DE1271768B - Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their manufacture - Google Patents
Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their manufactureInfo
- Publication number
- DE1271768B DE1271768B DE19591271768 DE1271768A DE1271768B DE 1271768 B DE1271768 B DE 1271768B DE 19591271768 DE19591271768 DE 19591271768 DE 1271768 A DE1271768 A DE 1271768A DE 1271768 B DE1271768 B DE 1271768B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wires
- wire
- row
- cores
- matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
- G11C11/06014—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
Magnetkernspeichermatrix sowie Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung Die Erfindung bezieht sich auf eine in zwei Halbmatrizen unterteilte Magnetkernspeichermatrix aus Ringkernen mit rechteckiger Hysteresisschleife, die in einer Ebene in Zeilen und Spalten angeordnet sind, mit Zeilendrähten und Spaltendrähten, die mit abwechselnd entgegengesetztem Wirkungssinn durch die Kerne jeder Zeile bzw. Spalte verlaufen, mit einem Lesedraht, der parallel zu den Zeilenleitungen derart in Serie durch sämtliche Kerne der beiden Halbmatrizen verläuft, daß in jeder Zeile zwei gleich große, gegensinnig verlaufende Lesedrahtabschnitte vorhanden sind, und mit einem Inhibitdraht, der schleifenförmig parallel zu den Zeilendrähten durch sämtliche Kerne der Halbmatrix geführt ist, wobei die Zeilendrähte der beiden Halbmatrizen in Serie geschaltet sind.Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their Manufacture The invention relates to one divided into two half matrices Magnetic core storage matrix made of toroidal cores with a rectangular hysteresis loop, the are arranged in a plane in rows and columns, with row wires and column wires, which alternately have opposite directions of action through the kernels of each row resp. Columns run with a sense wire parallel to the row lines like this runs in series through all the cores of the two half-matrices that in each row two equally large reading wire sections running in opposite directions are present, and with an inhibit wire that loops parallel to the row wires all cores of the half-matrix is guided, with the row wires of the two half-matrices are connected in series.
Derartige Speichermatrizen werden bekanntlich so betrieben, daß durch einen Zeilendraht und einen Spaltendraht je ein Stromimpuls geschickt wird, der dem halben Wert des Stromes entspricht, der zur Ummagnetisierung eines Kerns erforderlich ist. Daher empfängt nur der auf dem Kreuzungspunkt dieser Drähte sitzende Kern einen Strom, der zu seiner Ummagnetisierung ausreicht. Die übrigen Kerne, die auf dem erregten Zeilendraht bzw. Spaltendraht sitzen, empfangen nur den halben Ummagnetisierungsstrom, und durch die übrigen Kerne der Matrix geht überhaupt kein Stromimpuls. In dem gemeinsamen Lesedraht wird ein Spannungsimpuls induziert, wenn der auf dem Kreuzungspunkt der erregten Drähte sitzende Kern ummagnetisiert wird. Dadurch kann festgestellt werden, welche Information auf dem Kern gespeichert war. Der Inhibitdraht dient zur getrennten Ansteuerung der einzelnen Speichermatrizen eines Parallelspeichers.Such memory matrices are known to be operated so that by a row wire and a column wire each a current pulse is sent that corresponds to half the value of the current that is required to remagnetize a core is. Therefore, only the core sitting at the crossing point of these wires will receive one Current that is sufficient to reverse the magnetization. The remaining cores that are on the excited row wire or column wire, receive only half the magnetic reversal current, and no current pulse at all goes through the other nuclei of the matrix. In the common A voltage pulse is induced when the reading wire is on the crossing point of the energized wires sitting core is magnetized. This can be used to determine what information was stored on the kernel. The inhibit wire is used to separate Control of the individual memory matrices of a parallel memory.
Die Hysteresisschleife der heute zur Verfügung stehenden Kerne ist nicht ideal rechteckig. Dies hat zur Folge, daß auch diejenigen Magnetkerne, die nur den halben Ummagnetisierungsstrom empfangen, eine geringe Flußänderung erleiden. Dadurch entstehen auf dem Lesedraht Störspannungsimpulse. Wenn die Matrix in jeder Zeile und Spalte sehr viele Kerne enthält, kann es vorkommen, daß sich diese Störspannungsimpulse so addieren, daß der Signalimpuls nicht mehr mit Sicherheit ausgewertet werden kann. Es besteht daher das Problem, diese Störspannungsimpulse unschädlich zu machen.The hysteresis loop of the cores available today is not ideally rectangular. This has the consequence that even those magnetic cores that Receive only half the magnetic reversal current, suffer a slight change in flux. This creates interference voltage pulses on the reading wire. If the matrix in each If the row and column contain a large number of cores, these interference voltage pulses may occur add in such a way that the signal pulse can no longer be evaluated with certainty. There is therefore the problem of rendering these interference voltage pulses harmless.
