DE1270170B

DE1270170B - High-voltage bushing with a device for measuring current and / or voltage

Info

Publication number: DE1270170B
Application number: DEP1270A
Authority: DE
Inventors: William M Kreh; Charles F Sonnenberg
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1965-03-11
Filing date: 1966-02-02
Publication date: 1968-06-12

Description

Hochspannungs-Durchführung mit Vorrichtungen zur Messung des Stromes und/oder der Spannung Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochspannungs-Durchführung mit Vorrichtungen zur Messung des Stromes und/oder der Spannung.High-voltage bushing with devices for measuring the current and / or the voltage The present invention relates to a high-voltage bushing with devices for measuring the current and / or the voltage.

Bisher werden zur Messung von Stromstärken in Hochspannungssystemen in der Regel Stromwandler verwendet; Spannungen werden durch Spannungsteiler oder Potentialabgriffe an einer Kondensatordurchführung gemessen. Bei einer bekannten Einrichtung wird ein transistorisierter Verstärker in Verbindung mit einer kondensatorlosen Durchführung zur Gewinnung eines Signals benutzt, das als Maß für Strom oder Spannung dienen kann. So far, the measurement of currents in high voltage systems usually used with current transformers; Voltages are divided by voltage dividers or Potential taps measured on a capacitor bushing. With a well-known A transistorized amplifier is used in conjunction with a capacitorless device Implementation used to obtain a signal as a measure of current or voltage can serve.

Die bisherigen Vorrichtungen sind kompliziert und kostspielig, da die Vorrichtung in der Regel für die zwischen dem Leiter und Erde bestehende Hochspannung und darüber hinaus für Spannungsstöße, die entstehen können, isoliert werden muß. The previous devices are complicated and expensive because the device usually for the high voltage existing between the conductor and earth and, moreover, must be isolated for voltage surges that may arise.

Bei der Hochspannungs-Durchführung nach der Erfindung sind diese und andere Nachteile der bisherigen Technik dadurch überwunden, daß in oder an der Durchführung Halbleiteranordnungen angebracht sind, die auf das magnetische bzw. das elektrostatische Feld der Durchführung ansprechen. Die Montage für die Halbleiteranordnungen kann auf Erdpotential liegen, so daß Isolierungsprobleme entfallen. Zur Messung des elektrostatischen Feldes der Durchführung kann ein auf Erdpotential oder gegenüber dem Potential des Durchführungsleiters unterschiedlichem Potential liegendes Element vorgesehen sein, so daß ein elektrostatisches-FeId gebildet wird, in dem sich eine auf das elektrostatische Feld ansprechende, molekular-elektronisch wirkende Halbleiteranordnung befindet. Wenn der Durchführungsleiter einen Strom führt, ist ein Magnetfeld vorhanden, auf das eine magnetfeldempfindliche, molekularelektronisch wirkende Halbleiteranordnung anspricht. In the high-voltage implementation according to the invention, these are and other disadvantages of the prior art overcome in that in or on the Implementation semiconductor arrangements are attached, which are based on the magnetic or address the electrostatic field of the bushing. The assembly for the semiconductor arrangements can be at ground potential, so that there are no insulation problems. For measurement the electrostatic field of the implementation can be at ground potential or opposite Element that has a different potential than the potential of the leadthrough conductor be provided so that an electrostatic field is formed in which a Molecular-electronically acting semiconductor arrangement that responds to the electrostatic field is located. When the bushing conductor carries a current, there is a magnetic field, on the a magnetic field sensitive, molecular electronically acting semiconductor arrangement appeals to.

