DE1250007B

DE1250007B -

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Publication number: DE1250007B
Application number: DES56094A
Authority: DE
Priority date: 1957-11-30
Publication date: 1967-09-14
Also published as: CH366904A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

HOllHell

DeutscheKl.: 21g-11/02 German class: 21g-11/02

Nummer: 1250 007Number: 1250 007

Aktenzeichen: S 56094 Vffl c/21 gFile number: S 56094 Vffl c / 21 g

Anmeldetag: 30. November 1957Filing date: November 30, 1957

Auslegetag: 14. September 1967Opened on September 14, 1967

Die Erfindung bezieht sich auf einen Leistungstransistor, bestehend aus einer einkristallinen Siliziumscheibe, die wenigstens zwei hochdotierte Gebiete von gegebenem Leitfähigkeitstyp — Emitter und Kollektor — und zwischen diesen ein weniger hoch dotiertes Basisgebiet vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweist, das über je einen pnübergang unmittelbar an die beiden anderen Gebiete grenzt, wobei der Kollektor einen wesentlichen Teil der einen Flachseite der Scheibe einnimmt, ein wesentlicher Teil der anderen Flachseite von einem Basiskontakt bedeckt ist, dessen Fläche mindestens eine Lücke für eine streifenförmige Emitterfläche aufweist, und die Gesamtgröße der Emitterfläche mehrere Quadratmillimeter beträgt. Derartige Transistoren werden bekanntlich für Starkstromzwecke verwendet. Sie können als pnp-Transistor oder als npn-Transistoren ausgeführt sein.The invention relates to a power transistor consisting of a monocrystalline silicon wafer, the at least two highly doped areas of a given conductivity type - emitter and collector - and between these a less highly doped base region from the opposite one Has conductivity type that is directly connected to the other two areas via a pn junction each delimits, the collector occupying a substantial part of one flat side of the disk A substantial part of the other flat side is covered by a base contact, the area of which is at least has a gap for a strip-shaped emitter area, and the total size of the emitter area is several square millimeters. Such transistors are known to be used for high voltage purposes used. They can be designed as pnp transistors or as npn transistors.

Aufgabecder Erfindung ist es, die Ausnutzung der Emitterfläche und damit auch der Halbleiterfläche zu verbessern. Die Erfindung besteht darin, daß die Emitterstreifenbreite dem 2 ΥΙ-t achen der DifIusionslänge bei hohen Injektionen möglichst angenähert ist. Der Zustand »hoher Injektionen« ist gegeben, wenn die Konzentrationen der Ladungsträger von beiderlei Typ (Löcher und Elektronen), die in den Basisbereich injiziert werden, weit größer sind, als den Gleichgewichtsbedingungen entspricht, im Gegensatz zum Zustand »niedriger Injektionen«, in welchem die Konzentration der Minoritätsträger stets klein gegen, den Verunreinigungsgehalt ist (Aufsatz von Hall, in »Proc. Ire«, 40, 1952, S. 1513).The task of the invention is to improve the utilization of the emitter area and thus also the semiconductor area. The invention consists in that the width of the emitter stripe is as close as possible to 2 ΥΙ times the diffusion length in the case of high injections. The "high injections" state is given when the concentrations of charge carriers of both types (holes and electrons) injected into the base region are far greater than the equilibrium conditions, in contrast to the "low injections" state, in which the concentration of minority carriers is always small compared to the impurity content (article by Hall, in "Proc. Ire", 40, 1952, p. 1513).