Es ist bekannt, zu diesem Zweck den Lesedraht nicht parallel zu den Zeilen- oder Spaltendrähten durch die Kerne zu führen, sondern in sich kreuzenden diagonalen Richtungen. Dadurch wird erreicht, daß die Störsignale bei etwa der Hälfte der Kerne entgegengesetzt zu den Störsignalen der anderen Hälfte der Kerne gerichtet sind. Die Störsignale kompensieren sich dann gegenseitig weitgehend. Diese Maßnahme hat aber den Nachteil, daß die Herstellung der Magnetkernspeichermatrix sehr kompliziert wird, weil der Lesedraht nach dem Anbringen der Zeilen- und Spaltendrähte einzeln in diagonaler Richtung durch sämtliche Kerne der Matrix gefädelt werden muß. Ein durch die Matrixebene zu fädelnder Inhibitdraht muß in einem separaten Fädelvorgang entweder zeilen- oder spaltenparallel eingebracht werden.It is known that for this purpose the reading wire is not parallel to the To lead row or column wires through the cores, but in intersecting one another diagonal directions. This ensures that the interference signals at about half of the cores directed opposite to the interfering signals of the other half of the cores are. The interference signals then largely compensate one another. This measure but has the disadvantage that the production of the magnetic core memory matrix is very complicated is because the reading wire after attaching the row and column wires individually must be threaded in a diagonal direction through all the cores of the matrix. A The inhibit wire to be threaded through the matrix level must be threaded in a separate process be introduced either in rows or parallel to columns.
Es wurde daher versucht, eine Kompensation der Störsignale auf dem Lesedraht zu erreichen, wenn dieser parallel zu den Zeilendrähten verläuft. Eine bekannte Magnetkernspeichermatrix ist in zwei Halbmatrizen unterteilt; die gemeinsame Zeilendrähte und getrennte Spaltendrähte enthalten, wobei der Lesedraht in jeder Halbmatrix in wechselnden Richtungen parallel zu den Zeilendrähten durch die Kerne verläuft. Die Lesedrähte der beiden Halbmatrizen sind zueinander parallel an einen Ausgangsübertrager angeschlossen. Diese Maßnahme ergibt jedoch nur eine unvollkommene Kompensation der Störsignale und hat den Nachteil, daß sich die beiden Lesedrähte gegenseitig niederohmig belasten.An attempt was therefore made to compensate for the interference signals on the Reach reading wire when it runs parallel to the row wires. One known magnetic core memory matrix is divided into two half-matrices; the common Row wires and separate column wires are included, with the reading wire in each Half matrix in alternating directions parallel to the row wires through the cores runs. The reading wires of the two half-matrices are parallel to each other on one Output transformer connected. However, this measure only results in an imperfect one Compensation of the interference signals and has the disadvantage that the two reading wires load each other with low resistance.
Bei einer anderen bekannten Magnetkernspeichermatrix verlaufen die Zeilendrähte abwechselnd gegensinnig, je zwei nebeneinanderliegende Spaltendrähte sind gegensinnig in Serie geschaltet, und der Lesedraht verläuft parallel zu den Zeilendrähten jeweils im gleichen Sinn wie diese, so daß er also die Hälfte der Zeilen im einen Sinn und die andere Hälfte der Zeilen im entgegengesetzten Sinn durchläuft. Mit diesem Verlauf des Lesedrahts können aber nur die von den Spaltenkernen herrührenden Störimpulse kompensiert werden; zur Kompensation der von den Zeilenkernen stammenden Störimpulse müssen zusätzliche Kompensationskerne vorgesehen werden. Außerdem ist die Anbringung eines Inhibitdrahtes nicht möglich, so daß diese Matrix für Parallelspeicher nicht geeignet ist.In another known magnetic core memory matrix, the Row wires alternately in opposite directions, two adjacent column wires each are connected in series in opposite directions, and the reading wire runs parallel to the Row wires each in the same sense as this, so he's half the Lines in one sense and the other half of the lines in the opposite sense passes through. With this course of the reading wire, however, only those from the column cores can resulting interference pulses are compensated; to compensate for the line cores additional compensation cores must be provided for any interference pulses. In addition, the attachment of an inhibit wire is not possible, so that this matrix is not suitable for parallel storage.
Bei einer bekannten Matrix mit einem parallel zu den Zeilendrähten liegenden Inhibitdraht wird eine Kompensation der von den Zeilendrähten stammenden Störimpulse dadurch erreicht, daß der Lesedraht abwechselnd über Kreuz in, zwei benachbarten Zeilen parallel zu den Zeilendrähten geführt ist, so daß er jeweils mit der Hälfte der Kerne einer Zeilenleitung gleichsinnig und mit der anderen Hälfte der Kerne der gleichen Zeilenleitung gegensinnig gekoppelt ist. Diese Lösung ist zwar hinsichtlich der Kompensation der Störimpulse wirksam, aber sie erfordert eine komplizierte Wickelarbeit. Der Lesedraht und der Inhibitdraht müssen in getrennten Arbeitsgängen eingefädelt werden, und während des Fädelns des Lesedrahtes müssen die Kerne in den verschiedenen Zeilenabschnitten gegenseitig versetzt werden. Dies läßt sich nur mit einem erheblichen maschinellen Aufwand erreichen.In a known matrix with one parallel to the row wires lying inhibit wire is a compensation of the originating from the row wires Interfering pulses achieved by the reading wire alternating crosswise in, two adjacent rows is guided parallel to the row wires, so that each in the same direction with half of the cores of a row line and with the other half the cores of the same row line is coupled in opposite directions. This solution is effective with regard to the compensation of the glitches, but it requires one complicated winding work. The reading wire and the inhibit wire must be in separate Operations are threaded, and during the threading of the reading wire must the cores in the different line sections are mutually offset. this can only be achieved with a considerable outlay on machinery.