Die von den Halbleiteranordnungen abgegebenen Signale können verstärkt werden, und zwar entweder durch konventionelle Verstärker oder durch Halbleiterverstärker, die mit der feldempfindlichen Halbleiteranordnung zu einem Halbleiterblock in Form einer integrierten Schaltung vereinigt sind. Das verstärkte Signal kann zur Steuerung von Relais benutzt oder in einer anderen Weise verwertet werden, z. B. zur Angabe eines Meßwertes für Stromstärke und/ oder Spannung oder zur Auslösung eines Schalters.The signals emitted by the semiconductor arrangements can be amplified either by conventional amplifiers or by semiconductor amplifiers, those with the field-sensitive semiconductor arrangement to form a semiconductor block an integrated circuit are combined. The amplified signal can be used for control used by relays or recovered in some other way, e.g. B. for specifying a measured value for current strength and / or voltage or for triggering a switch.

In der Zeichnung sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Es zeigt im einzelnen Fig. 1 ein Schaltbild der Vorrichtung nach der Erfindung in Verbindung mit einer schematisch dargestellten Durchführung, F i g. 2 ein Diagramm, das das gemessene elektro- statische Feld einer typischen, gasgefüllten Hochspannungsdurchführung zeigt, F i g. 3 A und 3 B schematische Ansichten von Halbleiterblöcken zur Erzielung von Signalen, die dem magnetischen bzw. elektrostatischen Feld proportional sind. Exemplary embodiments of the invention are shown in the drawing. 1 shows a circuit diagram of the device according to the invention in FIG Connection with a schematically illustrated implementation, FIG. 2 a diagram, that the measured electrical static field of a typical, gas-filled high-voltage bushing shows F i g. 3A and 3B are schematic views of semiconductor blocks for achieving of signals that are proportional to the magnetic or electrostatic field.

In F i g. 1 ist mit 10 eine Kondensatordurchführung bezeichnet. Sie ist mit einer oder mehreren elektrisch leitenden Einlagen 18 versehen, die, gegeneinander isoliert, koaxial mit dem leitenden Bolzen 13 verlaufen und die Aufgabe haben, eine gleichmäßige Verteilung des elektrostatischen Feldes zu erzeugen und große Feldgradienten zu reduzieren. Die Erfindung ist jedoch nicht auf Kondensatordurchführungen beschränkt. Nach üblicher Ausführung hat die Kondensatordurchführung 10 einen Montageflansch 11, der mit Erde 12 verbunden ist; der Flansch 11 kann jedoch auch ein anderes Bauelement mit gegenüber dem Bolzen 13 unterschiedlichem Potential sein. Das Material der Einlagen 18 ist so gewählt, daß es den Durchtritt von magnetischen Feldlinien nicht behindert; zahlreiche Stoffe kommen für diesen Zweck in Frage, z. B. Kupfer- oder Aluminiumfolie. In Fig. 1, 10 denotes a condenser bushing. she is provided with one or more electrically conductive inserts 18, which, against each other isolated, coaxial with the conductive bolt 13 and have the task of a Generate uniform distribution of the electrostatic field and large field gradients to reduce. However, the invention is not limited to condenser bushings. According to the usual design, the condenser bushing 10 has a mounting flange 11 connected to earth 12; however, the flange 11 can also be another component be with a different potential compared to the bolt 13. The material of the deposits 18 is chosen so that it does not hinder the passage of magnetic field lines; numerous substances are suitable for this purpose, e.g. B. copper or aluminum foil.

Die magnetischen Feldlinien des Bolzens 13 sind mit 15, die elektrostatischen Feldlinien mit 16 bezeichnet.The magnetic field lines of the bolt 13 are 15, the electrostatic Field lines denoted by 16.

Das obere Ende 14 des Bolzens 13 ist mit Hilfe eines Verbinders 8 an die Hochspannungsleitung 9 angeschlossen; das untere Ende 17 ist mit einer anderen Leitung oder einem elektrischen Gerät verbunden.The upper end 14 of the bolt 13 is connected with the aid of a connector 8 connected to the high voltage line 9; the lower end 17 is connected to another line or an electrical device.

In F i g. 1 ist angenommen, daß ein Strom durch den Bolzen 13 fließt, so daß sowohl ein magnetisches wie auch ein elektrisches Feld in der Durchführung besteht, die zur Erzeugung getrennter Signale verwendet werden; es kann jedoch auch eine Durchführung verwendet werden, bei der nur ein elektrostatisches Feld besteht.In Fig. 1 it is assumed that a current flows through the bolt 13, so that both a magnetic and an electric field in the bushing that are used to generate separate signals; however, it can also a bushing with only one electrostatic field can be used.