Die Bemessung nach der Erfindung beruht auf folgenden Überlegungen: Ein Teil der Flußspannung, welche zwischen der Emitter- und Basiselektrode eines Transistors liegt, entfällt auf den eigentlichen, zwischen dem Emittergebiet und dem Basisgebiet befindlichen pn-übergang. Ein anderer Teil der Flußspannung wird innerhalb des Basisgebietes zum seitlichen Abführen des Basisstromes verbraucht. Dieser seitliche Spannungsabfall ist im Prinzip immer vorhanden, wird jedoch erst merklich, wenn im Basisgebiet die Bedingungen starker Injektionen herrschen, wenn also beide Trägerkonzentrationen weit über die Dotierungskonzentration angehoben sind. Dieser Fall ist in Leistungstransistoren bei hohen Kollektorströmen in der Regel gegeben. Bei derartigen Belastungen ist also der mit der Abführung des Basisstromes verknüpfte Spannungsabfall groß genug, um den Spannungsabfall am pn-übergang merklich herabzusetzen, und zwar bei Betrachtung der verschiedenen Strombahnen um so mehr, je weiter ihr Ur-Leistungstransistor aus SiliziumThe dimensioning according to the invention is based on the following considerations: Part of the forward voltage, which lies between the emitter and base electrode of a transistor, is not included in the actual, pn junction located between the emitter region and the base region. Another part of the flux voltage is used within the base area Lateral discharge of the base current consumed. This lateral voltage drop is in principle always present, but only becomes noticeable when the conditions of strong injections prevail in the base area, if both carrier concentrations are raised far above the doping concentration. This case is usually given in power transistors at high collector currents. With such loads is the voltage drop associated with the dissipation of the base current large enough to to reduce the voltage drop at the pn junction noticeably, when considering the various The further your original power transistor made of silicon, the more current paths it becomes

Anmelder:Applicant:

Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Siemens Aktiengesellschaft, Berlin and Munich, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Dr. rer. nat. Adolf Herlet, PretzfeldDr. rer. nat. Adolf Herlet, Pretzfeld

sprung vom Rand des Emitters entfernt ist. Exponentiell mit der restlichen lokalen Spannung am pnübergang nimmt aber auch die Trägerinjektion aus dem Emitter ab. Hierauf beruht die erfinderische Erkenntnis, daß die innengelegenen Flächenelemente einen geringeren Beitrag zum Emittefstrom leisten zo als die Randbezirke. Unter der vereinfachenden Annahme, daß bei genügend hoher Dotierung des Emitterbereiches und bei geringem Abstand zwischen Emitter und Basis für die Berechnung des Basisstromes nur die Volumenrekombination im Basisgebiet zu berücksichtigen ist, daß also der Gehaltsfaktor des Emitterstromes zu 100% angenommen und die Oberflächenrekombination gleich Null gesetzt werden kann, wurde für einen npn-Transistor aus Silizium berechnet, daß bei Berücksichtigung des exponentiellen Zusammenhangs zwischen der lokalen Spannung am pn-übergang und der Trägerinjektion aus dem Emitter bei einer kreisförmigen Emitterfläche im wesentlichen nur der äußere Rand des Emitters in einer Breite von YlL_p wirksam ist, wenn der Radius r_e der Emitterfläche groß ist gegenüber dem Betrag YlL_p, wobei L_p die Diffusionslänge im Basisgebiet bei hohen Injektionen bedeutet.jump from the edge of the emitter. However, the carrier injection from the emitter also decreases exponentially with the remaining local voltage at the pn junction. On this rests the inventive realization that the inner lying surface elements make a smaller contribution to Emittefstrom zo than the suburbs. Under the simplifying assumption that with a sufficiently high doping of the emitter area and with a small distance between emitter and base, only the volume recombination in the base area has to be taken into account for the calculation of the base current, i.e. that the content factor of the emitter current is assumed to be 100% and the surface recombination is set to zero can be calculated for an npn transistor made of silicon that, taking into account the exponential relationship between the local voltage at the pn junction and the carrier injection from the emitter, with a circular emitter area essentially only the outer edge of the emitter with a width of YIL _{p is} effective when the radius r _{e of} the emitter area is large compared to the amount YlL _p , where L _{p means} the diffusion length in the base region for high injections.

Zur Erläuterung der Erfindung wird auf die Fig. 1 bis 5 der Zeichnung Bezug genommen, in denen verschiedene Bauarten von Leistungstransistoren stark vergrößert dargestellt sind.To explain the invention, reference is made to FIGS. 1 to 5 of the drawing, in which different types of power transistors are shown greatly enlarged.

