzidenzströmen geschehen, wodurch die Adressiereinrichturig verkleinert wird.Should one of these different magnetic devices be in one Memory array are used, the z. B. by addressing with coincidence currents happen, whereby the addressing facility is reduced in size.

Beim Koinzidenzstromverfahren sind die Speicherelemente jeweils räumlich entsprechend rechtwinkligen Koordinaten in Zeilen und Spalten angeordnet, wobei zwei oder mehr Adressenleiter mit jedem Speicherelement entlang jeder Zeile und jeder Spalte zusammenwirken. Zum Beispiel geht in der Ringkern-Speichermatrix ein einziger Erregungsleiter durch die Öffnung jedes Ringkerns in derselben Spalte hindurch, und ein einziger Erregungsleiter verläuft durch die Öffnung jedes Ringkerns in ein und derselben Zeile. Bei einer solchen Speicheradressiertechnik muß dann eine Stromquelle an jeden Adressenerregungsleiter, der jeweils einer Spalte oder einer Zeile entspricht, angeschlossen sein, damit jeder Ringkern gleichzeitig erregt und damit der betreffende Kern unter Ausschluß der anderen wahlweise adressiert werden kann.In the coincidence current method, the storage elements are each three-dimensional arranged in rows and columns according to right-angled coordinates, where two or more address conductors with each storage element along each row and each column work together. For example, goes into the toroidal core memory matrix single excitation conductor through the opening of each toroid in the same column, and a single excitation conductor runs through the opening of each toroid and the same line. With such a memory addressing technique, a power source to each address excitation conductor, each corresponding to a column or a row, be connected so that each toroidal core is excited at the same time and thus the relevant one Core can be optionally addressed to the exclusion of the other.

Werden von den bekannten Mehrlochspeicherkernen, auch Transfluxoren genannt, Zweilochkerne in eine Koinzidenzstrommatrix eingebaut, so ist es erforderlich, daß durch die beiden Öffnungen eines Transfluxors jeweils ein Treibleitungspaar hindurchgeht, nämlich zwei Abfrageleitungen durch die Leseöffnung und zwei Steuerleitungen durch die Steueröffnung des Transfluxors. Es werden daher wenigstens doppelt so viele Treibleitungen und damit auch doppelt so viele Treiberstufen benötigt wie bei den Toriodkernspeichermatrizen. Dies ist ein wesentlicher Nachteil der Koinzidenzstromspeicher mit Transfluxoren, welcher in vielen Fällen den Vorteil der zerstörungsfreien Entnahme überwiegt. Matrizen dieses nachteiligen Aufbaus sind bekannt.Are from the well-known multi-hole storage cores, also transfluxors called, two-hole cores built into a coincidence current matrix, so it is necessary that through the two openings of a transfluxor in each case a pair of driveline lines goes through, namely two interrogation lines through the read opening and two control lines through the control opening of the transfluxor. It will therefore be at least twice that many drive lines and thus twice as many driver stages as required in the case of the toroidal core memory matrices. This is a major disadvantage of coincidence current storage with transfluxors, which in many cases has the advantage of non-destructive removal predominates. Matrices of this disadvantageous structure are known.

Es ist bereits vorgeschlagen- worden; bei einem Transfluxorspeicherkern, dessen Lese- und Steueröffnung im wesentlichen den gleichen Durchmesser haben, eine Vormagnetisierung des die Steueröffnung umgebenden Magnetmaterials vorzunehmen, während ein Abfragestrom in der durch -die Leseöffnung führenden Treibleitung fließt. Diese Vormagnetisierung hat jeweils die entgegengesetzte Richtung wie das in der Leseöffnung wirksame Abfragemagnetfeld und wird von einem Impuls entsprechender Polarität auf einer der die Steueröffnung durchsetzenden Leitung bewirkt. Durch die Vormagnetiserung wird verhindert, daß Abfrageimpulse mit überhöhter Amplitude die gespeicherte Information zerstören. Es ist daher möglich, durch Verwendung relativ starker Abfrageströme eine relativ große Amplitude der Lesesignale in der Leseleitung zu erhalten. Nach dem gleichen Vorschlag wird auch eine gegensinnige Vormagnetisierung in dem die Leseöffnung umgebenden Magnetmaterial von einer durch diese Öffnung führenden Treibleitung hervorgerufen, um- zu verhindern, daß während der Einschreiboperation; die durch einen Treibstrom auf der Treibleitung in der Steueröffnung erfolgt, der Magnetfluß in der Nähe der Leseöffnung regelwidrig geschaltet wird. Es sind auf diese Weise größere Toleranzen für die Treibströme auf den Treibleitungen in den Lese- und Steueröffnungen der Transfluxoren zulässig. Die mögliche Erhöhung der Abfrage- und Steuerströme erhöht zugleich die Schaltgeschwindigkeit, was eine Verkürzung der Zugriffzeit ergibt.It has already been suggested; with a transfluxor storage core, whose reading and control opening have substantially the same diameter, one To pre-magnetize the magnetic material surrounding the control opening, while an interrogation current flows in the drive line leading through the read opening. This bias has the opposite direction as that in the Reading opening effective interrogation magnetic field and is corresponding by a pulse Causes polarity on one of the line passing through the control opening. By the bias prevents interrogation pulses with excessive amplitude destroy the stored information. It is therefore possible by using relatively strong interrogation currents a relatively large amplitude of the read signals in the read line to obtain. A bias in the opposite direction is also used according to the same proposal in the magnetic material surrounding the reading opening from a magnetic material passing through this opening Driveline created to prevent that during the write operation; which is carried out by a driving current on the drive line in the control opening, the Magnetic flux is switched illegally in the vicinity of the reading opening. It's on this way, greater tolerances for the driving currents on the driveline in the Reading and control openings of the transfluxors permitted. The possible increase in Interrogation and control currents increase the switching speed at the same time, which is a reduction the access time results.

Es ist außerdem bereits bei Matrixspeichern mit Ringkernen bekannt, zur Einsparung von Treiberstufen je zwei Kernspalten einer Treiberstufe gemeinsam zuzuordnen. Eine gemeinsame Treibleitung führt durch eine dieser Spalten in der einen Richtung und durch die andere in der entgegengesetzten Richtung. Die Treiberstufen liefern bipolare Impulse, so daß die Auswahl eines Kernes in der einen oder der anderen Spalte zum Einschreiben oder Lesen eines Wertes durch einen Impuls entsprechender Polarität in der Treibleitung des betreffenden Spaltenpaares und einen koinzidenten Impuls entsprechender Polarität auf der betreffenden Zeilenleitung erfolgen kann. Der Strom in der nicht ausgewählten, aber gleichzeitig mit der ausgewählten Spalte gegensinnig angesteuerten Spalte kompensiert dabei die Halberregung durch den Strom in der ausgewählten Zeilentreibleitung in dem betreffenden Kern am Kreuzungspunkt dieser Zeile und Spalte. Bei dieser Speicheranordnung wird somit der eigentlichen Zeilen- und Spaltenstrom-Koinzidenzauswahl eine Impulspolarität-Koinzidenzauswahl überlagert, innerhalb der jeweils eine von vier möglichen Impulspolaritätskombinationen zur Kernauswahl nach Einschreiben oder Lesen in Koinzidenz zu bringen sind. Dieser Ringkernmatrixspeicher weist zwar den halben Aufwand an Treibern der einen Koordinatenrichtung auf, doch ist mit ihm eine zerstörungsfreie Informationsabfrage nicht möglich.It is also already known from matrix memories with toroidal cores that to save driver stages, two core columns of each driver stage together assign. A common driveline leads through one of these columns in one direction and through the other in the opposite direction. The driver stages deliver bipolar pulses, allowing the selection of a nucleus in one or the other Column for writing or reading a value by means of a pulse Polarity in the lead line of the column pair in question and a coincident one Impulse of the corresponding polarity can take place on the row line concerned. The current in the unselected, but simultaneous with the selected column oppositely driven column compensates for the half-excitation caused by the current in the selected row leakage line in the relevant core at the crossing point this row and column. In this memory arrangement, the actual Row and column current coincidence selection a pulse polarity coincidence selection superimposed, within each one of four possible pulse polarity combinations are to be brought into coincidence for core selection after registered writing or reading. This Toroidal matrix memory has half the cost of drivers in one coordinate direction on, but a non-destructive information query is not possible with it.

Die Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine mit Vormagnetisierung arbeitende Transfluxormatrix anzugeben, d. h. einen mit zerstörungsfreier Informationsabfrage arbeitenden Magnet kernmatrixspeicher zu schaffen, dessen Abfragte und Steuerimpulse keiner besonderen Tolerierung unterworfen werden müssen und der außerdem mit einer geringen Anzahl Treibleitungen und Treiberstufen auskommt.The main object of the present invention is to provide a with To indicate the transfluxor matrix operating at the bias, d. H. one with non-destructive To create information query working magnetic core matrix memory, its queried and control pulses do not have to be subjected to any special tolerance and the also needs a small number of drive lines and driver stages.

Diese Aufgabe wird bei einem magnetischen Daten speicher mit matrixförmig in Zeilen und Spalten angeordneten Mehrlochmagnetkernen (Transfluxoren), von denen jeder eine Leseöffnung und eine Steuer- oder Einschreiböffnung aufweist, und mit paarweise durch diese Öffnungen führenden Treibleitungen, denen selektiv bipolare Ströme zugeführt werden, die in einem durch Zeilen- und Spaltenstrom-Koinzidenz ausgewählten Kern einerseits einen_ nur die Leseöffnung umfassenden remanenten Magnetfluß zur Darstellung des einen binären Speicher= zustandes und andererseits einen sowohl die Leseals auch die Steueröffnung umfassenden remanenten Magnetfluß zur Darstellung des zweiten binären Speicherzustandes einstellen, sowie mit Mitteln zur Erzeugung einer dem durch den Strom auf den Treib-Leitungen hervorgerufenen Magnetfeld im Bereich der einen Öffnung entgegengesetzt gerichteten Vormagnetisierung im Bereich der .anderen Öffnung gemäß der Erfindung dadurch gelöst, _daß die Treibleitungen der einen Koordinatenrichtung durch die beiden Öffnungen eines jeden der diesen Treibleitungen zugeordneten Kerne nacheinander im entgegengesetzten Wicklungssinn führen und zu einer Teilauswahlmagnetisierung des die Lese- oder Steueröffnung eines Kernes umgebenden magnetischen Materials die entgegengesetzt gerichtete Vormagnetisierung um, die andere Öffnung des gleichen Kernes hervorrufen (F i g. 7).In the case of a magnetic data storage device, this task is performed in the form of a matrix Multi-hole magnetic cores (transfluxors) arranged in rows and columns, of which each has a read port and a control or write port, and with drive lines leading in pairs through these openings, which are selectively bipolar Currents are fed in a by row and column current coincidence selected core on the one hand a remanent magnetic flux comprising only the read opening for the representation of a binary memory = state and on the other hand both the read and the control opening including remanent magnetic flux for display set the second binary memory state, as well as with means for generating one of the magnetic field caused by the current on the drive lines in the Area of the one opening oppositely directed bias in the area the .other opening according to the invention solved by _that the driveline one coordinate direction through the two openings of each of these Cores assigned to drive lines one after the other in the opposite direction of winding lead and to a partial selection magnetization of the reading or control opening of a Core surrounding magnetic material the oppositely directed bias to cause the other opening of the same nucleus (Fig. 7).

Ein weiteres Problem bei der Instrumentierung eines großen nach der Koinzidenzstromtechnik arbeitenden magnetischen Speichers ist die Indüktivität der Adressenleiter. Dieses Problem besteht immer, ganz gleich, ob nun das Speicherelement ein Toroidkern oder ein Magnetkern mit zwei Öffnungen (Transfluxor) ist. Wie allgemein bekannt ist, werden die übertragungsleitungseigenschaften eines Leiters für die übertragung eines Stromimpulses mit geringstmöglicher Verzögerung merklich verbessert, wenn der Stromimpuls in einem Leiter in der einen Richtung und gleichzeitig in einem dicht angrenzenden Parallel-Leiter in der entgegengesetzten Richtung übertragen wird. Wenn die Treibleitungen dementsprechend angeordnet werden können, lassen sich also die Übertragungsleitungseigenschaften insofern verbessern, als die Induktivität der Treibleitungen reduziert und damit die Zeit, die nötig ist, um wahlweise eine bestimmte Öffnung eines bestimmten Speicherkernes zu adressieren, erheblich verkürzt wird.Another problem with instrumenting a large after Coincidence current technology working magnetic memory is the inductance of the Address manager. This problem always exists, regardless of whether the storage element is is a toroidal core or a magnetic core with two openings (transfluxor). How general is known, the transmission line properties of a conductor for the Transmission of a current pulse with the lowest possible delay noticeably improved, when the current pulse in a conductor goes in one direction and at the same time in one transferring closely adjacent parallel conductors in the opposite direction will. If the drive lines can be arranged accordingly, can that is, improve the transmission line properties in so far as the inductance of the drivetrains and thus the time it takes to select a Addressing a specific opening of a specific memory core is considerably shortened will.

Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind daher die Treibleitung der anderen Koordinatenrichtung in einem ersten Durchgang durch die einen Öffnungen (Lese- oder Steueröffnungen) aller Kerne einer Koordinatenachse im gleichen Wicklungssinn wie die Treibleitungen der einen Koordinatenrichtung und in einem zweiten Durchgang durch die anderen Öffnungen (Steuer- oder Leseöffnungen) aller Kerne einer benachbarten Koordi natenachse im entgegengesetzten Wicklungssinn wie die Treibleitungen der einen Koordinatenrichtung geführt.According to a further advantageous embodiment of the invention are hence the driveline of the other coordinate direction in a first pass through one of the openings (reading or control openings) of all cores of a coordinate axis in the same direction of winding as the drive lines of one coordinate direction and in a second pass through the other openings (control or reading openings) all cores of an adjacent coordinate axis in the opposite direction of winding how the lead lines are guided in one coordinate direction.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß die Treibleitungen der einen Koordinatenrichtung in einem ersten Durchgang (Drahthinführung) durch die einen Öffnungen (Lese-oder Steueröffnungen) aller Kerne einer Koordinatenachse in dem einen Wicklungssinn und in einem zweiten Durchgang (Drahtrückführung) durch die anderen Öffnungen (Steuer- oder Leseöffnungen) aller Kerne der gleichen Koordinatenachse im entgegengesetzten Wicklungssinn führen.Another advantageous embodiment of the invention consists in that the drivetrains of one coordinate direction in a first pass (wire feed) through one of the openings (reading or control openings) of all cores of a coordinate axis in one sense of the winding and in a second passage (wire return) the other openings (control or reading openings) of all cores of the same coordinate axis lead in the opposite direction of winding.

Durch die erfindungsgemäße Datenspeichereinrichtung ist es möglich, die Vorteile einer zerstörungsfreien Entnahme bei relativ großem Lesesignal und mit einfacher Zeilen- und Spaltenstrom-Koinzidenzauswahl zu. erreichen, ohne den Nachteil einer Erhöhung der Anzahl der Treiberstufen und Treibleitungen für die zusätzliche Vormagnetisierung hinnehmen zu müssen.The data storage device according to the invention makes it possible to the advantages of non-destructive removal with a relatively large read signal and with simple row and column current coincidence selection. without the Disadvantage of increasing the number of driver stages and drive lines for the having to accept additional bias.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind aus den Unteransprüchen zu ersehen.Further advantageous refinements of the invention can be found in the subclaims to see.

F i g.1 zeigt eine Transfluxor-Speichervorrichtung nach einem älteren Vorschlag, die das Verständnis der Speicheranordnung nach der Erfindung erleichtern soll; F i g. 2 zeigt beispielsweise Flußmuster und Stromimpulsdiagramme, welche die Wirkungsweise der Vorrichtung nach F i g.1 erläutern; F i g. 3 zeigt eine Hysteresekurve, nach der das Ummagnetisieren des die Leseöffnung eines Speicherelementes nach F i g. 1 umgebenden magnetischen Materials erfolgt; F i g. 4 stellt den Grad der magnetischen Kopplung zwischen den Lese- und Abfragewicklungen von F i g.1 als Funktion der Größe des durch die Steuerwicklungen angelegten Stroms dar. Für die mit »zunehmender magnetischer Widerstand« bezeichnete Kurve hat der der Steuerwicklung zugeführte Stromimpuls die eine Polarität, und für die Kurve »abnehmender magnetischer Widerstand« hat der den Steuerwicklungen zugeführte Strom die andere Polarität; F i g. 5 zeigt eine mit Koinzidenzstromwahl arbeitende bekannte Transfluxor-Speichermatrix; F i g. 7 zeigt die Koinzidenzstrom-Transfiuxor-Speichermatrix von F i g. 5 in einer ersten nach der Erfindung abgewandelten Form, wodurch die erforderlichen Stromtreiber auf die Hälfte reduziert werden. Für jede Spalte und jede Zeile ist jeweils ein Stromtreiber nötig, da nur ein Adreßleiter für jede Spalte erforderlich ist und jeweils einem Zeilenpaar ein Treiberpaar zugeordnet ist; F i g. 7 zeigt die Koinzidenzstrom-Transffuxor-Speichermatrix von F i g. 5 in einer zweiten, nach der Erfindung abgewandelten Form, wodurch der Bedarf an Stromtreibern auf drei Viertel reduziert wird. Es sind zwei getrennte Adreßleiter für jede Zeile und ein Adreßleiter für jede Spalte erforderlich; F i g. 8 zeigt die Koinzidenzstrom-Speichermatrix von F i g. 6, wie sie auf eine größere Matrix angewandt ist und sowohl eine Sperr- als auch eine Lesewicklung enthält; F i g. 9 zeigt eine beispielsweise Anwendung der Anordnung von F i g. 6 und 8 bei einem dreidimensionalen Speicheraufbau; F i g. 10 zeigt die Anwendung der Anordnung von F i g. 7 bei einem dreidimensionalen Speicheraufbau; F i g. 11 zeigt die Anwendung der Anordnung von F i g. 6 und 8 auf eine Matrix, bei der die Speicherelemente aus mehreren Paaren von Öffnungen in einer einheitlichen Ferritplatte bestehen.Fig. 1 shows a Transfluxor storage device according to an older one Proposal that facilitate understanding of the memory arrangement according to the invention target; F i g. 2 shows, for example, flow patterns and current pulse diagrams which explain the mode of operation of the device according to FIG. 1; F i g. 3 shows a hysteresis curve, after which the magnetic reversal of the read opening of a memory element according to F i g. 1 surrounding magnetic material takes place; F i g. 4 represents the degree of magnetic Coupling between the read and query windings of Figure 1 as a function of size of the current applied by the control windings. For those with »increasing magnetic Resistance «curve has the current pulse applied to the control winding which has one polarity and "decreasing magnetic resistance" for the curve the current supplied to the control windings has the opposite polarity; F. i g. Fig. 5 shows a known transfluxor memory matrix operating with coincidence current selection; F i g. 7 shows the coincidence current transfiuxor memory matrix of FIG. 5 in one first form modified according to the invention, whereby the required current driver can be reduced by half. There is one for each column and each row Current driver necessary because only one address wire is required for each column and a pair of drivers is assigned to each pair of lines; F i g. 7 shows the coincidence current transffuxor memory matrix from F i g. 5 in a second, modified form according to the invention, whereby the The need for electricity drivers is reduced to three quarters. There are two separate ones Address conductors required for each row and one address conductor for each column; F i G. 8 shows the coincidence current memory matrix of FIG. 6 how to get on a bigger one Matrix is applied and contains both a lock and a read winding; F i g. 9 shows an example application of the arrangement of FIG. 6 and 8 at a three-dimensional memory structure; F i g. 10 shows the application of the arrangement from F i g. 7 for a three-dimensional memory structure; F i g. 11 shows the application the arrangement of FIG. 6 and 8 on a matrix in which the memory elements consist of several pairs of openings in a unitary ferrite plate.