Ziel der Erfindung ist demgegenüber eine mit einem Inhibitdraht versehene Magnetkernspeichermatrix, deren Lesedraht mit möglichst geringer Wikkelarbeit und gleichzeitig mit dem Inhibitdraht gefädelt werden kann und so geführt ist, daß die optimale Kompensation sowohl der von den Zeilenkernen als auch der von den Spaltenkernen herrührenden Störimpulse erzielt wird, ohne daß zusätzliche Kompensationskerne erforderlich sind.In contrast, the aim of the invention is one provided with an inhibit wire Magnetic core storage matrix, whose reading wire with the lowest possible winding work and can be threaded simultaneously with the inhibit wire and is guided so that the optimal compensation of both that of the row cores and that of the column cores resulting glitches is achieved without the need for additional compensation cores are.
Bei einer Magnetkernspeichermatrix der eingangs angegebenen Art wird dies nach der Erfindung dadurch erreicht, daß in jeder Halbmatrix der zunächst gemeinsam mit dem Inhibitdraht schleifenförmig parallel zu den Zeilendrähten durch die Kerne geführte Lesedraht in der Mitte aufgetrennt ist, daß die beiden so gebildeten Lesedrahthälften in jeder Halbmatrix gegensinnig in Serie geschaltet sind und daß die gegensinnig verlaufenden Lesedrahtabschnitte in jeder Zeile durch entsprechende Serienschaltung der Lesedrähte der beiden Halbmatrizen gebildet sind Bei der nach der Erfindung ausgeführten Speichermatrix Legen der Lesedraht und der Inhibitdraht in jeder Halbmatrix zunächst schleifenförmig parallel zu den Zeilendrähten, so daß diese verschiedenen Drähte aus drei in einem Arbeitsgang eingezogenen Drähten gebildet werden können. Die Wickelarbeit wird dadurch sehr vereinfacht, und es sind keine besonderen Hilfsmittel dafür erforderlich.In the case of a magnetic core memory matrix of the type specified at the beginning this is achieved according to the invention in that in each half-matrix the initially common with the inhibit wire in a loop parallel to the row wires through the cores guided reading wire is separated in the middle that the two reading wire halves formed in this way are connected in series in opposite directions in each half-matrix and that the opposite directions running reading wire sections in each row by corresponding series connection the reading wires of the two half-matrices are formed in the case of the invention executed memory matrix Place the read wire and the inhibit wire in each half-matrix initially in a loop parallel to the row wires, so that they are different Wires can be formed from three wires drawn in in one operation. This greatly simplifies the wrapping work, and there are no special aids required for this.
Das gleichzeitige Einziehen des Lesedrahts, des Inhibitdrahts und des Zeilendrahts ist möglich, weil in den Zeilen die Wirkungssinne der Ansteuerungsdrähte von Zeile zu Zeile abwechseln, so daß der Inhibitdraht ebenso wie der Lesedraht schleifenförmig geführt, d. h. dem Lesedraht parallel folgen kann. Eine Kompensation der über die Spaltendrähte eingekoppelten Störsignale wäre aber nicht möglich, wenn der Inhibitdraht dem Lesedraht in seiner ganzen Länge exakt folgte, wie dies nach dem Einziehen der Drähte zunächst der Fall ist. Die optimale Kompensation der über die Spaltendrähte eingekoppelten Störsignale wird dann auf sehr einfache Weise durch das Auftrennen des Lesedrahts an einer Stelle in jeder Halbmatrix und die gegensinnige Serienschaltung der so gebildeten Lesedrahtabschnitte erreicht.The simultaneous pulling in of the reading wire, the inhibit wire and of the row wire is possible because in the rows the sense of action of the control wires alternate from line to line so that the inhibit wire is the same as the reading wire guided in a loop, d. H. can follow the reading wire in parallel. A compensation the interference signals coupled in via the column wires would not be possible if the inhibit wire followed the reading wire exactly over its entire length, as did this after the pulling in of the wires is the case first. The optimal compensation of the over The interfering signals coupled into the column wires are then passed through in a very simple manner the separation of the reading wire at one point in each half-matrix and the opposite Series connection of the reading wire sections thus formed is achieved.
Nachdem die Lesedrähte in den beiden Halbmatrizen auf diese Weise völlig gleich gebildet sind, werden sie beimZusammenbau in der angegebenenWeise in Serie geschaltet. Es ist also nur eine Verbindungsstelle zwischen den Lesedrähten der beiden Halbmatrizen vorhanden, und es entfällt das Auskreuzen der Zeilenpaare. Dennoch sind dann in jeder Zeile zwei gleich große gegensinnig verlaufende Lesedrahtabschnitte vorhanden, die nach dem bekannten Prinzip die optimale Kompensation der über die Zeilendrähte eingekoppelten Störimpulse ergeben.After the reading wires in the two half-matrices in this way are formed exactly the same, they are assembled in the manner indicated connected in series. So it's just a junction between the reading wires of the two half matrices are present, and there is no need to cross out the pairs of lines. Nevertheless, there are then two equally large reading wire sections running in opposite directions in each line available, which according to the known principle, the optimal compensation of the Row wires result in coupled interference pulses.
Zusammen gewährleisten die beiden angegebenen Maßnahmen, daß bei der möglichen Erregung die Störimpulse der einen Hälfte der erregten Zeilenkerne und Spaltenkerne den Störimpulsen der anderen Hälfte der Kerne entgegenwirken. Dies entspricht den optimalen Kompensationsbedingungen.Together, the two specified measures ensure that the possible excitation the glitches of one half of the excited line cores and Column cores counteract the glitches of the other half of the cores. this corresponds to the optimal compensation conditions.