Die F i g. 1 a und 1 b zeigen einen Transistor mit bekannter Elektrodenanordnung in der Schnittebene a-a, von der Seite gesehen, bzw. in der Schnittebene b-b, von oben gesehen. Er besteht beispielsweise aus einer Siliziumscheibei vom p-Leitfähigkeitstyp, deren Räche quadratisch angenommen ist und eine Seitenlänge von 8 mm haben möge. Auf der Unterseite dieser Scheibe, deren ursprüngliche Stärke 0,08 mm gewesen sei, sei durch Einlegieren einer 0,04 mm starken Goldfolie mit 1% Antimongehalt ein KollektorC geschaffen, der nahezu die ganzeThe F i g. 1 a and 1 b show a transistor with a known electrode arrangement in the sectional plane aa, seen from the side, and in the sectional plane bb, seen from above. It consists, for example, of a silicon wafer of the p-conductivity type, the area of which is assumed to be square and a side length of 8 mm. On the underside of this disk, the original thickness of which was 0.08 mm, a collector C was created by alloying a 0.04 mm thick gold foil with 1% antimony content, almost the whole of which

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Unterseite bedeckt. Ihm ist nach dem Inneren der Siliziumscheibe hin ein pn-übergang vorgelagert. In derselben Weise ist auf der gegenüberliegenden Scheibenseite ein Emitter E mit kreisförmiger Fläche einlegiert, deren Radius mit r_c bezeichnet ist. Dieser Emitter ist von einem ringförmigen Basiskontakt B konzentrisch umgeben, der durch Einlegieren einer ringförmigen- Aluminiumfolie von beispielsweise 0,04 mm Stärke gebildet sein kann. An Siliziumtransistoren dieser Bauart, welche mit verschieden großem Durchmesser der Emitterfläche und stets gleichem Randabstand des Basisringes ausgeführt waren, wurden bei einem Verstärkungsfaktor a=10 die Emitterströme in Abhängigkeit vom Emitterradius gemessen. Diese Messungen bestätigten die obenerwähnte lineare Abhängigkeit der Emitterströme vom Emitterdurchmesser im Gegensatz zu der quadratischen Zunahme der Emitterfläche.Underside covered. A pn junction is located in front of it towards the inside of the silicon wafer. In the same way, an emitter E with a circular surface is alloyed on the opposite side of the pane, the radius of which is denoted by r _c. This emitter is concentrically surrounded by an annular base contact B , which can be formed by alloying an annular aluminum foil, for example 0.04 mm thick. The emitter currents were measured as a function of the emitter radius on silicon transistors of this type, which had emitter surface diameters of different sizes and always the same edge distance of the base ring, with a gain factor of a = 10. These measurements confirmed the above-mentioned linear dependence of the emitter currents on the emitter diameter in contrast to the quadratic increase in the emitter area.