In F i g. 1 ist die bereits vorgeschlagene, verbesserte Transfluxorvorrichtung dargestellt. Um die verbesserte Koinzidenzstromschaltungstechnik nach der Erfindung darlegen zu können, ist es wichtig, zu wissen, wie die Transfluxorvorrichtung von F i g. 1 arbeitet. Dort gehen zwei Öffnungen 11 und 12 durch eine aus »unbegrenztem« magnetischem Material bestehende Platte 10 hindurch. Die Öffnung 11 ist als die Leseöffnung, die Öffnung 12 als die Steueröffnung bezeichnet. Eine Abfragewicklung 13 verläuft durch die Leseöffnung 11, eine Steuerwicklung 15 durch die Steueröffnung 12 hindurch.In Fig. 1 shows the already proposed, improved transfluxor device. In order to demonstrate the improved coincidence current circuitry of the present invention, it is important to understand how the transfluxor device of FIG. 1 works. There two openings 11 and 12 pass through a plate 10 made of "unlimited" magnetic material. The opening 11 is referred to as the reading opening, the opening 12 as the control opening. An interrogation winding 13 runs through the reading opening 11, and a control winding 15 runs through the control opening 12.

Um alternierende, bipolare Stromimpulse durch die Abfragewicklung 13 zu schicken, ist an diese ein bipolarer Stromtreiber 16 angeschlossen. Ebenso ist ein bipölarer Stromtreiber 17 an die Steuerwicklung 15 angeschlossen, um alternierende, bipolare Stromimpulse durch sie zu senden. Die Stromtreiber 16 und 17 können in herkömmlicher Weise aufgebaut sein.To alternate, bipolar current pulses through the interrogation winding 13, a bipolar current driver 16 is connected to this. as well a bipolar current driver 17 is connected to the control winding 15 to generate alternating, sending bipolar current pulses through them. The current drivers 16 and 17 can be used in be constructed in a conventional manner.

Um eine umgekehrte Vormagnetisierung in dem die Steueröffnung 12 umgebenden magnetischen Material während der Zeit, in der ein bipolarer Stromimpuls während des Lesevorgangs an die Abfragewicklung 13 gelegt wird, zu erzeugen, ist auch eine Vormagnetisierungswicklung 30 durch diese Steueröffnung hindurchgeführt. Die Vormagnetisierungswicklung 30 ist mit einer herkömmlichen Stromimpulsquelle 31 verbunden. Diese umgekehrte Vormagnetisierung hat den Zweck, zu verhindern, daß die um die Leseöffnung herum an das magnetische Material angelegte Magnetisierungskraft den gesperrten Zustand zerstört, wenn das der binäre Zustand ist, der von dem Speicherelement gespeichert wird.In order to generate a reverse bias in the magnetic material surrounding the control opening 12 during the time in which a bipolar current pulse is applied to the interrogation winding 13 during the reading process, a bias winding 30 is also passed through this control opening. The bias winding 30 is connected to a conventional current pulse source 31. The purpose of this reverse bias is to prevent the magnetizing force applied to the magnetic material around the read opening from destroying the locked state, if that is the binary state stored by the memory element.

Durch die Leseöffnung 11 hindurch verläuft eine Vormagnetisierungswicklung 32, die an eine herkömmliche Stromquelle 33 angeschlossen ist und den Zweck hat, eine umgekehrte Magnetisierungskraft um die Innenwand der Leseöffnung 11, herum während des Steuervorgangs zu erzeugen, wenn das Speicherelement so gesteuert wird, daß es in seinen nichtgesperrten Zustand übergeht. Die Vorteile dieser umgekehrten Vormagnetisierung werden nachstehend noch näher erläutert.A bias winding runs through the reading opening 11 32, which is connected to a conventional power source 33 and has the purpose of a reverse magnetizing force around the inner wall of the reading opening 11 to be generated during the control process if the storage element is controlled in such a way that that it goes into its unlocked state. The benefits of this reverse Bias is explained in more detail below.

In F i g. 2 zeigt das remanente Flußmuster 2 (a) einen beispielsweisen nichtgesperrten Zustand für die magnetische Vorrichtung von F i g. 1. Wenn an= genommen wird, daß der Abfragewicklung 13 ein Stromimpuls durch den Treiber 16 zugeführt wird, der die durch den Stromimpuls (1) angegebene Größe und Polarität hat, wird ein entgegen dem Uhrzeiger gerichteter Fluß um die Leseöffnung 11 herum erzeugt, dessen remanenter Zustand durch das Flußmuster (2 (b) dargestellt wird. Wegen der Umkehrung des Flusses um die Leseöffnung 11 herum wird ein Spannungsimpuls (1") in der Lesewicklung 14 induziert, dessen Polarität negativ ist. Gleichzeitig mit dem Anlegen des Stromimpulses (1) an die Abfragewicklung 13 kann ein kleiner negativer Stromimpuls (1') an die Steuerwicklung 15 ohne nach-, teilige Wirkung auf den nichtgesperrten Zustand der magnetischen Vorrichtung und die Amplitude des Spannungsimpulses (1") gelegt werden. Ebenso wird. beim Anlegen eines negativen Stromimpulses (2) an die Wicklung 13 durch die Quelle 16 der Fluß um die Leseöffnung 11 herum umgekehrt und führt zu dem im Flußmuster 2 (c) dargestellten Remanenzzustand. Als Ergebnis dieser Flußumkehrung wird in der Lesewicklung 14 ein Spannungsimpuls (2") mit positiver Polarität induziert. Ahnlich wie zuvor wird gleichzeitig mit dem Anlegen des Stromimpulses (2) .an die Abfragewicklung 13 -ein kleiner positiver Stromimpuls (2') an die Steuerwicklung 15 ohne nachteilige Wirkung auf den Speicherzustand der magnetischen Vorrichtung gelegt.In Fig. FIG. 2 shows the remanent flux pattern 2 (a) an exemplary unlocked state for the magnetic device of FIG. 1. If it is assumed that the interrogation winding 13 is supplied with a current pulse by the driver 16, which has the magnitude and polarity indicated by the current pulse (1), a counterclockwise flow is generated around the reading opening 11 remanent state is represented by the flux pattern (2 (b). Because of the reversal of the flux around the reading opening 11, a voltage pulse (1 ") is induced in the reading winding 14, the polarity of which is negative. Simultaneously with the application of the current pulse (1) A small negative current pulse (1 ') can be applied to the interrogation winding 13 on the control winding 15 without any disadvantageous effect on the unlocked state of the magnetic device and the amplitude of the voltage pulse (1 "). Likewise, when a negative current pulse is applied (2) to winding 13 through source 16 reverses the flux around read port 11 and results in the remanence state shown in flux pattern 2 (c) As a result of this flux reversal, a voltage pulse (2 ") with positive polarity is induced in the reading winding 14. Similar to before, at the same time as the current pulse (2) is applied to the interrogation winding 13, a small positive current pulse (2 ') is applied to the control winding 15 without any adverse effect on the storage state of the magnetic device.

Als nächstes wird durch einen der Abfragewicklung 13 zugeführten positiven Stromimpuls (3) der die Leseöffnung 11 umgebende Fluß umgekehrt, wie es das Flußmuster 2 (d) zeigt, und ein negativer Spannungsimpuls (3") in der Lesewicklung 14 erzeugt. Dann kehrt ein der Abfragewieklung 13 zugeleiteter Stromimpuls (4) wieder den remanenten Fluß um die Leseöffnung 11 um, wie es das Flußmuster 2 (e) zeigt, wodurch ein positiver Spannungsimpuls (4") in der Lesewicklung 14 induziert wird. Jedesmal wenn ein Stromimpuls über die Abfragewicklung 13 angelegt wird, wird ein kleinerer Stromimpuls der Steuerwicklung 15 zugeführt, um das magnetische Material umgekehrt vorzumagnetisieren, ohne daß nachteilige Wirkungen auf den gespeicherten magnetischen Zustand entstehen.Next, a positive current pulse (3) applied to the interrogation coil 13 reverses the flux surrounding the reading opening 11, as shown in the flow pattern 2 (d), and generates a negative voltage pulse (3 ") in the reading coil 14 Interrogation 13 supplied current pulse (4) again the remanent flow around the reading opening 11, as shown by the flow pattern 2 (e), whereby a positive voltage pulse (4 ") is induced in the reading winding 14. Whenever a current pulse is applied across the interrogation winding 13, a smaller current pulse is applied to the control winding 15 in order to reverse pre-magnetize the magnetic material without adverse effects on the stored magnetic state.

Es besteht also eine Übertragungswirkung zwischen der Abfragewicklung 13 und der Lesewicklung 14, die einen stabilen Zustand geringen. magnetischen Widerstandes um die Leseöffnung 11 herum darstellt. Der Magnetlußzustand um die Steueröffnung 12 herum spielt bei der Bestimmung der in der Lesewicklung induzierten Spannung keine Rolle, weil er um die Steueröffnung ein nierenförmiges Muster gemäß den Flußmustern 2 (a) bis 2(e) bildet. Gemäß Definition kann das Bestehen dieses stabilen nichtgesperrten Zustandes niedrigen magnetischen Widerstandes zwischen der Abfragewicklung 13 und der Lesewicklung 14 als Darstellung für einen ersten binären Ziffernzustand, z. B. die Ziffer »1« angesehen werden. Zum Umschalten der magnetischen Vorrichtung von F i g.-1 in den anderen (gesperrten) Zustand hohen magnetischen Widerstandes wird ein negativer Stromimpuls (5') an die Steuerwicklung 15 gelegt,, um einen Fluß im Sinne des Uhrzeigers um die Steueröffnung 12 herum zu erzeugen, wie es im Fluß= rauster 2 f gezeigt ist. Als Ergebnis des Anlegens der steuernden Magnetisierungskraft wird der Fluß in dem inneren Arm (magnetisches Material zwischen den beiden Öffnungen) in der Richtung umgekehrt, und der Fluß, der vorher nur um die Leseöffnung 11 herum verlief, umgibt nun sowohl die Leseöffnung 11 als auch die Steueröffnung 12. Gleichzeitig mit dem Anlegen eines magnetischen Steuerimpulses (5') an die Steuerwicklung 15 wird ein entgegengesetzt gerichteter Strom an die Lesewicklung 13 gelegt, ohne in irgendeiner Weise den Übergang der magnetischen Vorrichtung aus dem nichtgesperrten in den gesperrten Zustand zu beeinträchtigen, wie es im Flußmuster2(f) gezeigt ist.There is therefore a transmission effect between the interrogation winding 13 and the reading winding 14, which lowers a stable state. represents magnetic resistance around the reading opening 11 around. The state of the magnetic flux around the control opening 12 does not play a role in determining the voltage induced in the read winding because it forms a kidney-shaped pattern around the control opening according to the flux patterns 2 (a) to 2 (e). By definition, the existence of this stable, unlocked, low reluctance state between the interrogation winding 13 and the reading winding 14 may represent a first binary digit state, e.g. B. the number "1" can be viewed. To switch the magnetic device from FIG. 1 to the other (locked) state of high magnetic resistance, a negative current pulse (5 ') is applied to the control winding 15, in order to flow around the control opening 12 in the clockwise direction as shown in the flow = rough 2 f. As a result of the application of the controlling magnetizing force, the flux in the inner arm (magnetic material between the two openings) is reversed in direction and the flux that previously only passed around the reading opening 11 now surrounds both the reading opening 11 and the Control opening 12. Simultaneously with the application of a magnetic control pulse (5 ') to the control winding 15, an oppositely directed current is applied to the reading winding 13 without in any way affecting the transition of the magnetic device from the unlocked to the locked state, as it did shown in flow pattern 2 (f).

Man beachte, daß die Amplitude des der Steuerwicklung 15 zugeführten Stromimpulses nur ,groß zu sein braucht, um einen Sättigungsfluß abzuleiten, der durch den Bereich zwischen den Öffnungen (innerer Arm) verläuft, weil die Polarität des Steuerstromimpulses vorsorglich so gewählt worden ist, daß ein Fluß erzeugt wird, der dieselbe Richtung wie der Fluß in dem äußeren Arm um die Leseöffnung 11 herum hat. Da die Amplitude des der Steuerwicklung zugeführten Stomimpuls klein ist, sieht das kreisförmige Remanenzflußmuster um die Steueröffnung 12 herum in. Verbindung mit dem abgewandelten Flußmuster um die Öffnung 11 herum wie ein Flaschenzug aus. Dieses abgewandelte Flußmuster (»Flaschenzugmuster«) stellt den kleinstmöglichen aktiven Bereich der Ferritplatte 10 dar, der nötig ist, um diesen stabilen Zustand magnetischen Widerstandes darzustellen. Angesichts der Tatsache, daß jeder an die Leseöffnung 11 angrenzende Arm in derselben Richtung gesättigt ist, und der Tatsache, daß der magnetische Widerstand des Flußpfades, der jetzt um das »Flaschenzugmuster« herum verläuft, höher als beim vorher beschriebenen stabilen Zustand ist, ist ein an die Abfragewicklung 13 gelegter Stromimpuls, der vorher ausreichend war, nicht mehr genügend, um den Fluß um die Öffnung 11 herum umzukehren und so eine Spannung in der Lesewicklung 14 zu induzieren.It should be noted that the amplitude of the current pulse supplied to the control winding 15 only needs to be large in order to derive a saturation flux which runs through the area between the openings (inner arm), because the polarity of the control current pulse has been chosen as a precautionary measure so that a Flux is generated which has the same direction as the flow in the outer arm around the reading port 11 around. Since the amplitude of the current pulse applied to the control winding is small, the circular remanent flux pattern around the control opening 12 in connection with the modified flux pattern around the opening 11 looks like a pulley. This modified flux pattern ("pulley pattern") represents the smallest possible active area of the ferrite plate 10 that is necessary to represent this stable state of magnetic resistance. In view of the fact that each arm adjacent to the reading opening 11 is saturated in the same direction, and the fact that the magnetic resistance of the flux path which now runs around the "pulley pattern" is higher than in the steady state previously described, a The current pulse applied to the interrogation winding 13, which was previously sufficient, is no longer sufficient to reverse the flow around the opening 11 and thus to induce a voltage in the reading winding 14.