Die erfindungsgemäße Speichermatrix hat den weiteren Vorteil, daß die beiden Halbmatrizen völlig identisch aufgebaut sein können, so daß sie gegenseitig austauschbar sind. Dies verbilligt die Herstellung noch weiter, und die Lagerhaltung wird vereinfacht.The memory matrix according to the invention has the further advantage that the two half matrices can be constructed completely identically, so that they are mutually exclusive are interchangeable. This makes production even cheaper, and storage is simplified.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung einer Halbmatrix für eine Magnetkernspeichermatrix dieser Art besteht erfindungsgemäß darin, daß sämtliche Ringkerne der Halbmatrix gleichzeitig nach Art einer Perlenschnur auf drei Drähte gefädelt werden, daß die Drähte schleifenförmig in einer Spanneinrichtung in Abständen, die den gewünschten Abständen der Zeilendrähte entsprechen, derart ausgespannt werden, daß sich auf jedem Abschnitt der Drähte eine der Zahl der Spalten entsprechende Zahl von Magnetkernen befindet, daß die Spaltendrähte durch die Kerne jeder Spalte gezogen werden, daß einer der Drähte zur Bildung der Zeilendrähte in eine entsprechende Anzahl von Abschnitten zerschnitten wird, worauf die Zeilendrähte an die Kontaktstifte des Matrixrahmens angelötet werden, und daß ein weiterer, den Lesedraht bildender Draht in der Mitte durchgeschnitten wird, worauf die entstehenden Drahtabschnitte gegensinnig in Serie geschaltet werden.A preferred method of making a half-matrix for a Magnetic core memory matrix of this type according to the invention is that all Ring cores of the half-matrix simultaneously in the manner of a string of pearls on three wires are threaded so that the wires are looped in a tensioning device at intervals, which correspond to the desired spacing of the row wires are stretched out in such a way that that on each section of the wires there is one corresponding to the number of columns Number of magnetic cores located that the column wires through the cores of each column be drawn that one of the wires to form the row wires into a corresponding one Number of sections is cut, whereupon the row wires are attached to the contact pins of the matrix frame are soldered, and that another, the reading wire forming Wire is cut in the middle, whereupon the resulting wire sections are connected in series in opposite directions.
Eine weitere Erleichterung der Fädelarbeit ergibt sich erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung, die das Einziehen der Spaltendrähte erleichtert. Diese Vorrichtung kennzeichnet sich durch zwei kammartige Stege mit gegenseitig versetzten Zähnen, deren Breite und deren Abstände etwa dem Abstand zweier Zeilendrähte entsprechen, und deren Vorderkanten im Winkel von 45° abgeschrägt sind.The threading work is further facilitated according to the invention by a device that facilitates the pulling in of the column wires. This device is characterized by two comb-like webs with mutually offset teeth, whose width and spacing correspond approximately to the distance between two row wires, and the front edges of which are beveled at an angle of 45 °.
Zwischen diese beiden kammartigen Stege werden die Kerne einer Spalte eingeklemmt, nachdem die Drähte in der Spanneinrichtung ausgespannt sind. Die Kerne werden dadurch in eine Linie ausgerichtet und abwechselnd nach der einen und der anderen Seite im Winkel von 45° geneigt, so daß die Spaltendrähte ohne Schwierigkeit durchgezogen werden können.The cores of a column are located between these two comb-like webs pinched after the wires are unclamped in the tensioning device. The cores are thereby aligned in a line and alternately according to one and the other other side inclined at an angle of 45 °, so that the column wires without difficulty can be pulled through.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung erläutert. In dieser zeigt F i g. 1 eine Oberansicht der erfindungsgemäßen Speichermatrix, Fi g. 2 eine Stufe bei der Herstellung der Speichermatrix von F i g.1, F i g. 3 eine weitere Herstellungsstufe, F i g. 4 eine Oberansicht einer Vorrichtung, die zur Herstellung der Speichermatrix Verwendung findet, F i g. 5 eine Seitenansicht eines der beiden Teile der Vorrichtung von F i g. 4, F i g. 6 einen Schnitt entlang der Linie A-A in F i g. 5 und F i g. 7 eine weitere Herstellungsstufe, bei der die Vorrichtung von F i g. 4 bis 6 verwendet wird.The invention is explained below with reference to the drawing. In this shows FIG. 1 shows a top view of the memory matrix according to the invention; G. 2 shows a stage in the production of the memory matrix of F i g.1, F i g. 3 a further manufacturing stage, F i g. 4 is a top view of a device used for Production of the memory matrix is used, FIG. 5 is a side view of a of the two parts of the device of FIG. 4, fig. 6 a section along the Line A-A in FIG. 5 and F i g. 7 a further manufacturing stage, in which the device of FIG. 4 to 6 is used.
Die in F i g. 1 gezeigte Magnetkernspeichermatrix besteht aus magnetischen Ringkernen 1, die in einer Ebene in Zeilen und Spalten angeordnet sind. Der Übersichtlichkeit halber ist angenommen, -daß die Speichermatrix nur 64 Kerne enthält; üblicherweise bestehen die Speichermatrizen aus einer sehr viel größeren Anzahl von Kernen, beispielsweise 64 X 64 Kernen.The in F i g. 1 shown magnetic core memory matrix consists of magnetic Toroidal cores 1, which are arranged in a plane in rows and columns. The clarity It is assumed for the sake that the memory matrix contains only 64 cores; usually the memory arrays consist of a much larger number of cores, for example 64 X 64 cores.