In der Durchführung 10 ist in der Nähe des geerdeten Flansches 11 ein kleiner Halbleiterblock 20 angeordnet, der durch Leiter 21 und 27 mit einem Verstärker 22 üblichen Typs verbunden ist. Der Verstärker 22 speist über seinen Ausgang 23 ein Relais oder eine andere Steuereinrichtung, die in Blockform dargestellt und mit 24 bezeichnet ist. Außerdem kann zwischen dem Ausgangsleiter 23 und Erde 12 ein Meßinstrument28 angeordnet sein. Die Halbleiteranordnung20 spricht auf Änderungen des Magnetfeldes des stromführenden Bolzens 13 an, wobei dieses Feld seinerseits sich entsprechend der Stromstärke ändert; das Meßinstrument 28 kann auf Stromstärkewerte des Stromes im Bolzen 13 geeicht werden. In the bushing 10 is in the vicinity of the grounded flange 11 a small semiconductor block 20 arranged by conductors 21 and 27 with a Amplifier 22 of the usual type is connected. The amplifier 22 feeds through his Output 23 a relay or other control device shown in block form and is denoted by 24. In addition, between the output conductor 23 and earth 12 a measuring instrument 28 can be arranged. The semiconductor device 20 responds to changes of the magnetic field of the current-carrying bolt 13, this field in turn changes according to the strength of the current; the measuring instrument 28 can be used for amperage values of the current in the bolt 13 can be calibrated.

Die Halbleiteranordnung 20 kann z. B. ein Hallgenerator sein, an dem eine Hilfsgleichspannung aus einer nicht dargestellten Quelle anliegt. In Unterstationen, in denen Schalter vorhanden sind, ist es üblich, eine Gleichspannungsquelle zur Betätigung der Schalter vorzusehen; eine solche Quelle kann gleichzeitig zur Speisung des Hallgenerators herangezogen werden. Bei anderen Ausführungen der Erfindung kann die Halbleiteranordnung eigene Mittel zur Erzeugung einer Gleichspannung enthalten. Die Wirkungsweise des Hallgenerators zur Erzeugung eines Signals in Abhängigkeit von der magnetischen Feldstärke, die ihn durchsetzt, im Zusammenwirken mit einer anliegenden Gleichspannung ist an sich bekannt und bedarf keiner Erläuterung. Vorzugsweise ist der Leiter 21 geerdet, so daß sich die Halbleiteranordnung 20 im wesentlichen auf Erdpotential befindet.The semiconductor device 20 may, for. B. be a Hall generator on which an auxiliary DC voltage is applied from a source not shown. In substations, where switches are present, it is common to use a DC voltage source Provide actuation of the switch; such a source can be used at the same time as feeding of the Hall generator can be used. In other embodiments of the invention can the semiconductor device contain its own means for generating a DC voltage. The mode of operation of the Hall generator for generating a signal as a function of of the magnetic field strength that permeates it, in cooperation with a applied DC voltage is known per se and requires no explanation. Preferably the conductor 21 is grounded, so that the semiconductor device 20 is substantially is on earth potential.

Es sei angenommen, daß die Halbleiteranordnung 20 ein quaderförmiger Block aus Halbleitermaterial ist, daß die Gleichspannung zwischen den Enden des Quaders angelegt wird und daß die Signalleiter 21 und 27 an den Seiten des Quaders angeschlossen sind. Wenn dann ein magnetisches Feld senkrecht zu diesen beiden Richtungen die Halbleiteranordnung durchsetzt, wird ein Signal erzeugt, dessen Amplitude eine Funktion des Hilfsgleichstromes und der magnetischen Feldstärke ist. Das Relais 24 kann so eingestellt sein, daß es nur bei einem Fehlerstrom im Bolzen 13, der oberhalb einer vorbestimmten Grenze liegt, anspricht. It is assumed that the semiconductor device 20 is a cuboid Block of semiconductor material is that the DC voltage between the ends of the Cuboid is applied and that the signal conductors 21 and 27 on the sides of the cuboid are connected. If then a magnetic field is perpendicular to these two directions penetrates the semiconductor arrangement, a signal is generated, the amplitude of which is a Function of the auxiliary direct current and the magnetic field strength is. The relay 24 can be set so that there is only a fault current in the bolt 13, the is above a predetermined limit, responds.