Wenn z. B. (vgl. F i g. 2) ein positiver Stromimpuls (6) an die Abfragewicklung 13 gelegt wird, solange das Flußmuster2(f) in dem die Öffnungen 11 und 12 umgebenden magnetischen Material besteht, wird wegen der obenerwähnten Sperrwirkung eine sehr kleine oder gar keine Spannung (6") in der Lesewicklung 14 induziert. Gemäß F i g. 2 bleibt das Flußmuster 2 (g) gleich dem Flußmuster 2 (f). Wenn gleichzeitig ein entgegengerichteter Stromimpuls (6') der Steuerwicklung 15 zugeführt wird, beeinträchtigt dieser in keiner Weise den Sperrzustand .der magnetischen Vorrichtung, weil er dieselbe Polarität hat wie der Stromimpuls durch die gleiche Wicklung, der die magnetische Vorrichtung in den Sperrzustand gebracht hat. Ebenso wird beim Anlegen eines negativen Stromimpulses (7) an die Abfragewicklung 13 eine sehr kleine Spannung (7") oder gar keine Spannung in der Lesewicklung 14 induziert, und das Flußmuster 2 (h) gleicht weiterhin im wesentlichen den Flußmustern 2 (f) und 2 (g). Gleichzeitig mit dem Anlegen des magnetischen Stromimpulses (6) an die Abfragewicklung 13 wird ein entgegengerichteter Stromimpuls (6') der Steuerwicklung 15 zugeführt. Wie nachstehend noch erläutert wird, wirkt dieser Stromimpuls der Neigung des der Abfragewicklung zugeführten Stromimpulses (6.) zum Zerstören des Sperrzustandes der magnetischen Vorrichtung entgegen. Ohne den der Steuerwicklung 15 zugeführten. entgegengerichteten Stromimpuls müßte unter diesen Umständen der Stromimpuls (6y amplitudenmäßig genau gesteuert werden und viel kleiner sein. Wegen der Verwendung der Steuerwicklung für die Bildung einer entgegengerichteten Magnetisierungskraft in der Innenwand der Steueröffnung 12 kann der Stromimpuls (6) viel größer sein.If z. B. (cf. Fig. 2) a positive current pulse (6) is applied to the interrogation winding 13, as long as the flux pattern 2 (f) in the magnetic material surrounding the openings 11 and 12 is very small because of the above-mentioned blocking effect or no voltage (6 ") at all induced in the sense winding 14. According to FIG. 2, the flux pattern 2 (g) remains the same as the flux pattern 2 (f). this does not affect the blocking state of the magnetic device in any way, because it has the same polarity as the current pulse through the same winding that brought the magnetic device into the blocking state very little tension (7 ") or no tension at all is induced in the sense coil 14, and the flux pattern 2 (h) continues to be substantially the same as the flux patterns 2 (f) and 2 (g). Simultaneously with the application of the magnetic current pulse (6) to the interrogation winding 13, an opposing current pulse (6 ') is fed to the control winding 15. As will be explained below, this current pulse counteracts the tendency of the current pulse (6) supplied to the interrogation winding to destroy the blocking state of the magnetic device. Without the control winding 15 supplied. Under these circumstances, the current pulse (6y) would have to be precisely controlled in amplitude and be much smaller. Because of the use of the control winding for the formation of an opposing magnetizing force in the inner wall of the control opening 12, the current pulse (6) can be much larger.

Die obenerwähnte Vormagnetisierung des magnetischen Materials um die Steueröffnung 12 ist zwar während des Abfrageimpulses (7) nicht erforderlich, weil dessen Polarität nicht so beschaffen ist, daß der Sperrzustand zerstört wird, aber das Vorliegen einer durch den Stromimpuls (7) dargestellten Vormagnetisierung beeinträchtigt die Wirkungsweise der Vorrichtung nicht. Die Stromimpulse (1) bis (8) müssen praktischerweise dieselbe Amplitude haben. Wegen der Vormagnetisierung der Innenwand der Steueröffnung können größere Abfragestromimpulse verwendet werden, und es werden dann größere Spannungssignale in der Lesewicklung induziert, wenn die magnetische Vorrichtung im nichtgesperrten Zustand ist. Diese letztgenannten Flußmuster stellen das obenerwähnte Flaschenzugmuster dar und können z. B. als binärer Zustand »0« gekennzeichnet werden.The aforementioned bias of the magnetic material around the Control opening 12 is not necessary during the interrogation pulse (7) because the polarity of which is not such that the blocking state is destroyed, but the presence of a premagnetization represented by the current pulse (7) is impaired the operation of the device does not. The current pulses (1) to (8) must be practical have the same amplitude. Because of the premagnetization of the inner wall of the control opening larger interrogation current pulses can be used, and then larger ones will be Voltage signals induced in the read winding when the magnetic device is in the unlocked state. These latter flow patterns represent the aforementioned Pulley pattern and can, for. B. can be identified as the binary state "0".

F i g. 3 zeigt eine Ansprecherregungskurve zwischen der Abfragewicklung 13 und der Lesewicklung 14 für jeden der beiden stabilen Zustände des magnetischen Widerstandes und der Koerzitivkraft. Wenn die magnetische Vorrichtung von F i g. 1 in dem durch die Flußmuster 2 (a) bis 2 (e) von F i g. 2 dargestellten nichtgesperrten Zustand ist, wird .durch die der Abfragewicklung 13 zugeführten alternierenden bipolaren Stromimpulse der Fluß um die Leseöffnung 11 herum nacheinander umgekehrt und folgt dabei einer Hysteresekurve, die durch die durchgehende Linie von F i g. 3 dargestellt ist, um Spannungen entsprechender Polarität in .der Lesewicklung 14 zu induzieren. Wenn jedoch die magnetische Vorrichtung von F i g. 1 in den Sperrzustand gebracht wird, der durch die Flußmuster 2 (f) bis 2(h) dargestellt wird, sind die der Abfragewicklung 13 zugeführten alternierenden bipolaren Stromimpulse (6) und (7) amplitudenmäßig nicht ausreichend, um eine Umkehrung des Flusses um die Öffnung 11 entsprechend der in F i g. 3 gestrichelt gezeichneten Fluß-Erregungs-Kurve zu bewirken. Die gestrichelten Linien veranschaulichen, wie die Innenwandvormagnetisierung der Steueröffnung die Ansprecherregungskurve zwischen den Abfrage- und Lesewicklungen 13 und 14 für den Sperrzustand der Vorrichtung beeinflußt. Hierdurch wird keine Flußänderung um die Leseöffnung 11 herum (oder eine sehr geringe Flußänderung) erzeugt, und durch die Stromimpulse (6) und (7) wird keine Spannung (oder eine sehr kleine Spannung) in der Lesewicklung 14 induziert.F i g. 3 shows a response excitation curve between the interrogation winding 13 and the sense winding 14 for each of the two stable states of the magnetic reluctance and the coercive force. When the magnetic device of FIG. 1 in which flow patterns 2 (a) through 2 (e) of FIG. 2, the flow around the reading opening 11 is reversed one after the other by the alternating bipolar current pulses supplied to the interrogation winding 13, following a hysteresis curve which is indicated by the solid line in FIG. 3 is shown in order to induce voltages of corresponding polarity in the read winding 14. However, when the magnetic device of FIG. 1 is brought into the blocking state, which is represented by the flow patterns 2 (f) to 2 (h), the alternating bipolar current pulses (6) and (7) supplied to the interrogation winding 13 are not amplitude-wise sufficient to reverse the flow by the Opening 11 corresponding to the one shown in FIG. 3 to effect the flow-excitation curve drawn in dashed lines. The dashed lines illustrate how the inner wall bias of the control port affects the response excitation curve between the interrogation and sense windings 13 and 14 for the blocking state of the device. As a result, no change in flux around the reading opening 11 (or a very small change in flux) is produced, and no voltage (or a very small voltage) is induced in the reading winding 14 by the current pulses (6) and (7).

Die durch die Steuerwicklung 15 angelegte Magnetisierungskraft bestimmt also, ob die Abfragewicklung13 und die Lesewicklung 14 eine transformatorartige Kopplung aufweisen. Beim Vorliegen der Flußmuster 2 (a) bis 2 (e) ist die Vorrichtung in ihrem binären Eins-Zustand und beim Vorliegen der Flußmuster 2 (f) bis 2 (g) in ihrem binären Null-Zustand. Um die Vorrichtung von dem Flußmuster 2 (h) auf das Flußmuster 2 (a), das -den nichtgesperrten Zustand magnetischen Widerstandes darstellt, zurückzuschalten, wird ein Stromimpuls (8') mit der dargestellten Polarität an die Steuerwicklung 15 gelegt und dadurch eine Magnetisierungskraft und ein Fluß erzeugt, der dem Fluß im mittleren Arm der Vorrichtung zwischen den Öffnungen 11 und 12 entgegengerichtet ist. Die Amplitude .des Stromimpulses (8') ist so gewählt, daß ein Fluß in dem an die Steueröffnung 12 angrenzenden magnetischen Material erzeugt wird, der bis zur nächstgelegenen Kante der Leseöffnung 11 reicht. Gleichzeitig mit dem Anlegen des Stromimpulses (8') .an die Steuerwicklung 15 wird ein Stromimpuls (8) an die Vormagnetisierungswicklung 32 gelegt, um eine umgekehrte Magnetisierungskraft an das magnetische Material an der Innenwand der Leseöffnung 11 anzulegen. Wie noch näher beschrieben wird, verhindert diese Vormagnetisierung, daß der Entsperrstrom (8') den Fluß um die Leseöffnung herum in nachteiliger Weise reflexartig umschaltet (ein Flaschenzugmuster erzeugt), falls die Amplitude dieses Stromimpulses nicht genau geregelt ist.The magnetizing force applied by the control winding 15 thus determines whether the interrogation winding 13 and the reading winding 14 have a transformer-like coupling. When flow patterns 2 (a) to 2 (e) are present, the device is in its binary one state and when flow patterns 2 (f) to 2 (g) are present in its binary zero state. In order to switch the device back from the flux pattern 2 (h) to the flux pattern 2 (a), which represents the non-blocked state of magnetic resistance, a current pulse (8 ') with the polarity shown is applied to the control winding 15 and thereby a magnetizing force and a flow is generated which is opposite to the flow in the central arm of the device between the openings 11 and 12. The amplitude of the current pulse (8 ') is selected so that a flux is generated in the magnetic material adjoining the control opening 12, which flow extends to the nearest edge of the reading opening 11. Simultaneously with the application of the current pulse (8 ') to the control winding 15, a current pulse (8) is applied to the bias winding 32 in order to apply a reverse magnetizing force to the magnetic material on the inner wall of the reading opening 11. As will be described in more detail below, this pre-magnetization prevents the unlocking current (8 ') from reflexively switching the flow around the reading opening in a disadvantageous manner (generating a pulley pattern) if the amplitude of this current pulse is not precisely regulated.

Während F i g. 3 die Ansprecherregungskurve der magnetischen Vorrichtung von F i g. 1 so zeigt, wie sie von der Leseöffnung 11 aus in bezug auf die Kopplung zwischen den Abfrage- und Lesewicklungen 13 bzw. 14 erscheint, stellt F i g. 4 graphisch das Verhältnis zwischen dem Grad der Transformatorkopplung und der Amplitude des Steuerimpulses dar. Durch eine ausgezogene Kurve wird die Auswirkung eines Steuerstromirnpulses, wie z. B. (5) von F i g. 2, beim Umschalten der magnetischen Vorrichtung aus dem nichtgesperrten in den Sperrzustand veranschaulicht, was den Übergang von der maximalen zur minimalen Kopplung zwischen den Lese- und Abfragewicklungen 13 und 14 darstellt. Ebenso veranschaulicht eine gestrichelte Kurve die Auswirkung eines Steuerstromimpulses, wie z. B. (8') von F i g. 2 bei der Umschaltung der magnetischen Vorrichtung aus dem gesperrten in den nichtgesperrten Zustand, was den Übergang von der minimalen zur maximalen Kopplung zwischen den Lese- und Abfragewicklungen 13 bzw. 14 darstellt.While F i g. 3 shows the response excitation curve of the magnetic device of FIG. 1 shows how it appears from the reading opening 11 with respect to the coupling between the interrogation and reading windings 13 and 14, FIG. 4 graphically shows the relationship between the degree of transformer coupling and the amplitude of the control pulse. The effect of a control current pulse, such as e.g. B. (5) of FIG. 2, when switching the magnetic device from the unlocked to the locked state, illustrates the transition from the maximum to the minimum coupling between the read and interrogation windings 13 and 14. Likewise, a dashed curve illustrates the effect of a control current pulse, such as. B. (8 ') of FIG. 2 when the magnetic device is switched from the locked to the unlocked state, which represents the transition from the minimum to the maximum coupling between the read and query windings 13 and 14, respectively.

Es sei nun wieder die ausgezogene Kurve betrachtet und angenommen, daß die Vorrichtung im nichtgesperrten Zustand ist; der Knickpunkt 1,1s stellt dann die Amplitude des Steuerstromimpulses (5) .dar, bei dem die Magnetisierungskraft eben ausreicht, um die Sperrung der Leseöffnung 11 einzuleiten. Dieser Knickpunkt wird bestimmt durch den Durchmesser der Steueröffnung 12, die Umschaltkoerzitivkraft des magnetischen Materials und den Abstand zwischen den Lese- und Steueröffnungen 11 und 12 und ist relativ unabhängig von der Amplitude des Stromimpulses, der vor Beginn des sperrenden Steuerimpulses an die Abfragewicklung 13 gelegt wird. Ebenso stellt der Punkt lrlf die Amplitude des Steuerimpulses (5) dar, bei welcher die Zunahme des magnetischen Widerstandes entsprechend dem Sperrzustand beendet ist.Let us now look at the solid curve again and assume that the device is in the unlocked state; the break point 1.1s then represents the amplitude of the control current pulse (5) .dar at which the magnetizing force just enough to initiate the blocking of the reading opening 11. This kink point is determined by the diameter of the control opening 12, the Umschaltkoerzitivkraft of the magnetic material and the distance between the reading and control openings 11 and 12 and is relatively independent of the amplitude of the current pulse that precedes The beginning of the blocking control pulse is applied to the query winding 13. as well the point lrlf represents the amplitude of the control pulse (5) at which the Increase in magnetic resistance corresponding to the lock-up state has ended.

Die Amplitude des der Steuerwicklung zugeführten Stromimpulses, bei der der Punkt lrlf auftritt, wird bestimmt durch den Abstand zwischen den öffnungen 11 und 12, den Durchmesser der Steueröffnung 12 und die Umschaltkoerzitivkraft des magnetischen Materials. Die Neigung der ausgezogenen Kurve neben den Punkten Iris und 1,.1f ist so gut wie unabhängig von geometrischen Überlegungen und hängt von der Homogenität des magnetischen Materials ab.The amplitude of the current pulse supplied to the control winding, at which point Irlf occurs, is determined by the distance between the openings 11 and 12, the diameter of the control opening 12 and the switching coercive force of the magnetic material. The inclination of the solid curve next to the points Iris and 1, .1f is practically independent of geometric considerations and depends on the homogeneity of the magnetic material.

Nun sei die gestrichelte Kurve betrachtet und angenommen, daß die Vorrichtung im Sperrzustand ist; der Knickpunkt Irds stellt dann die Amplitude des Steuerstromimpulses dar, bei welcher die Magnetisierungskraft eben ausreicht, um die Entsperrung der Leseöffnung 11 einzuleiten. Man beachte, daß der der gesperrten Vorrichtung zugeführte Steuerstromimpuls eine Polarität hat, die der des Impulses, durch den die Vorrichtung gesperrt wird, entgegengesetzt ist. Gemäß F i g. 2 wird dieser Steuerstromimpuls durch den Impuls (8') dargestellt. Dieser Knickpunkt lrds wird bestimmt durch den Durchmesser der Steueröffnung 12 und die Umschaltkoerzitivkraft des magnetischen Materials und ist unabhängig von dem Abstand zwischen den Lese-und Steueröffnungen 11 bzw. 12. Ebenso stellt der Knickpunkt lrdf die Amplitude des Steuerstromirnpulses (8') dar, bei welcher der Abfall des magnetischen Widerstandes entsprechend dem nichtgesperrten Zustand beendet ist. Die Amplitude des Stromimpulses (8'), bei der der Punkt Irdf auftritt, wird bestimmt durch den Abstand zwischen den Lese- und Steueröffnungen 11 und 12, den Durchmesser der Steueröffnung 12 und die Umschaltkoerzitivkraft des magnetischen Materials. Außerdem ist die Form des Übergangspfades der gestrichelten Kurve zwischen den Punkten Irds und Irdf eine Funktion des Durchmessers der Steueröffnung und des Abstandes zwischen den Öffnungen. Insbesondere verringert sich die Neigung des Übergangspfades mit wachsendem Abstand zwischen den Lese-und Steueröffnungen.Now consider the dashed curve and assume that the Device is locked; the kink point of Irds then represents the amplitude of the Control current pulse, in which the magnetizing force is just enough to initiate the unlocking of the reading opening 11. Note that the blocked Control current pulse supplied to the device has a polarity that corresponds to that of the pulse, by which the device is blocked, is opposite. According to FIG. 2 will this control current pulse represented by the pulse (8 '). This kink point lrds is determined by the diameter of the control opening 12 and the switching coercive force of the magnetic material and is independent of the distance between the reading and Control openings 11 and 12. Likewise, the inflection point lrdf represents the amplitude of the Control current impulse (8 '), at which the drop in magnetic resistance is ended according to the unlocked state. The amplitude of the current pulse (8 ') at which the point Irdf occurs is determined by the distance between the reading and control openings 11 and 12, the diameter of the control opening 12 and the switching coercivity of the magnetic material. In addition, the shape of the Transition path of the dashed curve between the points Irds and Irdf Function of the diameter of the control opening and the distance between the openings. In particular, the slope of the transition path decreases with increasing distance between the reading and control openings.

Punkt lrb stellt den Reffexknickpunkt dar, wo die Amplitude des Steuerimpulses diejenige Amplitude, die die Leseöffnung 11 entsperrt hat, um einen Betrag überschreitet, der groß genug ist, um das magnetische Material zwischen der Leseöffnung 11 und der Steueröffnung 12 zu übersättigen, so daß die Sperrung des die Leseöffnung umgebenden magnetischen Materials infolge der Reflexumschaltung (Flaschenzugmuster), die an der abgewandten Seite der Innenwand der Leseöffnung 11 aufzutreten anfängt, beginnt.Point lrb represents the reffex inflection point where the amplitude of the control pulse exceeds that amplitude which has unlocked the reading opening 11 by an amount that is large enough to oversaturate the magnetic material between the reading opening 11 and the control opening 12, so that the Blocking of the magnetic material surrounding the reading opening as a result of the reflex switching (pulley pattern), which begins to occur on the opposite side of the inner wall of the reading opening 11, begins.