Jede Zeile und jede Spalte der gezeigten Matrix enthält acht Magnetkerne. Die Speichermatrix ist in zwei Halbmatrizen unterteilt, von denen jede 32 Kernel in acht Zeilen und vier Spalten enthält. Die Kerne der einen Halbmatrix werden von einem Matrixrahmen2 getragen. Durch die Kerne jeder Spalte verläuft eine Spaltenleitung 3, die an Kontaktstiften 5 des Matrixrahmens 2 befestigt ist, und durch die Kerne jeder Zeile ist eine Zeilenleitung 4 geführt, die an Kontaktstifte 6 des Matrixrahmens 2 angelötet ist.Each row and each column of the matrix shown contains eight magnetic cores. The memory matrix is divided into two half-matrices, each of which contains 32 kernels in eight rows and four columns. The cores of one half matrix are carried by a matrix frame 2. A column line 3, which is fastened to contact pins 5 of the matrix frame 2, runs through the cores of each column, and a row line 4 , which is soldered to contact pins 6 of the matrix frame 2, is passed through the cores of each row.
Ferner verläuft durch sämtliche Kerne der Halbmatrix ein Lesedraht 7, der an einem Kontaktstift L 1 beginnt. Der Lesedraht 7 läuft parallel zu dem ersten Zeilendraht durch die vier Kerne der ersten Zeile, dann in entgegengesetzter Richtung parallel zu dem Zeilendraht der nächsten Zeile und so in abwechselnden Richtungen durch sämtliche Kerne. Zwischen der vierten und der fünften Zeile ist der Lesedraht 7 aufgetrennt, und das so entstehende Ende 9 der unteren Hälfte ist mit dem entgegengesetzten Ende 10 der oberen Hälfte verbunden, während das an der Trennstelle gebildete Ende 11 der oberen Hälfte zu dem Kontaktstift L 2 der Halbmatrix geführt ist.Furthermore, a read wire runs through all the cores of the half-matrix 7, which starts at a contact pin L 1. The reading wire 7 runs parallel to the first row wire through the four cores of the first row, then in opposite one Direction parallel to the row wire of the next row and so in alternating Directions through all cores. Between the fourth and the fifth line is the reading wire 7 is separated, and the end 9 thus created is the lower half connected to the opposite end 10 of the upper half, while that of the Separation point formed end 11 of the upper half to the contact pin L 2 of the half-matrix is led.
Die zweite Halbmatrix ist völlig spiegelbildlich zu der ersten Halbwicklung aufgebaut; die entsprechenden Teile sind mit den gleichen, aber gestrichenen Bezugszeichen versehen. Wenn bei der einen Halbmatrix die Kontaktstifte oberhalb und bei der anderen Halbmatrix unterhalb des Matrixrahmens liegen, sind die beiden Halbmatrizen völlig identisch, so daß sie gegenseitig austauschbar sind.The second half-matrix is completely a mirror image of the first half-winding built up; the corresponding parts are given the same, but deleted, reference numerals Mistake. If in one half-matrix the contact pins are above and in the other Half-matrix are below the matrix frame, the two half-matrices are complete identical, so that they are mutually interchangeable.
Die einander entsprechenden Kontaktstifte 6 bzw. 6' der Zeilendrähte der beiden Halbmatrizen sind miteinander verbunden, so daß die Zeilendrähte in Serie geschaltet sind. Dagegen ist der Kontaktstift L 2 des Lesedrahts der ersten Halbmatrix mit dem Kontaktstift L'1 der zweiten Halbmatrix verbunden. Aus den eingezeichneten Pfeilspitzen, die gleiche Stromrichtungen kennzeichnen, ist zu erkennen, daß die Lesedrähte in einander entsprechenden Zeilen der beiden Halbmatrizen gegensinnig durchflossen werden. Die Lesedrähte 7 und 7' der beiden Halbmatrizen sind also gegensinnig zueinander in Serie geschaltet. Als Anschlüsse für den Gesamtlesedraht dienen die Kontaktstifte L 1 und L'2. Durch diese Schaltungsmaßnahme wird eine optimale Kompensation der Störsignale auf dem gesamten Lesedraht erreicht. Bei Parallelspeichern, die mehrere parallel nebeneinanderliegende Speichermatrizen der in F i g. 1 gezeigten Art enthalten, die gleichzeitig abgefragt werden, ist es üblich, durch sämtliche Kerne jeder Matrix einen Inhibitdraht zu führen, der beim Einschreiben von Information ein getrenntes Ansteuern der einzelnen Matrizen erlaubt. Dieser Inhibitdraht ist für die erste Halbmatrix in F i g. 1 bei 8 dargestellt. Er führt von dem Kontaktstift S1 parallel zu den Zeilendrähten 3 in abwechselnden Richtungen durch sämtliche Kerne der Halbmatrix bis zu dem Kontaktstift S2. Der Inhibitdraht 8' der -zweiten Halbmatrix ist völlig gleichartig aufgebaut, und die beiden einander entsprechenden Kontaktstifte S2 und S'2 sind miteinander verbunden. Aus den eingezeichneten Pfeilspur zen erkennt man, daß die Inhibitdrähte der beiden Halbmatrizen gleichsinnig in Serie geschaltet sind. Als Anschlüsse für den gesamten Inhibitdraht dienen die Kontaktstifte S 1 und S'1.The mutually corresponding contact pins 6 and 6 'of the row wires of the two half-matrices are connected to one another, so that the row wires are connected in series. In contrast, the contact pin L 2 of the reading wire of the first half-matrix is connected to the contact pin L'1 of the second half-matrix. From the arrowheads drawn