Mit 31 ist eine weitere Halbleiteranordnung bezeichnet, die im elektrostatischen Feld 16 angeordnet ist und auf änderungen des elektrostatischen Feldes anspricht, das ihn durchsetzt. Die Halbleiteranordnung 31 kann durch Leiter 32 und 41 aus einer Spannungsquelle 33 gespeist werden. Das Ausgangssignal der Halbleiteranordnung31 wird durch den Leiter 34 an einen Widerstand 35 mit hohem Widerstandswert gelegt und nach Verstärkung durch einen nicht dargestellten Verstärker von einem Spannungsmeßinstrument 36 verwertet. With 31 another semiconductor device is referred to, which in the electrostatic Field 16 is arranged and responds to changes in the electrostatic field, that permeates him. The semiconductor arrangement 31 can by conductors 32 and 41 from a Voltage source 33 are fed. The output signal of the semiconductor device 31 is connected through conductor 34 to a resistor 35 of high resistance and after amplification by an amplifier (not shown) by a voltage measuring instrument 36 recycled.

Derjenige Teil der Halbleiteranordnung 31, der auf das elektrostatische Feld anspricht, kann Halbleitermaterial umfassen, wie es bei sogenannten Ober- flächen-Feldeffekt-Anordnungen verwendet wird, die aus der Halbleiter-Technik bekannt sind (vgl. zum Beispiel ETZ-A, 1964, S. 822, Bild 16, Oberflächen-Feldeffekt-Transistor). Das elektrostatische Feld, das bei einem Wechselstromleiter periodisch wechselt, kann einen Vorbelastungsstrom variieren, der aus der Quelle 33 durch einen Teil der Halbleiteranordnung 31 fließt. Das Ausgangssignal entsteht an dem Widerstand 35 zwischen dem Leiter 34 und Erde 12. Die Wirkungsweise einer Halbleiteranordnung, bei welcher ein durch den Halbleiterkörper fließender Hilfsstrom durch ein angelegtes Feld moduliert wird, ist bekannt. Hierbei variiert der Widerstand eines Halbleiterkörpers mit der Feldstärke eines transversal zum Hilfsstrom verlaufenden Feldes, das zwischen Grenzflächen unterschiedlichen Potentials besteht. That part of the semiconductor device 31, which on the electrostatic Field responds, can include semiconductor material, as it is in so-called upper surface-field effect arrangements is used that are known from semiconductor technology (see for example ETZ-A, 1964, p. 822, Fig. 16, surface field effect transistor). The electrostatic Field that changes periodically in an alternating current conductor can be a bias current flowing from the source 33 through part of the semiconductor device 31. The output signal arises at the resistor 35 between the conductor 34 and ground 12. The mode of operation of a semiconductor arrangement, in which a through the semiconductor body auxiliary current flowing is modulated by an applied field is known. Here the resistance of a semiconductor body varies with the field strength of a transversal to the auxiliary current running field, the different between interfaces Potential exists.

Für ein tieferes Verständnis feldempfindlicher und anderer Halbleiteranordnungen wird verwiesen auf das Buch von Hunter, »Handbook of Semiconductor Electronics«, McGraw-Hill, 2. Auflage, 1962. Es kann weiter auf das Buch von Katz, »Solid State Magnetic and Dielectric Devices«, John Wiley & Sons, 1959, hingewiesen werden. For a deeper understanding of field sensitive and other semiconductor arrangements reference is made to the book by Hunter, "Handbook of Semiconductor Electronics", McGraw-Hill, 2nd edition, 1962. It can further be referenced to Katz's book, “Solid State Magnetic and Dielectric Devices, "John Wiley & Sons, 1959.