Was nun wieder F i g. 4 betrifft, und zwar insbesondere die gestrichelte Kurve, die den Übergang der magnetischen Vorrichtung aus dem Sperrzustand in den nichtgesperrten Zustand als Funktion der Amplitude des der Steuerwicklung 15 zugeführten Stromimpulses darstellt, so wird ein weiterer Nachteil dargestellt durch den Ort des Refiexknickpunktes Irb und den Ort des Punktes lrdf. Wenn die magnetische Vorrichtung von F i g. 1 in einer Koinzidenzstromrnatrix verwendet wird, kann die Teilauswahl bei der praktischen Anwendung dargestellt werden durch einen resultierenden Stromimpuls, der der Steuerwicklung zugeführt wird und eine Amplitude hat, die weder den Punkt Irds noch den Punkt 1,.1s überschreitet. Wenn aber die in F i g.1 dargestellte magnetische Vorrichtung voll ausgewählt werden soll, muß der der Steuerwicklung 15 zugeführte Stromimpuls entsprechender Polarität eine resultierende Amplitude haben, die die Punkte Irds, Irdf, Iris und I1if, aber nicht -den Punkt Ib überschreitet. Da die mit Koinzidenzstrom arbeitenden Auswahlverfahren häufig auf der einer Stromamplitude I entsprechenden Teilauswahl und einer der Amplitude 21 entsprechenden Vollauswahl beruhen, sind die Orte der Punkte 11df, I,if, Ib kritisch. Die Amplitude 21 des Steuerstromimpulses muß also die Punkte 11df und 1,11 überschreiten, aber nicht den Punkt I1b.What now again F i g. 4 relates in particular to the dashed curve which represents the transition of the magnetic device from the locked state to the unlocked state as a function of the amplitude of the current pulse supplied to the control winding 15, a further disadvantage is represented by the location of the refiection inflection point Irb and the location of the point lrdf. When the magnetic device of FIG. 1 is used in a coincidence current matrix, the partial selection in practical application can be represented by a resulting current pulse which is fed to the control winding and which has an amplitude which neither exceeds the point Irds nor the point 1, .1s. If, however, the magnetic device shown in FIG. 1 is to be fully selected, the current pulse of the corresponding polarity fed to the control winding 15 must have a resulting amplitude which exceeds the points Irds, Irdf, Iris and I1if, but not the point Ib. Since the selection processes operating with coincidence currents are often based on the partial selection corresponding to a current amplitude I and a full selection corresponding to the amplitude 21, the locations of the points 11df, I, if, Ib are critical. The amplitude 21 of the control current pulse must therefore exceed the points 11df and 1.11, but not the point I1b.

Aus F i g. 4 ist ersichtlich, daß die Punkte l,.df und I1b relativ nahe beieinander liegen und daß jede der Steuerwicklung 15 zugeführte resultierende Stromamplitude, die groß genug ist, um I1df und I.if zu überschreiten, sehr wohl auch den Punkt I1b überschreiten könnte, wenn nicht mit größter Sorgfalt die Amplitude des resultierenden Steuerstromimpulses reguliert wird. Die genaue Amplitudenregulierung der der Steuerwicklung 15 zugeführten Stromimpulse würde natürlich eine beträchtliche Zahl von elektronischen Bauelementen erfordern.From Fig. 4 it can be seen that the points l, .df and I1b are relative are close to each other and that each of the control winding 15 supplied resultant Current amplitude large enough to exceed I1df and I.if very well could also exceed the point I1b, if not the amplitude with the greatest care of the resulting control current pulse is regulated. The exact amplitude regulation the current pulses supplied to the control winding 15 would of course be considerable Require number of electronic components.

Während der Steueroperation kann der Reflexknickpunkt Ib von F i g. 4 nach rechts bewegt werden, indem in geeigneter Weise ein Vormagnetisierungsstrom an die Vormagnetisierungswicklung 32 gelegt wird, um die Innenwand der Leseöffnung 11 vorzumagnetisieren. Das wird durch die Schar gestrichelter Kurven in F i g. 4 dargestellt. Während der Steueroperation wird also die Stromquelle 33 benutzt, um einen Strom über die Vormagnetisierungswicklung 32 anzulegen, der eine Magnetisierungskraft um die Innenwand der Leseöffnung 11 in einer Richtung erzeugt, die der Reflexumschaltung des Flusses an der angewandten Kante der Leseöffnung entgegengesetzt ist. Diese Magnetisierungskraft trägt bei zur Aufrechterhaltung des nichtgesperrten Zustandes der magnetischen Vorrichtung, der durch das Flußmuster 2 (a) von F i g. 2 dargestellt wird, und erhöht die Amplitude des der Steuerwicklung 15 zugeführten Stromimpulses (I16), die ausreichend wäre, um den nichtgesperrten Zustand zu zerstören, um einen Betrag, der im wesentlichen gleich der an die Leseöffnung angelegten Innenwandvormagnetisierung ist. Je größer die Amplitude der an die Vormagnetisierungswicklung 32 angelegten Vorspannung ist, desto größer kann die Amplitude des an die Steuerwicklung 15 gelegten Stromimpulses sein, bevor der Reflexknickpunkt 11b überschritten wird. Zusammenfassend gilt also, daß sich der Punkt I1b in F i g. 4 um so weiter nach rechts bewegt, je größer die Vormagnetisierung des die Innenwand der Leseöffnung umgebenden magnetischen Materials ist. Die Amplitude dieser Vormagnetisierung darf jedoch nicht die Innenwandschaltschwelle der vormagnetisierten Öffnung überschreiten. Zur Veranschaulichung dieses Merkmals sind in F i g. 4 mehrere Beispielskurven gezeigt.During the control operation, the reflex break point Ib of FIG. 4 can be moved to the right by appropriately applying a bias current is applied to the bias winding 32 to the inner wall of the read opening 11 pre-magnetize. This is shown by the family of dashed curves in FIG. 4th shown. During the control operation, the power source 33 is used to to apply a current across the bias winding 32 which has a magnetizing force generated around the inner wall of the reading opening 11 in a direction that of reflex switching of the flow is opposite at the applied edge of the reading port. These Magnetizing force helps to maintain the unlocked state of the magnetic device represented by the flux pattern 2 (a) of FIG. 2 shown is, and increases the amplitude of the control winding 15 supplied current pulse (I16), which would be sufficient to destroy the unlocked state in order to obtain a Amount substantially equal to the inner wall bias applied to the read port is. The greater the amplitude of the applied to the bias winding 32 Bias is, the greater the amplitude of the applied to the control winding 15 can Be current pulse before the reflex breakpoint 11b is exceeded. In summary it is therefore true that the point I1b in F i g. 4 moves so further to the right, depending greater the bias of the magnetic surrounding the inner wall of the reading opening Material is. However, the amplitude of this premagnetization must not exceed the inner wall switching threshold the pre-magnetized opening. To illustrate this feature are in Fig. 4 shows several example curves.

Durch die Vormagnetisierung des die Innenwand der Leseöffnung umgebenden magnetischen Materials während der Steueroperation wird also der Reflexknickpunkt Ib in F i g. 4 nach rechts bewegt, so daß die resultierende Amplitude des der Steuerwicklung zugeführten Stromimpulses nicht mit großer Genauigkeit gesteuert zu werden braucht, um sicherzustellen, daß sie die Amplitude überschreitet, die den Punkten 11df und lif entspricht, aber nicht Punkt I1b. Der Abstand zwischen der Lese- und der Steueröffnung 11 bzw. 12, die Schaltkoerzitivkraft des magnetischen Materials und der Durchmesser der Steueröffnung können also so gewählt werden, daß nahezu gleiche Amplituden des die Steuerwicklung 15 durchfließenden Stromimpulses die Punkte I1af und I,if überschreiten und doch nicht größer sind als die zweifache Amplitude des durch die Steuerwicklung fließenden Stroms, die den Punkten I,,is und I1as entspricht. Wäre diese letzgenannte Bedingung nicht erfüllt, würde die magnetische Vorrichtung von F i g.1 nicht richtig als Element in einer Koinzidenzstrom-Auswahlmatrix arbeiten. Außerdem kann auch die Amplitude der bipolaren Stromimpulse, die der Steuerwicklung zur Ausführung der Steuerfunktion zugeführt werden, die gleiche Größe haben.Due to the premagnetization of the surrounding the inner wall of the reading opening So magnetic material during the control operation becomes the reflex break point Ib in FIG. 4 moved to the right so that the resulting amplitude of the control winding supplied current pulse does not need to be controlled with great accuracy, to ensure that it exceeds the amplitude indicated by points 11df and lif corresponds to, but not point I1b. The distance between the reading and the control opening 11 and 12, respectively, the switching coercive force of the magnetic material and the diameter the control opening can therefore be chosen so that almost the same amplitudes of the the control winding 15 current pulse flowing through the points I1af and I, if exceed and yet are not greater than twice the amplitude of the control winding flowing current, which corresponds to the points I ,, is and I1as. Would be the latter If the condition is not met, the magnetic device of FIG. 1 would not work properly operate as an element in a coincidence stream selection matrix. Besides, can also the amplitude of the bipolar current pulses that the control winding executes fed to the control function have the same size.

Während der Leseoperation der magnetischen Vorrichtung von F i g.1 kann auch der Punkt Xo von F i g. 3, der die Zerstörbarkeitsschwelle darstellt, nach rechts bewegt werden, indem in geeigneter Weise ein Vormagnetisierungsstrom an die Vormagnetisierungswicklung 30 gelegt wird. Dies wird durch die gestrichelte Kurvenschar in F i g. 3 dargestellt. Die Stromquelle 31 sendet einen Strom durch die Vormagnetiserungswicklung 30, der eine Magnetisierungskraft um die Innenwand der Steueröffnung 12 herum in einer Richtung erzeugt, welche der Reflexumschaltung des Flusses am abgewandten Rand entgegengesetzt ist. Diese Magnetisierungskraft trägt bei zur Aufrechterhaltung des Sperrzustandes der magnetischen Vorrichtung, der durch das Flußmuster 2 (g) dargestellt wird, und erhöht die Amplitude des Stromimpulses, der der Abfragewicklung 13 zugeführt werden muß, welche ausreichen würde, um den Sperrzustand zu zerstören. Diese als Innenwandvormagnetisierung bezeichnete Vormagnetisierung erhöht die Lesezerstörbarkeitsschwelle um einen Betrag, der etwa gleich der Vormagnetisierungsamplitude ist. Je größer die Amplitude des der Vormagnetisierungswicklung 30 zugeführten Vormagnetisierungsstroms ist, desto größer muß die Amplitude des der Abfragewicklung 13 zugeführten Stromimpulses sein, um den die Zerstörbarkeitsschwelle darstellenden Punkt (X" bis X2oo) zu überschreiten. In. F i g. 3 stellen die Punkte X., X50, X1oo> X150 und X2oo die Änderung der Zerstörbarkeitsschwelle durch die Anlegung von 0, 50, 100, 150 bzw 200 mA der Innenwandvormagnetisierung an die Vormagnetisierungswicklung 30 dar. In diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung stellen 200 mA die Vormagnetisierungsschwelle dar, die für sich eine nicht umkehrbare Umschaltung innerhalb des magnetischen Materials der Innenwand .erzeugt. Diese Vormagnetisierungsschwelle wird häufig als Innenwandschalt schwelle bezeichnet. Bei der praktischen Anwendung der Lehren der Erfindung darf diese Innenwandvormagnetisierung nicht die Innenwandschaltschwelle übersteigen. Diese Innenwandvormagnetisierungssteuerung in der Zerstörbarkeitsschwelle ist im wesentlichen linear und gleich 1, bis sie die Innenwandschaltschwelle erreicht. Innerhalb vernünftiger Grenzen hat die Vormagnetisierung des magnetischen Materials um die Steueröffnung 12 herum keine Wirkung auf die Kennlinie von F i g. 3, wenn die magnetische Vorrichtung im nichtgesperrten Zustand ist, weil der um die Leseöffnung 11 herum geschaltete Fluß nicht auch die Steueröffnung 12 während des nichtgesperrten Zustandes umgibt und die Innenwandvormagnetisierung den Fluß nicht wirklich umschaltet. (Man beachte, daß während des Sperrzustandes der die Leseöffnung 11 umgebende Fluß auch die Steueröffnung 12 umgibt.) Die Amplitude der alternierenden bipolaren Stromimpulse, die von der Stromquelle 16 der Abfragewicklung 13 zugeleitet werden, kann also um einen Betrag vergrößert werden, der gleich der Innenwandvormagnetisierung ist, ohne die durch Punkt X dargestellte Zerstörbarkeitsschwelle zu überschreiten. Das in der Lesewicklung 14 induzierte Ausgangssignal ist dann größer und brauchbarer.During the read operation of the magnetic device of FIG. 1, point Xo of FIG. 3, which represents the destructibility threshold, can be moved to the right by applying a bias current to the bias winding 30 in a suitable manner. This is shown by the dashed family of curves in FIG. 3 shown. The current source 31 sends a current through the bias winding 30, which generates a magnetizing force around the inner wall of the control opening 12 in a direction which is opposite to the reflex switching of the flux at the opposite edge. This magnetizing force helps to maintain the locked state of the magnetic device represented by the flux pattern 2 (g) and increases the amplitude of the current pulse which must be applied to the interrogation winding 13, which would be sufficient to destroy the locked state. This bias, known as the inner wall bias, increases the read destructibility threshold by an amount that is approximately equal to the bias amplitude. The greater the amplitude of the bias current supplied to the bias winding 30, the greater the amplitude of the current pulse supplied to the interrogation winding 13 must be in order to exceed the point (X "to X2oo) representing the destructibility threshold. In FIG X., X50, X1oo> X150 and X2oo represent the change in the destructibility threshold by applying 0, 50, 100, 150 or 200 mA of the inner wall premagnetization to the premagnetization winding 30. In this exemplary embodiment of the invention, 200 mA represent the premagnetization threshold that is required for a non-reversible switch is generated within the magnetic material of the inner wall. This bias threshold is often referred to as the inner wall switching threshold. In the practical application of the teachings of the invention, this inner wall bias must not exceed the inner wall switching threshold. This inner wall bias control in the destructibility threshold is essentially linear and equal to 1 until it reaches the inner wall switching threshold. Within reasonable limits, the bias of the magnetic material around the control opening 12 has no effect on the characteristic of FIG. 3, when the magnetic device is in the unlocked state because the flux switched around the read port 11 does not also surround the control port 12 during the unlocked state and the inner wall bias does not actually switch the flux. (Note that during the blocking state, the flow surrounding the reading opening 11 also surrounds the control opening 12.) The amplitude of the alternating bipolar current pulses which are fed from the current source 16 to the interrogation winding 13 can therefore be increased by an amount equal to that Inner wall premagnetization is without exceeding the destructibility threshold represented by point X. The output signal induced in the read winding 14 is then larger and more useful.

Infolgedessen erhält man eine wesentliche Verbesserung des »Eins-Null«Signals, das während der nicht löschenden Abfragung des in der magnetischen Speichervorrichtung gespeicherten binären Ziffernzustandes erlangt werden kann. Weil die Amplitude der der Abfragewicklung 13 zugeführten alternierenden bipolaren Stromimpulse erhöht werden kann, wird außerdem die zum Abfragen der Vorrichtung benötigte Zeit (Zugriffszeit) verkürzt.As a result, you get a significant improvement in the "one-zero" signal, that during non-erasing detection of the in the magnetic storage device stored binary digit state can be obtained. Because the amplitude of the the interrogation winding 13 supplied alternating bipolar current pulses increased the time required to query the device (access time) shortened.

Wie es dem Fachmann aus der vorstehenden Besprechung erkennbar sein dürfte, stellen die Auswahl und die Steuerung des Zerstörbarkeitsschwellenpunktes X und der Punkte Iris, Irife Irdsi Irdf und Irb wichtige Konstruktionsparameter dar, welche ein bestimmender Faktor beim Bau einer verbesserten magnetischen Vorrichtung mit zwei Zuständen des magnetischen Widerstandes (der Koerzitivkraft) sein können, bei der jeder stabile Zustand abgefragt werden kann, ohne daß der betreffende Zustand verändert wird. Durch mechanische Techniken allein, ohne Verwendung der Innenwandvormagnetisierung in der Lese- oder der Steueröffnung oder in beiden erhält man keine günstigen Konstruktionsparameter für eine geeignete magnetische Speichervorrichtung der beschriebenen Art. Außerdem läßt sich die beschriebene magnetische Vorrichtung so aufbauen, daß sie gut in einer Koinzidenzstrom-Auswahlmatrix, wie z. B. im binären Digitalspeicher, verwendet werden kann.As will be appreciated by those skilled in the art from the discussion above, the selection and control of the destructibility threshold point X and the Iris, Irife Irdsi Irdf and Irb points are important design parameters which will be a determining factor in the construction of an improved two-state magnetic device Resistance (the coercive force) can be, for which every stable state can be queried without the state in question being changed. Mechanical techniques alone, without the use of inner wall bias in the read or control aperture, or both, do not provide favorable design parameters for a suitable magnetic storage device of the type described. Selection matrix, such as B. in binary digital memory can be used.

Obwohl F i g.1 eine einzige Abfragewicklung 13 zeigt, dürfte es zufolge dem Bekannten nach F i g. 5 klar sein, daß auch mehrere Wicklungen zum Erzeugen einer resultierenden Magnetisierungskraft verwendet werden können, je nachdem, wie es für die jeweilige technische Anwendung nötig ist. Die Koinzidenzstrom-Speichermatrix von F i g. 6 bis 11 gibt Beispiele für eine solche Anwendungsart, allerdings unter Vornahme von erfindungsgemäßen Vereinfachungen.According to FIG. 1, although FIG. 1 shows a single query winding 13 the acquaintance according to fig. 5 it should be clear that also several windings to generate a resulting magnetizing force can be used, depending on how it is necessary for the respective technical application. The coincidence current storage matrix from F i g. 6 to 11 give examples of such an application, but below Implementation of simplifications according to the invention.