in, which mark the same current directions, it can be seen that the flow through the reading wires in mutually corresponding rows of the two half-matrices is in opposite directions. The reading wires 7 and 7 'of the two half-matrices are therefore connected in series in opposite directions. The contact pins L 1 and L'2 serve as connections for the entire read wire. This circuit measure achieves an optimal compensation of the interference signals on the entire reading wire. In the case of parallel memories, which contain several memory matrices lying next to one another in parallel with the memory matrices of the type shown in FIG. 1, which are queried at the same time, it is customary to lead an inhibit wire through all the cores of each matrix, which allows the individual matrices to be controlled separately when information is being written. This inhibit wire is for the first half-matrix in FIG. 1 shown at 8 . It leads from the contact pin S1 parallel to the row wires 3 in alternating directions through all the cores of the half-matrix up to the contact pin S2. The inhibit wire 8 'of the second half-matrix is constructed in exactly the same way, and the two contact pins S2 and S'2 which correspond to one another are connected to one another. From the drawn arrow tracks one can see that the inhibit wires of the two half-matrices are connected in series in the same direction. The contact pins S 1 and S'1 serve as connections for the entire inhibit wire.
Die Speichermatrix von F i g. 1 läßt sich besonders leicht und schnell nach dem Verfahren herstellen, das im folgenden an Hand von F i g. 2 bis 7 beschrieben wird.The memory matrix of FIG. 1 is particularly easy and quick produce according to the method described below with reference to FIG. 2 to 7 will.
Zunächst werden sämtliche 32 Kerne einer Halbmatrix gleichzeitig auf vier Drähte A, B, C, D aufgefädelt (F i g. 2), die beispielsweise an einem gemeinsamen Fädelstift angelötet sind. Dann werden die Kerne auf diesen Drähten in so viele gleiche Gruppen unterteilt, wie Zeilen in der Halbmatrix vorhanden sind; bei dem angegebenen Beispiel also in acht Gruppen von je vier Kernen. Der vierte Draht D wird zwischen den einzelnen Gruppen zerschnitten und zu einer Schlinge umgebogen oder zusammengedreht (F i g. 2), so daß die vier Kerne einer Zeile zusammengehalten werden. Von den drei übrigen Drähten dient der Draht A zur Bildung der Zeilendrähte 4, der Draht B zur Bildung des Lesedrahts 7 und der Draht C zur Bildung des Inhibitdrahts B.First of all, all 32 cores of a half-matrix are simultaneously threaded onto four wires A, B, C, D (FIG. 2), which are, for example, soldered to a common threading pin. Then the cores on these wires are divided into as many equal groups as there are rows in the half-matrix; in the example given, in eight groups of four cores each. The fourth wire D is cut between the individual groups and bent into a loop or twisted together (FIG. 2) so that the four cores of a row are held together. Of the three remaining wires, wire A is used to form row wires 4, wire B to form read wire 7 and wire C to form inhibit wire B.
Die Drähte mit den darauf aufgefädelten Kerngruppen werden .wellenförmig in der in F i g. 3 gezeigten Spanneinrichtung ausgespannt. Die Spanneinrichtung besitzt ein äußeres Paar von kammförmigen Spannstücken .12,13 und ein inneres Paar von kammförmigen Spannstücken 14, 15. Jedes Spannstück trägt Zähne oder Bolzen 12', 13', 14' bzw. 15', deren Breite dem gewünschten Abstand der Zeilendrähte entspricht. Die Lücken zwischen den Zähnen haben die gleiche Breite. Der gegenseitige Abstand der inneren Spannstücke 14 und 15 entspricht der gewünschten Länge der Abschnitte des Lesedrahts und des Inhibitdrahts.The wires with the core groups strung on them become wavy in the in F i g. 3 tensioning device shown unclamped. The clamping device has an outer pair of comb-shaped clamping pieces .12,13 and an inner pair of comb-shaped clamping pieces 14, 15. Each clamping piece has teeth or bolts 12 ', 13 ', 14' or 15 ', the width of which corresponds to the desired spacing of the row wires. The gaps between the teeth are the same width. The mutual distance the inner clamping pieces 14 and 15 corresponds to the desired length of the sections of the read wire and the inhibit wire.
Der Draht A wird um die Zähne der äußeren Spannstücke 12, 13 gespannt, während die Drähte B und C über die Zähne der inneren Spannstücke 14 und 15 gelegt werden; doch wird der Draht B in der Mitte in einer Schleife nach außen über das äußere Spannstück 13 gezogen. Beim Aufspannen der Drähte ist darauf zu achten, daß sich auf jedem Abschnitt zwischen den Spannstücken eine Gruppe der zusammengebundenen Kerne befindet.The wire A is stretched around the teeth of the outer clamping pieces 12, 13, while the wires B and C are placed over the teeth of the inner clamping pieces 14 and 15; however, the wire B is drawn in the middle in a loop outwards over the outer clamping piece 13. When stretching the wires, make sure that there is a group of the tied cores on each section between the clamping pieces.