Ein weiteres geeignetes Material zur Verwendung bei der Halbleiteranordnung 31 und/oder 20 kann ein solches sein, das ferromagnetische Bezirke enthält, bei denen die Orientierung der Moleküle von der Feldstärke abhängt und wobei die Leitfähigkeit des Materials ihrerseits eine Funktion der Orientierung ist. Eine Diskussion der ferromagnetischen Bezirke findet sich in einem Artikel von Hershberg, »Ferromagnetic Domains«, in »Electro-Technology«, Januar 1962, S. 71 bis 82. Another suitable material for use in the semiconductor device 31 and / or 20 can be one that contains ferromagnetic domains which the orientation of the molecules depends on the field strength and where the conductivity of the material itself is a function of orientation. A discussion of the ferromagnetic districts can be found in an article by Hershberg, “Ferromagnetic Domains ", in" Electro-Technology ", January 1962, pp. 71 to 82.

Die molekular wirkenden Halbleiteranordnungen 20 und 31 können Bereiche enthaIten, die eine Signalverstärkung bewirken, so daß äußere Verstärker, wie z. B. der Verstärker 22, nicht erforderlich sind. Entsprechende Hinweise finden sich in einem Artikel von Herwald, »The Concepts and Capabilitics of Molecular Electronics«, in der Zeitschrift »Westinghouse Engineer«, Mai 1960, S. 66 bis 70. Weiterhin können die Halbleiteranordnungen 20 und 31 in tJbereinstimmung mit der Technologie integrierter Schaltkreise mit Störstellen derart dotiertsein, daß sie einen leitenden Teil enthalten, falls der Strom in dem Bolzen 13 ein RecEselstrom ist, induziert das periodisch variierende magnetische Feld eine Spannung in dem-léitenden Teil, die durch einen geeigneten halbleitenden Bereich des räumlich integrierten Blockes gleichgerichtet wird. Die gleichgerichtete Spannung wird in einem kapazitiven Bereich des Halbleiterblockes gespeichert, so daß eine gleichgerichtete und wenigstens teilweise geglättete Spannung gewonnen wird. Dabei wirkt ein anderer Bereich des Blockes entsprechend seiner Dotierung als Widerstand, so daß eine Gleichspannungsquelle unmittelbar in dem Halbleiterblock vorhanden ist und die äußere Quelle 33 entfallen kann. The molecularly acting semiconductor arrangements 20 and 31 can regions contain, which effect a signal amplification, so that external amplifiers, such as e.g. B. the amplifier 22, are not required. Corresponding information can be found in an article by Herwald, "The Concepts and Capabilities of Molecular Electronics", in the magazine "Westinghouse Engineer", May 1960, pp. 66 to 70. Furthermore, can the semiconductor devices 20 and 31 are more integrated in accordance with the technology Circuits with impurities are doped in such a way that they contain a conductive part, if the current in the bolt 13 is a RecEsel current, this induces periodically Varying magnetic field creates a voltage in the conductive part, which is caused by a rectified suitable semiconducting area of the spatially integrated block will. The rectified voltage is in a capacitive area of the semiconductor block stored so that a rectified and at least partially smoothed voltage is won. Another area of the block acts according to its doping as a resistor, so that a DC voltage source is directly in the semiconductor block is present and the external source 33 can be omitted.

Zur Erzeugung einer Gleichvorspannung können ferner, nach dem bereits erwähnten Artikel von Herwald, thermoelektrische Bereiche verwendet werden. To generate a DC bias can also, after already mentioned article by Herwald, thermoelectric ranges can be used.