Im vorstehenden sind also die Vorteile der Verwendung einer Innenwandvormagnetisierung entweder in der Steuer- oder in der Leseöffnung während der Schreib- (Steuer-) bzw. Leseoperation beschrieben worden. Dadurch wird der Signalpegel in der Lesewicklung erhöht, wenn die Vorrichtung im nichtgesperrten Zustand ist, die Notwendigkeit einer genauen Steuerung der Amplitude der Adressierstromimpulse verringert und die Konstruktion einer Speichermatrix, die die mehrere Öffnungen enthaltende magnetische Vorrichtung als Speicherelement verwendet, erleichtert.So in the foregoing are the advantages of using inner wall bias either in the control or in the read opening during the write (control) or Read operation has been described. This increases the signal level in the read winding when the device is in the unlocked state increases the need for a precise control of the amplitude of the addressing current pulses and reduces the construction a memory array containing the multiple aperture magnetic device used as a storage element, facilitated.

In F i g. 5 ist eine bekannte Transfluxor-Matrix gezeigt, die mit Koinzidenzstromauswahl arbeitet. Lesewicklungen oder Sperrwicklungen sind zur Vereinfachung der Darstellung nicht gezeigt worden, obwohl sie in einer praktischen Anwendung nötig wären. Obwohl nur vier magnetische Vorrichtungen dargestellt sind, könnte die Matrix natürlich viel mehr Elemente enthalten. Magnetische Elemente können identifiziert werden durch die X-Koordinate (Zeile) und die Y-Koordinate (Spalte). Zum Beispiel befindet sich die magnetische Vorrichtung 103 in Zeile X 1 und Spalte Y 1 und die magnetische Vorrichtung 101 in Zeile X 2 und Spalte Y 2. In Fig. 5 shows a known transfluxor matrix which works with coincidence current selection. Reading windings or blocking windings have not been shown in order to simplify the illustration, although they would be necessary in a practical application. Of course, although only four magnetic devices are shown, the matrix could contain many more elements. Magnetic elements can be identified by the X-coordinate (row) and the Y-coordinate (column). For example, magnetic device 103 is in row X 1 and column Y 1 and magnetic device 101 is in row X 2 and column Y 2.

Damit in einer Koinzidenzstrommatrix die oben beschriebene magnetische Vorrichtung richtig arbeitet, müssen durch jede Öffnung zwei Erregungsleiter hindurchgehen, von denen der eine nach seiner Zeile und der andere nach seiner Spalte identifiziert wird. Zum Beispiel geht der der Zeile X1 entsprechende Leiter CX 1 durch die Steueröffnung beider magnetischen Vorrichtungen 102 und 103 hindurch. Eine herkömmliche bipolare Stromquelle 120 ist mit einer Klemme angeschlossen, und die andere Klemme ist geerdet. Der der Zeile X1 entsprechende Leiter RX1 verläuft durch die Leseöffnung beider magnetischen Vorrichtungen 102 und 103. Eine herkömmliche bipolare Stromquelle 121 ist mit einer Klemme angeschlossen, und die andere Klemme ist geerdet.In order for the magnetic device described above to function properly in a coincidence current matrix, two excitation conductors must pass through each opening, one of which is identified by its row and the other by its column. For example, the conductor CX 1 corresponding to row X1 passes through the control port of both magnetic devices 102 and 103. A conventional bipolar power source 120 has one terminal connected and the other terminal grounded. The conductor RX1 corresponding to row X1 passes through the read port of both magnetic devices 102 and 103. A conventional bipolar power source 121 is connected to one terminal and the other terminal is grounded.

Ebenso geht der der Zeile X2 entsprechende Leiter CX 2 durch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtungen 101 und 104 hindurch. Eine herkömmliche bipolare Stromquelle 122 ist mit einer Klemme verbunden, und die andere Klemme ist geerdet. Ebenso geht der der Zeile X2 entsprechende Leiter RX2 durch die Leseöffnung der beiden magnetischen Vorrichtungen 101 und 104 hindurch. Eine herkömmliche bipolare Stromquelle 123 ist mit einer Klemme verbunden, und die andere Klemme ist geerdet.Likewise, the conductor CX 2 corresponding to row X2 passes through the control opening of the magnetic devices 101 and 104 . A conventional bipolar power source 122 is connected to one terminal and the other terminal is grounded. The conductor RX2 corresponding to row X2 also passes through the reading opening of the two magnetic devices 101 and 104 . A conventional bipolar power source 123 is connected to one terminal and the other terminal is grounded.

Um eine Auswahl bezüglich der Y-Koordinate gemäß der Spalte zu treffen, geht der Leiter RY 1 durch die Leseöffnung der beiden magnetischen Vorrichtungen 103 und 104 hindurch. Das eine Ende des Leiters RY1 ist geerdet und das andere an eine bipolare Stromquelle 124 angeschlossen. Der der Spalte Y 1 entsprechende Leiter CY 1 erstreckt sich durch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtungen 103 und 104. Mit der einen Klemme ist eine bipolare Stromquelle 125 verbunden, und die andere Klemme ist geerdet.In order to make a selection with regard to the Y coordinate according to the column, the conductor RY 1 passes through the reading opening of the two magnetic devices 103 and 104. One end of the conductor RY1 is grounded and the other is connected to a bipolar power source 124 . The column of Y 1 corresponding conductor CY 1 extends through the control opening of the magnetic devices 103 and 104. With one clamp is a bipolar current source 125 is connected, and the other terminal is grounded.

Ebenso geht der der Spalte Y2 entsprechende Leiter RY2 durch die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtungen 102 und 101 hindurch. Mit der einen Klemme ist eine bipolare Stromquelle 126 verbunden, und die andere Klemme ist geerdet. Ebenso geht der der Spalte Y 2 entsprechende Leiter CY 2 durch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtungen 102 und 101 hindurch. Mit der einen Klemme ist eine bipolare Stromquelle 127 verbunden, und die andere Klemme ist geerdet.Likewise, the conductor RY2 corresponding to the column Y2 passes through the read opening of the magnetic devices 102 and 101. A bipolar power source 126 is connected to one terminal and the other terminal is grounded. Likewise, the column of Y is 2 corresponding conductor CY 2 through the control opening of the magnetic devices 102 and 101 therethrough. A bipolar power source 127 is connected to one terminal and the other terminal is grounded.

Jede der Öffnungen jeder der magnetischen Vorrichtungen kann also koinzident entweder für eine Lese- oder für eine Steueroperation adressiert werden. Nach den Lehren der Bekannten und unter der Annahme, daß es gewünscht wird, einen gespeicherten Zustand in der magnetischen Vorrichtung 102 abzufragen, werden die Leiter RX1 und RY2 beide entsprechend durch die Stromquellen erregt. Will man unter Anwendung der bei dem älteren Vorschlag nach F i g.1 getroffenen Maßnahmen gleichzeitig eine Vormagnetisierung an das die Steueröffnung dieser magnetischen Vorrichtung umgebende magnetische Material anlegen, so muß dieses entweder über den Leiter CX 1 oder über den Leiter CY2 erfolgen. Während der Leseoperation würden daher an die koinzident ausgewählte magnetische Vorrichtung drei Quellen der Magnetisierungskraft angeschlossen, und zwar zwei für koinzidentes Lesen und die dritte für die umgekehrte Vormagnetisierung der Steueröffnung.Thus, each of the openings of each of the magnetic devices can be addressed coincidentally for either a read or a control operation. According to the teachings of those known in the art, and assuming that it is desired to interrogate a stored state in the magnetic device 102, conductors RX1 and RY2 are both energized by the current sources, respectively. If one wants to apply a premagnetization to the magnetic material surrounding the control opening of this magnetic device using the measures taken in the older proposal according to FIG. 1 , this must be done either via the conductor CX 1 or via the conductor CY2. During the reading operation, therefore, three sources of magnetizing force would be connected to the coincidentally selected magnetic device, two for coincident reading and the third for reverse biasing of the control port.

Es kann auch erwünscht sein, die magnetische Vorrichtung 102 für eine Einschreiboperation anzusteuern. Dazu müssen der Leiter CY2 und der Leiter CX 1 gleichzeitig erregt werden. Soll an das die Leseöffnung umgebende magnetische Material während der Steueroperation eine umgekehrte Vormagnetisierung angelegt werden, so kann nach den Lehren des älteren Vorschlags von F i g.1 entweder der Leiter RY2 durch die Stromquelle 126 oder der Leiter RX 1 durch die Stromquelle 121 erregt werden. In gleicher Weise kann der anderen magnetischen Vorrichtungen der Matrix zum Lesen oder Steuern ausgewählt werden.It may also be desirable to drive the magnetic device 102 for a write operation. To do this, conductor CY2 and conductor CX 1 must be excited at the same time. If a reverse bias is to be applied to the magnetic material surrounding the read opening during the control operation, either conductor RY2 can be energized by current source 126 or conductor RX 1 by current source 121, according to the teachings of the earlier proposal of FIG . In the same way, the other magnetic devices of the matrix can be selected for reading or controlling.

Zwar sind die nicht löschenden Merkmale einer Speichermatrix wie der in F i g. 5 gezeigten sehr vorteilhaft, aber dieser Vorteil kann durchaus aufgewogen werden, daß für jede Spalte und Zeile zwei Treiber benötigt werden. Um diesen Nachteil auszugleichen, umfassen die Lehren der Erfindung die Abänderung der Adreßleiter in Übereinstimmung mit der erforderlichen Vormagnetisierung der Lese-bzw. der Steueröffnung während der Steuer- bzw. der Lesefunktion.It is true that the non-erasable features of a memory matrix are like the in Fig. 5 shown very beneficial, but this advantage can be well outweighed that two drivers are required for each column and row. To this disadvantage To compensate, the teachings of the invention include modifying the address ladder in accordance with the required bias of the reading or. the tax opening during the control or reading function.

Zum Beispiel ist gemäß F i g. 6 nur ein Adreßleiter für jede Spalte Y1 und Y2 vorgesehen, obwohl die Matrix die gleiche Zahl von magnetischen Vorrichtungen mit zwei Öffnungen und die gleichen Wirkmerkmale enthält. Ein einziger Adreßleiter RY 1, CY1 -geht sowohl durch die Lese- als auch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 103 und durch die Lese- und die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 104 hindurch, die sich beide in Spalte Y 1 befinden. Da dieser Adreßleiter durch die Lese- und die Steueröffnung derselben magnetischen Vorrichtung in entgegengesetzter Richtung hindurchgeht, kann ein an die eine Öffnung gelegter Halbadressier-Stromimpuls als umgekehrte Vormagnetisierung in bezug auf die andere Öffnung wirksam sein. Der Leiter RY 1, CY 1 ist an seiner einen Klemme mit einer bipolaren Stromquelle 128 verbunden, und seine andere Klemme ist geerdet. Ebenso verläuft ein einziger Adreßleiter RY 2, CY 2 durch die Lese- und die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 102 in verschiedenen Richtungen und dann durch die Lese- und die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 101 in verschiedenen Richtungen. Der LeiterRY2, CY2 ist mit seinem einen Ende an die bipolare Stromquelle 129 angeschlossen und am anderen Ende geerdet.For example, according to FIG. 6 only one address conductor is provided for each column Y1 and Y2, although the matrix contains the same number of magnetic devices with two openings and the same operating characteristics. A single address conductor RY 1, CY1 - passes through both the read and control ports of magnetic device 103 and through the read and control ports of magnetic device 104 , both of which are in column Y 1. Since this address conductor passes through the read and control openings of the same magnetic device in opposite directions, a half-addressing current pulse applied to one opening can act as a reverse bias with respect to the other opening. The conductor RY 1, CY 1 has one terminal connected to a bipolar power source 128 and its other terminal is grounded. Likewise, a single address conductor RY 2, CY 2 runs through the read and control openings of the magnetic device 102 in different directions and then through the read and control openings of the magnetic device 101 in different directions. One end of the conductor RY2, CY2 is connected to the bipolar power source 129 and the other end is grounded.

Entlang der anderen Koordinate erstreckt sich ein durch die bipolare Stromquelle 130 erregter Leiter RX 1, CX 2 durch die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtungen 103 und 102 (Zeile X1) in der einen Richtung und dann durch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtungen 101 und 104 (Zeile X2) in der anderen Richtung. Das eine Ende des Leiters RX 1, RX 2 ist geerdet. Der Leiter RX 2, CX 1 wird durch die herkömmliche bipolare Stromquelle 131 erregt und erstreckt sich durch die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtungen 101 und 104 (Zeile X2) in der einen Richtung und dann durch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtungen 103 und 102 (Zeile X1) in der anderen Richtung. Der Leiter RX 2, CX 1 ist in der gezeigten Weise geerdet.Along the other coordinate, a conductor RX 1, CX 2 excited by the bipolar current source 130 extends through the read opening of the magnetic devices 103 and 102 (line X1) in one direction and then through the control opening of the magnetic devices 101 and 104 (line X2 ) in the other direction. One end of the conductor RX 1, RX 2 is grounded. Conductor RX 2, CX 1 is energized by conventional bipolar current source 131 and extends through the read port of magnetic devices 101 and 104 (row X2) in one direction and then through the control port of magnetic devices 103 and 102 (row X1) in the other direction. The conductor RX 2, CX 1 is grounded as shown.

Durch jede der einander entsprechenden öffnungen verlaufen also die Adreßleiter der Zeilen in derselben Richtung, obwohl pro magnetische Vorrichtung die Adreßleiter durch die Lese- und die Steueröffnungen in entgegengesetzten Richtungen hindurchgehen. Bei einer Leseoperation der magnetischen Vorrichtung 102 wird ein Stromimpuls gleichzeitig jedem der LeiterRX1, CX2 und RY2, CY2 zugeführt, und das genügt insgesamt, um den die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 102 umgebenden Fluß umzukehren. Gleichzeitig wirkt der Leiter RY2, CY2 als Vormagnetisierungsquelle für die Steueröffnung. Ebenfalls empfangen gleichzeitig die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 103 und die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 104 eine Magnetisierungskraft, die die Halbadressiergröße hat. Besonders sei darauf hingewiesen, daß in der magnetischen Vorrichtung 101, obwohl die Steueröffnung gleichzeitig eine Magnetisierungskraft vom Leiter RY2, CY2 und vom Leiter RX 1, RX 2 empfängt, diese Magnetisierungskräfte entgegengesetzt sind und einander aufheben. Daher wird die magnetische Vorrichtung 102 durch Koinzidenz aus einer Matrix ausgewählt und führt eine Leseoperation aus in Verbindung mit einer Innenwandvormagnetisierung in dem die Steueröffnung umgebenden magnetischen Material, wie es der Wirkungsweise des Transfluxorkerns nach F i g. 1 entspricht. In etwa derselben Weise werden die Auswahl und die Leseoperation der anderen magnetischen Vorrichtungen der Matrix von F i g. 6 ausgeführt.The address conductors of the rows thus run through each of the corresponding openings in the same direction, although the address conductors per magnetic device pass through the read and control openings in opposite directions. In a read operation of the magnetic device 102, a current pulse is simultaneously supplied to each of the conductors RX1, CX2 and RY2, CY2, and that is enough to reverse the flux surrounding the read port of the magnetic device 102 as a whole. At the same time, the conductor RY2, CY2 acts as a bias source for the control opening. Also at the same time, the reading port of the magnetic device 103 and the control port of the magnetic device 104 receive a magnetizing force which has the half addressing size. It should be particularly noted that in the magnetic device 101, although the control port simultaneously receives a magnetizing force from the conductors RY2, CY2 and from the conductors RX 1, RX 2 , these magnetizing forces are opposite and cancel each other. Therefore, the magnetic device 102 is selected from a matrix by coincidence and performs a read operation in conjunction with an inner wall bias in the magnetic material surrounding the control opening, as is the operation of the transfluxor core shown in FIG. 1 corresponds. In much the same way, the selection and reading operation of the other magnetic devices of the matrix of FIG. 6 executed.

Soll die magnetische Vorrichtung 102 für eine Steueroperation ausgewählt werden, kann der Leiter RY2, CY2 gleichzeitig mit dem Leiter RX2, CX 1 erregt werden. Diese beiden Leiter verlaufen in gleicher Richtung durch die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 102, während der Leiter RY 2, CY 2 durch die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 102 in der entgegengesetzten Richtung hindurchgeht, um so die erforderliche Vormagnetisierung während der Steueroperation zu erzeugen. Wenn die magnetische Vorrichtung 102 durch Koinzidenz für eine Steueroperation ausgewählt wird, empfangen das die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 103 umgebende magnetische Material und das die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 104 umgebende magnetische Material eine Magnetisierungskraft, die einer Halbadressierung entspricht, über den Leiter RX2, CX 1. Gleichzeitig wird eine Magnetisierungskraft an das die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 101 umgebende magnetische Material in der einen Richtung durch den Leiter RX 2, CX 1 angelegt und eine Magnetisierungskraft an das dieselbe Öffnung umgebende magnetische Material in der anderen Richtung angelegt durch den Leiter RY2, CY2. Diese Magnesisierungskräfte heben einander auf.If the magnetic device 102 is to be selected for a control operation, the conductor RY2, CY2 can be energized simultaneously with the conductor RX2, CX 1 . These two conductors run in the same direction through the control opening of the magnetic device 102, while the conductor RY 2, CY 2 passes through the read opening of the magnetic device 102 in the opposite direction so as to generate the required bias during the control operation. When the magnetic device 102 is selected for a control operation by coincidence, the magnetic material surrounding the control opening of the magnetic device 103 and the magnetic material surrounding the reading opening of the magnetic device 104 receive a magnetizing force corresponding to half addressing via the conductor RX2, CX 1 . at the same time, a magnetizing force is applied to the 101 surrounding magnetic material in the applied read opening of the magnetic device in one direction by the head RX 2, CX 1, and a magnetizing force at the same opening surrounding magnetic material in the other direction is applied through the conductor RY2, CY2 . These forces of magnesia cancel each other out.