Demgegenüber wird eine bessere Ausnutzung der Emitterfläche und daher auch der Halbleiterfläche durch die Bauart gemäß Fig. 2a und 2b erzielt, welche ein Ausführungsbeispiel der Erfindung verkörpert. Die Emitterfläche ist hier gleich groß wie in F i g. 1 a und 1 b angenommen, denen auch die Darstellungsweise in den Schnittebenen a-a, b-b angeglichen ist. Ebenso wurde das gleiche Herstellungsverfahren zugrunde gelegt, jedoch wird in den Fig. 2a und 2b die Emitterfläche E von einem ringförmigen Streifen gebildet, wobei nicht nur außerhalb dieses Emitterringes ein Basisring B_v sondern auch innerhalb des Emitterringes E ein in diesem Fall kreisförmiger Basiskontakt B₂ vorgesehen ist. Die nutzbare Randfläche des Emitterringes E ist hier doppelt so groß wie bei dem Leistungstransistor nach den F i g. 1 a und 1 b, so daß unter sonst gleichen Verhältnissen auch der Emitterstrom die doppelte Höhe hat. Bei diesem Vergleich der F i g. 1 und 2 ist beispielsweise vorausgesetzt, daß der mittlere Radius des Emitterringes gemäß F i g. 2 a und 2 b gleich dem Radius r_e der kreisförmigen Emitterfläche gemäß F i g. 1 a und 1 b ist und seine Breite gleich dem halben Betrag 0,5 r_e. In Übereinstimmung mit der Erfindung wird nun empfohlen, den Emitterstreifen mit einer Breite, welche dem günstigsten Wert 2]/2~L_p möglichst nahe kommt, praktisch auszuführen, weil bei einer erheblich größeren Breite die Emitterfläche zu wenig ausgenutzt ist und eine erheblich kleinere Breite für eine gegebene Emitterfläche zu einer größeren Streifenlänge und damit bei gegebenem mittlerem Radius zu einer Vermehrung der Anzahl der Emitterringe führt, welche den Herstellungsaufwand vermehrt, ohne daß die Flächenausnutzung in einem entsprechenden Maße verbessert werden kann. Praktisch hergestellt wurden brauchbare Leistungstransistoren unter anderem durch Einlegieren von 0,8 bzw. 1 mm breiten Emitterstreifen nach dem in Fig. 2b dargestellten Ringmuster, wobei Randabstände zwischen 0,05 und 0,1 mm zwischen dem Emittering E und den zugleich damit einlegierten Basiskontakten B₁ und B, eingehalten wurden. Mit der angegebenen Breite ließen sich die erwähnten Folien aus Gold bzw. Aluminium in Ringform vor dem Einlegieren bequem handhaben. Zum Einlegieren wurde beispielsweise die Siliziumscheibe zusammen mit den Folien für Basiskontakte, Emitter und Kollektor in der vorgesehenen Anordnung in Graphitpulver eingebettet und im Vakuum erhitzt, wie z. B. in den Patenten 1 015 152In contrast, better utilization of the emitter area and therefore also of the semiconductor area is achieved by the design according to FIGS. 2a and 2b, which embodies an exemplary embodiment of the invention. The emitter area is the same size here as in FIG. 1 a and 1 b assumed, to which the representation in the sectional planes aa, bb is aligned. The same manufacturing method was also used, but in FIGS. 2a and 2b the emitter surface E is formed by an annular strip, with a base ring B _v not only outside this emitter ring but also inside the emitter ring E a circular base contact B _{2 in this case} is provided. The usable edge area of the emitter ring E is twice as large here as in the case of the power transistor according to FIGS. 1 a and 1 b, so that all other things being equal, the emitter current is also twice as high. In this comparison of FIGS. 1 and 2 it is assumed, for example, that the mean radius of the emitter ring according to FIG. 2 a and 2 b equal to the radius r _{e of} the circular emitter area according to FIG. 1 a and 1 b and its width equal to half the amount 0.5 r _e . In accordance with the invention, it is now recommended to _{practically design the emitter strip with a width which comes as close as possible to the most favorable value 2] / 2 ~L p} , because with a considerably larger width the emitter area is underutilized and a considerably smaller width for a given emitter area leads to a greater strip length and thus, for a given mean radius, to an increase in the number of emitter rings, which increases the manufacturing costs without the area utilization being able to be improved to a corresponding extent. Useful power transistors were made practically inter alia, by alloying of 0.8 and 1 mm wide strip of the emitter shown in Fig. 2b ring pattern, said edge distance between 0.05 and 0.1 mm between the Emittering E, and at the same time the so alloyed base contacts B ₁ and B have been complied with. With the specified width, the mentioned foils made of gold or aluminum in the form of a ring can be conveniently handled before being alloyed. For alloying, for example, the silicon wafer was embedded together with the foils for base contacts, emitter and collector in the intended arrangement in graphite powder and heated in a vacuum, e.g. B. in patents 1,015,152

und 1046198 beschrieben. Auf den einlegierten Ringen konnten ohne besondere Schwierigkeiten Anschlußleitungen aus Draht oder Blechstreifen durch Lötung od. dgl. angebracht werden. Die erwähnte Streifenbreite um 0,8 bzw. 1 mm ist auch hinsichtlich der Ausnutzung der Emitterfläche dem Optimum mindestens stark angenähert, da eine Diffusionslänge L_p von 0,3 mm bei hohen Injektionen erreicht werden kann. Eine nachträgliche Kontrolle ist möglich, indem die Diffusionslänge L_p in an sich bekannter Weise aus dem meßbaren «-Wert und der Basisdicke ermittelt wird.and 1046198. Connection lines made of wire or sheet metal strips could be attached to the alloyed rings by soldering or the like without any particular difficulty. The mentioned strip width of 0.8 or 1 mm is also at least very close to the optimum with regard to the utilization of the emitter area, since a diffusion length L _p of 0.3 mm can be achieved with high injections. A subsequent check is possible by determining the diffusion length L _p in a manner known per se from the measurable value and the base thickness.