Gemäß F i g. 3 A hat der Halbleiterblock 31' einen Teil 51, der eine Gleichspannung erzeugt, einen Feldeffektteil 52 und einen Verstärkerteil 53. Der Feldeffektteil 52 enthält einen Bereich, dessen Leitfähigkeit sich mit der elektrostatischen Feldstärke, die auf ihn einwirkt, ändert. According to FIG. 3 A, the semiconductor block 31 'has a part 51, the one DC voltage generated, a field effect part 52 and an amplifier part 53. Der Field effect part 52 contains an area whose conductivity varies with the electrostatic Field strength acting on him changes.

Der Halbleiterblock 20' nach F i g. 3 B enthält einen Spannungserzeugerteil 61, der einen thermoelektrischen Bereich aufweist, einen Hallgeneratorteil 62 und einen Verstärkerteil 63. The semiconductor block 20 'according to FIG. 3 B contains a voltage generator part 61, which has a thermoelectric region, a Hall generator part 62 and an amplifier part 63.

Ein Teil mit Übertemperatur, der zur thermoelektrischen Erzeugung eines Stromes geeignet ist, kann bei einer Hochspannungsdurchführung ohne weiteres gegeben sein. Wenn der Montageflansch 11 aus Eisen oder einem anderen ferromagnetischen Material besteht, wird er sich bei Starkstromdurchführungen erwärmen; ein Halbleiterblock mit Thermogeneratorteil kann daher an oder in der Durchführung nahe dem Flansch angeordnet sein, so daß er die im Flansch entwickelte Wärme ausnutzt. Es können jedoch auch in der Durchführung besondere Mittel, wie z. B. leitende Teile, in denen Wirbelströme erzeugt werden, zur Entwicklung von Wärme vorgesehen sein. A part with overtemperature that is used for thermoelectric generation a current is suitable, can easily with a high-voltage bushing be given. If the mounting flange 11 is made of iron or some other ferromagnetic Material, it will heat up in the case of high-voltage bushings; a semiconductor block with thermogenerator part can therefore on or in the implementation near the flange be arranged so that it takes advantage of the heat developed in the flange. It can but also in the implementation of special means, such as. B. conductive parts in which Eddy currents are generated, be provided for the development of heat.

Das folgende bezieht sich auf Fig. 2, in der das gemessene elektrostatische Feld einer typischen, gasgefüllten Durchführung im Betrieb dargestellt ist. Ein Leiterbolzen43 ist von im wesentlichen konischen Porzellangehäuseteilen 44 und 45 umschlossen, die beiderseits eines metallischen Flansches 47 angeordnet sind. Die Durchführung ist z. B. an einem Leistungsschalter oder an einem Transformatortank befestigt; ein Teil der Tankwand ist in der Figur dargestellt und mit 46 bezeichnet. Die elektrostatischen Siquipotentiallinien sind mit 48 bezeichnet. Bei der Durchführung nach Fig. 2 ist die auf das elektrostatische Feld ansprechende Halbleiteranordnung 31 dort angeordnet, wo sie von einem Maximum der Feldlinien durchsetzt wird, wo also die größte Feldstärke herrscht. Die Empfindlichkeit der Halbleiteranordnung 31 kann durch Veränderung ihrer Lage gegenüber dem geerdeten Flansch 47 variiert werden. The following refers to Fig. 2, in which the measured electrostatic Field of a typical, gas-filled implementation is shown in operation. A Conductor bolt 43 is made of substantially conical porcelain housing parts 44 and 45 enclosed, which are arranged on both sides of a metallic flange 47. the Implementation is z. B. on a circuit breaker or on a transformer tank attached; part of the tank wall is shown in the figure and designated by 46. The electrostatic siquipotential lines are denoted by 48. During execution 2 is the electrostatic field responsive semiconductor device 31 arranged where it is penetrated by a maximum of the field lines, where so there is the greatest field strength. The sensitivity of the semiconductor device 31 can be varied by changing its position relative to the grounded flange 47 will.