Wegen der Fähigkeit der magnetischen Vorrichtungen 101 bis 104, eine umgekehrte Vormagnetisierung in der jeweils abgewandten Öffnung der durch Koinzidenz ausgewählten Vorrichtung auszunutzen, läßt sich die Zahl der für die Matrix erforderlichen Stromtreiber durch entsprechende Anordnung der Adreßleiter wesentlich verringern. Durch richtige Anordnung der Adreßleiter läßt sich erreichen, daß die Zahl der für die rechteckige Matrix von magnetischen Vorrichtungen mit zwei Öffnungen benötigten Treiber gleich der Zahl der Treiber ist, die für einen Toroidkern-Speicher benötigt werden. Außer der verringerten Zahl der benötigten Stromtreiber durch die Verwendung der in F i g. 6 gezeigten Adreßleiteranordnung entstehen weitere Vorteile, wenn die Adreßleiter so angeordnet werden, daß zwei nahe aneinanderliegende Leiter mit in entgegengesetzten Richtungen verlaufenden Stromimpulsen beaufschlagt werden. Zum Beispiel wandern die dem Leiter RX 1, CX 2 zugeführten Stromimpulse durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 103 und 102 und kehren dann in relativ naher Nachbarschaft in entgegengesetzter Richtung durch die Steueröffnungen 101 und 104 zur Erde zurück. Dem Fachmann dürfte es bekannt sein, daß dadurch die Übertragungseigenschaften des Leiters insofern verbessert werden, als die wirksame Übertragungsleitungsinduktivität reduziert wird.Because of the ability of the magnetic devices 101 to 104 to utilize a reverse bias in the opposite opening of the device selected by coincidence, the number of current drivers required for the matrix can be significantly reduced by appropriate arrangement of the address conductors. Proper arrangement of the address conductors can make the number of drivers required for the rectangular array of two-port magnetic devices equal to the number of drivers required for a toroidal core memory. In addition to the reduced number of current drivers required through the use of the devices shown in FIG. 6, further advantages arise if the address conductors are arranged in such a way that two conductors lying close to one another are subjected to current pulses running in opposite directions. For example, the current pulses applied to conductor RX 1, CX 2 travel through the read openings of devices 103 and 102 and then return to earth in relatively close proximity in the opposite direction through control openings 101 and 104. It should be known to those skilled in the art that this improves the transmission properties of the conductor to the extent that the effective transmission line inductance is reduced.

Wenn es nicht erwünscht ist, die ganze Verringerung der Stromtreiber, die durch die Adreßleiteranordnung von F i g. 6 bewirkt wird, zu erlangen, stellt die Adreßleiteranordnung von F i g. 7 eine Abwandlung dar, die nachstehend als Anordnung mit drei Adreßleitern bezeichnet wird. Wie zuvor besteht die als Beispiel dienende rechteckige Koordinatenmatrix aus vier magnetischen Vorrichtungen 101, 102, 103 und 104, die in Zeilen X 1 und X 2 und Spalten Y1 und Y2 angeordnet sind. Wie bei F i g. 6 ist der Stromtreiber 128 mit einem Adreßleiter RY 1, CY 1 verbunden, der seinerseits durch die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 103 in der einen Richtung und durch ihre Steueröffnung in der anderen Richtung und durch die Lese- und die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 104 in der gleichen Weise zur Erde verläuft. Ebenso ist der Stromtreiber 129 an einen Adreßleiter RY2, CY2 angeschlossen, der durch die Leseöffnung der magnetischen Vorrichtung 102 in der einen Richtung; durch ihre Steueröffnung in der anderen Richtung und durch die Lese- und die Steueröffnung der magnetischen Vorrichtung 101 in derselben Weise zur Erde verläuft.If not desired, all of the reduction in current drivers introduced by the address ladder arrangement of FIG. 6 is effected to obtain the address ladder arrangement of FIG. Fig. 7 illustrates a modification, hereinafter referred to as a three-conductor arrangement. As before, the exemplary rectangular coordinate matrix consists of four magnetic devices 101, 102, 103 and 104 arranged in rows X 1 and X 2 and columns Y1 and Y2 . As with F i g. 6, the current driver 128 is connected to an address conductor RY 1, CY 1 , which in turn passes through the read opening of the magnetic device 103 in one direction and through its control opening in the other direction and through the read and control opening of the magnetic device 104 in the same way to earth. Likewise, the current driver 129 is connected to an address conductor RY2, CY2, which passes through the read opening of the magnetic device 102 in one direction; through its control port in the other direction and through the read and control ports of magnetic device 101 in the same way to earth.

Bei Zeile X1 werden für die Lese- und Steueröffnungen zwei bipolare Stromquellen und zwei getrennte Adreßleiter verwendet. Die Stromquelle 130' erregt den Adreßleiter RX1, der seinerseits durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 103 und 102 in derselben Richtung zur Erde verläuft. Die Stromquelle 130" erregt den Adreßleiter CX 1, der seinerseits durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 103 und 102 in derselben Richtung zur Erde, aber entgegengesetzt zu der Richtung des Adreßleiters RX1 verläuft.In line X1, two bipolar current sources and two separate address conductors are used for the read and control openings. Current source 130 'energizes address conductor RX1, which in turn passes through the read openings of magnetic devices 103 and 102 in the same direction to earth. Current source 130 "energizes address conductor CX 1, which in turn passes through the control ports of magnetic devices 103 and 102 in the same direction to earth but opposite to the direction of address conductor RX1.

Ebenso weisen die magnetischen Vorrichtungen in Zeile X2 getrennte Adreßleiter und Treiber für die Lese- und Steueröffnungen auf. Die Stromquelle 131' erregt den AdreßleiterRX2, der seinerseits durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 104 und 101 in derselben Richtung zur Erde verläuft. Die Stromquelle 131" erregt den Adreßleitei CX 2, der seinerseits durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 104 und 101 in gleicher Richtung zur Erde und in entgegengesetzter Richtung zum Adreßleiter RX2 verläuft. Damit wird hier eine Reduktion in der Zahl der Stromquellen bei der Anordnung von F i g. 7 erreicht, die nur halb so groß wie die von F i g. 6 ist.Likewise, the magnetic devices in row X2 have separate address conductors and drivers for the read and control openings. Current source 131 'energizes address conductor RX2, which in turn passes through the read openings of magnetic devices 104 and 101 in the same direction to earth. The current source 131 "excites the address line CX 2, which in turn runs through the control openings of the magnetic devices 104 and 101 in the same direction to earth and in the opposite direction to the address line RX2 i g. 7, which is only half the size of that of FIG. 6.

Wenn eine Leseoperation in bezug auf die magnetische Vorrichtung 102 ausgeführt wird, werden die AdreßleiterRY2, CY2 und RX1 gleichzeitig erregt. Das die Leseöffnung der Vorrichtung 102 umgebende magnetische Material empfängt eine Magnetisierungskraft, die ausreicht, um ein Signal in einer hier nicht gezeigten Lesewicklung zu erzeugen, wenn die Vorrichtung im nichtgesperrten Zustand ist. Gleichzeitig legt der Adreßleiter RY2, CY2 eine umgekehrte Vormagnetisierungskraft an das magnetische Material an der inneren Wand der Steueröffnung der Vorrichtung 102 an, um die oben beschriebene umgekehrte Innenwandvormagnetisierung zu bewirken. Der Adreßleiter RX 1 legt eine Halbadressier-Magnetisierungskraft an die Leseöffnung der Vorrichtung 103 an, die nicht ausreicht, um ein Entnahmesignal zu erzeugen. Die magnetische Vorrichtung 104 empfängt keine Magnetisierungskraft, da keiner der erregten Leiter durch sie hindurchgeht.When a read operation is performed with respect to the magnetic device 102, the address conductors RY2, CY2 and RX1 are energized at the same time. The magnetic material surrounding the reading opening of the device 102 receives a magnetizing force which is sufficient to generate a signal in a reading winding (not shown here) when the device is in the unlocked state. Simultaneously, address conductor RY2, CY2 applies a reverse bias force to the magnetic material on the inner wall of the control port of device 102 to effect the reverse inner wall bias described above. The address conductor RX 1 applies a half addressing magnetizing force to the read port of the device 103 which is insufficient to generate a remove signal. The magnetic device 104 does not receive any magnetizing force because none of the energized conductors pass through it.

Sowohl das die Leseöffnung umgebende magnetische Material als auch das die Steueröffnung der Vorrichtung 101 umgebende magnetische Material empfangen eine Magnetisierungskraft aus dem durch den LeiterRY2, CY2 fließenden Stromimpuls, die aber nicht ausreicht, um entweder ihren Speicherzustand zu verändern oder ein Entnahmesignal zu erzeugen.Both the magnetic material surrounding the reading opening and receive the magnetic material surrounding the control port of the device 101 a magnetizing force from the current pulse flowing through the conductor RY2, CY2, which is not enough to either change its memory status or a Generate removal signal.

F i g. 5, 6 und 7 zeigen nur vier magnetische Vorrichtungen in einer Matrix mit rechtwinklig zueinander verlaufenden Koordinaten, ohne die Lesewicklung oder die Sperrwicklung darzustellen, die nötig sind, damit die Vorrichtung richtig arbeitet. Hierdurch soll in einfachster Form dargestellt werden, wodurch sich die Lehren der Erfindung von dem in F i g. 5 gezeigten Stand der Technik unterscheiden.F i g. Figures 5, 6 and 7 show only four magnetic devices in one Matrix with coordinates running at right angles to each other, without the reading winding or to depict the blocking winding necessary to make the device work properly is working. This should be shown in the simplest form, whereby the Teaching of the invention from the one shown in FIG. 5 differ from the prior art shown.

F i g. 8 zeigt die in F i g. 6 enthaltene Anordnung mit zwei Adreßleitern in Anwendung auf eine größere Matrix aus 16 magnetischen Vorrichtungen 105 bis 120. Diese Vorrichtungen sind in vier Spalten Y 1, Y2, Y3 und Y4 und in vier Zeilen X 1, X 2, X 3 und X4 angeordnet. Nach den Lehren der Erfindung ist je ein Stromtreiber für jede Zeile und jede Spalte vorgesehen, obwohl jede magnetische Vorrichtung sowohl eine Lese- als auch eine Steueröffnung hat.F i g. 8 shows the in FIG. 6 with two address conductors applied to a larger matrix of 16 magnetic devices 105 to 120. These devices are arranged in four columns Y 1, Y2, Y3 and Y4 and in four rows X 1, X 2, X 3 and X4. In accordance with the teachings of the invention, a current driver is provided for each row and each column, although each magnetic device has both a read and a control port.

In Zeile X1 erregt der bipolare Stromtreiber 132 einen Adreßleiter RX1, CX2, der durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 117, 113, 109 und 105 in jeweils derselben Richtung und dann zurück durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 106, 110, 114 und 118 in Zeile X2 in jeweils derselben Richtung, aber entgegengesetzt der Richtung, in der derselbe Leiter durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen in Zeile X1 hindurchgeht, verläuft. Das dem Stromtreiber 132 abgewandte Ende des Leiters RX 1, CX 2 ist geerdet.In row X1, the bipolar current driver 132 energizes an address conductor RX1, CX2 passing through the read ports of magnetic devices 117, 113, 109 and 105 in the same direction, respectively, and then back through the control ports of magnetic devices 106, 110, 114 and 118 in row X2 runs in the same direction, but opposite to the direction in which the same conductor passes through the read openings of the devices in row X1. The end of the conductor RX 1, CX 2 facing away from the current driver 132 is grounded.

In Zeile X2 erregt der bipolare Stromtreiber 133 den Adreßleiter RX2, CX 1. Dieser verläuft durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 106, 110, 114 und 118 in jeweils derselben Richtung und dann zurück durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 117, 113, 109 und 105 in Zeile X1 in jeweils derselben Richtung, aber entgegengesetzt der Richtung, in der derselbe Leiter durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen in Zeile X2 hindurchgeht. Das dem Stromtreiber 133 abgewandte Ende des Leiters RX2, CX 1 ist geerdet.In row X2, the bipolar current driver 133 energizes the address conductor RX2, CX 1. This runs through the read openings of the magnetic devices 106, 110, 114 and 118 in the same direction and then back through the control openings of the magnetic devices 117, 113, 109 and 105 in row X1 in the same direction, but opposite to the direction in which the same conductor passes through the read openings of the devices in row X2. The end of the conductor RX2, CX 1 facing away from the current driver 133 is grounded.

In Zeile X3 erregt der bipolare Stromtreiber 134 den Adreßleiter RX3, RX 4. Dieser verläuft durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 119, 115, 111 und 107 in jeweils derselben Richtung und dann zurück durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 108, 112, 116 und 120 in Zeile X4 in jeweils derselben Richtung, aber entgegengesetzt der Richtung, in der derselbe Leiter durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen in Zeile X3 hindurchgeht. Das dem Stromtreiber 134 abgewandte Ende des Leiters RX3, CX 4 ist geerdet.In row X3, the bipolar current driver 134 energizes the address conductor RX3, RX 4. This runs through the read openings of the magnetic devices 119, 115, 111 and 107 in the same direction and then back through the control openings of the magnetic devices 108, 112, 116 and 120 in row X4 in the same direction, but opposite to the direction in which the same conductor passes through the read openings of the devices in row X3. The end of the conductor RX3, CX 4 facing away from the current driver 134 is grounded.

In Zeile X4 erregt der bipolare Stromtreiber 135 den Adreßleiter RX4, CX 3. Dieser verläuft durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 108, 112, 116 und 120 in jeweils derselben Richtung und dann. zurück durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 119, 115, 11 und 107 in Zeile X3 in jeweils derselben Richtung, aber entgegengesetzt der Richtung, in der derselbe Leiter durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen in Zeile X4 hindurchgeht. Das dem Stromtreiber 135 abgewandte Ende des Leiters RX4, CX 3 ist geerdet.In row X4, the bipolar current driver 135 energizes the address conductor RX4, CX 3. This passes through the read openings of the magnetic devices 108, 112, 116 and 120 in the same direction and then. back through the control ports of the magnetic devices 119, 115, 11 and 107 in row X3 in the same direction, but opposite to the direction in which the same conductor passes through the read ports of the devices in row X4. The end of the conductor RX4, CX 3 facing away from the current driver 135 is grounded.

Entlang der Y-Koordinate in Spalte Y1 erregt der bipolare Stromtreiber 136 den Adreßleiter RY1, CY1. Dieser Leiter verläuft durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 120, 119, 118 und 117 in jeweils der einen Richtung und dann zurück durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen. Der Adreßleiter RY1, CY1 geht durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen in Spalte Y1 in jeweils derselben Richtung hindurch, aber entgegengesetzt der Richtung, in der er durch die Leseöffnungen derselben Vorrichtungen verläuft. Während aus der Prinzipschaltung nach F i g. 6 nicht hervorging, wie die übertragungseigenschaften des Adreßleiters RY1, CY1 durch seine Rückführung parallel und nahe zu sich selbst verbessert werden, wird dies aus der die Eigenart der Verdrahtung zeigenden F i g. 8 erkennbar. Das der bipolaren Stromquelle 136 abgewandte Ende des Adreßleiters RY1, CY1 ist geerdet.The bipolar current driver 136 excites the address conductor RY1, CY1 along the Y coordinate in column Y1. This conductor runs through the read openings of devices 120, 119, 118 and 117 in one direction at a time and then back through the control openings of the same devices. The address conductor RY1, CY1 passes through the control openings of the same devices in column Y1 in the same direction, but opposite to the direction in which it passes through the read openings of the same devices. While from the basic circuit according to FIG. 6 it did not emerge how the transmission properties of the address conductor RY1, CY1 are improved by its return parallel and close to itself, this is shown in FIG. 8 recognizable. The end of the address conductor RY1, CY1 facing away from the bipolar current source 136 is grounded.

In Spalte Y2 erregt der bipolare Adressenstromtreiber 137 den Adreßleiter RY2, CY2. Dieser Leiter erstreckt sich dann weiter durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 113, 114, 115 und 116 in der einen Richtung und dann zurück durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen. Der Adreßleiter RY2, CY2 verläuft jeweils in derselben Richtung durch die Steueröffnungen der Vorrichtungen in Spalte Y2, aber entgegengesetzt zu der Richtung, in der er durch die Leseöffnungen derselben Vorrichtungen hindurchgeht. Das der bipolaren Stromquelle 137 abgewandte Ende des Adreßleiters RY2, CY2 ist geerdet.In column Y2, the bipolar address current driver 137 energizes the address conductor RY2, CY2. This conductor then extends further through the read ports of devices 113, 114, 115 and 116 in one direction and then back through the control ports of those same devices. The address conductor RY2, CY2 each runs in the same direction through the control openings of the devices in column Y2, but opposite to the direction in which it passes through the read openings of the same devices. The end of the address conductor RY2, CY2 facing away from the bipolar current source 137 is grounded.

In Spalte Y3 erregt der bipolare Adressenstromtreiber 138 den Adreßleiter RY3, CY3. Dieser Leiter verläuft dann durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 112, 111, 110 und 109 in jeweils einer Richtung und zurück durch die Steueröffnungen dieser Vorrichtungen in der anderen Richtung. Das der bipolaren Stromquelle 138 abgewandte Ende des Adreßleiters RY3, CY3 ist geerdet.In column Y3, the bipolar address current driver 138 energizes the address conductor RY3, CY3. This conductor then runs through the read openings of the devices 112, 111, 110 and 109 in one direction and back through the control openings of these devices in the other direction. The end of the address conductor RY3, CY3 facing away from the bipolar current source 138 is grounded.