Nachdem die Drähte in der beschriebenen Weise ausgespannt worden sind, werden die Drahtstücke D entfernt. Die acht Kerne jeder Spalte werden in eine Reihe gebracht und im Winkel von 45° nach der gewünschten Richtung geneigt. Dann werden die Spaltendrähte durch diese Kerne gefädelt.After the wires have been stretched out in the manner described, the pieces of wire D are removed. The eight cores of each column are in a row brought and inclined at an angle of 45 ° in the desired direction. Then will threaded the column wires through these cores.
Das Ausrichten der Kerne einer Spalte und das Durchziehen der Spaltendrähte wird durch die Anwendung der in F i g. 4 bis 7 dargestellten Vorrichtung wesentlich erleichtert. Diese besteht aus zwei kammartigen Klemmstücken 16 und 17 mit stabförmigen Stegen 18 bzw. 19, an deren einer Breitseite Zähne 20 bzw. 21 angebracht sind. Der Abstand zwischen den Mittellinien zweier nebeneinanderliegender Zähne ist gleich dem doppelten Abstand zweier Spaltendrähte der Matrix. Von diesem Abstand nimmt die Breite eines Zahns etwas weniger und die Lücke zwischen zwei Zähnen etwas mehr als die Hälfte ein. Die Zahl der Zähne entspricht der Hälfte der Spaltenzahl der Matrix. Die Zähne des einen Klemmstücks 16 sind gegen diejenigen des anderen Klemmstücks 17 um einen halben Zahnabstand versetzt, so daß jeder Zahn des einen Klemmstücks einer Lücke des anderen Klemmstücks gegenübersteht.Aligning the cores of a column and pulling the column wires through is accomplished using the methods shown in FIG. 4 to 7 shown device is much easier. This consists of two comb-like clamping pieces 16 and 17 with rod-shaped webs 18 and 19, on one broad side of which teeth 20 and 21 are attached. The distance between the center lines of two adjacent teeth is equal to twice the distance between two columnar wires in the matrix. From this distance, the width of a tooth is slightly less and the gap between two teeth is slightly more than half. The number of teeth corresponds to half the number of columns in the matrix. The teeth of one clamping piece 16 are offset from those of the other clamping piece 17 by half a tooth spacing, so that each tooth of one clamping piece faces a gap in the other clamping piece.
Jeder Zahn hat einen etwa rechteckigen Querschnitt, wobei die beiden Vorderkanten unter Bildung von Schrägflächen 20' bzw. 21' im Winkel von 45° abgeschnitten sind.Each tooth has a roughly rectangular cross-section, the two being Front edges cut off at an angle of 45 ° to form inclined surfaces 20 'and 21' are.
In die Unterseite der Stege 18 und 19 sind in den Lücken zwischen zwei Zähnen Nuten 22 eingeschnitten, die symmetrisch zu den Zähnen 20 bzw. 21 liegen. Die Tiefe der Nuten 22 ist etwa gleich der halben Höhe des Steges, und ihr Abstand ist gleich dem Abstand zweier Zeilendrähte. Quer über sämtliche Zähne jedes Klemmstücks sind Nuten 23 eingeschnitten, die in einer Linie so vor den Nuten 22 liegen, daß ihre obere Begrenzung etwa auf der Höhe des Bodens der Nuten 22 liegt.In the bottom of the webs 18 and 19 are in the gaps between two teeth cut grooves 22 which are symmetrical to the teeth 20 and 21, respectively. The depth of the grooves 22 is approximately equal to half the height of the web, and their distance is equal to the distance between two row wires. Across all teeth of each clamp piece grooves 23 are cut which lie in a line in front of the grooves 22 that its upper limit is approximately at the level of the bottom of the grooves 22.
Das Klemmstück 17 ist mit Anschlägen 24 versehen, die das Ineinanderschieben der beiden Klemmstücke begrenzen.The clamping piece 17 is provided with stops 24 which limit the sliding of the two clamping pieces into one another.
Die Anwendung dieser Vorrichtung ist in F i g. 7 dargestellt. Die beiden Klemmstücke 16 und 17 werden so auf die Zeilendrähte 4 aufgesetzt, daß diese in den Nuten 22 liegen, und daß sich die acht Kerne 1 einer Spalte zwischen den Klemmstücken befinden. Dann werden die beiden Klemmstücke 16 und 17 aufeinander zu bewegt. Dabei werden die Kerne 1 von den Schrägflächen 20' und 21' der Zähne erfaßt und in eine Linie ausgerichtet, wobei sie abwechselnd nach der einen und der anderen Seite in einem Winkel von 45° geneigt werden. Die Nuten 23 der beiden Klemmstücke bilden eine geschlossene Rinne, durch die ohne Schwierigkeiten ein Fädelstift mit einem angelöteten Spaltendraht in Richtung des Pfeils F hindurchgeführt werden kann. Der Fädelstift geht dabei von selbst durch die Mittelöffnungen der Kerne 1. Die beiden Klemmstücke 16 und 17 werden dann wieder abgenommen und können zum Ausrichten der nächsten Kernreihe dienen.The application of this device is shown in FIG. 7 shown. the two clamping pieces 16 and 17 are placed on the row wires 4 that these lie in the grooves 22, and that the eight cores 1 of a column between the Clamping pieces are located. Then the two clamping pieces 16 and 17 are on top of each other too moved. The cores 1 are thereby separated from the inclined surfaces 20 'and 21' of the teeth detected and aligned in a line, alternating after the one and the other side be inclined at an angle of 45 °. The grooves 23 of the two Clamping pieces form a closed channel through which a threading pin can be inserted without difficulty be passed in the direction of arrow F with a soldered-on column wire can. The threading pin goes through the central openings of the cores 1 by itself. The two clamping pieces 16 and 17 are then removed again and can be used for alignment serve the next core row.