Eine genaue Diskussion von Kondensatordurchführungen findet sich z. B. in einem Artikel von E. J. Grimmer, »The Design, Testing and Application of High Voltage Condenser Bushings«, der als gedrucktes Manuskript Nr. CP 55-621 eines Vortrages erschienen ist, der vor dem AIEE Pacific General Meeting, Butte, Montana, im August 1955 gehalten wurde. A detailed discussion of condenser bushings can be found z. B. in an article by E. J. Grimmer, "The Design, Testing and Application of High Voltage Condenser Bushings, ”published as printed manuscript No. CP 55-621 of one Lecture before the AIEE Pacific General Meeting, Butte, Montana, held in August 1955.

Bei Verwendung einer auf das magnetische Feld ansprechenden Halbleiteranordnung, die kein Hallgenerator ist, kann das unmittelbar erzeugte Signal, z. B. wenn es durch Induktion gewonnen wird, unter Umständen nicht von der Stromstärke, sondern von der Stromänderungsgeschwindigkeit abhängen. In diesem Fall kann eine Integriereinrichtung vorgesehen sein, damit ein Signal erhalten wird, das sich mit der Stromstärke selbst ändert. When using a semiconductor arrangement that responds to the magnetic field, which is not a Hall generator, the directly generated signal, z. B. if it is obtained by induction, possibly not from the current strength, but depend on the rate of change of current. In this case, an integrator be provided so that a signal is obtained that varies with the current strength itself changes.

Der Ausdruck »Durchführung«, wie er in den vorliegenden Unterlagen verwendet wird, umfaßt eine Anordnung, die zum Leitungsanschluß oder zur Leitungsisolierung geeignet ist, durch die ein Leiter hindurchgeführt ist oder in die sich ein Leiter erstreckt und die ein dielektrisches, festes, flüssiges oder gasförmiges Medium umfaßt, das den Leiter wenig- stens über einen Teil seiner Länge umschließt und das, falls die Durchführung in einem tragenden leitenden Flansch oder einem anderen leitenden Bauteil montiert ist, den Leiter gegenüber diesem Bauteil isoliert. Kondensator- und Gasdurchführungen sind ausdrücklich in diese Definition eingeschlossen. The term "implementation" as used in this document is used, includes an arrangement that is used for line connection or line insulation through which a conductor is passed or in which a conductor is suitable extends and which is a dielectric, solid, liquid or gaseous medium includes the conductor little at least over part of its length and that, if the bushing is in a load-bearing conductive flange or other conductive Component is mounted, the conductor is isolated from this component. Capacitor- and gas feedthroughs are expressly included in this definition.

Claims

Claims: 1. High-voltage implementation with devices for measuring the current and / or the voltage, characterized in that in or Semiconductor arrangements are attached to the implementation, which on the magnetic or address the electrostatic field of the bushing.

2. Implementation according to claim 1, characterized in that as Magnetic field-dependent semiconductor arrangement a Hall generator is used.

3. Implementation according to claim 1, characterized in that as Magnetic field-dependent semiconductor arrangement, a magnetic field-dependent resistor is used.

4. Implementation according to claim 1, characterized in that as Semiconductor arrangement dependent on the electrostatic field one from an auxiliary current traversed semiconductor body is used, whose resistance through the transversal to Auxiliary current running electrostatic field is varied.

5. Implementation according to claim 1, characterized in that as Auxiliary voltage source for supplying the field-dependent semiconductor arrangement (s) with A direct current forms a conductive element in which the magnetic field carries through an alternating voltage is induced, provided with a downstream rectifier is.

6. Implementation according to claim 1, characterized in that as Auxiliary voltage source for supplying the field-dependent semiconductor arrangement (s) with a direct current a thermal generator is provided.

7. Implementation according to one of claims 5 or 6, characterized in that that the auxiliary voltage source with the field-dependent semiconductor device to one Semiconductor block is combined in the form of an integrated circuit.

8. Implementation according to claim 7, characterized in that the Semiconductor block also contains an amplifier part.

9. Implementation according to claim 6, characterized in that as Energy source of the thermogenerator is a conductive part in which eddy currents are used flow.

10. Implementation according to claim 9, characterized by use a ferromagnetic part.

11. Implementation according to claim 9, characterized in that the metallic part of the fastening flange of the implementation.