In Spalte Y4 erregt der bipolare Adressenstromtreiber 139 den Adreßleiter RY4, CY4. Dieser geht dann durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 105, 106, 107 und 108 in einer Richtung hindurch und verläuft zurück in der anderen Richtung durch die Steueröffnungen dieser Vorrichtungen. Das der bipolaren Stromquelle 139 abgewandte Ende des Adreßleiters RY4, CY4 ist geerdet.In column Y4, the bipolar address current driver 139 energizes the address conductor RY4, CY4. This then passes through the read openings of the devices 105, 106, 107 and 108 in one direction and runs back in the other direction through the control openings of these devices. The end of the address conductor RY4, CY4 facing away from the bipolar current source 139 is grounded.

Zur Vereinfachung der Darstellung ist in den F i g. 6, 7 die Berücksichtigung des Wellenwiderstandes der Adreßleiter nicht dargestellt worden. Lediglich in F i g. 8 ist gezeigt, wie in für sich bekannter Weise ein Widerstand 180 mit dem Wert des Wellenwiderstandes des Leiters RX 1, CX 2 die Stromquelle 132 von Zeile X1 mit der Erde verbindet. Da auch das abgewandte Ende des Leiters RX 1, CX 2 an derselben Stelle geerdet ist, liegt dieser Widerstand parallel zu dem Adreßleiter. Dies ist möglich, weil bei jedem Adreßleiter das der Quelle zugewandte und das der Quelle abgewandte Ende nahe beieinander liegen.To simplify the illustration, FIGS. 6, 7 the consideration of the wave impedance of the address conductor has not been shown. Only in FIG. 8 shows how a resistor 180 with the value of the characteristic impedance of the conductor RX 1, CX 2 connects the current source 132 of row X1 to earth in a manner known per se. Since the opposite end of the conductor RX 1, CX 2 is also grounded at the same point, this resistor is parallel to the address conductor. This is possible because the end facing the source and the end facing away from the source of each address conductor are close to one another.

Wie es F i g. 1 zeigt, benötigt die Leseöffnung jeder magnetischen Vorrichtung eine Lesewicklung, um die Ausleseoperation auszuführen, wenn die betreffende magnetische Vorrichtung durch Koinzidenz zum Lesen ausgewählt wird. Diese Vorbedingung gleicht im wesentlichen der bei der Toroidkernvorrichtung. Daher kann dieselbe Abfühltechnik zum Betreiben der verbesserten Transfluxorvorrichtung, wie sie oben beschrieben worden ist, in einer Koinzidenzstrom-Speichermatrix verwendet werden, wie sie bisher in ähnlichen, aus Toroidkernen bestehenden Koinzidenzstrom-Speichermatrizen angewandt worden ist. Zum Beispiel kann in einer gegebenen Ebene, die durch die Anordnung von F i g. 8 dargestellt wird, eine Lesewicklung durch die Leseöffnungen aller Vorrichtungen in der Ebene geführt werden, da jeweils nur eine Vorrichtung durch Koinzidenz adressiert wird. So durchläuft die Lesewicklung 140 die Leseöffnung der Vorrichtungen 105, 109, 114 und 119 in bezug auf eine als positiv angenommene Richtung eines Zeilen- oder Spaltendrahts in einer gleichen, ersten Richtung, dann die Leseöffnung der Vorrichtungen 117, 113, 110 und 107 in einer zur ersten entgegengesetzten, zweiten Richtung, dann die Leseöffnungen der Vorrichtungen 108, 112, 115 und 118 in der ersten Richtung, dann die Leseöffnungen der Vorrichtungen 120, 116, 111 und 106 in der zweiten Richtung und endet dann. Wie man sieht, verläuft also die Lesewicklung durch die Leseöffnungen einer Hälfte der Vorrichtungen in der Speicherebene von F i g. 8 in einer ersten Richtung und durch die der anderen Hälfte in der zweiten Richtung.As it F i g. 1 shows, the reading port of each magnetic device requires a reading winding in order to carry out the reading operation when the magnetic device concerned is selected for reading by coincidence. This precondition is essentially the same as that of the toroidal core device. Thus, the same sensing technique for operating the improved transfluxor device described above can be used in a coincidence current memory array as heretofore used in similar toroidal core coincidence current memory arrays. For example, in a given plane determined by the arrangement of FIG. 8, a reading winding can be guided through the reading openings of all devices in the plane, since only one device is addressed by coincidence at a time. Thus, the reading winding 140 runs through the reading opening of the devices 105, 109, 114 and 119 with respect to a direction assumed to be positive of a row or column wire in the same, first direction, then the reading opening of the devices 117, 113, 110 and 107 in one to the first opposite, second direction, then the read openings of devices 108, 112, 115 and 118 in the first direction, then the read openings of devices 120, 116, 111 and 106 in the second direction and then ends. As can be seen, the reading winding runs through the reading openings of one half of the devices in the memory plane of FIG. 8 in a first direction and through that of the other half in the second direction.

Dem Fachmann dürfte es klar sein, daß diese Drahtführung der herkömmlichen Technik entspricht; die Störsignale, die infolge der nahe beieinander liegenden Adreßleiter und durch die Wirkung von Halblese-Adreßimpulsen entstehen, zu beseitigen.It should be clear to those skilled in the art that this wire guide of the conventional Technology corresponds; the interfering signals resulting from the close proximity Address conductors and caused by the effect of half-read address pulses to be eliminated.

Da die Lehren der Erfindung auch auf Koinzidenzstrommatrizen mit mehr als einer Ebene (dreidimensional) anwendbar sind, kann es erforderlich sein, die Steuer-(Schreib-)Operation innerhalb einer magnetischen Vorrichtung, die sich auf einer voll adressierten Koordinate in einer bestimmten Ebene befindet, zu unterbinden. Auch hier kann nach der herkömmlichen Technik eine Sperrwicklung 141 durch die Steueröffnungen aller magnetischen Vorrichtungen in einer bestimmten Ebene geführt werden, wie z. B. der in F i g. 8 durch die Vorrichtungen 105 bis 120 veranschaulichten. Wie dort gezeigt, kann die Sperrwicklung an ihrem einen Ende durch eine Stromquelle 142 erregt und am anderen Ende geerdet werden. Die Richtungen, in denen die Adreßleiter durch die Lese-und Steueröffnungen der Vorrichtung von F i g. 8 hindurchgehen, beruhen auf demselben Schema wie in F i g. 6. Während einer Leseoperation oder Steueroperation wird nur eine magnetische Vorrichtung durch Koinzidenz adressiert. Gleichzeitig empfängt sie eine umgekehrte Vormagnetisierungskraft in dem ihre Steueröffnung bzw. Leseöffnung umgebenden magnetisierbaren Material. Außer der ausgewählten Vorrichtung wird an keine andere Vorrichtung eine Magnetisierungskraft angelegt, die ausreicht, um entweder ihren Speicherzustand zu verändern oder ein Auslesesignal in der Lesewicklung 140 zu erzeugen.Since the teachings of the invention are also applicable to coincidence current matrices with more than one plane (three-dimensional), it may be necessary to control (write) operation within a magnetic device which is on a fully addressed coordinate in a particular plane, to prevent. Here, too, according to the conventional technique, a blocking winding 141 can be guided through the control openings of all magnetic devices in a certain plane, such as e.g. B. the in F i g. 8 illustrated by the devices 105 to 120. As shown there, the blocking winding can be energized at one end by a current source 142 and grounded at the other end. The directions in which the address conductors pass through the read and control ports of the device of FIG. 8 are based on the same scheme as in FIG. 6. Only one magnetic device is addressed by coincidence during a read operation or control operation. At the same time, it receives a reverse bias force in the magnetizable material surrounding its control opening or reading opening. Apart from the selected device, no magnetizing force is applied to any other device which is sufficient to either change its memory state or to generate a read-out signal in the read winding 140.

Aus einer Untersuchung von F i g. 6 und 8 geht hervor, daß die die Adreßleiteranordnungen betreffenden Lehren der Erfindung sich zusammenfassen lassen. Zum Beispiel kann zum Zwecke der Feststellung, mit welchen beiden Zeilen ein Adreßleiter zusammenwirken kann, folgende Gleichung gelöst werden: RXN = CX (N+K), (1) worin N (die Zeilenbezeichnung) eine ungerade ganze Zähl ist, K = 1, 3 oder 5 usw. und RXN = die Zeile, in der der Leiter durch die Leseöffnungen hindurchführt, CX (N+K) = die Zeile, in der derselbe Leiter die Steueröffnungen in entgegengesetzter Richtung durchläuft, RXN = CX (N-K), worin N (die Zeilenbezeichnung) eine gerade ganze Zahl ist, K = 1, 3 oder 5 usw. und RXN = die Zeile, in der der Leiter die Leseöffnung durchsetzt, CX (N-K) = die Zeile, in der derselbe Leiter die Steueröffnungen in entgegengesetzter Richtung durchläuft.From an investigation by FIG. 6 and 8 it can be seen that the teachings of the invention relating to address conductor arrangements can be summarized. For example, to determine which two lines an address conductor can interact with, the following equation can be solved: RXN = CX (N + K), (1) where N (the line name) is an odd integer, K = 1, 3 or 5 etc. and RXN = the row in which the conductor passes through the read openings, CX (N + K) = the row in which the same conductor passes the control openings in the opposite direction, RXN = CX (NK), where N (the line designation) is an even integer, K = 1, 3 or 5 etc. and RXN = the line in which the conductor passes through the read opening, CX (NK) = the line in which the same conductor passes through the control openings in the opposite direction passes through.

Was die Spalten betrifft, so durchläuft der Adreßleiter alle Leseöffnungen der betreffenden Spalte in der einen Richtung und alle Steueröffnungen derselben Spalte in entgegengesetzter Richtung, was durch folgende Gleichung ausgedrückt wird: RYN = CYN, (2) worin N = Spaltenbezeichnung.As far as the columns are concerned, the address conductor passes through all read openings of the relevant column in one direction and all control openings of the same column in the opposite direction, which is expressed by the following equation: RYN = CYN, (2) where N = column designation.

Um zu zeigen, daß die Lehren der Erfindung auf eine dreidimensionale Speicheranordnung anwendbar sind, ist die aus vier Vorrichtungen bestehende Speicheranordnung von F i g. 6 in F i g. 9 in einer dreidimensionalen Umgebung dargestellt worden. Gezeigt sind nur die erste Ebene Z und die letzte Ebene Z', aber von der Adressenverdrahtung ist so viel dargestellt worden, daß die Anwendung der Lehren der Erfindung daraus hervorgeht. Wie in F i g. 6 sind weder die Lese- noch die Sperrwicklung gezeichnet worden, um die Darstellung der Adreßleiteranordnung zu vereinfachen. Zahlen mit Indexstrich dienen zur Unterscheidung zwischen der ersten Ebene Z und der letzten Ebene Z'. Aus zeichentechnischen Gründen erscheinen gegenüber den F i g. 5 bis 8 die Zeilen waagerecht, die Spalten senkrecht angeordnet.To show that the teachings of the invention apply to a three-dimensional Memory array applicable is the four-device memory array from F i g. 6 in FIG. 9 has been shown in a three-dimensional environment. Only the first level Z and the last level Z 'are shown, but of the address wiring So much has been presented that the application of the teachings of the invention is derived therefrom emerges. As in Fig. 6, neither the read nor the blocking winding are drawn in order to simplify the representation of the address conductor arrangement. pay with Index marks are used to differentiate between the first level Z and the last Level Z '. For technical reasons of the drawing appear opposite the F i g. 5 to 8 the rows horizontally, the columns vertically.

In Zeile X2 erregt ein bipolarer Stromtreiber 143 den Adreßleiter RX 1, CX 2. Der Adreßleiter RX 1, CX 2 verläuft dann durch die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 104 und 101 in der einen Richtung und zurück durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 102 und 103 in der anderen Richtung. Anstatt nun wie in F i g. 6 geerdet zu werden, verläuft dann der Adreßleiter zu einer anderen Kernebene, die hier mit Z' bezeichnet ist. Dort geht er in Zeile X2 durch die Steueröffnungen 104' und 101' in der einen Richtung und dann zurück durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 102' und 103' in der anderen Richtung, wonach er geerdet wird. In der aus vielen Ebenen bestehenden praktischen Ausführungsform würde diese Leiteranordnung natürlich für jede Ebene fortgesetzt werden.In row X2, a bipolar current driver 143 energizes address conductor RX 1, CX 2. Address conductor RX 1, CX 2 then passes through the control ports of magnetic devices 104 and 101 in one direction and back through the read ports of devices 102 and 103 in FIG other direction. Instead of now as in FIG. 6 to be grounded, the address conductor then runs to another core level, here denoted by Z '. There it goes in line X2 through the control openings 104 'and 101' in one direction and then back through the read openings of the devices 102 ' and 103' in the other direction, after which it is grounded. In the practical embodiment consisting of many levels, this conductor arrangement would of course be continued for each level.

In Zeile X1 erregt ein bipolarer Stromtreiber 144 den Adreßleiter RX2, CX 1. Dieser Leiter durchläuft dann die Steueröffnungen der magnetischen Vorrichtungen 102 und 103 in der einen Richtung und dann die Leseöffnungen der Vorrichtungen 104 und 101 in der anderen Richtung. Anstatt dann wie in F i g. 6 geerdet zu werden, verläuft der Adreßleiter weiter zu einer anderen Kernebene Z', wo er in Zeile X 1 durch die Steueröffnungen 102' und 103' in der einen Richtung und zurück durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 104' und 101' in der entgegengesetzten Richtung hindurchgeht und dann geerdet wird.In row X1, a bipolar current driver 144 energizes address conductor RX2, CX 1. This conductor then passes through the control ports of magnetic devices 102 and 103 in one direction and then the read ports of devices 104 and 101 in the other direction. Instead of then as in FIG. 6, the address conductor continues to another core level Z ', where it passes in row X 1 through control ports 102' and 103 ' in one direction and back through the read ports of devices 104' and 101 ' in the opposite direction passes through and then is grounded.

Entlang der Y-Koordinate in Spalte Y 1 erregt ein bipolarer Stromtreiber 145 den Adreßleiter RY1, CY1, der durch die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 103 und 104 in der einen Richtung und durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen in der anderen Richtung verläuft. Anstatt dann wie in F i g. 6 geerdet zu werden, führt der Adreßleiter zu der Kernebene Z' und geht dort in Spalte Y1 durch die Öffnungen der Vorrichtungen 103' und 104' in der einen Richtung und durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen in der entgegengesetzten Richtung hindurch, wonach er geerdet wird.Along the Y coordinate in column Y 1, a bipolar current driver 145 energizes the address conductor RY1, CY1 which passes through the read openings of the magnetic devices 103 and 104 in one direction and through the control openings of the same devices in the other direction. Instead of then as in FIG. 6, the address conductor leads to the core plane Z 'and there in column Y1 through the openings of the devices 103' and 104 ' in one direction and through the control openings of the same devices in the opposite direction, after which it is earthed.

In Spalte Y2 erregt der bipolare Stromtreiber 146 den Adreßleiter RY2, CY2. Dieser Leiter durchläuft die Leseöffnungen der magnetischen Vorrichtungen 101 und 102 in der einen Richtung und die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen in der anderen Richtung. Anstatt dann wie in F i g. 6 geerdet zu werden, verläuft der Adreßleiter zu der Kernebene Z' und geht dort in Spalte Y2 durch die Öffnungen der Vorrichtungen 101' und 102' in der einen Richtung und durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen in der entgegengesetzten Richtung hindurch, bevor er geerdet wird.In column Y2, the bipolar current driver 146 energizes the address conductor RY2, CY2. This conductor passes through the read openings of the magnetic devices 101 and 102 in one direction and the control openings of the same devices in the other direction. Instead of then as in FIG. 6, the address conductor runs to core level Z 'and there in column Y2 through the openings of devices 101' and 102 ' in one direction and through the control openings of the same devices in the opposite direction before being grounded.

Wie in F i g. 6 und 8 wird, wenn während der Leseoperation ein Zeilenleiter und ein Spaltenleiter erregt werden, nur eine magnetische Vorrichtung der Ebene Z zum Lesen ausgewählt und gleichzeitig an der Innenwand ihrer Steueröffnung mit der entsprechenden umgekehrten Vormagnetisierungskraft versehen. Die anderen magnetischen Vorrichtungen derselben Ebene werden weder für das Lesen noch für das Steuern ausgewählt. Weil aber F i g. 9 mehrere Ebenen enthält, wird die entsprechende magnetische Vorrichtung (mit denselben Koordinaten) in jeder Ebene gleichzeitig für eine Leseoperation adressiert, und ein Signal wird in der Lesewicklung (nicht gezeigt) der betreffenden Ebene entsprechend dem in der ausgewählten magnetischen Vorrichtung gespeicherten Zustand erzeugt.As in Fig. 6 and 8 become if a row conductor during the read operation and a column conductor are excited, just a magnetic device of the plane Z selected for reading and at the same time on the inside wall of their control opening with the corresponding reverse bias force. The other magnetic Devices of the same level are not selected for reading or controlling. But because F i g. 9 contains several levels, becomes the corresponding magnetic device (with the same coordinates) addressed simultaneously in each level for a read operation, and a signal is generated in the read winding (not shown) corresponding to the plane concerned generated in the state stored in the selected magnetic device.