Selbst wenn sich dabei für L_p geringere Werte von beispielsweise 0,2 oder 0,1 mm ergeben, ist die beschriebene Wahl der Emitterbreite vorteilhaft, weil Folienstreifen von geringerer Breite infolge mangelnder Steifigkeit schwieriger herzustellen und zu handhaben sind und auch die Anbringung der Stromzuführungen umständlicher ist.Even if lower values of 0.2 or 0.1 mm, for example, result for L _p , the selection of the emitter width described is advantageous because film strips with a smaller width are more difficult to manufacture and handle due to a lack of rigidity and the attachment of the power supply lines is also more complicated is.

In Weiterbildung des Ringmusters nach Fig. 2b ist eine Ausführungsform eines Leistungstransistors mit unterteilter Emitterfläche als weiteres Erfindungsbeispiel in Fig. 3a und 3b wiederum in den Schnittebenen a-a bzw. b-b dargestellt. Hier sind die verschiedenen Ringe abwechselnd Teile des Emitters E und der Basiskontaktfläche B. Der größte Emitterring ist von einem noch größeren Basiskontaktring umgeben, und innerhalb des kleinsten Emitterringes ist noch ein Basiskontaktring vorgesehen, so daß sich zu beiden Seiten jedes Emitterstreifens ein Basiskontaktstreifen befindet und somit die gesamte Randlänge der Emitterfläche wirksam ausgenutzt ist. Der innerste Basiskontakt kann natürlich auch eine Kreisfläche sein. Leistungstransistoren mit einem derartigen Mehrfachringmuster, welche durch Einlegieren von zwei 1 mm breiten Ringfolien aus antimonhaltigem Gold bzw. drei ebenso breiten Aluminiumfolien hergestellt waren, ergaben bei 2,5 Amp. Basisstrom bis zu 20 Amp. Ausgangsstrom über Emitter und Kollektor. Für den letzteren wurde eine Gold-Antimon-Folie von etwas größerem Durchmesser als die Siliziumscheibe verwendet. Dadurch wurde erreicht, daß sich die Legierungsbildung zwischen Si und Au—Sb auch auf die Randfläche der Siliziumscheibe ausdehnte. F i g. 3 a läßt diese Ausbildung des Kollektors C erkennen. Sie hat den Vorteil, daß sich die äußere pn-Grenze des kollektorseitigen pn-Überganges auf der oberen Flachseite der Siliziumscheibe befindet und infolgedessen z. B. für Ätzung und Reinigung ebenso bequem zugänglich ist wie die äußeren pn-Grenzen der emitterseitigen pn-Übergänge. Auf der unteren Kollektorfläche kann ferner eine Tragplatte T, z. B. aus Wolfram oder Molybdän, nachträglich befestigt sein. Zu diesem Zweck kann etwa eine Molybdänscheibe zunächst elektrolytisch mit einer Goldauflage versehen werden, die durch Erhitzung auf 800 bis 900° C festgebrannt werden kann. Die so vorbereitete Tragplatte kann dann mit dem Transistorelement durch kurzzeitige Erhitzung bis auf etwa 400° C fest vereinigt werden, ohne daß dessen zuvor ausgebildete Schichtstruktur und seine elektrischen Eigenschaften merklich beeinflußt werden.In a further development of the ring pattern according to FIG. 2b, an embodiment of a power transistor with a subdivided emitter area is shown as a further example of the invention in FIGS. 3a and 3b, again in the sectional planes aa and bb. Here the different rings are alternately parts of the emitter E and the base contact area B. The largest emitter ring is surrounded by an even larger base contact ring, and within the smallest emitter ring there is another base contact ring, so that there is a base contact strip on both sides of each emitter strip and thus the entire edge length of the emitter surface is effectively used. The innermost base contact can of course also be a circular area. Power transistors with such a multiple ring pattern, which were produced by alloying two 1 mm wide ring foils made of antimony-containing gold or three equally wide aluminum foils, gave up to 20 amps output current via emitter and collector at a base current of 2.5 amps. For the latter, a gold-antimony foil with a slightly larger diameter than the silicon wafer was used. It was thereby achieved that the alloy formation between Si and Au — Sb also extended to the edge surface of the silicon wafer. F i g. 3 a shows this formation of the collector C. It has the advantage that the outer pn limit of the collector-side pn junction is on the upper flat side of the silicon wafer and, as a result, z. B. is just as easily accessible for etching and cleaning as the outer pn boundaries of the emitter-side pn junctions. On the lower collector surface, a support plate T, for. B. made of tungsten or molybdenum, be attached later. For this purpose, a molybdenum disk, for example, can first be electrolytically provided with a gold plating, which can be burned on by heating to 800 to 900 ° C. The support plate prepared in this way can then be firmly united with the transistor element by briefly heating it to about 400 ° C. without its previously formed layer structure and its electrical properties being noticeably affected.