Nach dem Einziehen des letzten Spaltendrahts wird die fertig gefädelte Matrix aus der Spanneinrichtung von F i g. 3 entnommen. Der Draht A wird in eine der Zeilenzahl entsprechende Anzahl von Abschnitten zerschnitten, und diese werden an die Kontaktstifte des Matrixrahmens angelötet. Ebenso werden die Spaltendrähte an die zugehörigen Kontaktstifte angelötet. Die nach außen geführte Schleife des Drahts B wird durchgeschnitten, und die beiden so gebildeten Hälften werden gegensinnig in Serie geschaltet, wodurch der Lesedraht der in F i g. 1 beschriebenen Matrix gebildet wird. Die Enden des Lesedrahts und diejenigen des Drahts C, der den Inhibitdraht darstellt, werden an die zugehörigen Kontaktstifte angelötet. Schließlich werden die entsprechenden Kontaktstifte zweier Halbmatrizen miteinander verbunden. Bei geeigneter Ausführung der Kontaktstifte können die Lötarbeiten auch im Tauchlötverfahren durchgeführt werden.After the last column wire has been pulled in, the finished wire is threaded Matrix from the clamping device of FIG. 3 taken. The wire A is turned into a the number of sections corresponding to the number of lines are cut, and these are cut soldered to the contact pins of the matrix frame. Likewise are the column wires soldered to the associated contact pins. The loop of the Wire B is cut through and the two halves thus formed turn in opposite directions connected in series, whereby the read wire of the in F i g. 1 described matrix is formed. The ends of the sense wire and those of wire C, which is the inhibit wire are soldered to the associated contact pins. Eventually be the corresponding contact pins of two half matrices are connected to one another. at A suitable design of the contact pins can also be used for the soldering work using the dip soldering process be performed.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19591271768 DE1271768B (en) | 1959-09-24 | 1959-09-24 | Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their manufacture |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19591271768 DE1271768B (en) | 1959-09-24 | 1959-09-24 | Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their manufacture |
DEP0023575 | 1959-09-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1271768B true DE1271768B (en) | 1968-07-04 |
Family
ID=25751456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19591271768 Pending DE1271768B (en) | 1959-09-24 | 1959-09-24 | Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1271768B (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2691154A (en) * | 1952-03-08 | 1954-10-05 | Rca Corp | Magnetic information handling system |
US2709248A (en) * | 1954-04-05 | 1955-05-24 | Internat Telemeter Corp | Magnetic core memory system |
DE1024270B (en) * | 1955-11-21 | 1958-02-13 | Ibm Deutschland | Method and device for producing memories with magnetic cores |
-
1959
- 1959-09-24 DE DE19591271768 patent/DE1271768B/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2691154A (en) * | 1952-03-08 | 1954-10-05 | Rca Corp | Magnetic information handling system |
US2709248A (en) * | 1954-04-05 | 1955-05-24 | Internat Telemeter Corp | Magnetic core memory system |
DE1024270B (en) * | 1955-11-21 | 1958-02-13 | Ibm Deutschland | Method and device for producing memories with magnetic cores |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1926007A1 (en) | Three-phase choke coil with magnetic core | |
DE1063205B (en) | Method of manufacturing a magnetic core memory device | |
DE1014166B (en) | Magnetic switching device | |
DE1186509B (en) | Magnetic memory with a magnetic core provided with holes perpendicular to each other | |
DE3321132C2 (en) | ||
DE1271768B (en) | Magnetic core memory matrix and method and apparatus for their manufacture | |
EP0073002B1 (en) | Electromagnetic tripping device | |
DE972688C (en) | Device with a closed, ferromagnetic core with high remanence and an almost rectangular hysteresis loop | |
DE1255718B (en) | Matrix-shaped semi-fixed value memory with magnetic cores | |
DE2654714B2 (en) | Crosspoint switching matrix | |
DE2062605C3 (en) | Vertical deflection circuit | |
DE2257842C3 (en) | Matrix memory with interference compensation | |
DE1510075C3 (en) | ||
DE1174836C2 (en) | MAGNETIC FIXED VALUE STORAGE | |
DE3741377C1 (en) | Method and device for bridge welding | |
DE2510270C2 (en) | Wiring device for core storage matrices | |
DE1258895B (en) | Arrangement for the transmission of information data characterized by magnetic remanence states | |
DE1474352C (en) | Matrix memory | |
AT204748B (en) | Pre-perforated profile bar for building structures | |
AT164595B (en) | Dismountable bed insert with clamping device | |
DE2733369C2 (en) | Arrangement for moving magnetic single wall domains (magnetic bubbles) | |
DE1075347B (en) | Slidable storage device with a plurality of magnetic amplifiers connected in cascade | |
DE2940885C2 (en) | Transformer with variable output voltage | |
DE403928C (en) | Type casting and setting machine with an adjustable mat frame | |
DE301300C (en) |