Entsprechend der oben beschriebenen Wirkungsweise der Vorrichtung von F i g.1 liegen die bipolaren Halbadreß-Stromimpulse, die während der Leseoperation den Adreßleitern von F i g. 6 bis 11 zugeführt werden, doppelt mit positiver und negativer Polarität vor, um sicherzustellen, daß die durch Stromkoinzidenz ausgewählte magnetische Vorrichtung in jeder Ebene in einem gewünschten Bezugszustand verbleibt. Während der Steueroperation der Anordnung nach F i g. 9 wird eine entsprechende Speichervorrichtung in jeder Ebene durch Koinzidenz adressiert. Außer ihr wird in keiner Ebene eine andere magnetische Vorrichtung durch Koinzidenz adressiert, um den darin gespeicherten Zustand zu ändern. Dem Fachmann dürfte es bekannt sein, daß beim normalen Betrieb einer dreidimensionalen Kernmatrix die gezeigte Sperrwicklung so benutzt wird, daß die durch Koinzidenz adressierte Vorrichtung einer oder mehrerer Ebenen nicht ihren Speicherzustand ändert, wie es im Hinblick auf die in den Speicher eingeschriebene Information angemessen wäre.Corresponding to the above-described mode of operation of the device of Fig. 1 are the bipolar half-stress current pulses generated during the read operation the address heads of F i g. 6 to 11 are fed, double with positive and negative polarity to ensure that the one selected by current coincidence magnetic device in each plane remains in a desired reference state. While the control operation of the arrangement of FIG. 9 becomes a corresponding storage device addressed by coincidence at each level. Except for her, there is no one in any plane other magnetic device addressed by coincidence to the one stored therein Change state. It should be known to those skilled in the art that during normal operation a three-dimensional core matrix, the blocking winding shown is used so that the device addressed by coincidence of one or more levels is not theirs Memory state changes as it does with respect to those written into memory Information would be appropriate.

Gleichgültig ob nun eine (F i g. 6, 8) oder mehr (F i g. 9) Kernebenen von Speichervorrichtungen mit zwei Öffnungen in der Speicheranordnung verwendet werden, es ist nur eine Stromquelle (ein gemeinsamer Adreßleiter) für jede Spalte und jede Zeile der X-Y-Speicheranordnungskoordinaten nötig. Da jeder gemeinsame Adreßleiter so umgebogen ist, daß seine beiden Teile dicht aneinanderliegen, werden die übertragungsleitungseigenschaften des Adreßleiters stark verbessert, und die Geschwindigkeit des Stromimpulses, der über ihn übertragen werden kann, wird stark erhöht. Daher können die Lehren der Erfindung auf große Speicheranordnungen angewandt werden, bei denen viele Ebenen entlang einer Z-Dimension aufeinanderfolgen.It does not matter whether one (Fig. 6, 8) or more (Fig. 9) core levels used by memory devices having two openings in the memory array there is only one power source (a common address wire) for each column and each row of the X-Y memory array coordinates is necessary. Because everyone is common Address conductor is bent so that its two parts are close together the transmission line properties of the address conductor are greatly improved, and the Speed of the current pulse that can be transmitted through it becomes strong elevated. Therefore, the teachings of the invention can be applied to large memory arrays in which many planes follow one another along a Z dimension.

Die in F i g. 7 gezeigte Anordnung mit drei Adreßleitern kann auch in einer dreidimensionalen Anordnung etwa in, der gleichen Weise verwendet werden, wie dies für die Anordnung mit zwei Adreßleitern nach F i g. 6 beschrieben wurde. Um dies zu veranschaulichen, wird auf Fi g. 10 verwiesen. Dort sind in der Ebene Z die magnetischen Vorrichtungen von F i g. 7 in denselben Zeilen und Spalten angeordnet. Wie in F i g. 7 ist zur Vereinfachung der Darstellung keine Lese- oder Sperrwicklung gezeichnet, denn an Hand von F i g. 8 kann der Fachmann diese erforderlichen Wicklungen einsetzen. Nur die letzte Kernebene Z' ist von den weiteren Ebenen dargestellt, in der die gleichen Bezugsziffern beibehalten sind. Wie in F i g. 9 befinden sich die Zeilen in waagerechter, die Spalten in senkrechter Anordnung.The in F i g. The arrangement shown in FIG. 7 with three address conductors can also be used in a three-dimensional arrangement roughly in, the same way, as is the case for the arrangement with two address conductors according to FIG. 6 has been described. To illustrate this, FIG. 10 referenced. There are in the plane Z the magnetic devices of FIG. 7 arranged in the same rows and columns. As in Fig. To simplify the illustration, 7 is not a read or blocking winding drawn, because on the basis of FIG. 8 a person skilled in the art can make these necessary windings insert. Only the last core level Z 'is shown of the other levels, in which the same reference numbers have been retained. As in Fig. 9 are located the rows in a horizontal, the columns in a vertical arrangement.

In Zeile X 2 von Ebene Z ist der bipolare Stromtreiber 147 so angeschlossen, daß er den Adreßleiter RX2 erregt. Der Adreßleiter RX2 durchsetzt die Leseöffnungen der Vorrichtungen 104 und 101 in der einen Richtung und geht dann weiter zur Zeile X2 der Ebene Z', wo er durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 101' und 104' in der anderen Richtung hindurchgeht und dann geerdet wird. Alle Adreßleiter der Vorrichtungen der Ebene Z' werden gegenüber denen der Ebene Z im umgekehrten Sinne verwendet. Daher werden in jeder zweiten Ebene der Z-Dimension die Adreßleiter im umgekehrten Sinne benutzt.In row X 2 of level Z, the bipolar current driver 147 is connected so that that it energizes the address conductor RX2. The address conductor RX2 passes through the read openings of devices 104 and 101 in one direction and then advances to the line X2 of the Z 'plane, where it passes through the read openings of the devices 101' and 104 'in the other direction and then grounded. All address conductors of the devices of the Z 'plane are used in the opposite sense to those of the Z plane. Therefore, in every other level of the Z dimension, the address conductors are reversed Senses used.

In der Zeile X2 der Ebene Z erregt der bipolare Stromtreiber 148 den Adreßleiter CX2, der in der einen Richtung durch die Steueröffnungen der Vorrichtungen 101 und 104 und dann weiter zur Zeile X2 der Ebene Z' verläuft, wo er die Steueröffnungen der Vorrichtungen 104' und 101' in der anderen Richtung durchläuft, bevor er geerdet wird.In line X2 of level Z, the bipolar current driver 148 excites the Address conductor CX2 passing in one direction through the control ports of the devices 101 and 104 and then on to line X2 of level Z 'where it is the control openings of devices 104 'and 101' passes in the other direction before being grounded will.

In Ebene Z, Zeile X1, erregt der bipolare Stromtreiber 149 den Adreßleiter CX 1. Dieser geht durch die Steueröffnungen der Vorrichtungen 103 und 102 in der einen Richtung hindurch, geht dann über zur Reihe X 1 der Ebene Z und durchläuft dort die Steueröffnungen der Vorrichtungen 102' und 103' in der anderen Richtung, wonach er geerdet wird.In level Z, line X1, the bipolar current driver 149 energizes the address conductor CX 1. This goes through the control openings of the devices 103 and 102 in one direction, then goes over to the row X 1 of the level Z and there passes through the control openings of the devices 102 'and 103' in the other direction, after which it is grounded.

In Zeile X1 von Ebene Z erregt der bipolare Stromtreiber 150 den Adreßleiter RX 1. Dieser durchläuft die Leseöffnungen der Vorrichtungen 102 und 103 in der einen Richtung und dann in Zeile X 1 der Ebene Z' die Leseöffnungen der Vorrichtungen 103' und 102' in der anderen Richtung, wonach er geerdet wird.In line X1 of level Z, the bipolar current driver 150 energizes the address conductor RX 1. This passes through the read openings of devices 102 and 103 in one direction and then in line X 1 of level Z 'the read openings of devices 103' and 102 ' in FIG other direction, after which it is grounded.

Es werden also für jede Zeile der dreidimensionalen Koinzidenzstromanordnung für jede Ausführung der Erfindung mit drei Adreßleitern zwei Stromtreiber benötigt. Die einzige Einsparung an Stromtreibern erfolgt entlang der Y-Koordinate, wo für jede Spalte nur ein Stromtreiber nötig ist. Zum Beispiel ist für die Spalte Y1 der Ebene Z der Stromtreiber 151 so angeschlossen, daß er den AdreßleiterRY1, CY1 erregt. Dieser durchläuft dann die Leseöffnungen der Vorrichtungen 103 und 104 in der einen Richtung und geht zurück durch die Steueröffnungen dieser Vorrichtungen hindurch in der anderen Richtung. Der Leiter RY1, CY1 wird dann nicht wie in Fig. 7 geerdet, sondern geht weiter zur nächsten Spalte Y1 der Ebene Z', wo er die Steueröffnungen der Vorrichtungen 103' und 104' in der einen Richtung durchsetzt und dann durch die Leseöffnungen in denselben Vorrichtungen in der anderen Richtung zurück verläuft, bevor er geerdet wird.So there are for each line of the three-dimensional coincidence current arrangement two current drivers are required for each embodiment of the invention with three address conductors. The only savings on current drivers are along the Y coordinate where for only one current driver is required for each column. For example, for column Y1 is the Level Z of the current driver 151 connected so that it energizes the address conductor RY1, CY1. This then passes through the reading openings of the devices 103 and 104 in one Direction and goes back through the control openings of these devices in the other direction. The conductor RY1, CY1 is then not earthed as in Fig. 7, but goes on to the next column Y1 of level Z ', where he has the control openings of devices 103 'and 104' penetrated in one direction and then through the reading openings in the same devices run back in the other direction, before he is grounded.

In Spalte Y2 der Ebene Z erregt der bipolare Stromtreiber 152 den Adreßleiter RY2, CY2. Dieser geht durch die Leseöffnungen der Vorrichtungen 1.01 und 102 in der einen Richtung hindurch und verläuft dann zurück durch die Steueröffnungen derselben Vorrichtungen in der anderen Richtung. Der Leiter ist nicht wie in F i g. 7 geerdet, sondern geht weiter zur nächsten Spalte Y2 der Ebene Z', wo er die Steueröffnungen der Vorrichtungen 101' und 102' in der einen Richtung und dann die Leseöffnungen derselben Vorrichtungen in der anderen Richtung durchläuft und dann geerdet wird.In column Y2 of level Z, the bipolar current driver 152 energizes the Address conductors RY2, CY2. This goes through the reading openings of the devices 1.01 and 102 in one direction and then back through the control ports same devices in the other direction. The ladder is not like in F i G. 7 grounded, but continues to the next column Y2 of level Z 'where he has the Control openings of the devices 101 'and 102' in one direction and then the Reading openings through the same devices in the other direction and then is grounded.

Obwohl bei der Anordnung mit drei Adre 3lei ern nach F i g. 7 und 10 nicht so viele Stromadreßtreiber eingespart werden wie bei der Anordnung mit zwei Adreßleitern nach F i g. 6 und 9, gibt es Fälle, in denen diese Technik zweckmäßiger ist.Although in the arrangement with three addresses 3-lane according to FIG. 7 and 10 not as many stream address drivers can be saved as with the arrangement with two address ladders according to FIG. 6 and 9, there are cases when this technique is more appropriate is.

Zum Beispiel sind im Stand der Technik Ferritspeicherplatten mit Öffnungen bekannt, bei denen das jede Öffnung umgebende magnetische Material als Toroidkern-Vorrichtung (mit nur einem Magnetpfad) wirksam ist. Während die erfindungsgemäßen Anordnungen mit zwei und drei Adreßleitem nach F i g. 6 bis 10 mehrere einzelne Vorrichtungen mit zwei Öffnungen benutzen, dürfte es klar sein, daß sich die Lehren der Erfindung gleichermaßen anwenden lassen, wenn diese Vorrichtungen mit zwei Öffnungen tatsächlich mehrere Öffnungspaare in einer größeren Ferritspeicherplatte sind.For example, the prior art includes ferrite storage plates with openings known in which the magnetic material surrounding each opening as a toroidal core device (with only one magnetic path) is effective. While the inventive arrangements with two and three address lines according to FIG. 6 to 10 several individual devices using two openings, it should be understood that the teachings of the invention apply equally if these two port devices actually do there are several pairs of openings in a larger ferrite storage plate.

Da die verbesserte Transfluxorvorrichtung von F i g. 1 auch in einem »nichtbegrenzten« magnetischen Material zufriedenstellend arbeitet, kann sie auch in einer größeren Ferritspeicherplattenanordnung benutzt werden. F i g. 11 veranschaulicht zwei größere Ferritplatten 181 und 182 mit mehreren Lochpaarelementen, bei denen das jedem Lochpaar zugeordnete aktive magnetisierbare Material während des Sperrzustandes die allgemeine Form eines Flaschenzuges aufweist. In F i g. 11 sind nur die Lochpaarelemente der Platte 181 sichtbar. Da die Treibleitungen gemäß den obigen Ausführungen durch die Löcher benachbarter Lochpaare im entgegengesetzten Wicklungssinn verlaufen, ergeben sich beim Betrieb der Anordnung in den Grenzbereichen gleichsinnige Flüsse, die sich gegenseitig ausweichen bzw. verdrängen. Die auf diese Weise entstehende Flußschranke hat viele Vorteile, z. B. eine sehr geringfügige Wechselwirkung zwischen den magnetischen Eigenschaften der aus den Lochpaaren bestehenden Elemente. Bei Verwendung einer großen gelochten Ferritplatte an Stelle der Einzelelemente stehen die meisten der bekannten Vorteile der gelochten Ferritspeicherplatten für den Speicher zur Verfügung, der unter Verwendung der verbesserten Transfluxor-Vorrichtung aufgebaut ist. Aus F i g. 11 ist ersichtlich, daß die Steueröffnung eines Lochpaarelements nicht an die Steueröffnung des nächsten anderen Lochpaarelements angrenzt. Durch die Zusammenwirkung dieser besonderen Auslegung der öffnungen und der obenerwähnten Flußschranke erhält man ein Speichersystem, das viele Bits mit nicht löschender Speicherung ohne Störung oder Übersprechen zwischen den benachbarten Lochelementen umfaßt. F i g. 11 gleicht F i g. 9 mit der Ausnahme, daß die Ebenen einheitliche, gelochte Ferritplatten sind. Diese Übereinstimmung wird durch die Bezugsziffern noch verdeutlicht.Since the improved transfluxor device of FIG. 1 also in one "Unlimited" magnetic material works satisfactorily, so can it can be used in a larger ferrite storage disk assembly. F i g. 11 illustrates two larger ferrite plates 181 and 182 with several hole pair elements, in which the active magnetizable material associated with each pair of holes during the blocking state has the general shape of a block and tackle. In Fig. 11 are just the hole pair elements of the plate 181 visible. Since the Leads according to the above Executions through the holes of adjacent pairs of holes in the opposite direction of winding run, result in the same direction during operation of the arrangement in the border areas Rivers that evade or displace one another. The resulting Flow barrier has many advantages, e.g. B. a very slight interaction between the magnetic properties of the elements consisting of the pairs of holes. at Use a large perforated ferrite plate instead of the individual elements most of the known advantages of perforated ferrite storage plates for storage available built using the improved Transfluxor device is. From Fig. 11 it can be seen that the control opening of a hole pair element does not adjoin the control opening of the next other hole-pair element. By the interaction of this particular design of the openings and those mentioned above Flow barrier gives you a memory system that contains many bits with non-erasing Storage without interference or crosstalk between the neighboring hole elements includes. F i g. 11 is the same as FIG. 9 with the exception that the levels are uniform, are perforated ferrite plates. This correspondence is indicated by the reference numbers still clarified.

Claims

Claims: 1. Magnetic data storage device with a matrix in Multi-hole magnetic cores (transfluxors) arranged in rows and columns, of which each has a read port and a control or write port, and with drive lines leading in pairs through these openings, which are selectively bipolar Currents are fed in a selected by row and column current coincidence Core on the one hand a remanent magnetic flux encompassing only the read opening Representation of one binary memory state and, on the other hand, both the Read and the control opening comprehensive remanent magnetic flux for display set the second binary memory state, as well as with means for generating one of the magnetic field in the area caused by the current on the drive lines bias of the one opening in the opposite direction in the area of the other Opening, characterized in that the drive lines of one coordinate direction through the two openings of each of the cores associated with these drift lines lead one after the other in the opposite direction of winding and lead to a partial selection magnetization of the magnetic material surrounding the read or control opening of a core the opposite bias around the other opening of the same Induce kernes (Fig. 7).

2. Data memory according to claim 1, characterized in that that the drive lines of the other coordinate direction in a first pass through one of the openings (reading or control openings) of all cores of a coordinate axis in the same direction of winding as the drive lines of one coordinate direction and in a second pass through the other openings (control or reading openings) of all cores of an adjacent coordinate axis in the opposite direction of winding how the traction lines lead in one coordinate direction (Fig. 6).

3. Data storage according to claim 1 or 2, characterized in that the driveline of one Coordinate direction in a first pass (wire feed) through one openings (reading or control openings) of all cores of a coordinate axis in the a winding sense and in a second pass (wire return) through the other openings (control or reading openings) of all cores of the same coordinate axis lead in the opposite direction of winding (Fig. 8).

4. Data memory according to claim 2, characterized in that the drive lines formed by two line passages of a coordinate axis pair are arranged in the matrix so that two halves each one of these lines run closely adjacent in the opposite direction.

5. Data memory according to one of claims 1 to 4, characterized in that the Matrix is three-dimensional and the drive lines of a storage level connected in series with the corresponding drive lines of the other storage levels and that the storage levels through the control openings of the cores leading blocking windings (141) are assigned for selection.

6. Data memory according to one of claims 1 to 5, characterized in that the storage elements each by a pair of openings in a plate (181, 182) made of magnetic material.

7. Data storage device according to claim 6, characterized in that the pairs of openings are arranged such that the reading opening of one pair is adjacent to the control opening of the adjacent pair and that the magnetic fluxes in the same direction caused by the driving currents around the pairs act as a barrier against magnetic interference between neighboring pairs act. B. A data storage device according to claim 2 or 3, characterized in that a resistor (180) is connected in a manner known per se, which corresponds to the characteristic impedance of the relevant drive line, between its ends facing the power source and ends facing away from the power source, parallel to the two passages of a driveline . Considered publications: German Auslegeschriften Nos. 1044 467, 1056 396, 1077 899, 1098 536; French Patent No. 1264 853; RCA Review, March 1959, p. 125.