Die Fig. 4a und 4b zeigen ein Transistorelement mit einem geraden Streifenmuster in Ansicht von der Seite bzw. von oben. Auch hier befindet sich beiderseits eines jeden der 0,8 bis 1 mm breiten Emitterstreifen E ein Basiskontaktstreifen B von beispiels-FIGS. 4a and 4b show a transistor element with a straight striped pattern, viewed from the side and from above, respectively. Here, too, there is a base contact strip B on both sides of each of the 0.8 to 1 mm wide emitter strips E, for example

Claims

wise the same width. For power supply, e.g., sheet metal strips ZE for the emitter parts or ZB for the base contacts can be used as shown in Fig. 4a. The feed line ZE can consist of copper, which can first be silver-plated and then gold-plated by galvanic means and finally welded to the contact points. A similar feed ZB, after it has been tinned at the contact points, can be soldered to the etched aluminum strips, which are also tinned at the corresponding points. A plurality of feed lines can be provided both for the base contacts and especially for the emitter contacts, which generally carry higher currents. In the same way, transistors with a ring pattern according to FIG. 2 and 3 are provided with the same power supply lines. They can also be arranged crosswise or in a star shape, while in the case of stripe patterns they can be arranged in accordance with FIG. 4 are preferably to be arranged side by side in the direction of the strip. In Fig. 5 finally shows a transistor with a per se known comb pattern, in which the strips belonging to the emitter E, which extend into the comb gaps of the base contact area B, and advantageously also the corresponding strips of the base contact B in accordance with the invention with a Width equal to 2 YlLp or between 0.4 and Imm are to be carried out. The invention was explained using the example of an npn transistor. It can also be applied in a corresponding manner to transistors with pnp layering, with the diffusion length Ln in the η-conducting base region being used instead of Lp. For the practical implementation, approximately the same dimensions come into consideration as given above for npn transistors. Patent claims:

1. Leistungstransistor, bestehend aus einer einkristallinen Siliziumscheibe, die wenigstens zwei hochdotierte Gebiete von gegebenem Leitfähig1. Power transistor, consisting of a single crystal silicon wafer, the at least two highly doped areas of given conductivity keitstyp — Emitter und Kollektor — und zwi schen diesen ein weniger hoch dotiertes Basisgebiet vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweist, das über je einen pn-übergang unmittelbar an die beiden anderen Gebiete grenzt, wobeiity type - emitter and collector - and betwe between these a less highly doped base region of the opposite conductivity type has, which is directly adjacent to the other two areas via a pn junction each, with der Kollektor einen wesentlichen Teil der einen Flachseite der Scheibe einnimmt, ein wesentlicher Teil der anderen Flachseite von einem Basiskontakt bedeckt ist, dessen Fläche mindestens eine Lücke für eine streifenförmige Emitterflächethe collector occupies a substantial part of one flat side of the disk, an essential part Part of the other flat side is covered by a base contact, the area of which is at least a gap for a strip-shaped emitter area aufweist, und die Gesamtgröße der Emitterfläche mehrere Quadratmillimeter beträgt, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterstreifenbreite dem 2 j/2-fachen der Diffusionslänge bei hohen Injektionen möglichst angenähert ist. _and the total size of the emitter area is several square millimeters, characterized in that the emitter stripe width is 2 j / 2 times the diffusion length high injections as close as possible. _

2. Leistungstransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei mehreren konzentrisch angeordneten Ringstreifen, welche abwechselnd Teile des Emitters und des Basiskontaktes sind, sowohl außerhalb des größten als auch2. Power transistor according to claim 1, characterized in that in the case of a plurality of concentrically arranged ring strips, which alternate parts of the emitter and the base contact are, both outside of the largest as well innerhalb des kleinsten Emitterringes eine Basiskontaktfläche vorgesehen ist.a base contact area is provided within the smallest emitter ring.

In Betracht gezogene Druckschriften: Belgische Patentschrift Nr. 520 677.Considered publications: Belgian patent specification No. 520 677.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings